TW200901518A - Semiconductor light emitting device packages and methods - Google Patents

Semiconductor light emitting device packages and methods Download PDF

Info

Publication number
TW200901518A
TW200901518A TW097114012A TW97114012A TW200901518A TW 200901518 A TW200901518 A TW 200901518A TW 097114012 A TW097114012 A TW 097114012A TW 97114012 A TW97114012 A TW 97114012A TW 200901518 A TW200901518 A TW 200901518A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
pad
adhesive
corner
bonding
Prior art date
Application number
TW097114012A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI467795B (zh
Inventor
Ban P Loh
Nathaniel O Cannon
Norbert Hiller
John Edmond
Mitch Jackson
Nicholas W Medendorp Jr
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of TW200901518A publication Critical patent/TW200901518A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI467795B publication Critical patent/TWI467795B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

200901518 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體發光裝置，且更特定言之’係關於 用於半導體發光裝置之封裝。 【先前技術】 發光二極體及雷射二極體為吾人所熟知之能夠在施加足 夠電壓時產生光的固態電子裝置。發光二極體及雷射二極 體可通常被稱為發光裝置（LED)。發光裝置通常包括一形 Ο u 成於生長在諸如藍寶石、矽、碳化矽、砷化鎵及其類似物 之基板上之磊晶層中的p-n接面。由LED所產生之光之波長 分布視製造p - η接面的材料及包括裝置之作用區域之薄磊 晶層的結構而定。 通常’ LED包括基板、形成於基板上之。型磊晶區域及 形成於η型磊晶區域上的p型磊晶區域（或反之亦然）。為了 有助於施加電麼至裝置，在裝置之Ρ型區域（通常，暴露之 Ρ型磊晶層）上形成陽極歐姆接觸且在裝置之η型區域（諸 如，基板或暴露之η型磊晶層）上形成陰極歐姆接觸。 為了在電路中使用一 LED，需要封裝該咖以保護其不 受環境危害及機械損壞。LED封裝亦包括用於將咖晶片 電連接至-外部電路的構件（諸如，電導線）。在圖Μ中所 3兒明之典型封裝10中，經由焊料黏結劑或環氧樹脂而將 LED 黏著至反射杯13上。—或多個線黏合將之歐姆 接觸連接至可附著至反射杯13或與反射杯13整合的導線 15A、15B。接著將整個總成囊封於可以透鏡之形狀成型 130658.doc 200901518 以使自LED晶片12發射之光準直的透明保護樹脂μ中。 在圖1B中所說明之另-f知封裝辦，將複數個㈣晶 片22黏著至一印刷電路板（pCB)載體以上。在U上之 歐姆接觸與PCB 23上之電迹線25Α、25β之間形成一或多 個線黏合連接。接著用一滴透明樹脂24覆蓋每—經黏著之 LED 22,該樹脂24可提供對晶片之環境及機械保護而同時 充當透鏡。接著藉由將PCB板23鋸成各自含有一或多個 led晶片22之小方塊來分離個別經封裝之LED 22。 對於發光裝置之使用者而言的一個優值為每流明成本， 亦P獲取、.’s疋級別之光輸出的成本。習知封裝技術之高 成本可為保持固態照明之每流明成本相對高的一個因素。 此外，驾知封裝技術可導致不適用於特定小型化應用（諸 如，蜂巢式電話背光）之大的笨重封裝。習知封裝技術亦 可具有不良耐熱特徵，其限制可藉以驅動LED晶片之功率 位準且向系統設計者施加關於L.ED之置放的限制。 關於發光二極體之一些封裝在讓渡給本發明之受讓人的 美國預授予公開案第2004/0079957號、第2004/0126913號 及第2005/0269587號中描述，且如同在本文中完全陳述般 以引用的方式併入本文中。 【發明内容】 本發明之一些實施例提供一種用於一發光裝置封裝之子 基板（submount)。該子基板包括一大體矩形基板，該基板 具有一第一表面及一與該第一表面相對的第二表面、—第 端及一與該第一端相對的第二端。一第一黏合墊及—第 130658.doc 200901518 二黏合墊在該基板之該第—表面上。該第一黏合墊可包括 一朝向該基板之該第-端偏移且經架構成在其上接收一發 光二極體的晶粒附著區域。該第二黏合墊可包括：一黏合 區域，該黏合區域在該第一黏合墊與該基板之該第二端之 間；及一第二黏合塾延伸冑，該第二黏合墊延伸部㈣黏 合區域沿該基板之-側朝向該基板之該第—端處的該基板 之一拐角延伸。 該基板進-纟包括在該基板之該第二表面上之第一及第 一焊接墊。該第一焊接墊相鄰於該基板之該第一端，且該 第二焊接塾相鄰於該基板之該第二端。該第二黏合墊與該 第一焊接墊電接觸，且該第一黏合墊與該第二焊接墊電接 觸。 該基板可包括一在該基板之該拐角處之城堡部及一在該 城堡部上之電观，該電料自該基板之該第—表面延伸 至該基板之該第二表面且電連接該第二黏合墊與該第一焊 接墊。 該基板之該側可包括一第—側且該基板之該拐角可包括 一第一拐角，且該第一黏合墊可進一步包括一第一黏合墊 延伸部，該第一黏合墊延伸部自該晶粒附著區域沿與該基 板之該第一側相對的該基板之一第二側朝向在該基板之該 第一端處且與該第一拐角對角地相對的該基板之一第二拐 角延伸。 該基板可包括一在該基板之該第二拐角處之城堡部。— 第二電迹線可在該第二城堡部上且可自該基板之該第一表 130658.doc 200901518 面延伸至該基板之該第二表面以電連接該第一黏合墊與該 第二焊接墊。 ~ 該子基板可進-步包括—在該基板之該第二表面上、在 該第-焊接墊與第二焊接墊之間的中性墊。該中性墊可與 該第一焊接墊及該第二焊接墊電絕緣。 該基板可包括一電絕緣材料，諸如，氮化鋁、碳化矽、 金剛石及/或氧化鋁》
該子基板可進-步包括自該基板之該第—表面穿過該基 板延伸至該基板之該第二表面的至少—通孔。—導電材料 可在該至少—通孔中且可電連接㈣_黏合墊與該第 接墊。 & %必双上心晶種層及一在該晶 種層上之熱擴散層。該熱擴散層可包括具有大於約$师之 厚度的一層銅。 該第一黏合塾可進一步包括一與該晶種層相對而在該执 擴散層上之障壁層，及一與該熱擴散層相對而在該障壁層 上之反射層。Μ第一黏合墊可進—步包括在該晶種層與該 熱擴散層之間的第二障壁層。 根據本發明之一些實施例之一發光裝置封裝包括一大體 矩形基板，該基板具有―第—表面及—與該第-表面相^ 的弟一表面、—第一端及一與該第—端相對的第二 一t該基板之該第一表面上之第-黏合塾。該第-黏合塾 可包括-自該第-表面之一中心朝向該基板之該第一端偏 移且經架構成在其上接收-發光二極體的晶粒附著區域。 130658.doc •9· 200901518 該基板可進一步包括一在該基板之該第一表面上之第二黏 合墊，該第二黏合墊包括：一黏合區域，該黏合區域在該 第一黏合墊與該基板之該第二端之間；及一第二黏合墊延 伸部，該第二黏合墊延伸部沿自該黏合區域沿該基板之一 側朝向該基板之該第一端處的該基板之一拐角延伸。 該基板進一步包括在該基板之該第二表面上之第一及第 二焊接墊。該第一焊接墊相鄰於該基板之該第一端，且該 第二焊接墊相鄰於該基板之該第二端。該第二黏合墊與該 第一焊接墊電接觸，且該第一黏合墊與該第二焊接墊電接 觸。 一具有一電接點之發光裝置黏著於該第—黏合墊上且 一黏合線黏合至該發光裝置之該電接點及至該第二黏合 塾。 一囊封物可在該基板之該第一表 该曩封物可包括 -配置於該發光裝置上的一體式透鏡。該—體式透鏡可旦
有-與該發光裝置之-中心對準的光軸，使得該—體式透 鏡自該基板之一中心朝向該基板之該第—端偏移。 該封裝可進-步包括：-包括—電接點之勘保護晶 片’ S亥ESD保護晶片黏著於該第一黏合塾.—_ 、良一弟二黏 合線，該第二黏合線電連接該ESE)保護 ia曰片之該電接點與 該第二黏合墊。 —分散器。在一 置與該囊封物之 一在該囊封物上 該囊封物可包括一波長轉換材料及/或 些實施例中’該封裝可包括一在該發光裳 間的波長轉換材料。該封裝可進一步包括 130658.doc -10- 200901518 之次要光學元件。 本發明之一些實施例提供形成一用於一發光二極體 (LED)封裝之子基板的方法。該等方法包括提供一大體矩 形基板，該基板具有一第一表面及一與該第一表面相對的 第二表面，一第一端及一與該第一端相對的第二端，一在 該第一端處之第一拐角及一在該第二端處且與該第一拐角 對角地跨越該基板之第二拐角。在該基板之該第一表面上 形成一晶種層，且圖案化該晶種層以在該基板之該第一表 面上形成一第一黏合墊圖案及一第二黏合墊圖案。 在该第一黏合墊圖案上形成一第一黏合墊。該第一黏合 墊可包括一自該第一表面之一中心朝向該基板之該第一端 偏移且經架構成在其上接收一發光二極體的晶粒附著區 域。在該第二黏合墊圖案上形成一第二黏合墊。該第二黏 合墊可包括：一黏合區域，該黏合區域在該第一黏合墊與 S玄基板之s亥弟.一纟而之間，及一第二黏合墊延伸部，該第_ 黏合墊延伸部自該黏合區域沿該基板之一側朝向該基板之 該第一端處的該基板之一拐角延伸。該等方法進一步包括 #刻該弟一黏合墊及S亥第二黏合塾以增加該第一黏合塾與 該第二黏合墊之間的一間距。 該等方法可進一步包括在該基板之該第二表面上形成第 一及第二焊接墊。該第一焊接墊可相鄰於該基板之該第— 端而形成，且該第二焊接墊可相鄰於該基板之該第二端而 形成。該第二黏合墊可與該第一焊接墊電接觸，且該第— 黏合墊可與該第二焊接墊電接觸。 130658.doc • 11 - 200901518 該等方法可進一步包括自該第一拐角及該第二拐角移除 材料以在該第一拐角及該第二拐角處提供各別第一及第二 城堡。卩。可在該第一城堡部上形成一第一電通孔以電連接 該第二黏合墊與該第一焊接墊。可在該第二城堡部上形成 一第二電通孔以電連接該第一黏合墊與該第二焊接墊。 Ο
本發明之一些實施例提供形成複數個封裝之發光二極體 的方法。該等方法包括：提供陶瓷材料之一薄片，其包括 黏著於其上的發光裝置之二維陣列；提供一模具，其中包 括複數個工腔，將一液體囊封物材料分配至該複數個空腔 中之各別空腔中；及使陶究材料之該薄片與該模具接觸使 得該等發光裝置中之各別發光裝置延伸至該複數個空腔中 之-對應空腔中。至少部分地固化該液體囊封物以便形成 圍繞各別發光裝置之囊封物塗層。 陶瓷材料之該薄片可包括穿過其之複數個金屬化孔，且 該等方法可進-步包括：沿延伸穿過該複數個孔之一子集 的分離線分離陶瓷材料之該^產y ^，、社 * U艾柯行（巧潯片U進而界定個別發光二極 體基板，該等個別發光二極體基板在其—拐角處包括至少 -城堡部’在該至少一城堡部上包括一自一基板之一第一 表面延伸至该基板之一第二表面的電通孔。 【實施方式】 包括以提供對本發明之進一步理解且併入本申請案中並 組成本申請案之一部分的附隨圖式說明本發明之特定（多 個）實施例。 現將在下文參考展示本發明 之實施例之附隨圖式來更完 130658.doc • 200901518 整地描述本發明。然而，本發明可以許多不同形式體現且 不應解釋為限於本文尹所陳述之實施例。相反，提供此等 實施例使得本揭示案將徹底及完整，且將會將本發明之範 疇完全傳達給熟習此項技術者。在圖式中，可為了簡明起& 見而誇示層及區域之尺寸及相對尺寸。全文中相同元件符 號指代相同元件。 將理解’當諸如層、區域或基板之元件被稱作在另一元 件上時，其可直接在另一元件上或亦可存在插入元件。 將理解，若s件之部分（諸如’表s)被稱作，，在内部”，則 其相比該元件之其他部分較遠離裝置之外側。此外，諸如 ”在…下方"或”在…上方”之相對術語可在本文中用以描述 一層或區域相對於基板或基層與另一層或區域之關係，如 諸圖中所說明。將理解，此等術語意欲包含除諸圖中所描 繪之方位之外的不同裝置方位。最後，術語π直接”意謂不 存在插人元件°如本文中所使用，術語，，及/或，，包括相關聯 •一 14 /入厂/| ^ 將瞭解，雖然術語第一、第-_ 弟—寻可在本文中用以描述各 種兀件、組件、區域、層月/ + ΓΗ 、 L ^層及/或區，但此等元件、組件、 區域、層及/或區不庳夸笙 愿又此等術语限制。此等術語僅用以 區別一元件、組件、區域、層 增與另一區域、層或區。 因此’在不偏離本發明之勃 不、月之教不的情況T，可將以下論述之 第一兀件、組件、區域、層或 A區％為弟二元件、組件、區 域、層或區。 如本文中所使用 術語半導體發光裝 置可包括：一發光 130658.doc 200901518 二極體、雷射二極體及/或包 半導體裝置，其可包括⑦、q或夕個半㈣層的其他 厌化矽、氮化鎵及/或其他半 a / ; _基板’其可包括藍寶石、石夕、碳化石夕及/或 二他微電子基板；&一或多個接觸層，其可包括金屬及， 或八他導電層纟—些實施例中，可提供紫外光、藍光 及/或綠光發光二極體（”LED")。亦可提供紅光及/或破站色 Ο
光LED +導體發光裝置之設計及製造已為熟習此項技術 者所熟知且無需在本文中詳細描述。 圖A至圖2C刀另ij為根據本發明之一些實施例之封裝 之子基板30的平面圖、仰視圖及剖視圖。詳言之，圖％為 沿圖2A及圖2B之線C-C所截取之子基板3〇的橫截面。 參看圖2A至圖2C，一子基板30包括一具有一第一側31 及第一側3 3之大體矩形基板3 2。第一黏合墊3 6及第二黏 合墊34形成於基板32之第一側31上。第一黏合墊％包括一 自基板32之中心朝向基板32之第一端32八偏移的晶粒附著 區域36A。第二黏合墊34包括一黏合區域34a，其在晶粒 附著區域36A與基板32之第二端32B之間，該第二端326與 第一端32A相對。 第二黏合墊34包括一第二黏合墊延伸部34B，該第二黏 合墊延伸部34B自黏合區域34A沿基板32之側32D朝向基板 32之第一端32A處的基板32之拐角35A延伸。 第一及第二焊接墊46、44形成於基板32之第二側33上。 第一焊接墊46相鄰於基板32之第一端32A，且第二焊接塾 44相鄰於基板32之第二端32B。第二黏合墊34與第一焊接 130658.doc -14- 200901518 墊46電接觸’且第一黏合墊36與第二焊接墊私電接觸。 基板32包括一在基板32之拐角35A處之城堡部40A。城 堡部40A上之電迹線42A自基板32之第一表面31延伸至基 板32之第二表面33。電迹線42電連接第二黏合墊34與第一 焊接墊46。 第一黏合墊進一步包括一第一黏合墊延伸部3仙，該第 一黏合墊延伸部36B自晶粒附著區域36A沿與基板32之第 一側32D相對的基板32之第二側32c朝向基板32之一第二 % 拐角35B延伸，該第二拐角35B在基板32之第二端32B處且 跨越基板32與第一拐角35 A對角地相對。 基板32包括一在基板32之第二拐角35B處之城堡部 40B。第二電迹線42B形成於第二城堡部4〇B中且自基板32 之第一表面31延伸至基板32之第二表面33。第二電迹線 42B電連接第一黏合墊36與第二焊接墊44。 在一些實施例中，子基板30可包括至少一通孔38，該至 少一通孔38自基板32之第一表面31穿過基板32延伸至基板 32之第二表面33。沈積於通孔38中之導電材料（諸如，金 屬）電連接第一黏合墊36與第二焊接墊44 ,如圖2c中所展 不 〇 基板32可包括非導電材料，諸如’氧化鋁、氮化鋁、碳 化石夕及/或化學氣相沈積（CVD)金剛石，其上可形成複數個 電迹線（未圖示）。在一些情況下，基板32可包括陶瓷及/或 有機材料及/或金屬之複合物。氮化鋁及碳化矽之熱導率 為約200 W/MK，而CVD金剛石之熱導率為約8〇〇 W/MK。 130658.doc -15- 200901518 基板32之厚度可為約15〇至約4〇〇 μβι，儘管可使用其他严 度。 、予 在一些實施例中，可在選擇用於基板32之適當材料時考 慮材料之比熱。舉例而言，在一些應用(諸如，相機閃光 燈）中，可旎需要材料具有高熱容量（熱質量）以便吸收在非 常紐暫時間中產生之高熱流通量，此可增加封裝之瞬間溫 度耗散時間常數。此情形在未提供外部散熱片的應用中尤 其需要。由於氧化鋁可具有比Α1Ν大約44%的熱容，因此 對於一些應用而言，且尤其對於未提供外部散熱片的應用 而δ ’氧化鋁可為用於基板32之材料的適當選擇。在一些 實施例中，具有約340 μηι之厚度及約〇〇15 mm/線性爪爪之 平面度的96%氧化鋁基板可用於基板32。 弟一黏合墊36及第二黏合墊34可包括相對厚的迹線以用 於改良之電導率及/或熱導率。詳言之，第一黏合墊36及 苐一黏合墊34可包括約75 μηι厚的鑛銅。 在一些實施例中，第一黏合墊36及第二黏合墊34可藉由 將鉑或鈦/鉑之薄晶種層濺鍍至基板32上且在晶種層上形 成厚層來形成。舉例而言，在圖2D中之部分橫截面中說明 第一黏合塾36。第一黏合墊36包括一晶種層36a、一在該 晶種層36a上之可選第一障壁層36b，及一在第一障壁層 36b上之相對厚的熱擴散層36c。第二障壁層36d在熱擴散 層3 6c上，且一反射器3 6e在第二障壁層36d上。第二黏合 塾34將通常與第一黏合墊36同時形成且可具有與第一黏合 墊36相同的結構。 130658.doc * 16 - 200901518 可具有約0.006 μηι之厚度之晶種層36a可濺鍍至基板32 上且接著可使用標準微影製程而圖案化以形成黏合墊％、 34之所要輪廓。可包括約〇·2之鎳的可選障壁層36b接著可 形成於晶種層36a上。 如上文所描述之熱擴散層36c可接著（例如）使用電解或無 電極電鍍技術而形成於晶種層36&上。熱擴散層36c可包括 一層銅，該層銅具有約5 μηι直至幾百微米厚的厚度，且在 些情況下可為約75 μιη厚。熱擴散層36〇之厚度將影響封 凌之傳熱性質。較厚熱擴散層36c可優先橫向地擴散熱， 而較薄熱擴散層36c可優先垂直地擴散熱。因此，較薄熱 擴散層36c可與具有較大熱導率之基板32一起使用以用於 垂直熱擴散。 可執行清除钱刻（諸如，濕式銅钱刻）以移除在黏合墊 36、34之間不當橋接的任何材料。可包括鎳的第二障壁層 36d接著可形成於熱擴散層36c上。第二障壁層3 6d可具有 約〇_2 μηι至約2 μηι之厚度。反射層36e可形成於第二障壁 層36d上。反射層36e可包括具有2 μηι或更大之厚度的銀， 且可改良光提取。 諸如一金層之黏合層（未圖示）亦可設於反射層36e及/或 障壁層3 6 d上。 厚熱擴散層36c可向封裝提供改良之熱擴散/提取。此 外，厚熱擴散層36c可使熱能夠快速地擴散至基板32之核 心中。一旦熱流通量擴散至基板32中，則可經由熱接點而 將熱流通量提取至外部散熱片（諸如，MCPCB及/或散熱片 130658.doc 200901518 翼片）中。亦可經由自然及/或強制對流雨自基板提取熱。 電迹線42A、UB及/或第一及第二黏合墊牝、44可以類 似於黏合塾36、34之方式形成。通孔38可（例如）用銅來填 充。 LED晶片可藉由焊接接點、共析接點及/或¥環氧樹脂 接點而黏著至第一黏合塾36或第二黏合塾“上。第一及/ 或第二焊接墊46 ' 44可焊接或化學地黏合至外部互連。應 瞭解，基板32之任何適當表面可經金屬化以形成一端子 及/或散熱片墊以用於外部電氣及/或散熱片互連以符合特 定應用要求。 4刀地歸因於黏合墊36、34、城堡部4〇八、4⑽ '垂直 迹線42A、42B及焊接塾46、料之架構，如本文中所說明 '于扁可包括一具有單層材料之基板32，與為了電佈 線目的而包括多個層之封裝相比，此可簡化製造過程及/ 或減小製造成本。 此外，使用城堡部40A、4〇B來定位迹線42八、42b可釋 放基板32之表面31 ' 33上可用於（例如）黏著晶片、連接線 黏合或其他目的的空間。城堡部40A、40B亦可用作電接 點，從而為安裝封裝提供增加之靈活性。 圖3A及圖3B分別為上面已黏著有led晶片之封裝 之子基板30的平面圖及透視圖。㈣晶片5()包括在其上表' 面上之—對黏合墊54及一電流擴散網路56。LED晶片50之 黏合塾54可將陰極（_)連接提供至led晶片5q，而咖晶片 之陽極⑴連接可與第一黏合墊36之第一黏合區域36八電接 130658.doc 200901518 觸。LED晶片50之陰極藉由可包括（例如）金或鋁線之至少 線黏σ連接52而電連接至第二黏合墊34之黏合區域 34Α。
Cy LED晶片50之陰極藉此電連接至基板32之第二側上之第 一焊接墊46，該第一焊接墊46位於相鄰於基板之第一端 32A。因此，LED晶片5〇之中心及對應於晶片％之陰 極的焊接墊46兩者可朝向基板32之相同端偏移。此架構可 為所得封裝提供所要光學及/或電氣配置。 如在圖3A及圖3B中可見，基板32可具有為其上所安裝 之LED晶片50之尺寸的僅約2至3倍的表面面積，以提供真 正晶片級封裝。 圖4A至圖4C分別為根據本發明之一 實施例之LED封裝 1〇〇的側視圖、俯視透視圖及仰視透視圖。如圖至圖牝 中所展示，囊封物60形成於基板32之第一表面31上以為 LED晶片50以及第一及第-斑入故 汉弟一黏合墊36、34以及線黏合連接 52提供機械及/或環境保護。 因此，完工之封裝可具有三維固體本體。雖然在圖4八至 圖4C中說明矩形本體，但封裝本體可具有矩形、方形、半 球形、抛物線或其他規則及/或不規則形狀。 囊封物60可光學透明及/或可提供適當折射率以匹配囊 子於”申之a曰片50及/或以提供至外部折射率的過渡以便 增加來自封裝之光提取。 可將諸如波長轉換材料(例如’磷光體)及/或分散器之添 加劑添加至囊封物6〇。在—些實施財，可在形成囊封物 130658.doc -19· 〇
200901518 60之前，將波長轉換材料（諸如，嵌入在諸如聚矽氧凝膠 之光學媒體中的磷光體）塗佈至晶片5〇上。 圖5A及圖5B分別為根據本發明之其他實施例之led封裝 之子基板130的平面圖及俯視透視圖。如本文中所展示， 基板32可在其相對拐角處包括大體半圓形城堡部4〇c、 40D。 此外’可將靜電放電（ESD)保護晶片62與led晶片50並 聯黏著以將ESD保護提供至LED晶片50。如圖5A及圖5B中 所展示’ ESD保護晶片與LED晶片5()—起黏著於第一黏合 墊3 6上。詳言之，ESD晶片62可黏著於第一黏合墊延伸部 36B上。線黏合連接64將£81)保護晶片以連接至第二黏合 墊34。 圖6 A及圖6B分別為根據本發明之其他實施例之LED封裝 200的側視圖及透視圖。LED封裝2〇〇包括一在基板32之第 一側上之囊封物60。囊封物60包括一光學元件，諸如，自 基板32之中心朝向基板之第一端32八偏移的一體式透鏡部 刀60A。詳5之，透鏡部分6〇A之光軸7〇可與led晶片5〇之 中心垂直對準’ LED晶片50之中心亦朝向基板32之第一端 3 2 A偏移。 與囊封物本體60成一體之光學元件（諸如，透鏡部分 60A)可改良封裝之發光效率及/或可向經封裝之裝置提供 所要輻射圖案。 如自圖6A及圖6B顯而易見 可將封裝之光學中心置放 於任何所要位置， 包括封裝之幾何中心。可自本文中所說 130658.doc -20- 200901518 明之架構修改黏合墊36、34以便達成具有所要形狀之封 裝。 此外，可在封裝200形成之後將額外光學元件添加至封 裝100。舉例而言，可使用折射率匹配黏附劑將諸如透 鏡、反射器及/或其他成像或非成像組件之次要光學元件 黏合至囊封物60。
圖7A及圖7B分別為根據本發明之其他實施例之led封裝 之子基板230的仰視圖及透視圖。除第—及第二焊接墊 46、44以外，子基板23〇包括一在基板32之第二表面^上 之中性墊48，該中性墊48在第一焊接墊46與第二焊接墊44 之間。中性墊48與第一嬋接墊46及第二焊接墊料電絕緣， 且可用於提供子基板230與上面黏著有子基板23〇之表面之 間的熱連接。中性墊48可具有與第一及第二焊接墊46、44 相同的材料組合物(其又可以上文關於第一及第二黏合墊 36、34所描述之方式形成）。 本發明之一些實施例提供形成子基板之方法。在一些實 施例中，可圖案化及金屬化子基板材料之—薄片（諸如， 陶瓷材料之一薄片）以形成複數個經連接之子基板32。舉 例而言’圖8為一矩形件72之平面圖，其在分離之前包括 =四個經連接之基板32-丨至32·4。該組基板η」至32_4 系藉由在矩形件72之中心處形成方形城堡部孔i備來界 定，該方形城堡部孔14〇B為基板中之每一者形 成第二城堡部40B。方形城堡部孔14〇八形成於矩形件Μ之 諸和角處’且為基板32_；^32·4中之每—者提供第一城堡 130658.doc 21 200901518 «ΜΟΑ。由於單一方形城堡部 札14ϋΒ形成四個城堡部 4〇Β(亦即’基板32_^32_4中每 、， Τ心母者針對一個城堡部）， 當沿水平及垂直分離線75、77分離基板3y_4時，城 堡部40β之尺寸可能會減小。 Ο
，為根據本發明之-些實施例之矩形件72之薄片_ 平面圖，其巾之每—者可包括四個基板叫至以。因 此’可藉由-次圖案化及金屬化許多基板32來以大數目製 造基板32。圖9亦說明在件72之中心處之城堡部孔應及 配置於件之拐角處之城堡部孔14〇Α。當(例如)藉由沿水平 分離線75及垂直分離線77㈣薄片74而分離個別基㈣ 時，每-所得基板32將在其相對拐角處具有第一及第二城 堡部40Α、4〇Β，電迹線42Α及42Β分別形成於第一及第二 城堡部40Α、_上。薄片74亦可包括對準特徵乃，諸 如’在其拐角處之1/4 ®洞及在其邊緣處之1/2圓洞，該等 對準特徵可用於在自晶粒附著至囊封及鑛切之製造過程中 對準薄片74。 圖Η) Α至圖！ 〇 C說明根據本發明之一些實施例的封裳系 統/方法。如本文中所展示，提供包括複數個模具空腔81 之模具80。模具空腔81由側壁82分離且經配置以對應於上 面已黏著有LED晶片50之金屬化子基板3〇之薄片74中的個 別子基板30。將液體鑄造材料68(諸如，透明液體熱固性 材料）分配至空腔81中，且使薄片74與模具8〇接觸使得led s曰片5 0延伸至模具空腔8 1中且變成由鑄造材料6 8覆蓋。接 著（例如）藉由加熱來至少部分地固化鑄造材料68。 130658.doc -22· 200901518 在已至少部分地固化鑄造材料之後，將薄心與模且8〇 分離，如圖應中所展示，從而將經凝固之囊封物塗層60 留存在LED晶片50上。接著可將子基板3〇彼此分離，如圖 i〇c所展示，以形成經單個化、封裝之led 1〇〇。詳言 ' 之，可藉由穿過孔14〇B、14〇八鋸切薄片74來分離子基板 3〇，以在基板32之拐角中留下城堡部4〇A、4〇b。 向正在鑄造之每-咖„提供分離空腔81可能為有益 @ ’以便減小鑄造材料68與基板薄片74之材料之間的熱膨 脹係數（CTE)之差的效應。舉例而言，若在整個薄片”上 鑄造鑄造材料68，則鑄造材料68與薄片74之間的CTE差可 引起囊封物塗層60之不當裂痕、翹曲及/或分層。 圖11A至圖11C說明根據本發明之其他實施例的封裝系 統/方法。在圖11A至圖11C中所說明之實施例中，提供包 括複數個個別模具空腔91之模具9〇。個別模具空腔9丨由側 壁92分離且經配置以對應於上面已黏著有LED晶片5 〇之金 ◎ 屬化子基板30之薄片74中的個別子基板30。此外，每一模 J 具空腔91包括一透鏡成型表面94，該透鏡成型表面94經成 形以在基板32上之所要位置處將鑄造材料68成型成所要透 鏡形狀。 如圖11B中所展示’當形成囊封物60時，其包括對應於 透鏡成型表面94之一體式透鏡部分6〇a。
圖12為說明根據本發明之一些實施例之系統/方法的流 程圖。提供基板材料之面板，諸如，氧化鋁及/或A1N之面 板。可（例如）藉由蝕刻在面板中形成複數個城堡部孔丨4〇B 130658.doc •23- 200901518 且視情況形成通孔38(方塊510)。接著金屬化面板以在通孔 38及/或城堡部孔140B中形成黏合墊、焊接墊及導電通孔 (方塊520)。 接著將複數個LED晶片黏著於面板上之各別黏合墊上 (方塊53G)。視情況’亦可將複數個哪保護晶片黏著於對 應黏σ墊上。接著可形成自晶片至對應黏合墊的線黏合 (方塊540)。
C 接著可在晶片上鑄造囊封物材料(諸如，熱固性物)(方塊 550)。如上文所描述’可用—液體囊封物材料至少部分地 填充包括個別模具空腔的模具’且可使面板與模具接觸， 使得面板上之晶片延伸至模具空腔中。可對模具加壓，且 可在自模具分離面板之前至少部分地固化模具。 :根據本發明之一些實施例使用之熱固性物可包括環氧 樹月曰、聚醯亞胺、紛系樹脂及/或任何其他可熱固材料。 於本發明之一些實施例中之熱固性物轉注成型至引 i 成二用諸如，經屢印或姓刻之雙規引線框。其他類型之 =可用於在引線框上形成本體，諸如，㈣成型及/或 地交聯(亦即，固化)熱固性物時，其將化學地黏 口 土板Μ形成穩固的3維固體熱固性本體。 與^他類型之材料相比’熱固性本體可向黏著於封裝中 夕固）裳置提供增強之結構及/或環境保護。、、 熱固性材料（諸如，熱固性塑JfL n 樹脂）分配且接計旦 則驅物形式（諸如， 由犯置(諸如，熱(通常接近200。〇或照 130658.doc -24- 200901518 射)之冰加而固化成較強形式的聚合物材料。固化製程藉 由一交聯製程而將樹脂轉換成固體塑膠，在交聯製程中， 材料之分子鏈在化學活性位點起反應且鍵接成三維剛性社
構。交聯製程形成具有較大分子量之分子，從而產生且J 較局溶點或在無㈣融的情況下就改變成碳及殘基的材 料。因此，熱固性材料在其固化之後可能無法炫融或重新 成形。由於在交聯階段期間形成三維鍵結網路，所以敎固 性材料通常比熱塑性材料強。因此，熱固性材料可比熱塑 性材料更適合於高溫應用。 多數熱固性物(諸如，環氧樹脂及/或聚醯亞胺)將在立在 交聯（固化）階段期間與表面接觸時黏合至有機及/或無機表 面。在表面處之此黏合可非常強及/或可為不透流體或氣 體的，使得環繞黏著於封裝中之（多個）半導體裝置的軟凝 膠囊封物可不漏出。此外’熱固性物與引線框之間的黏合 ==或防止濕氣進入至封裝中，濕氣進入至封裝中原本 可能會使裝置失效。 相反，在包括熱塑成型本體的封裝令，在塑膠本體盥上 =成型有塑膝本體的表面之間可能不存在黏合。因而:流 體及/或氣體可在兩個方向上通過熱塑性物與引線框之間 的界面。因此，使用諸如環氣谢 丨月曰或酚糸樹脂之熱固性物 之優勢可在於熱固性物在與上面成型有熱固性物之有機 及/或無機表面的界面處之黏合及密封性質。此黏合可減 小及/或防止濕氣及/或其他流體或氣體通過界面。因此， 與熱塑膠可供應之相比，熱固性物可在界面處提供較高密 130658.doc -25· 200901518 封度。 之溫度而不會產生變形 許多熱固性物可耐受超過3 5 01： 比習知熱塑性材料 如，Amodel®)及 / 或扭曲。通常’熱固性物可能能夠耐受 高的溫度，習知熱塑性材料諸如PPA(例 可僅耐受高達約 法耐受通常用於 或LCP(例如，Vectra®)，其中之每_者 280°C之溫度。因此’多數熱塑朦材料無 可用於黏著-些LED封裝之表面黏著技術的高回焊溫度。 諸如許多環氧樹脂之熱固性物可藉由轉注成型、麼縮成 型及/或鑄造製程來成型以形成具有非常精細細節及/或複 雜設計的塑膠本體。在成型/鑄造過程期間，&固性物可 通常在其被固化成固態之前首先轉換成可流動狀態。在此 流體狀態賴’可將高㈣加至材料以允許流體樹脂填充 模具中之甚至非常小的裂縫。熱塑膠可能不能夠如埶固性 物般填充極小空間，因為用於熱塑膠之射出成型通常在低 於熱塑膠之炼融溫度的溫度下凝固，其可能會在—進入模 具空腔就開始將熱塑膠冷卻至固態。 、 熱固性材料之實例為來自Niu。Denk。之環氧樹脂及紛· ㈣清漆樹脂。此等材料可裝載#填充_粒，諸如，球 $溶化—氧化;^及/或不規則成形之Ti〇2(二氧化鈇）固體顆 粒，或以預定重量百分比之碳纖維，以便獲得所要物 理性只，諸如，熱膨脹係數（cte)、撓曲模數、 變形溫度（贿）等。 接者將以固體或液體形式之熱固性樹脂裝載或分配至模 且空肿φ , # i ' /、 其在高溫（通常在約下）下凝固。將壓力 130658.doc 200901518 (，百P蝴每平方烟壓力))施加至熱固性樹脂以將樹 月曰推動至杈具之澆道系統中。此時，固體樹脂將熔融成非 常低黏度之溶液。接著液體樹脂可容易地通過模具淹道流 動至模具空腔m填充小裂縫及拐角。將模具上之壓 力增加至約^，_ psia以將樹脂充填至模具，之最小間隙 中。
一在模具空腔内部，液體熱固性物連續經受約175。〇或更 咼之向成型溫度及約!，_ psia之高材料壓力。在此等條 件下，液體熱固性物將在約3至5分鐘内凝固/固化。如I 文所述，當熱固性物固化時，交聯製程發生，其中其組成 單體或聚合物化學地彼此起反應以形&給予固體熱固性材 料剛性及高熔點之大的三維分子。交聯反應亦使熱固性物 化學地黏附或黏合至雙規引線框，從而將高機械穩定性賦 予所得本體/引線框結構以及將緊密密封提供給引線框。 此黏合現象可能需要用於半導體發光二極體之封裝，因為 囊封物接著可包含及保留在内部而不會自封裝漏出。 由於熱固性樹脂容易地黏合至表面，因此模具空腔可由 硬化之模具鋼製成及經拋光成鏡面來減小硬化之熱固性物 黏合至模具空腔的傾向。此外’強噴射器可用於自模具喷 射經成型之面板。在一些實施例中，模具可具有Tefl〇n⑧ 塗層以促進分離及/或脫模材料可提供於空腔8l、91中以 促進分離。 在面板與模具分離之後’可將經封裝之晶片與面板分離 (方塊560)以提供個別晶片級封裝二極體。 130658.doc •27- 200901518 根據本發明之一些實施例之封 良之每單位面積光通量，此部分地歸 :片級尺寸。舉例而言，根據本發明之積之 —製造之EZXT，00型號led功率晶 m A及】〇 0 %工作週期下操作 隹乃0 七亩夕 衷了傳遞約26 Iumens/mm2 或更夕。此封裝可能在需要小的輕 ^ 玉到'衷之應用中尤A古 用’諸如’攜帶型安全燈、相機德 雷子奘蒂夕典止，， 且叹/ ¾用於攜帶型 、玲彡卜—些實施例可以群集-起黏著以 在諸如汽車前燈、刹車燈、交通燈等等之應用 2 度光源。提供封裝級光學元件（ ’、同余 .^ (遺如’透鏡60A)亦可你媒 在使用根據本發明之實施例封 件之設計及/或製造容易。料的糸統中的次要光學元 前述描述說明本發明且$施 不應解釋為限制本發明。儘管已 田述了本發明之幾個例示 e ^ ^ 』丁性K施例，但熟習此項技術者將 ’、’在本質上不偏離本發明之叙年加__ 1月之新穎教示及優勢的情況 下例不性實施例中之許多修改A t I、 TU改為可能的。因此，所有此 ^ 白心、欲包括於如申請鼻;ίιΐ m ru 料内。因此，廣瞭解 圍中所界定的本發明之 於所揭示之特定實_:==本發=且不應解釋為限 明由以下申請專利範圍：利範圍的範脅内。本發 物包括於其中。 界疋’同時將申請專利範圍之均等 【圖式簡單說明】 ㈣及圖1B說明-些習知封裝之發光裝置（led); 130658.doc 200901518 圖2A至圖2C刀別為根據本發明之一些實施例之封裝 之子基板的平面圖、仰視圖及剖視圖； 圖2D為根據本發明之—些實施例的包括—金屬堆疊之基 板的部分橫截面； 圖3 A及圖3B分別為根據本發明之—些實施例的上面已 黏著有LED晶片之LED封裝之子基板的平關及透視圖； 及 圖4A至圖4C为別為根據本發明之—些實施例之led封裝 的側視圖、俯視透視圖及仰視透視圖； 圖5 A及圖5B分別為根據本發明之其他實施例的上面已 黏著有LED^a J之LED封裝之子基板的平面圖及俯視透視 圖； 圖6A及圖6B分別為根據本發明之其他實施例之LED封裝 的側視圖及透視圖； 圖7 A及圖7 B分別為根據本發明之其他實施例之l e d封裝 之子基板的仰視圖及透視圖； 圖8為根據本發明之一些實施例的一群連接之子基板在 分離之前的平面圖； 圖9為根據本發明之一些實施例之子基板之薄片的平面 圖； 圖10A至圖10C說明根據本發明之一些實施例的封裝系 統/方法； 圖11A至圖11C說明根據本發明之其他實施例的封裝系 統/方法； 130658.doc •29- 200901518 圖12為說明根據本發明之一些實施例之系統/方法的流 程圖。 【主要元件符號說明】 10 封裝 12 LED晶片 13 反射杯 14 透明保護樹脂 15A 導線 ' 15B 導線 20 封裝 22 LED晶片 23 印刷電路板（PCB) 24 透明樹脂 25A 電迹線 25B 電迹線 30 子基板 ’ 31 第一側/第一表面 32 矩形基板 32-1 基板 32-2 基板 32-3 基板 32-4 基板 32A 第一端 32B 第二端 130658.doc -30- 200901518 32C 第二側 32D 第一側 33 第二側/第二表面 34 第二黏合墊 34A 黏合區域 34B 第二黏合墊延伸部 35A 第一拐角 35B 第二拐角 36 第一黏合塾 36a 晶種層 36A 晶粒附著區域 36b 第一障壁層 36B 第一黏合墊延伸部 36c 熱擴散層 36d 第二障壁層 36e 反射器 38 通孔 40A 城堡部 40B 城堡部 40C 城堡部 40D 城堡部 42 電迹線 42A 電迹線 42B 電迹線 130658.doc -31- 200901518 44 第二焊接墊 46 第一焊接墊 48 中性墊 50 LED晶片 52 線黏合連接 54 黏合墊 56 電流擴散網路 60 囊封物 60A 整體透鏡部分 62 靜電放電（ESD) 64 線黏合連接 68 鑄造材料 70 光軸 72 矩形件 73 對準特徵 74 薄片 75 水平分離線 77 垂直分離線 80 模具 81 模具空腔 82 側壁 90 模具 91 模具空腔 92 側壁 130658.doc -32- 200901518 94 透鏡成形表面 100 LED封裝 130 子基板 140A 城堡部孔 140B 城堡部孔 200 LED封裝 230 子基板 130658.doc -33-

Claims (1)

  1. 200901518 十、申請專利範圍： —種用於—發光裝4封裝之子基板，其包含： 一大體上矩形基板，該基板具有一第—表面及 第一表面相對的第二表面、一第_端及—與該第 對的第二端； 與該 端相 一在該基板之該第—表面上之第—黏合塾，其中該第 -黏合墊包括一朝向該基板之該第一端偏移且經架構成 在其上接收一發光二極體的晶粒附著區域； 一在該基板之該第一表面上之第二黏合墊，其中該第 二黏合墊包括：—黏合區域，該黏合區域在該第—黏合 墊與該基板之該第二端之間；及一第二黏合墊延伸部， 該第二黏合墊延伸部自該黏合區域沿該基板之一側朝向 該基板之該第一端處的該基板之一拐角延伸；及 在該基板之該第二表面上之第一及第二焊接墊，其中 該第一焊接墊相鄰於該基板之該第一端且該第二焊接墊 相鄰於該基板之該第二端，且其中該第二黏合墊與該第 焊接塾電接觸且該第一黏合墊與該第二焊接墊電接 觸。 2.如清求項1之子基板，其中該基板包括一在該基板之該 才刀角處之城堡部及一在該城堡部上之電迹線，該電迹線 自s亥基板之該第一表面延伸至該基板之該第二表面且電 連接該第二黏合墊與該第一焊接墊。 3'如請求項1之子基板，其中該基板之該側包含一第一側 且該基板之該拐角包含一第一拐角，且其中該第一黏合 130658.doc 200901518 墊進-步包含一第一黏合墊延伸部’該第—黏合墊延伸 部自該晶粒附著區域沿與該基板之該第—側相對的該基 板之一第二側朝向在該基板之該第二端處且與該第一拐 角對角地相對的該基板之一第二拐角延伸。 4·如明求項3之子基板，其中該基板包括—在該基板之該 . 第二拐角處之城堡部，及一在該第二城堡部上之第二電 迹線，該第二電迹線自該基板之該第一表面延伸至該基 &之該第二表面且電連接該第—黏合墊與該第二焊接 〇 墊。 5. 如請求項1之子基板，其進一步包含一在該基板之該第 一表面上、在s亥第一焊接墊與該第二焊接墊之間的中性 墊，其t該中性墊與該第一焊接墊及該第二焊接墊電絕 緣。 6. 如請求項4之子基板，其中該第一拐角及該第二拐角跨 越該基板而彼此對角地相對。 1: 1，如晴求項1之子基板，其中該基板包含一電絕緣材料。 8· 士 °月求項7之子基板，其中該基板包含氮化銘、碳化 矽、金剛石及/或氧化鋁。 - 9.如請求項1之子基板，其進一步包含自該基板之該第一 - 表面穿過該基板延伸至該基板之該第二表面至少一通 孔’及一在該至少一通孔中且電連接該第一黏合墊與該 第二焊接塾的導電材料。 1〇,如請求項1之子基板’其中該第—黏合墊包括： 一晶種層’其在該基板上；及 130658.doc 200901518 一熱擴散層，其在該晶種層卜 搜增上’其中該熱擴散層包含 具有一大於約5 μιη之厚度的—鋼層。 11.如請求項10之子基板，其中該 ^ 黏合塾進一步包含一 與該晶種層相對而在該熱擴散層上之障壁層。 12_如δ月求項11之子基板，兑中#笛 肩第一黏合墊進一步包含一 與該熱擴散層相對而在該障壁層上之反射層 丨3,如請求項10之子基板…該第—黏合塾層進一步包含一
    與該晶種層相對而在該熱擴散層上之第一障壁層及一在 該晶種層與該熱擴散層之間的第二障壁層。 14. 一種發光裝置封裝，其包含： 一大體上矩形基板’該基板且右 土攸丹有—弟一表面及一與該 第一表面相對的第二表面、一笙 衣囬 第一端及一與該第一端相 對的第二端； 在6亥基板之該弟·—表面上之笛 Λ , 叫工又弟—黏合墊，其中該第 -黏合墊包括一自該第一表面之_中心朝向該基板之該 第-端偏移且經架構成在其上接收—發光二極體的晶粒 附者區域； 一在該基板之該第一表面上之第二黏合墊，其中該第 一黏合墊包括·一黏合區域，該黏合區域在該第一黏合 墊與該基板之該第二端之間；及—第二黏合墊延伸部， 該第二黏合墊延伸部自該黏合區域沿該基板之一側朝向 6亥基板之違弟一端處的該基板之一拐角延伸； 在該基板之該第二表面上之第—及第二焊接墊，其中 該第一焊接墊相鄰於該基板之該第—端且該第二焊接墊 130658.doc 200901518 相鄰於該基板之該第二端’且其中該第二黏合墊與該第 一焊接墊電接觸且該第一黏合墊與該第二焊接墊電接 觸； 發光裝置’其具有一電接點且黏著於該第一黏合墊 上； 黏CT線，其黏合至該發光裝置之該電接點及黏合至 5亥第一黏合塾；及 一囊封物’其在該基板之該第一表面上。 15.如凊求項14之封裝，其中該囊封物包含一配置於該發光 裝置之上的一體式透鏡，其中該一體式透鏡具有一與該 發光裝置之一中心對準的光軸，使得該一體式透鏡自該 基板之一中心朝向該基板之該第一端偏移。 16·如請求項14之封裝，其進—步包含：—包括—電接點之 ESD保護晶片，該ESD保護晶片安裝於該第—黏合墊 上及第一黏合線，該第二黏合線電連接該£ s D保護 晶片之該電接點與該第二黏合墊。 17. 如請求項14之封裝，其中該基板包括一在該基板之該拐 角處之城堡部及一在該城堡部上之電迹線，該電迹線自 該基板之該第一表面延伸至該基板之該第二表面且電連 接該第二黏合墊與該第一焊接墊。 18. 如請求項14之封裝，其中該第一黏合墊進一步包含一第 一黏合墊延伸部，該第一黏合墊延伸部自該晶粒附著區 域沿該基板之一第二側朝向該基板之該第二端處的該基 板之一第一拐角延伸。 130658.doc -4- 200901518 19·如請求項18之封裝，其中該基板包括一在基板之該第二 拐角處之城堡部，及一在該第二城堡部上之第二電迹 線，該第二電迹線自該基板之該第一表面延伸至該基板 之該第二表面且電連接該第一黏合墊與該第二焊接塾。 20. 如請求項19之封裝，其中該第一拐角及該第二拐角跨越 該基板而彼此對角地相對。 21. 如請求項14之封裝，其進一步包含一在該基板之該第二 表面上、在該第一焊接墊與該第二焊接墊之間的中性 塾，其中該中性墊與該第一焊接墊及該第二焊接墊電絕 緣。 22. 如請求項14之封裝，其中該基板包含一電絕緣材料。 23 .如明求項22之封裝，其中該基板包含氮化鋁及/或氧化 在呂。 2 4 _ 士明求項14之封裝’其進一步包含自該基板之該第一表 面穿過°亥基板延伸至該基板之該第二表面的至少一通 孔及在§亥至少一通孔中且電連接該第一黏合塾與該 第二焊接墊的導電材料。 士 °月求項14之封裝’其十該囊封物包含一波長轉換材料 及/或一分散器。 26·如明求項14之封裝，其進一步包含一在該發光裝置與該 囊封物之間的波長轉換材料。 27. 如請求項u之封裝，其進一步包含一在該囊封物上之次 要光學元件。 28. 一種形成—用於一發光二極體（LED)封裝之子基板的方 130658.doc 200901518 法’其包含： 提供一大體上矩形基板，該基板具有一第一表面及一 與該第一表面相對的第二表面，一第一端及一與該第一 端相對的第二端，一在該第一端處之第一拐角及一在該 第二端處且與該第一拐角對角地跨越該基板之第二拐 角； 在該基板之該第一表面上形成一晶種層； 圖案化該晶種層以在該基板之該第一表面上形成一第 一黏合墊圖案及一第二黏合墊圖案； 在該第一黏合墊圖案上形成一第一黏合墊，其中該第 一黏合塾包括一自該第一表面之一中心朝向該基板之該 第一端偏移且經架構成在其上接收一發光二極體的晶粒 附著區域； 在該第二黏合墊圖案上形成一第二黏合墊，其中該第 一黏合墊包括：一黏合區域，該黏合區域在該第一黏合 塾與该基板之該第二端之間；及一第二黏合墊延伸部， 該第二黏合塾延伸部自該黏合區域沿該基板之一側朝向 該基板之該第一端處的該基板之一拐角延伸；及 钮刻該第—黏合塾及該第二黏合塾以增加該第—黏合 墊與該第二黏合墊之間的一間距。 29.如請求項28之方法，其進—步包含在該基板之該第二表 面上形成第—及第二焊接塾，其中該第-焊接塾相鄰於 該基板之該第-端且該第二焊接塾相鄰於該基板之該第 二端’且其中該第二黏合塾與該第—焊接塾電接觸且、 130658.doc -6 - 200901518 第一黏合墊與該第二焊接墊電接觸。 30.如請求項29之方法，其進一步包含自該第一拐角及該第 二拐角移除材料以在該第一拐角及該第二拐角處提供各 別第一及第二城堡部； 在該第一城堡部上形成一第一電通孔，該第一電通孔 電連接該苐一黏合墊與該第一焊接塾；及 在該第二城堡部上形成一第二電通孔，該第二電通孔 電連接該第一黏合墊與該第二焊接墊。
    3 1. —種形成複數個封裝之發光二極體的方法，其包含： 提供陶瓷材料之一薄片，其包括黏著於其上的發光裝 置之二維陣列； 提供一模具，該模具中包括複數個空腔； 將液體囊封物材料分配於該複數個空腔中之各別空 腔中； 使陶瓷材料之該薄片與該模具接觸使得該等發光裝置 中之各別I光裝置延伸至該複數個&腔中之—對應空腔 中；及 至少部分地固化該液體囊封物以便形成圍繞該等各別 發光裝置之囊封物塗層。 32.如睛求項31之方法’其中陶瓷材料之該薄片包括穿過盆 之複數個金屬化孔，該方法進一步包含： 延伸穿過該複數個孔之一子集的分離線分離陶瓷材 =之D亥薄片以進而界定個別發光二極體基板，該等個別 "極體基板在其拐角處包括諸城堡部’該等城堡部 130658.doc
TW97114012A 2007-04-18 2008-04-17 半導體發光裝置封裝及方法 TWI467795B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/788,001 US7964888B2 (en) 2007-04-18 2007-04-18 Semiconductor light emitting device packages and methods

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200901518A true TW200901518A (en) 2009-01-01
TWI467795B TWI467795B (zh) 2015-01-01

Family

ID=39639394

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97114012A TWI467795B (zh) 2007-04-18 2008-04-17 半導體發光裝置封裝及方法
TW103138814A TW201507208A (zh) 2007-04-18 2008-04-17 半導體發光裝置封裝及方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103138814A TW201507208A (zh) 2007-04-18 2008-04-17 半導體發光裝置封裝及方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7964888B2 (zh)
EP (1) EP2147468B1 (zh)
JP (1) JP5512509B2 (zh)
CN (2) CN102738318A (zh)
TW (2) TWI467795B (zh)
WO (1) WO2008130541A2 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI411183B (zh) * 2009-05-12 2013-10-01 Mitsubishi Electric Corp 雷射二極體元件
TWI479702B (zh) * 2009-02-27 2015-04-01 Visera Technologies Co Ltd 發光裝置及發光元件
TWI584492B (zh) * 2009-08-24 2017-05-21 高睿科技公司 具有經選擇之熱膨脹及／或表面特性之固態照明裝置及相關方法
TWI626774B (zh) * 2016-06-13 2018-06-11 開發晶照明（廈門）有限公司 Led支架和led封裝結構

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
KR20080089859A (ko) * 2007-04-02 2008-10-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) * 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US7985970B2 (en) 2009-04-06 2011-07-26 Cree, Inc. High voltage low current surface-emitting LED
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
US8716723B2 (en) * 2008-08-18 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Reflective layer between light-emitting diodes
US9293656B2 (en) * 2012-11-02 2016-03-22 Epistar Corporation Light emitting device
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8319339B2 (en) * 2009-07-10 2012-11-27 Stmicroelectronics (Tours) Sas Surface-mounted silicon chip
DE102009051746A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2011060319A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Uni-Light Llc Led thermal management
US9039216B2 (en) * 2010-04-01 2015-05-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
KR101028329B1 (ko) * 2010-04-28 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US8431942B2 (en) 2010-05-07 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED package with a rounded square lens
BR112013005190B1 (pt) * 2010-09-03 2022-08-23 Nichia Corporation Dispositivo de emissão de luz
US20120068218A1 (en) * 2010-09-17 2012-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermally efficient packaging for a photonic device
DE102011016935A1 (de) * 2011-04-13 2012-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
TWI485818B (zh) * 2011-06-16 2015-05-21 Xintec Inc 晶片封裝體及其形成方法
WO2013016355A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Cree, Inc. Monolithic multi-junction light emitting devices including multiple groups of light emitting diodes
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
DE102012212320A1 (de) * 2012-07-13 2014-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Trägervorrichtung, Bauteile und Verfahren zum Herstellen von Bauteilen
CN102922661A (zh) * 2012-11-05 2013-02-13 苏州东山精密制造股份有限公司 一种led模压封装工艺及一种led组件
CN103280514A (zh) * 2013-05-29 2013-09-04 华南理工大学 一种led模组封装自动化方法
DE102013213073A1 (de) * 2013-07-04 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
US9142432B2 (en) 2013-09-13 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated fan-out package structures with recesses in molding compound
DE102014102810A1 (de) * 2014-03-04 2015-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung optoelektronischer Bauelemente
US9786643B2 (en) 2014-07-08 2017-10-10 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods
US9025423B1 (en) 2014-07-14 2015-05-05 HGST Netherlands B.V. Thermally conductive features for a heat-assisted magnetic recording head
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
KR102371448B1 (ko) 2014-10-02 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 광원 및 그것을 포함하는 표시 장치
JP2016081562A (ja) 2014-10-09 2016-05-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
US10431568B2 (en) 2014-12-18 2019-10-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
DE102015111492B4 (de) 2015-07-15 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
JP2017135148A (ja) * 2016-01-25 2017-08-03 スタンレー電気株式会社 半導体装置
TWI624884B (zh) * 2016-07-15 2018-05-21 Grain size packaged diode element with ultra-low forward voltage and method of manufacturing the same
CN106784252A (zh) * 2017-01-13 2017-05-31 深圳市纽艾迪电子科技有限公司 一种led基板
KR20200062762A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 마이크로 광원 어레이, 이를 포함한 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
CN110504231B (zh) * 2019-09-18 2021-03-02 北京大学东莞光电研究院 一种半导体功率器件的制备方法
CN111697117B (zh) * 2020-06-23 2021-08-20 深圳市聚飞光电股份有限公司 芯片级封装方法及led封装器件
CN114755852B (zh) * 2022-04-21 2024-03-29 南京京东方显示技术有限公司 背板、背板加工方法、背光模组及显示装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3926746A (en) * 1973-10-04 1975-12-16 Minnesota Mining & Mfg Electrical interconnection for metallized ceramic arrays
US4843280A (en) 1988-01-15 1989-06-27 Siemens Corporate Research & Support, Inc. A modular surface mount component for an electrical device or led's
JP2787388B2 (ja) * 1992-03-06 1998-08-13 シャープ株式会社 発光装置のレンズ成形方法
JPH07131072A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Rohm Co Ltd 面実装型側面発光器、および、これを用いた発光装置、ならびにこの発光装置を用いた液晶表示装置
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
DE29825062U1 (de) * 1997-07-29 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
ES2142281B1 (es) 1998-06-05 2000-12-01 Fernandez Angel Alberto Arias Sistema para gaita multitimbrica.
US6204523B1 (en) 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6521916B2 (en) 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
JP2001326390A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
JP4601128B2 (ja) * 2000-06-26 2010-12-22 株式会社光波 Ｌｅｄ光源およびその製造方法
US6518600B1 (en) 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
US6297598B1 (en) * 2001-02-20 2001-10-02 Harvatek Corp. Single-side mounted light emitting diode module
JP2002314138A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2003008065A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Citizen Electronics Co Ltd Ｓｍｄ型光素子モジュールの製造方法
JP3509809B2 (ja) * 2002-04-30 2004-03-22 住友電気工業株式会社 サブマウントおよび半導体装置
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2004152952A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP4571781B2 (ja) * 2003-03-26 2010-10-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4692722B2 (ja) * 2004-01-29 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージおよび電子部品
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7280288B2 (en) 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US20060292747A1 (en) 2005-06-27 2006-12-28 Loh Ban P Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
DE102005046450A1 (de) * 2005-09-28 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil
CN100397669C (zh) * 2006-08-07 2008-06-25 陈盈君 一种使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的led光源的制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI479702B (zh) * 2009-02-27 2015-04-01 Visera Technologies Co Ltd 發光裝置及發光元件
TWI411183B (zh) * 2009-05-12 2013-10-01 Mitsubishi Electric Corp 雷射二極體元件
TWI584492B (zh) * 2009-08-24 2017-05-21 高睿科技公司 具有經選擇之熱膨脹及／或表面特性之固態照明裝置及相關方法
US9806230B2 (en) 2009-08-24 2017-10-31 QROMIS, Inc. Solid state lighting devices with selected thermal expansion and/or surface characteristics, and associated methods
TWI626774B (zh) * 2016-06-13 2018-06-11 開發晶照明（廈門）有限公司 Led支架和led封裝結構

Also Published As

Publication number Publication date
US20110284903A1 (en) 2011-11-24
EP2147468A2 (en) 2010-01-27
EP2147468B1 (en) 2018-02-28
US20080258168A1 (en) 2008-10-23
JP5512509B2 (ja) 2014-06-04
TW201507208A (zh) 2015-02-16
CN102738318A (zh) 2012-10-17
TWI467795B (zh) 2015-01-01
WO2008130541A3 (en) 2008-12-18
CN101689590B (zh) 2011-12-14
US8791491B2 (en) 2014-07-29
JP2010539676A (ja) 2010-12-16
US20140256072A1 (en) 2014-09-11
US7964888B2 (en) 2011-06-21
WO2008130541A2 (en) 2008-10-30
CN101689590A (zh) 2010-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200901518A (en) Semiconductor light emitting device packages and methods
TWI407581B (zh) 色彩轉換發光二極體
US9564568B2 (en) Flexible LED device with wire bond free die
US6730533B2 (en) Plastic packaging of LED arrays
CN103682038B (zh) 发光装置及其制造方法
TWI459581B (zh) 用於半導體發光裝置封裝之子基板及包含子基板之半導體發光裝置封裝
CN105144416B (zh) 具有光电子器件的照明设备
CN101621101A (zh) 发光二极管及其制造方法
TW201228489A (en) Flexible LED device for thermal management and method of making
TW200931688A (en) Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method
CN102263194A (zh) 半导体封装与制造半导体封装的方法
TW201246636A (en) Flexible LED device and method of making
TW201212297A (en) Power surface mount light emitting die package
TW201208152A (en) Surface-mountable optoelectronic component and method of manufacturing a surface-mountable optoelectronic component
US8502261B2 (en) Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
TW201208135A (en) Carrier for a light emitting device
JP5400290B2 (ja) 発光装置
JP5400289B2 (ja) 発光装置
JP2009123823A (ja) 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置
JP2009123824A (ja) 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置