200900980 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 於係關於半導體製程中之佈局特徵部的圖形化，尤有關 ;積體电路設計上所使用之多重圖形化元件庫的定義方法。 【先前技術】 將佈導體製造巾’係_光學微影技術在轉體晶片上 圖形化。目前的步進重複式(卿_and_rcpeat)光學微 :二二進掃描重複式(卿-scan_and_repeat)光學微影系統，係 承Γ敵=奈米(nm)(采燈1線)(Hg wine)、施麵(氟化氪準分子 Β·Χ exei腿laser)、與⑼圆(氟化氬準分子雷射)(越 佈月：^ W)之波長作為光源。以歷史觀點來看，使用大於 2S部尺寸，光波長以進行圖形化是可能的。然而，當佈 ΐ 卩2寸繼績縮小但有效發光波長並未相對應地降低時，最 最彳、佈局特徵部尺寸之間異變得太大，以致於無法 \達到特徵部之微影描繪。例如，微影人員極不易採用工％ 光光源而將65腿佈局特徵部尺寸圖形化。再者，吾 布局，，部尺寸將由65 nm繼續降低至45 nm、甚至到32 nm。、’ 微影人員使时自LOTd Rayleigh之下列公式赌計 ;半節距)=klVNA ’其中kl為適配變數，大約對應於 數ΐ irrss wmdow);λ為發光波長；而财為微影系統之 valu虽波長λ大於半節距(跡咖11)時，kl之標準值(加^1 e)為大於0 50。因為每個技術節點(把—〇1〇取⑽也)之特徵 以因子G·7降低，所以每個技術節點之、值係穩絲降低， ^而波長λ卻維持不變，且每技術節點步驟之數值孔徑僅以丨^至 子增加。此外，就大於飢93喊值倾而言，則需要一 I况凋糸統(immersionsystems)，以水取代空氣來作為最線鏡 :曰圓上的光阻之間的媒介。之後這些浸潤系統被期望以 月、$經濟效益的溶液，以支持高達約135的數值孔徑。 鑒於上面所述，需要有不需更降低發光波長λ與/或更增加數 200900980 ，孔徑ΝΑ，而能夠將奈米級特徵部尺寸圖形化的解決方法。 【發明内容】 之多Ϊ圖S佈2;;用體，設計中所使用 件層次用之佈局。此佈局係 陣$ 用以定義元 法亦包括一操作，用以分割你 /、有/、冋位向。此方 以使在佈局中的此若干佈局特徵部中干次佈局， 此方法更祕-操作，社地製作。 腦可讀媒體上。 于兀忏層人用之此若干次佈局於電 具有按照動態陣列έ士構所a#永作，用以定義兀件，以包括 態陣列結構係由ί开ίϊ㈡形佈局之若干層次。此動 係代表邏輯功能之抽象名'稱部所定義。元件， ^次的積體電路佈局。對元件之二個功能之較 包括一操作，用以分室彳個別綠 次夕個砥擇層夂，此方法 別線形佈局中的此佈i特徵部中m若，俾將在個 :::二- ir法中’丄;::==之設計方法。 電路之網路連線表。此=直於阳片佈局上，以滿足積體 化用之元件庫。此複數個元件擇:j:佈:之多重圖形 線形且共同定位的佈局特層次。此動態陣列結構係由 干次佈局，以使在每個&二義。母個線形佈局係分割成若 母個線祕局”每個佈局特徵部係分配至此 200900980 右干认·佈局之任何—個。八沉 定元件之共同層次内形成定^^之佈局特徵部係在既 以使由共同層次内之既定:v:此稷數個兀件係-同設置， 形，以一連續方式延伸跨^此、成之佈局特徵部的-致圖 之既定次佈局所形成之佈。由跨越此複數個元件 了共同層次用之晶片寬的光致圖形之延伸部分，定義 上。 片見的先罩佈局於電腦可讀取媒體 罩組於半導體晶片之光 區域，以包括第—數目 日遺⑮陣列結構所定義之 局特徵部係具有共同位向：此，-數目之線形佈 第一數目之線形饰局特向:^具有實質的改變。此 第一次佈局。此-或疋ί 一或多個元件之第一部份的 象名稱，且係囊括用以執個’係代表邏輯功能之抽 以包括第二數目之具有按照動態陣列結構加以定義 局特徵部與第一數目^=徵部之區域。此第二數目之線形佈 區域係動態陣列結構所定義之第二光罩： 形佈局特徵部形成定義該—或多個元件之^部$ 之圖及優點’可由隨後之詳細說明、隨附 明之貫施例而更顯清楚明白。 【貫施方式】 全理中=提出數個具體實施例’以使本發明能被完 ”、…、、地，热悉本技藝者可以在全部或部分的這些具體實 200900980 施例之外來實施本發明。在其他情況下，為了避免不必要地混淆 本發明’將不會詳細描述幕所周知的程序操作。 在/又有更降低發光波長(illuminati〇n wavelength)以及沒有更 增加數值孔徑NA(numerical aperture NA)下，利用多重圖形化 (multiple patterning)技術，用以處理奈米級佈局特徵部(nan〇_scaie layout features)。具體而言，於多重圖形化中，既定佈局(given _ layout)，分割成二個或多個次佈局(sub4ay〇uts)，每一次佈局係利 用光學微影製程(optical lithography process)，在晶； 區域上分別地曝光(exposed)。儘管在每一個次佈局中的個別特徵 f 部^寸(fbatUre sizes)可以是小小的，例如奈米刻度(nano-scale)， 但是在既定次佈局中的相鄰佈局特徵部之間的空間(spadng)，係 足夠大以賦予這些小小的佈局特徵部解析度。 ‘應理解的是，因為多重圖形化之二維變化的本質，例如具有 售曲及分叉之佈局特徵部，多重圖形化在習知的隨機邏輯圖形 (mndomlogicpattems)與相關之元件庫(celnibraries)中，能是非常 困難的。此外，關於二維變化圖形(^〇彻咖1〇皿办曹_ patterns)之分割存有複雜問題，例如相移衝 conflicts)。然而，使用按照動態陣列結構(dynamicarray archltectoe)所定義之元縣，能將佈局㈣的侧成彡重次佈局 以用於微影曝光(lithographic exposure)。 於^所提及之元件，係代表邏輯功能(1〇咖 function)之 抽象名稱(abstraction) ’並囊括用以執行此邏輯功能之較低層次 ίΓΓ1!"1)的積體電路佈局。應理解岐，既定之邏輯功能可以 夕兀件變化(multiple cell variati〇ns)來代表，其中該多重元件變 化可以特徵部尺寸、性能以及製程補償技術(pcT)㈣㈣ c^r-nitrinique)處理加以區分。例如，既定邏輯功能用之 兀件又化’係可以错由功率消耗(p〇wer c〇nsu—㈣、訊號 ΐΓί、辦祕職"恤㈣、⑼面積、0PC、 RET料加。科1重元件變化可#由於此所描述之次 200900980 佈局序列組合(sub-layout sequence combination)加以區分。也應明 瞭的是，每個元件的描述係包括在晶片之每個層次中的元件用之 佈局，此為執行元件之邏輯功能所需要的.。具體而言，元件之描 述係包括，由基板層次(substrate level)往上延伸至特定之内連線 層次(interconnect level)的每一晶片層次中的元件佈局。 " 間 動態陣列結構係代表半導體元件設計範例paradigm)，其中 線形(linear-shaped)佈局特徵部係沿著在元件之若干層次中的等f 隔虛擬柵欄(reguiar-spaced virtual grate)(或等間隔虛擬網 «(regular-spaced virtual grid)所定義，例如在半導體晶片之若 拇攔係由—組等距 '平行而延伸跨越蚊晶片區域 ^的既疋層次之虛線所絲。虛擬網栅係由等距、平行 ΐίίϊ距、平行的第二組虛線所定義，第—組虛線係以第一方 既i晶片區域中的既定層次’第二組虛線係以第二方 跨越既疋晶片區域中的既定層次’其中，第二方向係 於—實施例巾，既定層次之虛__定位以鱼相 虛擬柵攔大致上垂直。然而，於其他實施例中，既^目 ^ 祕粒為，不是餘，就是平讀層次之虛i 隹貫中，既定層次之每個線形佈局特徵部，係大致上 既疋層次相關聯的虛擬柵攔之虛線上。當線形佈局特徵 與ΐ擬柵攔之特定線間賴位偏差係^夠小二期i 實ΐ準：部之中心線與虛擬柵攔之細^ 上 特彳造程序窗，係由產出可接受的佈局 義。於一實施=中，距(f〇cus)與曝光之微影領域所定 範圍(cWteristic dim°en^^真度係由佈局特徵部之特性 enS1〇n)所疋義。又，應理解的是，既定之 t則將線_觸徵部視為纽上針於虛^歡特 200900980 線形佈局特徵部之中心線被定義成：在沿著 ® f * t -(〇r〇ss-s；i^ , 線，其中在沿著其長度之任何既定點上 0^1 ce咖岣之虛 質量中心’為其在該既定點上之垂直橫截面區之截面 於另一貫施例中，既定層次中的某些佑=里中〜。 中在與既定層次相關聯的虛擬栅攔之^線丄二^不集 -中，線形佈局特徵部係與虛擬栅欄之虛線贿；；而，於此貫施例 於既;層次中的其他線形佈局特徵部此:行 於既疋層次之佈局中的各種線形佈局特徵g的疋義 延伸跨越該既定層次。 破疋位成以平行方式 又，於動怨陣列結構中，蔣春— 其長度之方向上缺乏實質上的改變。么定義成在沿 缺乏實質上的改變，係考廣佈局#被部之方向上 拇搁之線所定義。於-實^中沿著相關的虛擬 度之50%時，則在線形佈局特之名義上的寬 於另-實施例中，當由線形佈局特°存有貫質上的改變。 佈局特徵部上的任何第二位置的線何第-位置至線形 超i§在第-位置的線形佈局特徵徵部之寬度，係改變 _部之方向上存有實質上的改變卩。時’則在線形佈局 ，結構特別地避免使用非線形 瞭的是，動態陣 #係在相關層次之平面中包括^非線形佈制寺徵 於動態陣列結構令，可容個言曲。 被部之垂直的橫截面形狀t的以=(，fabnCated)線形佈局特 ，形狀t的變化可由製造觀 乾圍，只要在垂直的橫截 或其鄰近區域佈局特徵部 I亚且對既定線形佈局特徵部 ，橫截面形狀係對應至盘;^衝擊。就這-點而言，垂 :的製成線形佈局特徵部之切面。^敌部之中心線垂直之平面 佈局特徵部長度之垂直的ί戴刀二==的是，在沿著製成線形 請Τ的德，係能在沿著其長度上 10 200900980 ^對？到-寬度變化程度。因此，動態陣列結構也提供 線形佈局紐部長度之寬度、變化程度 ^二成 由製造觀點預測’並且對線形佈局特徵部以 部的製造無不利衝擊。U近£域佈局特徵 次中的不同線形佈局特徵部，係能設計以I有
22==。又，沿著既定虛擬栅欄之相鄰虛線所ϊί ^右干線轉局部的寬度，魏 U =的間隙，彼，隔。具體而言，沿著虛擬拇)棚之共同線上均 =n ^所絲讀形佈局特徵部之相鄰末 間隙，係可定義以延伸-大致上均勻的距m的;^的末端 :線 最小’= ϊ線=ί 逆；目==有目 佈局特徵;;佔於斤以虹 柵攔之某些線係由至少一線形佈局疋義以使其虛擬 係能空著的。又，既定層次中==二人相鄰的虛擬栅櫊線 的虛擬柵攔線，係可根據跨越既定占據的對空著 義。 心增—人之圖形或重複圖形而定 此外，在動態陣列結構之内， 義連接在各種層次t的若干線接，部(con她)係定 伸局4寸欲部，俾能形成若干功能 200900980 性的電子元件，例如，電晶 用之佈局特徵部係能對 ^電^路。接觸孔與接觸部 格，係與接觸孔與接觸^個虛擬柵網之規 格的函數。因此，在各種 “:^關的虛擬柵攔之規 了電子電路之功能性元件。“If=_佈局特徵部形成 佈局特徵部姆於電子電路 種不同層次内的線形 霑，定義成:勵高^測㉝:之 置所定義，以使元曰上的線形佈局特徵部之設 ^越元件之橫貫方向上大^彼此s佈以在 圖1係根據本發明之一實施例、強貝貝、？、交。 義之元件⑼之層次用的;態=構所定 徵部105係沿著與元件101之層】s j。右干線形佈局特 置。虛擬栅攔係由代表相鄰虛^⑽心=柵攔之虛線肋設 為具有寬* 1〇9。然而，應理解的是，於^^ 105係？義 =次巾的她_局嫌卩，射之 徵部=日iiri〇f考慮^擬拇棚之間隔107、線形佈局特 =;合，以使元# 1〇1之層次之佈局係在既定之ΪΪ， ，相製造能力範圍之夕卜因此，為使元件ωι之層 乍，能將佈局分割成若干次佈局，以使佈 2衣 特徵部他之每-個係分配至此之局每 12 200900980 立導體製造程序的製造能力範_ ,料獨 形佈佈局，係包含按照動態_結構所定義之線 的次備ί ’係触橫向分配柳之佈局舰部时割成不同 -欠佈月解的是，橫向分配相鄰之佈局特徵部以成不同之 局的ί會=用於任何數目之次佈局。例如，於採用二個次佈 ^的;隔^ (加祕Patteming)例子中，元件之層次用之佈局 倾At佈局特徵部(Μ"7 〇恤lay〇Ut featUre)係分配至一共同 別，係irrr=-suWay〇ui)。於此例中，每隔—佈局特徵部之識 垂直方二件之佈局特徵部橫貫方向(⑽⑽1 dkection)的 吹你L#i據本發明之—實關，顯示®1之佈局分割成二個 圖。因而’圖2A係—雙重圖形化的例子。圖2A中 裳-It佈局(fkSt SUb_lay〇Ut)包含佈局特徵部1〇5Α。圖2A中的 佈局(second sub_lay〇ut)包含佈局特徵部l〇5B。因此 二刀J)使側向相鄰佈局特徵部係分配至不同的次佈局。呈體而 吕，母隔一侧向相鄰佈局特徵部係分配至共同次佈局。此^ , 理解的是，衫錄職局舰部以—賴準方式(eQ_ai职& -i^anner)没置於一共同虛擬栅攔線(c〇mm〇n ^触丨抑货 上 = 擬栅攔之虛線1G3，每—個多重線形佈局特徵部係 圖2Β係顯示如圖2Α之分割佈局_所定義的第一次佈局之示 意圖。圖2C係顯示如圖2A之分割佈財所定義的第二次傅局^ 不意圖。應理解的是，圖2B與圖2C之每一個第一與第二次佈 於晶片上分職製作。於圖_補局中，相鄰之線 = 部105A係分隔一距離hi。同樣地，圖2C的次佈局中，相_ ^ 線形佈局特徵部105B也分隔此距離m。假如距離】 = 大到使每一個第一與第二次佈局，係在既定之半導體製造程序的 13 200900980 製造能力範m内而可獨立 的。然而，假如距離麼知用二個次佈局是適當 地製作，則圖2A之ί局到使第一與第二次佈局獨立 中的第—次佈局包括佈局局之示意圖。圖犯 括佈局特徵部105B。圖2〇中 。圖2D中的第二次佈局包 咖。應瞭解的是，每 tj-人 布局包括佈局特徵部 徵部間之距離m，係大於圖的相鄰佈局特 每-個呈有佈狀iff料徵部分隔距離ill的二個次佈局， 在既定之轉體製造料齡 ϋ目:佈局’應更可能落 佈局特徵部尺^ 佈局’是有可能處理㈣ve)較小的 局，=解= 基t上係能分割成任何數目的次佈 在各種實施例中，亓杜夕秤中句糸刀別地‘作。又， 佈局特徵部位置、或其組合，佈局特徵部功能、 局。於-實施例中，分擔共同電性;^干♦ 欠佈 之佈局特徵部，能分配“b e:mGneleetriealfUnc㈣ (active . ，、Π — 人佈局。例如，絲區域接觸部 局，而閘ZL^Gntaets)狀佈局特徵部能制地分配至一次佈 ^J ϊί fe C〇nlacts)ffi 部，俜^墟於:^例中’接觸孔㈣)用之佈局特徵 接觸ΪΐΪίί 父替的行與/或列而分配至次佈局，其中 觸佈局知徵部係設置於此虛擬網柵上。 - 号;局分割成多重次佈局’因為每—次佈局將在微 光，故每—次佈局能以製程補償技術_cess 程^rrontechnique)(pcT)分別處理。如同於此所使用的，製 2(PCTi’ *質上係有關於積體電路(IC)佈局的任何一種 〜i ’以達改善或雜由1C佈局所絲之舰部能成功製 14 200900980 作的目的。各種PCTs的例子包括光學鄰近修正術(〇ptical proximity correctionXOPQ、解析度增強技術(res〇luti〇n enh露emenUechniquesXRET)、蝕刻接近補償法(etchpr〇xilnity compensation)、孔隙填入補償法(gapflllc〇mpensati〇n)(例如使用 介電質或金屬以填補孔隙）、化學機械研磨(CMp)補償法(chmical -meehanieal Planarization compensation)等這些中。應理解的是，與 —此所使用之pct處理用語，係指關於任何用以改善或確保由ic佈、 局所定義^寺徵部能成功製造的1(：佈局處理之既存或未來形式。 圖3係顯示根據本發明之一實施例，顯示圖2(：：之次佈局的 f pct處理樣式之示意圖。若干0PC形狀117係設置於線形佈局 徵部105B之各種末端，以作為次佈局之pcT處理的一部份。於既 定之捕局上進行PCT處理時，微影緩衝區域（馳。 =〇ηχ以下簡稱『微影緩衝』（脑Q_buffer))ll9係環繞著元件皿 擬元件1〇1之層次用之次佈局係可設置並製作於其 ί二般而言，與元件層次用之既定次佈局有關的微 Γ為 干特徵部，此特徵部係践模擬在晶片 域。,件層次用之次佈局將設置於其中的鄰近區 之微影緩衝的尺寸，係由自元件開始的微影缓 向夕乾1所定義。例如，圖3中，微影緩衝119係自元件101 。既U件層次之微影緩衝尺寸，係設定以 上對在既定元件層次内的次佈局之製作具有微影 於一實施例中，按照動態陣列纟士墦所宝美 擬網柵$伸ί元件層次中所使用的虛擬柵攔/虛 申。I5刀以絲據凡件層:欠之次佈局的延伸部分所設置 15 200900980 的右干線形特徵部。此外，於動態陣 pct修正可线队轉姐樞的是， opc形狀與那些於圖3中所設置之 對分割，mensi〇naic〇⑽ —序列。次佈局序列^係邊^說明:特定的次佈局 -feature)至特定次佈局以及八配·* 士布局特徵部(edge lay〇ut 關於自邊緣佈局特^部所^伸跨^目乃=徵部來定義，係有 f至特定次佈局，=二緣佈局特徵部 佈局之數目。 數目係等於佈局分割成次 三個=可:二本=實，，示-佈局分割成 4C的每-圖中，次佈局號碼的;==於圖4A至 圖4A係顯示第—次佈局序並 心二:：-。因此’ 緣佈局特徵部絲用聽分配左邊 Β，且次佈局的緣S t 4G1係分配至次佈局 固定排序(A-B〇俜採甲其$ γ糸刀配至次佈局C，且次佈局的 局c的侧向相基於分配左邊緣佈局特卿至次佈 發明之-實施例，顯示σ ，圖5錄根據本 (metal 2 Ievei)佈局之二501之間極廣次佈局以及金屬2層次 部503與全屬2 # 心圖。為易於圖不，將閘極層次佈局特徵 屬2料佈局特徵部奶係在其跨航細橫g 16 200900980 向上予以縮短，以避免彼此混淆。麸 層次特徵部503與每個金屬2層次特 ' 解的是’每個閘極 5〇卜如箭f虎507所示。 4寸徵β 5仍，係延伸跨越元件 於本例中，閘極層次佈局傜分 屬2層次佈局係分割成二個次佈局佈局。同樣地，金 • 。 及503R SOU久佈局序列，例如503A-503B以 乃，所以，因為金屬2層次佈局係分割成二個次佈 B 5〇"f ^ ^ <«σ505Α^505Βα 及505Β-505Α。因此，在考慮了跨越元件5 圖5Β係顯示元件變形體5〇1Α，其 ^ 的次佈局序列組合，係由閘極層次5__=^層次之層-人 圖⑽、顯示^件變形體5C)1B，其^用以跨越 屬^層次列組合:係由閑極層次5〇3B_5〇3A與金 , 所疋義。圖5D係顯示元件變形體501C，其中 503^0=^之層次的次佈局序列組合，係由閘極層次 蝴^ ^層次遞舰所絲。圖5雖顯示元件變形 -以跨越兀件5Q1之層次的次佈局序列組合，係由 閘極層二人曰503^·503Α與金屬2層次505B-505A所定義。 ' 目為晶片寬的光罩(chiP-wide mask)係用讀作元件之集合體 ^ong^i^ation) ’所以既定次佈局圖形應延伸跨越元件邊界。因 ，佈局在設置並安排路線時，於其每個層次中具有 佈ί序列之兀件變形體’應緊鄰另—個元件設置，以使既 疋b ••人之-人佈局圖形延伸跨越元件邊界。例如，圖汗為一示意 17 200900980 ，次變f體細緊鄰元件變形體驗設置，以使閘極 使閉二次聊元件變形體觀設置，以 ㈣Hbmry)。透重謂局的分#卜魏建置成元件庫 —一變形體能多ϊίί局。又’既定元件之每 設置於晶片上，以S:片Π牛f選擇適當的元件變形體而 晶片。於一實施例中佈局^形係維持跨越 (r_r)，係定義為懂得如分^ ::二:?排路線的路由器 而能夠進行元署，、,J 曰日片之母個層次的各種佈局，從 件邊界。 °又1吏既定層次之次佈局對準並延伸跨越元 例中，既定層次之晶片寬的佈局分#i，_由在曰 可片=陣列結構之各種元件的定義， ;片4的次佈局度晶 送轉罩 同GSDn(圖形資料系统^nfaClllty)。佈局資料播案能以如 Interchange Standard) ^ 理解的資料檔案格式:案、或疋任何他類能被光罩製作場 ;另以例中’多重圖形化能用以執行線切技術(line 18 200900980 將挪鶴陣赌構所定義之佈局分段。圖 非乂一員不根據本發明一實施例之元件601之声次的 係定義為連續地延伸妗趫佑』刀^佈局中，母個線形佈局特徵部 -能被分割成若干越括跨越元件邊界。非分段佈局 -二個次佈局，分別標示為符=分，局係分割成 -示意圖，顯示，標示以符號A。圖_ 以符號B。每-個第—盘第f =二非分段次佈局，標示 相同層次上。 一弟—非刀1又次佈局係分別製作於晶片的 局特徵部609-1與609_2，用以/局^不思圖。圖6D之佈局包括佈 特徵部609-3至__6，係^二”1邊界作線切割。又，佈局 奶之怖局係定義為㈣如n細内的線特徵部分割。圖 佈局所製作的線形特徵2圖=之第一與第二非分段次 的電連接性。圖6E係顯示圖61^^ f具有邏輯功能所必需 次之示意圖。 之佈局、、I線切割後的元件601之層 術所產生1以製作半導至6E所列舉之線切技 組光罩包括第—光罩(fet mask)/#^^(C〇1_〇n 】eVd)。這 f之區域，係用以包含定義為連“二二照動態陣列結構所定 ^一數目之線形佈局特徵部：並‘ 第-光罩之區域的 數目之線形佈:特徵:：具有共同位向。又，每 上沒有實質岐變。第―數 7鱗-縣的横貫方向 局，其t第-次饰局定佈钟徵部形成第一次佈 這組光罩也包括1 元件的第-部份。 弟二光罩，係具有按照動態陣列結構所定 19 第二‘ ^之=定義為連續地延伸妗越 ;，第-數目之線：工:數目之線形体局特徵部係3 ^按照_陣列結構所罩的横貫方向上沒有 形佈局特徵部與第—數H罩之區域，從㈣致第二H绫 =特徵部形成第形交叉。第二== 牛的第—部分。 一中弟一= 人佈局定義一或多個元 這組光罩也包括第三 形佈特徵部局之區域。t ^具有定麵包括第三數目之線 域對準時，第三數#之區域與第一及第二光罩之區 目之線形佈局特徵部二者部係定位為與第-及第二數 份，以便分割第-及第二數形佈局特徵部之-部 多個元件中之每-個能具有邏輯功妒所3徵部之’賦予此一或 的是，上述的光罩計數，所的電雜性。應理解 ，到光罩區別之目的，二i企圖s 雙^形麵局能制自我對準 仍之切割佈局，如切罩時。於此實施例中，圖 之非分俨祙旯 :罩此用。切副利用SADP製程所形成 於此每二丨1 ’ 1產生如圖犯所示之佈局。又，應瞭解的是， ^〇^t DP製程’能擴展成自我對準四倍圖形化 (从(^)$^ ’以及更高倍的自細_形化細癌哪⑽。 將gfi貫施例巾，如同於此所描述之多細形化，係藉由分別 =既疋層次之不同的次佈局裝載入步進機來實施。於此實施例 不同次佈局之佈局特徵部之間的對準應該要準確地執行，以 20 200900980 ，保，定層:欠之佈局特徵部之間具有適#關隔。㈣一實施例 ^夕重^形化係细雙重曝光技術(dQuble expQsure咏 Λ貫施，八中多重次佈局係利用晶片對掃描器光柱(scanner 次對準恤咖aHgnment)而曝光至晶片上。於 ㈣it 1瞭解的是’#製作W之既定層次時，動態陣列结 間之垂直方向上的對準，在沿著線形佈m Ϊίίίίί 1對準係可以更隨意(贿e rdaxed)。，仏 朗局特徵部的平行結構扣祕㈣使既定° 『人之2職獅伴可以更容易定義。 以^ 發明之一實施例’顯示在積體電路設計中所用 態陣列結構所定如包含若干其7局^照動 之右干:人佈局的操# 703，以使佈 t層-人用 個係分配至轩次佈局之任何—個，^佈部之每-地製作。 从使母—次佈局係可獨立 於-實施例t，在進行操作7Q3o#m 之佈局t的佈局特徵部之尺寸與相鄰佈 之層次用 既定半導體製造程序的製作能力範°寺;1間隔，係在 703之分割後，在元件之層次狀每固—之欠^上而，在進行操作 部間之間隔’係在既‘半導 於一實施例中’在元件之層次用之饰局中的側向相鄰佈局特 21 200900980 徵部，係分配至不同的次佈局。於— 性功能之佈局特徵部，係分 f。於-貫施例中，主動區域接觸部用之佈局 f-次佈局’且間極接觸部用之佈局特徵部係共St，
根據跨越元狀佈局特徵部橫貫方向之錢方H制’係 1匕方法更包括操作705 ’用以儲存元件 局 7 電腦可讀—_ rcadable medlum)JL πT干層二人’操作701至取緖複進行。 於二細例中，此方法亦能包括一操作， ίΐίί?ΐ ? ==;;==排序之侧向相鄰佈局特徵部(係有關於 it跨越元件之層次的方向），以定義元件之層 右干變形體’其中元件之每個變形體係藉由用以ί 雕火之次佈局序列的唯一組合所定義。元件之每一變形 肢月匕被儲存於電腦可讀媒體之元件庫中。 义形 每rlU此ΐ法之—實施例中’ PCT處理能在每一次佈局上 ΐ局之PCT處理樣式。每—次佈局之PCT處理 >ϊϊ?ΐΐ於，腦可讀媒體之元件庫中。於此實施例中，pct :Α μ、相米，義¥繞既定次佈局之微影缓衝區域以實施於既定次 &件之⑼上時’微影緩衝區域係絲為包括模擬環 %兀件之/既疋次佈局之鄰近區域的若干特徵部。 定A勺人犀方法的流程圖之示意圖。此方法包括用以 紝嫌右干層次之元件的操作8〇1，此層次具有按照動態陣列 、、'°疋義之個別線形佈局。此方法也包括操作803，其中，對 22 200900980 j之-碱彡倾擇層次(seleet levels)，分湘魏形佈局以 成右干次佈局’以使在個概職局巾的若干佈局特徵部中之 二個^被雜至右干次佈局之任—個，並以使每—次佈局可獨立 二方ϊίί括操作805，用以儲存元件之定義於電腦 -於一實施例中，圖8之方法更包括用以產生元件之若干蠻艰 體的操作。元件之每個變形_藉由用以跨 -組合所定義。元件之既定層次用之 =，k籍由分配7L件之既定層:欠之邊緣佈局特徵部至特定次佈 由分配依據it件之既定層次用之轩次佈局 佈局特徵部(係關於自邊緣佈局特徵部延伸跨越元i =疋層-人的方向)以定義。於此實施例中，元件之 儲存於電腦可讀媒體之元件庫中。 又形體係 次備=樣貫施例中’圖8之方法能包括利用PCT處理每-中，^二佑片母二次f局之PCT處理樣式之操作。於此實施例 中。此外—人ί ί處理樣式係儲存於電腦可讀媒體之元件庫 線半導體製造程序的製作能力‘之 干次忒之n二I定s=8G3之分割線形佈局後，若 内。 係在既疋+導體製造程序的製作能力範圍之 電路γλ根^本發明之一實施例顯示用以設計生產用之卿 ΐΐίΐί 示意圖。此方法包括操細，用以二; (_st)。於$作90^中佈局^，以滿足積體電路之網路連線表 形化用之元元⑽選擇自晶片佈局之多重圖 使在母個線形佈局中的每個佈局特徵部係 23 200900980 分配至若干次_局之任—個 徵部在既定元件之共同層次^ 至既定次佈局之佈局特 pattern)，以一連婧方彳μ丨〜双固 個元件之既定次佈局^個元件。再者’由跨越複數 分，定義了共同層i用部之一致圖形之延伸部 -次佈局係定義在共= 的—部份。此外，每 Πϋΐί，係以共解的方法獨立地製作在共同層 又，複數個元件係—同心J；「致圖形(co脇tentPattem)。 内之既定次佈局所形成“層次 士 °此方法更包括操作903 ’用存 曰^/' ^ ^ 罩佈局於電腦可讀媒體上。 層人狀4見的光 T -^^^^(computer readable code)^ 上 細係任何能儲她1系統能讀 手勺二二i虚f f兀件付她St〇rage㈣⑵）。電腦可讀媒體之例 子包括硬式磁碟機㈣drives)、網路附加儲存設備(netw〇rk att=dStomge)(NAS)、唯讀記憶體(read.ly mem〇ry)、隨機存 取記憶體(random-access memory)、唯讀型光碟機(CD R〇Ms)、可 錄式光碟(CD-Rs)、可重寫式光碟(CD_RWs)、磁帶(magnetic tapes)、以及光學式與非光學式資料儲存元件。電腦可讀媒體能 亦分布於網路耦合電腦系統(network c〇upled ec)mputef systemp， 以便於以分散式方式(distributed fashion)儲存及執行電腦可讀碼。 此外，能開發用以在電腦可讀媒體上執行電腦可讀碼的圖形使用 者界面(graphical user interface)(GTJI)，以提供實施本發明之任何 實施例的使用者介面。 ’ 雖然本發明已就數個實施例敘述，但應瞭解的是，熟知本技 藝者在閱讀前面的說明書與研究附圖之後，當可對其實施各種修 改、添加、排列、以及等效設計。因此，意思是本發明係包括落 入本發明之真諦及範圍内的所有上述之修改、添加、排列、以及 等效設計。 24 200900980 【圖式簡單說明】 圖^艮據本發明之一實施利，顯示按照動態陣列結構所 義之兀件之層次用的例示式佈局之示意圖； 顯示如圖2A之分割佈局中 顯示如圖2A之分割佈局中 圖2A係根據本發明之一實施例，顯 次佈局之示意圖； d成—個 圖2B係根據本發明之一實施例 所定義之第一次佈局之示意圖； 圖2C係根據本發明之一實施例 所疋義的苐—次佈局之示意圖； / 三個:ΐϊίίίί«個之—實施例，顯示㈣之佈局分割成 ㈣之—實剩，顯捐2C之次佈局的 圖4A至4C ’係根據本發明之一實 三個次佈局之可能的次佈局序列之示意圖J;，'、、員不將佈局分副成 ，5A係根據本發明之—實施例，顯示 及金屬2層次佈局之示意圖； 午之閘極層•人佈局以 圖5B至5E係根據本發明之一奋姑办丨θ _ 同變形體之示意圖； 貝鈿例，頒示圖5Α之元件的不 圖5F至5G係根據本翻之—實 脰係彼此緊鄰設置，以使多 :思圖，顯不元件變形 界； 董層乂之-人佈局圖形延伸跨越元件邊 圓6Α係根據本發明之—實 _ 局之示意圖； 、"，不711件之層次的非分没佈 一圖6Β係根據本發明之一實施例 立 示為符號Α的具有線形佈局特 不，’顯示於目6Α中標 一圖6C係根據本發明之—實於例弟非分段次佈局； 示為符號β的具有線形佈局^意®，顯示於圖6At標 圖紅> 係根據本發明之一每；1弟一非分段次佈局； _例，顯示用以切割如同圖紐及 25 200900980 =圖cm非分段次佈局所製作的線形·部之饰局之示 的元例，齡削把柄鱗切割後 圖7係根據本發明之—實施 以定義多重圖形化元件 ^不在積體電路設計中所用 圖_根據本發明之—實施1圖之示意圖； 叫/叩低佩伞般、切之—實初 電路之方法的流程圖之示意圖 【主要元件符號說明】 101 元件 103 虛擬栅欄之虛線 105 線形佈局特徵部 105 A 、105B、105C次佈局特 107 間隔 109 寬度 111 距離 115 距離 117 OPC形狀 119 微影緩衝區域 121 邊界 401 左邊緣佈局特徵部 501 元件 501A 、501B、501C、501D 503 閘極層次佈局特徵部 503A 、503B次佈局 505 金屬2層次佈局特徵 505A 、505B次佈局 重圖^用之元件庫之方法的流程圖Ϊ；用^造晶片佈局之多 圖9係根攄太發昍今—$ _不思圖；以及 ’顯示用以設計製造用之積體 26 200900980 507 箭號 601 元件 602 元件邊界 603 元件邊界 605 元件邊界 607 元件邊界 609-1〜609-6 佈局特徵部 701 操作 703 操作 705 操作 801 操作 803 操作 805 操作 901 操作 903 操作 A、 B、C 次佈局