TW200847168A - Method for nitride trapping layer memory array word line retry erasing and threshold voltage recovering - Google Patents

Description

200847168 11887twf.doc/p 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上疋關於一種半導體記憶體陣列，且更特 定言之，是關於一種用於氮化物儲存層非揮發 體陣 列之字元線重試抹除(―)操作=二= 的臨界電壓恢復操作之方法。 【先前技術】

氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞廣泛用於半導體 工業中。如此項技射所熟知的，典型之氮化物儲存層非 揮發性記，It體記憶胞包括源極端子、没極端子以及間極端 子。氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞—般以具有多行 以及多列之_結構的形式來排列。氮化物健存層非揮發 性=憶體陣列之同-列中之氮化物儲存層非揮發性記憶體 ，憶胞的閘極端子祕到—起以形成此列之字元線，同時 yb物館存層非揮發性記憶體陣狀同—行中之氮化物儲 存層非揮發性記憶體記憶胞的祕端子祕到—起以 此行之位元線。 可電程式化、讀取並抹除氮化物儲存層非揮發性記 -陣列之氮化物儲存層非揮發性記紐記憶胞。歸因於氣 ^物儲存層鱗發性織断财之纽物儲存層非揮發 孤體麯胞讀A數目，—般將氮化 =憶體記憶胞分為多個戶羽區（她r)。可電程式 =化物儲存層非揮發性記憶體_中之單-氮化物鍺存 ㈢軍發性記憶體記憶胞’然而刊時電抹除氮化物儲存 5 200847168 P920130 11887twf.doc/p 層非揮發性記憶體記憶胞之一扇區。 通常藉由在氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之閘 極端子與源極端子之間建立較大正電壓（諸如，l2v)且 在氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之汲極端子與源極 端子之間建立正電壓（諸如，6V)從而使電荷被捕獲於氮 化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之保存層（retention layer)中來权式化氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之氮 φ 化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。保存層中之已捕獲電 荷引起氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電^之 增加。 為了驗證已程式化氮化物錯存層非揮發性記憶體記憶 胞之增加之臨界電壓是否已達到其目標程式化電壓，將驗 證脈衝（通常在程式化脈衝之後）施加於已程式化氮化物 ，存層非揮發性記鍾記憶胞。若驗脈衝顯示已程式化 氮㈣儲存層轉發性記鐘記憶胞尚未達到目標程式化 t壓’則施加額外程式化脈衝，繼之以隨後之驗證脈衝。 通$，在程式化過程期間’程式化脈衝在電壓位準上增加， 開始於相對較低電壓位準且終止於較高電壓位準。程曰式化 以及驗證將繼續直至已達到目標程式化電壓。 工 ，可藉由分麟較高正電壓以及貞電壓施加於抹除扇區 之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的汲極端子以及間 極端子來完成抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之氮 化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之扇區的操作。然而二 此抹除方法呈現出主要缺點：當在一個實體陣列中&分多 200847168 P920130 11887twf.doc/p 個扇區時’氮化物儲存層非揮發性記億體陣列你 儲存層非揮發性記憶體記憶胞之一個扇區的採除操 響屬於同-氮化物儲存層非揮發性記憶體_中之其他^ ，之已私式倾化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。因^ 氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列中之一=古"一 儲存層非揮發性記憶體記憶胞之汲極端子經 所以，II化物儲存層_發性記憶體記憶胞之― 抹除操作_，施加於屬於氮化物儲存層非揮發性記憶體 陣列之抹除扇區的氮化物儲存層非揮發性記憶體記情胞之 没極，子的高正電壓亦將被施加於屬於不被抹除之魏扇 區之，化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的汲極端子。因 此:氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之其他未抹除扇區 之^化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞必須忍受由不必要 ^高汲極電壓利起之行應力（eGlumnst]ress)。行應力將 導致此等未抹除扇區中之已程式化氮化物儲存層非揮發性 記憶體記憶胞之臨界電壓損失。儘管由一次抹除操作I後 的行應力所引起之已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體 s己憶胞之臨界電壓損失較小，但多次抹除操作之後的累積 臨界電壓損失可能足夠顯著，使得已程式化氮化物儲存層 非揮發性記憶體記憶胞被錯誤地認為處於抹除狀態。此干 擾對一個陣列中之扇區之數目及/或每一扇區之最大循環 數目形成限制。 鐾於别述，存在對能夠執行氮化物儲存層非揮發性記 憶體陣列之一個扇區之抹除操作且在抹除操作之後恢復氮 7 200847168 P920130 I] 887twf.doc/p 化物儲存層非揮發性記憶體陣列之其他扇區中的 存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓損輪 【發明内容】 σ ’本發明藉由提供—種抹除記憶體之 品且接著恢復記憶體陣列之其他未抹除化 記憶胞之臨界電壓損失的方法來滿足此需要 私式化 根據本發明之-態樣，提供一種抹除以及恢復★己情體 H方Ϊ。記憶體陣列包括記憶胞之多個扇區。在“ 亚抹除5己體陣列之扇區後，對記憶體陣列執行臨芦 在臨界電壓恢復期間，藉由讀取記憶體陣列丄所i 若記憶體陣列之記憶胞之臨界電壓 則將記憶胞看作已程式化記憶胞。 ===經程式化並經驗證，：= 忑L胞之£&界廷壓達到程式化驗證電壓。 根據-本發明之另一態樣，提供另一種 化物儲存層轉發性記紐_之方法。氮化 揮發性記紐㈣包括氮錄儲存層 胞之多個扇區’每-扇區包括多條字元線，每停=線; 應於字元雜賴標。 私子兀線對 =擇^物儲存層非揮發性記憶體陣列之扇區用於 右i目應字元線抹除旗標經選出（一 1〇,則識 I疋扇區之子元線。對減至已識別字元線之氮化物儲 8 200847168

Fyzuiiu 11887twf.doc/p 存層非揮發性記憶體記憶胞執行抹除驗證。絲接至已識 別字元線之任減化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞均未 通過抹除驗證，則標記相财讀抹除旗標。在對選定扇 區進打抹除驗證之後，將對減至已標記字元線之氮化物 儲存層非揮發性記憶體記憶職行抹_作。抹除驗證以 及抹除操作將輔直輯㈣區之财氮化_存層非揮 發性€憶體記憶胞均通過抹除驗證。 此後，對氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之所有扇 區執行臨界電壓恢復。在臨界電馳復顧，檢查氮化物 儲存層非揮發性記憶體陣列之所有氮化物儲存層非揮發性 記憶體記憶细瞭解是奸在任何已程式錢化物儲存層 非^發性記憶體記憶胞。藉由讀取氮化物儲存層非揮發性 義體兄憶胞之臨界電壓來制已程式化氮化物儲存層非 ，發性記憶敎憶胞。若氮化物儲存層非揮發性記憶體記 L也之臨界錢朗或超過程式化測試電壓，則將氮化物 儲存層非揮發性錢體記憶胞看作已程式化·物儲存層 非揮發性記憶體記憶胞。再次程式化氮化物儲存層非揮發 陣狀所侧已程式化氮化物儲存層轉發性記 :&°己思胞’直至已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體 圮憶胞之臨界電壓大於或等於程式化驗證電壓。 …根據本發明之又—態樣，提供—種祕抹除以及恢復 義體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式。記憶體 胞之多個扇區。她式包含用於選擇:憶 ••車之雜除之顧的程式齡、祕絲選定扇區之 200847168 P920130 11887twf.doc/p 記憶胞的程式指令，以及用於對記憶體陣列執行臨界電壓 恢復的程式指令。 用於對記憶體陣列執行臨界電壓恢復的程式指令更包 含用於偵測記憶體陣列之已程式化記憶胞的程式指令，以 及用於程式化已程式化記憶胞直至已程式化記憶胞通過程 式化驗證的程式指令。 儘官對氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞進行特定 _ 麥考，但本發明之方法可同等應用於可受益於抹除操作之 後的程式化驗證操作之其他類型的記憶胞。 應理解以上概述以及以下實施方式僅為例示性且說明 性的，且如所主張的並不限制本發明。 【實施方式】 、對本發明之實施例進行詳細參考。儘管結合實施例來 描述本發明，但本發明不欲受此等實施例限制。相反，本 發明意欲涵蓋可包括於由附加之申請專利範圍界定的本發 Μ之精神以及範如之替代例、修改以及均等物。此外， 在本餐月之以下只施方式中，大量特定細節經陳述以便提 供對本發明之徹底理解。然而，如對於一般熟習此項技術 者顯而易見的，可在無此等特定細節之情況下實踐本發 明。在其他情形下，尚未詳細描述熟知方法、程序、組件 以及電路以便不會混淆本發明之態樣。 "最初參看® 1，根據本發明之—實_來展示用於抹 除氮化物儲存層非揮發性記憶體之系統100。 如圖1中所說明，系統100包括狀態機110、字元線 200847168 ryzu i^u 11887twf.doc/p (word line ’ WL)解碼器系統120、字元線驅動器（w〇rd line driver，WLDRV)系統130、氮化物儲存層非揮發性呓 憶體陣列140、WL抹除旗標系統15〇、感應放大器^ 及扇區旗標系統170。狀態機11〇向WL解碼器系統1如、 WL抹除旗標系統150、感應放大器16〇以及扇區旗標系 統Π0提供邏輯控制。扇區旗標系統17〇經組態使得對於 氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列14〇之每一扇區，存在 • 用以指示是否需要抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列 M〇之扇區之相應扇區旗標。WL解碼器系統12〇能夠在 氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列14〇之扇區之抹除操 期間進行單或多字元線選擇。 ” 感應放大器160經實施以放大並量測氮化物儲存層非 揮發性圯憶體陣列140之氮化物儲存層非揮發性記憶體記 憶胞之臨界電壓。獲取氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列 14〇之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的臨界電壓之 _ 「财法為將電壓施加於待制之氮化物儲存層非揮發性 沿fe體纪憶胞之字元線（閘極端子），且將氮化物儲存層非 揮，性c憶體記憶胞之輸出電流與由感應放大器16〇裏面 之參考記憶胞所產生之電流相比較。當氮化物健存層_ 發性記憶體記舰之輸ώ電料於參考誠胞之電流時， =施加於氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之字元線之 =界定錢化物齡層轉發性記憶體記憶胞之臨界電 氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列14〇包含以多個列 11 200847168 ryzuiiu 11887twf.doc/p 以及行排列之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之多個 扇區。可將-個扇區識別為實體隔離氮化物儲存層非揮發 性記，體域胞陣職-鱗财之記憶胞之電隔離區 塊。氣化物館存層非揮發性記憶體陣列14〇之每一扇區包 括多條字元線，每條字元_接至每列之氮化物儲存層非 揮發性記憶體記憶胞之閘極端子。氮化物健存層非揮發性 =體陣列M0之每行之氮化物儲存層非揮發性記憶體記 fe胞的所有祕端子減到_起以形成位元線。因此，告 =同扇區之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞屬於同二 存層非揮發性記憶體陣列140之氮化物儲 存層非揮發性記憶體記憶胞之不同輕共㈣—位元線。 WL聰系統n〇以及WL抹除旗標系統15〇經組態 使传對於祕物儲存層非揮發性記憶斷列⑽之每停字 兀線’存在相應脱DRV以及相應WL抹除旗標。每二相 ^LDRV包括起WLDRV旗標作用之鎖存器⑽ 设疋WL抹除旗標指示需要抹除祕至對應於設定肌抹 =標之字元線的氮化物齡層非揮發性記憶體記憶胞。 抹除旗標指示已成功抹除或尚未命令抹除搞接至 相應子7L線之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。 現參看圖2，流賴經展示以朗根據本發明之 J例不性氮化物健存層非揮發性記憶體陣列抹除 以及恢復方法。 在^驟2〇5巾’自氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列 之夕個扇區選擇待抹除之扇區。由於氮化物儲存層非 12 200847168 P920I30 11887twf.doc/p 揮發性記憶體陣列140之每條字元線具有肌抹除旗標系 統150中之相應WL抹除旗標，因而在抹除操作之前設定 選定扇區之WL抹除旗標。在步驟21()中重設選定扇區之 WL位址。 接著，在步驟220中對耦接至已識別字元線之氮化物 儲存層非揮發性^憶體記彳t胞執行抹除驗證。可藉由讀取 =至已酬字元線之每—氮化_存層非揮發性記憶體 疏胞的臨界電壓來進行抹除驗證。可藉由將抹除驗證電 =加於待讀取之氮化物館存層非揮發性記舰記憶胞所 搞，之已識別字元線來實施氮化物儲存層非揮發性記憶體 ^ ^臨界電壓的讀取。若氮化物儲存層非揮發性記憶 πίίί之臨界電壓小於或等於抹除驗證電壓，則認為氮 =物儲存層非揮發性記憶體記憶誠被抹除。在—實施例 中，用於抹除驗證之抹除驗證電壓為約3〇¥至3.8乂。 Μ如步驟MG中所示，若輕接至已識別字元線之每一氮 牛驟1存層_發性記憶體記憶胞均通過抹除驗證，則在 二5中重設相應肌抹除旗標以及相應WLDRV旗 :睁: 步驟240，其中檢查已識別字元線 為選定祕之最末字元線。若已識別字元線 扇區之最末字元線，則在步驟245中增加選定扇 識別。址’直至具有設定肌抹除旗標之字元線被 檢杳、s ^疋扇區之最末字元線之狀況下，在步驟250中， 所有說抹除旗標，以瞭岐否屬於選定 羽时斤有虱化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞均被抹 13 200847168 11887twf.doc/p 除。 與若選定扇區之所有WL抹除旗標均被重設，則成功抹 ，定扇區之所有氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。 右WL抹除旗標中至少—者仍被設定，則在步驟咖中將

，存於選定扇區之WL抹除旗標處的值載入選定扇區之相 μ WLDRV旗標中。接著在步驟28〇中，WL 120將識別具有選定扇區之蚊相應™vm標的= ，。在步驟290中，將負電壓施加於步驟280中所識別之 =線，以抹除_至已識別字元線之氮化物儲存層 記憶胞。在抹除操作期間，待抹除之氮化物儲 記憶胞之没極端子經施加有較高正抹 之;極端子=:氣化物糊非揮發性記憶體記憶胞 憶體Γ定扇區之所有氮化物儲存層非揮發性記 二二在步驟260中對氮化物儲存層非揮發性 140之所有扇區執行臨界電壓恢復。在圖3中 况明界電壓恢復之詳細執行步驟 恢德方半二t 儲存層非揮發性記憶體陣列臨界電壓 ,體陣列140夕所:及’當抹除氮化物儲存層非揮發性記 U體陣列140之一扇區時，验击丄^ 扇區之氮化非脉Γ 加於待抹除之 物齡層轉發性記健_⑽之每行之氮化 存層非揮發性記憶體記憶_接到-起，所以屬於氣 200847168 〇綱川 11887twf.d〇c/p 1匕物儲存層非揮發性記憶體陣列140之其他未抹除扇區之 氮化，儲存層非揮發性記憶體記憶胞的汲極端子亦受較高 Μ壓影響，此影響被稱為“行應力㈤umnst職）”。 行應力將引起氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列中之 已矛:式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓 的損失。為保持氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之 ^抹除扇區中之已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記 _ L胞的臨界電壓’需要對氮化物儲存層非揮發性記憶體陣 列140之所有扇區執行臨界電壓恢復。 在步驟310中，重設氮化物儲存層非揮發性記憶體陣 列140之記憶體位址。接著，藉由讀取氮化物儲存層非揮 务〖生η己{^體5己憶胞之臨界電壓而在步驟中偵測氮化物 儲存層非揮發性記憶體_ Μ0之已程式化氮化物儲存層 f揮發性記憶體記憶胞。如上所提及，歸因於行應力，先 权式化之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界 % ，壓可能降低。若氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之 臨界電壓大於或等於程式化測試電壓，則將氮化物儲存層 非揮發性記憶體記憶胞偵測為已程式化氮化物儲存層非揮 發性汜憶體記憶胞。在一實施例中，程式化測試電壓為約 4.〇乂至4.6又。 ' 在步驟330中程式化所偵測已程式化氮化物儲存層非 揮發性§己憶體記憶胞以恢復臨界電壓損失。在步驟3奶 中，在程式化驗證電壓施加於相應字元線的情況下藉由讀 取具氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞來驗證重新程式 15 200847168 ryzui^u 11887twf.doc/p 化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓。若已 ^式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓未 w·到私式化驗壓’則對已程式化氮化物儲存層非揮發 記憶胞執行另一程式操作直至已程式化氮化物儲 子？非，發性記憶體記憶胞之臨界電壓大於或等於程式化 驗η丘私置在只施例中，程式化驗證電麗為約5 0 ν至 6.0 V。 • 〜㈣㈣已程式錄化物齡層轉發性記憶體記憶 胞之界電壓達到或超過程式化驗證電壓之後，在步驟 35〇中增域化物儲存層非揮發性記憶鮮狀記憶體位 址。在步驟36〇中檢查增加之記憶體位址以瞭解增加之記 ，體位址是否為氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列刚之 最末記憶體位址。若記憶體位址為氮化物错存層非揮發性 記憶體陣列140之最末位址，則臨界電壓恢復方法完成； 否則此方法將繼續自步驟320開始。 树明使料元線絲旗標以指示祕至相應字元線 攀^鋪胞的齡錢，且齡伽字元射财法來抹除 讀體陣列之扇區。因此’在隨後之抹除操作期間將僅再 次抹除未通過先前抹除操作之記憶胞。此後，記憶體陣列 將經歷臨界電壓恢復以恢復記憶體陣列之未抹除扇區中之 已程式化記憶胞的臨界電壓損失。本發明將在不降級資料 保存能力之情況下提高記憶體陣列之抹除速度。 ^氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞通常形成於不對 氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之汲極與源極加以區 200847168 ννζυΐΜ) 11887twf.d〇c/p 別之，擬接地陣列中。氮化物齡層非揮發性記憶體記憶 月L之氮化層中之電荷捕獲的區域性使其能夠每記憶胞儲存 兩個位元。儘官共同没極氮化物儲存層非揮發性記憶體陣 列經描述用於上述實施例，但本發明亦應用於共同源極氮 化物儲存層轉發性記憶鮮贼虛擬接轉列。" 出於說明以及描述之目的，已呈現本發明之特定實施 例的以上描述。描述並不意欲為詳盡的或將本發明限於所 • 揭„形式。顯然，鐾於以上教示，許多修改以及變 化疋可此的。選擇並描述實施例以便解釋本發明之原理以 及應用，藉此使熟悉此項技術者能夠根據所涵蓋之特殊目 的本發明之各種實施例以及修改利用本發明。本發明 之^嚀意欲由隨附於此之申請專利範圍以及其均等物加以 界定。 【圖式簡單說明】 圖1展示根據本發明之一實施例的用於抹除氮化物儲 0 存層非揮發性記憶體陣列之系統。 圖2為展示根據本發明之一實施例的例示性氮化物儲 存層非揮發性記憶體陣列抹除以及恢復方法之步驟流程 圖〇 圖3為展示根據本發明之一實施例的抹除操作之後的 例示性氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列臨界電壓恢復方 法之步驟流程圖。 【主要元件符號說明】 100 :系統 17 200847168 130 11887twf.doc/p no :狀態機 120 : WL解碼器系統 130 : WLDRV 系統 140 ··氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列 150 : WL抹除旗標系統 160 :感應放大器 170 :扇區旗標系統 200 :流程圖 205〜360 ··步驟 18

Claims (1)

1. 200847168 r^zuuu 11887twf.doc/p 十、申請專利範圍： 1.一種用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，所述記 憶體陣列包括記憶胞之多個扇區，所述用於抹除以及恢復 記憶體陣列之方法包括： 選定所述記憶體陣列之待抹除之扇區； 抹除所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述記憶 胞；以及 對所述記憶體陣列之不在所述記憶體陣列之選定的所 _ 述扇區中的所述記憶胞執行臨界電壓恢復。 2·如申请專利範圍第1項所述之用於抹除以及恢復記 fe體陣列之方法，其中所述臨界電壓恢復之執行更包括： 自所述記憶體陣列偵測已程式化記憶胞； 程式化所述已程式化記憶胞，直至所述已程式化記憶 胞通過程式化驗證；以及 重複偵測以及程式化，直至所述記憶體陣列之所有所 述已程式化記憶胞均通過所述程式化驗證。 • 3·如申請專利範圍第2項所述之用於抹除以及恢復記 憶體陣列之方法，其中所述已程式化記憶胞之偵測更包括： 讀取所述記憶體陣列之所述記憶胞的臨界電壓；以及 當所述記憶胞之所述臨界電壓大於或等於程式化測試 電壓時，將所述記憶胞識別為所述已程式化記憶胞。 4·如申請專利範圍第1項所述之用於抹除以及恢復記 憶體陣列之方法，其中所述記憶胞為氮化物儲存層非揮發 性記憶體記憶胞。 19 200847168 ry^xn^v 11887twf.doc/p 5·如申請專利範圍第1項所述之用於抹除以及恢復纪 憶體陣列之方法，其中所述記憶體_之選定的所區 之所述記憶胞的抹除更包括： 元線； 自選定的職祕之多齡元線朗已標記之所述字 驗證； 對搞接至已識_誠字元線之所述記憶胞執行抹除

   當所述抹除驗證失敗時，標記已識別的所述字元線； 重衩識別、執行以及標記，直至選定的所述扇區之最 末字元線； 抹除耦接至已標記的所述字元線之所述記憶胞；以及 反覆識別、執行、標記、重複以及抹除，直至選定的 所述扇區之所有所述記憶胞均通過所述抹除驗證。 6·如申睛專利範圍第5項所述之用於抹除以及恢復記 憶體陣列之方法，其中藉由設定對應於已識別的所述字元 線之子元線抹除旗標來完成已識別的所述字元線之標記。 7·如申請專利範圍第5項所述之用於抹除以及恢復記 憶體陣列之方法，其中所述記憶體陣列之選定的所述扇區 之所述記憶胞的抹除更包括·· 在所述字元線之識別之前，設定對應於選定的所述扇 區之所述字元線的多個字元線抹除旗標。 8·一種用於抹除以及恢復記憶體陣列的方法，所述記 k體陣列包括記憶胞之多個扇區，每一所述扇區包括多條 字70線’每條所述字元線具有相應字元線抹除旗標，所述 20 200847168 上几uuu 11887twf.doc/p 用於抹除以及恢復記憶體陣列的方法包括： 扇區選定來自所述記憶體_之所述扇區的待抹除之所述 自選定的雜除麟純之⑽料_別 所述字元線； 對搞接至已識別的所述字元線之所述記憶胞執行抹除

   當所述抹除驗證失敗時標記已識別的所述字元線； 重複識別、執行以及標記，直至選定的待 區之最末字元線； ’ 抹除耦接至已標記的所述字元線之所述記憶胞； ^反覆識別、執行、標記、重複以及抹除，直至選定的 待抹除所述扇區之所有所述記憶胞均通過所述抹除驗證； 以及 ΰ ， 對所述記憶體陣列之所有所述扇區執行臨界電壓恢 復。 9·如申請專利範圍第S項所述之用於袜除以及恢復記 憶體陣列之方法，其中所述臨界電壓恢復之執行更包括： 自所述記憶體陣列之選定的所述扇區偵測已程式化記 憶胞； 程式化所述已程式化記憶胞，直至所述已程式化記憶 胞通過程式化驗證；以及 重複偵測以及程式化，直至所述記憶體陣列之選定的 所述扇區之所有所述已程式化記憶胞均通過所述程式化驗 21 200847168 X JL^\J 11887twf.doc/p 10·如申请專利範圍第9項所述之用於抹除以及恢復 記憶體陣列之方法，其中執行所述已程式化記憶胞之偵測 包括： 讀取所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述記憶胞 的臨界電壓；以及 當所述記憶胞之所述臨界電壓大於或等於程式化測試 電壓時’將所述記憶胞識別為所述已程式化記憶胞。 11·如申請專利範圍第10項所述之用於抹除以及恢復 記憶體陣列之方法，其中所述記憶體陣列為氮化物儲存層 非揮發性記憶體陣列。 12·如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復 記憶體陣列之方法，其中所述程式化測試電壓介於4.0 V 至4.6 V之間。 13·如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復 記憶體陣列之方法，其中當所述已程式化記憶胞之臨界電 壓大於或等於5·〇 V至6.0 V時，所述已程式化記憶胞通過 所述程式化驗證。 14·如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復 記憶體陣列之方法，其中當耦接至已識別的所述字元線之 每一所述記憶胞之每一臨界電壓均小於或等於3·〇 ν至3.8 V時’搞接至已識別的所述字元線之所述記憶胞通過所述 抹除驗證。 15·如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復 22 200847168 11887tw£doc/p Ϊ憶^陣列之方法，其中藉由選擇所述相應字元線抹除旗 $被標記之所述字元線來執行來自選定的所述扇區之所述 字元線的所述字元線之識別。 16·如申凊專利範圍第u項所述之用於抹除以及恢復 記，體陣列之方法，其中藉由將負電壓施加於已識別的所 述子元線來執行耦接至已識別的所述字元線之所述記憶胞 的抹除。 • 」17·一種用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦 可項媒體中之電腦程式，所述記憶體陣列包括多個扇區， 所述用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體 中之電腦程式包括： ' 、 用於自所述記憶體陣列之所述扇區選定待抹除之扇區 的程式指令； 用於抹除运疋的所述扇區之記憶胞之程式指令；以及 用於對所述記憶體陣列之不在所述記憶體陣列之選定 馨 的所述扇區中的所述記憶胞執行臨界電壓恢復之程式指 令。 ^丨8·如申請專利範圍第17項所述之用於抹除以及恢復 記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中用 於執行所述臨界電壓恢復之所述程式指令更包括： 用於自所述記憶體陣列偵測已程式化記憶胞之程式指 令； 用於程式化所述已程式化記憶胞直至所述已程式化記 憶胞通過程式化驗證之程式指令；以及 23 11887twf.doc/p 200847168 用於重複偵測以及程式化直至所述記憶體陣列之所有 所述已程式化記憶胞均通過所述程式化驗證之程式指令。 19·如申請專利範圍第18項所述之用於抹除以及恢復 記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中用 於偵測所述已程式化記憶胞之程式指令更包括： 用於讀取所述記憶體陣列之所述記憶胞之臨界電壓 程式指令；以及 用於當所述記憶胞之臨界電壓大於或等於程式化測試 電壓時將所述記憶胞識別為所述已程式化記憶胞的程式指 令0 20·如申請專利範圍第π項所述之用於抹除以及恢復 纪憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中所 述g己憶胞為氬化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。 21·如申請專利範圍第Π項所述之用於抹除以及恢復 記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中用 於抹除所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述記憶胞的 程式指令更包括： " 用於自選定的所述扇區之多條字元線識別已標記之所 述字元線的程式指令； 用於對輕接至已識別的所述字元線之所述記憶胞執行 抹除驗證的程式指令； 用於當所述抹除驗證失敗時標記已識別的所述字元線 的程式指令； 用於當所述抹除驗證失敗時抹除耦接至已識別的所述 24 200847168 -----—11887twf.doc/p 字元線之所述記憶胞的程式指令； ^用於重複識別、執行以及標記直至選定的所述扇區之 最末字元線的程式指令； 用於抹除耦接至已標記的所述字元線之所述記憶胞的 程式指令；以及 用於反覆識別、執行、標記、重複以及抹除直至選定 的所述扇區之所有所述記憶胞均通過所述抹除驗證的程式 指令。 22·如申請專利範圍第21項所述之用於抹除以及恢復 吕己憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中當 相應字元線抹除旗標被標記時，藉由自所述記憶體陣列之 選定的所述扇區之所述字元線選擇所述字元線來執行所述 字元線之識別。

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