TWI399751B - 氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列字元線重試抹除以及臨界電壓恢復之方法 - Google Patents

Description

氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列字元線重試抹除以及臨界電壓恢復之方法

本發明大體上是關於一種半導體記憶體陣列，且更特定言之，是關於一種用於氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之字元線重試抹除(retry erase)操作以及抹除操作之後的臨界電壓恢復操作之方法。

氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞廣泛用於半導體工業中。如此項技術中所熟知的，典型之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞包括源極端子、汲極端子以及閘極端子。氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞一般以具有多行以及多列之陣列結構的形式來排列。氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之同一列中之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的閘極端子耦接到一起以形成此列之字元線，同時氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之同一行中之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的汲極端子耦接到一起以形成此行之位元線。

可電程式化、讀取並抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。歸因於氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列中之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之較大數目，一般將氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞分為多個扇區(sector)。可電程式化並讀取氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列中之單一氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞，然而可同時電抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之一扇區。

通常藉由在氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之閘極端子與源極端子之間建立較大正電壓(諸如，12 V)且在氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之汲極端子與源極端子之間建立正電壓(諸如，6 V)從而使電荷被捕獲於氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之保存層(retention layer)中來程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。保存層中之已捕獲電荷引起氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓之增加。

為了驗證已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之增加之臨界電壓是否已達到其目標程式化電壓，將驗證脈衝(通常在程式化脈衝之後)施加於已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。若驗證脈衝顯示已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞尚未達到目標程式化電壓，則施加額外程式化脈衝，繼之以隨後之驗證脈衝。通常，在程式化過程期間，程式化脈衝在電壓位準上增加，開始於相對較低電壓位準且終止於較高電壓位準。程式化以及驗證將繼續直至已達到目標程式化電壓。

可藉由分別將較高正電壓以及負電壓施加於抹除扇區之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的汲極端子以及閘極端子來完成抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之扇區的操作。然而，此抹除方法呈現出主要缺點：當在一個實體陣列中劃分多個扇區時，氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列中之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之一個扇區的抹除操作將影響屬於同一氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列中之其他扇區之已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。因為氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列中之一行的所有氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之汲極端子經耦接到一起，所以在氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之一個扇區之抹除操作期間，施加於屬於氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之抹除扇區的氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之汲極端子的高正電壓亦將被施加於屬於不被抹除之其他扇區之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的汲極端子。因此，氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之其他未抹除扇區之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞必須忍受由不必要之高汲極電壓所引起之行應力(column stress)。行應力將導致此等未抹除扇區中之已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓損失。儘管由一次抹除操作之後的行應力所引起之已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓損失較小，但多次抹除操作之後的累積臨界電壓損失可能足夠顯著，使得已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞被錯誤地認為處於抹除狀態。此干擾對一個陣列中之扇區之數目及/或每一扇區之最大循環數目形成限制。

鑒於前述，存在對能夠執行氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之一個扇區之抹除操作且在抹除操作之後恢復氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之其他扇區中的已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓損失的方法之需要。

大致而言，本發明藉由提供一種抹除記憶體陣列之扇區且接著恢復記憶體陣列之其他未抹除扇區中的已程式化記憶胞之臨界電壓損失的方法來滿足此需要。

根據本發明之一態樣，提供一種抹除以及恢復記憶體陣列之方法。記憶體陣列包括記憶胞之多個扇區。在選擇並抹除記憶體陣列之扇區後，對記憶體陣列執行臨界電壓恢復。在臨界電壓恢復期間，藉由讀取記憶體陣列之所有記憶胞的臨界電壓來偵測記憶體陣列之已程式化記憶胞。若記憶體陣列之記憶胞之臨界電壓達到程式化測試電壓，則將記憶胞看作已程式化記憶胞。此後，記憶體陣列之所偵測已程式化記憶胞經程式化並經驗證，以確保已程式化記憶胞之臨界電壓達到程式化驗證電壓。

根據本發明之另一態樣，提供另一種抹除以及恢復氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之方法。氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列包括氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之多個扇區，每一扇區包括多條字元線，每條字元線對應於字元線抹除旗標。

在選擇氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之扇區用於抹除之後，若相應字元線抹除旗標經選出(single)，則識別選定扇區之字元線。對耦接至已識別字元線之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞執行抹除驗證。若耦接至已識別字元線之任何氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞均未通過抹除驗證，則標記相應字元線抹除旗標。在對選定扇區進行抹除驗證之後，將對耦接至已標記字元線之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞執行抹除操作。抹除驗證以及抹除操作將繼續直至選定扇區之所有氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞均通過抹除驗證。

此後，對氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之所有扇區執行臨界電壓恢復。在臨界電壓恢復期間，檢查氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之所有氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞以瞭解是否存在任何已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。藉由讀取氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓來偵測已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。若氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓達到或超過程式化測試電壓，則將氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞看作已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。再次程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之所偵測已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞，直至已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓大於或等於程式化驗證電壓。

根據本發明之又一態樣，提供一種用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式。記憶體陣列包括記憶胞之多個扇區。電腦程式包含用於選擇記憶體陣列之待抹除之扇區的程式指令、用於抹除選定扇區之記憶胞的程式指令，以及用於對記憶體陣列執行臨界電壓恢復的程式指令。

用於對記憶體陣列執行臨界電壓恢復的程式指令更包含用於偵測記憶體陣列之已程式化記憶胞的程式指令，以及用於程式化已程式化記憶胞直至已程式化記憶胞通過程式化驗證的程式指令。

儘管對氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞進行特定參考，但本發明之方法可同等應用於可受益於抹除操作之後的程式化驗證操作之其他類型的記憶胞。

應理解以上概述以及以下實施方式僅為例示性且說明性的，且如所主張的並不限制本發明。

對本發明之實施例進行詳細參考。儘管結合實施例來描述本發明，但本發明不欲受此等實施例限制。相反，本發明意欲涵蓋可包括於由附加之申請專利範圍界定的本發明之精神以及範疇內之替代例、修改以及均等物。此外，在本發明之以下實施方式中，大量特定細節經陳述以便提供對本發明之徹底理解。然而，如對於一般熟習此項技術者顯而易見的，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明。在其他情形下，尚未詳細描述熟知方法、程序、組件以及電路以便不會混淆本發明之態樣。

最初參看圖1，根據本發明之一實施例來展示用於抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體之系統100。

如圖1中所說明，系統100包括狀態機110、字元線(word line，WL)解碼器系統120、字元線驅動器(word line driver，WLDRV)系統130、氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140、WL抹除旗標系統150、感應放大器160以及扇區旗標系統170。狀態機110向WL解碼器系統120、WL抹除旗標系統150、感應放大器160以及扇區旗標系統170提供邏輯控制。扇區旗標系統170經組態使得對於氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之每一扇區，存在用以指示是否需要抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之扇區之相應扇區旗標。WL解碼器系統120能夠在氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之扇區之抹除操作期間進行單或多字元線選擇。

感應放大器160經實施以放大並量測氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓。獲取氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的臨界電壓之一種方法為將電壓施加於待量測之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之字元線(閘極端子)，且將氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之輸出電流與由感應放大器160裏面之參考記憶胞所產生之電流相比較。當氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之輸出電流等於參考記憶胞之電流時，將施加於氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之字元線之電壓界定為氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓。

氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140包含以多個列以及行排列之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之多個扇區。可將一個扇區識別為實體隔離氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞陣列或一個陣列中之記憶胞之電隔離區塊。氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之每一扇區包括多條字元線，每條字元線耦接至每列之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之閘極端子。氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之每行之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的所有汲極端子耦接到一起以形成位元線。因此，當不同扇區之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞屬於同一行時，氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之不同扇區共用同一位元線。

WLDRV系統130以及WL抹除旗標系統150經組態使得對於氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之每條字元線，存在相應WLDRV以及相應WL抹除旗標。每一相應WLDRV包括起WLDRV旗標作用之鎖存器(latch)。設定WL抹除旗標指示需要抹除耦接至對應於設定WL抹除旗標之字元線的氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。重設WL抹除旗標指示已成功抹除或尚未命令抹除耦接至相應字元線之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。

現參看圖2，流程圖200經展示以說明根據本發明之一實施例之例示性氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列抹除以及恢復方法。

在步驟205中，自氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之多個扇區選擇待抹除之扇區。由於氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之每條字元線具有WL抹除旗標系統150中之相應WL抹除旗標，因而在抹除操作之前設定選定扇區之WL抹除旗標。在步驟210中重設選定扇區之WL位址。

接著，在步驟220中對耦接至已識別字元線之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞執行抹除驗證。可藉由讀取耦接至已識別字元線之每一氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的臨界電壓來進行抹除驗證。可藉由將抹除驗證電壓施加於待讀取之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞所耦接之已識別字元線來實施氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓的讀取。若氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓小於或等於抹除驗證電壓，則認為氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞應被抹除。在一實施例中，用於抹除驗證之抹除驗證電壓為約3.0 V至3.8 V。

如步驟230中所示，若耦接至已識別字元線之每一氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞均通過抹除驗證，則在步驟235中重設相應WL抹除旗標以及相應WLDRV旗標。否則，此方法進入步驟240，其中檢查已識別字元線以瞭解其是否為選定扇區之最末字元線。若已識別字元線並非選定扇區之最末字元線，則在步驟245中增加選定扇區之字元線位址，直至具有設定WL抹除旗標之字元線被識別。在選定扇區之最末字元線之狀況下，在步驟250中，檢查選定扇區之所有WL抹除旗標，以瞭解是否屬於選定扇區之所有氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞均被抹除。

若選定扇區之所有WL抹除旗標均被重設，則成功抹除選定扇區之所有氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。若WL抹除旗標中至少一者仍被設定，則在步驟270中將儲存於選定扇區之WL抹除旗標處的值載入選定扇區之相應WLDRV旗標中。接著在步驟280中，WL解碼器系統120將識別具有選定扇區之設定相應WLDRV旗標的字元線。在步驟290中，將負電壓施加於步驟280中所識別之字元線，以抹除耦接至已識別字元線之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。在抹除操作期間，待抹除之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之汲極端子經施加有較高正抹除電壓，且待抹除之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之源極端子為浮置的。

在抹除屬於選定扇區之所有氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之後，在步驟260中對氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之所有扇區執行臨界電壓恢復。在圖3中說明臨界電壓恢復之詳細執行步驟

現參看圖3，根據本發明之一實施例來展示抹除操作之後的例示性氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列臨界電壓恢復方法。如上所提及，當抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之一扇區時，將較高正電壓施加於待抹除之扇區之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的汲極端子。因為氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之每行之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞耦接到一起，所以屬於氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之其他未抹除扇區之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的汲極端子亦受較高正電壓影響，此影響被稱為“行應力(column stress)”。行應力將引起氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140中之已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓的損失。為保持氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之未抹除扇區中之已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞的臨界電壓，需要對氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之所有扇區執行臨界電壓恢復。

在步驟310中，重設氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之記憶體位址。接著，藉由讀取氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓而在步驟320中偵測氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。如上所提及，歸因於行應力，先前已程式化之氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓可能降低。若氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓大於或等於程式化測試電壓，則將氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞偵測為已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。在一實施例中，程式化測試電壓為約4.0 V至4.6 V。

在步驟330中程式化所偵測已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞以恢復臨界電壓損失。在步驟340中，在程式化驗證電壓施加於相應字元線的情況下藉由讀取具氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞來驗證重新程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓。若已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓未達到程式化驗證電壓，則對已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞執行另一程式操作直至已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓大於或等於程式化驗證電壓。在一實施例中，程式化驗證電壓為約5.0 V至6.0 V。

在所偵測已程式化氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之臨界電壓達到或超過程式化驗證電壓之後，在步驟350中增加氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之記憶體位址。在步驟360中檢查增加之記憶體位址以瞭解增加之記憶體位址是否為氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之最末記憶體位址。若記憶體位址為氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列140之最末位址，則臨界電壓恢復方法完成；否則此方法將繼續自步驟320開始。

本發明使用字元線抹除旗標以指示耦接至相應字元線之記憶胞的抹除狀態，且藉由使用字元線重試方法來抹除記憶體陣列之扇區。因此，在隨後之抹除操作期間將僅再次抹除未通過先前抹除操作之記憶胞。此後，記憶體陣列將經歷臨界電壓恢復以恢復記憶體陣列之未抹除扇區中之已程式化記憶胞的臨界電壓損失。本發明將在不降級資料保存能力之情況下提高記憶體陣列之抹除速度。

氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞通常形成於不對氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之汲極與源極加以區別之虛擬接地陣列中。氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞之氮化層中之電荷捕獲的區域性使其能夠每記憶胞儲存兩個位元。儘管共同汲極氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列經描述用於上述實施例，但本發明亦應用於共同源極氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列或虛擬接地陣列。

出於說明以及描述之目的，已呈現本發明之特定實施例的以上描述。描述並不意欲為詳盡的或將本發明限於所揭示之明確形式。顯然，鑒於以上教示，許多修改以及變化是可能的。選擇並描述實施例以便解釋本發明之原理以及應用，藉此使熟悉此項技術者能夠根據所涵蓋之特殊目的而以本發明之各種實施例以及修改利用本發明。本發明之範疇意欲由隨附於此之申請專利範圍以及其均等物加以界定。

100．．．系統

110．．．狀態機

120．．．WL解碼器系統

130．．．WLDRV系統

140．．．氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列

150．．．WL抹除旗標系統

160．．．感應放大器

170．．．扇區旗標系統

200．．．流程圖

205~360．．．步驟

圖1展示根據本發明之一實施例的用於抹除氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列之系統。

圖2為展示根據本發明之一實施例的例示性氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列抹除以及恢復方法之步驟流程圖。

圖3為展示根據本發明之一實施例的抹除操作之後的例示性氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列臨界電壓恢復方法之步驟流程圖。

200．．．流程圖

205~290．．．步驟

Claims (22)

1. 一種用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，所述記憶體陣列包括記憶胞之多個扇區，所述用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法包括：選定所述記憶體陣列之待抹除之扇區；抹除所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述記憶胞；以及對所述記憶體陣列之不在所述記憶體陣列之選定的所述扇區中的所述記憶胞執行臨界電壓恢復。
2. 如申請專利範圍第1項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中所述臨界電壓恢復之執行更包括：自所述記憶體陣列偵測已程式化記憶胞；程式化所述已程式化記憶胞，直至所述已程式化記憶胞通過程式化驗證；以及重複偵測以及程式化，直至所述記憶體陣列之所有所述已程式化記憶胞均通過所述程式化驗證。
3. 如申請專利範圍第2項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中所述已程式化記憶胞之偵測更包括：讀取所述記憶體陣列之所述記憶胞的臨界電壓；以及當所述記憶胞之所述臨界電壓大於或等於程式化測試電壓時，將所述記憶胞識別為所述已程式化記憶胞。
4. 如申請專利範圍第1項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中所述記憶胞為氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。
5. 如申請專利範圍第1項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述記憶胞的抹除更包括：自選定的所述扇區之多條字元線識別已標記之所述字元線；對耦接至已識別的所述字元線之所述記憶胞執行抹除驗證；當所述抹除驗證失敗時，標記已識別的所述字元線；重複識別、執行以及標記，直至選定的所述扇區之最末字元線；抹除耦接至已標記的所述字元線之所述記憶胞；以及反覆識別、執行、標記、重複以及抹除，直至選定的所述扇區之所有所述記憶胞均通過所述抹除驗證。
6. 如申請專利範圍第5項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中藉由設定對應於已識別的所述字元線之字元線抹除旗標來完成已識別的所述字元線之標記。
7. 如申請專利範圍第5項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述記憶胞的抹除更包括：在所述字元線之識別之前，設定對應於選定的所述扇區之所述字元線的多個字元線抹除旗標。
8. 一種用於抹除以及恢復記憶體陣列的方法，所述記憶體陣列包括記憶胞之多個扇區，每一所述扇區包括多條字元線，每條所述字元線具有相應字元線抹除旗標，所述用於抹除以及恢復記憶體陣列的方法包括：選定來自所述記憶體陣列之所述扇區的待抹除之所述扇區；自選定的待抹除所述扇區之所述字元線識別已標記之所述字元線；對耦接至已識別的所述字元線之所述記憶胞執行抹除驗證；當所述抹除驗證失敗時標記已識別的所述字元線；重複識別、執行以及標記，直至選定的待抹除所述扇區之最末字元線；抹除耦接至已標記的所述字元線之所述記憶胞；反覆識別、執行、標記、重複以及抹除，直至選定的待抹除所述扇區之所有所述記憶胞均通過所述抹除驗證；以及對所述記憶體陣列之所有所述扇區執行臨界電壓恢復。
9. 如申請專利範圍第8項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中所述臨界電壓恢復之執行更包括：自所述記憶體陣列之選定的所述扇區偵測已程式化記憶胞；程式化所述已程式化記憶胞，直至所述已程式化記憶胞通過程式化驗證；以及重複偵測以及程式化，直至所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所有所述已程式化記憶胞均通過所述程式化驗證。
10. 如申請專利範圍第9項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中執行所述已程式化記憶胞之偵測包括：讀取所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述記憶胞的臨界電壓；以及當所述記憶胞之所述臨界電壓大於或等於程式化測試電壓時，將所述記憶胞識別為所述已程式化記憶胞。
11. 如申請專利範圍第10項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中所述記憶體陣列為氮化物儲存層非揮發性記憶體陣列。
12. 如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中所述程式化測試電壓介於4.0 V至4.6 V之間。
13. 如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中當所述已程式化記憶胞之臨界電壓大於或等於5.0 V至6.0 V時，所述已程式化記憶胞通過所述程式化驗證。
14. 如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中當耦接至已識別的所述字元線之每一所述記憶胞之每一臨界電壓均小於或等於3.0 V至3.8 V時，耦接至已識別的所述字元線之所述記憶胞通過所述抹除驗證。
15. 如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中藉由選擇所述相應字元線抹除旗標被標記之所述字元線來執行來自選定的所述扇區之所述字元線的所述字元線之識別。
16. 如申請專利範圍第11項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列之方法，其中藉由將負電壓施加於已識別的所述字元線來執行耦接至已識別的所述字元線之所述記憶胞的抹除。
17. 一種用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，所述記憶體陣列包括多個扇區，所述用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式包括：用於自所述記憶體陣列之所述扇區選定待抹除之扇區的程式指令；用於抹除選定的所述扇區之記憶胞之程式指令；以及用於對所述記憶體陣列之不在所述記憶體陣列之選定的所述扇區中的所述記憶胞執行臨界電壓恢復之程式指令。
18. 如申請專利範圍第17項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中用於執行所述臨界電壓恢復之所述程式指令更包括：用於自所述記憶體陣列偵測已程式化記憶胞之程式指令；用於程式化所述已程式化記憶胞直至所述已程式化記憶胞通過程式化驗證之程式指令；以及用於重複偵測以及程式化直至所述記憶體陣列之所有所述已程式化記憶胞均通過所述程式化驗證之程式指令。
19. 如申請專利範圍第18項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中用於偵測所述已程式化記憶胞之程式指令更包括：用於讀取所述記憶體陣列之所述記憶胞之臨界電壓的程式指令；以及用於當所述記憶胞之臨界電壓大於或等於程式化測試電壓時將所述記憶胞識別為所述已程式化記憶胞的程式指令。
20. 如申請專利範圍第17項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中所述記憶胞為氮化物儲存層非揮發性記憶體記憶胞。
21. 如申請專利範圍第17項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中用於抹除所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述記憶胞的程式指令更包括：用於自選定的所述扇區之多條字元線識別已標記之所述字元線的程式指令；用於對耦接至已識別的所述字元線之所述記憶胞執行抹除驗證的程式指令；用於當所述抹除驗證失敗時標記已識別的所述字元線的程式指令；用於當所述抹除驗證失敗時抹除耦接至已識別的所述字元線之所述記憶胞的程式指令；用於重複識別、執行以及標記直至選定的所述扇區之最末字元線的程式指令；用於抹除耦接至已標記的所述字元線之所述記憶胞的程式指令；以及用於反覆識別、執行、標記、重複以及抹除直至選定的所述扇區之所有所述記憶胞均通過所述抹除驗證的程式指令。
22. 如申請專利範圍第21項所述之用於抹除以及恢復記憶體陣列的體現於電腦可讀媒體中之電腦程式，其中當相應字元線抹除旗標被標記時，藉由自所述記憶體陣列之選定的所述扇區之所述字元線選擇所述字元線來執行所述字元線之識別。