TW200845809A - Organic field emitting element and method for manufacturing organic device - Google Patents

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200845809 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種具有使聚合性化合物 層的有機電致發光元件，及具有使聚合性化合物m之 ^成之層的有機裝置之製造方法。 σ ^ 【先前技術】 近^來’對使用有機薄膜之電致發光元件（有機電致發 先疋件）進行開發。作為有機電致發 ((有機屏、夕游士七丁 τ <有機 >專膜 ϋΓΐί 可舉出真空蒸鍍法及濕式成膜法。 八工条鍍法由於易於積層化，因此具有如下 來㈣極及/或陰極之電荷注人，激子易於封人至發光層: =方面’濕式成膜法具有如下優點：無需真空製程， 個展α面積化’易於將具有各種功能之多種材料混入至1 個層（塗佈液）中等。 現狀係濕式成臈法由於難以積層化，因此與利用 i ^療鍍法之兀件相比，驅動穩定性較差，除了—部分之 外尚未達到實用水平。 =其是利用濕式成膜法所進行的有機層之積層化，係藉 ^吏用有機溶劑及水系溶料方法，而可進行2層之積 运’但難以進行3層以上之積層化。 為了解決此種有機層之積層化的課題，例如於專利文獻 、、〜曷：有如下步驟··將含有具有環氧基之 二胺化合物之 /合=仃成膜後’進行聚合，藉此形成有機電致發光元件 之有機層。 97105278 200845809 又，例如於非專利文獻1中揭示有如下步驟：將含有具 1氧雜環丁烷基之二胺化合物之溶液進行成膜後，進行聚 0 藉此开> 成有機電致發光元件之電洞傳輸層。 根據該等方法，可利用濕式成膜法形成具有耐溶劑性之 有機層，可積層2層以上之有機層。 [專利文獻1 ]曰本專利特開平7 —85973號公報 [非專利文獻 1 ]Advanced Materials 20〇β 18 948 954 ，， 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 〜然而，如上述專利文獻丨及非專利文獻丨中所揭示之技 術，存在如下課題：使聚合性化合物聚合形成有機層之情 况下，一起使用聚合性化合物以及聚合反應起始劑，但該 ，合反應起始劑於通電時分解而產生之產物等將妨礙電 何左入至發光層或電荷於發光層内移動，所獲得之元件於 、值定電流通電時之驅動電壓上升，或通電時 下降’而使驅動壽命縮短。 本發明係鑒於上述課題開發而成者。 Ρ本卷明之目的在於提供一種有機電致發光元件，其 係具有使聚合性化合物聚合而形成之層者，並且於怪定電 ^通電時之驅動電壓上升或通電時之亮度下降較少，驅動 、、又本^月之其他目的在於提供—種有機I置之製造方 法’其係用於製造具有使聚合性化合物聚合而形成之層之 97105278 200845809 有機裝置者，其表規主 (解決問題之手段） 層的化學穩定性提高。 經。^等人鑒於上述課題進行潛心研究，結果獲得以 取人^I冑含有聚合性化合物之組成物進行成膜，使 :1η Γ物聚合而形成有機層時，通常會使聚合性化合 且成物中所含有之聚合反應起始劑，—同含於與使聚 化合物聚合而形成之層不同的層中，結果意外地發現 h 口 !·生化口物進仃聚合而形成有機層，並獲得消除了上述 課題之元件，從而達成本發明。 即’本發明之要旨係一種有機電致發光元件，係且備 有：基板1置於該基板上之陽極及陰極，以及配置ς該 陽極與該陰極之間的複數之有機層者，其特徵在於：該： 數之有機層至少包含：使聚合性化合物聚合而形成之 層，以及與該第1層鄰接設置之含有聚合反應起始劑之 2層（申請專利範圍第1項）。 此處，較佳係該複數之有機層進一步包含發光層，並 序配置有該發光層、該第1層、該第2層（申請專利範" 第2項）。 寸不』乾圍 又，較佳係該第1層為電洞傳輸層，該第2層為電洞注 入層（申请專利範圍第3項）。 又，較佳係該第2層之聚合反應起始劑之含有率為〇 1 重昼％以上（申請專利範圍第4項）。 、 又，本發明之其他要旨係一種有機裝置之製造方法，係 用於製造具備複數之有機層之有機裝置者，該複數之有2 97105278 7 200845809 層至少包含··使聚合性化合物聚合而形成之第丨層，以及 與該第1層鄰接設置之含有聚合反應起始劑之第2層，其 特徵在於具備如下步驟：將含有聚合反應起始劑之組θ成物 進行成膜，而形成該第2層的步冑；將含有該聚合性化合 物之組成物進行成膜，而形成含有該聚合性化合物之層= 步驟；及使該聚合性化合物聚合，而形成該第i層的二 (申請專利範圍第5項）。 』此處’較佳係該有機裝置為進—步具财··基板、以及 設置於該基板上之陽極及陰極的有機電致發光元件，並且 於該陽極與該陰極之間形成有包含該第1層及該第2層之 该複數之有機層（申請專利範圍第6項）。 曰 且η:進:ί他要旨係—種有機電致發光元件，其係 極與該陰極之間的發光#，#陰極配置於该陽 取人思a 層使聚合性化合物聚合而形成之 二】=於與該發光層相反之侧與該聚合層鄰 劑之鄰接層；其特徵在於:根據xps 始劑之分子數、相對於根據;=含二^ 聚合層側表面部所含的除該聚合反應起始; 之分子數的比例獅)’與根據 :之二则表面部所含的該聚合=二 數、相對於根據XPS法所算出之該 所含的除該聚合反應起始劑 0之毛先層側表面 ⑻⑽中’其比(QB/QA)為未::之分子數的比例 禾滿0· 5(申請專利範圍第7 97105278 200845809 項）。 (發明效果） 取根據本發明，可獲得一種有機電致發光元件，其具有使 來合性化合物聚合而形成之層’並且於以電流通電時之 驅動電壓上升或通電時亮度下降較少，驅動壽命優異。 又，根據本發明，提供一種製造具有使聚合性化人 2形成之層之有機裝置的方法，該方法可容易且有效地 衣么表現主要功能之層之化學穩定性提高的有機裝置。 【實施方式】 " =下，對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於以 下°兒月可於其要旨範圍内進行各種變更而實施。 [I .基本構成] 本發明之有機電致發光元件具備：基板，設置於上述基 板上之陽極及陰極’以及配置於上述陽極與陰極之間的複 數之有機層。 /並且，複數之有機層中之2層係使聚合性化合物聚合而 :成之層(將其稱為「第1層」。）’及含有聚合反應起始 Μ之層（將其稱為「第2層」。），其特徵在於，使該 鄰接而設置。 曰 [I -1·聚合性化合物] “本t明中所謂「聚合性化合物」，係具有聚合性基之有 機=合物。此處所謂「聚合性基」，係指與位於附近之其 、子之相同或不同的基進行反應，而生成新穎之化學鍵 的基。例如可舉出：藉由熱及/或照射活性能量線，或藉 97105278 9 200845809 而與位於附近之其他分 而生成新穎之化學鍵的 由自增感劑等其他分子接受能量， 子之相同或不同的基進行反應， 基。 聚合性化合物係㈣其結構，可分成具有重複單位者及 不具有重複單位者。本發明之聚合性化合物為具有上述聚 合性基之化合物即可，並無特別限制。其中，就易於高純 度化之方面而言’較佳為不具有重複單位之聚合性化合 物，又’就成膜性優異之方面而言，較佳為具有重複單位 之聚合性化合物。因此，聚合性化合物可為具有聚合性基 之單體（monomer)，以及使該等單體聚合而得之寡聚物及 聚合物中之任-者。再者，本說明#中為方便起見，所謂 「寡聚物」係指聚合度為2 1 2〇左右之低聚物，所謂「聚 合物」係指聚合度超過20之高聚物。 作為聚合性基並無限制’較佳為含有不餘和雙鍵、環狀 醚、苯并環丁烷等之基。 其中，就易於不溶化方面而言，作為聚合性基，較佳為 自下述聚合性基群組T中所選擇之基。 •聚合性基群組T : [化1]

97105278 10 200845809 上述式中，R〜R分別獨立表示氫原子或烧基。

Ar91表示可具有取代基之芳香族烴基或可具有取代基之 方香族雜環基。 尤其就電化學耐久性優異之方面而言，作為聚合性基， 較佳為自下述聚合性基群組T ’中所選擇之美。 •聚合性基群組τ’ [化2]

易於向純度化之方面，及可縮小性能偏差之方面而 吕’聚合性化合物較佳為不具有重複單位之聚合性化合 物。又，就成膜性優異之方面而言 之聚合性化合物。 苹“土為具有重稷早位 k 作為聚合性化合物之具體例，可舉出：三芳 ^味唾衍生物、g衍生物、2,4,6_三苯基㈣ς生物、 ㈣吩衍生物、酞㈣生物、μ衍生物、 八方香族衍±物、金屬錯合物衍生物等。 特佳為中且=學穩定性及電荷傳輸性較高之理由而言， 為，、有下述式所示之部分結構及聚合性基之化合物。 97105278 11 200845809 [化3]

作為特佳的聚合性化合物中之不具有重複單位者之具 體例，可舉出以下所示之結構的化合物。 [化4]

97105278 12 200845809 [化5] / i

另一方面，作為特佳的聚合性化合物中之具有重複單位 者之具體例，可舉出以下所示之結構的化合物。 [化6] 97105278 13 200845809

再者，聚合性化合物可單獨使用任一種 上以任意比率及組合併用。 亦可將兩種以 97105278 200845809 柄明之聚合性化合物不具有重複單位之情況下，聚人 性化合物之重量平均分子量通常為300以上，較佳為5σ 以上，又，通常為5000以下，較佳為25〇〇以下之蒇 =有，複單位之聚合性化合物之重量平均分：量過 小’财日守電荷傳輸性下降，若過大則有時溶解性下降。 另一方面，本發明之聚合性化合物具有 =合性化合物之重量平均分子量通常為心： f #. 下較4土為500，_以下，更佳$ 2〇〇_以下之 :具有重複單位之聚合性化合物之重量平均分子量低於 八下限值，則有可能聚合性化合物之成膜性下降，又 m合r化合物之玻璃轉移溫度、溶點及氣化溫度下 ㉙—害耐熱性n重量平均分子量 限值，則有可能由於雜皙高 ^ 化合物。、雜貝之…罝化而難以純化聚合性 再者’该重罝平均分子量可藉由s 測定而確^。SEC測定中，分y、 除層析法） 短，八工旦Λ γ 刀子置成分越高則溶析時間越 知二 越低則溶析時間越長’使用根據分子量已 良^本口乙 準試料）之溶析時間所算出的校正曲 分子量及數量平均分子量。 里里十巧 [I 2.承合反應起始劑] 光「聚合反應起始劑」，係指藉由熱或照射 專活性此置線而分解’並促進聚合性化合物開始聚合反 97105278 15 200845809 應的，性物質。若舉出聚合反應起始劑之例，則可舉出： ^成陽離子、自由基、陰離子等之化合物，將藉由照射光 =性能量線而生成之激發能量有效地傳送 合物之化合物等。 p =聚合反㈣始劑’例如可舉出··有機過氧化物 基烷基鲷、有機鑌鹽等。料 具體而言，作為有機仍气“孕又仏马有枝翰鹽。 妒盆，料料過减物之例，可舉出：過氧化乙 基、過氧化苯甲醯基、 三丁基）等。 虱化月才土醢基、過氧化二（第 作為苯基烷基酮之具體例， 、—

Specialty Chemicals)製造 ♦出·几巴精化（Ciba 、d㈣啊m3等。 卜咖㈣651、1啊㈣184 :為有機鑌鹽之例，可舉出：有機錤 :(Vf兼顧強氧化力與高溶解性方面而言 式（卜1)〜（1-3)所示之有機錯越。 料為下述

[化 8 ] I R11~a1-r12

(I

[化9]

(I 〜2) 97105278 16 200845809 [化 ίο]

(1-3) t述式（I〜1)〜（I —3)中，R11、R21及R31分別獨立表示 以碳原子與A1〜A3鍵結之有機基。、r22、r23& r32〜r34 ;i刀別獨立表示任意基。r11〜R34中鄰接之2個以上之基可 …互相鍵結形成環。 A1〜A3均為週期表第3週期以後之元素，厂表示屬於長 週期型週期表之第17族之元素，A2表示屬於長週期型週 J表之第16族之元素，A3表示屬於長週期型週期表之第 15族之元素。 Π π 1 - /y η 3 - >. 3刀別獨立表示相對陰離子（c〇unter ani〇n)〇 nl〜n3分別獨立表示相對陰離子之離子價。） ( 上述式（Ι —Ο〜（I —3)中，R11、R21及P分別獨立表示 以碳原子與A1〜A3鍵結之有機基，Ri2、R22、r23及r32〜r34 分別獨立表示任意取代基。R"〜R34中鄰接之2個以上之 基可互相鍵結形成環。 作為R/1、R21* ’只要不違反本發明之主旨，若為於 與A〜A鍵結之部分具有碳原子之有機|，則其種類並益 ㈣限制mR31之分子量分別以包含其取代叙 值計，通常為1 000以下，較佳為500以下之範圍。作A mR31之較佳例，就使正電荷非定域化之方面而言為 97105278 17 200845809 可舉出··桡基、嫌其 其尹，就使正電行：Λ芳香族煙基、芳香族雜環基。 為芳香族烴基或芳香族雜環基/，丄疋之方面而言，較佳 作為芳香族烴基，可皇 〜5縮合環之“1 ·來自5或Μ環之單環或2 之基。作使正電荷進一步非定域化於該基上

菲環、丄ί :四？舉出來自：苯環、萘W 北衣稠四苯環、铱援、μ 苯環、危環、第環等之i價基。开比環、疾環、聯三伸 香族雜環基，可舉出：來 上之基。作Hit 電定域化於該基 乍為其具體例，可舉出來自·· #、， 環、噻吩環、苯并嗔吩環、 衣：：件南 唑環、垮-诎样 衣 上％、二唑環、咪 、， 7—上裱、吲哚環、咔唑環、吡咯并呼峰产μ ^ 开吡唑環、吡咯# 开水土％、吡咯 十南并^各/开/各壤、嗟吩并料環、嗔吩并嗟吩環、 哇環、苯并= 喃環、嗟吩并咬喃環、苯并異畤 畊p + ^唑壞、苯并味唑環、吡啶環、吡畊環、& 畊壤、口密唆環、三σ井環 转…合 口琴嗞芦. 作衣共土琳％、唓啉環、口冬 等之:價基，環、•定環、啥唾琳環、噎唾琳_環、“ 碳3鏈狀、支鏈狀或環狀之燒基，可舉出其 為1以上，又，通常為i 2以下、較 作為具體例，可舉+ .审A 7贫 早又仏6以下者。 了舉出.曱基、乙基、正丙基、2_ 丁基、異丁基、第三丁基、環己基#。 丙基、正 作為稀基，可舉出碳數通常為2以上，通常為12以下、 97105278 18 200845809 較佳6以下者。作為具體例， 卜丁烯基等。 Τ牛出·乙烯基、烯丙基、

St:舉出碳數通常為2以上，通常為丨2以下、 為具體例，可舉出:乙快基、块丙基等。 ，、要不延反本發明之主旨，Rl2、r22、r23及p〜r 類亚無特別限制。r12、r22、r2 年 包含苴敗补装+μ R〜R之为子量分別以 下ϋ 2=十’通常為_以下，較佳為_以 f κ 下之靶圍。作為Ri2、r22 23 A、嫌其^ Κ Κ及R〜R34之例’可舉出：烷

Lf芳香族煙基、芳香族雜環基、胺基、烧 燒硫基、芳硫基、磁醒㈣基、炫基幾氧基、 基、經基、硫醇基了石夕炫其等基r：芳基項酿基、氣 土 ’众^寺0其中，與R11、乃31 相同，就吸電子性大之方二 之部分且w Λ s，較佳為於與A1〜A3鍵結 八有石厌原子之有機基，作為例 炔基 '芳香族栌其 杈仫馮烷基、烯基、 並且敎rl 雜環基。尤其，就吸電子性大 基。疋之方面而言，較佳為芳香族烴基或芳香族雜環 可烯基、块基、芳香族烴基、芳香族雜環基， J舉出與先刖對Rll p21 .R及R所說明者相同者。 以上，又通軸以下較;= 固以上之碳數通常為1 作為具體例，可舉出：甲=:之烧基的烧基胺基。 节基胺基等。 “基、二甲胺基、二乙胺基 97105278 19 200845809 、作為芳基h基’可舉出：具有丨個以上之碳數通常為3 ::上、較佳4以上’又，通常為25以下、較佳15以下之 芳香族烴基或若香族雜環基的芳基胺基。作為具體例，可 舉出：苯基胺基、二苯基胺基、甲苯基胺基 噻吩基胺基等。 疋土妝& 作為醯胺基，可邀：ψ .目女 牛出·具有1個以上之碳數通常為2以 上’又’通常為25以丁、击工乂土 it： 作為具體例，可wH；；15!；下之酿基的醯胺基。 、 出·乙酿月女基、本甲醯胺基等。 可舉出··碳數通常為1以上，又，通常為 下、μ 6以下之絲基。作為具體例，可舉出： 甲乳基、乙氧基、丁氧基等。 =為μ基’可舉出：具有碳數通常為3 =又’通常為25以下、較佳15以下之芳香二4 ==料基料氧基。作為具體例，可舉出 *乳基、吼啶氧基、噻吩氧基等。 作為醢基’轉出：碳數財為丨以上 2 5以下、較# 1 ς 、，^ ^ ^ 遇吊為 醯美r ^ & 之& 土。作為具體例，可舉出··甲 鯭基、乙醯基、苯甲醯基等。 田τ 二為烷氧幾基，可舉出：碳數通常為2以 為1〇以下、較幻以下之絲羰基 通㊉ 出：甲氧幾基、乙氧羰基等。 作為具體例，可舉 為芳又氧=可舉出:具有碳數通常為3以上、較佳 或芳香族雜琿m?下、較佳15以下之芳香族烴基 、才隹衣基者。作為具體例，可舉出：苯氧幾基”比 97105278 20 200845809 啶氧羰基等。 作為烷基羰氧基，可舉出：碳數通常為2以上 、， 山入，通 常為10以下、較佳7以下之烷基羰氧基。作為具體例， 可舉出··乙醯氧基、三氟乙醯氧基等。 作為烧硫基，可舉出··碳數通常為1以上，又，通常為 12以下、較佳6以下之烷硫基。作為具體例，可舉出： 曱硫基、乙硫基等。 作為芳硫基，可舉出：碳數通常為3以上、較佳4以上， 又，通常為25以下、較佳14以下之芳硫基。作為具體例， 可舉出：苯硫基、萘硫基、σ比唆硫基等。 作為烷基磺醯基及芳基磺醯基之具體例，可 醯基、曱苯磺醯基等。 · 作為磺醯氧基之具體例，可舉出：甲磺醯氧 醯氧基等。 t 3 甲基矽烷基、三苯基 作為矽烷基之具體例，可舉出： 矽烷基等。 以上，只要不違反本發明之主旨，作為RU、 RA2mR32〜心例示之基可進—步被其他取代 土取代。取代基之種類並無特別限制’作 上述R"、〜m3、及〜、分= 之基之外’亦可舉出素原子、氰基、硫氰基、硝基等。 其中，就不阻礙耐熱性及吸電子性之觀點而t 基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、芳香、“ 雜環基。 方曰知 97105278 21 200845809 第15族之元素。 素Α表示屬於 其中，就吸電子性及獲取容易性之觀點而 =第5週期以前(第3〜第5週期)之元素。即，：:/ 李乂{土為埃原子、漠原子、氯原子中之任一者_ 佳為碲原子、硒®子六 乍為A，較 m 原子中之任-者，作為A3,，社 為銻原子、砷原子' 磷原子中之任一者。 又仏 尤其就：電子性:化合物之穩定性之方面而言， 工 之A為溴原子或碘原子之化合物，或 f ::::為砸原子或硫原子之化合物，其 ：: 中之A1為碘原子之化合物。 勹式〔1 1) 式（I -1)〜（1—3)中，〜Z，3-分別猸☆主一 離子。相針险雜早夕# # 刀別獨立表示相對陰 于相對陰離子之種類並無特別限制 =錯離子。然而，相對陰離子之尺寸越大 因Lt域化’隨之正電荷亦非定域化而使吸電子能辦大订 因此錯離子優於單原子離子。 曰大 =〜別獨立’為相當於相對陰離子Vn 心？t意正整數。Μ〜Μ之值並無特別限制，較佳俜 均為1或2，特佳為2。 奴1 土係 作為 Z1n 1 ^ 7 ?n 3 夕 g / 之/、體例，可舉出··氫氧化物 化物離子、氯化物離子、料W化㈣子、鼠 物離子、石肖酸離子、亞石肖^早 破化物離子、氮化 亞为酉文離子、硫酸離子、亞硫酸離子、 97105278 22 200845809 過氯酸離子、過溴酸離子、過碘酸離子、氯酸離子、亞二 酸離子、次氯_子、碟酸料、亞魏離子、次麟酸= :、硼酸離子、異氰酸離子、硫氫化物離子、四氟爛酸離 子、/、亂蛳酸離子、六氣銻酸離子；乙酸離 二 純7 -氣Ο酸 離子、本甲酸離子等羧酸離子；甲磺酸離子、三 離子等石黃酸離子；曱氧美離 __^ 只-文 離子等。甲減料1二了减離子等燒氧基 二尤其，就化合物之穩定性、對溶劑之溶解性之方面 言，作為相對陰離子Zl…〜γ3-，較佳為下述式（I 4 (1:6)所示之錯離子，就尺寸大之方面而言，由於 ； 此’隨之正電荷亦非定域化而使吸電子能變大，J 更么為下述式（I -6)所示之錯離子。 [化 11] (1—4) B% [化 12]

EV (1-5) [化 13]

Ar61 A「62 十，

Ar63 t (1-6) 式（I -4)及（Ϊ _6)中，El & E3 分別 型週期表之笛1q — ^ 表不屬於長週期 之弟13奴之元素。其中較佳為硼原 97105278 23 200845809 ’就化合物之穩定性、合成及純化 面而言，較佳為硼原子。 勿枉度之方 _ :(1-5)中’ E2表示屬於長週期型週期表 凡素。其中，較佳為磷原子、砷原 私之 之藉定Ki入〇、《 銻原子，就化合物 氡疋性、合成及純化之容易程度、 佳為磷原子。 之方面而§，較 及（15)中，x表示氟原子、氯原子、漠原子 函素原子，就化合物之穩定性、合成及純化之容易程产 之方面而言，較佳為氟$ 易寿度 夭仏故 A刀別獨立表示芳香族烴基啖若 ::雜；基。作為芳香族烴基、芳香族雜環基之例示； 牛出.與先前對R"HR31所例 衣之早衣或2〜4縮合環之1價基。其中，就化入物夕 穩定性、耐埶性之方而二^ , 就化&物之 了…性之方面而言，較佳為來自：苯芡 吡啶環、吡啡環、嗒畊環、— 不衣 \ 噎啉環等之！價基。 井核、啥琳環、異 只要不違反本發明之主旨，作為61〜 香族烴基、芳夭旄崦尸且 打而例不之方 , 錶衣基可進一步被其他取代基取代。取 電二:::並無特別限制’可應用任意取代基，較佳為吸 =列示^作為Ar61〜Ar64可具有之取代基的吸電子性 二：：出：氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子；氰 二：”；甲磺酿基等烷基磺酿基；甲苯磺醯基 、 〃 土，甲醯基、乙醯基、苯甲醯基等碳數通常為 97105278 24 200845809 1以上，通常為12以下，較佳β以下之醯基；曱氧羰基、 乙氧羰基等碳數通常為2以上，通常為1〇以下、較佳7 以下之烧氧斂基，苯氧羰基、σ比咬氧羰基等具有碳數通常 為3以上、較佳4以上，通常為25以下、較佳15以下之 芳香族烴基或芳香族雜環基之芳氧羰基；胺基羰基；胺基 磺醯基；三氟曱基、五氟乙基等在碳數通常為丨以上，通 常為10以下、較佳6以下之直鏈狀、分支鏈狀或環狀之 烷基上’以氟原子、氯原子等鹵素原子進行取代而得的鹵 化烷基等。 其中二更佳為Ar61〜Ar"中至少i個基具有i個或2個 以上之氟原子或氯原子作為取代基。尤其就使負電荷有效 地非I域化，方面，及具有適度昇華性之方面而言，特佳 為Ar61〜Ar64之氫原子全部被氟原子取代而得之全氟芳 基，作為全氟芳基之具體例，可舉出··五氟苯基、 奈基、四氟定基等。 以卜6)所示之錯離子之分子量，通常為_ 較仫為300以上，更佳為400以上，又， 测以下，較佳為3_以下，更佳為2_ 為 非定ϋ化不右v 有由於正電荷及負電荷之 ^域化不充分，而吸電子能下降，χ，若該化合物之八 里過大，則有時該化合物本身阻礙電荷傳輪。 刀 以下舉出式（卜4)〜（1 _6)所示之錯離子 本發明並不限定於該等。 一體例，但 [化 14] 97105278 25 200845809

再者，聚合反應起始劑可單獨使用任一種 以上以任意比率及组合併用。 亦可將兩種 聚合反應起始劑之分子 量通常為100以上 較佳為200 97105278 26 200845809 二上二通常為⑽00以下，較佳為咖以 右承δ反應起始劑之分子量過小，則有時塗臈 已圍。 發性過高，若過大則有時對溶劑之溶解性降低卞之揮 [I - 3 ·有機層] 一 :’:明中所明「有機層」，係指含有有機化合物之屏。 陽極與陰極之間的各層。 歲《係礼配置於 作為本發明之有機電致發光元 出：電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、i;=可： 子傳輸層、電子注入層等。 丨止層、電 相當於該等有機層中之使聚合性化合物聚 二(第1層。相當於聚合層)，及含有聚合反應起始劑= 任弟何2層層）的層4為鄰接而構成之兩層，則無限制，可: 可措由將該等有機層中鄰接之兩層形成為第i 層’而獲得恆^電流通電時之驅動電壓上升或通電日日士 下降較少，且驅動壽命優異之有機電致發光元件。’υ又 較佳為第1層中不含有聚合反應起始劑。其原因在於， 可更穂定獲得上述本發明之優點。再者，用於形成第工層 之組成物不含有聚合反應起始劑之情況下，則第1芦亦不 含有聚合反應起始劑（參照後述電洞傳輸層用組成:成膜 步驟） 、 然而，就降低聚合反應起始劑對發光層所造成之影響， 並獲得防止上述恆定電流通電時之驅動電壓上升|防曰止 97105278 27 200845809 通電時亮度下降，延長驅動壽命等效果而言，較佳為第2 層位於儘可能遠離發光層之位置。 具體而έ，如圖2示意性所示，較佳為第2層3夾著第 1層4而位於與發光層5相對之側，即，依序配置有發光 層5第1層4、第2層3。該情況下，發光層5與第1 層4可鄰接，亦可於發光層5與第1層4之間介隔任意一 層或二層以上之層（未圖示）。 特么為第1層4係電洞傳輸層，第2層3係電洞注入層。 乂如此之方式形成第2層3於與發光層5相反之 = '第1層(聚合層)4鄰接之層(以下，有時稱為「鄰接 二」，Γ!況下，如後述所定義之比嶋，較佳為未滿 $丨佺為〇 . 2以下。其原因在於，若超過其上限值， 岸/ΓΓ性猎由形成第1層4時所進行之聚合反 應，或弟1層成臈時所進行之供烤，而自第2声3移動至 =21=合反應起始劑將對有機電致發光元件之特性 且無法忽視其影響。再者，上述比_ 之下限，理想的是〇。 此處’所謂QA，择并拍祕ν 第1層側表面部二含 對於根據XPS法所算出之第Υ應起始劑之分子數，相 g 3之第1層側表面部3s (%)。又，所謂QB，伟指γρς成刀之分子數的比例 發光層侧表面部4二;^ 對於根據奶法所算出之分子數，相 曰 之發光層側表面部4s 97105278 28 200845809 二含的除聚合反應起始劑以外之成分之分子數的比例 ⑷。因此，上述比QB/QA係上述比例QB相對於比例以 之比。 上述QA及QB可利用以下測定方法進行測定。 [QA及QB之測定方法] •樣品之準備 ::::測定QA之樣品，係準備用以形成成為測定對 有钱電致發光70件之鄰接層的材料（通常為挺成物。 =2!法形成時亦稱為塗佈幻，以與有機電致發光 Γτ 法㈣之方式（例如，於25 _37.5咖之 …曰30 nm之厚度），將該材料進行成膜，將所 狁件之層作為QA測定用樣品而測定以。 用於測定⑽之樣品’係準備用以形成成為測 =22致發光元件之聚合層的材料(通常為組成 發光二法形成時亦稱為塗佈液)，以與有機電致 QA、則-爾样衣&方法相同之方式，將該材料成膜於上述 ==I上（例如，以2Gnra之厚度），將所獲得之 台作為QB測定用樣品而測定。 •根據XPS法之測定 、止=m法進行測定時，例如可使用啊議公司事 二可：=儀子二_ __0。作為X —:二:二射線(能量為_.6 之入射方而為4ς。 、秘而斋之方向相對於X射線 π ’因此’來自試料表面之光電子的取出 97105278 29 200845809 二中2 了安裂於xps測定試料固持器上，而將試 剪成一見方左右。將試料安放於試 鉬制被：：/ 了減少靜電，以藉由開孔為1〜2咖必之 =又為上述孔之中央部，對綱“見方之區域進行測定。 ^^.yLVAC-PHI^5lt^^multlpak verg>〇, 將^素取強波峰面積除以靈敏度校正係數，而求出與各 兀素之原子數成比例的量，使用該值計算qa、及⑽。^、 表示（各層表面部之聚合反應起始劑之分子數）/(各 ^ &面部之除聚合反應起始劑以外之成分之分子數 M、及QB可根據利用XPS法測定各層表面時之來自 :上原子之波峰面積，藉由下述所例示之方法而算出。此 处’作為計算所用之原子種類，可藉由選擇—種至少含於 聚合反應起始劑中之料，選擇另—種至少含於人、 應起始劑以外之成分（母材）中之原子，而利用通常方:曾 出QA、QB。又，此處，在以具有重複單位之化合物作: 除聚合反應起始劑以外之成分（母材）的情況下，係瞀 複，位之分子量（包含多個重複單位時，為該等之^均分 子量）作為母材之分子量。其原因在於，可表示盥 :部除聚合反應起始劑以外之成分之聚合性基的心相 符的、與各層表面部除聚合反應起始劑以外之成分之八 數相對應的數值。 刀

例如 ic、IF 若將碳與氟之最強光電子波峰的 將各自靈敏度係數設為SCxSF1, 強度分別設為 則碳與氟之原 97105278 30 200845809 子數比Q ’係根據 QK IC/SC)/( if/sf) =异。可根據所計算之原子數之比，與層中所含之交 反應起始财母材之分子結構，而求出制表面之 應起始劑與母材分子數之比。 •測定之具體例 以下，作為根據XPS法測定聚合反應起始劑之例，舉出 由下述化合物CBP及化合物F4TCNQ所形成之膜進彳^說 明。若以上述要領使根據XPS法所測定之碳原子與氟原^ 之波峰強度比假設為C : F= 12 : 1，則存在於該膜表面之 化合物CBP及化合物F4TCNQ之比成為化合物F4TCNQ :化 合物CBP=1 : 1，將該情況下之化合物F4TCNQ之存在比 疋義為100%。假設C ·· F = 21 · 1 ’則化合物F4TCNQ :化 合物CBP=1 : 2，化合物F4TCNQ之存在比為5〇%。 [化 15]

F4TCNQ

F F

CBP

化學式：C12F4N4 分子量：276. 15 化學式· C36H24N2 分子量：484. 59 97105278 31 200845809 再者，帛1層除了來自聚合性化合物之成分（係指使聚 合性化合物聚合而得之化合物，例如，係指使聚合性化人 物聚合而得之聚合物)之外’亦可含有其他成分。立他： 分之種類並無限制，通常根據第Μ之功能而適當選擇。 再者，作為其他成分，第1層可單獨含有任一種，亦可以 任意組合及比率含有兩種以上。 第1層除了來自聚合性化合物之成分以外而含有其他 成分時’帛1層中之其他成分的含有率因第1層之功能而 不同，一般而言，通常為〇.〇〇1重量％以上， 重㈣上，又，通常為5。重㈣下，較佳為10為:二 以下之祀圍。若其他成分之含有率過彡，則 出使用其他成分之效果，若過多則有時阻礙來自聚合性化 合物之成分的功能。 又，第2層除了聚合反應起始劑外亦可含有其他成分。 其他成分之種類並無限制，通常根據第2層之功能而適當 選擇。再者’作為其他成分，第2層可單獨含有任一種田， 亦可以任意組合及比率含有兩種以上。 第2層中之聚合反應起始劑之含有率因帛2層之功能而 不同，-般而言，通常為G· 1重量％以上，較佳為i重量％ =上，又，通常為50重量％以下，較佳為3〇重量％以下之 範圍。若聚合反應起始劑之含有率過少，則有時第丨層形 成時的聚合反應無法充分進行，若過多則有日寺阻礙第2層 原來之功能。 曰 再者’構成本發明之有機電致發光元件之基板、陽極、 97105278 32 200845809 陰極、及各有機層（電洞注入層、電洞傳輪層、發光層、 電洞阻止層、電子傳輸層、電子注入層等）的細節係如下 所述。 [Ϊ -4·可獲得本發明之效果的理由] ' 本餐明之有機電致發光元件具有上述效果之理由並不 明確，如以下進行推測。 於上述習知技術文獻中之專利文獻丨中，係使用2級胺 〆作為環氧樹脂之硬化劑，於非專利文獻2中係使用有機鎭 鹽，為氧雜冑丁烧基之聚合反應起始齊卜一m，利用 該等文獻中揭示之方法所製造的有機電致發光元件，係於 有機層中殘留有硬化劑或聚合反應起始劑，尤其於發光層 及/或與發光層鄰接之層中所含有之硬化劑或聚合^應: 始劑、或者該等硬化劑或聚合反應起始劑於通電時分解而 產生之產物，與作為發光層之主成分的化合物反應，藉此 使有機電致發光消光’結果成為通電時之亮度穩定性較 、低’所谓驅動壽命較短之元件。 相對於此，⑨本發明之有機電致發光元件中，並非於使 聚合性化合物聚合而形成之層（第M)，而是於與其鄰接 之層（第2層）中含有聚合反應起始劑。藉由此種構成，可 獲得與於使聚合性化合物聚合而形成之層中含有聚人反 應起始劑之情況類似的效果。其結果_為，可㈣Μ 電^通電時之驅動電麼上升或通電時亮度下降較少，驅動 哥命優異之有機電致發光元件。 又’於本發明之有機電致發光元件之較佳構成中，並非 97105278 33 200845809 於罪近發光層之層（第1層，電洞傳輸層），而是於遠離發 光層之層（第2層，電洞注入層）中含有聚合反應起始劑。 其結果可藉由聚合反應起始劑溶解於發光層或物質移動 至發光層，而抑制產生對有機電致發光元件之特性或壽命 k成不良衫響的活性物質（例如自由基物質）等，苴 測為可更顯著獲得如下效果：防止上述//電4流；= 驅動電壓上升或防止通電時亮度下降，延長驅動壽命等。 [I -5·有機裝置] 再者，本發明之有機電致發光元件所具有之上述構成， 亦可應用於除有機電致發光元件以外的有機裝置。 处=發明中所謂「有機裝置」，係指具有將自外部供給之 月匕里轉換成其他能量及/或有效動作之功能的結構體，並 表現主要功能之部分由有機物所構成者。 帝作為有機裝置之例，可舉出：有機電致發光元件、有機 包日日體、有機太陽電池、有機發光電晶體、有機磁性裝置、 =機極心1、有機致動器（馬達等）、有機感測器（壓力、 溫度、濕度感測器等）等。 以下，將應用本發明之有機電致發光元件所具有之上 =的有機裝置’即具備複數之有機層，並且複數之有機 ^^2層係使聚合性化合物聚合而形成之層（第j層）， 反應起始劑之層(第2層)，且該等進行鄰接設 置之有栈衣置，稱為「本發明之有機裝置」。 再者，本發明之有機裝置通常與上述本發明之 件门樣地具有如下構成，除了上述複數之有機層之 97105278 34 200845809 外，亦具備基板，以及設置於基板上之陽極及陰極，並於 上述陽極與陰極之間配置有上述複數之有機層。 [I -6·有機裝置之製造方法] 製造本發明之有機裝置之方法並無特別限制，較佳為利 用具有至少以下步驟（1)〜之方法（以下，將其稱為「本 發明之製造方法」。）來製造。 (1)將含有聚合反應起始劑之組成物進行成膜，而形成 第2層之步驟（以下，適t稱為「電洞注人層用組成 膜步驟」。）。 ⑵將含有聚合性化合物之組成物進行成膜，而形成 =:::步之:=驟(以下’適當稱為「電_ 適二:化:二合:而形…層之步― 本發明之製造方法中之上 如，⑴電洞注入層用組成物成膜牛〜上)之細節(例 起始劑之組成物的組成或成膜之方^中^有聚合反應 組成物成膜步驟中之含有聚合⑵電洞傳輸層用 或成膜之方法’ (3)聚合步驟：：，：成物的組成 方法等)並無限制，可為任意。Λ °性化合物的聚合之 又，本發明之製造方法除 備一個或二個以上其他步驟’L V驟（1)〜（3)外，可具 意。 乂驟。其他步驟之實施時期為任 對本發明之製造方法中 97105278 巾的上迷步驟⑴〜⑶ >5278 ^ 35 200845809 其他步驟之有無或細節， 有機裝置進行適當選擇即 係根據成為製造對象之本發 可。 天 明之 :藉由”製造方法用於製造有機裝 ::效Ϊ製ί表？ΐ要功能之層(第1層及/或第2層2 化丰知疋性付到提南之有機裝置。 勺 然而’本發明之製造方法於有機裝置之中，特 製造有機電致發光元件，具體：係.於 ，層，請係電洞注入層。藉此: = = : ::驅動電壓上升或通電時亮度下降較少， 之有機電致發光元件。 卩1炎異 [π ·實施形態] 以下，以有機電致發光元件為例，對本發明之有機裝置 及本發明之製造方法的細節進行具體說明。 [11 -1 ·有機電致發光元件之構成] "圖1係不意性表示本發明之一實施形態之有機電致發 光元件之層構成的剖面圖。圖1所示之有機電致發光元件 係藉由下述方式構成：於基板丨上依序積層陽極2、 電洞注入層3、電洞傳輸層4、有機發光層5、電洞阻止 層6、電子注入層7及陰極8。 於本實施形態之情況下，電洞傳輸層4相當於使聚合性 =物艰合而形成之層（第1層，聚合層），電洞注入層3 相田於含有聚合反應起始劑之層（第2層，鄰接層）。 [Π -2.基板] 基板1成為有機電致發光元件100之支持體。 97105278 36 200845809 金並無限制’作為例可舉出:石英、玻璃、 組合及比率將兩種以上併用。 _丨了以任思 基板1之形狀亦無限制，作為例 膜、箱等，或將兮莖夕名從 《槪涛片、缚 其中，作=1 進行組合而叙形狀等。 婦酸π、& I ’較佳為玻魏，或聚酯、聚甲基丙 H艰碳酸醋、聚石風等透明的合成樹脂板。 想的是留==:^1;材料之情況下，較理 二=方:使;::致發光元件⑽劣化。因 至+置^ ^下方法.於由合成樹脂所形成之基板1之 等^早面上’設置緻密的㈣氧氧化膜等以確保阻氣性 之厚度並無限制’較理想的是通常為—以上、 鬥。？以上’又」通常為5〇mm以下、較佳3_以下 右基板1過薄則有時機械強度變低，若過厚則有 日寸7G件重量增加過多。 子幻, 成基板1可製成為由單一層所形成之構成，亦可製 由：=:複數層之構成。為後者之情況下，複數層可為 由相同㈣所形成之層，亦可為由不同材料所形成之層。 L U d ·陽極] 於基板1上形成有陽極2。 陽^係實現對後述有機發光層5侧之層（電洞注 3或有機發光層5等）注入電洞之作用。 97105278 37 200845809 右陽極2之材料為具有導電性之材 例’可舉出：銘 則為任思，作為 錫之氧化物等全屬^ :〜、、，巴、鈾等金屬，銦及/或 聚⑶甲基。塞:)r物’峨化銅等“金屬，碳黑，或 該等陽極2之材Γ嘻'聚苯胺等導電性高分子等。 每权2之材枓可單獨使用任_ 及比率將兩種以上併用。 亦可以任思組合 2之方法並無限制，通常使 錢法專。又，使用銀等金屬微粒子、峨^条 微粒子、碳黑等碳材料微粒子、導電性全屬：卜：化物 子、導電性高分子微粉末等材料時，㈣;屬：， 適當的黏合劑讀料分散於 成陽極2。 『土怖於基板1上，藉此亦可形 而於A板tit電性局分子作為材料時，藉由以電解聚合 分子Si L :妾形成薄膜’或於絲1上塗佈導電性高

Lef, ’’亦可形成陽極2(參照Applied Physics

Lexers，聰年，ν〇1· 6()，ρρ. 27ιι)。 陽極：之厚度係因陽極2所要求之透明性而不同。 之可J:極2要求透明性之情況下，較理想的是使陽極2 :見先,透過率通常為_以上’較佳為_以上。該 2下，陽極2之厚度較理想的是，通常為5 nm以上、 、10 nm以上’又’通常為100〇 nm以下、較佳500 nm ^下之範圍。若陽極2過薄則有時電阻變大，若過厚則有 8才透明性下降。 另-方面，陽極2可不透明之情況下，例如，將陽極2 97105278 38 200845809 兼作基板1之情況下，較理想的是陽極2之厚度與基 相同，通系為工^以上、較佳50//m以上，又，通常為 5〇_以下、較佳3〇麗以下之範圍。若陽極2 : 機械強度變低，若過厚則有時元件重量增加過多。、 ，者’陽極2可製成為由單—層所形成之構成，亦 j為積層有複數層之構成。為後者之情況下、 由：同材料所形成之層，亦可為由不同材料所形二為 f而，亦可形成為如下構成：與上 極2’將陽極2兼作基板卜 ㈣成知 質再二SI2形成後’為了去除附著於陽極上之雜 2夺面 電位’而提咼電洞注入性，較佳為對陽極 表面，進行紫外線⑽處理、臭氧處 = 如氧電漿處理、氬電衆處理等）等處理。^處理（例 [H -4·電洞注入層] 於陽極2之上形成有電洞注入層3。 電洞注入層3 Y系0 k。 層。本實施形態t、，電洞:主2入:有峨 始劑之層（第2層，鄰H 相當於含有聚合反應起 電洞注入層3係含有上述 有吸電子性化合物@σ反應起始劑，並且通常含 Γ化口物、電洞傳輸劑等。 電’同傳輸劑(以下有時稱為、 可自習知可用作有機ΕΙ^元“广專輸性化5物」。）， 成材料的各種化合物中進彳八^ ^電洞注入·傳輸性薄膜形 溶解性較高者。 ~當選擇。其中，較佳為溶劑 97105278 39 200845809 再者，電，傳輸性化合物較佳為具有4 5ev以上且 e以下之離子化電位的化合物。再者，離子化士 oil!"4/ ^〇CHighest 〇ccupied M〇lecu]ar 取円佔據分子軌域）位準之電子放出至直办 需的能量而定義，以光電子分光法直接測定:：亦； ΐΓ=]定之氧化電位相對於基準電極進行校正: ⑽ 法之情況τ，係例如使用飽和甘汞電極 f saturated ealQmel eleGtrQde)作為基準電極時， c 下述式表示（“ MoleCUlar Semiconduct〇rs ” Pringer - Verlag ， 1985 年，卯.98)。 ，

，子化電位=氧化電位（vs. SCE) + 4.3 eV 電洞傳輸性化合物可為低分子化合物，亦可為高分子化 5匆’較佳為兩分子化合物。 作為電洞傳輸性化合物之例，可舉出：芳香族胺化合 物、酞青衍生物、外啉衍生物、寡聚噻吩衍生物等。並中， f非晶質性、對溶劑之溶解度、可見光之穿透率之方面而 曰’較佳為芳香族胺化合物。 =香族胺化合物之中，作為電洞傳輸性化合物，特佳為 =日族三級胺化合物。再者’此處所謂的芳香族三級胺化 :勿i係指具有芳香族三級胺結構之化合物，亦包括具有 以自芳香族三級胺之基的化合物。 ，、芳3無私化合物之種類並無限制，可為低分子化合物， =可為，分子化合物，就表面平滑化效果之方面而言，較 佺為重量平均分子量為1000以上，100萬以下之高分子 97105278 200845809 化合物。 ㈣高分子芳香族胺化合物(以下，有時稱為「芳香族 胺兩分子化ί物」。）之較佳例，可舉出具有下述式⑴ 所不之重複單位的芳香族三級胺高分子化合物。 [化 16] ° Α< 3

,Ν -Ar3—N (I) —O-Ar4 Ar5-〇- (式（I)中，Ari及Ar2合別想六生 夭m + 〃別獨立表示可具有取代基之芳 曰族經基’或可具有取代基之芳香族雜環基。A〜分 別獨立表示可具有取代基之2價芳香族 代基之2價芳香族雜環基。χ表 ^了，、有取

^ ^ ^ ^ ^ ΛΑ ^ 表不自下述鍵結基群組XI 之中所選擇的鍵結基。） τ •鍵結基群組XI : [化 17] -Ar11—C-Ar12-II ο ο -Ar13~S-Ar14

Ar^ 來卜ArK 0 R1 I -Si- _Ar，8Tr,9- -C- II o 11 -P- II o N—N -Ar2H〇>-Ar^

N-N 97105278 200845809 (式t，Aru〜Ar28分别 煙基或芳香族雜環基。表不可具有取代基之芳香族 取代基。） R分別獨立表示氫原子或任意 自任，，作為Arl〜Ar5及Αι>η〜Αι^，可岸用來 目任4香族煙環或芳 應用术

Ai·1、Ar2、Ar丨6、Ar2丨及、本衣 知或2價基。即，

Ai-〜Ar' Afl7〜Ar J分別應用i價基，Ar3〜Ar、 用2價基。該等可 r〜Ar25、Ar27及a产可分別應 任意取代基。刀]相同，亦可互相不同。又，可具有 為二 =環：可舉出5或6員環之單環或 三伸笨環、鹿環、μΓΖΓ笨并_、棋環、聯 欠〜、¥、苐％等。 為上述芳香族雜環，例如可舉出 Β 〜4縮合環。作為其 ：之早環或 喃環、嗟吩環、苯并嗟吩環、二:之°，^ 口亏二唑環、, 衣吡唑裱、咪唑環、 環"比。各并対唾環”比洛并味哇環、料并吼咬 并吼口各環、環1吩㈣吩環、Μ 本开異噻唑環、苯并咪唑環、：开異…坐環、 ::環、三啡環、喧琳環、異啥琳環:二，：°荅，環、 啡啶環、_啶環 衣㈣裱、喹哼啉環、

Ar27> Ar28, -r ^ …〜Ar2。、Arl 亦可連結2個以 木自上述所例示之 又，作為心、二網環、奠環等。 —… k〜^、^7〜A产、Μ〜…、 97105278 種或 42 200845809 雜環之2價基而進行 2種以上的芳香族烴環及/或芳香族 使用。 又，只要不違反本發明之主旨，Arl〜Ar5及A〜 之來自芳香族烴環及/或芳香族雜環之基，進—步可具 1 取代基。作為取代基之分子量，通常為4〇〇以下，其中較 佳為250以下左右。取代基之種類並無特別限制，作為其 例，可舉出自下述取代基群組w中所選擇的丨種或2種以 上。再者，取代基可單獨1個進行取代，亦可2個以上以 任思組合及比率進行取代。 [取代基群組W] 甲基、乙基荨碳數通常為1以上，通常為1〇以下、較 仏8以下之烧基；乙烯基等碳數通常為2以上，通常為 11以下、較佳5以下之烯基；乙炔基等碳數通常為2以 上，通常為11以下、較佳5以下之炔基；曱氧基、乙氧 基等碳數通常為1以上，通常為以下、較佳6以下之 烧氧基；苯氧基、萘氧基、π比咬氧基等碳數通常為4以上、 較佳5以上，通常為25以下、較佳14以下之芳氧基；甲 氧羰基、乙氧羰基等碳數通常為2以上，通常為11以下、 較佳7以下之烷氧羰基；二甲胺基、二乙胺基等碳數通常 為2以上，通常為20以下、較佳12以下之二烷基胺基； 二苯基胺基、二甲苯基胺基、N-咔唑基等碳數通常為10 以上、較佳12以上，通常為30以下、較佳22以下之二 芳基胺基；苯基曱胺基等碳數通常為6以上、較佳7以上， 通常為25以下、較佳17以下之芳基烷基胺基；乙醯基、 97105278 43 200845809 苯甲醯基等碳數通常為2以上，通常為lQ以下、較佳7 以下之醯基；I原子、氯原子等_素原子；三氣甲基等石炭 數通常為1以上’通常為8以下、較佳4以下之函化烧基； 甲硫基、乙硫基等碳數通常為工以上，通常為1〇以下、 車乂 ‘ 6以下之烷石瓜基，苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等碳數 通常為4以上、較佳5以上，通常為25以下、較佳14以 下之方硫基；三甲基錢基、三苯基我基等碳數通常為 2以上、較佳3以上’通常為33以下、較佳％以下之矽 烧基；三曱基我氧基、三苯基我氧基等碳數通常為2 以上、，較佳3以上’通常為33以下、較佳26以下之石夕 烧氧基；氰基；苯基、萘基等碳數通常為6以上，通常為 30以下、較纟18以下之芳香族烴環基；嗟吩基"比咬美 等碳數通常為3以上、較佳4以上，通常為28以下、較 佳17以下之芳香族雜環基。 就高分子化合物之溶解性、耐熱性、電洞注入傳輸性 t方面！7言’作為Arl&Ar2,上述基之中較佳為來自苯 ，、萘環、菲環、嗟吩環、D比咬環之1價基，更佳為苯基、 萘基。 又，就耐熱性、具有氧化還原電位之電洞注入傳輸性 之方面而t，作為Ar、Ar5，上述之中較佳為來自苯環、 萘環、蒽環、菲環之2價基，更佳為伸苯基、伸聯苯基、 伸萘基。 上述式⑴中，作為R)R2，可應用氳原子或任意取代 基。㈣可互相相同，亦可不同。只要不違反本發明之主 97105278 200845809 曰，取代基之種類並無特別限制，若例示可應用之取代 基，則可舉出：烷基、烯基、炔基、烷氧基、矽烷基、矽 烷氧基、芳香族烴基、芳香族雜環基。作為該等之具體例， 可舉出先前取代基群組w中所例示之各基。 〃 、/、要不顯著損告本發明之效果，可用作電洞注入層之材 2之芳香族三級胺高分子化合物的重量平均分子量為任 思，通常為1GGG以上，較佳為2刪以上，更佳為3_ 以上，又，通常為50萬以下，較佳為2〇萬以下，更佳為 10萬以下。 ” 」要不顯著損害本發明之效果，電洞注人層3中之芳香 族三級胺高分子化合物之比例為任意，以相對於電洞注入 f 3整體的重量比之值計’通常為10重量％以上，較佳為 3"广上’又，通常為99.9重量,以下，較佳為9為9 下。再者，將2種以上之聚合物併用時，較佳 该荨3計之含量包含於上述範圍内。 '、 時：：τ:夭：為低分子芳香族三級胺化合物(以下，有 洞僂於Μ 3 *二級胺低分子化合物」。）中，適合作為電 /0專輸性化合物之具體， 一 系化合物。 /、股例Γ舉出下述式（瓜）所不之聯萘 [化 18] 97105278 45 200845809

(III) 式（瓜）中，Ar51〜Ar58 香族烴基’或可具有取代基 T可具有取代基之芳 Ar55與Ar56可分別鍵紝 曰矢雜裱基。Ar51與Ar52、 佳例、可具有之It: IT成環。A，〜紅58之具體例、較 前…及較佳取代基之例’分別與先 f 以下之整數。其中

U U及V分別獨立表示〇以上 + v21。特佳為U=1且。 Q及Q分別獨立表示吉技^^ 罝接鍵結或2價鍵結基。 式（皿）中之萘環除了 _(QlN 53 -(QW4Ar、NAr55Ar56)) ⑽ Ar ))及 、 卜了具有任思取代基。又，該 、、取代基—ΜΝΑι^ΑιΊνΑι^Αγ52))及 -（Q NAr54Ar58(NAr55Ar56))可於关 $ + 7 / ))J於奈裱之任何位置進行取代， 其中，更佳為分別於式（m)中之蔡環之4_位、4，一位 取代的聯萘系化合物。 又，式（瓜）所示之化合物中之伸聯苯基結構，較佳為於 2, 2’-位具有取代基。作為鍵結於2,2，_位之取代基，可 舉出.可具有取代基之燒基、可具有取代基之烧氧基、可 具有取代基之烯基、可具有取代基之烷氧羰基等。 97105278 46 200845809 再者，式（nr)所示之化合物中’伸聯苯基結構除2,2 — 位之外可具有任意取代基，作為該取代基，例如可兴出上 述揭示作為位上之取代基的各基等。—般認:，式 所不之化合物於2_位及2、位具有取代基，而使2個 萘環扭轉配置，因此溶解性提高。 式（m)所示之聯萘系化合物之分子量通常為5〇〇以 上、較佳7〇〇以上，又’通常為2000以下、較佳12〇〇以 下之範圍。 以下舉出可用作本發明之電洞傳輸性化合物之式（瓜） 所示之聯萘系化合物的較佳具體例，但本發明中可應用之 聯萘系化合物並不限定於該等。 [化 19] 97105278 47 200845809 ί

ο

其他’作為可用作本發明之電洞傳輪性化 胺化合物，可舉出用作有機EL ° 矢 層形成材料的習知公知的化合物。例如，可舉出將 雙（4-二-對F苯基胺基苯基）環己烷等第3二香族胺單^ 連結而得之芳香族二胺化合物（日本專利特開2 97105278 48 200845809 59-194393號公報）；以4,4，-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基] 香 聯苯為代表之含有2個以上三級胺並且2個以上之縮合芳 香族環於氮原子上進行取代而得之芳香族胺（日本專利特 開平5-234681號公報）；三苯基苯之衍生物等具有星爆結 構之芳香族三胺（美國專利第4923774號說明書）；N，n，_ 二苯基-N，Ν’ _雙（3-甲基苯基）聯苯基_4, 4’ _二胺等〃 族二胺（美國專利第4764625號說明書）；ααα，，α， 〔四甲基-α，α 雙（4-二—對甲苯基胺基苯基）一對二甲苯 (曰本專利特開平3-269084號公報）；分子整體呈立體非 對％之三苯基胺衍生物（日本專利特開平4-129271號公 報）；祐基上有多個芳香族二胺基進行取代之化合物（日°本 專利特開平4—1 75395號公報）；由伸乙基連結三級芳香族 =單元而得之芳香族二胺（日本專利特開平4_264189號 Α報）’具有苯乙烯基結構之芳香族二胺（曰本專利特開平 = 0851號公報）；由嗟吩基連結芳香族三級胺單元而得 =日本專利特開平4_3_6號公報）；星爆型芳香族三 專利特開平4.688號公報）；节基苯基化合物 ^本專利特開平4_364153號公報）；由第基連結三級胺 (曰于本專二t專利特開平5 —細號公報)；三胺化合物 苯（日太直開平5-239455號公報）；雙二吼咬基胺基聯 衍生物 =1]1寺開平5-32_號公報）；n，n，n-三苯基胺 構之芳未/ 特開平6_1972號公報）；具有啡十井結 胺基苯利特開平7.562號公報）；二 生物（日本專利特開平7-252474號公 97105278 49 200845809 報）；腙化合物（日本專利特開平2-311591號公報）；矽氮 烧化合物（美國專利第4950950號說明書）；矽烷胺衍生物 (曰本專利特開平6-49079號公報）；磷胺衍生物（日本專 利特開平6-25659號公報）；喹吖啶酮化合物等。該等芳 ;香族胺化合物可視需要而將2種以上混合使用。 又’作為可用作本發明之電洞傳輸性化合物的芳香族胺 化合物之其他具體例，可舉出具有二芳基胺基之8—羥基 f哇琳衍生物的金屬錯合物。上述金屬錯合物之中心金屬係 + 自驗金屬、鹼土類金屬、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、

Cu、Zn、Cd、A卜 Ga、In、Si、Ge、Sn、Sm、Eu ' Tb 之 任一者中進行選擇，作為配位子之8-羥基喹啉係具有i 個以上二芳基胺基作為取代基，除二芳基胺基之外亦可具 有任意取代基。 又’作為可用作本發明之電洞傳輸性化合物的酞菁衍生 物或外琳衍生物之較佳具體例，可舉出：卟琳、 ί 5，10，15,20-四苯基—21H，23H—外啉、5，1〇15 2〇-四苯基 -21H，23H-卟啉鈷（π )、5, 10, 15, 20-四苯基-21H，23H-口卜 琳銅（Π) 5，10，15,20-四苯基- 21H，23H -外琳鋅（η)、 5，10，15,20-四苯基—21H，23H-卟啉氧釩（贝）、 5, 10, 15, 20-四（4-吡啶基）—21H，23H-卟啉、29H，31H-酞菁 銅（Π )、酞菁辞（n )、酞菁鈦、酞菁氧化鎂 菁銅(11)、4,4，，4，，，4，，，-四氮雜-2^^^ 卜又，作為可用作本發明之電洞傳輸性化合物的寡聚噻吩 衍生物之較佳具體例，可舉出α -六噻吩等。 97105278 50 200845809 再者，可用作電洞傳輸性化合物之芳香族胺化合物（除 了上述芳香族二級胺高分子化合物及式（冚）所示之聯萘 系化合物）、酞菁衍生物、卟啉衍生物、及寡聚噻吩衍生 物之分子量，通常為200以上，較佳為4〇〇以上，更佳為 6〇〇以上，又，通常為5000以下，較佳為3000以下，更 ，為20^)0以下，特佳為17〇〇以下，特佳為14〇〇以下之 範圍。右分子量過小則有耐熱性變低之傾向，另一方面， 右電洞傳It性化合物之分子量過大則有莫隹以合成及純化 之傾向。 私/同/主人層3可單獨含有上述各種電洞傳輸性化合物 (電洞傳輸劑）中之任-種，亦可以任意組合及比率 種以〇 電洞注入層3中之電洞傳輸劑之含有率通常為0.1重量 ㈣上’較佳為1重量％以上’又，通常為99. 9重量％以下， 較佳為9 0重量％以下之範圍。 聚合反應起始劑之細節或具體例、較佳例等如上所述。 聚合反應起始#丨可單獨使用任—種，亦可峰意組合及 比率將兩種以上併用。 電洞注入層3 t之聚合反應起始劑之含有率通常為〇1 重量%:上’較佳為1重量%以上，又，通常為5。重量% =較佳為30重量%以下之範圍。若聚合反應起始劑之 過少’則有時鄰接之層(通常為電洞傳輸層4)的聚 二反^法充分進行，若過多則有時阻礙電洞傳輸性化合 物之電洞傳輸能力。 97105278 51 200845809 、又、’聚合反應起始劑相對於電洞傳輸劑之比率較理想係 j常為ο·οι重量%以上，較佳為〇· i重量%以上，又，通 常為1〇〇重量％以下，較佳為60重量％以下之範圍。 八作為吸電子性化合物之例，可舉出：鏽鹽、三芳基硼化 口物、鹵化金屬、路易斯酸、有機酸、芳基胺與齒化金屬 之j及芳基胺與路易斯酸之鹽等。該等吸電子性化合物 可藉由與電洞注入性材料混合使用，使電洞注入性材料氧 化，而提高電洞注入層之導電率。 作為鏽鹽之例，可舉出作為聚合反應起始劑之例的上述 各種有機鏽鹽。 作為三芳基硼化合物之例，可舉出下述通式（ιν)所示之 =化合物。下料式αν)所示之钱合物較佳為路易斯 酉文。又’該石朋化合物之電子親和力通常為4 ev以上 佳為5 eV以上。 [化 20]

Ar1

I (IV)

Ar2〆 ^Ar3 逋式（IV)中 ▼ 〜小丹頁取代基之笨 土、萘基、蒽基、聯苯基等5或6員環之單環，或將 進行2〜3個縮合及/或直接鍵結而成之芳香族烴環基:或 可具有取代基之σ塞吩基、吼tr定基、二床盆 心土 —井基、吡畊基、啥口寻 啉基等5員或6員環之單環，或將該 Λ寻進仃2〜3個縮合 97105278 52 200845809 及/或直接鍵結而成之芳香族雜環基。 作為Ar1〜Ar3可具有之取代美: 子；烷基；烯基；烷氧羰基二’ ’可舉出：鹵素原 化烧基；氰基等。 “基’·芳氧基，·酿基；齒 尤其，較佳為Ar1〜Ar3之至少一者孫Η 及/或姓 者係Ham瓜ett常數（σ„ 及/或σΡ)表現正值之取代基，特佳為〜标3 常數（^及/或σρ)表現正值之取代基。藉由且^ 此種吸電子性取代基’該等化合物之吸電子性得到提高。 又’更佳為Αι·1〜Ar3均係被鹵素原子取代之芳香族煙 芳香族雜環基。 ^ 作為通式（IV)所示之硼化合物之較佳具體例，可舉出下 述式6-1〜式6-17所示之化合物。其中，通式（IV)所示 之石朋化合物並不限定於下述式6-1〜式6-17所示之化人 物0 [化 21] 97105278 53 200845809

97105278 54 200845809 [化 22]

6-17 其中，特佳為以下所示之化合物。 [化 23]

上述吸電子性化合物可單獨使用任一種，亦可以任意組 合及比率將兩種以上併用。 一：,子性化合物相對於電洞傳輸劑之比率較理想係通 二；/重量%以上、較佳1重量%以上’又，通常為100 里下、較佳60重量％以下之範圍。 再者，可分別使用其他不同之化合物來作為聚合反應起 97105278 55 200845809 劑及吸電子性化合物，亦可使用兼備聚合反應 電子性化合物之功能的化合物 月 藉由使用兼備聚合反應起始劑及吸電子性化合物之功 能之化合物’肖分別使用其他不同化合物來作為^合反^ 起始劑及吸電子性化合物之情況相比，可進一步提高聚二 反應起始劑及吸電子性化合物相對於電洞傳輸劑之：7 又，如後所述，即使使用溶劑形成電洞注入層3之情況 下，亦热須對聚合反應起始劑及吸電子性化合物之兩者的 溶解性個別地進行研究，容易選定溶劑。 作為兼備聚合反應起始劑及吸電子性化合物之功能的 化合物之例，可舉出有機鏽鹽等。再者，該等可單獨^用 任一種，亦可以任意組合及比率將兩種以上併用。 又，亦可將兼備聚合反應起始劑及吸電子性化合物之功 能的一種或兩種以上化合物，與一種或兩種以上聚合反應 起始劑，及/或一種或兩種以上吸電子性化合物併用。 電洞注入層3係藉由如下方式形成：將含有構成電洞注 入層3之成分（聚合反應起始劑、吸電子性化合物、電洞 傳輸劑等）的組成物（以下，有時適當稱為「電洞注入層用 組成物」。）進行成膜。 即，形成電洞注入層3之步驟係相當於上述（1)電洞注 入層用組成物成膜步驟。 、電洞 >主入層用組成物含有作為電洞注入層3之構成成 刀的♦合反應起始劑、吸電子性化合物及電洞傳輸劑，益 且通常含有溶劑。 97105278 56 200845809 ，為溶劑’若為可使電洞注人層用組成物中之各成分良 好冷解，且不會與該等成分產生不佳化學反應者，則其種 』並無限制。其中，較佳為不含可能使由聚合反應起始劑 所產生之自由載子（陽離子自由基）去活化的去活化物質 或產生去活化物質者的溶劑。 作為較佳溶劑之例，可舉出··㈣溶劑及自旨系溶劑。 ☆作為醚系溶劑之具體例，可舉出：乙二醇二甲醚、乙二 ^ 乙醚、丙二醇+單甲醚乙酸酯 (Pr〇pjleneglyC〇1 —卜麵槪七㈣批冗⑽士如：以下， 適當簡稱為「PGMEA」。）等脂肪族醚；1,2-二曱氧基苯、 甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2一甲氧基甲苯、3一 甲氧基甲笨、4一甲氧基甲苯、2, 3 —二甲基苯甲醚、2, 4 — 一甲基苯甲醚等芳香族醚等。該等醚系溶劑可單獨使用任 種亦可以任意組合及比率使用兩種以上。 匕作為酯系溶劑之具體例，可舉出：乙酸乙酯、乙酸正丁 —乳®文乙知、乳酸正丁酯等脂肪族酯；乙酸苯酯、丙酸 -曰、本甲g文曱酯、笨曱酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正 丁酯等芳香族酯等。該等酯系溶劑可單獨使用任一種，亦 可以任思組合及比率使用兩種以上。 了將種或兩種以上之醚糸溶劑，與一種或兩種以 上之赌系溶劑以任意比率組合使用。 又作為除上述_系溶劑及酯系溶劑以外可使用之、、容 劑’例如可舉出：苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑^ N’N~二曱基甲醯胺、N，N一二甲基乙醯胺等醯胺系溶劑；二 97105278 57 200845809 曱亞碱等。該等可單獨使用任一種，亦可以任意組合及比 率使用兩種以上。又，可將該等溶劑中之—種或兩種以 上，與上述醚系溶劑及酯系溶劑中之—種或兩種以上組合 使用尤纟¥、甲笨、一曱苯等芳香族烴系溶劑因溶解 氧化劑與共聚物之能力較低，因此較佳為與㈣溶劑及醋 系溶劑混合使用。 f 電洞注入層用組成物中之溶劑之含有率較理想係通常 為：重量%以上’較佳為70重量%以上，又，通常為99 999 重罝％以下，較佳為99重量％以下之範圍。 ^電洞注入層用組成物中之電洞傳輸劑之含有率，較理想 係通常為0.001重量％以上，較佳為〇1重量％以上又二 通常為99重量％以下，較佳為2〇重量％以下之範圍。 電洞注入層用組成物中之聚合反應起始劑之含有率， 理想係通常為〇.〇_重量%以上，較佳為〇 〇ι重量%以 上，更佳為0. 1重量％以上，又，通常為50重量％以下， 較佳為5重量%以下，更佳為1重量%以下之範圍。 電洞注人層用組成物巾之吸電子性化合物之含有率 :想：：常為。._01重量%以上，較佳為。.01重量%以 社，為0」重量%以上，又’通常為5〇重量%以下， 較“ 5重量%以下’更佳為1重量%以下之範圍。 進而’電洞注入層用組成物可含有其他成分。作為其他 刀之例，可舉出：均化劑、消泡劑等。 作為均化劑之例，可舉出：聚石夕氧系界面活性劑 界面活性劑等。均化劑可蕈 鼠系 早獨使用任一種，亦可以任意組 97105278 58 200845809 合及比率將兩種以上併用。 電洞注入層用組成物中之均化劑之含有率通常為 0.0001重1%以上，較佳為〇 重量％以上，又，通常 為1重量％以下’較佳為0· 1重量％以下之範圍。若均化劑 之3有率過少則有時均化不良，若過多則有時阻礙膜之電 特性。 作為消泡劑之例，可舉出：聚矽氧油、脂肪酸酯、磷酸 酯等。消泡劑可單獨使用任一種，亦可以任意組合及比率 將兩種以上併用。 私/同/主入層用組成物甲之消泡劑之含有率通常為 、001重里％以上，較佳為〇· 001重量％以上，又，通常 為1重里％以下，較佳為1 ^量％以下之範圍。若消泡劑 之含有率過少則有時消泡效果消失，若過多則有時阻礙膜 :亡述各成分混合而製備電洞注入層用組成物之後， 成膜於上述陽極2上。

法：：：方ί並無限制’通常使用濕式成膜法。濕式I 為基底之陽極2的性=電：層用組成物之成分t 法等塗佈選擇制旋塗法、喷; 蕤*、、…、 網法等印刷法等。 處Μ法進行成臈之情況下，於成膜後進行心

乾:燥作為其例，W ’可將加熱乾燥與減愚 97105278 59 200845809 乾燥組合實施。 進仃加熱乾燥之情況下，_為其方法之例，可舉出：加 熱板、烘箱、紅外線照射、電波照射等。 進仃加熱乾燥之情況下，作為加熱溫度，較理想係通常 為室溫以上，較佳為筑以上，又，通常為3〇(TC以下， 車乂仏為26GC以下之範圍。再者，加熱乾燥時之溫度可固 定，亦可變動。 ί 壓乾_之情況下’作為乾燥時之壓力，較理想係 通吊^壓以下，較佳為1〇咖以下，更佳^咖以 下之趟圍。 乾燥處理之時間較理想係通常為1秒鐘以上，較佳為 10心名里：上、，更佳為30秒鐘以上，又，通常為⑽小時 以：’較佳為24小時以下，更佳為3小時以下之範圍。 電洞注入層3之厚度並無限制，較理想係通常為1 nm 以上’較佳為10 nm以上，又，通常為1 000 mn以下，較 佳為500 nm以下之筘ifi。焚Φ、门、丄 、 卜之靶固右電洞注入層3過薄則有時電 洞注入性’不充分，若過厚則有時f阻變高。 再^電洞注人層3可製成為由單—層所形成之構成， 亦以成為積層有複數層之構成。為後者之情況下，複數 層可為由相同材料所形成之層，亦可為由不同材料所形成 之層。 [Π -5·電洞傳輸層] 於電洞注入層3之上形成有電洞傳輸層〇 电/同傳輸層4具有將依陽極2、電洞注入層3之順序所 97105278 200845809 庄入之電洞注入至有機發光層5之功能，並且具有抑制因 電子自發光層5注入至陽極2侧而導致的發光效率下降之 功能。本實施形態中，電洞傳輸層4相當於使聚合性化合 物聚合而形成之層（第1層，聚合層）。 :. t洞傳輸層4藉由如下方式形成：將含有成為電洞傳輸 層「4之原料的聚合性化合物之組成斗勿（以T，有時適當稱 為1洞傳輸層用組成物」。）成膜，進而使該聚合性化合 物聚合。 f 少 即，形成電洞傳輸層4之步驟係相當於上述（2)電洞傳 輸層用組成物成膜步驟及（3)聚合步驟。 屯洞傳輸層用組成物含有屬於電洞傳輸層4之原料成 分的聚合性化合物，並且通常含有溶劑。 ^合性化合物之細節或具體例、較佳例等係如上所述。 來合性化合物可單獨使用任一種，亦可以任意組合及比 率將兩種以上併用。 I =為洛劑’若為可使電洞傳輸層用組成物中之各成分良 、容解且不胃與該等成分產生不佳化學反應者，則其種 • 2亚無限制。作為其例，可舉出··曱苯、二曱苯、三甲苯、 :=基苯等芳香族化合物；丨，2—二氯乙烷、氣苯、鄰二氯 笨等3 I#素洛劑，乙二醇二曱醚、乙二醇二乙醚、丙二醇 1單甲醚乙酸酯（PGMEA)等脂肪族醚，1，2-二甲氧基苯、 L 3 —甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2 一曱氧基甲苯、3一 甲氧基甲苯、4一甲氧基甲苯、2, 3-二曱基苯曱醚、2, 4-甲基本甲驗專芳香族醚等_系溶劑；乙酸乙酯、乙酸正 97105278 61 200845809 丁、乳酸乙g旨、乳酸正丁酯等脂肪族酯；乙酸苯酯、丙 酉夂苯酉曰、苯甲酸甲酉旨、苯甲酸乙醋、苯甲酸異丙醋、苯甲 酉夂丙酉曰苯甲酸正丁酉旨#酯系溶劑等有機溶劑等。其中， 較佳為甲苯、二甲苯、三甲苯、環己基苯等。 A等岭劑可單獨使用任_種，亦可以任意組合及比率將 兩種以上併用。 電洞傳輸層用組成物中之溶劑之含有率，較理想係通常 為丄重、量％以上’較佳為20重量％以上，又，通常為99.999 重以下，較佳為7〇重量％以下之範圍。 電洞傳輸層用組成物巾之電洞傳輸劑之含有率，較理相 係通常為0·(Π重量％以上，較佳為㈣重量％以上，更ς 為0·1重量％以上，又，鲁炎 曰 又通吊為50重1 %以下，較佳為20 重以下，更佳為重量％以下之範圍。 進而，電洞傳輸層用組成物可含有其他成分。 乍為/、他成刀之例，可舉出用以促進可使吸電子性化合 物或電洞傳輸層4之溶解性下降，並可將其他層塗佈於電 洞傳輸層4上的聚合反應之添加物等。 作為促進來合反應之添加物之例，可舉出：苯烷基酮化 合物、驢基氧化膦化合物、二茂金屬化合物、月亏醋化合物、 化合物、鑌鹽等聚合反應起始劑或聚合促進劑，縮合 夕裒:k、卟啉化合物、二芳基酮化合物等光增感劑等。 該等添加物可單獨使用任一種，亦可以任意組合及比率 將兩種以上併用。 然而，以電洞傳輸層作為第上層而製造有機電致發光元 97105278 62 200845809 件之情況下，就防止恆定電流通電時之驅動電壓上升或通 電時亮度下降，並獲得優異之驅動壽命之方面而言，較佳 為電洞傳輸用組成物不含聚合反應起始劑。 將上述各成分混合而製備電洞傳輸層用組成物後，將其 • 成版於上述電洞注入層3上。 、成膜之方法並無限制，通常使用濕式成膜法。濕式成膜 法之種類並無限制，根據電洞傳輸層用組成物之成分或成 ,為基底之電洞注入層3的性質等，可任意選擇使用旋塗 法、喷霧法等塗佈法，或喷墨法、絲網法等印刷法等。 人將電洞傳輸層用組成物成膜於電洞注入層3上後，使聚 合性化合物聚合，從而形成電洞傳輸層4。藉由使聚合性 化合物聚合’而引起聚合性化合物之聚合反應，並且I應 後膜（電/同傳輸層4)之溶解性降低。藉此，於電洞傳輸層“ 1上接著形成有機發光層5之情況下，所形成之電洞傳輸 層4不會溶解於有機發光層用組成物（下述 1 作為使聚合性化合物聚合之方》，可舉出：對經成膜之 ^同傳輸層用組成物（以下，將其稱為「電洞傳輸層用組 =物#」0加熱之方法，對電_輸層用組成物膜照射活 性此量線之方法。 :由加熱進行聚合之情況下’加熱之方法並無限制，作 箄了:隹可舉出：加熱板、烘箱、紅外線照射、微波照射 以^用方法可單獨使用任一種’亦可以任意組合將兩種

加熱溫度較理想的是，通常為室溫以上，較佳為5(TC 97105278 63 200845809 以上，又，通常為3〇〇°c以下，較佳為26〇。〇以下之範圍。 再者，加熱時之溫度可固定，亦可變動。 加熱時間較理想係通常為i秒鐘以上，較佳為秒鐘 以上’更佳為3 0秒鐘以上，又，通常為1 〇 〇小時以下， 較佳為24小時以下，更佳為3小時以下之範圍。 另一方面，藉由照射活性能量線進行聚合之情況下，作 ^活性能量線，可舉出：紫外線、電子束（主要藉由光激 ^而使聚合反應起始劑分解並引發聚合反應）、紅外線、 微波（主要藉由加熱而使聚合反應起始劑分解，且增加聚 合反應速度）等。該等活性能量線可單獨使用任一種，亦 可以任意組合將兩種以上併用。 作為照射活性能量線之方法，可舉出如下方法：直接使 用超高壓水銀燈、高壓水銀燈、函素燈、紅外燈等紫外. 可見紅外光源進行照射之方法，或使用内置有上述光源 之光罩對準曝光機、輸送帶型光照射裝置進行照射之方 法二使用照射由磁控管產生之微波的裝置、所謂的微波爐 進行照射之方法等。 活性能量線之照射量以電洞傳輸層用組成物膜表面之 累計能量換算計，較理想係通常為lm;/em2以上 1 〇 mJ/cm2以上，又，丄甬堂盘】nn 2 土…、 以下之範圍。 吊為1〇〇J/cm以下，較佳為3〇J/cm2 :為，J1此里線之照射時間，係進行適當設定以達 述知射量即可，較理相传 秒鐘以， 苹乂里心係通吊為0·1秒鐘以上，較佳為！ ，又，通常為10小時以下，較佳為i小時以下 97105278 64 200845809 之趟圍。 上述加熱及照射活性能量線，係根 有之聚合反應起始劑、及電 ：：入層3所3 合性化合物的種類，進行適當選:;用可組成物所含有之聚 再者，加熱或照射活性能量 與照射活性能量線組合實施。早獨亦可將加熱 可早獨照射一種活 量線同時或個別照 又進行照射活性能量線之情況下， 性能量線，亦可將兩種以上之活性能 射0 聚合步驟時之壓力並無限制 行0 ’通常於常壓下或減壓下進 聚合步驟時之環境氣體亦無限制，通常於大氣中、 亂等惰性氣體環境中進行。其中，為了降低所獲得之電洞 傳輸層4内部所含之水分及/或吸附於表面之水分量，較 佳為於氮氣環境等不含水分之環境下進行。以相同之目 的，將加熱及/或照射活性能量線加以組合而利用多個步 驟進行之情況下，特佳為於氮氣環境等不含水分之環境^ 進行至少有機發光層5形成前的步驟。 只轭聚合步驟後，為降低殘留溶劑，進而可進行乾燥處 理。 μ 進行乾燥處理之情況下，其方法並無限制，作為其例可 舉出：自然乾燥、加熱乾燥、減壓乾燥等。又，可將加熱 乾燥與減壓乾燥組合而實施。 μ 進行加熱乾燥之情況下’作為其方法之例，可舉出·加 97105278 65 200845809 熱板、烘箱、紅外線照射、電波照射等。 進打加熱乾燥之情況下，作為加熱溫度，較理想係通常 為室脈以上，較佳為5〇 c以上，又，通常為·以下， 較佳為260。〇：以下之範圍。再者，加熱乾燥時之溫度可固 定，亦可變動。 進行減壓乾燥之情況下，作為乾燥時之壓力，較理相係 通常為常壓以下，較佳為l〇kPa以下，更佳Wkp：：'以 下之範圍。 乾燥處理之時間較理想係通常為i秒鐘以上，較佳為 10秒鐘，上’更佳為30秒鐘以上，又，通W1()M、時 以下’較佳為24小時以下，更佳為3小時以下之範圍。 電洞傳輸層4之厚度並無限制，較理想係通常為5 Μ 以上’較佳為1〇nm以上，又，通常為刪nm以下，較 佳為5 0 0 nm以下之範圚。婪带、门他u ,,, 右电洞傳輸層4過薄則有時元 件之务先效率下降’若過厚財時元件電壓變高。 再者’電洞傳輸層4可製成為由s 亦可製成為積層有複數層之構成由成之構成， 層可為由相同材料所形成之層成亦之情況下’複數 之層。 曰亦可為由不同材料所形成 [H -6·有機發光層] 於電洞傳輸層4之上形成有機發光層5。 有機發光層5係於提供電場之 θ ^ 過電洞注入層3及電洞傳輸層4主曰’猎由自陽極2通 8通過電子注入層7、電洞 /、自陰極 止層6而注入之電子進行再 97105278 66 200845809 鍵結’被激發而成為主要發光源之層。 有機發光層5至少含有具有發光性質之材料（發 料)，並且較佳為含有具有電洞傳輸性質之材料( 性化合物）、或具有電子傳輸性質之材料（電 别 物）。進而，於不脫離本發明主旨之範圍内，= 光觀:二以濕式成膜法形成有機發 作為該等材料’較佳為均使用低分子 作為發光材料，可應用任意公知之材料。 光發光材料，亦可為鱗光發光材料 σ二為螢 點而言’較佳為鱗光發光材料。 卩里子效率之觀 再者’為了提高對溶劑之溶解性，亦較 之分子對稱性或剛性下降，或導入燒基等親^光材料 作為發出藍色光之螢光Μ I專親油性取代基。 夭-1、， 金先色素’例如可舉出茈、铽、苗 曰丑Μ、對雙（2-苯基乙稀基）苯及該心 色登光色素’例如可舉出：唾=物專。作為 生物等。作為黃色榮光色素，例如可=出物、香f素衍 Perinudone衍生物等。 牛.紅熒烯、 dcm“-(二氛亞甲基)…色:二色素广^ 基）魯吼喃）系化合物、苯并吼/ —甲胺基苯乙稀 物、笨并噻噸衍生物卜 T生物、玫瑰紅衍生 土貝何生物、氮雜苯并噻噸等。 Ά光發光材料，例如可舉出、 ，下，只要無特別補充，稱：自長週期型週期 ^105278 心長週期型週期表)之第7〜〗"選二::況下， π k擇的金屬之有機 67 200845809 金屬錯合物。 作為麟純有機金屬錯合物^含之自軸 知_所選擇的金屬，較佳為可舉 赪从A 出· n @、銀、石西、 錶、翻、金等。作為該等之有機金屬錯合物，較佳為 可舉出下述式（VI)或式（Vtt)所示之化合物。 ’，、、 ML(q-j)L, j (VI ) (式(VI)中，μ表示金屬’q表示上述金 L及L’表示雙牙配位子。j表示〇、m之、 [化 24]

以下，百先對式（VI)所示之化合物進行說明。 爽ϊίΛ)中，M表示任意金屬，作為較佳者之具體例，可 牛出作為自週期表第7〜u族中所選擇的金屬而於上所 97105278 68 200845809 述之金屬。 又’式（VI)中，雙牙配位子l表示具有以下部分結構之 配位子。 [化 25]

i 縮:ΐ該:ί:=基’可舉出:5或6員環之單環或2〜5 菲環、茈環:、稠：1可ff來自：苯環、萘環、蒽環、 苯環、危環、癸：C、苯并祐環、疾環、聯三伸 作為該芳香族雜環基，；舉出=二 環、售吩環、笨㈣吩環、％洛環"比、苯并咳畴 —唑環、吲哚環、咔唑環、吡 衣、咪唑環、口等 97105278 吡咯并吡咯環、噻吩并吡、；、'核、吡咯并吡唑環、 咯環、呋喃并呋喃環、噻吩二并噻吩環、呋喃并°比 并„苯并“環，::：::異蝴、笨 …環，環、異_環、‘:::2 69 200845809 奠環之〗價基 ^環、啥唾琳環、唛嗓琳酮環 又，於上述L之部分結構中，m 之含氮芳香族雜環基。 環表示可具有取代基 时作為該含氮芳香族雜環基，可 早環或2〜4縮合環之基 牛.來自5或6員環之 咯環、吡唑環、咪唑严„ '、，、/、體例，可舉出來自··吡 ，并咪唾環，并:二:=并:= 料環、-環、呋喃并吡咯環、嗟吩并 ϋ叛噻吩开吡咯 異嗟唾環、苯并_哇产 ^南被、苯并異+坐環、苯并 環…㈣：二V!?環，環，環， 唆严* μ ί 異啥琳環、啥崎琳環、啡咬環、咽 衣哇唑啉％、喹唑啉酮環之丨價基等。 作為環A1或環A2分別可具有之取代基之例，可舉出： 鹵素原子H縣；烧該基；院氧基；芳氧基；二 烷基胺基；二芳基胺基；十坐基；醯基；鹵化烧基；氛基； 芳香族烴基等。 土’ 又，式（VI)中，雙牙配位子L’表示具有以下部分結構 之配位子。其中，於以下式中，rph」表示苯基。 [化 26] 97105278 70 200845809

Κ> Η! ζΚ CK X X

其中，就錯合物之穩定性之觀點而言，作為L’，較佳 為以下所舉出之配位子。 [化 27]

97105278 71 200845809 作為式（νι)所示之化合物，更佳為可舉出下述式（γι a)、（VIb)、（Vic)所示之化合物。 [化 28]

(式（Via)中，M4表示與Μ相同之金屬，w表示上述金屬 之價數，環A1表示可具有取代基之芳香族烴基，環A2表 示可具有取代基之含氮芳香族雜環基。） [化 29]

(式（VI b)中，M5表示與Μ相同之金屬，w表示上述金屬 之價數，環A1表示可具有取代基之芳香族烴基或芳香= 雜環基，環A2表示可具有取代基之含氮芳香族雜環基。、 [化 30] "土。) 97105278 72 200845809

νΗ L

(Vic) (式(Vic)中’ M6表示與M相同之金屬，评表示上述 之價數，j表示0、1或2 ’環A1及環A1，分別獨立表 示可具有取代基之芳香族烴基或芳香族雜環基，環A? 環A2’分別獨立表示可具有取代基之含氮芳香族雜《環基。） 上述式（Via)〜（Vic)中，作為環A1及環M，之較二= 可舉出：苯基、聯苯基、萘基、葱基、噻吩基、呋^基j 苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、異喹啉^、 咔唑基等。 、土 土、 上述式（Via)〜（Vic)中，作為環Α2及環Α2，之較佳例， :舉出：吡啶基、嘧啶基、吡畊基、三畊基、苯并噻唑基、 苯并碍唑基、苯并咪唑基、喹啉基、異喹啉基、喹^二、' 啡啶基等。 土、 作為上述式（Via)〜（VIc)所示之化合物可具有之取 可舉出.鹵素原子；烷基；烯基；烷氧羰基；烷氧基； 方乳基；二録胺基；二芳基胺基；㈣基；酸基 烷基；氰基等。 再者’該等取代基可互相連結形成環。作為具體例，環 所具有之取代基與環A2所具有之取代基鍵結，或環“， =具有之取代基與環A2，所具有之取代基鍵結，藉此可妒 、個縮合環。作為此種縮合環，可舉丨7,8_苯并喧啉 97105278 73 200845809 基等。 其中，作為環A1、環ΑΓ、環A2及環A2,之取代基， 更佳為可舉出：烷基、烷氧基、芳香族烴基、氰基、鹵素 原子、齒化烷基、二芳基胺基、咔唑基。 又，作為式（Via)〜（Vic)中Μ4〜Μ6之較佳例，可舉出： 釘錢、把、銀、>5西、鐵、銥、翻或金。 &以下表示上述式（VI)及（VI a)〜（Vic)所示之有機金屬 la合物之具體例，但並不限定於下述化合物。 C [化 31] 97105278 74 200845809

97105278 75 200845809 [化 32]

97105278 76 200845809 [化 33]

之中，特佳為具有作 配位子，即，2 —芳基 、及於其上縮合任意 〆. 上述式（VI)所示之有機金屬錯合物 為配位子L及/或L，的2-芳基吡咬系 吡啶、於其上鍵結任意取代基而得者 基而得者之化合物。 又，亦可使用國際專利公開第2〇〇5/〇19373號小冊子中 揭示之化合物作為發光材料。 -人’對式（)所示之化合物進行說明。 式⑻中’r表示金屬。作為具體例，可舉出作為自週 ，减第7〜u族中所選擇的金屬。其中，較佳為可舉出· 釕、铑、鈀、銀、硒、鐵、銥、翻或金，特佳為鈾、鈀等 又，式㈤中，π ^分別獨立表示氫原子 =燒基^燒基、稀基、氛基、胺基、酿基、烧氧幾基: 烷虱基、烷基胺基、芳烷基胺基、鹵化烷基、羥基、 芳氧基、芳香族烴基或芳香族雜環基。 工土 二V二為碳原子之情況下，"94及R95分別獨立表示由 ^ 及R相同之例示物所示之取代基。又，τ盾； 之情況下，則無R94及R95。 97105278 77 200845809 又R〜R進而可具有取代基。具有取代基之情況下， 其種類並無特別限制，可將任意基作為取代基。 進而R〜R中之任意2個以上基可互相連結而形成 環0 又’相同分子中所存在之R92彼此、R93彼此、R94彼此及 R95彼此可相同，亦可不同。 以

以下表示式（YD )所示之有機金屬^ σ-1、ΊΜ0〜τ_15)，但並不限定於=述3例示物 下化學式中’ Me表示甲基，Et表示乙基。 97105278 78 200845809 [化 34]

用作發光材料之化合物之分子量通常為丨〇 〇 〇 〇以下，較 佳為5000以下，更佳為4000以下，特佳為3〇〇〇以下， 又，通常為100以上，較佳為200以上，更佳為3〇〇以上， 特佳為400以上之範圍。若分子量過低則有時耐熱性明顯 下降，或成為氣體產生之原因，或形成膜時導致膜質下 降’或因遷移等而導致有機電致發光元件之形態發生變 化。若分子量過高則有時難以純化有機化合物，或溶解於 溶劑時需要時間。 、 97105278 79 200845809 再者，有機發光層5可單獨含右* ^ ^ ,,^ 獨3有如上所說明之各種發弁 材料令之任一種，亦可以任意 用。 σ久比率將兩種以上併 :為低分子系電洞傳輸性化合物之例，除了上 :傳：層之電洞傳輸性化合物而例示之各物 外，亦可舉出··以4,4，-、 ^ A ^人士 〇 又"（卜奈基）—N-苯基胺基]聯 m:搭3個以上三級胺並且2個以上縮合芳香 料於氮原子上進行取代而得之芳香族二胺（日本專利特 開^5-234681號公報）、4,4’，4，，_參（1_萘基苯基胺幻 二本基胺等具有星爆結構之芳香族胺化合物（；QUrnal 〇ί

Unn」nescence，1997 年，ν〇1· 72 _ 74, ρρ. 985)、由 二本基胺之四聚物所構成之芳香族胺化合物⑽ =mmUnicati〇ns，1 996 年，ρρ· 2175)、2, 2,，7, 7,—肆—（二 $基胺基螺二»等螺環化合物（Smhetic Metals，1 997 年，ν〇1· 91，ρρ· 2〇9)等。 ( 作為低分子系電子傳輸性化合物之例，可舉出：2, 5- 雙（1-奈基）-1，3,4-畤二唑（BND)，或 2,5-雙（6，-（2,，2” 耳d疋））-1，1一二甲基一3, 4一二苯基矽羅（pyPySPyp〇，或 4, 7-二苯基一；[，1〇一啡啉（Bphen)，或 2, 9一二甲基一4, 7一二 苯基—丨，10—啡啉（BCP，Bath〇Cuprine)、2-(4-聯苯 基）5 (對第二丁基苯基）—1，3,4—崎二 pbd)，或 4,4’-雙（9-咔唑基）-聯苯（CBp)等。 該等電洞傳輸性化合物或電子傳輸性化合物較佳為用 作發光層之主體材料，具體而言可使用如以下之化合物作 97105278 200845809 為主體材料。 [化 35]

^為有機發光層5之形成法，可舉出：濕式成膜法、真 =锻法，如上所述’就容易獲得均質且無缺陷之薄膜; 方面，或縮短用以形成之睹 輸層4利用本發明之有機 、而可“電洞傳 _ 令铖化合物而不溶化之效果的方而 ::層子系材料利用濕式成膜法形成有機 : 式成膜法形成有機發光層5之情況下， 備二:=二上述材料溶解於適當溶劑而製 組成物含)有:成有機發先層5之成分的 4上將其塗佈.成m，進行乾料 層 法’係與上述電洞傳輸層之形成方法二作為其形成方 97105278 81 200845809 :機：光層5之厚度並無限制’較理想的 較佳為20 nm以上’又’通常為测⑽以下，： ::1〇0 M以下之範圍。若有機發光層5過薄，則有時 =光效率下降，或壽命變短，若過厚則有時元件之電壓^ 有機發光層5可製成為由單—層所形成之構成， 芦可η ㈣為後者之情況下，複數 r 為由相同材料所形成之層’亦可為由不同材料所形成 [H -7·電洞阻止層] 於有機發光層5之上形成有電洞阻止層6。 ^同阻止層6係以接近有機發光層^陰極_界面之 =積層於有機發光層5之上，由如下化合物形成：發 軍P止自陽極2移動之電洞到達陰極8之作用，可將自陰 極8所注入之電子有效地傳輸至有機發光層$之方向。 作為構成電洞阻止層6之材料（電洞阻止材料） 之物性’可舉出：電子遷移率高且電洞遷移率低，能隙 HOMO、LUM0之差）大，激發三重位準（T1)高。_ 作為滿足此種條件之電洞阻止材料，例如可舉出·雙G 甲基-一8-羥基喹啉），（苯酚）鋁、雙（2_甲基一 8_羥^喹 啉）’（二苯基矽烷醇）鋁等混合配位子錯合物，雙（2-甲基 -8-喹啉）鋁側氧基_雙_(2_甲基_8_喹啉）鋁二核金^ ^合物等金屬錯合物，二苯乙烯基聯苯衍生物等苯乙婦化 合物（曰本專利特開平U-242996號公報）、3 —(4_聯苯 97105278 82 200845809 基）+苯基-5(4_第三了基苯基）^ 物（日本專利特開平7_4號公報）’，'2二唾等三讀生 聯苯-U0-啡嚇等啡咐街生特—一甲基-4, 7-號公報)。進而，作為電洞：專二特開平1。-79297 讓-022962號公報中揭示之具有至^為國際公開第 代之吡啶環的化合物。 夕個2, 4’6位經取 作為電洞阻止材料之具體例，可舉 的化合物。 下所舉出之結構 [化 36]

:=止材料可單獨使用任—種，亦可以任意組合 及比率將兩種以上併用。 =阻士層6亦可與電洞注入層3或有機發光層5相同 式成膜法而形成，但通常藉由真空蒸鍍法形成。 一二瘵鍍法之順序細節與後述電子注入層7之 電洞阻止層6之厚度並無限制，較理想係通常為〇 = 以上、較佳1 nm以上’又，通常為1〇〇咖以下、較佳 5〇⑽以下之範圍。若電洞阻止層6過薄則有時因電洞‘ 止能力未滿而導致發光效率下降，若過厚則有時元件之電 97105278 83 200845809 壓變高。 再者，電洞阻止層6可製成為由單—居 ^、 亦可製成為積層有複數層之構成。為後者之^成之構、成， 層可為由相同材料所形成之層，亦可A s況下，複數 之層。 了為由不同材料所形成 [Π -8·電子注入層] 於電洞阻止層6之上形成有電子注入層7 電子=層7健揮使自陰極8料二 注入至有機發光層5之作用。 丁’政羊地 ^ 了有效率地進行電子注人，形成電子注人層7 較仏為功函數低之金屬。作為盆 ；斗 屬、相$ ^ " 、，可使用納或絶等驗金 屬鋇或約專驗土類金屬等。 、 該情況下，電子注人層7之厚度較 以上、較佳0.5nm以上，又，通當二係通吊為0·1⑽ ⑽以下之範圍。 、吊為5nm以下、較佳2 進而，於後述之以4 7--贫：a ， 化合物或㈣基㈣之脖ΓΓΛ 等含氮雜環 有機電子傳輸材料中，摻 r々莽士人,^ 野鉋、鐘、物等鹼全Μ (汜载於曰本專利特開平1〇_2 予《金屬 開2002-100478號公報 唬么報、曰本專利特 報等），藉此可提…、利特開2〇〇2一100482號公 因此較佳。门am·傳輪性並兼顧優異之膜質， 該情況下，電子注入居 以上、較佳以上：又“較理想係通常為5⑽ X ’通常為200 nm以下、較佳 97105278 84 200845809 100 nm以下之範圍。

各亥專電子注入層7十u L s 7之材料可單獨使用任一種， 思組合及比率將兩種以上併用。 方可以任 電子注入層7係藉由使用濕式成 層於電洞阻止層6上而形成。 具’、、、鍍去，積 濕式成法之細筋在访 層5之情況相同。係與上迷電洞注入層3及有機發光 =W 鍍法之情況下，將蒸鑛源 於真空容器内之掛鋼或金屬舟中，藉 =叹置 空容器内排氣至UP pa / 田、”工泵將真 熱並使之蒸發，於盘η鋼或金屬舟進行加 、 …、增鋼或金屬舟對向設置之基板丨卜夕 電洞阻止層6上形成電子注入層7。 入層7的驗金屬之蒸鍍，係使用將鉻酸鹼金 屬及逛原劑填充於祕合金线金屬填錢㈣行。料由 於真空容器内對該填充機進行加熱，而使 從而蒸發鹼金屬。 王屬逖原 將有機電子傳輸材料與鹼金屬共蒸鍍之情況下，將有機 電子傳輸材料放人5@ ㈣何t十敌入至设置於真空容器内之坩财，藉由適 田的真空泵將真空容器内排氣至1〇_4 ρ&左右後，同時對 、局及真充私進行力口熱並使之蒸發，於與掛錯及填充機 對向設置之基板上形成電子注入層7。 此時，通常於電子注入層7之膜厚方向均勻地進行共蒸 鍍，但於膜厚方向上即便有濃度可分布亦無妨。 者電子;主入層7可製成為由單一層所形成之構成， 97105278 85 200845809 亦可製成為積層有複數層之構。 層可為由相同材料所形成之】介為後者之情況下’複數 之層。 ^亦可為由不同材料所形成 [Π - 9 ·陰極] 於電子注入層7之上形成有陰極8。 陰極8係發揮將電子注入 注入们或有機發光層5等）之^用^層5側之層（電子 為St:之材料，可使用上述陽極2所使用之材料， “函;:SI:注 銀等，W“人人 J举出.錫、鎂、銦、鈣、鋁、 、，或δ亥專之5金。作為合金之例，可舉出： 至、鎂-銦合金、鋁—鋰合金等。 ’’、’又口 2陰極8之材料可單獨使用任—種，亦 及比率將兩種以上併用。 心、、且σ f極8之厚度並無限制，通常與陽極2相同。 者’陰極8可製成為由單一； 二為積層有複數層之構成。:後;構複成二製 發:ΐ有：=有機電致發光元件100為例，對本 本發明之細節進行說明，但 於上述說明。之a方法的細郎並不限定 例如，本發明之有機裝置為有機電致發光元件之情況 97105278 86 200845809 二：構成並不限制於圖i所示之有機電致發光元件⑽ :構成，可對有機電致發光元件_之構成施加任意變 2變更之例，可舉出：有機電致發光元件1〇〇所且有 ^層的積層順序之變更，或者省略—層或二層以^之 層，附加一層或二層以上之層等。 作為積層順序不同之構^例，可舉出：於基板^將 其他各層以與有機電致發光 、 声之禮# P “相反之順序進行積 f之構成’即’於基板1上依序積層有陰極8、電子注入 、二電洞阻止層6、有機發光層5、電洞傳輸層4、電洞 注入層3及陽極2之構成等。 戶部分層之構成之例，可舉出：省略電洞阻止 曰有機發Μ 5與電子注人層7鄰接設置之構成等。 層之構成之例’可舉出:為了進一步提 主入之效率’且改善有機層整體對陽極2之附著 陽極2與電洞注入層3之間設置陽極緩衝層之構 成^為了保護由低功函數金屬所形成之陰極，而於陰極 由ΓΓ設置功函數高且於大氣中穩定的金屬層（例如 又=、銅、錄、絡、金、翻等所形成之層）之構成等。 亦可或甘發明之有機裝置並不限制於有機電致發光元件， 亦可為其他有機裝置。作為其他有機裝置之例，如上所 電晶體、有機太陽電池、有機發光電晶 r性衣置、有機二極體、有機致動器（馬達等）、 感測11 (壓力、溫度、濕度感測ϋ等）等。不論為任一 97105278 87 200845809 有機裝置，若配置於基板上陽極與陰極之間的複數之有機 層中鄰接之2層，形成為使聚合性化合物聚合而形成之層 (第1層），及含有聚合反應起始劑之層（第2層）即可。 ： 又，本發明之製造方法亦不限制於對圖1之有機電致發 '光元件1〇0進行詳述的方法。若至少具備上述（1)電洞^ 入層用組成物成膜步驟、（2)電洞傳輸層用組成物成膜步 驟、（3)聚合步驟，則其他可根據成為製造對象之本發明 r之有機裝置的構成，施加適當變更而實施。 1 [實施例] 以下，使用貫施例對本發明進行更詳細地說明，但本發 明只要不超過其主旨，則並不限定於以下實施例。 [實施例1] 對Π·5 mmx35 mm(厚度為〇·7 mm)尺寸之玻璃基板，以 利用界面活性劑水溶液之超音波清洗、利用超純水之水 洗、利用超純水之超音波清洗、利用超純水之水洗的順序 、進行清洗後，利用氮吹儀進行乾燥，最後進行紫外線臭氧 清洗。 按照以下順序利用濕式成膜法，於該玻璃基板上形成含 有t合反應起始劑之層。 即，使用含有作為電洞傳輸劑的具有下述式p— 1所示結 構之芳香族胺基之高分子化合物（重量平均分子量： 29400，數量平均分子量·· 126〇〇。以下稱為「化合物 (P-1)」。），及作為吸電子性化合物兼聚合反應起始劑的 下述式A-1所示結構之化合物（以下稱為「化合物（Ay)」。） 97105278 88 200845809 的塗佈液（組成物），利用下述條件進行旋塗。 [化 37]

旋塗條件： 塗佈環境 塗佈液溶劑 塗佈液濃度 大氣中 苯曱酸乙酯 化合物（P -1) 0重量％ 97105278 89 200845809 旋轉塗佈機轉速 方疋轉塗佈機旋轉時間 化合物（A-1) 1500rpm 30秒鐘 〇· 8重量％ 乾燥條件 230°C χ3 小時 藉由上述旋塗，而形成膜厚為3〇 η 聚合反應起始劑之層）。 句句薄膜（含有 繼而，按照以下順序利用濕式成膜法，於 有聚合反應起始劑之層)上形成含有聚合性化合物之芦： 即’使用含有作為聚合性化合物的下述式w所示: 之化合物(以下稱為「化合物ΟΜ)」。）的塗佈液，利用 述條件進行旋塗。 下 [化 39]

Η-1 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 方疋轉塗佈機旋轉時間 大氣中 二曱苯 化合物（Η-1) 2重量〇/0 1500 rpm 30秒鐘 97105278 200845809 “對所獲得之旋塗膜，於大氣中使用高壓水銀燈，以累計 光里為5 J/cm2(365 nra光之能量值）照射肝光。其後， 藉由於大氣中、2〇〇°c下加熱1小時，而獲得2層之合計 厚度為60 nm之均勻積層薄膜（積層有含有聚合反應起始 劑之層與含有聚合性化合物之層的薄膜）。 將形成有該積層薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將 〇_ 2 mL 一甲苯滴下成膜狀，於大氣中、23°C下靜置1〇秒 釦°。其後，進行15〇〇 rpmx30秒鐘之旋塗動作，並使溶劑 乾蚝其後，測定膜厚，結果為6〇 nm。以此種方式來確 認所生成之膜不溶解於二甲苯。 [實施例2 ] 合有聚合反應起始劑之層之形成時，對旋塗膜，使用高 壓水銀燈，以累計光量為5 J/cm2(365 rnn光之能量值）照 射uv一光後，於大氣中、18〇t下加熱i小時，除此之外， 以與實施例1相同之條件，而獲得2層之合計厚度為㈣ 之均勻積層薄膜（積層有含有聚合反應起始劑之層與含 聚合性化合物之層的薄膜）。 將形成有該積層薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將 mL二曱苯滴下成膜狀，於大氣中、23°C下靜置1〇秒 鐘。其後，進行15〇〇rpmx30秒鐘之旋塗動作，使溶^ ^其後，測定膜厚，結果為60 nm。以此種方式來破对、 所生成之膜不溶解於二甲苯。 ^ [實施例3] 含有聚合反應起始劑之層之形成時，對旋塗膜，使用高 97105278 91 200845809 壓水銀燈，以累計光量為5 J/cm2(365 nm光之能量值）昭 射UV光後，於大氣中、150X：下加熱1小時，除此之外、、，、 以與實施例1相同之條件’而獲得2層之合計厚度為6〇nm 之均勻積層薄膜（積層有含有聚合反應起始劑之層 聚合性化合物之層的薄膜）。 、 將形成有該積層薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將 〇:2汕二曱苯滴下成膜狀，於大氣中、23Ϊ下靜置10秒 知。其後，進行15〇〇 rpmx3〇秒鐘之旋塗動作，使溶 燥。其後，測定膜厚，6士 ^ 予、、口果為60 nm。以此種方式來確埤 所生成之膜不溶解於二甲苯。 [比較例1 ] 對Π.5麵35 _(厚度為"_尺寸之玻璃基板，以 7用界面活性麻料之超音波清洗、㈣超純水之水 用超純水之超音波清洗、抑超純水之水洗的順序 月洗後’利用齓吹儀進行乾燥，最後進行紫外線臭氧 >月洗0 按照以下順序利用渴式点赠 士5 …式成膑法，於該玻璃基板上形成含 有聚合性化合物之層。 即，使用含有作為聚合性介人 .^ 注化合物的上述化合物（Η-1)之 塗佈液，利用下述條件進行旋塗。 旋塗條件·β 2重量％ 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 大氣申 二甲苯 化合物（Η-1) 97105278 92 200845809 旋轉塗佈機轉速 1500rpm 旋轉塗佈機旋轉時間 3 0秒鐘 於大氣中、200°C下對所獲得之旋塗膜加熱丨小時，藉 此而後得膜厚為30 nm之均勻薄膜（含有聚合性化合物之 層）。 一將形成有該薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將0· 2 一甲本滴下成膜狀，於大氣中、23t:下靜置10秒鐘。其 後，進行1500 rpmx30秒鐘之旋塗動作，使溶劑乾燥。其 後，測疋胺厚，結果為〇 nm，顯然所有的膜溶解。 [參考例1] 對17.5 mmx35 mm(厚度為〇·7 _)尺寸之玻璃基板，以 =用界面活性劑水溶液之超音波清洗、利用超純水之水 進水之超音波清洗、利超純水之水洗的順序 清洗7、<彳彳用氮吹儀進行乾燥，最後進行紫外線臭氧 ί 有取人hi序利用濕式成膜法，於該玻璃基板上形成含 有水合性化合物及聚合反應起始劑之層。 及作為作為聚合性化合物的上述化合物（H—1)， 的淨佈、:％j;起始劑的汽巴精化製造之Irgacure651 的金佈液，利用下述條件進行旋塗。 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 大氣中 二甲笨 化合物（Η-1) 1· 9重量％ 97105278 93 200845809 卜 Irgacure651 〇· 1 重量％ 旋轉塗佈機轉速 1500 rpm 旋轉塗佈機旋轉時間30秒鐘 ▲對?獲得之旋塗膜，於大氣卜使用高-水銀燈，以累 ^光i為5 J/cm2(365 nm光之能量值）照射uv光。其後， 藉由於士氣中、18Gt下加熱1小時，而獲得膜厚為 之均勻薄膜（含有聚合性化合物及聚合反應起始劑之層）。 一將=成有該薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將0.2汕 厂甲4滴下成膜狀，於大氣中、23〇c下靜置1〇秒鐘。其 後進行15〇〇 rpmx30秒鐘之旋塗動作，使溶劑乾燥。其 後+测疋膜厚，結果為3〇 nm。以此種方式來確認所生成 之膜不溶解於二曱苯。 [參考例2] 含有來合性化合物及聚合反應起始劑之層之形成時，對 旋塗=:使用高壓水銀燈’以累計光量為5 J/cm2(365 nm 光此里值）知射UV光後，於大氣中、15 〇 °c下加熱1小 時，除此之外’以與後述比較例2相同之條件，而獲得膜 厚為30 nm之均勻薄膜（含有聚合性化合物及聚合反應起

將也成有遠薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將〇 2 mL 二甲苯滴下成膜狀，於大氣中、23°C下靜置10秒鐘。其 後，進行1500 rpmx3〇秒鐘之旋塗動作，使溶劑乾燥。其 後，测定膜厚，結果為3〇 nm。以此種方式來確認所生成 之膜不溶解於二甲苯。 97105278 94 200845809 [結果] 根據以上結果可明瞭，以含有聚合反應起始劑之層與含 有聚合性化合物之層鄰接之方式而形成層的實施例1〜3 中’獲得與形成含有聚合反應起始劑及聚合性化合物兩者 之層的參考例1、2相同的藉由聚合反應而提高膜之耐溶 劑性的效果。 [實施例4 ] 除了以如下之方式將含有聚合性化合物之層的形成條 右=行，更之外，以與實施例1相同之條件，而獲得積層 广t有聚合反應起始劑之層與含有聚合性化合物之層的 之:合二聚合性化合物的下述式H-2所示結構 述條件進行= 冉為化合物㈣」。）的塗佈液，利用下 [化 40]

大氣中 二曱笨 塗佈環境 溶劑 97105278 95 200845809 塗佈液濃度 化合物（H-2) 2重量％ 旋轉塗佈機轉速 15()()n)m 旋轉塗佈機旋轉時間30秒鐘 對所獲知之旋塗膜，於大氣中，使用高壓水銀燈，以累 j光1為2 J/Cm2(365 nm光之能量值）照射UV光。其後， 藉由於大氣中、150°C下加熱1小時，而獲得2層之合計 厚度為69 nm之均勻積層薄膜（積層有含有聚合反應起始 Μ之層與含有聚合性化合物之層的薄膜）。 將形成有邊積層薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將 mL二甲苯滴下成膜狀，於大氣中、23°C下靜置1〇秒 名里八後進行1500 rpmx30秒鐘之旋塗動作，使溶劑乾 、喿’、後測疋膜厚，結果為6 9 nm。如此，確認所生成 之膜不溶解於二甲苯。 [實施例5 ] 對17.5 mmx35随（厚度為〇.7 mm)尺寸之玻璃基板，以 利用界面活性劑水溶液之超音波清洗、制超純水之水 洗、利用超純水之超音波清洗、制超純水之水洗的順序 進行清洗後，制氮吹儀進行乾燥，最後進行紫外線臭氧 按照以下順序利用濕式成膜法，於該玻璃基板上形成含 有聚合反應起始劑之層。 即，使用作為電洞傳輸劑的上述化合物（p—丨），作為浐 合反應起始劑的上述化合物(Α_υ ’及作為聚合反應起： 劑的汽巴精化製造之IrgaGure65卜利用τ述條件進行旋 97105278 96 200845809 塗0 旋塗條件： 塗佈環境 大氣中 塗佈液溶劑 苯甲酸乙酯 塗佈液濃度 化合物（P-1) 2· 〇重量％ 化合物（A-1) 〇· 8重量％ 旋轉塗佈機轉速 Irgacure651 1500rpm 〇· 2重量％ 旋轉塗佈機旋轉時間 30秒鐘 乾燥條件 230°C x3 小時 聚合反應起始劑之層）。…、η句勻薄膜（含有 按照以下順序利用濕式成膜法，於 ，合反應起始劑之層)上形成含有聚合性化合物之層 4夜：含有作為聚合性化合物的上述化合物㈣之 塗佈液，利用下述條件進行旋塗。 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 .旋轉塗佈機旋轉時間 大氣中 二甲苯 化合物（Η-2) 15〇〇rpm 30秒鐘 2重量％ 對所獲得之旋塗膜，於大氣 # #曰A。T/ 乱中，使用高壓水銀燈，以累 汁光1為5 J/cm2(365 nm #夕处曰 光之犯1值）照射UV光。其後， 97105278 97 200845809 ，由於大氣中、18Q°C下加熱1小時，而獲得2層之合計 旱度為69 nm之均勻積層薄膜（積層有含有聚合反應起始 劑之層與含有聚合性化合物之層的薄膜）。 :y成有σ亥積層薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將 • 2此—甲笨滴下成膜狀，於大氣中、23°C下靜置1 〇秒 。八，進行1 500 rpmx30秒鐘之旋塗動作，使溶劑乾 ' 八後測疋膜厚’結果為69 nm。如此，確認所生成 之膜不溶解於二甲苯。 {[參考例3 ] 皆· 5随χ35 mm(厚度為〇· 7 mm)尺寸之玻璃基板，以 界面活f生刻水〉谷液之超音波清洗、利用超純水之水 洗、利用超純水之超音波清洗、利用超純水之水洗的順序 進仃清洗後，利用氮吹儀進行乾燥，最後進行紫外線臭氧 清洗。 按…、以下順序利用濕式成膜法，於該玻璃基板上形成含 I有聚合性化合物及聚合反應起始劑之層。 即，使用含有作為聚合性化合物的上述化合物， 及作為聚合反應起始劑的汽巴精化製造之Irgacure651 的塗佈液，利用下述條件進行旋塗。 旋塗條件： 大氣中 二甲苯 化合物（H-2) 1· 9重量％ Irgacure651 〇· 1 重量％ 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 97105278 98 200845809 旋轉塗佈機轉速 15〇〇 rpm 旋轉塗佈機旋轉時間 30秒鐘 對所獲得之旋塗膜，於大氣中使用高壓水銀燈，以累計 光！為5 J/cm2(365 nm光之能量值）照射肝光。其後， 藉由於=氣中、18(TC下加熱！小時，而獲得膜厚為39nm 之均勻薄膜（含有聚合性化合物及聚合反應起始劑之層）。 一將形成有該薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將〇 . 2乩 /一甲苯滴下成膜狀，於大氣中、23t下靜置1〇秒鐘。其 後，進行1500 rpmx3〇秒鐘之旋塗動作，使溶劑 豆 後，測定膜厚，結果為30⑽。以此種方式來確認所生成 之膜不溶解於二甲苯，且化學穩定性提高。 [結果] 人根據以上之結果可明瞭’以含有聚合反應起始劑之層與 2聚合性化合物之層鄰接之方式而積層形成的實施例4 二e例5令’獲知與形成含有聚合反應起始劑與聚合性 =兩者之層的參考例3相同的藉由聚合反應而提高 膜之耐溶劑性的效果。 [實施例6] 元ϋ用以下方法製造具有目3所示結構之有機電致發光 1之卜^巾的光心㈣技術及鹽酸糾，將於玻璃基板 ^隹賴.錫氧化物（ΙΤ0)透明導電膜成15〇⑽厚度 圖宰二化各Λ空公司製造’賤鐘成膜品；薄片電阻為Μ)， 圖案化成2_寬度之條狀，從而 97105278 99 200845809 對將該陽極2進行圖案形成之IT〇基板卜以利用丙_ 之超音波清洗、利用純水之水洗、利用異丙醇之超音波清 洗的順序進行清洗後，利用氮吹儀進行乾燥，最後進行紫 外線臭氧清洗。 ” 、按照以下順序利用濕式成膜法，於該陽極2上形成電洞 注入層3。

使用含有作為電洞注入層3之材料的上述化合物（p—D 及上述化合物（A-1)之塗佈液，利用下述條件進行旋 旋塗條件： 塗佈環境 塗佈液溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 藉由上述旋塗，而於陽極 薄膜（電洞注入層3 )。 大氣中 苯曱酸乙酯 化合物（P-1) 2· 0重量％ 化合物（A-1) 〇·8重量％ 1500rpm 30秒鐘 230°Cx3 小時 2上形成膜厚為3〇⑽之均句 於該電洞注入層 繼而，按照以下順序利用濕式成膜法 3上形成電洞傳輸層4。 使用含有作為電洞傳輸層4之 之塗佈液，利用下述條件進行旋塗㈣上这化“勿如) 旋塗條件： 塗佈環境 氮氣手套工作箱中 97105278 100 200845809 二甲苯 化合物（H〜2) i重量％ 1500rpm 30秒鐘 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 將所獲得之旋塗膜於氮氣手套工作箱 熱！小時’藉此_臈厚為18 n == 口 輸層4)。 J刁溥Μ (電洞傳 繼而，按照以下順序利用渴 4上形成發光層5。 "、、'成臈法’於該電洞傳輪層 使用含有作為發光層5之鉍 …、 示結構之化合物(以下分別稱為「化下4勿式及式Ε-2所 物（Ε-2)」。），及下述式D 化口物（Η)」及「化合 為「化合物cd-u」。：># τ、、q構之銀錯合物（以下稱 [化41] 利用下述條件進行旋塗。

97105278 101 200845809 [化 42]

[化 43]

旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 氮氣手套工作箱中 二曱苯 化合物（E-l) 1· 0重量％ 化合物（E-2) 1· 0重量％ 97105278 102 200845809

化合物（D-1) 0 1重暑Y 旋轉塗佈機轉速1500 rpm . 旋轉塗佈機旋轉時間3〇秒鐘 乾燥條件 拉 ΜΟΙχθΟ分鐘（減壓下） 層5曰）。ν疋土而形成膜厚為40 nm之均勻薄膜（發光 氣之直至上述發光層5為止的基板，以不暴露於大 r 祝<万式搬入至鱼氣畜 八 蒸鍍裝置之;工乍箱連結的多腔室型真空 Uf Pa後/鍍腔室内，將裝置内排氣至真空度為 阻止層6及電子僂=以下順序利用真_ 〇夂罨子傳輸層9成膜。 5上積層下度:〇.07〜〇. 1 nm/秒鐘’於上述發光層 「化合二ηβΊ_1所示結構之吡啶衍生物(以下稱為 層6。基二Si至，厚達到5,從而形成電洞阻止 “、、鑛時之真空度為3 5χ1〇_5心 1·化 44]

繼而，於電洞阻止層 所示結構之鋁之8_勤技a ，同樣地蒸鍍下述式ET-1 & 土 °圭啉錯合物（以下稱為「化合物 97105278 103 200845809 蒸鍍時之真空度 〇· 11 nm/秒鐘， (ΕΤ-1)」），藉此而形成電子傳輸層9 為3· 1〜3· 2x1 (Γ5 Pa，蒸鍍速度為〇· 〇9 膜厚為30 nm。 [化 45]

9時的基板溫 真空蒸鍍上述電洞阻止層6及電子傳輸層 度係保持為室溫。 此處，將形成有直至電子傳輸層9為止的各層之元件， :真空中自上述多腔室型真空蒸鍍裝置之有機層蒸鍍腔 =搬送至金屬蒸鏟腔室，使作為陰極蒸鍍用遮罩的2丽 寬度之條狀遮蔽罩，以與陽極2 t ITG條狀正交之方式密 接於元件，進行排氣直至裝置内之真空度達到4 〇χΐ〇_5二 以下後’按照以下順序利用真空蒸鍍法，形成由電子注入 層7與陰極8所構成之2層型陰極。 立首先，使用鉬舟，以蒸鍍速度為0.015〜0·〇14 nm/秒 釦真工度為4· 9〜5· 2x1 (Γ5 pa，於電子傳輸層9上將氟 化鋰（LiF)成膜至膜厚達到〇· 5 nm，從而形成電子注入層 97105278 104 200845809

其次，同樣地利用翻舟進行加熱’以蒸鑛速度為〇卜 1.3 nm/秒鐘、真空度為7.5〜9·1χ1(Γ5 %，於電子主入 層7上將銘成膜至膜厚達到85⑽，從而完成陰極i 以上2層型陰極蒸鍍時之基板溫度保持為室溫。 將形成有直至陰極8為止之各層而獲得的元件，於氮氣 環境中，與於外周部㈣寬度約丨Μ之料線硬化性樹 脂（ThreeBond公司製造之FPD用密封劑3丨24)、並於中心 貼附有吸濕劑（Dynic公司製造之有機乩用水分集氣劑 HD-S050914W-40)的玻璃板，以吸濕劑貼附面及元件蒸鍍 面分別成為㈣之方式貼合。其後，僅對紫外線硬化性樹 脂塗佈部周邊照射紫外光而使樹脂硬化。 按照以上順序’而獲得具有2 _χ2 _尺寸之發光面積 部分的有機電致發光元件（實施例6之元件）。 、 對=實施例6之元件連續通電電流密度為25〇心允〆 之直流電，結果通電開始時顯示30080 cd/m2、通電20秒 鐘後顯示24470 cd/m2之綠色發光。 又，對實施例6之元件之發光光譜進行測定，結果其極 大波長為513 nm，鑑定為來自銥錯合物（D-1)者。 又，實施例6之元件之色度為CIE(x，y)=(〇.31，〇 62> [比較例2] 除了利用以下所示之方法將電洞傳輸層4進行成膜之 外’以與實施例6相同之方式製造有機電致發光元件。 使用含有作為聚合性化合物的化合物（H-2)，及作為聚 97105278 105 200845809 合反應起始劑的汽巴精化製造之irgacure651的塗佈 液’按照以下順序利用濕式成膜法，於利用與實施例6相 同之方法而將電洞注入層3成膜之IT〇基板上進行旋塗。 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 氮氣手套工作箱中 二甲苯 化合物（H-2) 0· 95重量％ Irgacure651 0.05 重量％ 1500 rpm 旋轉塗佈機旋轉時間 30秒鐘 對所獲得之旋塗膜，於氮氣手套工作箱中，使用高壓水 銀燈’以累計光量為5 J/cm2(365 nm光之能量值）照射UV 光。其後’藉由於大氣中、12(rc下加熱1小時，而獲得 膜厚為18 nm之均勻薄膜（電洞注入層3)。 知7 “?、以上順序’而獲得具有2 mmx2 mm尺寸之發光面積 ί部分的有機電致發光元件（比較例2之元件）。 對該比較例2之元件，連續通電電流密度為250 mA/cm2 之直流電’結果通電開始時顯示29720 cd/m2、通電20秒 鐘後顯示21170 cd/m2之綠色發光。 又，對比較例2之元件之發光光譜進行測定，結果其極 大波長為512 nm ’鑑定為來自銥錯合物（D-1)者。 [結果] 又’比較例2之元件之色度為CIE(x，y)=(0.30,0.63)。 於下述表1中總結實施例6及比較例2之元件的發光特 97105278 106 200845809 性0 表1 250 mA/cm2 通電 開始時之亮度 [cd/m2] 250 mA/cm2 通電 20秒鐘後之亮度 [cd/m2 ] 將，電20秒鐘後 之免度除以通電開 始時之亮度所得的

根據表1明確可知，積層有含有聚合反應起始劑之電洞 注入層，與含有聚合性化合物之電洞傳輸層的實施例6之 几件，與具有含有聚合反應起始劑及聚合性化合物兩者之 電洞傳輸層的比較例2之元件相比，係連續通電時之亮度 下降較少，且更穩定之元件。 [實施例7] 對37.5 mmx25 mm(厚度為〇 7咖）尺寸之玻璃基板以 利用界面活性劑水溶液之超音波清洗、利用超純水之水 洗、利用超純水之超音波清洗、利用超純水之水洗的順序 ^丁清洗後，湘氮吹儀進行賴，最後進行料線臭氧 ::以：順序利用濕式成臈法，於該玻璃基板上形成含 有聚合反應起始劑之層。 即’使用含有作為電洞傕於 „ ^ , 电…得翰材枓的上述化合物（P-1)， 及作為吸電子性化合物兼臂 4丨物录承δ反應起始劑的上述化合物 1)之&佈液，利用下述條件進行旋塗。 旋塗條件： 塗佈環境 大氣中 97105278 107 200845809 塗佈液溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉迷 旋轉塗佈機旋轉g寺g 乾燥條件 藉由上述旋塗，而形成膜 聚合反應起始劑之層）。 苯曱酸乙酯 化合物（P-1) 2·0重量％ 化合物（Α-1) 〇·8重量％ 1500 rpm 30秒鐘 230°Cx3 小時 b 30 nm之均勻薄膜（含有

繼而’按照以下順序利用、、蟲士、 只汴扪用濕式成膑法，於上述薄膜（含 有聚合反應起始劑之層）上形成含有聚合性化合物之層。 即，使用含有作為聚合性化合物的下述結構式h—3所示 化合物（重量平均分子量1 00000 ;以下稱為「化合物 (H - 3)」。）之塗佈液，利用下述條件進行旋塗。 [化 46]

旋塗條件： 塗佈環境 氮氣中 溶劑 曱笨 97105278 108 200845809 塗佈液濃度 化合物（H-3) 1.0重量％ 旋轉塗佈機轉速 1500 rpm 旋轉塗佈機旋轉時間 30秒鐘 “對所獲得之旋塗膜’於氮氣中、2〇rc下加# i小時， 精此=獲得2層之合計厚度為8〇⑽之均勻積層薄膜（積 層有含有聚合反應起始劑之層與含有聚合性化合物之層 的薄膜）。 :/成有σ亥知層薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將 〇· 2 mL—甲苯滴下成膜狀，於大氣中、23 °C下靜置10秒 知。其後，進行1500 rpmx30秒鐘之旋塗動作，使溶劑乾 、木八後，測定膜厚，結果為80 nm。如此，確認所形成 之膜不溶解於二甲苯。 [比較例3 ] ，對37.5 _X25 _(厚度為〇·7 mm)尺寸之玻璃基板，以 利用界面活性劑水溶液之超音波清洗、利用超純水之水 先利用起純水之超音波清洗、利用超純水之水洗的順序 進仃α洗後，利用氮吹儀進行乾燥，最後進行紫外線臭氧 清洗。 知照以下順序利用濕式成膜法，於該玻璃基板上形成含 有聚合性化合物之層。 即’使用含有作為聚合性化合物的化合物（Η_3)之塗佈 液，利用下述條件進行旋塗。 旋塗條件： 氮氣中 塗佈環境 97105278 109 200845809 塗佈液濃度 化合物（Η—3) 1· 0重量％ 旋轉塗佈機轉速 1500 rpm 旋轉塗佈機旋轉時間 30秒鐘 對所獲得之旋塗膜，於氮氣中、2〇(rc下加熱丨小時， 藉此而獲得膜厚為50 nm之均勻薄膜（僅積層有含 人 性化合物之層的膜）。 ,來曰 將形成有該薄膜之基板安放於旋轉塗佈機上，將〇· 2汕 ^曱苯滴下成膜狀，於大氣中、23t：下靜置1〇秒鐘。其 後，進行1500 rpmx3〇秒鐘之旋塗動作，使溶劑乾燥。^ 後，測定膜厚，結果為3〇 nm，顯然所形成之聚合性化合 物之膜並非完全不溶解。 [實施例8] 利用以下方法製造圖3所示之有機電致發光元件。 使用通常的光微影蝕刻技術及鹽酸蝕刻，將於玻璃基板 1 一上^堆積銦·錫氧化物（IT0)透明導電膜成12〇 nm厚度者 (三容真空公司製造，濺鍍成膜品），圖案化成2 _寬度 之條狀，從而形成陽極2。 、、對將該陽極2進行圖案形成之ΙΤ0基板1，以利用界面 么丨生背i水/合液之超音波清洗、利用超純水之水洗、利用超 /屯尺之，θ波清洗、利用超純水之水洗的順序進行清洗 後二=壓縮空氣進行乾燥，最後進行紫外線臭氧清洗。 、按…、以下順序利用濕式成膜法，於該陽極2上形成電洞 注入層3。 97105278 110 200845809 首先，製備含有化合物（P—，化合物（Α-υ，作為聚合 反應起始劑的下述結構式（Α—2)所示化合物（以下稱為「化 合物（Α-2)」），及苯甲酸乙酯之塗佈液。使用該塗佈液， 利用下述條件於陽極2上進行旋塗。 [化 47]

旋塗條件： 塗佈環境 塗佈液溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 藉由上述旋塗，而於陽極 薄膜（電洞注入層3)。 大氣中 苯甲酸乙酯 化合物（Ρ-1) 2· 0重量％ 化合物（Α-1) 〇· 8重量％ 化合物（Α-2) 0· 2重量％ 1500 rpm 30秒鐘 230°Cxl 小時 上形成膜厚為3 0 nm之均句 繼而，按照以下順序利用濕式成膜法，於該電洞注入爲 3上形成電洞傳輸層4。 曰 製備含有作為電洞傳輪層4之材料的以下結構式 斤丁有機化合物（重s平均分子量為;以下稱為「化 97105278 111 200845809 合物（H-4)」）之塗佈液。使用該塗佈液，利用以下條件 行旋塗。 $ [化 48]

塗佈環境 氮氣中 £ 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 方疋轉塗佈機旋轉時間 對所獲得之旋塗膜，於氮 此而獲得膜厚為20 nm之均 繼而，按照以下順序利用 4上形成發光層5。 曱苯 化合物（H-4) 〇·4重量％ 1500 rpm 30秒鐘 7、2 0 0 °C下加熱1小時，藉 3薄膜（電洞傳輸層4)。 (式成膜法，於該電洞傳輸層 使用作為發光層5之鉍μ L $ Λ 材枓的上述化合物（E— 1 )、化合物 (E-2)及化合物（D-1)而势借泠&化口物 衣備塗佈液。使用該塗佈液，利用 下述條件進行旋塗。 w优〜用 旋塗條件·β 氮氣中 塗佈環境 97105278 112 200845809 溶劑 塗佈液濃度 二甲苯 化合物（E—1) 1· 8重量％ 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 化合物（E-2) 〇·2重量％ 化合物（D-1) 〇·；[重量％ 1500 rpm 30秒鐘 ^ 13 0 °C X1 小時 層Γ)由上述方疋塗’而形成膜厚為40 nm之均勻薄膜（發光 二=内了直Γ述發光…止各層的基板移至直空 洛鑛衣置内’利用油旋轉泵進行裝用 冷泵進行排氣，直至I 钾轧後使用極 且主衣置内真空度達到2 41 4 後，以蒸鍍速度為0.7〜0 A a以下 至膜厚逵刭R .8 A/❼釦知層上述化合物（HB-1) ^ λ η"1，從而形成電洞阻止層Θ。蒗 為2. 4〜2. 7χ1(Τ Pa。 …鍍吟異二度 :而，同:地將上述化合物(είμ)蒸鍍於電洞6 !l6x^ nm 心讀速度為^〜UA/秒鐘，膜厚為30 一此，，將進行到直至電子傳輸層9為止之基鑛的元件， 一旦自上述真空蒸鍍裝置内取出至 蒸鍍用遮罩的2mm寬度 _ /將作為陰極

^ ^ τ - ^ ^ 俅狀延敝罩，以與陽極2之ITO 條狀正父之方式與元件密接， 內，以盥右Μ昆士 *工叹置於其他真空蒸鍍裝置 心、有枝層相同之方式進行排氣，直至裝置内之真空 97105278 113 200845809 度達到6· 4x1 Ο—4 pa以下。 首先，使用鉬舟，以蒗铲穿 命声焱q 9 a n “、、鍍速度為〇· 1〜〇·4 A/秒鐘、真 輸層9上至膜焊η 于鼠化鋰（LiF)成膑於電子傳 ^至料達到〇.5⑽，從而形成電子注入層7。 ί3·3Α /移姜里、直空*立9〇 λ 、 —膜；達到80 nm，從而形成陰極8。 以上2層之蒸鑛時的基板溫度係保持為室溫。 劣：二t了防止元件於保管過程中因大氣中之水分等而 利用以下所揭示之方法進行密封處理。 於氮氣手套卫作箱中，於23_χ23_尺寸之玻璃板之 、周部，塗佈約1 mm寬度的光硬化性樹脂（ThreeBond股 ^有限a司製造之3QY—437)，並於甲央部設置水分 薄片（Dynic股份有限公司製造）。於其上，將陰極形成結 束之基板，以經洛鍍之面與乾燥劑薄片對向之方式進行貼 口其後，僅對塗佈有光硬化性樹脂之區域照射紫外光， 而使樹脂硬化。 】用以上方式，而獲得具有2 _x 2 mm尺寸之發光面積 部分的有機電致發光元件。將所獲得之元件之特性示於表 2 ° [比較例4 ] ^除了利用以下所示之方法形成電洞傳輸層4之外，以與 貫施例8相同之方式製造圖3所示之有機電致發光元件。 製備含有具有聚合性基之化合物（H-4)、及作為聚合反 97105278 114 200845809 應起始劑的下述結構式（A—3)所示化合物（以下稱為「化合 物（A-3)」）之塗佈液，利用下述條件藉由旋塗而成膜，形 成膜厚為20 nm之薄膜（電洞傳輸層4)。 [化 49]

〇 〇二〇 Me 3:1 A-3 2部分的有機電致發光元件:將所獲得之:件:特之=表積 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 方疋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 利用以上方式，而獲得具有 氮氣中 甲苯 化合物（H-4) 〇·4重量％ 化合物（Α-3) 〇· 08重量％ 1500rpm 30秒鐘 200°C xl 小時 :x2職尺寸之發光面積 97105278 115 200845809

根據表2明確可^ . ^ _ 注入層、盥含有取人祕貝g 3有聚合反應起始劑之電# 有機電致；光-:化合物之電洞傳輸層的實施例8之 f: 應起始劑‘者：電層有含有聚合性化合物及聚合及 獲傳輸層的比較例4之元件相比較，可 [實施例9] 更％疋之兀件。 除：用以下所示之方法形成電洞注入層3之外，以與 同之方式製造圖3所示之有機電致發光元件。 二！ 合物0^1)、化合物(Α-1)、作為聚合反應起 4 6、化合物（Α-3)、及苯甲酸乙醋之塗佈液，利用下述 ::牛藉由旋塗而於陽極2上成膜，形成膜厚為—之薄 Μ (電洞注入層3)。 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 大氣中 本曱酸乙酉旨 化合物（Ρ-1) 2·〇重量％ 化合物（A-1) 〇· 8重量％ 化合物（Α-3) 〇· 2重量％ 1500 rpm 97105278 116 200845809 旋轉塗佈機旋轉時間 30秒鐘 乾燥條件 23(TCxl小時 利用以上方式，而獲得具有2麵2随尺寸之發 部分的有機電致發光元件。將所獲得之元件之特性示於= 3 〇 [比較例5 ] 除了以如下之方式形成電洞傳輸層4之外，以 9相同之方式製造圖3所示之有機電致發光元件 製備含有具有聚合性基之化合物（H_4)、及 應起始劑的化合物（A_3) 為♦ 5反 U 之塗佈液，利用下述條件藉由旌 主而成膜’形成膜厚為2G nm之薄膜（電洞傳輸層 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 氮氣中 甲苯 化合物（H-4) 〇·4重量％ 化合物（Α-3) 〇· 〇8重量％ 1500 rpm 30秒鐘 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 。 2 0 0 C X1小時 利用以上方式，而緙 焱传具有2 mmx2 mm尺寸之發井面乒 部分的有機電致發# _ μ 』尤面積 3。 ；先兀件。將所獲得之元件之特性示於表 97105278 117 200845809 表3 (纟支71 M J士 0 r 標準化驅動壽命 --- (自初始值2500 Cd/m2降低至2000 cd/m2為，卜、 --!莖^較例5為1) ； 1. 27

1 00 cd/m2 時 之電流效率 [cd/Al ~2ΤΓΤ 祆：表3明確可知，積層有含有聚合反應起始劑之電洞 ’含有聚合性化合物之電洞傳輸層的實施例 =電致發光元件，與積層有含有聚合性化合物及聚合反 始劑兩者之電洞傳輸層的比較例5之元件相比較，可 二付效率較高’驅動時亮度下降較小，更穩定之元件。 [實施例1 〇 ] 除了利用以下所示之方法形成電洞注入層3 貫施例8相同之方彳制、生闻Q & — 以 制 之方式衣仏圖3所不之有機電致發光元件。 衣3有下述結構式（Ρ—2)所示高分子化合物（重量平 ==6_;以下稱為「化合物(”)」）、作為聚合 田μ、、口 d的化合物（Α一3)、及苯曱酸乙酯之塗佈液，利 之I 件藉由旋塗而於陽極2上成膜，獲得膜厚為30 nm 之溥胰（電洞注入層3)。 97105278 118 200845809 [化 50]

大氣中 甲苯 化合物（P-2) 〇·7重量％ 化合物（A-3) 〇· 15重量％ 1500 rpm

旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 30秒鐘 乾燥條件 23(TCxl小時 利用以上方式’而獲得具有2 mmx2 mm尺寸之發光面 部分的有機電致發卉开技时^ ^〜 ^ 乂九兀件。將所獲得之元件之特性示於表 [比較例6] 一除了利用以下所示之方法形成電洞傳輸層‘之外，以與 貫施例1G相同之方式製造圖3所示之有機電致發光元件 製備含有具有聚合性基之化合物（H-4)、及作為聚合反 97105278 119 200845809 應起始劑的化合物（A —3 )之塗佈液，利用下述條件莽由於 ^而成膜形成膜厚為2〇 nffl之薄膜（電洞傳輸層4)。 旋塗條件： 塗佈環境 氮氣中 部分的有機電致發光元件。將所獲得之元件之純示於^ 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 利用以上方式，而獲得具有 甲苯 化合物（H-4) 0.4重量％ 化合物（Α-3) 〇·〇8重量％ 1500 rpm 3 0秒鐘 200°Cxl 小時 _x2 mm尺寸之發光面積

根據表4明確可知，籍Μ 知層有含有聚合反應起始劑之電洞 注入層、與含有聚合性化 ^ ^ 『化合物之電洞傳輸層的實施例10 之有機電致發光元件，鱼共场士人 C⑯4 u N ，、知層有含有聚合性化合物及聚合 反應起始劑兩者之電洞值 較，可獲得效率較高:心比：例6之元件相比 勒日f π度下降較小，更穩定之元 件0 97105278 120 200845809 [實施例ll] 除了利用以下所示之方法形成電洞注入層3之外，以與 實施例8相同之方式製造圖3所示之有機電致發光元件。 製備含有化合物（p—1)、化合物（A-1)、作為聚合反應起 始劑的下述結構式（A—4)所示化合物（以下，稱為「化合物 (A-4)」）、及苯曱酸乙酯之塗佈液。利用下述條件藉由旋 塗而將该塗佈液成膜於陽極2上，獲得膜厚為30 nm之薄 膜（電洞注入層3)。 Λ ( [化 51]

旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉逮 旋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 大氣中 苯曱酸乙酯 化合物（Ρ-1) 2· 0重量％ 化合物（Α-1) 0.8重量％ 化合物（Α-4) 0·2重量〇/0 1500 rpm 30秒鐘 230°C xl 小時 97105278 121 200845809 利用以上方式，而獲得具有2 mmx2 mm尺寸之發光面積 部分的有機電致發光元件。將所獲得之元件之特^ = 5。 小炎表 [比較例7 ] —除了利用以下所示之方法形成電洞傳輸層4之外，以與 實，例11相同之方式製造圖3所示之有機電致發光元件、。 製備含有具有聚合性基之化合物（H—2)、及作為聚合起 始，的化合物（A-3)之塗佈液，利用下述條件藉由旋塗而 成膜，形成臈厚為20 nm之薄膜（電洞傳輸層4)。 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 氮氣中 曱苯 化合物（H-2) 〇· 4重量0/〇 化合物（A-3) 〇· 08重量％ 1500 rpm 30秒鐘 200°Cxl 小時 利用以上古斗，1 乂让 立八 万式而獲得具有2 mmx2 mm尺寸之發光面積 :刀的有機電致發光元件。將所獲得之元件之特性示於表 5 ° 97105278 122 200845809 表5 2500 之驅動電壓 [V] ~~ ^ "¥^_化驅動壽命 — (自初始值2500 Cd/m2降低至1 500 cd/m2為止） 實施7列11 ____(設比較例7為1) _ 比較例7 ΓοΓΓ^----——— ΓΓ68 '^— ——-—_______ -----—_________^ 、«表5明確可知’積層有含有聚合反應起始劑之電洞 注入層、與含有聚合性化合物之電洞傳輸層的實施例U 之有機電致發光it件，與積層有含有聚合性化合物及聚合 Γ反應起始劑兩者之電洞傳輸層的比較例7之元件相2 較，可獲得提供相同發光亮度之驅動電壓較低，且驅動時 亮度下降較小，更穩定之元件。 [實施例12] (QA測定用試料之製造） 對37.5賴x25 mm(厚度為〇·7咖）尺寸之π〇基板以 利用界面活性劑水溶液之超音波清洗、利用超純水之水 〆洗、利用超純水之超音波清洗、利用超純水之水洗的順序 、進行清洗後，利用氮吹儀進行乾燥，最後進行紫外線臭氧 按照以下順序利用濕式成膜法，於該玻璃基板上形成含 有聚合反應起始劑之層。 即’使用含有化合物（P-1}、作為吸電子性化合物兼聚 合反應起始劑的化合物（Α_υ之塗佈液’利用下述條件進 行旋塗。 旋塗條件： 97105278 123 200845809 塗佈環境 塗佈液溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 大氣中 苯曱酸乙酯 化合物（P-1) 2· 〇重量％ 化合物（A—1) 0· 8重量％ 1500 rpm 30秒鐘 “乾燥條件 23(TCx3小時

藉由上述旋^而形成膜厚為⑽之均句薄膜（含有 聚合反應起始劑之層）。將其作為QA測定用試料。、 (藉由XPS測定而算出QA) X射線光電子分光裝 以上述方式所製造的 使用ULVAC-ΡΗΙ公司製造之掃描型 置QUANTUM2000，利用以下方式，對 QA測定用試料進行xps測定。 首先’將25mmx37,5ram尺寸之基板之中央部裁剪切出 mm見方左;#使用開孔為工〜2丽少之鉬製遮罩，將 QA測定用試料安放於試料固持器上。作為測定用X射線 源，使用通過早光儀之A1之U線（能量為1486. 6⑼， 設加速電壓為16 kV，功率為34 w，進行測定。 使用ULVAC-PIH公司製造之随⑴邮町8 〇 ,對所測 定之資料進行解析，將碳與氟之最強波峰面積除以靈敏度 校正係數，藉此而求出與碳、氟原子數成比例之量。根據 該經計算之化合物（IM)之分子量（係具有錢單位之化 合，，^使用重複單位之分子量）、及化合物（㈣之分 子里，而异出QA測定用試料（含有聚合起始劑之層）表面 97105278 124 200845809 部的化合物（A-1)之分子數相對於化合物（p—丨）之分子數 (重複單位之數）的比例QA為44. 60%。 (QB測定用試料之製造） 按照以下順序利用濕式成膜法，於QA測定用試料之薄 膜（含有聚合反應起始劑之層）上形成含有聚合性化合物 之層。 即 液，

薄而獲得2層之合計厚度為5g nm之均句積層 、貝g 3有聚合反應起始劑之層與含有聚合性化合 物之層的薄膜）°將其作為QB測定用試料。 (藉由XPS測定而算出⑽） ，使用含有作為聚合性化合物的化合物（H-3)之塗佈 利用下述條件進行旋塗。 旋塗條件： 塗佈環境 溶劑 塗佈液濃度 旋轉塗佈機轉速 旋轉塗佈機旋轉時間 乾燥條件 氮氣中 甲苯 化合物（H-3) 〇· 4重量％ 1500 rpm 30秒鐘 230°C xl 小時 ㈣用' 目同的要領，對以上述方式所製造之卵 :==XPS測定。其中，化合物(h—3)係具有多 使用重複匕合物，因作為化合物（H—3)之分子量， 而將各重量’即根據各重複單位數之比例 早位進仃加權而得之量。其結果，算出QB測 97105278 125 200845809 定用試料（含有聚合性化合物之層）之表面部的化合物 (A-1)之分子數相對於化合物（H_3)之分子數（重複單位之 數）的比例QB為13· 26%。 根據以上，算出QB/QA之值為〇· 3〇。 (產業上之可利用性） 本發明之螢光體之用途並無特別限制，可用於通常使用 螢光體的各種領域，適用於以下目的：有效利用即便使用 近紫外光而激發之情況下亦維持高發光強度之特性，藉由 與近紫外LED等激發光源組合，而實現長壽命且省能量的 發光裝置。 々又，本發明之發光裝置可用於通常使用發光裝置的各種 7貝域，其中尤其適合用作圖像顯示裝置或照明裝置之光 源0

以上，使用特定態樣對本發明進行了詳細說明，但業者 知曉只要傾離本發明之意圖及範圍，可進行各種變更。 再者，本申睛案係基於2007年2月15日所申請之曰本 f利申請案(特願2007-34466)，藉由引用而援引其整體。 【圖式簡單說明】 圖1係示意性表示本發明之—實施形態之有機電 光元件之層構成的剖面圖。 圖2係為，兄明本發明之較佳態樣，而部分表示有機電致 赉光元件之層構成的示意性剖面圖。 圖3係不思性表不本發明之實製 致發光元件之層構成的剖面圖。 有以 97105278 126 200845809 【主要元件符號說明】 1 基板 2 陽極 3 電洞注入層 3s 第2層3之第1層側表面部 4 電洞傳輸層 4 s 第1層4之發光層側表面部 5 發光層 "6 電洞阻止層 7 電子注入層 8 陰極 9 電子傳輸層 100 有機電致發光元件 97105278 127

Claims (1)

1. 200845809 十、申請專利範園： 1. 一種有機電致發光元件，係具備有：基板、設置於該 2上之&極及陰極、以及配置於該陽極與該陰極 稷數之有機層者，其特徵為， =之有機層至少包含:使聚合性化合物聚合而形成 ίί ^ 1層鄰接設置之含有聚合反應起始劑 2·如申請專利範圍帛i項之有機電致發光元件，其中， 該複數之有機層進一步包含發光層，且 八 依序配置有該發光層、該第丨層、該第2層。 3·如申睛專利範圍第2項之有機電致發光元件，其中， 該第1層為電洞傳輸層，該第2層為電洞注入層。 一 4·如申請專利範圍第項中任—項之有機電致發光 凡件，其中，該第2層之聚合反應起始劑之含有率為〇 5. —種有機裝置之製造方法，係用於製造具備複數之 機層之有機裝置者，該複數之有機層至少包含：使聚合性 化合物聚合而形成之第丨層，及與該第丨層鄰接設置I含 有聚合反應起始劑之第2層，其特徵為，其具備如下步驟3: 將含有聚合反應起始劑之組成物進行成膜，而形 2層的步驟； ^弟 將含有該聚合性化合物之組成物進行成膜，而形成含有 該聚合性化合物之層的步驟；及 使該聚合性化合物聚合，而形成該第丨層的步驟。 97105278 128 200845809 6·如申请專利範圍第5項之有機裝置之製造方法，其 中〜亥有機I置係進-步具備有：基牙反，以及設置於該基 板上之陽極及陰極的有機電致發光元件； : 於遠陽極與該陰極之間形成包含㈣1層及該第2層 之該複數之有機層。 7·種有機電致發光元件，其係具備下述者：基板；設 置於該基板上之陽極及陰極；配置於該陽極與該陰極之間 的發光層；使聚合性化合物聚合而形成之聚合層；及於盘 ί該發光層相反之側與該聚合層鄰接並含有聚合反應起始 劑之鄰接層；其特徵為， 根據XPS法所异出之該鄰接層之該聚合層侧表面部所 含的該聚合反應起始劑之分子數、相對於根據xps法所算 出之。亥4接層之β聚合層侧表面部所含的除該聚合反應 起始，以外之成分之分子數的比例（％)(QA)，與根據 法所算出之該聚合層之發光層側表面部所含的該聚合反 f、應起始劑之分子數、相對於根據XPS法所算出之該聚合層 之’X光層侧表面所含的除該聚合反應起始劑以外之成分 之分子數的比例⑻⑽)中，其比(_)為 • QB/QAC 0· 5 〇 97105278 129