TW200842387A - Driver circuit - Google Patents

Description

200842387 - 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 * 發明領域 本發明係有關於一種將信號供給至連接端之電路之驅 5 動電路。 " 發明背景 • 半導體測試裝置係將預定之圖形資料之信號輪入至 被測試裝置（以下稱為DUT)，從該信號之DUT之輸出波形讀 1〇取輸出資料，比較輸出資料與期待值資料，藉此，測試£>1^ 之動作者。 最近，隨著CPU、MPU、記憶體等之傳輸位元速率高 迷化，產生補償各LSI間之連接部之傳輸損失之必要。通常 傳輸線路具積分特性，因傳輸線路，損失信號之高頻率成 • $份。因此，有於LSI内部設置用以補償傳輸損失之高頻增強 電路之情形。 關於内藏此種高頻增強電路之LSI，需測試高頻增強㊉ 略是否正常運作。 【号务明内3 2〇 _ 蝥明揭示 發明欲解決之問題 測試内藏於DUT，用以補償傳輸損失之高頻增強電路 之半導體測試裝置以可生成模擬接收因任意之損失條件造 成之傳輸損失之信號的信號’而可測試各種DUT為佳。 5 200842387 亦有對半導體測試裝置 一、 要求生成増強高頻之高頻择％ h號作為供給至DUT之信號之情形。 、曰 舉例言之，在半暮興 測試裝置之驅動電路方面，要龙斗七 命獲 成巳預先補償傳輪綠牧 之信號之損失部份之高頻增強信號。 '、、策路

模擬接受傳輸損失之信號之信號、 頻增強信號或高頻增強信號可使用 亦即增強低頰之低 以電阻及電容器構成之 RC微分電路、RC積分電路來實現 然而，若要使用構造簡單之微分電路、積分電i 擬傳輸損失並不易模擬任何之傳輸損失。或者招致 10 雜化、大規模化。 模 電路複 本發明之目的在於提供不需複雜、大規模之 構，即可以簡單之電路結構生成所期之高頻增強信說及: 頻增強信號，而可模擬任何之傳輸損失之驅動電路。-解決問題之方法

15 上述目的可以-種驅動電路達成，此驅動電路係輪出 對應輸入信號之波形之輸出信號者，且包含有： 」 •務]入前述 輸入信號’輪出對應前述輸入信號之第丨信號之主驅動器· 輸入前述輸入信號，輸出對應前述輸入信號之第2信號^列 驅動器；以電阻及可變電容電容器構成，輸出將前述第2俨 20號微分後之第3信號之微分電路；及輸出將前述第丨作號及 前述第3信號相加後之加法部。 又，上述目的可以一種驅動電路達成，此種驅動電路 係輸出對應輸入信號之波形之輸出信號者，且包含有·輸 入前述輸入信號，輸出對應前述輸入信號之第1信號之主驅 6 200842387 動器；輸入前述輸入信號，輸出由對應前述輸入信號之第2 信號及將前述輸入信號反轉之第3信號構成之差動信號的 副驅動器；以電阻及可變電容電容器構成，輸出將前述第2 信號微分後之第4信號，並輸出將前述第3信號微分後之第5 5 信號的微分電路；及將前述第1信號與前述第4信號相加後 之高頻增強信號或將前述第1信號與前述第5信號相加後之 低頻增強信號，作為前述輸出信號輸出之加法部。 在上述驅動電路中，前述可變電容電容器亦可由二極 體構成。 10 在上述驅動電路中，前述可變電容電容器亦可由電晶 體構成。 發明效果 根據本發明，由於在輸出對應輸入信號之波形之輸出 信號之驅動電路中，包含有輸入前述輸入信號，輸出對應 15 前述輸入信號之第1信號之主驅動器；輸入前述輸入信號， 輸出對應前述輸入信號之第2信號之副驅動器；以電阻及可 變電容電容器構成，輸出將前述第2信號微分後之第3信號 之微分電路；及輸出將前述第1信號及前述第3信號相加後 之加法部，故不需複雜、大規模之電路結構，即可以簡單 20 之電路結構生成所期之高頻增強信號及低頻增強信號，而 可模擬任何之傳輪損失。 L實方包方式】 用以實施發明之最佳形態 [一實施形態] 200842387 使用弟1圖至弟6圖，就本發明一實施形態之驅動電路 作忒明。第丨圖係顯示本實施形態之驅動電路之塊圖，第2 圖及第3圖係顯示本實施形態驅動電路各點之信號波形之 波形圖，第4圖係說明在構成非反轉信號高頻增強電路及反 ^ 5轉信號高頻增強電路之RC微分電路中，使用一般之電容器 取代可餐電谷電容器時之弊端者，第5圖係顯示本實施形態 之驅動電路之具體電路結構之電路圖，第6圖係顯示在本實 # 苑形態驅動電路之具體電路結構中，於非反轉信號高頻增 強電路及反轉信號高頻增強電路共通之RC微分電路之電 10 路圖。 本只施形怨之驅動電路1 〇係半導體測試裝置之驅動電 路，將以信號生成部12生成之信號輸入作為輸入信號，對 應輸入信號，生成增強高頻之高頻增強信號或增強低頻之 低頻增強信號，亦即生成模擬傳輸損失之模擬信號，將所 15 生成之信號供給至DUT者。可以低頻增強信號測試内藏於 Φ DUT，用以以補償傳輸損失之高頻增強電路。 如第1圖所示，本實施形態之驅動電路10包含有主驅動 了 器14、副驅動器16、非反轉信號高頻增強電路18、反轉信 • 號高頻增強電路20、分別對應於非反轉信號高頻增強電路 20 18及反轉信號電高頻增強電路20而設置之2個乘法電路 22、24、加法部26 ° 於本實施形態之驅動電路10輸入以信號生成部12生成 之具預定波形之信號作為輸入信號。以信號生成部12生成 之信號使用具預定脈衝寬度及振幅之方形波狀脈衝信號。 8 200842387 主驅動器14輸入以信號生成器12生成之信號作為輸入 “遽’將與輸入信號相同波形之信號作為輸出信號而輸出。 副驅動器16以差動驅動器構成，輸入以信號生成部12 生成之信號作為輸入信號，將由與輸入信號同一波形之非 5反轉信號與將輸入信號反轉之波形之反轉信號構成之差動 信號作為輸出信號而輸出。 非反轉信號高頻增強電路18以由電阻28、30及可變電 容電容器32構成之RC微分電路構成。非反轉信號高頻增強 電路18係在生成增強高頻之高頻增強信號作為驅動電路10 1〇之輪出信號之高頻增強動作時，用以生成加至主驅動器14 之輸出信號且增強非反轉信號之高頻之信號者。即，非反 轉信號高頻增強電路18在從副驅動器16輸出之差動信號中 輪入非反轉信號作為輸入信號，將通過輸入信號之高頻率 成份’增強輸入信號之高頻之信號、亦即輸入信號微分後 5 之微分信號作為輸出信號而輸出。 反轉信號高頻增強電路20以由電阻34、36及可變電容 電容器38構成之RC微分電路構成。反轉信號高頻增強電路 2〇係在生成增強低頻之低頻增強信號作為驅動電路1〇之輸 出信號之低頻增強動作時，用以生成加至主驅動器丨4之輸 2〇出信號且增強反轉信號之高頻之信號者。即，反轉信號高 頻增強電路20在從副驅動器16輸出之差動信號中輸入反轉 偵號作為輸入信號，將通過輸入信號之高頻率成份，增強 輪入h號之南頻之信號、亦即輸入信號微分後之微分信號 作為輸出信號而輸出。 9 200842387

乘法電路22輸入對應之非反轉信號高頻增強電路18之 輸出信號作為輸入信號，藉於輸入信號乘上預定修正值， 而將已調整輸入信號振幅之信號作為輪出信號而輸出。 乘法電路24輸入對應之反轉信號高頻增強電路2〇之輸 5出“號作為輸入信號，藉於輸入信號乘上預定修正值，而 將已調整輸入信號振幅之信號作為輸出信號而輸出。 加法部26具有分別對應2個乘法電路22、24而設置之2 個加法電路4〇、42。 10 15

20 加法電路40於高頻增強動作時，輸入主驅動器卞之輸 出信號及對應之祕電路22之輸出信號，將㈣法電路a 已調整振幅之非反轉信號高頻增強電路阶輸出信號加至 主驅動器14之輸出信號驗號作為輸出信號而輸出。 加法電路42於低頻增強動作時，輸入主驅動器卞之輸 出㈣及對紅紐電物之輸幻讀，㈣乘法電路Μ 已=正振巾S之反轉信號高頻增強電路2 q之輸出信號加至主 驅動器14之輸出信號的信號作為輸出信號而輸出。 古瓶=進行，加法部26輪出加法電路4G之輸出信號作為 冋項W強動作時之輸出信卢 作為低她2之輸出信號:::26:輪出信號輸入至_，進行_之測試。 傾c % ^之轉1物轉祕騎輸丨已增強高作為輪出信號之高頻增強動作及輸出已 料μ㈣之低頻增強動作。 在面頻增強動作時，將以乘法電路22已調整振幅之非 10 200842387 反射信號㈣顧電路18之輸$錢加至錄㈣i4之輸 出信號之高頻增強信號作為輸出信號而輸出。 第2圖係..'、貝不呵頻増強動作時之本實施形態驅動電路 10各點之彳„錢％之波卵，顯示第丨圖所示之電路結構之

5 a點、B點、C1點、D1點、幻點、m之信號之波形。第2⑻ 圖係顯示以信號生成部12生成之信號(A點之信號）及主驅 動的14之輸出L遗(B點之信號)之波形。第2⑻圖係顯示副 驅動I6輸出之差動信號中之非反轉信號⑹點之信號)之 波形。第2⑷圖係顯示非反轉信號高頻增強電路18之輸出信 10 f (dl點之彳肩之波形。第2_係顯示乘法電路22之輸出 L逮(EU之L ϊ虎)之波形。第抑)圖係顯示加法部％之輸出 k號(F點之信號)之波形。 、如第2(a)圖所不’主驅動器14之輸出信號係與以信號生 成部12生成之信號相同波形之信號。 如第2 (b)圖所不，副驅動器丨6輸出之差動信號中之非反 轉信號隸以信號生成部12生成之信號相同波形之信號： 士第2(c)圖所示’非反轉信號高頻增強電路π之輸出信 號係增強第2(b)圖所示之副驅動器16之非反轉信號之高頻 的微刀U虎在此，藉控制可變電容電容器32之電容，可 20 $從非反轉信號高頻增強電路18輸出之微分信號整形為任 思、波形。 如第2(d)圖所不’乘法電路22之輸出信號係將第⑽圖 所示之非反轉㈣_增強電路18之輸出信號之振幅調整 成1/2倍之波形之信號。 200842387 如第2(e)圖所示，加法部26之輸出信號係於第2(a)圖所 示之主驅動器14之輪出信號以加法電路40加上第2(d)圖所 示之振幅調整成1/2倍之非反轉信號高頻電路18之輸出信 號之波形的信號。如此，本實施形態之驅動電路1〇在高頻 5增強動作時’藉將以乘法電路22已調整振幅之非反轉信號 高頻增強電路18之輪出信號加至主驅動器14之輸出信號， 生成已增強主驅動器14之輸出信號邊緣之波形的高頻增強 信號。 在低頻增強動作時，將以乘法電路24已調整振幅之反 10轉信號高頻增強電路20之輸出信號加至主驅動器14之輸出 信號之低頻增強信號、亦即模擬傳輸損失之模擬信號作為 輸出信號而輸出。 第3圖係顯示低頻增強動作時之本實施形態之驅動電 路各點之信號之波形的波形圖，顯示第1圖所示之電路結構 15 之A點、B點、C2點、D2點、E2點、F點之信號之波形。第 3(a)圖係顯示以信號生成部12生成之信號(A點之信號)及主 驅動器14之輸出信號(B點之信號）之波形。第3(b)圖係顯示 副驅動器16輸出之差動信號中之反轉信號(C2點之信號）之 波形。第3(c)圖係顯示反轉信號高頻增強電路20之輸出信號 20 (D2點之信號)之波形。第3(d)圖係顯示乘法電路24之輸出信 號(E2點之信號)之波形。第3(e)圖係顯示加法部26之輸出信 號(F點之信號)之波形。 如第3(a)圖所示，主驅動器14乏輸出信號係與以信號生 成部12生成之信號相同波形之信號。 12 200842387 如第3(b)圖所示，副驅動器16輸出之差動信號中之反轉 信號係將以信號生成部12生成之信號反轉之信號 如第3(c)圖所示，反轉信號高頻增強電路2〇之輸出信號 係已增強第3(b)圖所示之副驅動器16之反轉信號之高頻的 微分信號。在此，藉控制可變電容電容器38之電容，可將 攸反轉信號南頻增強電路2〇輸出之微分信號整形為任意波 形。

_如第3⑷圖所示，乘法電路24之輸出信號係將第3(c)圖 彳不之反轉㈣〶頻增強電路2()之輸出信號之振幅調整成 1/2倍之波形之信號。 —如第3(e)圖所不，加法部％之輸出信號係於第3⑻圖所 —之主驅動③14之輸出信號以加法電路加上第3⑷圖所 之振巾田4正成1/2倍之反轉信號高頻電路如之輸出信號 15 ^形的信號。如此，本實施形態之驅動電路1〇在低頻增 強恭乍7藉將喊法電路24調整振幅之反轉信號高頻增 強念路2〇之輪出^说加至主驅動器14之輸出信號，生成增 难主驅動器14之輸出传 缺 S遽邊緣圓鈍之波形的低頻增強信 本實 2〇 路，反轉信號高頻增強電路加之RC微分電路之電容 命。此外，如後述，非 鞅^y A 久I信號高頻增強電路18及反轉信 颴兩頻增強電路2〇以矛 % ^ . ，、體之電路結構中共通之RC微分 免路構成，可變電容雷a 4器32、38使用共通之可變電容電 13 200842387 容器。 5

15

2〇 售猎二^可變電容電容器32、38之電容，可控制構成非 強電路18及反射信號高頻增強電路20之 ^刀私路之铜常數。藉此，可將從非反轉信號高頻增 強^路18及反轉信號高頻增強電路20輸出之微分信號之波 形整形成㈣波形。如歧行，本實卿狀_電路1〇 藉將玉$成任意波形之微分信號加至主驅動器14之輸出信 唬，可生成鬲頻增強信號或低頻增強信號作為輸出信號。 因而，本實施形態之驅動電路1〇不需複雜、大規模之 书路結構’即可以簡單之電路結構，在高頻增強動作時， 將生成作為輸出信號之高頻增強信號整形成任意之波形， 且，在低頻增強動作時，將生成作為輸出信號之低頻增強 疋、號整形成任思波形。藉此’本實施形態之驅動電路可 模擬任何之傳輸損失。 又，本實施形悲之驅動電路10不使用可變電阻，而以 可變電容電容器32、38控制構成非反轉信號高頻增強電路 18及反轉信號高頻增強電路20之RC微分電路之時間常 數因此，增益亦不致卩过者RC微分電路之時間常數之控制 而變動。 對此種本實施形態之驅動電路10，使用不可變更電容 之一般電容H取代可變電容電容找、38時，由於RC微分 電路之時間常數固定，故無法模擬任何之傳輸損失。 此時，當要模擬各種損失條件之傳輪損失時，需準備 褒數組副驅動器、非反轉信號高頻增強電路、反轉信號高 14 200842387 頻增強電路、乘法電路及加法電路之組，設定電阻之電阻 值及電容器之電容值，以使構成各組之非反轉信號高頻增 強電路及反轉信號高頻增強電路之RC微分電路具有不同 之時間常數。 弟4圖係顾示使用不可變更電容之一般電容器取代可 k電容電容器32、38時，具有複數組副驅動器之組之驅動 電路44之結構的塊圖。

如圖所示，設置複數非反轉信號高頻增強電路 18^.....18-n及複數反轉信號高頻增強電路2(M.....20-n 10分別對應於複數副驅動器16-1、···、16_n。 設置複數乘法電路22-1、···、22-n分別對應於複數非反 轉信號高頻增強電路18]、…、18-n。設置複數乘法電路 24-1 ..... 24-n分別對應於複數反轉信號高頻增強電路 2〇-1、…、20-n。

於加法部26設置複數加法電路1、 • · · Λ 4〇-η分別對應 於複數乘法電路22-1 22-η。又，設置複數加法電路 42-1、…、42_n分別對應於複數乘法電路24-1、…、24-n。 複數非反轉信號高頻增強電路i 8 _ i.....i 8 _ n分別以由 扣電阻28、30及不可變更電容之一般電容器4〇構成之rc微分 20電路構成，電阻28、30之電阻值及電容器4〇之電容值相互 不同’俾使RC微分電路之時間常數各異。又，複數反轉信 號高頻增強電路2(M、…、分別以由電阻34、％及不可 ^更電容之-般電容H42構成之Rc微分電路構成，電阻 4 36之電喊及電容器42之電容值相互不同，以使微 15 200842387 • 分電路之時間常數各異。 , 如此，在使用一般之電容器40、42取代可變電容電容 器32、38時，若要模擬各種損失條件造成之傳輪損失，需 準備時間常數各異之複數RC微分電路。因此，導致電路之 5 «化、大規模化。要模擬任何之傳輸損失需準備無數個 • 時間常數各異之RC微分電路。因而，使用一般之電容器 40 42，模擬任何之傳輸損失實際上並不可能。 馨 、？此本男施形％之驅動電路1〇如上述，由於準備可 變電容電容器32、38作為構成非反轉信號高頻增強電路18 10及反轉^嬈咼頻增強電路20之RC微分電路，故可適當調整 RC微分電路之時間常數，不需複雜、大規模之電路結構， 即可以簡單之電路結構模擬任何傳輸損失。 接著，使用弟5圖及弟6圖，就本實施形態之驅動電路 1〇之具體電路結構作說明。 15 如第5圖所示，主驅動器14具有2個電晶體46、48、射 • 極連接於2個電晶體46、48之各連接器之2個電晶體5〇、52、 連接於2個電晶體50、52之各連接器而作為負載電阻之2個 電阻54、56、共通地連接於2個電晶體46、48之射極之定流 電路58。 20 副驅動器16具有2個電晶體60、62、分別連接於2個電 晶體60、62之射極之定流電路64、66。 非反轉信號高頻增強電路18及反轉信號高頻增強電路 2 0以由串聯於副驅動器6之電晶體6 〇之射極側與電晶體6 2 之射極側間之電阻28、30(34、36)及可變電容電容器32(38) 16 200842387 構成之共通RC微分電路構成。如此，由於非反轉信號高頻 增強電路18及反轉信號高頻增強電路2 〇以共通之RC微分 電路構成’故不需複雜之電路結構，即可實現信號之低頻 增強及高頻增強。此外，RC微分電路未必需2個電阻，亦 5可具有電阻28、30(34、36)其中任一個。 乘法電路22具有射極連接於副驅動器丨6之電晶體以之 連接器的2個電晶體68、70。乘法電路24具有射極連接於副 驅動器16之電晶體60之連接器的2個電晶體72、74。 於主驅動器14之電晶體5〇、52之基極連接驅動電源 10 76。於主驅動器14之電阻54、56連接驅動電源78。 第6圖係顯示在上述第5圖所示之電路結構中，於非反 轉信號尚頻增強電路18及反轉信號高頻增強電路2〇共通之 RC微分電路之具體結構。 如圖所示，RC微分電路係串聯電阻28(34)、可變電容 15電容器32(38)及電阻30(36)而構成。 可變電容電容器32(38)以連接諸陰極之2個可變電容二 極體（可變電容（variable capacitance)或變容器（varact〇r)) 80、82構成。可變電容二極體8〇之陽極連接於電阻28(3句， 可變電谷一極體82之陽極連接於電阻30(36)。從外部端子將 20用以控制電容之控制電壓Vcont施加至可變電容二極體 80、82之陰極。藉以控制電壓％〇加控制施加至可變電容二 極體80、82之反方向偏壓，可控制可變電容二極體8〇、82 之陽極·陰極間電容、亦即可變電容電容器32(36)之電容。 藉此’可控制於非反轉信號高頻增強電路18與反轉信號高 17 200842387 頻增強電路20共通之RC微分電路之時間常數。藉如此進行 控制RC微分電路之時間常數，可將以狀微分電路生成之微 刀"is號整形成任意波形。 在主驅動器14中，於其中一電晶體46之基極輸入以信 • 5 5虎生成部12生成之信號PAT。於另一電晶體48之基極輸入具 預定參考電壓Vrefl(PATB)之信號。藉此，從另一電晶體仙 ' 之連接器輸出與輸入至一電晶體46之基極之信號相同之波 % 形的#唬。從電晶體48之連接器輸出之信號藉由電晶體52 作為主驅動器14之輸出信號而輸出。 1〇 在副驅動器16中，於其中一電晶體60之基極與主驅動 器14同樣地輸入以信號生成部12生成之信號pAT。於另一電 晶體62之基極輸入具有預定參考電之信號。 藉此，從一電晶體60之連接器輸出將輸入至電晶體60 之基極之k號反轉的波形信號。在此，從電晶體⑻之連接 15器輸出之信號以由電阻34、36(28、30)及可變電容電容器 • 38(32)構成之RC微分電路構成之反轉信號高頻增強電路20 增強高頻，僅輸出以該等元件常數決定之截止頻率以上之 - 高頻率成份。在此，藉適當調整可變電容電容器38〈32)之電 容，可將電晶體60輸出之微分信號整形成任意波形。 20 從電晶體60之連接器輸出之信號輸入至乘法電路24。 從另一電晶體62輸出與輸入至一電晶體6〇之基極之信 號相同波形之信號。在此，從電晶體62之連接器輸出之信 號以由電阻28、30(34、36)及可變電容電容器32(38)構成之 RC微分電路構成之非反轉信號高頻增強電路18增強高 18 200842387 頻，僅輸出以該等元件常數決定之截止頻率以上之高頻率 成份。在此，藉適當調整可變電容電容器32(38)之電容，可 將龟θ曰體62輸出之微分信號整形成任意波形。 從電晶體62之連接器輸出之信號輸入至乘法電路22。 5 在乘法電路22中，從電晶體62之連接器輸出之信號輸 入至電晶體68及電晶體70之射極侧。在此，於其中一電晶 體68之基極輸入具有預定電壓Vmagl之信號。於另一電晶 體70之基極輸入具有預定參考電壓Vref2之信號。藉此，從 一電晶體68之連接器輸出從電晶體62之連接器輸出且已調 10 整k说振幅之信號。 從乘法電路22之電晶體68之連接器輸出之信號以加法 電路40加至主驅動器14之輸出信號。 在乘法電路24中，從電晶體60之連接器輸出之信號輸 入至電晶體72及電晶體74之射極侧。在此，於其中一電晶 15體72之基極輸入具有預定電壓Vmag2之信號。於另一電晶 體74之基極輸入具有預定參考電壓Vref2之信號。藉此，從 一電晶體72之連接器輸出從電晶體60之連接器輸出且已調 整4a说振幅之信號。 從乘法電路24之電晶體72之連接器輸出之信號以加法 20電路42加至主驅動器14之輸出信號。 在輸出高頻增強信號作為驅動電路10之輸出信號Vout 之高頻增強動作上，以乘法電路24令從電晶體60之連接器 輪出之信號為零，僅將乘法電路22之輸出信號加至主驅動 器14之輸出信號。在乘法電路22中，藉變更輸入至電晶體 19 200842387 * 68之基極之信號的電壓Vmagl ’可變更高頻增強信號之妙 強量。 又，在輸出低頻增強信號作為驅動電路1〇之輪出信號 Vout之低頻增強動作上，以乘法電路22令從電晶體62 5 接器輸出之信號為零，僅將乘法電路24之輸出信號加至主 * 驅動器14之輸出信號。在乘法電路24中，藉變更輪入$ + - 晶體72之基極之信號的電壓Vmag2，可變更低頻增強作聲 ^ 之增強量。 如此，根據本實施形態，不需複雜、大規模之電路結 10構，即可以簡單之電路結構，生成具任意波形之所期之高 頻增強信號及低頻增強信號，而可模擬任何傳輸損失。 此外，在上述中，就使用可變電容二極體80、82作為 可變電容電容器32(38)之情形作了說明，可變電容電容器 32(38)不限於此，亦可使用電晶體作為可變電容電容哭 15 32(38)。 φ 第7圖係顯示於非反轉信號高頻增強電路18及反轉作 號高頻增強電路20共通之RC微分電路之可變電容電容哭 32(38)使用電晶體時之RC微分電路結構之電路圖。 如圖所示，RC微分電路係串聯電阻28(34)、可變電容 — 20 電容器32(38)及電阻30(36)而構成。 可受電谷電容器32(38)以諸射極相互連接之2個電晶體 84、86構成。電晶體84之連接器連接於電阻28(34)，電晶體 86之連接器連接於電阻30(36)。從外部端子將用以控制電容 之控制電壓Vcont施加至電晶體84、86之射極及基極。以控 20 200842387 制電壓控制電晶賴、86之基極姻器間電容 即:變電容電容器32(36)之電容。藉此，可控制於非反轉信 二门頻&強I路18與反轉彳§號高頻增強電路2()共通之此 微刀私路之b間常數。藉如此進行，控制rc微分電路之時 間常收’可將以此微分電路生成之微分信號整形成任意之 [變形實施形態]

本發明不限於上述實施形態，可進行各種變形。 I 舉例言之，在上述實施形態中，就以信號生成部12將 方形波狀之脈衝信號供給至驅動電路之情形作了說明，以 信號生成部12供給至驅動電路之信號可使用三角波狀之脈 衝L说專各種信號。 又，在上述實施形態中，就主驅動器14輸出與輸入信 號同一波形之輸出信號之情形作了說明，主驅動器14只要 為了將具對應輸入#號之預定波形之非反轉信號作為輸出 信號而輸出者即可。 又’在上述實施形態中，就副驅動器16輸出由與輸入 信號同一波形之非反轉信號及將輸入信號反轉之波形之反 轉信號構成的差動信號之情形作了說明，副驅動器16只要 2〇為將由具對應輸入信號之預定波形之非反轉信號與反轉信 號構成之差動信號輸出者即可。 在上述貫施形態中’就包含非反轉信號高頻增強電路 及反轉信號高頻增強電路2〇，可進行高頻增強動作及低 頻增強動作兩動作之情形作了說明，而亦玎為包含非反轉 21 200842387 信號高頻增強電路18及反轉信號高頻增強電路20其中任一 者，進行高頻增強動作及低頻增強動作其中任一者之結構。 在上述實施形態中，就使用本發明之驅動電路作為用以 生成在半導體測試裝置中測試DUT之信號之驅動電路之情 5 形作了說明，本發明不限於半導體測試裝置之驅動電路， 可廣泛地應用於將信號供給至連接端之電路之驅動電路。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明一實施形態之驅動電路結構之塊 圖。 10 第2(a)圖〜第2(e)圖係顯示本發明一實施形態驅動電路 各點之信號波形之波形圖（1)。 第3(a)圖〜第3(e)圖係顯示本發明一實施形態驅動電路 各點之信號波形之波形圖（2)。 第4圖係說明在構成非反轉信號高頻增強電路及反轉 15 信號高頻增強電路之RC微分電路中，使用一般之電容器取 代可變電容電容器時之弊端者。 第5圖係顯示本發明一實施形態之驅動電路之具體結 構之電路圖。 第6圖係顯示在本發明一實施形態驅動電路之具體電 20 路結構中，於非反轉信號高頻增強電路及反轉信號高頻增 強電路共通之RC微分電路結構之電路圖。 第7圖係顯示在本發明一實施形態之變形例之驅動電 路中，於非反轉信號高頻增強電路及反轉信號高頻增強電 路共通之RC微分電路結構之電路圖。 22 200842387

【主要元件符號說明】 10…驅動電路 12.. .信號生成部 14…主驅動器 16…副驅動器 16-1、…、16·η···對應於複數 副驅動器 18.. .非反轉信號高頻增強電路 18-1、...、18-η…複數非反轉 信號南頻增強電路 20.. .反轉信號高頻增強電路 20-1、…、20-η...複數反轉信 號高頻增強電路 22…乘法電路 22-1、…、22-η···複數乘法電路 24…乘法電路 24-1、…、24-η...複數乘法電路 26.·.加法部 28.. .電阻 30…電阻 32.. .可變電容電容器 34…電阻 36…電阻 38.. .可變電容電容器 40.. .加法電路；電容器 40-1、…、40-n..·複數加法電路 42.. .加法電路；電容器 42-1、…、42-n.··複數加法電路 44.. .驅動電路 46.. .電晶體 48.. .電晶體 50.. .電晶體 52.. .電晶體 54.. .電阻 56…電阻 60.. .電晶體 62.. .電晶體 64…定流電路 66.. .定流電路 68.. .電晶體 70.. .電晶體 72.. .電晶體 74.. .電晶體 76.. .驅動電源 78…驅動電源 80.. .可變電容二極體 82.. .可變電容二極體 23 200842387

Vcont...控制電壓 Vr e fl (PATB)...預定參考電壓 Vref2...預定參考電壓 Vmagl...預定電壓 Vmag2...預定電壓

Voiit…輸出信號 Vmagl…電壓 Vmag2…電壓 Vout...輸出信號

24

Claims (1)

1. 200842387 十、申請專利範圍： 1. 一種驅動電路，係輸出對應輸入信號之波形之輸出信號 者，包含有： 主驅動器，係輸入前述輸入信號，輸出對應前述輸 5 入信號之第1信號者； 副驅動器，係輸入前述輸入信號，輸出對應前述輸 入信號之第2信號者； 微分電路，係以電阻及可變電容電容器構成，輸出 將前述第2信號微分後之第3信號者；及 10 加法部，係輸出將前述第1信號及前述第3信號相加 後之前述輸出信號者。 2. —種驅動電路，係輸出對應輸入信號之波形之輸出信號 者，包含有： 主驅動器，係輸入前述輸入信號，輸出對應前述輸 15 入信號之第1信號者； 副驅動器，係輸入前述輸入信號，輸出由對應前述 輸入信號之第2信號及將前述輸入信號反轉之第3信號 構成之差動信號者； 微分電路，係以電阻及可變電容電容器構成，輸出 20 將前述第2信號微分後之第4信號，並輸出將前述第3信 號微分後之第5信號者；及 加法部，係將前述第1信號與前述第4信號相加後之 高頻增強信號或將前述第1信號與前述第5信號相加後 之低頻增強信號，作為前述輸出信號輸出者。 25 200842387

   3. 如申請專利範圍第1或2項之驅動電路，其中前述可變電 容電容器由二極體構成。 4. 如申請專利範圍第1或2項之驅動電路，其中前述可變電 容電容由電晶體構成。 26