TW200842030A - Adhesive sheet for water jet laser dicing - Google Patents

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TW200842030A
TW200842030A TW96141438A TW96141438A TW200842030A TW 200842030 A TW200842030 A TW 200842030A TW 96141438 A TW96141438 A TW 96141438A TW 96141438 A TW96141438 A TW 96141438A TW 200842030 A TW200842030 A TW 200842030A
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Fumiteru Asai
Takatoshi Sasaki
Tsubasa Miki
Tomokazu Takahashi
Toshio Shintani
Akiyoshi Yamamoto
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Nitto Denko Corp
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Description

200842030 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種噴水雷射切到 ^ _ 耵刀剎用黏著片材，更詳細而 百，係關於一種於利用噴水雪成 上一 1义田射來切割半導體晶圓及/或 半導體相關材料時，為進行固定 4 4 u疋而使用之噴水雷射切割用 黏者片材。 【先前技術】
先則’半導體晶圓及半導體相關材料等係使用旋轉刀片 進行切割而分離為晶片及IC零件。於該切割步驟中，通常 為了固定半導體晶圓等而將半導體晶圓黏著於黏著片材 上’並且晶圓等被切割為晶片狀後，#由拾取而自黏著片 材上剝離。 但是，於該方法中，由於切割刀片所產生之物理應力， 引起切氣或產生裂紋、碎片等缺陷，從而產生該等晶片等 之品質降低、該切割方法之生產性亦降低等問題。尤其是 由於近年來需要電子裝置小型化、薄膜化，故成為更加嚴 重之問題。 因此，作為代替使用切割刀片的半導體晶圓等之切割技 術者，提出有使用雷射束之切割方法，尤其是使用由液體 噴射引導之雷射束進行切斷、穿孔、熔接、刻印及剝離等 的材料加工方法（例如專利文獻i)。於該方法中，由於晶圓 等僅曝露於來自上方之水流，故可防止由旋轉刀片所造成 之物理應力引起切飛等。 又’於使用該雷射技術之切割方法中，存在由於利用水 126318.doc 200842030 流而引起晶片等容易自固定其等之黏著片材上剝落的問 題，對此提出有可適用於喷水雷射切割之黏著片材（例 如，專利文獻2)。 [專利文獻1] W095/32834號 [專利文獻2]日本專利特開2〇〇 1-3 16648號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題]
本發明之目的在於提供一種黏著片材，其於噴水雷射切 割中，藉由使來自液體流之液體的透過性更加良妤並且穩 定化，而於剝離晶片或IC零件等時不會產生缺損等缺陷， 並且可進行極薄之半導體晶圓或材料的加工。 [解決問題之技術手段] 本發明之喷水雷射切割用黏著片材的特徵在於，其係於 基材膜上積層有黏著劑層而形成，基材膜包括由纖維形成 之網狀物。 y 於該喷水雷射切割用黏著片材中，基材膜較好的是由包 括單絲或複絲之纖維製成織物而形成、或具有3〜之* 隙率、或具有10 〜3.0随2大小之孔、或斷裂伸長率: 100/❶以上或具有超過0J N/20 mm之抗拉強度。 [發明之效果] 採用本發明之噴水雷射切割用黏著片材，可藉 網狀物形成之膜作為基材膜，而於較大之尺寸;用由 及實施有穿孔加工之片材確保孔之大小及孔面積：：織布 提供著諸，其於噴水f射切 _此可 T j %定維持來 126318.doc 200842030 晶片或ic零件等上 並且可進行極薄之 自液體流之液體的透過性，並可防止於 引起切飛或者產生裂紋、碎片等缺陷， 半導體晶圓或材料的加工。 【實施方式】 本發明之嘴水雷射切到用斑輩U Jf V.--, 刀d用黏者片材主要包括基材膜及設 置於其上之黏著劑層。此處所謂噴水雷射切割用黏著片 材係才曰如下黏著片材，其係於使用由液體流（通常為水
流)引導之雷射束的切割中使用，並且可使將切割時之該 液體机例如規疋壓力以上之液體流自黏著劑層侧直接或間 接供給至黏著片材時的液體’自黏著片材之—表面側流向 另-表面側。此時之規定壓力通常可設為幾Mpa左右以 上0 、作為基材膜，可列舉由纖維製成之織物（即，網狀膜） 等。作為該纖維，可列舉聚合物纖維、合成纖維、天然纖 維、無機纖維等。作為聚合物纖維，可列舉合成樹脂，例 如聚乙烯及聚丙烯等聚烯烴（具體而言為低密度聚乙烯、 直鏈低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、延伸聚丙烯、未延伸 聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙 烯-(甲基）丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基）丙烯酸_共聚物 等）聚§曰、聚對苯二甲酸乙二酯、聚胺酯、EVA、聚四氟 乙烯聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酸胺、縮搭樹脂、聚 苯乙烯、聚砜、聚碳酸酯、尼龍、氟樹脂、苯乙烯_丁二 浠/、聚物專含有橡膠成分之聚合物等；作為合成纖維，可 列舉聚合物纖維、嫘縈或乙酸纖維素等；作為天然纖維， 126318.doc 200842030 可列舉棉、絲綢或羊毛等；作為無機纖維，可列舉玻璃纖 維或碳纖維等。此處所謂織物，通f係指經紗及緯紗以直 角或規定之角度相交，與相鄰之線比較緊密地連成平面之 組織’可列舉各種組織。基材膜較好的是由輯烴形成或 =含由聚烯烴所形成之層。藉此’可確保對雷射切割之適 f強度及擴展性2個特性。該等可製成單層或兩層以上之 多層結構。於單層之情形時，可降低對水之阻力，水之透 過性更加良好。又，該等纖維可為單絲或複絲中之任一 種。藉由使用絲而形成，對水之潤濕性提高，排水變得良 好。為了使網眼之平均孔大小均勻，較好的是單絲。纖^ 徑較好的是直徑為10〜150 μιη左右，自液體之透過性觀點 考慮，更好的是25〜80 μηι左右。 基材膜中之網眼的孔徑較好的是5〜8〇〇 μπι左右，尤其於 假定被加工物為i mm以下之小晶片尺寸的情形時，更好的 疋5〜500 μιη左右。所謂孔徑，於網眼大致為圓形之情形時 係指其直徑，為多邊形等之情形時係指其一邊之長度。自 其它觀點考慮，網眼之孔的大小為例如10 μηι2〜3·〇 mm2左 右，較好的是25 μηι2左右以上、1〇〇 μιη2左右以上、ι〇卯 μπι左右以上、01 mm2左右以上，並且較好 ^ ^ υ mm 左右以下、2·0 mm2左右以下、1.1 mm2左右以下。 再者’網狀膜可實施電暈放電處理、火焰處理、電聚處 理、濺射蝕刻處理或底塗（例如底漆（primer))、氟處理等表 面處理；採用藥劑之脫脂處理等，用以提高與黏著劑之密 著性。其中，較好的是實施底塗處理。自防止片材之破找 126318.doc 200842030 或半導體晶圓等於加工中之切斷，並且抑制製造成本之觀 點而言，由網眼膜所形成之基材膜的厚度較好的是1〇〜柳 μπι，更好的是30〜250 μπι。 本發明之基材膜較好的是斷裂伸長率超過ι〇〇%，更好 - 較15G%。其原因在於：藉由基材膜伸長，於切割步驟 後可易於自黏著片材上拾取晶片等。
W 進而，基材膜較好的是抗拉強度超過01N/20 mm，更 Φ 好的是咼於0.3 N/20 mm。此係為避免黏著片材本身之破 損及/或切斷。 斷裂伸長率及抗拉強度例如可使用長度為5 〇 、寬度 為20 mm之試料，利用拉伸試驗機進行測定。進行試驗= 之拉伸速度於室溫下為300 mm/分（基於ASTM m〇〇〇卜斷 裂伸長率可以如下方式算出。 斷裂伸長率=(斷裂時之長度—原來長度）/(原來長 度）X 10 0 A ’抗拉強度係斷裂時之測定值。 _ 黏著劑層係由塗佈於基材膜一面上之黏著劑層構成。該 黏著劑可為壓敏型、熱敏型、光敏型中之任一類型，但較 好的是藉由能量線照射而硬化之類型的黏著劑。藉此，可 易於自被加工物上剝離。作為能量線，例如可利用紫外 、 線、可見光線、紅外線等各種波長之能量線，但由於切割 中所使用之雷射束係400 nm以下之激發波長或400 以上 之激發波長的雷射等，因此較好的是使用不會由於照射所 使用之切割裝置的雷射束而發生硬化之黏著劑，上述4〇〇 nm以下之激發波長的雷射，例如：激發波長為248 nm之 126318.doc
200842030
KrF準分子雷射、 nm《XeC1準分子雷射、yag雷射之 第三南次譜波（355 nm)、第四高次諧波（266 nm)；上述 400 nm以上之激發波長的雷射，例如：可吸收經由多光子吸收 過程之紫外線區域的光，且可利用多光子吸收剝飯 (ablation)而進行20 μιη以下寬度之切割加工等的波長為 750〜800 nm附近之鈦藍寶石雷射等，且脈波寬度為1 e·9秒 (0.000000001秒）以下之雷射等。
作為黏著劑層之形成材料’可使用含有橡谬系聚合物、 (甲基）丙烯酸系聚合物等之公知黏著劑，尤其好的是（甲 基)丙烯酸系聚合物。藉此，於製成光敏型黏著劑時，即 使不添加用於能量線硬化之特殊單體/低聚物成分等，亦 可進行硬化。 作為橡膠系聚合物，例如可為天然橡膠（例如聚異戊二 烯等）、合成橡膠（例如苯乙烯_丁二烯橡膠、聚丁二烯系、 丁二烯-丙烯腈系、氯丁二烯系橡膠等）中之任一種。 作為構成（甲基）丙烯酸系聚合物之單體成分，例如可列 舉具有.甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁 基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2_乙 基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、 十-烷基、月桂基、十三烷基、+四烷基、硬脂基、十八 烷基以及十二烷基等碳原子數為30以下，較好的是碳原子 數為4〜18之直鏈或支㈣基的丙烯酸燒基醋或甲基丙稀酸 烷基酯。該等（甲基）丙烯酸烷基酯可單獨使用，亦可併用 兩種以上。 126318.doc •11· 200842030 作為除上述以外之單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲 基丙烯酸、（甲基）丙烯酸羧乙酯、（曱基）丙烯酸羧戊酯、 伊康酸、馬來酸、富馬酸以及巴豆酸等含有羧基之單體； 馬來酸酐或伊康酸酐等酸酐單體；（曱基）丙烯酸2_羥乙 酉曰、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯、（甲 基）丙烯酸6-羥己酯、（曱基）丙烯酸8_羥辛酯、（甲基）丙烯 酸10-羥癸酯、(甲基）丙烯酸12_羥基月桂酯以及（甲基）丙烯 酸（4-羥甲基環己基）甲酯等含有羥基之單體；苯乙烯磺 酸、烯丙基石黃酸、2-(甲基）丙浠醯胺甲基丙磺酸、（甲 基）丙稀醯胺丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯以及（甲基）丙烯 醯氧基萘磺酸等含有磺酸基之單體；2_羥乙基丙烯醯基磷 酸酯等含有磷酸基之單體；（甲基)丙烯醯胺、（甲基）丙烯 酸N-M曱基蕴胺、（甲基）丙烯酸烷基胺基烷基酯（例如，曱 基丙烯酸二曱胺基乙酯、甲基丙烯酸第三丁胺基乙酯 等）、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯醯基嗎琳、醋酸乙烯酯、 苯乙烯、丙烯腈等。該等單體成分可單獨使用，亦可併用 兩種以上。 又’為了（曱基）丙稀酸類聚合物之交聯，可任意使用多 官能單體。作為多官能單體，例如可列舉：己二醇二（曱 基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇 二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四 醇二（曱基）丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、 季戊四醇三（甲基）丙稀酸酯、季戊四醇四（甲基）丙稀酸 酯、二季戊四醇單羥基五（曱基）丙烯酸酯、二季戍四醇六 126318.doc -12- 200842030 (甲基）丙烯酸酯、環氧基（曱基）丙烯酸酯、聚酯（甲基）丙烯 酸酯以及聚胺酯（甲基）丙烯酸酯等。該等多官能單體可單 獨使用，亦可併用兩種以上。自黏著特性等觀點考慮，多 官能單體之使用量較好的是所有單體成分之3〇重量％以 下’更好的是20重量％以下。 進而，較好的是使用具有碳_碳雙鍵等能量線硬化性官 能基之單體及/或低聚物。 作為單體/低聚物，例如可列舉：聚胺酯（甲基）丙烯酸 酉曰一 •甲基丙烧三（甲基）丙稀酸酯、四經甲基甲烧四（甲 基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四 (甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五（曱基）丙烯酸酯、 二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯以及1，4_丁二醇二（甲基）丙烯 酸酯等。該等可單獨使用，亦可併用兩種以上。該等之調 配里並無特別限制，若考慮到黏著性，則相對於！⑽重量 份構成黏著劑之（甲基）丙烯酸系聚合物等基礎聚合物，較 好的是5〜500重量份左右，更好的是70〜150重量份左右。 又，於構成光敏型黏著劑時，較好的是使用光聚合起始 劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4_(2_經基乙氧基） 苯基（2-羥基-2-丙基）酮、α-羥基_α，心曱基苯乙嗣、甲氧基 苯乙酮、2,2-二曱氧基_2_苯基苯乙酮、2,2_二乙氧基苯乙 酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-甲硫基）苯基]_2_ 嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香 異丙醚、對二甲氧安息香甲醚（anis〇in methyl ether)等安 息香醚系化合物；2-甲基-2-羥丙基苯酮等α__醇系化合 126318.doc •13- 200842030 物；苄基二曱基縮酮等縮酮系化合物；2 W 飧醯氯等芳香 族磺醯氯系化合物；1-苯酮·1，1-丙二酮 _ 2 (郇乙氧羰基）肟 等光學活性肟系化合物；二苯甲顯I、苯甲酼 ^ 1職丞文息香酸、 3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲_系化合物；噻噸 酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸®J、2 4--田# 、 ，一 T i嘆嘲酮、異
丙基嗟嘲酮、2,4-二氯售噸_|、2 4- - 7 I 3 一乙基噻噸i同、2，‘二 異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；檍腦明 上 ’一 评胸靴、i化_、醯基 氧化膦以及醯基膦酸酯等。該等可輩猸你^ 平倜便用，亦可併用兩 種以上。光聚合起始劑之調配量相對於1〇〇 _ 里物構成黏 者劑之基礎聚合物，較好的是(^丨〜丨〇會旦 里物左右，更好的 是0·5〜5重量份左右。 ^ 進而’為k局基礎聚合物之重晉平於八2 ^ 十均刀子1，可任意添 加父聯劑。作為交聯劑，可列舉：聚異氛酸醋化合物、产 氧化合物、氮丙咬化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、： 肝化合物、聚胺、含叛基之聚合物等。該等可軍獨使用， 亦可併用兩種以上。使用交聯劑時，考慮到不會使剝_ 著力過度降低，其使用量相對於100重量份基礎聚/， 通常較好的是0.01〜5重量份左右。 σ 又，除上述成分以外，可任咅冬古 、， 心3有先丽公知之増黏劑、 抗老化劑、填充劑、抗老化劑、荽 …者色劑等添加劑。 丙稀酸糸聚合物之製備例如可斟一 珂一禋或兩種以上之單 或該等之混合物使用溶液聚合法、^ σ沄、礼化聚合法、整體 法、懸浮聚合法等公知方法。直中 Λ 一肀較好的是溶液聚合 此處所使用之溶劑例如可列舉—μ、f 126318.doc η • 1/1 200842030 劑° '谷液濃度通常為20〜80重量％左右。 於聚合物之製備中可使用聚合起始劑 劑，可q #、A _ q來口起始 J歹】舉過氧化氫、過氧化苯甲醯、過氧化第三丁基等 過，化，。較理想的是單獨使用，亦可與還原劑組合製 成乳化逛原系聚合起始劑而使用。作為還原劑，例如可列 亞風S文鹽、亞硫酸氫鹽、鐵、銅、始鹽等離子化越； 三乙醇胺等胺類；路糖、酮糖等還原糖等。又，亦可:用 2,2’·偶氮雙_2_甲基丙基脒酸鹽、2,2，_偶氮雙_2,心二甲基戊 猜、2,2'·偶氮雙_N，N，-二亞曱基異丁基脒酸鹽、2,2,^氮 二異丁腈、2,2，_偶氮雙_2-甲基_Ν_(2·羥乙基）丙醯胺等偶氮 化合物。該等可單獨使用，亦可併用兩種以上。 反應溫度通常為50〜85。(：左右，反應時間為丨〜8小時左 右。- 工 自防止對被加工物之污染等觀點考慮，丙烯酸系聚合物 尤其好的是低分子量物質之含量少|，㈣酸系聚合物之 數量平均分子量較好的是30萬以上，更好的是8〇〜3〇〇萬左 右。 黏著劑層之厚度可於不會自被加工物上剝離之範圍内適 當調整，自可確保充分之黏著強度，並且自片材上取下半 導體晶圓等後可防止於該晶圓等之背面殘存不需要之黏著 劑殘渣，又，可藉由黏著層之切斷而使水易於通過的觀點 考慮，黏著劑層之厚度較好的是^50 μιη左右，更好的是 3〜20 μηι左右。藉此，可將切割時由雷射束照射或液體流 所引起之振動而導致的黏著劑層之共振控制於最小限度， 126318.doc -15- 200842030 並可抑制振幅，防止晶片之裂紋、碎片等。又，可確實進 行切割時之被加工物固定。 又，如後所述，黏著劑層與基材膜同樣，較好的是含有 牙孔。穿孔可利用關於基材膜之後述方法中的任一種方法 形成，較好的是藉由與基材膜之穿孔同時形成，而使基材 膜及黏著劑層之穿孔大致一致。 本發明之黏著片材可利用該技術領域中公知的片材之製
造方法形成。例如，首先準備基材膜。繼而將黏著劑與基 材膜積層。此時，可直接塗佈於基材膜上，或者亦可利用 將黏著劑塗佈於塗佈有剝離劑之處理材料上，加以乾燥後 將該黏著劑積層於基材膜上之轉移塗佈方法進行積層，亦 可於基材膜上壓延積層黏著劑。該等塗佈方法可利=例如 反輥塗佈法、凹版塗佈法、簾式喷塗法、模塗佈法、擠出 以及其它在工業上應用之塗佈》等各種方法。X，所準備 之基材膜可以基材膜之狀態具有穿孔，亦可於基材膜上塗 佈黏著劑後形成。 本發明之黏著片材較好的是具有1·5 N/20 mm以上 好的是3 N/20 mm以上之黏著強度。進而，較好的是小於 W N/20 _ ’更好的是小於8 N/2〇職。即，隨著切割技 術向使用噴水雷射之技術的變遷，對切割用黏著片材之黏 ，力的臨界意義發生變化，其結果為，即使利賴弱之黏 者力’亦可在切割時確保晶圓等之良好黏著，並且可防止 晶片或零件自黏著片材上剝離。此外，由於初始黏著力降 低，可降低拾取時之晶片㈣零件等之缺料缺陷。尤其 126318.doc -16- 200842030 於=型黏著劑之情形時，可有效且迅速、簡便地降低照 ί 1線後之黏者劑的黏著力。再者，能量線照射後之黏 著強度較好的是小於0.2 N/20 mm，更好的是小於〇18 N/20 mm 〇 • 此處’黏著強度係於測定溫度為23±3°C、剝離角度為 β 剝離速度為300 mm/分（基於ASTM D1 〇〇〇)之條件 下’於Si鏡面晶圓上測定時之值。 φ 以下詳細說明本發明之喷水雷射切割用黏著片材的實施 例0 (黏著劑層之形成） 利用常規方法使60重量份丙烯酸甲酯、35重量份丙烯酸 2-乙基己酯、5重量份丙烯酸於醋酸乙酯中共聚合。藉此 獲得含有重量平均分子量為70萬之丙烯酸系共聚物的溶 液。 繼而’於含有丙烯酸系共聚物之溶液中，添加1 〇〇重量 _ 份使季戊四醇三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應而獲得之紫外 線硬化性低聚物（於25°c下之黏度為10 Pa.sec)、3重量份光 • 聚合起始劑（商品名「Irgacure 651」，汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals)公司製造）及2重量份聚異氰酸酯化合 物（商品名「Coronate L」，日本聚胺酯公司製造），而獲得 丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑溶液。 實施例 使用線徑為20 μιη之聚對苯二甲酸乙二醇酯所構成的平 126318.doc -17- 200842030 均網眼孔徑為30 μπι(開孔面積3〇%)、50 μιη(開孔面積 55%)、100 pm(開孔面積85%)且平均厚度分別為幻之網 狀膜作為基材，塗佈上述製造之黏著劑以使厚度成為1〇 μπι，製作雷射加工用黏著片材。 _ 比較例1 • 於空隙率為6〇%之聚丙烯所構成之厚度為80 μπι之不織 布上塗佈上述所獲得之黏著劑以使厚度成為丨〇 μηι，製作 黏著片材。 比較例2 於空隙率為80%之聚丙烯所構成之厚度為8〇 μιη之不織 布上塗佈上述所獲得之黏著劑以使厚度成為1〇 μιη，製作 黏著片材。 (評價） 使用實施例及比較例中所製作之黏著片材切割矽晶圓， 比較加工時之晶片飛散數及晶片缺損之發生量。 Φ 算出於以下條件下進行切割時之晶片飛散率（％)。 雷射波長：1064 nm 切割速度：50 mm/s 雷射直徑：5 0 μιη • 噴水壓：40 MPa 晶片大小·· 1 mmx 1 mm 晶圓大小：13·7 cm (5吋） 晶圓厚度·· 150 μιη 曰曰片飛散之評價係由正方形之1 mm晶片之飛散數曾 126318.doc -18- 200842030 出。晶片之缺損係由自晶片之剖面方向觀察時於深度方向 產生2 5 μιη以上之缺損的晶片數之比例算出。 [表1] 基材膜 孔徑/空隙率 晶片飛散率 晶片缺損發生率 實施例 網眼 30 μιη (30%) 50 μιη (50%) 100 μπι (85%) 0%(0/約 14500個） 0%(0/約 14500個） 0%(0/約 14500個） 11.5% (23/200個） 8.0% (16/200個) 7.0% (14/200個） 比較例1 不織布 60% 5.7% (862/約 14500個） 23% (46/200個） 比較例2 不織布 80% 2.3% (332/約 14500個） 19% (38/200個） 由表1可知，於基材膜由網狀物構成之情形時，不論空 隙率如何，與不織布相比，晶片飛散率及晶片缺損發生率 兩者均可抑制。尤其確認，來自水流之水易於將黏著片材 抽出，可充分確保黏著劑與晶片間之黏著性，並且不會發 生晶片飛散。 另一方面，於比較例1中，即使空隙率較大，但水之抽 出不穩定，無法充分確保黏著劑與晶片間之黏著性，發生 晶片飛散，並且發生由於黏著性降低而引起之晶片缺損。 [產業上之可利用性] 本發明之喷水雷射切割用黏著片材不僅可利用於可由液 體流導向之雷射束進行切割之對象，即半導體相關材料 (例如半導體晶圓、BGA封裝材料、印刷電路、陶瓷板、 液晶裝置用玻璃零件、片材、電路基板、玻璃基板、陶瓷 基板、金屬基板、半導體雷射之發光/受光元件基板、 MEMS基板或半導體封裝材料等）等，而且可廣泛利用於所 有種類之材料。 126318.doc -19-

Claims (1)

  1. 200842030 十、申凊專利範圍·· 1· 一種噴水雷射切宝 材膜上積芦黏著:丨： 材，其特徵在於：其係於基 網狀物者劑層而形成，基材膜包括由纖維形成之 2’ Π二項1之噴水雷射切割用點著片材，其中基材膜係 =早絲或複絲之纖維製成織物而形成。才膜係 3·如明求之噴水 有3, %之空隙率。相黏者片材，其中基材膜具 4. :「未们之噴水雷射切割用黏著片材，其中基材膜具 有10 _2〜3.0 _2大小之孔。 5. 如咕求項1之噴水雷射切割用黏著片材，其中基材膜之 斷裂伸長率為100%以上。 6·如凊求項1之噴水雷射切割用黏著片材，其中基材膜具 有超過0·1 N/20 mm之抗拉強度。
    126318.doc 200842030 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：(無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： _ 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無）
    126318.doc
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