KR20080041122A - 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트 - Google Patents

워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20080041122A
KR20080041122A KR1020070112070A KR20070112070A KR20080041122A KR 20080041122 A KR20080041122 A KR 20080041122A KR 1020070112070 A KR1020070112070 A KR 1020070112070A KR 20070112070 A KR20070112070 A KR 20070112070A KR 20080041122 A KR20080041122 A KR 20080041122A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base film
adhesive sheet
meth
laser dicing
adhesive
Prior art date
Application number
KR1020070112070A
Other languages
English (en)
Inventor
후미떼루 아사이
다까또시 사사끼
츠바사 미끼
도모까즈 다까하시
도시오 신따니
아끼요시 야마모또
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20080041122A publication Critical patent/KR20080041122A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/146—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/21—Paper; Textile fabrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249962—Void-containing component has a continuous matrix of fibers only [e.g., porous paper, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)

Abstract

본 발명은 워터젯 레이저 다이싱에 있어서, 액체류에 기인하는 액체의 투과성을 보다 양호하면서 안정화시킴으로써, 칩 또는 IC 부품 등의 박리시에 있어서의 결손 등의 결함을 일으키지 않고, 매우 얇은 반도체 웨이퍼 또는 재료의 가공이 가능한 접착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기재 필름 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트이며, 기재 필름이, 섬유에 의해 형성된 메쉬를 포함하는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다.
워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트, 기재 필름, 메쉬

Description

워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트{ADHESIVE SHEET FOR WATERJET LASER DICING}
본 발명은 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 반도체 웨이퍼 및/또는 반도체 관련 재료를, 워터젯 레이저에 의해 다이싱할 때에 고정하기 위해 사용하는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다.
종래부터 반도체 웨이퍼 및 반도체 관련 재료 등은 회전 블레이드를 사용하여 절단하여, 칩 및 IC 부품으로 분리되었다. 이 다이싱 공정에서는, 통상적으로 반도체 웨이퍼 등을 고정하기 위해 점착 시트에 접착되며, 웨이퍼 등이 칩 형태로 절단된 후, 점착 시트로부터 픽업에 의해 박리된다.
그러나, 이 방법에서는, 다이싱 블레이드에 의한 물리적인 응력에 의해 다이 비산이 발생하거나, 크래킹, 치핑 등의 결함이 발생하여, 이들 칩 등의 품질이 저하되고, 이 절단 방법의 생산성도 저하된다는 문제가 발생하였다. 특히, 최근의 전자 장치의 소형화, 박막화의 수요에 따라, 보다 심각한 문제가 되었다.
이에, 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼 등의 절단 기술을 대체하는 것으로서, 레이저 빔을 사용한 다이싱 방법, 특히 액체 제트에 의해 안내되는 레이 저 빔을 사용하여, 절단, 천공, 용접, 각인 및 박리 등에 의한 재료의 가공 방법이 제안되었다(예를 들면, 하기 특허 문헌 1). 이 방법에서는 웨이퍼 등은 위로부터의 수류에 노출될 뿐이기 때문에, 회전 블레이드로도 초래되는 물리적인 응력에 의한 다이 비산 등을 방지할 수 있다.
또한, 이 레이저 기술을 이용한 절단 방법에서는, 수류를 이용하는 것에 기인하여, 칩 등이 이들을 고정하는 점착 시트로부터 박리되기 쉽다는 문제가 있는데, 이에 대해서 워터젯 레이저 다이싱에 적합하게 사용할 수 있는 점착 시트가 제안되었다(예를 들면, 하기 특허 문헌 2).
[특허 문헌 1] WO95/32834호
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2001-316648호 공보
본 발명은 워터젯 레이저 다이싱에 있어서, 액체류에 기인하는 액체의 투과성을 보다 양호하면서 안정화시킴으로써, 칩 또는 IC 부품 등의 박리시에서의 결손 등의 결함을 발생시키지 않고, 매우 얇은 반도체 웨이퍼 또는 재료의 가공이 가능한 접착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트에 따르면, 기재 필름 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트이며, 기재 필름이, 섬유에 의해 형성된 메쉬를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트에 있어서는, 기재 필름은 모노필라멘트 또는 멀티필라멘트를 포함하는 섬유에 의해 직물로서 형성되어 이루어지거나, 3 내지 90％의 공극률을 갖거나, 10 ㎛2 내지 3.0 ㎜2 크기의 구멍을 갖거나, 파단 신도가 100％ 이상이거나, 0.1 N/20 ㎜를 초과하는 인장 강도를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트에 따르면, 메쉬를 포함하는 필름을 기재 필름으로서 이용함으로써, 구멍의 크기 및 오프닝 영역을, 부직포 및 천공 가공한 시트에 대하여 비교적 큰 크기로 확보할 수 있기 때문에, 워터젯 레이저 다이싱에 있어서, 액체류에 기인하는 액체의 투과성을 안정하게 유지할 수 있어, 칩 또는 IC 부품 등에 다이 비산이 발생하거나, 크래킹, 치핑 등의 결함이 생기는 것을 방지하고, 매우 얇은 반도체 웨이퍼 또는 재료의 가공이 가능한 접착 시트를 제공하는 것이 가능해진다.
본 발명의 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트는, 주로 기재 필름 및 그 위에 배치되는 접착제층을 포함한다. 여기서, 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트란, 액체류(통상적으로, 수류)에 의해 안내되는 레이저 빔을 사용한 다이싱에 이용되며, 또한 다이싱시에서의 상기 액체류, 예를 들면 소정 압력 이상의 액체류를, 접착제층측으로부터 점착 시트에 직접 또는 간접적으로 부여한 경우의 액체를, 점착 시트 의 한 표면측으로부터 다른 표면측으로 밀어내는 것이 가능한 점착 시트를 가리킨다. 이 때의 소정 압력은 통상 수 MPa 정도 이상으로 할 수 있다.
기재 필름으로서, 섬유를 포함하는 직물(즉, 메쉬 필름) 등을 들 수 있다. 이 섬유로서는, 중합체 섬유, 합성 섬유, 천연 섬유, 무기 섬유 등을 들 수 있다. 중합체 섬유로서는, 합성 수지, 예를 들면 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀(구체적으로는, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 연신 폴리프로필렌, 비연신 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등), 폴리에스테르, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, EVA, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리아미드, 아세탈 수지, 폴리스티렌, 폴리술폰, 폴리카보네이트, 나일론, 불소 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체 등의 고무 성분 함유 중합체 등, 합성 섬유로서는 중합체 섬유, 레이온 또는 아세트산셀룰로오스 등, 천연 섬유로서는 면, 견 또는 양모 등, 무기 섬유로서는 유리 섬유 또는 탄소 섬유 등을 들 수 있다. 여기서, 직물이란, 통상적으로 위사와 경사가 직각 또는 소정 각도로 교차하고, 옆의 실과 비교적 밀착되어 평면적으로 연속해 있는 조직을 의미하며, 다양한 조직을 들 수 있다. 기재 필름은 폴리올레핀으로부터 형성되거나, 폴리올레핀을 포함하는 층을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 레이저 다이싱에 대한 적절한 강도와 신장성의 양쪽 특성을 확보할 수 있다. 이들은 단층 또는 2층 이상의 다층 구조로 할 수 있다. 단층의 경우에는 물에 대한 저항을 감소시킬 수 있어, 물의 투과성이 보다 양호해진다. 또한, 이들 섬유는 모노필라멘트 또는 멀티필라멘트 중 어느 하나일 수 있다. 필라멘트를 이용하여 형성함으로써, 물에 대한 습윤성이 향상되고, 물 투과가 양호해진다. 메쉬의 평균 구멍 크기를 균일하게 하기 위해서는 모노필라멘트인 것이 바람직하다. 섬유 직경은 직경이 10 내지 150 ㎛ 정도인 것이 바람직하고, 액체 투과성 측면에서, 25 내지 80 ㎛ 정도가 보다 바람직하다.
기재 필름에서의 메쉬의 개구 직경은 5 내지 800 ㎛ 정도가 바람직하고, 특히 피가공물이 1 ㎜ 이하인 작은 칩 크기를 상정한 경우에는, 5 내지 500 ㎛ 정도가 보다 바람직하다. 한편, 개구 직경이란, 메쉬가 대략 원형인 경우에는 그의 직경, 다각형 형상 등인 경우에는 그의 한 변의 길이를 의미한다. 다른 측면에서, 메쉬 구멍의 크기는, 예를 들면 10 ㎛2 정도 내지 3.0 ㎜2 정도, 바람직하게는 25 ㎛2 정도 이상, 100 ㎛2 정도 이상, 1000 ㎛2 정도 이상, 0.1 ㎜2 정도 이상, 또한, 3.0 ㎜2 정도 이하, 2.0 ㎜2 정도 이하, 1.1 ㎜2 정도 이하가 적당하다.
한편, 메쉬 필름은 코로나 방전 처리, 화염 처리, 플라즈마 처리, 스퍼터 에칭 처리 또는 하도(예를 들면, 프라이머), 불소 처리 등의 표면 처리, 약액에 의한 탈지 처리 등이 실시될 수 있다. 점착제와의 밀착성을 높이기 위함이다. 그 중에서도, 하도 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 메쉬 필름을 포함하는 기재 필름의 두께는 시트의 파손, 또는 반도체 웨이퍼 등의 가공 중의 절단을 방지하는 동시에 제조 비용을 억제하는 측면에서, 10 내지 400 ㎛가 바람직하고, 30 내지 250 ㎛가 더욱 바람직하다.
본 발명의 기재 필름은 파단 신도가 100％를 초과하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 150％이다. 기재 필름이 신장됨으로써, 다이싱 공정 후에 있어서, 접착 시트로부터 칩 등을 용이하게 픽업하는 것이 가능해지기 때문이다.
또한, 기재 필름은 인장 강도가 0.1 N/20 ㎜를 초과하는 것이 바람직하고, 0.3 N/20 ㎜보다 높은 것이 더욱 바람직하다. 점착 시트 자체의 파손 및/또는 절단을 회피하기 위함이다.
파단 신도 및 인장 강도는, 예를 들면 길이 5.0 cm, 폭 20 ㎜의 시료를 사용하여 인장 시험기에 의해 측정할 수 있다. 시험을 행할 때의 인장 속도는 실온에서 300 ㎜/분이다(ASTM D1000에 준거). 파단 신도는 이하와 같이 산출할 수 있다.
파단 신도＝(파단시의 길이-원래의 길이)/(원래의 길이)×100％
인장 강도는 파단시의 측정값이다.
접착제층은 기재 필름의 한면에 도포된 접착제층에 의해 구성되어 있다. 이 접착제는 감압형, 감열형, 감광형 중 어느 타입일 수도 있지만, 에너지선의 조사에 의해 경화되는 타입의 접착제인 것이 적합하다. 이에 따라, 피가공물로부터의 박리를 용이하게 행할 수 있다. 에너지선으로서는, 예를 들면 자외선, 가시광선, 적외선 등, 다양한 파장의 것을 이용할 수 있지만, 다이싱에 이용하는 레이저 빔이, 400 nm 이하의 발진 파장, 예를 들면 발진 파장 248 nm의 KrF 엑시머 레이저, 308 nm의 XeCI 엑시머 레이저, YAG 레이저의 제3 고조파(355 nm), 제4 고조파(266 nm), 또는 400 nm 이상의 발진 파장, 예를 들면 다광자 흡수 과정을 경유한 자외선 영역의 광 흡수가 가능하고, 또한 다광자 흡수 애블레이션(ablation)에 의해 20 ㎛ 이 하의 폭의 절단 가공 등이 가능한 파장 750 내지 800 nm 부근의 티탄사파이어 레이저 등으로 펄스 폭이 1e-9초(0.000000001초) 이하인 레이저 등인 점에서, 사용하는 다이싱 장치의 레이저 빔의 조사에 의해 경화되지 않는 접착제를 이용하는 것이 바람직하다.
점착제층의 형성 재료로서는, 고무계 중합체, (메트)아크릴계 중합체 등을 포함하는 공지된 점착제를 사용할 수 있고, 특히 (메트)아크릴계 중합체가 바람직하다. 이에 따라, 감광형 접착제로 하는 경우에도, 에너지선 경화용의 특별한 단량체/올리고머 성분 등을 첨가하지 않아도 경화가 가능해진다.
고무계 중합체로서는, 예를 들면 천연 고무(예를 들면, 폴리이소프렌 등), 합성 고무(예를 들면, 스티렌-부타디엔 고무, 폴리부타디엔계, 부타디엔-아크릴로니트릴계, 클로로프렌계 고무 등) 중 어느 하나일 수 있다.
(메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분으로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 및 도데실기 등의 탄소수 30 이하, 바람직하게는 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 알킬아크릴레이트 또는 알킬메타크릴레이트를 들 수 있다. 이들 알킬(메트)아크릴레이트는 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
상기 이외의 단량체 성분으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 및 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산이나 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체, 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체, (메트)아크릴아미드, (메트)아크릴산 N-히드록시메틸아미드, (메트)아크릴산알킬아미노알킬에스테르(예를 들면, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등), N-비닐피롤리돈, 아크릴로일모르폴린, 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 단량체 성분은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
또한, (메트)아크릴계 중합체의 가교를 목적으로, 임의로 다관능 단량체를 이용할 수 있다. 다관능 단량체로서는, 예를 들면 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 및 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능 단량체는 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 다관능 단량체의 사용량은 점착 특성 등의 측면에서, 전체 단량체 성분의 30 중량％ 이하인 것이 바람직하고, 20 중량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 탄소-탄소 2중 결합 등의 에너지선 경화성 관능기를 갖는 단량체 및/또는 올리고머를 사용하는 것이 바람직하다.
단량체/올리고머로서는, 예를 들면 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이들의 배합량은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 점착성을 고려하면, 점착제를 구성하는 (메트)아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100 중량부에 대하여, 5 내지 500 중량부 정도인 것이 바람직하고, 70 내지 150 중량부 정도인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 감광형 접착제를 구성하는 경우에는 광 중합 개시제를 이용하는 것이 바람직하다. 광 중합 개시제로서는, 예를 들면 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드 록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α-메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물, 2-메틸-2-히드록시프로필페논 등의 α-케톨계 화합물, 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물, 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물, 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 광 중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 베이스 중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부 정도인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5 중량부 정도이다.
또한, 베이스 중합체의 중량 평균 분자량을 높이기 위해, 임의로 가교제를 첨가할 수 있다. 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 무수 화합물, 폴리아민, 카르복실기 함유 중합체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 박리 점착력이 너무 저하되지 않는 것을 고려하여, 일반적으로 베이스 중합체 100 중량부에 대하여 0.01 내지 5 중량부 정도인 것이 바람직하다.
또한, 임의로 상기 성분 이외에 종래 공지된 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제 등의 첨가제를 함유시킬 수 있다.
아크릴계 중합체의 제조는, 예를 들면 1종 또는 2종 이상의 단량체 또는 이들의 혼합물에 용액 중합법, 유화 중합법, 괴상 중합법, 현탁 중합법 등의 공지된 방법을 적용하여 행할 수 있다. 이 중에서도 용액 중합법이 바람직하다. 여기서 사용하는 용매는, 예를 들면 아세트산에틸, 톨루엔 등의 극성 용제를 들 수 있다. 용액 농도는 통상적으로 20 내지 80 중량％ 정도이다.
중합체의 제조에서는 중합 개시제를 사용할 수도 있다. 중합 개시제로서는, 과산화수소, 과산화벤조일, t-부틸퍼옥시드 등의 과산화물계를 들 수 있다. 단독으로 사용하는 것이 바람직하지만, 환원제와 조합하여 산화 환원계 중합 개시제로서 사용할 수도 있다. 환원제로서는, 예를 들면 아황산염, 아황산수소염, 철, 구리, 코발트염 등의 이온화의 염, 트리에탄올아민 등의 아민류, 알도오스, 케토오스 등의 환원당 등을 들 수 있다. 또한, 2,2'-아조비스-2-메틸프로피오아미딘산염, 2,2'-아조비스-2,4-디메틸발레로니트릴, 2,2'-아조비스-N,N'-디메틸렌이소부틸아미딘산염, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸-N-(2-히드록시에틸)프로피온아미드 등의 아조 화합물을 사용할 수도 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상 병용하여 사용할 수도 있다.
반응 온도는 통상적으로 50 내지 85 ℃ 정도, 반응 시간은 1 내지 8 시간 정 도이다.
특히, 아크릴계 중합체는 피가공물로의 오염 방지 등의 측면에서, 저분자량 물질의 함유량이 적은 것이 바람직하고, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은 30만 이상이 바람직하고, 80만 내지 300만 정도가 더욱 바람직하다.
점착제층의 두께는, 피가공물로부터 박리되지 않는 범위에서 적절히 조정할 수 있지만, 충분한 접착 강도를 확보할 수 있는 동시에, 반도체 웨이퍼 등을 테이프로부터 떼어낸 후, 이 웨이퍼 등의 이면에 바람직하지 않은 접착제 잔사가 잔존하는 것을 방지하고, 또한 접착층의 절단에 의해 물을 용이하게 통과시킬 수 있는 측면에서, 1 내지 50 ㎛ 정도, 3 내지 20 ㎛ 정도가 보다 바람직하다. 이에 따라, 다이싱시에 레이저 빔의 조사 또는 액체류에서 기인하는 진동에 의한 점착제층의 공명을 최소한으로 그치게 하여 진폭 폭을 억제할 수 있으며, 칩의 크래킹, 치핑 등을 방지할 수 있다. 또한, 다이싱시의 피가공물의 고정을 확실하게 행할 수 있다.
한편, 접착제층은 후술하는 바와 같이, 기재 필름과 마찬가지로 천공을 포함하고 있는 것이 바람직하다. 천공은, 기재 필름에 대하여 후술하는 방법 중 어떠한 것에 의해서도 형성할 수 있으며, 기재 필름의 천공과 동시에 형성함으로써, 기재 필름과 접착제층의 천공이 대략 일치하고 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 점착 시트는, 당 기술 분야에서 공지된 테이프의 제조 방법에 의해 형성할 수 있다. 예를 들면, 우선 기재 필름을 준비한다. 이어서, 접착제를 기재 필름에 적층한다. 이 경우, 직접 기재 필름에 코팅할 수도 있고, 또는 접착 제를 박리제가 도포된 공정 재료에 코팅하여 건조한 후, 이 접착제를 기재 필름에 적층하는 트랜스퍼 코팅법을 이용하여 적층할 수도 있고, 기재 필름 위에 접착제를 압연 적층할 수도 있다. 이들 코팅은, 예를 들면 리버스 롤 코팅, 그라비아 코팅, 커튼 스프레이 코팅, 다이 코팅, 압출 및 다른 공업적으로 응용되는 코팅법 등 다양한 방법을 이용할 수 있다. 한편, 준비한 기재 필름은, 기재 필름 상태에서 천공을 가질 수도 있고, 기재 필름에 접착제를 코팅한 후에 형성할 수도 있다.
본 발명의 점착 시트는 1.5 N/20 ㎜ 이상, 보다 바람직하게는 3 N/20 ㎜ 이상의 접착 강도를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 10 N/20 ㎜ 미만, 8 N/20 ㎜ 미만인 것이 보다 바람직하다. 즉, 다이싱 기술의 워터젯 레이저를 이용한 기술로의 변천에 따라, 다이싱용 점착 시트의 점착력에 대한 임계적 의의가 변화되고 있고, 그 결과, 보다 약한 접착력에 의해서도 다이싱시의 웨이퍼 등의 양호한 접착을 확보할 수 있는 동시에, 점착 시트로부터 칩 또는 부품이 박리되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 초기 접착력의 감소에 의해, 픽업시의 칩 또는 IC 부품 등의 결손 등의 결함을 저하시킬 수 있다. 특히, 감광형 접착제의 경우에는 에너지선 조사 후의 접착제의 접착력을 유효하면서도 신속, 간편하게 감소시킬 수 있다. 한편, 에너지선 조사 후의 접착 강도는 0.2 N/20 ㎜ 미만이 바람직하고, 0.18 N/20 ㎜ 미만인 것이 더욱 바람직하다.
여기서, 접착 강도는 측정 온도가 23±3 ℃, 박리 각도가 180°, 박리 속도가 300 ㎜/분(ASTM D1000에 준거)인 조건하에, Si 미러 웨이퍼 상에서 측정한 경우의 값이다.
본 발명의 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트의 실시예를 이하에 상세히 설명한다.
(점착제층의 형성)
아크릴산메틸 60 중량부, 아크릴산 2-에틸헥실 35 중량부, 아크릴산 5 중량부를 아세트산에틸 중에서 통상법에 의해 공중합시켰다. 이에 따라, 중량 평균 분자량 70만의 아크릴계 공중합체를 함유하는 용액을 얻었다.
다음으로, 아크릴계 공중합체를 함유하는 용액에, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트와 디이소시아네이트를 반응시켜 얻은 자외선 경화성 올리고머(25 ℃에서의 점도 10 Pa·초) 100 중량부, 광 중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 3 중량부 및 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛본폴리우레탄사 제조) 2 중량부를 가하여, 아크릴계의 자외선 경화형 점착제 용액을 얻었다.
실시예
선 직경 20 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트를 포함하는 평균 메쉬 개구 직경이 30 ㎛□(오프닝 영역 30％), 50 ㎛□(오프닝 영역 55％), 100 ㎛□(오프닝 영역 85％), 평균 두께가 각각 45 ㎛인 메쉬 필름을 기재로 하고, 상기에서 제조한 점착제를 두께 10 ㎛가 되도록 도포하여, 레이저 가공용 점착 시트를 제조하였다.
비교예 1
공극률 60％의 폴리프로필렌을 포함하는 두께 80 ㎛의 부직포에, 상기에서 얻어진 점착제를 두께 10 ㎛가 되도록 도포하여, 점착 시트를 제조하였다.
비교예 2
공극률 80％의 폴리프로필렌을 포함하는 두께 80 ㎛의 부직포에, 상기에서 얻어진 점착제를 두께 10 ㎛가 되도록 도포하여, 점착 시트를 형성하였다.
(평가)
실시예 및 비교예에서 제조된 점착 시트를 이용하여 실리콘 웨이퍼를 다이싱하고, 가공시의 칩 비산수 및 칩 결손 발생량을 비교하였다.
이하의 조건으로 다이싱했을 때의 칩 비산율(％)을 산출하였다.
레이저 파장: 1064 nm
다이싱 속도: 50 ㎜/s
레이저 직경: 50 ㎛
워터젯 압력: 40 MPa
칩 크기: 1 ㎜× 1 ㎜
웨이퍼 크기: 13.7 cm(5 인치)
웨이퍼 두께: 150 ㎛
칩 비산 평가는 정방형의 1 ㎜□ 칩의 비산수로부터 산출하였다. 칩의 결손은 칩 단면 방향에서 보아 깊이 방향으로 25 ㎛ 이상의 결손이 발생한 칩 수의 비율로부터 산출하였다.
Figure 112007079282649-PAT00001
표 1로부터 분명한 바와 같이, 기재 필름이 메쉬를 포함하는 경우에는 공극률에 상관없이, 부직포와 비교하여 칩 비산율 및 칩 결손 발생률 모두 억제할 수 있다. 특히, 수류에서 기인하는 물이 용이하게 점착 시트를 투과하여, 접착제와 칩 사이의 밀착성을 충분히 확보할 수 있고, 칩 비산이 발생하지 않는 것이 확인되었다.
한편, 비교예 1에서는 공극률이 비교적 큼에도 불구하고, 물 투과가 안정적이지 않아, 접착제와 칩 사이의 밀착성을 충분히 확보할 수 없고, 칩 비산이 발생하는 동시에, 밀착성의 저하에서 기인하는 칩의 결손이 발생하였다.
본 발명의 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트는 액체류에 의해 안내되는 레이저 빔에 의해 다이싱 가공할 수 있는 대상, 즉 반도체 관련 재료(예를 들면, 반도체 웨이퍼, BGA 패키지, 인쇄 회로, 세라믹판, 액정 장치용 유리 부품, 시트 재료, 회로 기판, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광/수광 소자 기판, MEMS 기판 또는 반도체 패키지 등) 등뿐만 아니라, 모든 종류의 재료에 대하여 광범위하게 이용할 수 있다.

Claims (6)

  1. 기재 필름 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트이며,
    기재 필름이, 섬유에 의해 형성된 메쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트.
  2. 제1항에 있어서, 기재 필름이 모노필라멘트 또는 멀티필라멘트를 포함하는 섬유에 의해 직물로서 형성되어 이루어지는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트.
  3. 제1항에 있어서, 기재 필름이 3 내지 90％의 공극률을 갖는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트.
  4. 제1항에 있어서, 기재 필름이 10 ㎛2 내지 3.0 ㎜2 크기의 구멍을 갖는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트.
  5. 제1항에 있어서, 기재 필름의 파단 신도가 100％ 이상인 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트.
  6. 제1항에 있어서, 기재 필름이 0.1 N/20 ㎜를 초과하는 인장 강도를 갖는 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트.
KR1020070112070A 2006-11-06 2007-11-05 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트 KR20080041122A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00299859 2006-11-06
JP2006299859A JP2008117943A (ja) 2006-11-06 2006-11-06 ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080041122A true KR20080041122A (ko) 2008-05-09

Family

ID=38969863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070112070A KR20080041122A (ko) 2006-11-06 2007-11-05 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20080182095A1 (ko)
EP (1) EP1918345B1 (ko)
JP (1) JP2008117943A (ko)
KR (1) KR20080041122A (ko)
CN (1) CN101177597A (ko)
AT (1) ATE506421T1 (ko)
DE (1) DE602007013989D1 (ko)
TW (1) TW200842030A (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012184324A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Nitto Denko Corp 薄膜基板固定用粘接着シート
MY168738A (en) * 2012-09-25 2018-11-29 Sumitomo Bakelite Co Dicing film
US9195929B2 (en) * 2013-08-05 2015-11-24 A-Men Technology Corporation Chip card assembling structure and method thereof
CN106206431A (zh) * 2016-08-01 2016-12-07 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种制作异形硅单晶抛光片的方法
JP7281873B2 (ja) 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7143019B2 (ja) * 2018-06-06 2022-09-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154686B2 (ja) * 2018-06-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7191458B2 (ja) * 2018-08-06 2022-12-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7175560B2 (ja) * 2018-09-06 2022-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154698B2 (ja) * 2018-09-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7171134B2 (ja) * 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7199786B2 (ja) * 2018-11-06 2023-01-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020077681A (ja) * 2018-11-06 2020-05-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7229636B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7224719B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282453B2 (ja) * 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282452B2 (ja) * 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282455B2 (ja) * 2019-03-05 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7277019B2 (ja) * 2019-03-05 2023-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7313767B2 (ja) * 2019-04-10 2023-07-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020174100A (ja) * 2019-04-10 2020-10-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7286245B2 (ja) * 2019-06-07 2023-06-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7345973B2 (ja) * 2019-08-07 2023-09-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7341606B2 (ja) * 2019-09-11 2023-09-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021064627A (ja) * 2019-10-10 2021-04-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7301480B2 (ja) * 2019-10-17 2023-07-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021077720A (ja) * 2019-11-07 2021-05-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3085572A (en) * 1961-10-06 1963-04-16 Johnson & Johnson Tape
JP2532724Y2 (ja) * 1990-04-12 1997-04-16 株式会社 スリオンテック ワイヤーハーネス結束用布粘着テープ
DE4418845C5 (de) * 1994-05-30 2012-01-05 Synova S.A. Verfahren und Vorrichtung zur Materialbearbeitung mit Hilfe eines Laserstrahls
EP0926732A3 (en) * 1997-12-10 2001-01-03 Nitto Denko Corporation Process for producing semiconductor device and pressure-sensitive adhesive sheet for surface protection
EP1139415B1 (en) * 2000-03-30 2009-02-25 Nitto Denko Corporation Water-permeable adhesive tape for semiconductor processing
JP4087144B2 (ja) * 2001-04-23 2008-05-21 古河電気工業株式会社 レーザーダイシング用粘着テープ
JP4886937B2 (ja) * 2001-05-17 2012-02-29 リンテック株式会社 ダイシングシート及びダイシング方法
JP2005167042A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハ固定用粘着テープ
JP4704017B2 (ja) * 2004-12-09 2011-06-15 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP2008117945A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Nitto Denko Corp ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
TW200842030A (en) 2008-11-01
US20080182095A1 (en) 2008-07-31
CN101177597A (zh) 2008-05-14
EP1918345A1 (en) 2008-05-07
EP1918345B1 (en) 2011-04-20
DE602007013989D1 (de) 2011-06-01
JP2008117943A (ja) 2008-05-22
ATE506421T1 (de) 2011-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080041122A (ko) 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트
JP5000370B2 (ja) ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート
KR20080041123A (ko) 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트
KR100427566B1 (ko) 투수성 접착테이프
JP4873863B2 (ja) レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート
JP5537789B2 (ja) レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
KR20080020516A (ko) 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트
JP2005236082A (ja) レーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法
KR20070109910A (ko) 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트
KR20080020515A (ko) 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트
JP4781634B2 (ja) レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP2006111659A (ja) レーザー加工用粘着シート及びこれを用いたレーザー加工品の製造方法
WO2009087930A1 (ja) 半導体素子の製造方法
JP2008270505A (ja) ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート
JP2005279757A (ja) レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP4780695B2 (ja) レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP2006176725A (ja) レーザー加工用粘着シート
JP2005279758A (ja) レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP2005279754A (ja) レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP2008085303A (ja) ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート
JP2009164502A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2009164501A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2006176719A (ja) レーザー加工用粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid