TW200837215A - Coating installation and gas-feed system - Google Patents

Coating installation and gas-feed system Download PDF

Info

Publication number
TW200837215A
TW200837215A TW096123135A TW96123135A TW200837215A TW 200837215 A TW200837215 A TW 200837215A TW 096123135 A TW096123135 A TW 096123135A TW 96123135 A TW96123135 A TW 96123135A TW 200837215 A TW200837215 A TW 200837215A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
coating apparatus
pipeline
discharge ports
sections
Prior art date
Application number
TW096123135A
Other languages
English (en)
Inventor
Stephan Wieder
Tobias Repmann
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW200837215A publication Critical patent/TW200837215A/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • H01J37/32449Gas control, e.g. control of the gas flow

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

200837215 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種塗覆設備,特別是PECVD塗覆 設備,其包含一製程室與一用以將氣體饋入及/或排出該製 程室的氣體管線系統,.其中該氣體管線系統具有至少一饋 入口用以將氣體饋入或排出該氣體管線系統、至少兩排出 口用以將氣體排出或引入該氣體管線系統,以及多個管線 分別設置在該至少一饋入口與該等排出口之間;並且,每 一個位於該至少一饋入口與該等排出口間之該等管線的流 動阻力係實質等大小。再者,本發明有關於一種氣體管線 系統,其用以將一氣體供應及/或排出該塗覆設備(特別是 PECVD塗覆設備)的一製程室,讀氣體管線系統包含至少 一饋入口、至少兩個排出口與多個管線,該至少一饋入口 用以將氣體饋入或排出該氣體管線系統,該至少兩個排出 口係用以將氣體排出或導入該氣體管線系統,以及該等管 線分別設置在該至少一饋入口與該等排出口之間,並且每 一個介在該至少一饋入口與該等排出口間之該等管線的流 動阻力係實質上等大小。 【先前技術】 目前有多種可用來塗覆基材的塗覆製程方法。這些方 法中,用來製造太陽能電池的方法係電漿加強化學氣相沉 積法(PECVD)。該方法係在電漿輔助的情況下於氣相中進 行塗覆製程。在該方法中,將數種氣體供應至一製程室或 5 200837215 電漿室中’而由供應氣體所產生的電漿中含有用來形成膜 層的刖驅產物(layer_forining pre-products),其有利於基材 上的膜層生長。 為了達成均勻的塗覆層,必須將製程氣體盡可能均勻 地供應至製程室或電漿室中。在習知技術中已有數種用來 將氣體均勻供應氣體至PECVD製程室中的方法。例如, 提供一氣體管線以將至製程氣體的適當混合物供應至「喷 頭」電極。該噴頭電極一方面是做為第一電極,其能與一 第二電極合作以形成一電漿。另一方面,該喷頭電極具有 多個排出口’使流經氣體管線的製程氣體通過該些排出口 而均勻地供應至該製程室,也就是使該製程氣體均勻地分 佈於整個塗覆表面上或其上方。此類用於圓形基材塗覆製 程中的喷頭電極描述諸如美國專利案6,41〇,〇89bi號中。 此外’管線結構可能有助於分散製程氣體。氣體透過 为枝狀官線結構而從一饋入點分散(distributed)出來。如第 1圖所示’可透過一饋入點2將製程氣體饋入該氣體管線 系統1中。饋入後的製程氣體會均等地分成兩股而朝向管 線3a與3b兩方向。氣體經由排出口 4&及/或4b進入該製 程室中。製程氣體係經過該第一開口 4a而通往一第一方形 區塊5 a ’該方形區塊5 &係以虛線標示出來。並經由該第 二開口 4b將製程氣體供應至一第二方形區塊5b。為了達 到均勻供應器體的效果,管線3a與3b的流動阻力在指定 的容許範圍下係相等大小。 由於所用氣體可能需涵蓋較大面積,從如第2圖中所 6 200837215 繪示之點式饋人σ 0 μ 2所供應的氣體首先會被第一管 3a與3b分成兩股。辞望與 ^ °亥等管線區段3a與3b的端點 視為虛擬的饋入點2a或2b,從該饋入點2a或孔 延伸出兩條管線區段3aa與3ab或是…與加。 如果分歧點2&與2b實際上形成通往其他通道 徑,並從該處讓營綠么士接_ & 嗫&線、、Ό構繼續延伸下去時,則該等 2a與2b亦可視為實際饋入點。 、 結果是,等量的氣體分別進入該四個區5a ' 與5d中,使得製程氣體整體適當且均句地供應至第 繪示的方形面積中。 右投影成二維圖,根據第2圖,該氣體分散系 一 Η形結構所構成,製程氣體從H形結構的中心處 再從該Η形結構的四個角落點處供應至處理室中。 可在該等角落點處提供例如同樣為Η形管線結構狀 分歧區域(branching leve卜或分歧層)。如此—來, 小與均勻度的要求來提供任意數量的分歧區。為了 平均地分佈在電漿室中的基材上方,在任一分散區 於起始點與終點間之管線區段的傳導值需皆相同。 應管線具有相同的幾何形狀設計來達成上述要求, 對應的管線區段具有相同長度與相同截面。每彳@ ^ 分歧區轉換到下個分歧區時皆分歧出相同數量的管 此無需進行測量來確保該中心饋入點與每個排出點 流動阻力都一致。其後,整體得到一個管線結構, 結構在不同的區域中延伸並且由一饋入點分歧 線區段 可分別 又各自 的一路 分歧點 5b、5c 2圖所 統是由 L饋入, 當然, 的又一 可視大 將氣體 中,介 可使對 也就是 線從一 線,因 之間的 該管線 i 2n/2 7 200837215 (n=l、2、3...)個新饋入點。 在諸如德國專利案1 0045958 A1號中描述了一種具有 Η形的雙向與四向分枝的結構。 由於該些虛擬或實際的饋入點2、2a、2b (參見第2 圖)與該些相對應的排出點4 a、4 b、4 c與4 d在每個區域 (level)中形成一規則柵(regular raster),在已知的結構範例 中,能將製程氣體均勻地供應至長寬比(aspect ratios)為 1:1或若僅能看見一半之Η形結構時則長寬比為2:1的面 積,並且在後者中,該Η形結構可沿著垂直對稱軸切開。 除上述之外,也可應用於長寬比為4:1或任何只要是偶數 長寬比的矩形塗覆格式。 然而,卻無法利用此種結構來實現能均勻覆蓋具有非 偶數長寬比之表面的單一中心饋入點規則柵。 【發明内容】 據此,本發明的一目的在於製造一種塗覆設備或是用 於塗覆設備的氣體管線系統,其能將製程氣體均勻地分佈 至製程/電漿室中之基材表面上方,從而在基材上得到均勻 地塗覆層,並適用於不同的基材格式。更明確而言,可經 由一中心饋入點以及由多個氣體排出點所構成的規則栅將 氣體均勻地供應至具有非偶數長寬比的矩形基材上。 可利用如本案申請專利範圍第丨項所述之塗覆設備以 及申請專利範圍第17項所述之氣體管線系統來達成上述 目的。由附屬申請專利範圍可獲得數種有利的實施例。 8 200837215 本發明之塗覆設備,特別是PECVD塗覆設備,包含 一製程室以及用以將氣體供應及/或排出該塗覆設備之製 程室的一氣體管線系統;該氣體管線系統具有至少一用以 將氣體饋入或排出氣體管線系統的饋入口、至少兩個用來 將氣體排出或引入氣體管線系統的排出口以及多個管線, 其中該等管線分別設置在該至少一饋入口與該等排出口之 間,並且介於該至少一饋入口與該等排出口間之每條管線 的流動阻力係實質上等大小。該氣體管線系統具有至少一 分歧點(branch point),在該分歧點處,一第一管線區段通 向至少三條第二管線區段,並且該等第二管線區段連接至 該第一管線區段。 本發明為了能夠實施於該些長寬比非為偶數(如1:1或 2:1)的矩形基材,係在至少一分散區(distribution level)t 使一虛擬或實際氣體饋入點分歧成兩條以上的管線,更明 確而言係分歧成恰好三條管線。並可藉著使每個分散區中 之該等分枝管線的氣體傳導值皆實質等大小,來確保均勾 的氣體分佈作用。若一區域中的該等傳導值相對於一或多 個其他分散區之傳導值而言是非常大因而可忽略不計的時 候,則該等傳導值彼此間的偏差僅能落在指定的容許值 内。介於該饋入口與該等排出口之間的所有通道具有相似 的結構設計,例如沿著該等通道之長度方向上的截面具有 相似輪廓。因此,該樹狀結構的所有分枝的流動特性均很 相似,而無需採取額外的測量對該等流動阻力彼此之間進 行調整。因為此類調整動作是不易計算且難以執行的。無 9 200837215 論如何,必須確保氣體能從該等排出口均句地流出即是 氣體必須以相同的流率(單位時間)、相同的流動模式 (current profile)與相同的速度從所有排出口流出。 藉由本發明,該些奇數的基材格式,特別是長寬比例 如為3:2、3:4的基材格式(除了 1:1以外)也能利用由單一 饋入點提供多個排出口所構成的規則栅來均句塗覆塗層。 因此,該結構對稱地延伸,且介於該饋入點與該等排出口 之間的所有管線或通道具有相同長度、相同數目的分枝與 相同·的截面輪廓。更明確而言,在該分歧點處分枝而出的 該等官線區段,可從饋入口側的管線區段以相同角度延伸 出’也就是當氣體流經該等分枝管線區段時,通過該分歧 點處的氣體方向改變必須是相同角度。如此一來,在一管 線區中的該等管線具有相同的流動阻力。 舉例而言’將氣體分散至處理室中具有長寬比3:2之 表面上方的其一方法係將矩形的基材表面劃分成例如六塊 方形表面’並且各自透過位在該等方形表面中心處的排出 口將氣體供應至該些方形表面。可藉著配置雙向或三向的 分枝從該中心饋入點均勻地供應氣體至該等排出口,從而 供應至整個表面’且該等分枝相對於總表面之中心來說係 呈現點對稱狀態。 本發明之塗覆設備特別適合用於PECVD塗覆製程, 例如用於製造薄臈矽太陽能光電模組的塗覆製程。藉由 PECVD方法將太陽能電池的矽層沉積在玻璃平面基材 上。玻璃的尺寸通常對應於太陽能光電模組的尺寸。基於 10
200837215 多種理由,傾向製造具有1:1或 細。太由社安, 2:1以外之長寬比的模 組本申5月案提出的塗覆設備係釺 ,μ ^ ^ 手此點而設計。長寬比 非偶數之矩形模組的其一優點在於 紐眭拓求姓1 、’例如在安震太陽能模 、、且時’矩形袼式的模組比方形袼 ^的換組要容易掌控。此 外,整合至建築物中的光電模組 、吊為矩形,特別是具有 除了 2:1以外之長寬比的尺寸袼 】 有 加值 士 * 式。非偶數長寬比的另一 個優點在於其在PECVD方法中塗 , 窆層具有較兩的均勻度。
由於當使用長電極時會產生塗層W g 9句度的問題,取代掉例 如2:1之比例,改採用3:2之長 見比對於相同的塗覆面積 來說更有利。並且,3:2比例之 间板格式亦為泛用的映像 面板格式,其相當常見或逐漸成為標準規格。 ,本發明提供能夠在所有場合下將氣體饋入電漿室並 具有同步且均句之氣體分佈情形以形成均勾塗層的規則 柵0 該第一管線區段流向恰好三條第二管線區段,且該等 第二管線區段連接至該第一管線區段。整體而言,一樹狀 結構形成多個分枝進入不同區域中,該等區域可具體地視 為膜層配置區域(layer arrangements)或抽像的分歧區域 (branching levels),也就是該等管線持續分歧而出並朝向 該等排出口。該等分枝管線區段因而呈現鏡像對稱狀,及/ 或以該分歧點為根據而呈現點對稱狀,並且在該等分枝管 線中不會發生流動阻力不同的問題。 反之,該氣體管線系統亦可做為將該處理室内之氣體 抽出的系統。雖然此一可能用途並未在本文中重複提起及 11 200837215 描述其細節,但仍舊涵蓋在本發明範圍中。該等排出口通 向該處理室,而做為從處理室中抽出氣體的開口。所抽出 的氣體係通過該管線系統到達該中心開口(在本文中稱為 饋入口),而從該中心開口離開氣體管線系統。 較佳者,至少三個排出口連接至該至少一饋入口,更 明確而言,該排出口的數目可為恰好三個或是三的倍數。 如此一來,利用此規則供應柵來提供氣體能均勻地塗覆具 有奇數長寬比的矩形格式基材。 更明確而言,介於該饋入口與該等排出口之間的該等 管線係等長。至少在一大流動阻力的區域中的該等管線具 有相同長度,且至少從一分歧點或節點處開始朝三方向分 枝而出。至少在三向分枝結構中,相同長度會產生實質等 大小的流動阻力。本發明特別適合在該些具有某些區域的 流動阻力不會太大但其他區域的流動阻力卻相對而言小到 可忽略的系統。 較佳者,在該饋入口與該等排出口之間,該等管線各 自具有相同數目的分枝。 該等管線可至少通兩區域。如此能創造出具有不同區 域的樹枝狀結構,此處「區域(level)」可為抽象或具體的。 從中心饋入口開始,管線結構可在兩區域之間、以任意速 率、於每個節點處分枝出三個管線區段。該等分歧點或節 點是位在從一區域過渡至下依區域的位置處。 該第一管線區段可從一第一點,更明確而言是一饋入 點,通向該分歧點,並且從該分歧點處有至少三個接續的 12 200837215 第二官線區段以彼此間相距90。及/或180〇角度分枝而出。 從該分歧點延伸出的該三個管線區段與該第一管線區 段之間形成45 、1350或225。之角度。 該管線系統較佳至少在一區域中具有對稱結構。更明 確而言,使該等分枝管線依據一分歧點或節點為準呈點對 稱。 並形成至少一官線區段使其如同該板中的凹處或凹槽 般’更明確而吕’是利用銑床加工方式來形成。明確 而言’可將一或多個管線區域分別銑床加工於一板中。該 等板可如三明治般彼此堆疊,而發展出三維的樹狀結構。 較佳者’特別是利用銑床加工方式,來形成該第一管 線區段’使其如同一板中的凹處及/或凹槽般,以及在介於 該第一管線區段與該至少三個第二管線區段之間的板中鑽 孔做為連結’該至少三個第二管線區段設置於該板之面離 第一管線區段的該側上。壓印於該等板中的該些管線區段 因此透過該等板中的鑽孔連接至其他區域的管線區段。 明確而言,在整個總面積上將該等排出口配置成如同 一規則柵般,使得該等排出口各自成為多個等面積大小支 連續方形的中心,而其總面積形成具有不等長邊長與非偶 數長寬比的矩形❶即是說,除了方形(其V=l)以外,根據 本發明内容可實現V= (3*2n)/(2m)的比值V,其中n = 〇、 1、2、3···,以及 m = 0、1、2、3···,例如 3:1、3:2、3:4、 6:1等等。 在一較佳實施例中,該等排出口的數目可為三個或是 13 200837215 三的整數倍。因此,能夠為該些數目可被三整除之方形提 供均勻的氣體供應。此即相當於能夠使用非偶數的長寬 比。數目 N 為 N = 3*2n,其中 n = 0、1、2、3···。 較佳者,該氣體管線系統形成於塗覆設備之製程室的 蓋子中,或是做為製程室的蓋子。 在該處理室中,可設置多個工具以產生電漿,如電極。 可將該等通向製程室的排出口做成一電漿產生電極中 的多個開口。也就是,可將該氣體管線系统中含有該等排 出口的區域做成 PECVD系統的平面電極。該平面電極可 配合另一電極在製程室中產生電漿。 可藉著提供一種用於將氣體供入及/或排出塗覆設備 (特別是PECVD塗覆設備)之製程室的氣體管線系統來達 成上述任務,該系統包含至少一饋入口用以將氣體供入及/ 或排出該氣體管線系統、至少兩排出口用以將氣體排出或 導入該氣體管線系統中,以及在該至少一饋入口與該等排 出口間各自形成多個管線,並使該等管線在該至少一饋入 口與該等排出口之間的流動阻力實質等大小。 該氣體管線系統具有至少一分歧點,在該分歧點處, 一第一管線區段流向至少三個第二管線區段,該等第二管 線區段與該第一管線區段相連。 根據本發明之氣體管線系統亦可做為一較大系統中的 子系統。本發明大體上有關於一氣體管線系統中的3向分 枝方法,以提供數目為三或三之倍數的排出口。 比值永遠是指以較大邊長為分子且較短邊長為分母。 14 200837215 同樣地’所有關於反轉後的長寬比亦理應屬於本案 容範圍。 與該塗覆設備有關的特徵亦將與該氣體管線系 申請保護,該氣體管線系統可做為本發明塗覆系統 一構件。此外,文中所述多項特徵的所有可能組合 發明内容中申請保護。 【實施方式】 第3圖顯示根據本發明所做之用於PECVD塗憑 的氣體管線系統1。並以此種連接方式概略繪出一两 分配系統(two-stage distribution system) 〇 透過一中心饋入口 2來供應該製程氣體。所供肩 體於第一節點處平均流入兩管線3a與3b中,並且j 虛擬或貝際饋入點2a或2b處的該兩管線3a與3b肩 同的流動阻力。 在饋入點2a與2b處各自形成三向分枝。該三戌 實施在位於管線3a與3b所在區域下方的一區域中· 從節點2a或2b延伸出來的對應管線區段係以 3ab、3ac或3ba、3bb、3bc來標示。該等管線區段道 該分歧點2a或2b,並且具有排出d 4a、4b、4c或4d 4f 〇 在分歧點2a與2b處,該等管線區段3aa、3ab 或3ba、3bb、3bc係與該等管線區段3a或3b之間呈 13 5°或 225°角度通向排出口4&、413、4(:或4(1、46、 明内 〆併 的其 於本 [設備 ί階段 I的氣 :到兩 r有相 t分枝 3 3aa ' L接至 、4e、 ' 3ac 45°、 4f, 15 200837215 也因此該等管線區段3aa、3ab、3ac或3ba、3bb、3bc彼 此之間夾角為90。。 介在分歧點2a或2b與各別排出口 4a、4b、4c、4d、 4e或4f之間的這些管線區段3aa、3ab、3ac、3ba、3bb或 3bc具有相同的流動阻力。因此,可確保從每個排出口 4a、 4b ' 4c、4d、4e或4f所流出的製程氣體量皆相同。由於 氣體排出口 4a、4b、4c、4d、4e或4f各自位在一面積約 佔總面積1 /6之方形區塊的中心,因此能藉著該基礎柵 (base raster)有效地將氣體均勻分散至以虛線標示的總面 積上。 然而,該些點4a、4b、4c、4d、4e或4f,除了可做 為通入電漿室的排出口以外,還可做為虛擬或實際的饋入 點或饋入口,以將氣體均勻地供入與之相連的進一步管線 結構中,在某些實施例中,該進一步的管線結構可設置在 下一區域裡。無須特別說明即可理解,在每個區域(層)中, 介於虛擬或實際饋入點與排出口(或排出點)之間的流動阻 力係實質等大小。 在此實施例中,管線區段3 a、3 b或3 aa、3 ab、3 ac、 3ba、3bb、3bc各自銑床壓印於一板中,該些具有管線3a、 3 b或3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3 be的板可上下疊置而 形成樹狀結構。一蓋板覆蓋在該第一管線區域3a、3b上, 而中心饋入口 2係形成於該蓋板中做為通道2,以利於進 入管線系統3a、3b。該些虛擬或實際的饋入點2a與2b則 做為具有管線系統3a、3b之板的通道2a,2b,以通向第二 16 200837215 管線區域的管線系統3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3 be 排出口 4a、4b、4c、4d、4e與4f則做為壓印有第二 區域3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc之板中的通道。 便可創造出在各區域(層)間具有連結開口的三明治狀 構。 完成的管線結構具有樹狀分枝管線用以將氣體均 分散至排出口 4a、4b、4c、4d、4e與4f,並且此管 構可做為製程室的蓋子。在此範例中,可將氣體從頂 過該層而均勻且平均地導入欲進行塗覆的製程室中。 藉著使管線3a與3b在節點2a與2b處各自分枝 個管線3a、3ab、3ac及/或3ba、3bb、3 be而通向點 4b、4c、4d、4e與4f,可將製程氣體均勻地供應至具 個方形子面積的矩形面積,並且該些方形子面積的數 三的倍數。在此實施例中具有六個子面積,也就是3 X 面積的格式,即長寬比例為3 :2。 第4圖顯示第3圖之實施例的變化型,其具有更 步的分枝層級。 如同第3圖般,從饋入點2出發的氣體分成兩股 兩個管線區段3a與3b,並抵達節點2a或2b。在節點 2b處,管線3a、3b分別分枝成三股而通往節點4a、 4c、4d、4e 或 4f。節點 4a、4b、4c、4d、4e 與 4f 隨 為過渡點以進入下一管線區域(第三管線區域)。在此 管線區域中,分枝發生在每個節點 4a、4b、4c、4d 與4f處而成為如第2圖所示般的H形管線結構,直 中 〇 管線 如此 板結 勻地 線結 部通 成三 4a、 有數 目為 2子 進一 進入 2a > 4b ' 後做 下一 、4e 到抵 17 200837215 達標示有十字記號的排出口(6a、6b、6c、6d等)為止。在 該些標示以十字記號且從第三管線區域通向製程室的排出 口中,圖中僅標示出屬於中心4b節點的排出口 6a、6b、 6c 與 6d 〇 所顯示的管線結構係以饋入口 2為準呈點對稱狀。 舉例而言,可沿著欲以根據第3圖氣體饋入系統來供 氣之面積的較短邊b來設置與第3圖相同的結構,而實現 具有長寬比//b = 3:1 = 6:2的結構;或沿著欲以根據第3
圖氣體饋入系統來供氣之面積的較長邊/來設置與第3圖 相同的結構,而實現3 : 4的長寬比。根據本發明内容,係 藉由在該些彼此相鄰設置之結構的該等饋入點2中央處設 置一饋入點來供應氣體袷該等饋入點2。 根據第4圖的實施例同樣 上獲得6a、6b、6c、6d等排出口的規則分佈模式,但在整 個總面積上具有更平均細密、更均勻的氣體分散效果。 原則上,本發明内容可實施於所有長寬比例的供氣面 積上,其中被切割成數個長度整數單位的栅側邊數目可任 意地被2及/或3所整除。而此特點讓具有全新規格(3:2、 6:2、3:4、3:8等)之基材的塗覆製程得以實現,且在某咏 實施例中,相較於具有坎斗々7 有1·1格式或偶數長寬比格式的基材 來說’此類具有全新格式的美絲 八的基材更容易操控,或因技術性 或美觀等原因而更受歡迎。 【圖式簡單說明】 18 200837215 根據以上針對特定實施例的說明内容可清楚了 明的進一步性質、特徵與優點。其中圖式如下: 第1圖為習知管線系統的二維投影平面圖。 第2圖為另一習知管線系統的二維投影平面圖 第3圖為根據本發明之氣體管線系統第一實施 維投影平面圖。 第4圖為根據本發明之氣體管線系統第二實施 維投影平面圖。 【主要元件符號說明】 1氣體管線系統 3 a、3 b管線 4d、4e、4f 排出口 3aa、3 ab、3 ac 管線 6a、 6b、 6c、 6d 排出口 2饋入口 4a、 4b、 4c 排出口 5a、5b、5c、5d 方形 3bc > 3ba ' 3bb 管線 解本發 ο 例的二 例的二 區塊 19

Claims (1)

  1. 200837215 十、申請專利範圍: 1· 一種塗覆設備,特別是一 PECVD塗覆設備,其包含一 製程室與一氣體管線系統(1 ),該氣體管線系統(1)係用以 將氣體供應及/或排出該塗覆設備的製程室;並且該氣體 管線系統(1)具有至少一饋入口(2)用以將氣體饋入或排出 該氣體管線系統(1 ),以及具有至少兩排出口用以將氣體排 出或引入該氣體管線系統(1);以及,多個管線(3a、3b、 3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)分另!J西己置在該至少一饋入 口(2)與該等排出口(4a、4b、4c、4d、4e、4f)之間,並使 介在該至少一饋入口(2)與該等排出口(4a、4b、4c、4d、 4e、4f)間之每個該等管線(3a、3b、3aa、3ab、3ac、3ba、 3bb、3be)的流動阻力實質上等大小,其中該塗覆設備的特 徵在於: 該氣體管線系統(1)具有至少一分歧點(2a、2b),在該 分歧點處,一第一管線區段(3a、3b)通向至少三個第二管 線區段(3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc),該等第二管線區 段(3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)係連接至該第一管線區 段(3a、3b)〇 2·如申請專利範圍第1項所述之塗覆設備,其特徵在於: 該第一管線區段(3a、3b)通向正好三條第二管線區段 (3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc),且該等第二管線區段(3aa、 3&1)、3&〇、3匕&、31^、31^)連接至該第一管線區段(3&、31))。 20 200837215 3 ·如申請專利範圍第1項所述之塗覆設備,其特徵在於: 至少三個排出口(4a、4b、4e、4d、4e、4f),且更明 確者係正好三個排出口(4a、4b、4c、4d、4e、4f)或數目 為N= 3χ2η個棑出口連接至該至少一饋入口(2),其中n為 0、1、2、3 ··· 〇 Ο 4·如申請專利範圍第2項所述之塗覆設備,特徵在於: 至少三個排出口(4a、4b、4c、4d、4e、4f),且更明 確係正好三個排出口(4a、仆、4c、4d、4e、州或數目為 N= 3χ2η個排出口連接至該至少一饋入口(2),其中n為〇、 1、2、3或更多。 5·如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備,其 特徵在於: 介於該饋入口(2)與該等排出口(4a、4b、4c、4d、4e、 4f)之間的該等管線(3a、3b、3aa、3ab、、3ba、3bb、 % 3bc)具有相同長度。 6·如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備,其 特徵在於: 介於該饋入口(2)與該等排出口(4a、4b、4c、4d、4e、 4f)之間的該等管線(3a、3b、3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、 21 200837215 3bc)各自具有相同數目的分枝。 7 ·如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備,其 特徵在於: 該 # € 線(3a、3b、3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)至 >^於延伸至兩區域(level)$。 8 ·如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備,其 特徵在於: 該第一管線區段(3a、3b)由一第一點延伸出,更明確 係指從該饋入點(2)延伸出並朝向該分歧點(2a、2b),以及 從該分歧點(2 a、2b)延伸出的該至少三個第二連接管路區 段(3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)能在彼此之間形成 90。 及/或180。的角度。 9·如申請專利範.圍第1至4項任一項所述之塗覆設備,其 特徵在於: 從該分歧點(2a、2b)延伸出的該三個管線區段(3aa、 3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)能與該第一管線區段(3a、3b) 形成45。、135。或225°的角度。 10·如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備, 其特徵在於: 22 200837215 該管線系統(1)具有一對稱結構。 11 ·如申請專利範圍第1至4項任/項所述之塗覆設備, 其特徵在於: 利用銑床加工(milling)將至少一管路區段(3a、3b、 3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)製造成在一板中的一凹處 及/或凹槽。 12 ·如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備, 其特徵在於: 利用銑床加工將該第一管線區段(3a、3b)製造成在一 板中的一凹處及/或凹槽;以及 在介於該第一管線區段(3 a、3b)與該至少三個第二管 線區段(3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)間的該板中形成一 鑽孔做為一連結,且該至少三個第二管線區段(3 aa、3 ab、 3ac、3ba、3bb、3bc)係配置在該板之面離該第一管線區段 的該側上。 1 3 ·如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備, 其特徵在於: 該等排出口(4a、4b、4c、4d、4e、4f)係配置成分佈 在一總面積上的一規則栅(regUlar raster),使得該等排出 口(4a、4b、4c、4d、4e、4f)各自成為分別具有相同面積 23 200837215 之多個連續方形(5a、5b、5c、5d)的中心,該總面積形成 一矩形,該矩形具有非偶數之側邊長度比例 V,其中 V = V = (3x2n)/(2m),且 n = 0、1、2、3 …以及 m = 0、1、2、3···。 14.如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備, 其特徵在於: 該等排出口(4a、4b、4c、4d、4e、4f)的數目為三或 是三的整倍數。 1 5.如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備, 其特徵在於: 該氣體管線系統(1)係形成於該塗覆設備的該蓋中或 做為該塗覆設備之製程室的蓋子。 1 6·如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備, 其特徵在於: 在該製程室中,配置有多個工具用以產生一電漿。 1 7.如申請專利範圍第1至4項任一項所述之塗覆設備, 其特徵在於: 通向該製程室的該等排出口(4a、4b、4c、4d ' 4e、4f) 係一電漿產生電極中的多個開口。 24 200837215 1 8 . —種氣體管線系統(1),其用以將氣體供應至及/或排出 一塗覆設備的一製程室,特別是指一 PECVD塗覆設備, 該氣體管線系統(1)包含至少一饋入口(2)用以將氣體饋入 或排出該氣體管線系統(1 ),並且具有至少兩排出口用以從 將氣體排出或引入該氣體管線系統(1);以及,具有多個管 線(3a、3b、3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)分別配置在該 至少一饋入口(2)與該等排出口(4a、4b、4c、4d、4e、4f) 之間,並使介在每個該至少一饋入口(2)與該等排出口 (4a、4b、4c、4d、4e、4f)間之該等管線(3a、3b、3aa、3ab、 3&〇、3匕&、31^、31^)的流動阻力實質上等大小,其中該氣 體管線系統(1)的特徵在於: 該氣體管線系統(1)具有至少一分歧點(2a、2b),在該 分歧點處,一第一管線區段(3a、3b)通向至少三個第二管 線區段(3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc),該至少三個第二 管線區段(3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)連接至該第一管 線區段(3a、3b)。 25
TW096123135A 2007-03-05 2007-06-26 Coating installation and gas-feed system TW200837215A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US89299907P 2007-03-05 2007-03-05
EP07103473A EP1970468B1 (de) 2007-03-05 2007-03-05 Beschichtungsanlage und Gasleitungssystem

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200837215A true TW200837215A (en) 2008-09-16

Family

ID=37999263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096123135A TW200837215A (en) 2007-03-05 2007-06-26 Coating installation and gas-feed system

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20080216747A1 (zh)
EP (1) EP1970468B1 (zh)
JP (1) JP2008231568A (zh)
KR (2) KR100943560B1 (zh)
CN (1) CN101260518A (zh)
DE (1) DE502007001071D1 (zh)
ES (1) ES2331489T3 (zh)
TW (1) TW200837215A (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8216374B2 (en) 2005-12-22 2012-07-10 Applied Materials, Inc. Gas coupler for substrate processing chamber
US20090133631A1 (en) * 2007-11-23 2009-05-28 Applied Materials Inc. Coating device and method of producing an electrode assembly
CN101899652B (zh) * 2009-12-01 2012-05-02 东莞宏威数码机械有限公司 气体供应系统及方法
US9540731B2 (en) * 2009-12-04 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads
WO2012028660A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Gas distribution device for vacuum processing equipment
CN102061458B (zh) * 2010-11-29 2012-05-30 保定天威集团有限公司 基板镀膜设备的气体分布系统及方法
JP6157061B2 (ja) 2012-05-11 2017-07-05 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及び基板処理装置
CN103510071A (zh) * 2012-06-21 2014-01-15 Tel太阳能公司 用于奇数个处理模块的均等气体分配的系统、方法及装置
JP5872089B1 (ja) * 2015-04-27 2016-03-01 中外炉工業株式会社 シャワープレート装置
WO2021076527A1 (en) * 2019-10-14 2021-04-22 Lam Research Corporation Dual plenum fractal showerhead
WO2021078442A1 (en) * 2019-10-24 2021-04-29 Evatec Ag Vacuum process treatment chamber and method of treating a substrate by means of a vacuum treatment process

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0215968A1 (de) * 1985-09-21 1987-04-01 Leybold Aktiengesellschaft Einrichtung zur Herstellung von Solarzellen mit amorphes Silizium enthaltenden Schichten, Verfahren zum Betrieb dieser Einrichtung und Kathode zur Verwendung in dieser Einrichtung
EP0413239B1 (en) * 1989-08-14 1996-01-10 Applied Materials, Inc. Gas distribution system and method of using said system
US5075256A (en) * 1989-08-25 1991-12-24 Applied Materials, Inc. Process for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer
DE4011933C2 (de) * 1990-04-12 1996-11-21 Balzers Hochvakuum Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür
US5449410A (en) * 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
JP3380091B2 (ja) * 1995-06-09 2003-02-24 株式会社荏原製作所 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置
JP3155199B2 (ja) * 1996-04-12 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6090210A (en) * 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US5781693A (en) * 1996-07-24 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween
US5882411A (en) * 1996-10-21 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Faceplate thermal choke in a CVD plasma reactor
US6079356A (en) * 1997-12-02 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium
US6106625A (en) * 1997-12-02 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride
US6050506A (en) * 1998-02-13 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition
US6302964B1 (en) * 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6086677A (en) * 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP3844274B2 (ja) * 1998-06-25 2006-11-08 独立行政法人産業技術総合研究所 プラズマcvd装置及びプラズマcvd方法
US6182603B1 (en) * 1998-07-13 2001-02-06 Applied Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
US6358323B1 (en) * 1998-07-21 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved control of process and purge material in a substrate processing system
US6620289B1 (en) * 1999-04-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc Method and apparatus for asymmetric gas distribution in a semiconductor wafer processing system
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6364949B1 (en) * 1999-10-19 2002-04-02 Applied Materials, Inc. 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition
US6432259B1 (en) * 1999-12-14 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates
US6502530B1 (en) * 2000-04-26 2003-01-07 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor
US6553932B2 (en) * 2000-05-12 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes
US6461435B1 (en) * 2000-06-22 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Showerhead with reduced contact area
US6381021B1 (en) * 2000-06-22 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring reflectivity of deposited films
DE10045958B4 (de) * 2000-09-16 2008-12-04 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zum Leiten eines gasförmigen Mediums in eine und/oder aus einer Prozeßkammer
US6624091B2 (en) * 2001-05-07 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Methods of forming gap fill and layers formed thereby
KR100427996B1 (ko) * 2001-07-19 2004-04-28 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기 및 그를 이용한 박막증착방법
US6773507B2 (en) * 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US6827815B2 (en) * 2002-01-15 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly for a processing chamber
US6793733B2 (en) * 2002-01-25 2004-09-21 Applied Materials Inc. Gas distribution showerhead
US6960263B2 (en) * 2002-04-25 2005-11-01 Applied Materials, Inc. Shadow frame with cross beam for semiconductor equipment
JP4239520B2 (ja) * 2002-08-21 2009-03-18 ソニー株式会社 成膜装置およびその製造方法、並びにインジェクタ
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses

Also Published As

Publication number Publication date
US20080216747A1 (en) 2008-09-11
EP1970468A1 (de) 2008-09-17
CN101260518A (zh) 2008-09-10
DE502007001071D1 (de) 2009-08-27
ES2331489T3 (es) 2010-01-05
KR20080081792A (ko) 2008-09-10
JP2008231568A (ja) 2008-10-02
KR20100004900A (ko) 2010-01-13
EP1970468B1 (de) 2009-07-15
KR100943560B1 (ko) 2010-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200837215A (en) Coating installation and gas-feed system
US6921437B1 (en) Gas distribution system
JP4239520B2 (ja) 成膜装置およびその製造方法、並びにインジェクタ
CN105331953B (zh) 进气装置以及半导体加工设备
CN104046960B (zh) 一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器
JP2002518839A5 (zh)
TW201942409A (zh) 噴淋頭總成及其組件
TWM290304U (en) Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
CN105331952A (zh) 进气装置以及半导体加工设备
JP2009066564A (ja) 二流体スリットノズルおよびその製造方法
KR100850250B1 (ko) 유체의 흐름을 복수의 부분 흐름으로 나누기 위한 유체분배 유니트
CN104195525B (zh) 两种气体独立均匀喷气喷淋装置
CN104975271A (zh) 进气装置以及半导体加工设备
CN105349967A (zh) 一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器
JP2006123541A (ja) 積層シートの製造装置および製造方法
KR100810119B1 (ko) 박막증착용 샤워헤드
JP4971376B2 (ja) 気体噴射モジュール
CN109518166B (zh) 一种适用于超大规模原子层沉积的气体匀流系统
TW201534753A (zh) 用於在多種等離子體中以過程氣體循環作等離子體處理的設備
US9364988B2 (en) Layer multiplying die for generating interfacial surfaces
CN102027571A (zh) 用于均匀流体流的叠层壁
JP2014091120A (ja) フィルタ
EP2067877A1 (en) Coating device and method of producing an electrode assembly
CN204325495U (zh) 进气装置
KR20130103737A (ko) 진공 공정 장비를 위한 가스 분배 장치