KR20100004900A - 코팅 장치 - Google Patents

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KR20100004900A
KR20100004900A KR1020090105888A KR20090105888A KR20100004900A KR 20100004900 A KR20100004900 A KR 20100004900A KR 1020090105888 A KR1020090105888 A KR 1020090105888A KR 20090105888 A KR20090105888 A KR 20090105888A KR 20100004900 A KR20100004900 A KR 20100004900A
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KR1020090105888A
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슈테판 비더
토비아스 렙만
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract

코팅 장치, 특히 PECVD 코팅 장치는 프로세스 챔버, 및 상기 코팅 장치의 프로세스 챔버로 또는 상기 프로세스 챔버로부터 가스를 공급하고/하거나 배출시키는 가스 라인 시스템(1)을 포함한다. 상기 가스 라인 시스템(1)은, 가스를 상기 가스 라인 시스템(1)으로 주입하거나 상기 가스 라인 시스템(1)으로부터 가스를 제거하는 하나 이상의 주입 개구부(2), 가스를 상기 가스 라인 시스템(1)으로부터 배출시키거나 가스를 상기 가스 라인 시스템으로 도입시키는 2개 이상의 배출 개구부들, 및 상기 하나 이상의 주입 개구부(2)와 상기 배출 개구부들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f) 사이에 각각 배치된 라인들(3a, 3b, 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)을 포함한다. 상기 라인들(3a, 3b, 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)은, 상기 하나 이상의 주입 개구부(2)와 상기 배출 개구부들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f) 사이의 각각의 라인(3a, 3b, 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)의 흐름 저항이 본질적으로 동등한 크기이도록 형성된다. 상기 가스 라인 시스템(1)은, 제1 라인 섹션(3a, 3b)이 상기 제1 라인 섹션(3a, 3b)에 접속된 3개 이상의 제2 라인 섹션들(3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)에 개방되는 하나 이상의 브랜치 포인트(2a, 2b)를 갖는다. 제1 및 제2 라인 섹션들은 상이한 레벨들로 배치되고, 트리 구조처럼 분기된다. 라인 섹션들(3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)이 평판에서 리세스(recess) 및/또는 디프레션(depression)으로 특히 밀링된다. 드릴 홀이 이러한 레벨들 사이의 접속으로서 평판에 제공된다. 배출 개구부들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f)이 각각 동일한 영역인 인접한 정사각형(5a, 5b, 5c, 5d)에 대한 중앙을 형성하도록, 상기 배출 개구부들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f)이 전체 영역 상에 규칙적인 래스터(raster)로서 배치되고, 전체 영역은 동등하지 않은 측면 길이 및 비짝수의 측면 길이 비를 갖는 직사각형을 형성한다. 배출 개구부(4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f)의 개수는 3의 정수배이다.
PECVD 코팅 장치, 가스 라인 시스템

Description

코팅 장치{COATING INSTALLATION}
본 발명은, 코팅 장치에 관한 것이며, 특히 PECVD 코팅 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 코팅 장치에 관한 것이며, 특히 PECVD 코팅 장치에 관한 것으로, PECVD 코팅 장치는 프로세스 챔버, 및 프로세스 챔버로, 또는 프로세스 챔버로부터 가스의 주입 및/또는 배출을 위한 가스 라인 시스템을 포함하며, 가스 라인 시스템은 가스 라인 시스템으로 가스를 주입하기 위한 하나 이상의 주입 개구부와, 가스 라인 시스템으로부터 가스를 배출하거나 가스 라인 시스템으로 가스를 도입하기 위한 2 이상의 배출 개구부, 및 하나 이상의 주입 개구부와 배출 개구부 사이에 각각 배치된 라인들를 가지며, 이 라인들은 하나 이상의 주입 개구부와 배출 개구부 사이의 라인의 흐름 저항(flow resistance)이 각각의 경우에 본질적으로 동등한 크기이도록 형성된다. 또한, 본 발명은 코팅 장치, 특히 PECVD 코팅 장치의 프로세스 챔버로 또는 상기 프로세스 챔버로부터 가스를 공급하고/하거나 배출시키는 가스 라인 시스템에 관한 것으로, 가스 라인 시스템은 가스를 상기 가스 라인 시스템으로 주입하거나 상기 가스 라인 시스템(1)으로부터 가스를 제거하는 하나 이상의 주입 개구부, 가스를 상기 가스 라인 시스템으로부터 배출시키거나 가스를 상기 가스 라인 시스템으로 도입시키는 2개 이상의 배출 개구부들, 및 상기 하나 이상의 주입 개구부와 상기 배출 개구부들 사이에 각각 배치된 라인들을 포함하고, 상기 라인들은, 상기 하나 이상의 주입 개구부와 상기 배출 개구부들 사이의 각각의 라인의 흐름 저항이 본질적으로 동등한 크기이도록 형성된다.
복수의 코팅 프로세스들이 기판의 코팅에 이용가능하다. 예를 들어 태양 전지의 생산에서의, 플라즈마의 도움으로 기체 상태로부터 코팅이 이루어지는 소위 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법이, 이용되고 있는 이러한 방법들 중 하나이다. 이 방법에서, 가스는 프로세스 또는 플라즈마 챔버에 공급된다. 이렇게 공급된 가스의 플라즈마는 기판 상의 층 성장을 촉진하는 층형성 예비 생성물(pre-product)을 포함한다.
균질의 코팅이 달성되기 위해서, 프로세스 가스가 가능한 한 균질하게 프로세스 챔버 또는 플라즈마 챔버에 공급되어야 한다. 방법들은 RECVD 프로세스 챔버로의 균질한 가스 공급을 달성하는 종래 기술에서 알려져 있다. 예를 들어, 소위 "샤워헤드(showerhead)" 전극에 프로세스 가스의 적절한 혼합물을 공급하는 가스 라인이 제공된다. "샤워헤드" 전극은 한편으로는, 제2 전극에 의해 플라즈마를 형성할 수 있는 제1 전극으로서의 역할을 한다. 다른 한편으로, 샤워헤드 전극은, 가스 라인을 통해 흐르는 프로세스 가스가 프로세스 챔버에 균질하게 공급되는(즉, 프로세스 가스가 코팅 표면 위에 균질하게 살포됨) 배출 개구부를 갖는다. 원형 기판의 코팅을 위한 이러한 "샤워헤드" 전극은 예를 들어 US 6,410,089 B1호에 개시되어 있다.
또한, 프로세스 가스를 라인 구조의 도움으로 살포할 수 있다. 가스는 브랜치 라인 구조를 통해 주입 포인트로부터 살포된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 프로세스 가스는 주입 포인트(2)를 통해 가스 라인 시스템(1)에 주입될 수 있다. 주입된 프로세스 가스는 라인들(3a, 3b) 상으로 두 방향으로 균일하게 분할된다. 가스는 배출 개구부(4a 및/또는 4b)를 통해 프로세스 챔버에 공급된다. 프로세스 가스는 제1 개구부(4a)를 통해 점선으로 표기된 제1 정사각형 섹터(5a)에 들어간다. 제2 섹터(5b)에는 제2 개구부(4b)를 통해 프로세스 가스가 공급된다. 균질한 공급이 달성되도록, 라인들(3a, 3b)의 흐름 저항은 소정의 허용오차 내에서 동일한 크기이다.
들어온 가스에 의해 보다 큰 영역이 커버되기 위하여, 도 2에서 도시한 바와 같이, 펑티폼(punctiform) 주입 개구부(2)에 의해 공급된 가스가 두 개의 제1 라인 섹션(3a, 3b)에 의해 두 부분으로 우선 분리될 수 있다. 그리고, 라인 섹션(3a, 3b)의 단부는 가상의 주입 포인트(2a, 2b)로서 간주될 수 있으며, 이로부터, 각각의 경우에, 2개의 추가적인 라인 섹션들(3aa와3ab, 또는 3ba와3bb)이 계속된다.
브랜치 포인트들(2a, 2b)은, 구조가 계속되는 또 다른 채널로의 통로를 물리적으로 형성한다면, 실제의 주입 포인트들로서 또한 간주될 수 있다.
결론은 동일한 양의 가스가 4개 섹터(5a, 5b, 5c 및 5d) 각각에 들어가, 도 2에 도시한 정사각형 영역이 전체적으로 충분히 균질한 프로세스 가스의 공급을 갖는다는 것이다.
2차원 도면에 투사된다면, 가스 살포 시스템은, 도 2에 따라, H 형태의 구조 로 이루어지며, 프로세스 가스가 H 구조의 중앙에 주입되고, H 형태의 4개 모서리 포인트에서 프로세스 챔버에 다시 공급된다. 물론, 예를 들어 마찬가지로 H 형태의 라인 구조를 갖는 추가적인 분기 레벨이, 모서리 포인트를 통해 공급될 수 있다. 이러한 방식으로, 사이즈 및 균질성 요건에 의존하여, 희망하는 분기 레벨의 어떠한 개수라도 제공될 수 있다. 플라즈마 챔버 내에서 가스를 기판 위에 균등하게 살포하기 위해, 임의의 1 살포 레벨 내에서 시작 포인트와 종료 포인트 사이의 라인 섹션들의 컨덕턴스(conductance) 값은 각각 동일하다. 이것은 예를 들어, 기하학적으로 동일한 디자인을 갖는 대응 라인으로 달성될 수 있다. 즉, 대응하는 라인 섹션들은 동일한 길이 및 동일한 단면을 갖는다. 각각의 라인은 하나의 레벨로부터 다음 레벨로 바뀔 때 동일한 라인 개수로 분기하므로, 중앙 주입부와 배출 포인트 각각 사이의 흐름 저항을 일정하게 유지하는 수단이 필요하지 않다. 전체적으로, 라인 구조는, 다른 레벨로 이어지며, 하나의 주입 포인트로부터 2n/2(n=1,2,3,...)의 새로운 주입 포인트로 개방된다.
H와 같은 2-웨이 및 4-웨이 분기를 갖는 구조가 예를 들어 DE10045958 A1호에 개시되어 있다.
(가상의 또는 실제의)주입 포인트(2; 2a, 2b)(도 2 참조)와 대응하는 배출 포인트(4a, 4b, 4c 및 4d)가 각각의 레벨에서 규칙적인 래스터(raster)를 형성하므로, 1:1 의 종횡비를 갖는 영역, 또는 H 구조의 반만이 구현된 경우에 2:1 의 종횡비를 갖는 영역에(후자의 경우에, H 구조는 수직 대칭축을 따라 절단됨), 알려진 라인 구조의 경우에 프로세스 가스가 균질하게 공급될 수 있다. 그 외에, 예를 들어, 직사각형의 코팅이 4:1의 종횡비로 갖추어지지만, 짝수의 종횡비만을 갖는 임의의 비율을 고려할 수 있다.
그러나, 비짝수의 종횡비를 갖는 표면이 균질하게 코팅될 수 있는, 단일 중앙 주입 포인트를 갖는 규칙적인 래스터는 이러한 구조의 도움으로 구현될 수 없다.
이로부터, 본 발명의 목적은, 프로세스/플라즈마 챔버 내에서, 상이한 기판 포맷에 대하여, 기판의 표면 위에 균질한 프로세스 가스 살포가 달성될 수 있는 코팅 장치 또는 코팅 장치에 이용가능한 가스 라인 시스템을 제조하는 것이다. 특히, 짝수의 종횡비 외의 종횡비를 갖는 직사각형 기판 포맷이 중앙 주입부 및 가스 배출 포인트의 규칙적인 래스터를 통해 균질하게 공급받을 수 있을 것이다.
이러한 목적은 제1항에 따른 코팅 장치의 및 제18항에 따른 가스 라인 시스템의 제공에 의해 달성된다. 유리한 실시예들은 종속항으로부터 유래한다.
진보적인 코팅 장치, 특히 PECVD 코팅 장치는 프로세스 챔버, 및 상기 코팅 장치의 프로세스 챔버로 또는 상기 프로세스 챔버로부터 가스를 공급하고/하거나 배출시키는 가스 라인 시스템을 포함하고, 상기 가스 라인 시스템은, 가스를 상기 가스 라인 시스템으로 주입하거나 상기 가스 라인 시스템으로부터 가스를 제거하는 하나 이상의 주입 개구부, 가스를 상기 가스 라인 시스템으로부터 배출시키거나 가스를 상기 가스 라인 시스템으로 도입시키는 2개 이상의 배출 개구부들, 및 상기 하나 이상의 주입 개구부와 상기 배출 개구부들 사이에 각각 배치된 라인들을 포함하고, 상기 라인들은, 상기 하나 이상의 주입 개구부와 상기 배출 개구부들 사이의 각각의 라인의 흐름 저항이 본질적으로 동등한 크기이도록 형성된다. 상기 가스 라인 시스템은, 제1 라인 섹션이 상기 제1 라인 섹션에 접속된 3개 이상의 제2 라 인 섹션들에 개방되는 하나 이상의 브랜치 포인트를 갖는다.
직사각형 기판의 1:1 또는 2:1 과 같은 짝수의 종횡비로부터 벗어나는 비율이 구현될 수 있도록, 본 발명은 하나 이상의 살포 레벨에서 가상의 또는 실제의 가스 주입 포인트로부터 2개보다 많은 라인으로 분기하는 것, 특히 3개 라인으로 직접 분기하는 것을 제공한다. 균일한 가스 살포는 분기된 라인 섹션들의 가스 컨덕턴스 값이 각각의 살포 레벨 내에서 동등하게 크다는 사실에 의해 보장된다. 하나 또는 수개의 다른 살포 레벨들의 컨덕턴스 값에 비해 하나의 레벨의 컨덕턴스 값이 매우 크다면(따라서, 무시할 수 있다면), 하나의 레벨의 컨덕턴스 값은 소정의 허용오차 내에서 서로 단지 벗어날 수도 있다. 주입 개구부와 배출 개구부 사이의 모든 통로는 동일한 구성을 갖는다. 즉, 그 길이를 따라 동일한 단면 프로파일을 갖는다. 따라서, 트리(tree) 구조의 모든 브랜치를 통한 흐름 특성은 상당히 동일하여, 서로 흐름 저항을 조절하기 위하여 추가적인 수단이 채택될 필요가 없다. 이러한 조절은 어떻든 계산하고 제조하기 곤란하다. 임의의 비율에서, 배출 개구부로부터의 균질한 가스 배출이 보장되어야 한다. 즉, 모든 배출 개구부로부터의 가스는 동일한 (시간 단위당)유속, 동일한 흐름 프로파일, 동일한 속도 등으로 흘러야 한다.
본 발명에 의해, 특히 3:2, 3:4 의 종횡비를 갖는 홀수의 포맷(1:1 제외)이 단일 주입 포인트로부터 공급되는 배출 개구부의 규칙적인 래스터로 또한 균질하게 코팅될 수 있다. 따라서, 이러한 구조는, 주입 포인트와 배출 개구부 사이의 모든 라인들 또는 통로들이 동일한 길이, 동일한 개수의 분기 및 동일한 단면 프로파일 을 가질 정도로 대칭적이다. 특히, 브랜치 포인트에서 분기된 라인 섹션은 주입-개구부 측상의 라인 섹션으로부터 동일한 각도로 진행할 수 있다. 즉, 브랜치 포인트에서 관통하여 흐르는 가스의 방향 변화는 분기된 라인 섹션들을 통한 가스 흐름과 동일한 각도로 발생되어야 한다. 이러한 방식으로, 동일한 흐름 저항이 하나의 라인 레벨의 라인들에서 달성된다.
프로세스 챔버 내에서 3:2의 종횡비를 갖는 표면 위로 가스를 살포하는 하나의 방식은, 예를 들어, 직사각형 기판 표면을, 예를 들어 6개의 정사각형 표면으로 분할하는 것이며, 각각의 정사각형 표면은 정방형의 중앙에 있는 배출 개구부를 통해 각각 중앙으로 공급받는다. 배출 개구부는 전체 표면의 중앙과 점 대칭인 2-웨이 및 3-웨이 분할로 배치함으로써 전체 표면에 공급하기 위하여 중앙 주입 포인트로부터 균일하게 공급받을 수 있다.
진보적인 코팅 장치가 PECVD 코팅 프로세스에서, 예를 들어 박층 실리콘 태양전지 모듈의 제조를 위하여 특히 유리하게 사용될 수 있다. PECVD 방법으로, 태양 전지의 실리콘층이 평탄한 유리 기판상에 피착된다. 유리의 사이즈는 통상적으로 태양전지 모듈의 사이즈에 상응한다. 다양한 이유로, 1:1 또는 2:1 외의 종횡비로 모듈을 제조하는 것이 바람직하다. 이러한 응용에서 제안된 코팅 장치가 이를 반영한다. 비짝수의 종횡비를 갖는 직사각형 모듈을 제공하는 이점은, 한편으로는 예를 들어, 태양전지 모듈의 설치 동안에, 정사각형 모듈에 비해 이러한 포맷들을 더욱 양호하게 조작하는데 있다. 또한, 건물에 통합된 모듈들은 통상적으로 직사각형 포맷, 특히 2:1 외의 종횡비를 갖는 포맷을 가진다. 비짝수의 종횡비의 추가적인 이점은 PECVD 방법에서의 코팅의 보다 높은 균질성에 있다. 전극이 긴 경우에, 코팅의 균질성에 대한 문제가 발생하므로, 예를 들어 2:1 대신에 3:2 의 종횡비를 선택하는 것이 동일한 코팅 영역에서 더욱 유리하다. 궁극적으로, 실용적으로 보편적이거나 표준이 되어가고 있는 3:2 포맷이 또한 널리 보급된 이미지 포맷이다.
모든 환경에서, 본 발명은 동시에 발생하는 균일한 가스의 살포와 결합된, 플라즈마 챔버로의 가스 주입을 위한 규칙적인 래스터를 가능하게 하여 균질한 코팅을 형성시킨다.
제1 라인 섹션은, 특히 제1 라인 섹션에 접속된 정확히 3개의 제2 섹션 라인으로 흐른다. 전체적으로, 트리 구조는 다른 레벨로의 분기로 형성된다(이러한 레벨은 구체적으로 층 배열 또는 추상적으로는 분기 레벨 중 하나로 간주될 수 있음). 즉, 모든 라인들은 배출 개구부를 향해 계속하여 외부로 분기된다. 따라서, 분기 라인 섹션들은 브랜치 포인트와 거울 대칭 및/또는 점 대칭이어서, 상이한 흐름 저항이 라인 브랜치에서 발생하지 않는다.
역으로, 가스 라인 시스템은 프로세스 챔버로부터 가스를 추출하기 위한 시스템으로서 또한 사용될 수 있다. 이러한 가능성은, 비록 언제나 상세히 설명되지는 않았다 하더라도, 본 발명의 문맥에서 또한 보호되어야 한다. 따라서, 프로세스 챔버로 안내하는 배출 개구부는 프로세스 챔버로부터 가스를 추출하는 개구부로서의 역할을 한다. 추출된 가스는 라인 시스템을 통해 (본 출원의 문맥에서) 주입 개구부로 지정된 중앙 개구부로 전달되며, 추출된 가스는 이러한 주입 개구부를 통 해 가스 라인 시스템에 도달한다.
3개 이상의 배출 개구부가 하나 이상의 주입 개구부에 접속되는 것이 바람직하며, 특히 정확히 3개의 배출 개구부 또는 3의 배수의 배출 개구부가 바람직하다. 이러한 방식으로, 짝수의 종횡비를 갖는 직사각형 포맷이 규칙적인 공급 래스터의 제공을 통해 균일하게 코팅될 수 있다.
특히, 주입 개구부와 배출 개구부 사이의 라인들은 동일한 길이이다. 적어도 큰 흐름 저항의 하나의 레벨에서의 라인들은 동일한 길이를 가지며, 분기점 또는 노드에서의 3-웨이 분할로부터 적어도 출발한다. 따라서, 동일한 길이는, 적어도 3-웨이 분할된 구조에서, 본질적으로 동일하게 큰 흐름 저항으로 이끈다. 본 발명은, 임의의 레벨에서 흐름 저항이 그다지 크지 않아서 다른 레벨에서의 흐름 저항이 비교적 무시할 수 있는 시스템에 특히 적절하다.
각각의 라인은 바람직하게는 주입 개구부와 배출 개구부 사이에서 동일한 분기 개수를 가진다.
이러한 라인들은 적어도 2개의 레벨로 이어진다. 이는 추상적으로 또는 구체적으로 해석될 수 있는 "레벨"이라는 용어로, 상이한 레벨들을 갖는 트리 구조를 만든다. 중앙 주입 개구부로부터 진행하여, 라인 구조는 2개의 레벨 사이의 임의의 비율로, 각각의 노드에서 3개의 라인 섹션으로 분기한다. 분기점 또는 노드는 하나의 레벨로부터 다음 레벨로의 트랜지션에 위치한다.
제1 라인 섹션은 하나의 포인, 특히 주입 포인트로부터 브랜치 포인트로 이어질 수 있으며, 브랜치 포인트로부터 진행된 적어도 3개의 후속하는 제2 라인 섹 션은 이들 사이에 90°및/또는 180°의 각도를 형성할 수 있다.
브랜치 포인트로부터 진행하는 3개의 라인 섹션들은 제1 라인 섹션과 45°, 135°또는 225°의 각도를 형성할 수 있다.
라인 시스템은 적어도 하나의 레벨에서 대칭 구조를 갖는 것이 바람직하다. 특히, 분기 라인은 분기점 또는 노드와 점 대칭이 되도록 형성된다.
하나 이상의 라인 섹션은 특히 밀링(milling)에 의해, 평판에서 리세스(recess) 및/또는 디프레션(depression)으로서 형성된다. 특히, 하나 이상의 라인 레벨이 각각 평판으로 밀링될 수 있다. 이러한 평판은 샌드위치와 같이 서로 위에 배치되어, 3차원 트리 구조가 전개된다.
제1 라인 섹션이 평판에서의 리세스 및/또는 디프레션으로서, 특히 밀링되어 바람직하게 형성되고, 제1 라인 섹션과, 제1 라인 섹션으로부터 반대방향인 평판 측 상에 배치된 적어도 3개의 제2 라인 섹션들 사이의 평판에서 드릴 홀(drill hole)로서 접속이 형성된다. 따라서, 평판으로 밀링된 라인 섹션들은 평판에서 드릴 홀들에 의해 다른 레벨들의 라인 섹션들에 접속된다.
배출 개구부는 전체 영역 위의 규칙적인 래스터로서 특히 배치되어, 배출 개구부 각각은 동일한 영역의 이웃한 각각의 정사각형에 대한 중앙을 형성하며, 전체 영역은 동등하지 않은 길이의 측면을 갖는 직사각형 및 비짝수의 측면-길이 비율을 형성한다. 즉, 정사각형(여기에서 V=1)을 제외하고, 비율 V=(3*2n)/(2m)(여기에서, n=0, 1, 2, 3,... 및 m=0, 1, 2, 3,...), 예를 들어 3:1, 3:2, 3:4, 6:1 등이 본 발명의 문맥에서 구현될 수 있다.
바람직한 실시예에서 배출 개구부의 개수는 3개 또는 3의 정수배이다. 따라서, 3에 의해 나누어질 수 있는 다수의 정사각형에 균일한 가스 공급이 가능하다. 이는 비짝수 종횡비의 가능성에 대응한다. 숫자 N은 N=3*2n이고, 여기에서 n=0, 1, 2, 3...이다.
가스 라인 시스템은 코팅 장치의 프로세스 챔버의 커버로서의 커버에 바람직하게 형성된다.
프로세스 챔버 내에, 플라즈마 생성을 위해, 예를 들어 전극인 수단이 배치될 수 있다.
프로세스 챔버로 개방된 배출 개구부는 플라즈마-생성 전극에서의 개구부로서 형성될 수 있다. 즉, 적어도 배출 개구부를 포함하는 가스 라인 시스템의 레벨이 PECVD 시스템의 평탄한 전극으로서 형성될 수 있다. 또 다른 전극과 함께, 이 전극은 프로세스 챔버 내에서 플라즈마를 형성할 수 있다.
이러한 작업은 코팅 장치, 특히 PECVD 코팅 장치의 프로세스 챔버로 또는 상기 프로세스 챔버로부터 가스를 공급하고/하거나 배출시키는 가스 라인 시스템을 제공함으로써 달성될 수 있으며, 상기 가스 라인 시스템은 가스를 상기 가스 라인 시스템으로 주입하거나 상기 가스 라인 시스템으로부터 가스를 제거하는 하나 이상의 주입 개구부, 가스를 상기 가스 라인 시스템으로부터 배출시키거나 가스를 상기 가스 라인 시스템으로 도입시키는 2개 이상의 배출 개구부들, 및 상기 하나 이상의 주입 개구부와 상기 배출 개구부들 사이에 각각 배치된 라인들을 포함하고, 상기 라인들은, 상기 하나 이상의 주입 개구부와 상기 배출 개구부들 사이의 각각의 라인의 흐름 저항이 본질적으로 동등한 크기이도록 형성된다. 상기 가스 라인 시스템은, 제1 라인 섹션이 상기 제1 라인 섹션에 접속된 3개 이상의 제2 라인 섹션들로 흐르는 하나 이상의 브랜치 포인트를 갖는다.
또한, 본 발명의 문맥에서, 가스 라인 시스템은 보다 큰 시스템의 서브시스템일 수 있다. 3개(또는 그 배수)의 개구부에 공급하기 위한 특유의 가스 라인 시스템에서, 본 발명은 원칙적으로 3-웨이 분기를 참조한다.
비율은 보다 긴 측의 길이를 분자로 하고, 보다 짧은 측의 길이를 분모로 하여 언제나 표기될 것이다. 역전된 종횡비의 경우에 모든 설명들은 동일한 방식으로 본 출원의 내용하에 당연히 포함될 것이다.
진보적인 코팅 시스템의 구성요소를 나타내는, 코팅 장치와 관련하여 설명된 특성이 가스 라인 시스템과 결부되어 또한 청구될 것이다. 추가적으로, 설명된 특성의 모든 가능한 조합이 본 발명의 문맥에서 청구될 것이다.
본 발명의 추가적인 특성, 특징 및 이점은 특수한 실시예의 이하의 설명으로부터 명백하다.
본 발명에 따르면, 짝수의 종횡비 외의 종횡비를 갖는 직사각형 기판 포맷에 대해서도 균질하게 가스를 공급할 수 있는 효과가 있다.
도 3은 본 발명에 따른 PECVD 코팅 장치를 위한 가스 라인 시스템(1)의 제1 실시예를 도시한다. 2단계 살포 시스템이 이러한 접속에서 그려진다.
프로세스 가스는 중앙 주입 개구부(2)를 통해 공급된다. 제1 노드에서, 공급된 가스는 2개의 라인들(3a, 3b)로 동등하게 분할되며, 이러한 라인들은 2개의 (가상의 또는 실제의) 주입 포인트들(2a, 2b)만큼 큰, 동일한 흐름 저항을 본질적으로 갖는다.
가상의 주입 포인트들(2a, 2b)의 각각에서 3-웨이 브랜치가 형성된다. 3-웨이 브랜치는 라인들(3a, 3b)의 레벨 아래의 레벨에서 구현된다.
노드(2a 또는 2b)로부터 진행하는 대응 라인 섹션들은 참조 부호 3aa, 3ab, 3ac 또는 3ba, 3bb, 3bc로 표기된다. 이들은 분기 포인트들(2a 또는 2b)을 배출 개구부(4a, 4b 및 4c 또는 4d, 4e 및 4f)로 접속한다.
분기 포인트들(2a, 2b)에서, 라인 섹션들(3aa, 3ab, 3ac 또는 3ba, 3bb, 3bc)은 라인 섹션들(3a, 3b)에 대해, 45°, 135°또는 225°의 각도에서(따라서, 서로간에는 90°임), 배출 개구부(4a, 4b 및 4c 또는 4d, 4e 및 4f)를 향해 개방된다.
이러한 라인 섹션들(3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb 또는 3bc)은 분기 포인트들(2a, 2b)과 각각의 배출 개구부(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 또는 4f) 사이에 동일한 흐름 저항을 갖는다. 이러한 방식으로, 배출 개구부(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f)의 각각으로부터의 동일한 가스 흐름량이 보장된다. 따라서, 가스 배출 개구부(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f) 각각이 전체 영역의 1/16th을 점유하는 정사각형 섹터의 중앙을 형성하므로, 가스는 점선 및 베이스 래스터에 의해 표기된 전체 영역으로 충분히 균일하게 들어간다.
그러나, 플라즈마 챔버로의 배출 개구부로서 개방되는 대신에, 이러한 포인트들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f)이 다시 추가적인 접속 라인 구조에 균일하게 가스를 공급하는 가상 또는 실제의 주입 포인트들 또는 주입 개구부들이 될 수 있으며, 이러한 추가적인 접속 라인 구조는 특정 환경에서 추가적인 레벨로 배치될 수도 있다. 각각의 레벨에서, 가상 또는 실제 주입 포인트들과, 배출 포인트들 또는 배출 개구부들 사이의 흐름 저항이 본질적으로 동등한 크기인 것은 당연하다.
본 실시예에서, 라인들(3a, 3b 또는 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)은 각각 평판으로 밀링되며, 라인들(3a, 3b 또는 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)의 평판들은 하나가 다른 하나 위에 배치된 2 레벨의 트리 구조를 형성한다. 중앙 주입 포인트(2)는, 라인 시스템(3a, 3b)으로의 진입이 촉진될 수 있도록, 제1 라인 레벨(3a, 3b)을 커버하는 커버 평판에서 통로(2)로서 형성된다. (실제 또는 가상의) 주입 포인트들(2a, 2b)은, 제2 라인 레벨의 라인 시스템(3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)으로의 트랜지션이 이루어지도록, 라인 구조(3a, 3b)를 갖는 평판에 의해 통로(2a, 2b)로서 설계된다. 배출 개구부(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f)는 제2 라인 레벨(3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc)이 밀링되는 평판에서 통로로서 형성된다. 이러한 방식으로, 개별적인 레벨들 사이의 접속 개구부를 갖는 샌드위치형 평판 구조가 생성된다.
배출 개구부(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f)로의 가스의 균일한 살포를 위한, 트리형 분기 라인을 갖는 완전한 라인 구조는 프로세스 챔버의 커버 평판으로서 형성될 수 있다. 이러한 경우에, 프로세스 가스는 꼭대기로부터 코팅될 레벨을 통해 균질적이고 균일하게 프로세스 챔버 내로 도입된다.
노드(2a, 2b)에서의 라인들(3a, 3b) 각각의, 포인트들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f)로 안내하는 3개 라인들(3aa, 3ab 3ac 및/또는 3ba, 3bb, 3bc)로의 분기를 통해, 3으로 나누어질 수 있는 정사각형 서브-영역을 갖는 직사각형 영역에 프로세스 가스가 균일하게 공급될 수 있다. 이러한 경우에, 6개의 서브-영역, 즉 3×2 서브-영역 포맷, 즉 3:2의 측면 길이에 공급된다.
도 4는 추가적인 분기 레벨을 갖는, 도 3의 실시예의 확장을 도시한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 가스는 주입 포인트(2)로부터 진행하여, 노드들(2a, 2b)까지 2개의 라인 섹션들(3a, 3b)로 분할된다. 노드들(2a, 2b)에서, 라인들(3a, 3b)은 노드들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f)로 3-웨이 분할을 각각 거친다. 노드들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f)은 차례로 다음의(제3) 라인 레벨로의 트랜지션을 형성한다. 이러한 다음 라인 레벨에서, 도 2에 도시한 바와 같이, 십자형태(6a, 6b, 6c, 6d 등)로 표기된 배출 포인트들까지, 노드들(4a, 4b, 4c, 4d, 4e 및 4f) 각각에서 H형 라인 구조로 분기가 발생한다. 십자형태로 표기되고, 제3 라인 레벨로부터 프로세스 챔버로 개방된 배출 포인트들 중에서, 중앙 노드(4b)에 속한 배출 개구부(6a, 6b, 6c 및 6d)만이 표기되었다.
도시된 라인 구조는 주입 포인트(2)와 점 대칭이다.
예를 들어, 도 3에 따른 가스 흡입 시스템에 의해 공급되는 영역의 더 짧은 측인 b를 따라, 도 3과 동일한(또는 대칭적인) 구조를 배치함으로써, 1/b=3:1=6:2의 종횡비를 갖는 구조가 구현될 수 있고, 도 3에 따른 가스 흡입 시스템에 의해 공급되는 영역의 더 긴 측인 l을 따라, 도 3과 동일한(또는 대칭적인) 구조를 배치함으로써 3:4의 종횡비를 갖는 구조가 구현될 수 있다.
본 발명의 문맥에서, 포인트(2)에 중앙 배치된 주입 포인트에 의해, 서로 그 다음에 배치된 구조의 주입 포인트(2)가 공급될 것이다.
유사하게, 도 4에 따른 실시예는 6:4(3:2)의 측면 길이비를 갖는 래스터 상에서, 개구부(6a, 6b, 6c, 6d 등)의 규칙적인 살포를 야기하지만, 전체 영역 상에서 더욱 정밀하고 더욱 균질한 가스 살포를 야기한다.
원칙적으로, 균일하게 공급될 영역에 대한 모든 종횡비가 본 발명의 문맥에서 가능하며, 정수 단위의 길이로 분할된 래스터의 측면 길이는 2 및/또는 3 에 의한 임의의 조합으로 나누어질 수 있다. 이것은 차례로, 완전히 새로운 포맷들(3:2, 6:2, 3:4, 3:8 등)로 기판을 코팅하는 것을 가능하게 하며, 특정 환경에서, 기술적인 또는 미적인 이유에서 다루기 더욱 용이하고, 1:1의 포맷 비율 또는 짝수의 포맷 비율에 비해 바람직하다.
도 1은 2차원 도면에 개략적으로 투사된, 종래 기술에 따른 라인 시스템의 평면도이다.
도 2는 2차원 도면에 개략적으로 투사된, 종래 기술에 따른 추가적인 라인 시스템의 평면도이다.
도 3은 2차원 도면에 개략적으로 투사된, 본 발명에 따른 가스 라인 시스템의 제1 실시예의 평면도이다.
도 4는 2차원 도면에 투사된, 본 발명에 따른 가스 라인 시스템의 제2 실시예의 개략 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
2 : 주입 개구부
3a, 3b : 제1 라인 섹션
3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc : 제2 라인 섹션
4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f : 배출 개구부

Claims (1)

  1. 코팅 장치로서, 상기 코팅 장치는,
    프로세스 챔버, 및
    상기 코팅 장치의 프로세스 챔버로 가스를 공급하는 공정, 상기 프로세스 챔버로부터 가스를 배출시키는 공정, 상기 프로세스 챔버로 가스를 공급하고 상기 프로세스 챔버로부터 가스를 배출하는 공정 중 어느 하나를 수행하기 위한 가스 라인 시스템
    을 포함하고, 상기 코팅 장치는 PECVD 코팅 장치이며,
    상기 가스 라인 시스템은,
    가스를 상기 가스 라인 시스템으로 주입하거나 상기 가스 라인 시스템으로부터 가스를 제거하는 하나 이상의 주입 개구부,
    가스를 상기 가스 라인 시스템으로부터 배출시키거나 가스를 상기 가스 라인 시스템으로 도입시키는 2개 이상의 배출 개구부들, 및
    상기 하나 이상의 주입 개구부와 상기 배출 개구부들 사이에 각각 배치되고, 상기 주입 개구부에 접속되는 하나 이상의 제1 라인 섹션 및 상기 배출 개구부들에 접속되는 3개 이상의 제2 라인 섹션들을 포함하는 라인들
    을 포함하고,
    상기 라인들은, 상기 하나 이상의 주입 개구부와 상기 배출 개구부들 사이의 각각의 라인의 흐름 저항이 동등한 크기이도록 형성되고,
    상기 가스 라인 시스템은, 상기 제1 라인 섹션이 상기 제1 라인 섹션에 접속된 상기 3개 이상의 제2 라인 섹션들에 개방되는 하나 이상의 브랜치 포인트를 갖고,
    N=3*2n 개의 개수를 갖는 상기 배출 개구부들이 상기 라인들을 통해 상기 하나 이상의 주입 개구부에 접속되고, 여기서 n은 음수가 아닌 정수인 n=0, 1, 2, 3...의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 코팅 장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8216374B2 (en) 2005-12-22 2012-07-10 Applied Materials, Inc. Gas coupler for substrate processing chamber
US20090133631A1 (en) * 2007-11-23 2009-05-28 Applied Materials Inc. Coating device and method of producing an electrode assembly
CN101899652B (zh) * 2009-12-01 2012-05-02 东莞宏威数码机械有限公司 气体供应系统及方法
US9540731B2 (en) * 2009-12-04 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads
WO2012028660A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Gas distribution device for vacuum processing equipment
CN102061458B (zh) * 2010-11-29 2012-05-30 保定天威集团有限公司 基板镀膜设备的气体分布系统及方法
JP6157061B2 (ja) 2012-05-11 2017-07-05 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及び基板処理装置
CN103510071A (zh) * 2012-06-21 2014-01-15 Tel太阳能公司 用于奇数个处理模块的均等气体分配的系统、方法及装置
JP5872089B1 (ja) * 2015-04-27 2016-03-01 中外炉工業株式会社 シャワープレート装置
WO2021076527A1 (en) * 2019-10-14 2021-04-22 Lam Research Corporation Dual plenum fractal showerhead
WO2021078442A1 (en) * 2019-10-24 2021-04-29 Evatec Ag Vacuum process treatment chamber and method of treating a substrate by means of a vacuum treatment process

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0215968A1 (de) * 1985-09-21 1987-04-01 Leybold Aktiengesellschaft Einrichtung zur Herstellung von Solarzellen mit amorphes Silizium enthaltenden Schichten, Verfahren zum Betrieb dieser Einrichtung und Kathode zur Verwendung in dieser Einrichtung
EP0413239B1 (en) * 1989-08-14 1996-01-10 Applied Materials, Inc. Gas distribution system and method of using said system
US5075256A (en) * 1989-08-25 1991-12-24 Applied Materials, Inc. Process for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer
DE4011933C2 (de) * 1990-04-12 1996-11-21 Balzers Hochvakuum Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür
US5449410A (en) * 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
JP3380091B2 (ja) * 1995-06-09 2003-02-24 株式会社荏原製作所 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置
JP3155199B2 (ja) * 1996-04-12 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6090210A (en) * 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US5781693A (en) * 1996-07-24 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween
US5882411A (en) * 1996-10-21 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Faceplate thermal choke in a CVD plasma reactor
US6079356A (en) * 1997-12-02 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium
US6106625A (en) * 1997-12-02 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride
US6050506A (en) * 1998-02-13 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition
US6302964B1 (en) * 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6086677A (en) * 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP3844274B2 (ja) * 1998-06-25 2006-11-08 独立行政法人産業技術総合研究所 プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法
US6182603B1 (en) * 1998-07-13 2001-02-06 Applied Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
US6358323B1 (en) * 1998-07-21 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved control of process and purge material in a substrate processing system
US6620289B1 (en) * 1999-04-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc Method and apparatus for asymmetric gas distribution in a semiconductor wafer processing system
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6364949B1 (en) * 1999-10-19 2002-04-02 Applied Materials, Inc. 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition
US6432259B1 (en) * 1999-12-14 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates
US6502530B1 (en) * 2000-04-26 2003-01-07 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor
US6553932B2 (en) * 2000-05-12 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes
US6461435B1 (en) * 2000-06-22 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Showerhead with reduced contact area
US6381021B1 (en) * 2000-06-22 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring reflectivity of deposited films
DE10045958B4 (de) * 2000-09-16 2008-12-04 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zum Leiten eines gasförmigen Mediums in eine und/oder aus einer Prozeßkammer
US6624091B2 (en) * 2001-05-07 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Methods of forming gap fill and layers formed thereby
KR100427996B1 (ko) * 2001-07-19 2004-04-28 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기 및 그를 이용한 박막증착방법
US6773507B2 (en) * 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US6827815B2 (en) * 2002-01-15 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly for a processing chamber
US6793733B2 (en) * 2002-01-25 2004-09-21 Applied Materials Inc. Gas distribution showerhead
US6960263B2 (en) * 2002-04-25 2005-11-01 Applied Materials, Inc. Shadow frame with cross beam for semiconductor equipment
JP4239520B2 (ja) * 2002-08-21 2009-03-18 ソニー株式会社 成膜装置およびその製造方法、並びにインジェクタ
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses

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