TW200836324A - Electrical connection for semiconductor structures, method for the production thereof, and use of such a connection in a luminous element - Google Patents

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200836324 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種半導體構造用的電接合部，其製造方 法及其在發光元件中的應用。 【先前技術】 一般’在發光手段中所用的半導體構造由一 EPi晶圓 ^ ( Wafer )製造，換言之由一個從一半導體單晶切出的晶 dAk σ亥半$體構造利用光製版（fotolithographisch ) 及/或乾蝕刻方法在EI晶圓上建構成。要形成一發光元 件’係將如此建構的半導體構造從晶圓切出來當作個別的 LED晶片，且將個別LED晶片設在一載體基質上。 在此’要製造電接合部，各LED晶片須作極特別的結 合。 在此所用之「結合金屬絲」極細且敏感，因此該LED 曰曰片在結合後須立即封裝以將它作保護。 如果須將數個個別的半導體構造或LED晶片（它們設 成一定之幾何形狀）互相配接，例如要串聯或並聯，則更 難。 【發明内容】 本杳明的目的在提供一種電接合部及其製造方法，它 可確保數個半導體構造能確實地及緊密地作電接觸。 的係利用申请專利範圍第1項的電接合部及申請 5 200836324 =第1〇項的方法達成。 體構造的載體基質上1 *字电接觸部直接做在一個數個半導 構造可呈要一體# # b數個如所欲互相配接的半導體 晶圓本身）切出來， 載體基貝（它也可為 之接合。 可形成一發光元件而不須作後續 士：明有利的進_步特點見於附屬項 藉著選擇塑膠材料膜 度，可使它的可加玉性配人所^硬化之純材料的钻 體構造上的技術。 …之用於將此材料施到半導 藉著使用印刷模板（Dmeksehablone )以產生導電 、皮▲ da1111) ’可將—準確之接合圖形印刷到半導體構 =的設置上’㈣線路用的印刷模板可為—種 觸模板」。 就材料的可操作性而言，使用申請專利範圍第13項的 材料报有利。 如果將一密封材料施到該半導體構造，則甚有利。此 密封材料也宜使用印刷模板印刷，利用該密封材料或密封 層，可保護半導體構造，免受外界影響。此外，配接錯誤 之虞也較少。 依本發明一較佳應用，得到一發光元件，它比起利用 結合金屬絲配接的發光元件來，可更廉價及更安全地製 造。其中，電接觸部至少部分地包含平面狀導電的材料導 線路，且和利用結合金屬絲作電接觸的發光元件相較，其 200836324 特色為較高之機械 載體基質一邊 分別的基質，例如 造施加到該基質上 穩定性及較高的耐負荷性。 可由晶圓材料本身形成。但也可使用一 —玻璃基質或類似物，個別的半導體構 J用申叫專利砣圍第3i項的措施一方面確保 的光均勻分佈或均今於山 x古品叮+ X尤疋件 勺勾發出’另方面可確保所發的熱很容易 ^ 0 利用申請專利範圍帛32帛的措*，可利用廉價之半導 體構造產生輻射線，其光譜與最初由該半導體構造發出之

輻射線不同。 X 以下配合圖式詳細說明本發明實施例。 【實施方式】 圖1及圖2中，圖號（10)整體表示一發光元件，它包 含三個半導體構造（12a)(12b)(12c)，各半導體構造由三個 層建構成，這點以下只利用圖丨中設在中央的半導體構造 (12b)為例作說明。 圖1下方的層（14)係一 η導通的層，舉例而言，由 GaN 或 n-InGaN 構成。 一中央層為一 MQW 層（Multiple Quantum Well)， 一種MQW材料有一上格（iQbergitter)，它具有一種依上 格構造改變的電子帶構造，且對應地在其他波長時發出 光，藉選擇MQW層可改善由pn_半導體構造（12)發出之輻 射線的光譜。 7 200836324 一上層（18)由一 P-導通之ΠΙ_ν半導體材料（例如p_

GaN )製造。 各半導體構造（12a)(12b)及（12c)有—階段部（2〇)，它由 上看係圍成u形，其水平之階段面（22)係垂直地位在mqw 層⑽下方。用此方式，n導電層（14)在階段面（22)的側面 突伸起出MQW層（16)及p導電層（8)之外。 階段面（22)用一導電路（24)蓋住（見圖2)，該導電路 ('對於地蒸鍍成11形，有二條平行的導電路腿（24a)(24b)及 一個與該導電路腿垂直延伸的導電路基礎（24c)。導電路形 成一接觸區域和η導電的層（1 4)接觸。 為了要使ρ導電層也能接觸，故在其表面上在上視圖 看，在一個從U形導電路（24)向内偏離的區域（26)中蒸鍍 上$電路（2 8)，它形成一接觸區域和ρ導電層（18)接觸。 在Ρ導電層（18)的表面上，有三個最初平行延伸的導 電路腿（3〇a)(3〇b)(3〇C)從導電路（28)延伸到ρ導電層（18)進 ( 去。該二個外面的導電路腿（30a)(3〇c)的自由端向中間的 導電路腿（30b)方向多彎折90。角度，如圖2所示。 半導體構造（12)的區域（26)的延伸範圍為28〇μιηχ 28(^1!!到180μηιχ180μιη，半導體構造（12)的高度為 〜400μιη 〇 θ導電路腿（24a)(24b)(24c)利用一種銅金合金蒸鍍而 知。如不用此方式也可用銀或鋁的合金，在該導電路 (240(28)(它們構成接觸端子）的區域中可設金構成=部 分，它摻雜到一接到p導電層或一 n導電層用的端子。 8 200836324 該三個半導體構造（12a)(12b)(12c)被一載體基質（32)攜 帶。當載體基質（32)可為一種藍寶石玻璃，它也有一習知 名稱“鋼玉玻璃，，（AGO3玻璃）。在藍寶石玻璃的情形， 載體基質（32)厚度為約400μπι，但也可為其他厚度，例如 在5μπι與600μιη之間。 如不用藍寶石玻璃也可用一有價值的材料（它呈耐高 溫玻璃的形式），例如派來克斯*玻璃，以作載體基質（32)。 如不用此方式，載體基質（32)也可由未摻雜的晶圓材 料形成，在晶圓材料上，該半導體構造用 習知技術建構。在此情形，半導體構造（12a)(12b)(12c)互 相接合成一體。如果載體基質（32)由晶圓材料形成，為了 視保有足夠的機械強度，它必要時可被一基本基質承載， 该基本基質舉例而言也可由藍寶石玻璃構成。 如圖1及圖2所不’半導體構造（12 a)的上接觸端子〔導 電路（28)〕設計成比半導體構造（12b)(12c)的情形的面積更 大。此外’下接觸端子〔它由半導體構造（12c)的導電路腿 (24c)形成〕的面積比半導體構造（12a)(12b)的對應接觸端 子更大（見圖2)。 因此存在著容易探及的端子點，俾將發光元件（丨〇)與 一電壓源連接。 半導體構造（12a)(12b)(12c)配接成串聯，為此，將圖i 及圖2左邊的半導體構造（i2a)的導線路腿（2 4 c)與中央的半 導體構造（12b)的導線路（28)連接成導電，並將其導電路腿 (24c)與圖1及圖2右邊的半導體構造（12c)的導線路（28)連 200836324 接成導電。 為此，在半導體構造（12a)(12b)之間久< ^ ^ ^ ^ 』間各设—電接合部， 在圖1及圖2中的貫施例，該接合部由_ 硬逼形導電路（34、 形成，該導電路（34)呈導電方式跨接二 ^ 相岫丰導體構造（12) 之間的距離，此距離的度量級為1〇〇μηι。

坡道形導電路（34)由一導 形式，該材料藉一種粘性導電 在下文將詳述。 電材料设計成材料導電路的 化而得爿’關於此點 在導電路（34)的-塑膠底材（母質）中，舉例而十， 可有細的銅或銀的粒子或其混合物均勻分佈其中。°、曾 電路（34)，可考慮_種二成份材料，例如_種雙成 劑0 半導體構造（12)之與階段部（2〇)對立的那一側（在圖工 及圖2中的左側）上有一絕緣層(35)，藉之防止導電路: 在此側和半導體構造（12)的—層（14)(16)或⑽接觸。 舉例而言，絕緣層（35)可由未推雜的晶圓材料形成， 該材料在半導體構造（12)建構時，可位在—晶圓 之載體基質上。 在一變更實施例’在半導體構造〇2a)與〇2b)或〇2b) 人（）之間各°又有一由坡帶材料帶形成的絕緣體，在 用圖號（37)表示。 為此，舉例而言，在相關的半導體構造（12)之間可設 -電絕緣的材料。如此可將—導電路⑽㈣該坡道形: 緣體（37)上’例如利用蒸鍍，舉例而言，導電路可由和上 200836324 述導電路腿（24)及（30)或導電路（28)相同的材料構成。因此 電絕緣體（37)彷彿是導電路（34)的下接缝部，它用於形成一 個縱半導體構造的導電路（24)過渡到相鄰半導體構造的導 電路（28)的平滑過渡區。 半導體構造（12a)(12b)的導電路腿（24c)的一些區域以 及半導體構造（12b)的導電路（28)的一些區域〔它們被坡道 形導電路（34)或被具有導電路的絕緣體（37)接觸〕構成半導 體構造（12)的接觸區域，又，半導體構造〇2a)之平面狀較 大導電路（28)以及半導體構造（12c)之平面狀較大導電路 (24c)構成接觸區域，而且構成到外部構造（例如一電路板 或其他發光元件）的端子。 半導體構造（12a)(12b)(12C)除了其接觸區域外，利用 -透明漆覆蓋’這點在® i及圖2中為了一目瞭然，金用 一虛線表示。 在另一變更例（此處未示）中，設有導電材料構成的 坡道幵7 $ I路（34) ’該半導體構造（12a)(12b)(i2e)不但有一 絕緣層（35)，且被-相關的絕緣層圍纟，該相關絕緣層可 -如絕緣層（35)由未摻雜的晶圓材料形成。又，在此情形， 3坡運形導電路（34)不與半導體構造⑽任—層（⑷…)…) 接觸，而只與該留下之未摻雜晶圓材料接觸。 在圖3及圖4中顯不一發光元件(i 〇)的一變更實施例， ’、中對慜於圖1及圖2所示之元件的各元件帶有相同圖 號。發光元件(10)大致和圖丄及圖2所示之發光元件(1〇)相 當。 200836324 但儘管如此，在發光元件（10)的半導體構造 (12&)(121>)(12(：)不設絕緣層（35)，而各係各在導電路（28)下 方有一條貫行的槽（3 8)，用一絕緣材料（40)充填如此也可防 止導電路（34)與半導體構造（12)—層（14)(1 6)或（1 8)(此處 係位在内侧者）不當地接觸的情事。 在圖5〜7中所示之變更之發光元件（1〇)，那些對應於 圖1及圖2中所示之元件的元件用相同圖號表示。但半導 體構造（12a)( 12b)及（12c)的導電路的幾何形狀與圖1〜圖4 的發光元件（10)者不同，這點利用圖5〜圖7中央的半導 體構造（12 b )為例說明。 如圖所示’該n導通之層（丨4)用的導電路（24C)設在一 平面中’在此平面中有？導通之層（18)用的導電路（28)和導 電路腿（3 0a)(3 0b)及（3〇c)。 為此’该半導體構造（12b)在該階段部（2〇)的端側〔它 朝向導線面（24c)的方向〕設有一絕緣層（42)，該絕緣層蓋 住此鈿側。有二個導電路（44a)(44b)〔它們構成絕緣層㈠幻 的側異〕將導電路基礎（24)與導線路腿（24a)(24b)連接。 用此方式’可以不設坡道形導電路（34)或具有導電路 (34)的坡道形絕緣體（37)，而設以一方形之絕緣體（3乃。其 上側距基質（32)隔一均自距離延伸，且它在此冑帶有水平 之連接用之導電路（32)。 此處如不抓此方式，也可對應地設一個具有一蒸鍍之 V私路的、、、巴緣體（37)，例它在上文在具有導電路（3句的坡道 形絕緣體（37)所述者。 12 200836324 發光元件（10) ’特別是其利用導電路（34)接觸的電接觸 部係如下方式得到·· 絲由數個半導體構造（12)的設置著手。舉例而言，這 種叹置可呈半導體構造形式存在，該半導體構造形化光刻 版術及/或乾蝕刻方法呈一定的排列構建在一載體材料 上0 在此，舉例而言，用於作半導體構造（12)的載體材料，

C 如上述’係為晶圓材料本身或一種由藍寶石玻璃或其他基 質材料構成的層。 半導體構造（12)在載體基質上的設置與設計係已知 者’因此半導體構造（12)之電接觸用之上述接觸區域互相 :位置及尺寸也是已知者。此外，由此也可得到所要之導 包路的走势，该導電路要將半導體構造的一定接觸區域互 相連接成導電方式。 丨刷模扳以作密珂’如果該叩刷模扳定位 在具有接觸區域的半導體構造的那一側上方，則該模板將 〆接觸區域以及所要導電路的走勢區域以及半導體構造（12) 的電路圖蓋住。作密封用的材料可包含—種透明可透化之 有機塑膠材料，例如—種丙稀㈣或環氧樹脂。 “導電路用的印刷模板用對應的方式製造，如果該印刷 权板又位在具有接觸區域的半導體構造那一側上方，則該 P席J核板將半導體構造（12)的構造所有㈣〔但除了接觸 要導電路的走勢、以及半導體構造（12)的電路圖 < 7卜」盖住。 13 200836324 α *導％路用的印刷模板構成_密封件用之印刷模 板的負模。這種導電路用的印刷模板舉例而言，也同樣可 =枯度㈣料目旨或縣樹㈣成，它含錢應地大的 導電之細金屬粒子。 —在網版：刷方法中，首先將密封用的印刷模板對應地 疋位’亚用它將—種密封漆印刷到半導體構造（12)的設置 上。結果，密封漆遂將整個晶圓〔除了 _些區域――它們 係半導體構造（12)作電接觸所f者―例外〕苗住。 然後使密封漆硬化成一密封層，「硬化Γ-詞係可指 各種過耘’在其中由—種粘性可印刷的材料形成一相關之 形狀穩定的層，但該層可依使用之塑勝材料仍可彈性變形 及可撓’這點係利用乾燥及作（或不作）_道低標的敎處 理作用而達成’或利用化學反應、電磁波輕射或粒子流達 成。 密封漆硬化成-密封層後，將導電路用的印刷模板對 應地定位’並將—㈣可硬化的導電路材料施到該半導體 構造⑽的設置上，如上所述，然後這種材料再依上述硬 化成一相關的材料層。 在印刷過程及硬化後所得之材料膜形成導電路㈣， 它們共同構成半導體構造(12)的設置的電接觸部。利用該 藉導電路用的印刷模板所設的電路圖可確$:那些半導體 =⑽在載體材料上要配接在—起或是否它們要並聯或 也可作相似之程序，以產生坡道形絕緣體（37)或方形 14 200836324 絕緣體（37)。 在此情形，在印刷過程及硬化後有數個絕緣體或下接 縫部（37)，在隨後步驟還要將導電路（34)施到其上。 在上述製造接到半導體構造的電接合部的進行方式 中，*然須注意：密封材料或絕緣材料用的印刷模板要將 半導體構造（12)的接觸區域蓋住，而在作接合導電部的印 刷模板的場合，這些區域則露空。 士不用此方式，「連接導電路」（34)也可利用蒸鍍得 到。 山封用之印刷模板及導電路用的印刷模板係加工到約 土 1 ·〇μιη的準確度。 …、士有必要，也可省卻將半導體構造設一密封漆的作業 a卩而將半$體構造不先作密封而作電接觸。也可將密 封層當作最後一層施覆。 利用上述進仃方式，可將所有半導體構造⑴）在載體 :質上配接。但用此方式，也可將各數組之半導體構造⑽ 、。匕3預疋數目的半導體構造（12)〕在載體材料 相配接纟起成導電方式。然後這些組可配接完成， 例如利用雷射切割技術整個晶圓切出來。 k種預接之半導體構造（12)之_體式設置的使用可能 方式的例子在以下說明。 μ 18與圖9顯示一發光手段(48)的剖面，它包含一圓 同形殼體（50)，由读3日_ β上、 _ 透月玻璃或塑膠構成，在殼體（50)的圓筒 形内部上設一保拄戸 ’、、衣（52)，它本身帶有一底板（54)，殼體 15 200836324 (50)，保持環（52)及底板（54)界定出一内空間（56)。 内空間中，在底板（54)上有一發光元件（1〇)，其中九個 半&體構造（12)在載體基夤（32)上排成一個3χ3矩陣。如圖 9所示在半導體構造（12)的3x3矩陣中，有三個串聯的鏈 〔各具有三個半導體構造（12a)(12b)(12c)〕互作並聯。 該各三個半導體構造（12a)(12b)(12c)的串聯電路如圖丄 〜4所示經由坡道形導電路（34)連接，設在一鍵的前端或 ( 後端的半導體構造（12a)或（12c)各經由導電路（58)並聯。導 電路（58)相當於導電路（34)。 發光元件（10)可呈一體式構件形式從原始晶圓切出 來，該構件除了與電壓源連接的端子外，係已配接完成者。 發光元件（10)經一第一供電線路（6〇a)及一第二供電線 路（60b)供以能量。 為此，供電線路（60a)(60b)用習知方式與端子銷（62)或 (64)連接，端子銷（62)(64)從發光手段（48)的一「固定插座」 ((66)突伸出來，這點在圖8及圖9中只作示意圖示。 」 殼體⑽利用一半球形殼體部段封閉。在殼體⑽内* 間⑽中設有-液體，呈梦力康油（68)形式，它呈點方式: ° 矽力康油一方面將半導體構造（12)發出的光傳導，另 方面將從半導體構造〇2)產生的熱向外導離，特別是導至 冗又體（5 0 )的壁。 P-GaN/n-InGaN構成的半導體構造，在施一電屢時發 出波長範圍420奈米〜彻奈米的紫外光及藍光。為了 ^ 16 200836324 利用k些半V體構造（12)產生白光，將不同之發光粒子（7〇) 均勻分佈在矽力康油（68)中。這類發光材料粒子由具有彩 色中心的透明固體材料作成，且將射到其上的初級（一次） 輻射線吸收，如此它發出不同（較長）波長的二次（次級） 輻射。因此，當適當選擇發光材料子或發光材料粒子混合 物時，由半導體構造（12)發出的輻射被轉換成另種光譜（= 別是白色）的輻射。 ( 在圖10及圖11中顯示一種變更的發光手段（72)。在 此發光手段設有一種玻璃構成的基質（74)，其中設有一列 凹隙（76)，隔規則的間隔。 在凹隙（76)中各有一半導體構造（12)，它係由一晶圓呈 個別半導體構造（12)的形式切出來。這表示，從處在一載 體基質（32)上各有一半導體構造（12)，該基質的面積延伸量 相當於位在其上的半導體構造（12)的延伸量。 凹隙（76)的尺寸使得各半導體構造（12)隨其所帶的基質 (,(32)略突伸超出玻璃基質（76)的表面。 此處’該構建成之半導體構造〔它對應於圖5〜圖7 所不之半導體構造（12)〕當作半導體構造，其接觸區域（24c) 及（28c)設在相同高度。但圖丨〜圖4中所示之半導體構造 同樣可使用，但此處不設絕緣層（35)。 對於上述將半導體構造（12)作電接觸的方法，並不將 晶圓拉出來當作數個半導體構造（12)的設置，而係將具有 放入之個別的半導體構造（12)的玻璃基質（12)，在玻璃基質 (74)的端側端設有蒸鍍上去的接觸面（78)或（8〇)，它們可利 17 200836324 用$黾路用的一相關印刷模板在一道方法步驟中與半導體 構造（12)連接。 電接觸的結果，此處該發光元件（72)的半導體構造（12) 串聯，其中二個相鄰的半導體構造（12)之間的電接觸利用 一導電路（82)得到，導電路的材料一如上文之坡道形導電 路（34)所述者。此處也可將一導電路（34)經由一絕緣體（37) 放設。 f 因此半導體構造（12)也可並聯。 在發光元件（72)也設有一透明漆（36)，用虛線表示，但 它不圍繞半導體構造（12)，而只蓋住其自由表面（要連接 的接觸區域為例外）。 玻璃基質（74)上的接觸區域與和它鄰接的半導體構造 (12)的導電路（28)經一導電路（84)連接。接觸面（8〇)以對應 的方式與各它相鄰的半導體構造（12)的導電路（24)經一導電 路（86)連接。 ( 如不用玻璃構成的基質（74)，也可用丙烯酸酯構成的 一基質（74)。 基質（74)具有導光性質，如此可造成一光稜條。 在這種建構，使用之半導體構造（12)固然建構相同， 但其光強度受生產之條件影響也不同。由於由半導體發出 的光經基質（74)均勻分佈，故造成均勻光發射，因此可省 部在生產後由於不同的發光功率要將個別發光晶片作費成 本的分級及分類的作業可省卻。 在基質由玻璃或丙烯酸酯構成的基質（74)，當厚度 18

200836324 5mm日守’可良好地做成寬5mm〜30mm及長2cm 〜50cm的發光手段。 所用基質（74)也可為可撓性塑膠材料，其巾基質（74)也 可計成膜。在此情开》，可將銅構成的或金I粒子塑膠漆（它 在更化後有可撓性）構成的導電路施到可撓性的基質（7句 上其中该導電路與半導體構造⑴）的電接觸利用上述方 法達成。 *當使用一可撓性膜當作基質（74)時，可做一條數公尺 （丫Ή lcm X ’只有。lmm〜〇 2mm厚），它設有銅 導電路’ A此將個別的半導體構造（12)枯到膜上，如後如 上述接觸成導電方式。 在k種▼，可將1〇〇〇〇〜1〇〇〇〇〇個發光晶片串聯或並 %其中5亥「無端」帶各依要求，可裁切成任何長度的段 件。為了由—條切出來的帶部段形成一發光元件’只須將 位在外的半導體構件（12)之㈣的接觸區域設以端子以接 一電壓源即可。 圖12中顯示-晶圓（88)，由一載體基質（32)及多數相 建在其上的半導體構造⑽構成，由它們利用上述方法在 載體基貝（32)上將各二個半導體構造（12)互相連接。 一些設在一2x2矩陣中的半導體構造（12)已呈單元 式攸晶圓（8 8 )切出爽，；士 、上、音 出末化點在丰導體構造（12)的設置的漏縫 C Lucken)可看出。 在 到一條 個互相連接成導電的半導體構造（12)之間 連接導電路」（34)，呈黑色線條形式。 可各看 19 200836324 在圖3及圖14的實施例，功能相同的元件（它們已配 合岫面的圖式說明過）用相同圖號表示且不贅述。 和上述圖式主要不同在於：半導體構造利用摻雜物擴 散進去而產生，因此製成之晶片具一平坦表面。因此導電兴 路（24)(28)在-共时面，而導電路㈣可良好地平行於: 圓表面延伸。只是在其下方之絕緣層(37)的末端不造成階 段部，但階段部在網版印刷中可良好地蓋過。 對於„斗多半導體構造（它們由於製造程序，在晶圓表 面帶有一氧化層）也可省备7八免，丨田☆门^ J名部刀別用網版印刷施覆的絕緣 層）因此導電路（34)可完全無階段部地施覆。 但如上述，在半導體構造之圖1〜圖所示之廓形， 沿垂直於其平面的方向係用很誇大的比例顯示，因此實際 =所得只有很小的階段部’在網版印刷產生之導電路可: 由這些階段部延伸過去。 、二 如圖13及14所示，也可將半導 可M it + 千V體構造之相鄰的列也 :用^電路(34)隔較大間隔（例如3，“ =橫導電路⑽相連接，並將晶圓在導電路（3咐^ d。如此得到一些場，它們具有例如 、 之半導體構造的串列。各依切斷 5 2列串接 〃研万式而定，沿著平粁於導 电路（34)的方向得到配接完成的矩 、， 3χ. ^ 干例如具有3x1、3x2、 h··.·.或 6X1、6X2、6X3或如、心2、12x3 之 务光的半導體構件，其接列電壓 … 造。 £，原之導線的端子還要製 經由導電路（34)(它們沿橫方 万向貝行）當晶圓之半導 20 200836324 體基本材料之電絕緣件不充分時，在具有導電路（34)的交 叉點上設有中斷之絕緣層（37t)，如虛線所示。 要將在大量系列製造時，如此所切分之發光晶片矩陣 施到一電路板上，可同樣地使用利用網版印刷產生的導電 路如上文在連接半導體構造（12)所述者，這些「連接導 電路」遂從導電路（34t)延伸到電路板的端子導線路。 明 說 單 簡 式 圖 圖1係經一 LED發光元件的部分剖面圖，其中顯示三 個發光晶片，沿圖2的切線Μ切開； 圖2係圖1之發光元件的上視圖； 圖3係沿圖4之切線Ill-πι經一變更的發光元件的部 分剖面圖； 圖4係圖3的發光元件的上視圖； 圖5係沿圖7之切線V-V經另一變更的發光元件的部 分部面圖； 圖6係圖5之發光晶片的設置的端侧視圖； 圖7係圖5及圖6的發光元件的上視圖； 圖8係沿圖9的切線Vlll-vni經一個發光元件（它具 有另一變更之發光晶片設置）的剖面圖； 圖9係沿圖8切線IX-IX經圖8的發光元件的一剖面 圖； 圖10係另一變更發光元件（它具有數個個別發光晶 片）的一上視圖； 21 200836324 10之發光元件的一 圖11係沿圖1 0的切線ΧΙ-XI經圖 剖面圖； 圖12係一晶圓的上視圖，它具有多數互相作電連接的 發光晶片半導體構造，其中已有一些半導體構造從晶圓切 出來； 圖13係一變更之晶圓的一部段的上視圖，它具有多數 電連接的半導體構造，其比例比圖i 2更大；且 圖14係沿圖13之切線XIV-XIV經圖13晶圓的縱剖 面圖。 【主要元件符號說明】 (10)(12) (12a)(12b)(12c) (14) (16) (18)(20)(22) (24) (24a)(24b) (24c) (26) 發光元件 半導體構造 半導體構造 層（導電層） 層 上層（P導電層） 階段部 階段面 導電路 導電路腿 導電路基礎 區域 導電路 22 (28) 200836324 (30a)(30b)(30c) 導電路腿 (32) 載體基質 (34) 導電路 (34t) 橫導電路 (35) 絕緣層 (36) 透明漆 (37) 絕緣體 (38) 槽 (42) 絕緣層 (44a)(44b) 導電路 (48) 發光手段 (50) 殼體 (52) 保持環 (54) 底板 (56) 内空間 (60a) 第一供電線路 (60b) 第二供電線路 (62)(64) 端子銷 (68) 碎力康油 (70) 發光粒子 (72) 發光手段（元件） (76) 玻璃基質 (78)(80) 接觸面 (86) 導電路 23

Claims (1)

1. 200836324 十、申請專利範園： h 一種半導體構造（12)與另—構造之間 具有一第一端子（24)、一第n 、、. 弟一鳊子（28)、及一導電材料構成 之連接導電路（34)，筮 1 )弟一端子屬於該半導體構造（12)，第二 端子屬於該另一構抨，兮、击& $ a 構k 1 2 3 4 5亥連接導線路由第一端子（24)延伸 到第二端子（28)，其特徵在·· 、/第立而子（2句與第二端子（28)設計成平土旦的接觸區

   域’且該連接導電路（34)由—導電之塑膠材料膜形成，該 胺將該二接觸域至少部分地以材料癒合的方式蓋住。 2·如申請專利範圍第1項之電接合部，其中： 該接觸區域（24)(28)的面積至少2_2，且宜3〜 1 0mm2 〇 24 1 ·如申請專利範圍第1或第2項之電接合部，其中 該塑膠材料膜的厚度約2〇μιη〜 2〇〇μιη，且宜 10mm2。 2 .如申凊專利範圍第1或第2項之電接合部，其中： 該塑膠材料膜（34)包含由導電細粒子構成的充填料 它們加工到一塑膠母質中。 3 ·如申請專利範圍第4項之電接合部，其中： 該粒子的大小為10μηι〜100μιη，且宜2〇μιη〜5〇μιη 4 ·如申請專利範圍第4項之電接合部，其中： 該塑膠母質為導電者。 5 ·如申請專利範圍第丨或第2項之電接合部，其中： 該塑膠母質為彈性者。 200836324 8·如申請專利範圍第1或第2項之電接合部，其中·· °亥塑勝材料膜至少有下述性質之一：彈性、可塑性、 對低至-40 c的低溫的抵抗性、對高至2〇〇〇c高溫的抵抗 性。 9 ·如申凊專利範圍第1或第2項之電接合部，其中·· 該塑膠材料膜至少含以下的一種材料：天然及合成之 彈丨生體、環氧樹脂、聚丙烯酸酯、聚胺基甲酸乙酯。 10·如申請專利範圍第1或第2項之電接合部，其中： 在端子（24)(28)之間設一絕緣之下接縫（37)，其上側形 成端子（24)(28)之間的無急遽變化的（且宜為平滑的）接合 部0 U· 一種用於製造一半導體構造的至少一接觸區域與至 少另一構造的至少一接觸區域之間的電接合部的方法，其 中該半導體構造宜在施電壓時發出電磁波，其特徵在以下 步驟： a) 將該半導體構造及其他構造設置成互相成預定之固定 空間關係； b) 將一粘性糊狀或粉末狀導電路材料施到一導電路區 域，此區域與半導體構造與該另一構造的接觸面至少 部分地重疊，其中該導電路材料係可導電或可藉一道 後處理變成導電狀態； c) 將該施覆到數個半導體構造的放置上的導電路材料作 後處理，以形成一相關之導電的導電路。 12.如申請專利範圍第π項之方法，其中·· 25 200836324 路材料包含一種可硬化材料，且該處處理為 後處理為一道熱處理。 了烙化材料而該 13·如申請專利範圍第12項之方法，直中· 3 性可硬化材料為-種二成份塑膠材料，特別 疋一種二成份粘著劑。 特別 :4:如申請專利範圍第12或第13項之方 ㈣電路材料包含一種良導電金屬的細粒子，該粒 子。 抖中且且包含金、銅、及/或銀的粒 15.如申請專利範圍第匕項之方法，苴中· 燦：；t可硬化材料由以下之物選出：環氧樹脂、丙 烯酸S曰、聚胺基甲酸乙酯。 内 16.如申凊專利範圍第11項之方法，其中： 在方法步驟（15)之w，將—種由電絕緣之枯性糊狀 末狀的底層材料施㈣半導體構造及/或另-構造的= H ’此區域包含—導電路區域的至少-部分，該底層材 枓利用一道後處理變成一相關的層。 如申請專利範圍第16項之方法，其中： 該底層材料包含一可硬化的材料，且該後處理為一道 作業及/或5亥底層#才斗包含一可炼材才斗且該後處理為 一熱處理。 ” 女申明專利範圍第丨6或第丨7項之方法，其中 所施之底層在導電路材料施覆之前作後處理。 26 200836324 19 ·如申凊專利範圍第1 1項之方法，其中： 在貫施步驟（b)之前或在步驟（b)之後或在步驟（c)之後 將一種粘性糊狀或粉末狀的密封材料施到這些半導體構造 的°又置上，该密封材料可利後一後處理變成一相關的層， 其中該接觸區域保持露空。 2〇·如申請專利範圍第19項之方法，其中： …该松封材料包含一可硬化的材料且後處理為一道硬化 f 作業及/或該密封材料包含一可熔材料且該後處理為一熱 處理。 21.如申請專利範圍第20項之方法，其中： 使用之密封材料為一種漆。 22·如申睛專利範圍第19項之方法，其中·· 使用之密封材料在硬化狀態為透明者。 23·如申睛專利範圍第11項之方法，其中： "亥^Γ電路材料及/或底層材料及/或密封材料利用至 ί 少一種印刷模板或一種印模施覆。 24_如申睛專利範圍第11項之方法，其中： °亥其他構造之一為一載體板，且該半導體設在載體板 之預定位置。 25·如申睛專利範圍第11項之方法，其中： 。亥/、他構造之_為另一半導體構造，且該半導體構造 口又在一載體板上的預定位置。 26.如申睛專利範圍第25項之方法，其中： 使用載體板’該載體板在不同半導體構造的接觸區 27 200836324 域之間的區域中在隹：a 在貝&步驟（b)前設以絕緣之下接縫部。 27·如申請專利範圍第11項之方法，其中： 方法步驟⑻與（c)對於該處的半導體構造在晶圓上丘同 地實施’且該半導體構造或半導體構造組從晶圓切分的作 業在步驟(b)後〔且宜在步驟⑷後〕達成。 28.一種發光元件，具有多數發光之半導體構造（12)， 該半導體構造Μ有—料區域且設在—制基質（32) 上，其特徵在於：利用t請專利範圍f i項的電接合部將 —半導體構造（12)與該載體基質（32)或另一半導體構造（12) 連接。 29·如申请專利範圍第28項之發光元件，其中： 該半導體構造（12)的對立侧各有一第一端子區域以供 笔流以及一第二端子區域以將電流導離。 30.如申請專利範圍第29項之發光元件，其中： 該半導體構造（12)呈面狀平坦地與載體基質（3 2)接合。 31·如申請專利範圍第29或第30項之發光元件，其中： 禮載體基貝（3 2)包含一玻璃材料或一結晶材料。 32. 如申請專利範圍第31項之發光元件，其中： 該載體基質（32)包含一 Al2〇3材料。 33. 如申請專利範圍第28項之發光元件，其中： 該半導體構造（12)設在發光元件一内空間（56)中，其中 颉内空間（56)用一種導熱絕緣液體（68)如矽力康油充注。 34. 如申請專利範圍第28項之發光元件，其中： 該半導體構造（12)至少局部地被大致均勻分佈的發光 28 200836324 材料粒子（70)圍住，該發光材料粒子吸收由半導體構造（i2) 發出的輻射線且至少將一部分轉變成互補的輕射線。 3 5 ·如申請專利範圍第3 4項之發光元件，其中： 該發光材料粒子分佈在液晶（68)中。 36·如申請專利範圍第28項之發光元件，其中 域 域 體構造〇2)或—組半導體構造的邊緣端子11 (24)(2 8)的尺寸比起 更大。 内部 之接合部（34)連接的端子d 十一、圖式： 如次頁 29