CN101647116A - 用于半导体结构的电连接结构、其制造方法及其在发光单元中的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于电接触多个半导体结构的布置的方法，该布置为此具有接触区域且当施加有电压时发出电磁辐射，在该方法中，将一粘性的、可硬化的材料施加到所述多个半导体结构的布置上，该材料硬化成一材料线路。此外还给出一种具有多个半导体结构(12)的发光单元，所述多个半导体结构利用电接触部(34)互相配接，且当施加有电压时发出可见的电磁辐射。此电接触部(34)至少部分地包含一个或多个材料线路(34)，所述材料线路通过使在基本状态呈粘性的材料硬化而得到。

Description

用于半导体结构的电连接结构、其制造方法及其在发光单元中的应用
技术领域
本发明涉及一种用于半导体结构的电连接结构、该电连接结构的制造方法及其在发光单元中的应用。
背景技术
一般，在发光装置中所用的半导体结构由一EPI晶片(Wafer)制造，换言之，由一从一半导体单晶切出的晶片制造。该半导体结构利用光刻(fotolithographisch)方法和/或干法刻蚀方法在EPI晶片上建构成。为形成一发光单元，将如此建构的半导体结构作为单个LED芯片从晶片切出，并作为单个LED芯片安装在一载体基片/载体基板上。
在此，为制造电连接结构，每个LED芯片必须作特别的接合。
在此所用的“接合金属丝”极细且易被破坏，因此该LED芯片在接合后必须立即封装以进行保护。
如果必须将布置成一定的几何形状的多个单个的半导体结构或LED芯片互相配接，例如要串联或并联，则更困难。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种电连接结构及其制造方法，所述电连接结构及其制造方法确保多个半导体结构能可靠地及紧密地作电接触。
所述目的通过根据权利要求1的连接结构及根据权利要求10的方法来实现。
因此，根据本发明，存在下述可能性，即可将电接触部直接做在一承载多个半导体结构的载体基片上，从而使多个相互之间如所希望的那样彼此配接的半导体结构可作为要一体操作的构件从载体基片(该载体基片也可以是晶片本身)中切出来，并因此可不做后续结合地形成一发光单元。
本发明有利的改进方案是从属权利要求的主题。
通过选择用于塑料材料膜的可硬化的粘性材料的粘度，可使该材料的可加工性与所选择的用于将此材料施加到半导体结构上的技术相匹配。
通过使用一用于产生印制线路/印制导线(Leiterbahn)的印刷掩模(Druckschablone)，可将一精确的连接图形(Verbindungsbild)印刷到半导体结构布置/组件上。用于印制线路的印刷掩模可以是“微网版接触掩模(Mikrosieb-Kontaktschablone)”。
就材料的可操作性而言，使用在权利要求13中给出的材料很有利。
如果将一密封材料施加到该半导体结构上，则是有利的。在使用印刷掩模的情况下更优选印上此密封材料。利用该密封材料或密封层，可保护半导体结构免受外界影响。此外，错误配接的危险也减小了。
根据一本发明的优选应用，可得到一发光单元，该发光单元相对于利用接合金属丝配接的发光单元，可更廉价及更安全地制造。在该发光单元中，电接触部至少部分地包含平的、导电的材料线路。与利用接合金属丝而形成电接触的发光单元相比，本发明发光单元的特点为较高的机械稳定性及较高的耐负荷性。
载体基片可由晶片材料本身形成。但也可使用一单独的基片/基板，例如一玻璃基片/玻璃基板等，将单个半导体结构施加到该基片上。
利用根据权利要求31的措施一方面确保发光单元的光均匀分布或均匀发出，另一方面可确保很好地散热。
利用根据权利要求32的措施存在下述可能性，即可利用廉价的半导体结构产生辐射，该辐射的光谱与最初由该半导体结构发出的辐射不同。
附图说明
以下借助附图详细说明本发明实施例。在附图中：
图1是一LED发光单元沿图2的剖切线I-I剖开的局部剖视图，其中示出三个发光芯片；
图2是图1的发光单元的俯视图；
图3是一改变了的发光单元沿图4的剖切线III-III剖开的局部剖视图；
图4是图3的发光单元的俯视图；
图5是另一改变了的发光单元沿图7的剖切线V-V剖开的局部剖视图；
图6是图5的发光芯片布置/组件的端侧视图；
图7是图5及图6的发光单元的俯视图；
图8是一具有另一改变了的发光芯片布置的发光单元沿图9的剖切线VIII-VIII剖开的剖视图；
图9是图8的发光单元沿图8剖切线IX-IX剖开的剖视图；
图10是一具有多个单个发光芯片的、再次改变了的发光单元的俯视图；
图11是图10的发光单元沿图10的剖切线XI-XI剖开的剖视图；
图12是一具有多个相互电连接的发光芯片-半导体结构的晶片的俯视图，其中已有一些半导体结构从晶片中切出；
图13是一具有多个电连接的半导体结构的、改变了的晶片的一部分相对于图12放大的俯视图；以及
图14是图13的晶片沿图13的剖切线XIV-XIV剖开的纵剖视图。
具体实施方式
在图1及图2中，以附图标记10整体表示一发光单元，该发光单元包含三个半导体结构12a、12b、12c。每个半导体结构都由三个层建构成，这点以下仅以图1中布置在中间的半导体结构12b为例作说明。
在图1中位于下部的层14是一n型层，该下部层14例如由n-GaN或n-InGaN制成。
中间层16为一MQW层，MQW是“Multiplc Quantum Well(多量子阱)”的缩写。MQW材料具有一超晶格
Figure G2007800525120D00031
该超晶格具有一根据超晶格结构改变的电子能带结构并对应地在不同波长时发出光。通过选择MQW层可影响由pn型半导体结构12发出的辐射的光谱。
上部层18由一p型III-V半导体材料、例如由p-GaN制造。
每个半导体结构12a、12b及12c都具有一从上方看为U形的、环绕的台阶部20，其水平的台阶面22垂直地位于MQW层16下方。以此方式，n型层14在台阶面22的区域内在侧面突出超过MQW层16及p型层8。
台阶面22用一相应地为U形的、由气相处理形成的印制线路24覆盖(见图2)，该印制线路具有两条平行的印制线路腿边24a、24b及一与该印制线路腿边垂直延伸的印制线路底边24c。印制线路24形成一用于n型层14的接触区域。
为也能触点接通p型层18，在该p型层18上侧上、在一从上方看从U形印制线路24向内偏错的区域26中气相处理以形成一印制线路28，该印制线路28形成一用于p型层18的接触区域。
在p型层18的表面上，三条首先平行延伸的印制线路腿边30a、30b、30c从印制线路28延伸入p型层18中。两条位于外面的印制线路腿边30a、30c的自由端部向中间的印制线路腿边30b方向弯折了90°(如图2所示)。
半导体结构12的区域26的延伸范围为280μm×280μm到1800μm×1800μm，半导体结构12的高度为180μm～400μm。
印制线路腿边24a、24b、24c通过气相处理/气相沉积一铜金合金而得到。可选地，也可使用银合金或铝合金。在形成接触连接部(Kontaktanschluβ)的印制线路24c、28的区域中可设有金，它被掺杂到一p型层或一n型层上用以连接。
所述三个半导体结构12a、12b、12c由一载体基片32承载。载体基片32可以是蓝宝石玻璃，蓝宝石玻璃也被称为“刚玉玻璃”(Al2O3玻璃)。在蓝宝石玻璃的情形下，载体基片32厚度为约400μm，但也可为其他厚度，例如在5μm与600μm之间。
如不用蓝宝石玻璃，也可将一耐高温玻璃、例如派莱克斯玻璃
Figure G2007800525120D00041
形式的更廉价的材料用于载体基片32。
可选地，载体基片32也可由未掺杂的晶片材料形成，在该晶片材料上用已知技术建构有所述半导体结构12a、12b、12c。在此情形下，半导体结构12a、12b、12c相互连接成一体。为保证足够的机械强度，如果载体基片32由晶片材料形成，则该载体基片必要时可由一基底基片承载，该基底基片例如也可由蓝宝石玻璃构成。
如图1及图2所示，半导体结构12a的上接触连接部(印制线路28)的面积设计成比半导体结构12b、12c的大。此外，由半导体结构12c的印制线路腿边24c形成的下接触连接部的面积比半导体结构12a、12b的对应接触连接部大(见图2)。
因此存在着容易接近的接通点，以便将发光单元10与一电压源连接。
半导体结构12a、12b、12c串联连接，为此，将图1及图2左边的半导体结构12a的印制线路腿边24c与中间的半导体结构12b的印制线路28导电连接，并将该中间半导体结构12b的印制线路腿边24c与图1及图2右边的半导体结构12c的印制线路28导电连接。
为此，在半导体结构12a、12b之间设一电连接结构。在图1及图2的实施例中，该电连接结构由一坡道形印制线路34形成，该印制线路34导电地跨接两个相邻半导体结构12之间的距离。此距离为100μm的数量级。
坡道形印制线路34设计成由一导电材料制成的材料线路的形式，该导电材料通过使一粘性导电材料硬化而得到，关于此点将在下文详述。
在印制线路34的一塑料底材(母材)中，可例如有细的铜或银的颗粒或其混合物均匀分布其中。对于印制线路34，可考虑将一种双组分材料如双组分粘接剂作为底材。
半导体结构12在与台阶部20相对的一侧(在图1及图2中在左侧)上有一绝缘层35，通过该绝缘层防止印制线路34在所述侧上与半导体结构12的所述层14、16或18中的一个触点接通。
绝缘层35可例如由未掺杂的晶片材料形成，在建构半导体结构12时该材料放置在晶片上或其他载体基片上。
在一可选实施例中，在半导体结构12a与12b或12b与12c之间各设有一由坡道形材料线路形成的绝缘体，该绝缘体在图中用附图标记37表示。
为此，可例如在相应的半导体结构12之间施加一电绝缘的材料。然后可将一印制线路34例如通过气相处理施加到该坡道形绝缘体37上，该印制线路34例如可由与上述印制线路腿边24、30或印制线路28相同的材料制成。因此电绝缘体37彷佛是用作印制线路34的底衬，该底衬形成一从半导体结构的印制线路24过渡到相邻半导体结构的印制线路28的平滑的过渡部。
半导体结构12a、12b的印制线路腿边24c的以及半导体结构12b的印制线路28的这样的区域——这些区域由坡道形印制线路34或由具有印制线路34的绝缘体37接触——构成半导体结构12的接触区域。半导体结构12a的面积较大的印制线路28以及半导体结构12c的面积较大的印制线路24c也构成接触区域，即用于连接到外部结构如印刷电路板或其他发光单元上。
半导体结构12a、12b、12c除其接触区域外都用一透明漆36覆盖，这在图1及图2中为清楚起见仅用虚线表示。
在设有由导电材料构成的坡道形印制线路34的另一变化形式(此处未特地示出)中，半导体结构12a、12b、12c不但有一绝缘层35，而且还由一相应的绝缘层围住，该绝缘层可如同绝缘层35那样由未掺杂的晶片材料形成。在此情形下，该坡道形印制线路34也不与半导体结构12的任一层14、16、18接触，而仅与该放在那里的未掺杂的晶片材料接触。
在图3及图4中示出一发光单元10的一可选实施例，其中与图1及图2所示部件相对应的各部件带有相同的附图标记。发光单元10大致和图1及图2所示的发光单元10相当。
但，与之不同的是，在发光单元10的半导体结构12a、12b、12c中不设绝缘层35，而是分别在印制线路28下方设置一连续的槽38，该槽用一绝缘材料40充填。如此也可防止印制线路34与半导体结构12的层14、16或18(此处位于内部)中的一个不希望地接触。
在图5～7中所示的改变了的发光单元10中，那些对应于图1及图2中所示部件的部件用相同的附图标记表示。但半导体结构12a、12b及12c的印制线路的几何形状与图1～图4的发光单元10的不同，这点以图5～图7中的中间的半导体结构12b为例说明。
如图所示，用于n型层14的印制线路24c设置在这样的平面中，即用于p型层18的印制线路28和印制线路腿边30a、30b及30c位于该平面中。
为此，该半导体结构12b在台阶部20的指向导线面24c方向的端侧上设有一绝缘层42，该绝缘层覆盖所述端侧。在侧向位于绝缘层42两侧的两个印制线路44a、44b将印制线路底边24c与印制线路腿边24a、24b相连接。
用此方式，可以不设置坡道形印制线路34或具有印制线路34的坡道形绝缘体37，而是设置一方形的绝缘体37，其上侧距基片32均匀距离地延伸，且支承水平的连接印制线路32。
相应地，这里可选地也可设置一具有一气相处理成的印制线路的绝缘体37，如在上文中对于具有印制线路34的坡道形绝缘体37所述的。
发光单元10及特别是其利用印制线路34所形成的电接触可如下所述得到：
由多个半导体结构12的布置/组件着手。这种布置可例如为通过光刻方法和/或干法刻蚀方法以一定的布局构建在一载体材料上的半导体结构的形式。
在此举例而言，如上所述，将晶片材料本身或者蓝宝石玻璃或其他基片材料的层用作半导体结构12的载体材料。
半导体结构12在载体基片上的布置与设计是已知的，因此半导体结构12的用于电接触的上述接触区域相互之间的位置及尺寸也是已知的。此外，由此也可得到所希望的印制线路的走向，该所希望的印制线路要使半导体结构的一定接触区域相互电连接。
现在制造一用于密封的印刷掩模，如果该印刷掩模定位在半导体结构的具有接触区域的那一侧上方，则该印刷掩模将该接触区域以及所希望的印制线路的走向、进而半导体结构12的电路图盖住。用于密封的材料可包含一透明的、可硬化的有机塑料材料，例如丙烯酸酯或环氧树脂。
用相应的方式制造用于印制线路的印刷掩模，如果该印刷掩模定位在半导体结构的具有接触区域的那一侧上方，则该印刷掩模将半导体结构12的除接触区域、所希望的印制线路的走向、进而半导体结构12的电路图之外的所有区域都盖住。
因此，用于印制线路的印刷掩模构成一用于密封的印刷掩模的负模。这种用于印制线路的印刷掩模例如可同样由高粘度的丙烯酸酯或环氧树脂制成，所述丙烯酸酯或环氧树脂含有相当大量的导电的细金属颗粒。
在丝网印刷方法中，首先将用于密封的印刷掩模相应地定位，并用它将一种密封漆印刷到半导体结构12的布置上。结果，除了进行半导体结构12的电接触所需的区域外，密封漆将整个晶片盖住。
然后使密封漆硬化成一密封层，“硬化”一词是指下述各种过程，在该过程中由一种粘性的、可印刷的材料形成一连续的形状稳定的层，但该层根据所使用的塑料材料仍是弹性的、可弯曲的。这可利用具有或没有针对性的热效应的干燥、利用化学反应、利用电磁波辐射或粒子射束来进行。
密封漆硬化成一密封层后，将用于印制线路的印刷掩模对应地定位，并将一粘性的、可硬化的印制线路材料印到该半导体结构12的布置上，如上所述。然后这种材料再依照上述原理硬化成一连续的材料膜。
在印刷过程及硬化之后所得到的材料膜形成印制线路34，它们共同形成半导体结构12的布置的电接触。利用该借助用于印制线路的印刷掩模所设置的电路图可确定：载体材料上的哪些半导体结构12要配接在一起或者这些半导体结构是要并联还是串联。
也可进行相似的程序，以产生坡道形绝缘体37或方形绝缘体37。
在此情形下，在印刷过程及硬化之后存在多个绝缘体或底衬37，在随后的步骤中还要将印制线路34施加到其上。
在上述用于制造半导体结构电连接结构的做法中，当然要注意：用于密封材料或绝缘材料的印刷掩模要将半导体结构12的接触区域盖住，而这些区域在用于制造连接导线的印刷掩模中被暴露出来。
可选地，“连接印制线路”34也可利用气相处理而得到。
用于密封的印刷掩模及用于印制线路的印刷掩模被加工到约±1.0μm的精度。
如有必要，也可将具有密封漆的半导体结构布置的密封作业省却，而使半导体结构不先作密封地进行电接触。也可施加密封层作为最后一层。
利用上述做法，可将所有半导体结构12在载体基片上配接。但用此方式，也可将分别包括预定数目的半导体结构12的多个半导体结构12组在载体材料32上电联接。然后这些组可完成了配接地例如利用激光切割技术从整个晶片中切出来。
这种预连接的半导体结构12的一体式布置的可能的使用方式的例子在以下说明。
图8与图9显示一发光装置48的剖面，该发光装置包含一由透明玻璃或塑料制成的圆筒形壳体50。在壳体50的圆筒形内壁上设置有一保持环52，该保持环本身支承一底板54。壳体50、保持环52及底板54界定出一内腔56。
在该内腔中，在底板54上有一发光单元10，其中九个半导体结构12在载体基片32上排成一3×3矩阵。如图9所示，在半导体结构12的3×3矩阵中，分别具有三个半导体结构12a、12b、12c的三个串联的链相互并联。
三个半导体结构12a、12b、12c的串联连接分别如图1～4所示地经由坡道形印制线路34进行。设在一链的前端或后端的半导体结构12a或12c分别经由印制线路58并联连接。印制线路58与印制线路34相当。
发光单元10可作为一体式构件从原始晶片中切出，该构件除了用于与电压源连接的连接部外，已经完成了配接。
发光单元10通过一第一供电线路60a及一第二供电线路60b供电。
为此，供电线路60a、60b用惯常的方式与连接销62或64连接，该连接销62、64从发光装置48的一固定管座66伸出，这点在图8及图9中仅示意性示出。
壳体50的内腔56利用一半球形壳体部段封闭。在壳体50的内腔56中设置有一硅油
Figure G2007800525120D00101
68形式的液体，该硅油以点表示。
硅油一方面将由半导体结构12发出的光导出，另一方面将由半导体结构12产生的热向外散出，特别是散至壳体50的壁。
由p-GaN/n-InGaN制成的半导体结构，在施加有一电压时发出紫外光及波长范围为420nm～480nm的蓝光。为利用这些半导体结构12产生白光，在硅油68中均匀分布有不同的荧光材料颗粒70。这类荧光材料颗粒由具有色心的透明固体材料制成，且吸收射到其上的初级(一次)辐射，由此发出不同(较长)波长的二次(次级)辐射。因此，当适当选择荧光材料颗粒或荧光材料颗粒混合物时，由半导体结构12发出的辐射被转换成具有另一种光谱(特别是白光)的辐射。
在图10及图11中显示一种改变了的发光装置72。在此发光装置中设有一由玻璃制成的基片74，在该基片中以规则的间距设置有一排凹口76。
在凹口76中各有一半导体结构12，该半导体结构作为单个半导体结构12从一晶片中切出。这表示，这里在一载体基片32上各有一半导体结构12，该载体基片的面积相当于位于其上的半导体结构12的面积。
凹口76的尺寸确定成使得带有支承该半导体结构的基片32的每个半导体结构12略微超出玻璃基片74的表面。
此处，构建与图5～图7所示的半导体结构12相当的半导体结构作为半导体结构，其接触区域24c及28c设在相同的高度上。但是同样可使用图1～图4中所示的半导体结构12。但此处不设绝缘层35。
对于上述用于使半导体结构12电接触的方法，不是将晶片、而是将具有装入其中的单个半导体结构12的玻璃基片72，理解为多个半导体结构12的布置。在玻璃基片74的端侧端设有气相处理成的接触面78或80，该接触面可利用一用于印制线路的相应印刷掩模在一个步骤中与半导体结构12连接。
在电接触的结果中，此处该发光装置72的半导体结构12串联连接，其中两个相邻的半导体结构12之间的电接触利用一印制线路82得到，该印制线路由如上文对坡道形印制线路34所述的材料制成。此处也存在将一印制线路34放置在一绝缘体37上的可能性。
半导体结构12也可并联连接。
在发光装置72中也设有一用虚线示出的透明漆36，但该透明漆不包围半导体结构12，而仅盖住其自由表面(要连接的接触区域除外)。
玻璃基片74上的接触面78与和该接触面78相邻的半导体结构12的印制线路28经由一印制线路84连接。接触面80以相应的方式与和该接触面80相邻的半导体结构12的印制线路24经由一印制线路86连接。
如不用由玻璃制成的基片74，也可使用由丙烯酸玻璃制成的基片74。
基片74具有导光的特性，由此可造成一光板条。
在这种构造中，可使用虽然结构相同、但受生产条件影响而具有不同光强度的半导体结构12。由于由半导体结构发出的光经基片74均匀分布，所以造成均匀的光发射，因此可省却在生产后由于其不同的光功率而要对各发光芯片进行的费成本的分级和分类。
在基片74由玻璃或丙烯酸玻璃制成的情况下，当厚度为0.5mm～5mm时，可良好地实现宽5mm～30mm、长2cm～50cm的发光装置。
也可使用柔性塑料材料作为基片74，其中基片74可计成箔片。在此情形下，可将由铜制成的印制线路或由在硬化后为柔性的金属颗粒塑料漆制成的印制线路施加/涂覆到柔性的基片74上，其中该印制线路与半导体结构12的电接触利用上述方法达成。
当将一柔性箔片用作基片74时，可制造一好几米(长)的、例如1cm宽和仅0.1mm～0.2mm厚的带子，该带子设有铜印制线路。为此将单个半导体结构12粘到该箔片上，然后如上所述地电接触。
在这种带子中，可将10,000～100,000个发光芯片串联或并联连接，其中该“无端”带可根据要求裁切成任意长度的段件。为了由一切截出来的带段形成一发光单元，只须给各个位于外面的半导体构件12的对应的接触区域配备用于电压源的连接部即可。
图12中示出一由一载体基片32及多个构建在其上的半导体结构12构成的晶片88。利用上述方法在载体基片32上将每两个半导体结构12互相电连接。
布置在一2×2矩阵中的一些半导体结构12已作为单元从晶片88中切出，这点在半导体结构12的布置中的空缺部90可看出。
在两个互相电连接的半导体结构12之间可各看到一连接印制线路34，其以黑色虚线表示。
在图13及图14的实施例中，功能相同的部件(它们已参照前面的附图说明过)用相同的附图标记表示且不赘述。
和已经说明过的附图的主要不同在于：半导体结构利用掺杂物的扩散进去而产生，因此完成了的晶片具有一平坦表面。因此印制线路24、28也可位于一共同平面中，而印制线路34可很好地平行于晶片表面延伸。在其下方的绝缘层37的末端不造成在丝网印刷中可很好地被遮盖的台阶部。
对于由于制造程序而在晶片表面带有一氧化层的许多半导体结构，也可省却单独用丝网印刷施加/涂覆的绝缘层，因此印制线路34可完全无台阶部地被施加/涂覆。
但如上所述，半导体结构的在图1～图12中所示的廓形，在垂直于其平面的方向上是大大夸大的，因此实际上只会得到非常小的台阶部，在丝网印刷中产生的印制线路可在这些台阶部上延伸过。
如图13及14中虚线所示，半导体结构的相邻的排也可通过以每隔例如3、6或12列印制线路34的较大间隔设置的横向的印制线路34t进行连接，并在印制线路34t中央切割晶片。如此得到一些场，它们具有例如由3、6或12个串联连接的半导体结构组成的排。视切断方式而定，沿着平行于印制线路34的方向得到完成了布线的矩阵，所述矩阵例如具有3×1、3×2、3×3......或6×1、6×2、6×3......或12×1、12×2、12×3......个发光的半导体结构，只还需为所述矩阵建立与传输电压的导线之间的连接。
在沿横向穿过的印制线路34t下面，当晶片的半导体基材的电绝缘不充分时，可在与印制线路34的交叉点上设有中断的绝缘层37t，如虚线所示。
要在大批量制造中将这样分离的发光芯片矩阵施加到一印刷电路板上，同样可使用由丝网印刷产生的印制线路，如上文对于半导体结构12的连接所述的。这些连接导线于是从印制线路34t延伸到印刷电路板的连接部印制线路。

Claims (36)

1.一半导体结构(12)与一另外的结构之间的一种电连接结构，具有一属于该半导体结构(12)的第一连接部(24)、一属于该另外的结构的第二连接部(28)、及一由导电材料制成的连接线路(34)，该连接线路由所述第一连接部(24)延伸到所述第二连接部(28)，其特征在于：
该第一连接部(24)与第二连接部(28)设计成平坦的接触区域，该连接线路(34)由一导电的塑料材料膜形成，该塑料材料膜至少部分地以材料融合的方式覆盖所述两个接触区域。
2.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述接触区域(24、28)的面积至少为2mm2，优选为3～10mm2。
3.根据权利要求1或2所述的电连接结构，其特征在于，所述塑料材料膜的厚度为约20μm～约200μm，优选为约40μm～约100μm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述塑料材料膜(34)包含由细小的导电颗粒构成的充填料，所述导电颗粒被加工到一塑料母材中。
5.根据权利要求4所述的电连接结构，其特征在于，所述颗粒的大小为10μm～100μm，优选为20μm～50μm。
6.根据权利要求4或5所述的电连接结构，其特征在于，所述塑料母材是导电的。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述塑料材料膜是弹性的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述塑料材料膜具有下述性质中的至少一个：弹性、可塑性、对低至-40℃的低温的耐抗性、对高至200℃的高温的耐抗性。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述塑料材料膜包含以下组中的至少一种材料：天然弹性体、合成弹性体、环氧树脂、丙烯酸酯、聚氨酯。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的电连接结构，其特征在于，在所述连接部(24、28)之间设一绝缘的底衬(37)，该底衬的上侧形成所述连接部(24、28)之间的无急遽变化的、优选平滑的连接。
11.一种用于制造一半导体结构的至少一个接触区域与至少一个另外的结构的至少一个接触区域之间的电连接结构的方法，其中该半导体结构优选为在施加有电压时发出电磁辐射的半导体结构，其特征在于具有以下步骤：
a)将该半导体结构及所述另外的结构布置成互相成预定的固定空间关系；
b)将一粘性的、糊状或粉末状的印制线路材料施加到一印制线路区域上，该印制线路区域至少部分地与半导体结构的接触区域和另外的结构的接触区域重达，其中该印制线路材料是可导电的或能通过一后处理变成导电状态；
c)对所述施加到多个半导体结构的布置上的印制线路材料进行后处理，以形成一连续的、导电的印制线路。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述印制线路材料包含一可硬化的材料，而所述后处理为硬化，和/或所述印制线路材料包含一可熔化的材料，而所述后处理为热处理。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将双组分塑料材料，特别是双组分粘接剂用作粘性的、可硬化的材料。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述印制线路材料包含一导电性好的金属的细小颗粒，所述颗粒优选均匀地分布在所述可硬化的材料中和优选包含金、铜和/或银的颗粒。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其特征在于，所述粘性的、可硬化的材料选自由环氧树脂、丙烯酸酯、聚氨酯组成的组。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤b)之前，在包含至少一部分印制线路区域的区域中，将一由电绝缘的、粘性的、糊状或粉末状的底层材料制成的底层施加到所述半导体结构和/或所述另外的结构上，该底层材料能利用一后处理变成一连续的层。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述底层材料包含一可硬化的材料，而所述后处理为硬化，和/或所述底层材料包含一可熔化的材料而所述后处理为热处理。
18.根据权利要求16或17所述的方法，其特征在于，所施加的底层的后处理在施加所述印制线路材料之前进行。
19.根据权利要求11至18中任一项所述的方法，其特征在于，在实施步骤b)之前或在步骤b)之后或在步骤c)之后将一粘性的、糊状或粉末状的密封材料施加到所述半导体结构的布置上，该密封材料可利用一后处理变成一连续的层，其中使所述接触区域保持露出。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，该密封材料包含一可硬化的材料而所述后处理为硬化，和/或该密封材料包含一可熔化的材料而该后处理为热处理。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，将漆用作所述密封材料。
22.根据权利要求19至21中任一项所述的方法，其特征在于，使用一在硬化状态下为透明的密封材料。
23.根据权利要求11至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述印制线路材料和/或底层材料和/或密封材料利用至少一种印刷掩模或一印模进行施加。
24.根据权利要求11至23中任一项所述的方法，其特征在于，所述另外的结构中的一个为一支承板，所述半导体结构在该支承板上布置在预定位置处。
25.根据权利要求11至24中任一项所述的方法，其特征在于，所述另外的结构中的一个为另一半导体结构，所述半导体结构在一支承板上布置在预定位置处。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，使用一支承板，该支承板在位于不同半导体结构的接触区域之间的区域中在实施步骤b)前配备有绝缘的底衬。
27.根据权利要求11至26中任一项所述的方法，其特征在于，在晶片上对于位于那里的半导体结构共同地实施所述步骤b)和c)，将该半导体结构或半导体结构组从晶片中分离的作业在步骤b)后、优选在步骤c)后进行。
28.一种发光单元，具有多个发光的半导体结构(12)，该半导体结构具有至少一个连接区域(24、28)并设置在一载体基片(32)上，其特征在于：使用权利要求1至9中任一项所述的电连接结构将一半导体结构(12)与所述载体基片(32)或另一半导体结构(12)电连接。
29.根据权利要求28所述的发光单元，其特征在于，所述半导体结构(12)在相对侧上分别具有一第一连接区域以输入电流和一第二连接区域以输出电流。
30.根据权利要求29所述的发光单元，其特征在于，所述半导体结构(12)平坦地与所述载体基片(32)连接。
31.根据权利要求29或30所述的发光单元，其特征在于，所述载体基片(32)包含一玻璃材料或一结晶材料。
32.根据权利要求31所述的发光单元，其特征在于，所述载体基片(32)包含一Al2O3材料。
33.根据权利要求28至32中任一项所述的发光单元，其特征在于，所述半导体结构(12)设在发光单元的一内腔(56)中，其中该内腔(56)用一种导热绝缘液体(68)如硅油填充。
34.根据权利要求28至33中任一项所述的发光单元，其特征在于，所述半导体结构(12)至少局部地被大致均匀分布的荧光材料颗粒(70)包围，该荧光材料颗粒吸收由所述半导体结构(12)发出的辐射并至少将一部分转变成互补的辐射。
35.根据权利要求34所述的发光单元，其特征在于，所述荧光材料颗粒(70)分布在所述液体(68)中。
36.根据权利要求28至35中任一项所述的发光单元，其特征在于，一半导体结构(12)或一半导体结构组的边缘连接区域(24、28)的尺寸比通过一内部连接部(34)连接的连接区域(24、28)的尺寸大。
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