TW200835943A - Reflective optical element for EUV lithography devices - Google Patents

Description

200835943 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本=明係有關一種用於極端紫外線卿取軟X射線波 ^ =作波長’特則於卿_裝置的反射光學元 ^ 有夕層系統，由操作波長下具有折射率之不同實 刀的至少兩交替物質製成。

以/再者，本發明係有關一種特別用於EUV蝕刻裝置的投 〜系、、先1¾明系統，具有至少—反射光學元件，及一種具 有至少一反射光學元件的EUV蝕刻裝置。 【先前技術】 “如光罩或多層鏡的EUV及軟X射線波長範圍（如約1奈 米及20奈米之間波長）的反射光學元件，係特別用於半導 體組件蝕刻。因為EUV蝕刻裝置通常具有多反射光學元 件，其必須具有最可能反射率來確保充分高總反射率。因 為多反射光學元件通常排序位於EUV蝕刻裝置中，所以即 使各反射光學元件處的小反射損失亦對總反射率有較大影 響。EUV及軟X射線波長範圍反射光學元件通常具有多層 系統。這些為波長下具有折射率之較高實部分的物質（亦稱 為隔襯）’及波長下具有折射率之較低實部分的物質（亦稱 為吸收物）的交替塗敷層，形成一堆疊的吸收物_隔襯。係 以特定方式模擬水晶，其晶袼平面對應產生Bragg反射之 吸收物層。各層及重複堆疊厚度可視達成的反射輪廓而為 固定或亦隨整個多層系統而不同。 確保EUV蝕刻裝置中之最可能總反射率的一方法，係” 6 200835943 為反射光學元件提供一保護層，其可包含一或更多層來保 護該反射光學元件不受污染。该反射光學元件的服務壽命 因此被延長，而降低隨時間的反射率損失。

另一方法包含以另外或多或少吸收劑物質補充由吸收 物及隔襯製成的基本結構，以增加特定操作波長下的最可 能反射率。針對此，許多堆疊中，吸收物及/或隔襯物質可 彼此交換，或可以吸收物及/或隔襯物質建構一個以上該堆 疊。吸收物及隔襯物質厚度係為固定或亦隨所有堆疊而不 同以最佳化該反射率。實務上，具有複雜物質序列之反射 光學元件不能達成較高反射率預期程度。 【發明内容】 本發明目的係提供一反射光學元件，可於其操作 提供最可能反射率。 ；長下 此目的可藉由軟X射線及EUV波長範圍之操 特別用於EUV蝕刻裝置的反射光學元件來達成，其=長， 多層系統，由操作波長下具有折射率之不同實部八/、有 兩父替系統製成，特定另外物質的兩附加層各鄰为至夕 替物質至少其中之―，特別該兩交替物 ：該兩交 區上。 王3 —過渡 本目的特別藉由對應反射元件達成，其中另# 附加層放置於兩交替物質之間至少一過渡區上，=第- 層之反射率相”，可增加操作波長最大反1附加 當作鄰接層卞’放置可 _ 間屏敝之另外物質第二附加層。 具有該第一及第三附加層之此多層系統基本結 Q攝’係以 200835943 可增加與該彡層祕基本物f，⑽ ::射率之許多物質的發現為基礎，使非預期 形成’-方面因其在操作波長處之反射率而具有反: =應’另-方面導致介面電磁波之相位角改變，及因吸 之时面的”改變崎低操作波長處的反 ^率。特別在丽及軟Χ射線波長範圍中， 作吸收物層，而經當盥今屬6 人Ρ 興丨了W 口田 芦。葬^ 的非金屬係適合當作隔襯 防止該増強反射中間層及該鄰接隔襯 =料之吸收物層之間化學反歧/或擴散的兩中 亦即增強反射中間層及—中間層，係可增加由吸收 錢物質製成的真實反射光學元件啟動多層系統的反 別較顯降低第—中間層之反射率增益的物質，係特 常“::間層，產生額外反射率增益的物質係非 於别11由對應反射元件進一步達成此目的，其中分別 分：：：折射率較低實部分之物質至具有折射率較高實部 具貝"的過渡區，及從具有折射率較高實部分之物質至 /已發Γ射率較低實部分之物f的過渡區選擇該兩附加層。 的=έ見不同過渡區下具有不同附加層，係導致操作波長下 ' I终多層系統較高反射率。 多層系統於操作時接受EUV或軟χ射線輻射之該侧上 i系有:保護層的反射光學元件中，另一物質之第一附加層 ^ A也放置於多層糸統及保護塗層之間的過渡區上，其 σ “、、該附加層之反射率增加該操作波長下的最大反射 8 200835943 層。^可田作鄰接層之間屏障的另_物質的第二附加 ,^^此目的係藉由特別用於EUV餘刻事置，呈右 Γ==::-投影系統，特別—1裝 少-該反射光學^件^先學元件的一照明系統，及具有至 亢予兀件的—EUV蝕刻裝置 圍係發現具優勢實施例。。 用於EUV:::;用::UV及軟X射線波長範圍，特別 1例。第la®簡單•亍^光罩或鏡子的—反射光學元件 係使用具有不同複:折;=2的較高階結構姻 製造多層系統2。再者 不同物質連續塗敷基板3來 影響，係額外施加伴1届，了保護不受到如污染物的外部 可包含針夂锸、…九 至多層系統2。保嘍声4太身 T。3對各種_ 保差層4本身 縮與多層系統2的化學交互kl±的後數不同物質層，壓 光學適應，如儘量不作用’及確保對多層系統2的 學特性。 答如反射光學元件1之反射率的光 多層系統2本質上包人、— 顯示其結構。因複數重複m重後堆疊2〇，第lb圖概要 的堆疊20基本層，係為由^ 0而特別於操作波長處反射 稱吸收物層22,及由具有二折射率較低實部分製成的俗 襯層2卜因此’以吸收物層高實部分製成的俗稱隔 式模擬水晶，其具有特定“層内之晶袼面的方 "疋被此的一距離，且 9 200835943 產生入射EUV反射及/或敕χ射線輻射。以特定操作波長 下於各吸收物層22處反射之輻射建構性重疊，達成反射光 學元件最大反射率的方式來選擇該層厚度。第lb圖說明的 本例中，一旦提供隔襯層21及吸收物層22，為了增加基 本反射率的最大反射率，也就是理論上增加堆疊20之最大 可能反射率，係於隔襯層21上之吸收物層22之間介面及 吸收物層22上之隔襯層21之間介面處提供第一中間層 23a，b。亦提供可當作第一中間層23a，b之間屏障，及鄰 接隔襯層21抵擋化學交互作用或擴散之屏障的第二中間 層 24a，b 〇 應注意，亦可僅於吸收物層22及隔襯層21之間或隔襯 層21及吸收物層22之間兩介面之一處，提供該兩中間層 23a，b。如第lc圖概要顯示，亦可於第一中間層23a，b 兩側上提供兩第二中間層24a，b，以壓縮與隔襯層21及 吸收物層22的化學交互作用及/或擴散。視物質選擇而定， 僅需於吸收物層22上提供第二中間層24a，b。如第ld圖 概要顯示，係可進一步交替讓第一中間層於吸收物層上及 弟一中間層於隔襯層上，反之亦然，因此可視伙吸收物至 隔概或從隔槪至吸收物層的過渡區而疋’反向5亥兩附加層 的順序。特別是，亦可視該中間層放置於吸收物層22或隔 襯層21之間或隔襯層21或吸收物層22之間，分別產生不 同中間層23a及23b或24a及24b，來選擇用於該中間層的 不同物質。針對各類型中間層，特別是兩個以上吸收物層 及/或隔襯層的堆疊中，係可選If兩一個以上不同物質。較佳 200835943 是，視從吸收物至隔襯或從p 定，該中間層具有不同厚度。阳’至吸收物層的過渡區而 第圖詳細顯示多層系綠及 本例中係為最上吸收物層Μ" A層之間的過渡區， 述，該保護層可由一物質製成及。保護層4的過渡區。如上 四或更多層組成。例如，簡單戈#或=複數，也就是二，三， 碳化鉬，氮化硼，氮化矽，碳裝：護層4係為碳化硼，

氮化欽，銅金合金，錦，右 一皮氣化秒，銳， 示 Γ，鍺，銥，金，釦，k 釤，氧化鋁，鉀，铪，翁彳a 鉬，蛾，

h 化 鼠化鈉，氟化鋰，iUhM 氟化鑭’非晶硼’釔’鈮，氧化鍺，氧化釕，鈽或=， 本例中，用於增加反射率的第一中間層23，及當^屏^且 特定情況下亦可增加反射率的第二中間層24，係放置二 上及收物層22及保護層4之間。笫1 e圖顯示例中，^ 中間層23係放置於最上吸收物層22及第二中間層之 間。若需要，第二中間層24亦玎放置於保護層4及第一中 間層23之間，及第一中間層23雨侧上。再者，該多層系 統亦以隔襯層取代吸收物層做終土。接著，亦可以上述方 式於過渡區處提供第一及第二中間層至該保護層以增加反 射率。中間層23，24及保護層4的尺寸表示中，係有利地 於約1奈米及約10奈米之間範圍選擇保護層4的總厚度， 而於約0.2奈米及約10奈米之間範圍選擇第一及第二中間 層23，24的總厚度。對保護層4之過渡區處的第一及第二 中間層23，24物質，係與吸收物及隔襯層22，21之間的 第一及第二中間層23a，b，24 a，匕著相同，或亦可不同。 200835943 可於轉換至該保護層之I、渡區處或多層系統内’或轉換 至該保護層之該過渡區處及多層系_提供 間層。

通常用於EUV及軟X射線波長範圍中，具有當作吸收 物之元素19及當餘襯切輯疊為基礎進—步解釋 例。以下說明亦同樣被轉換至用於Euv及軟χ射線波長範 圍的其他適當多層系統’如鉬/鈹，碳化錮/石夕，或舒/石夕。 其亦可被轉換至㈣^上物質製成之交替層為基礎的多 層系統。再者，應注意’具有堆疊内各層固定及不同厚度 比率的多層系統亦可使用至少兩中間層。 又 首先，將更詳細，録上㈣介面。第2a圖顯示石夕上 第一中間層，也就是反射率增強層之若干可能物質反射率 的厚度相依，第圖顯示石夕上第二中間層，也就是屏蔽層 之若干可能物質反射率的厚度相依。 對應真實鉬/矽多層系統的實線係可當作一比較测量。 大約以Μοβ〗3説明且通常具有8埃，也就是〇·8奈米厚度 的一混合層，係玎藉由真霄鉬7矽多層系統中之鉬及矽層之 間介面處擴散而形成。此混合層可降低剛好70%至約69〇/〇 的最大反射率。相對地，首先添加由釕，鍺，碳化鉬及矽 化釕製成之中間層的反射率影響，係被研究為該層厚度的 函數。如第2a圖顯示，由於厚度增加，由碳化鉬及矽化釕 製成之中間層的反射率下降，但並非與由矽化鉬製成之真 正成形中間層一樣強。有了鍺’厚度達到約6埃時，可看 到反射率些微增加，但更高厚度時，該反射率下降的更多。 12 200835943 有了釕，可看到令人驚訝的效應，達厚度8埃時，該反射 率增加至70%以上，然後維持固定達至少1〇埃。因為所有 在此顯示物質會導致純鉬-矽多層系統的真實反射率增 益，所以其基本上適合當作第一中間層物質。釕特別較佳 當作第一中間層物質。 & 相當地’第2b圖顯示適用於第二中間層物質。這些為 所有已知對矽相對化學惰性，且亦當作擴散屏蔽的碳化

硼’非晶碳及氮化矽。其反射率效應中之所有厚度差異不 明顯’且均產生正常鋼_石夕多層系統可接受反射率降低。應 注意’石厌化矽亦適合當做介面矽上鉬處的第二中間層物 質。可與對第2b圖顯示之物質碳化硼，非晶碳及氮化矽的 反射率效應比較。 針對介面鉬上矽，發現與介面矽上鉬不同之物質本身暗 示反射率增加。特別是研究H㈣銳及魏纪對^ 面顧上發處之最大反射率的影響。第3a圖顯示該結果。所 f四物f首先顯*達最大70%或更多之反射率增加，而接 Ϊ反：ί下降。矽化釔最大值係為4 鈮及矽化鈮約6 7:%:因Γ :埃之前短少。1〇埃處之最大反射率亦大於 匕，釔特別較佳當作第一中間層物質。 广研究碳化硼，非晶碳及氮 第 質。相對於矽上钼入二丄， 7田作弟—中間層物 係對鋇上石夕八U 碳及氮化石夕製成的中間層， (見第扑圖二^非常^厚度的反射率有非常負面影響 ，層系統—所有研J ^ 、加具有真正_層之鉬/石夕多 研4度的反射率。因此’魏顯佳當作至 13 200835943 h面鉬上矽的第二中間層物質。 更精確觀察增加無中間声、夕 線波長_巾之操作波長,日/ ?钱在EUV及軟X射 物質特性時，吾人可特=、夕層錢最大相對反射率的 具有-混合層變b此對不僅增加真實 石夕多層系統的反射率（對應第2、反射率，亦增加理論錮/ 中間層物質特別為真。〜a’b’3a’fc處之反射率）的 第、交異中，第—附加層23a，h 反射率增強層，係具有摔m 少物質，也就是 有折射率較高實部份之交替物射率實部份值大於具 射率較低實部份之交替物質對=應值’或小於具有钟 夕《糸統的觀察例中，舒係 、。例如，在此銷/石夕 以下的第―附加層23a物質，二：-石夕層以上及-銷層 ，皮長下之折射率實部份(亦見r其:有明顯低於銦之操 厚度’將確保其不致被選擇過了選擇第一附加層 弟—附加層之額外^反射率增益效應係因該 特別重要。 对年向虛部份的物質（亦見表1) 折射以層之至少輸 ，傾向心;間”射率。 了猎由各層邊界及介面處之折比。⑽，其改變 駐波H其折射率虛部===層系統幸畐射的電場 决疋之特定物質，該駐波場具 14 200835943 有主要受到個別吸收層之各層強度全體分佈影經_ 人，亥附加層，該強度分佈改變，而產生該駐:错由併 ί收1為特殊例，係藉由操作波長下之折 ，間的物質所製成的附加Πΐ =由折射率相對高虛部份，也就是較高吸收：Μ攻 域，破轉換進入由折射率相 衣成之區 I成之£域的方式來轉換極端位置 2 應注意’因為駐波場過大或過小=2 適:严产r:=射率，所以將再確認每個多層系統用於 週田知度乾圍的附加層通者斥 例中，純及鈮特別適合;：=二此說_/係多層系統 附加層物質。 田作鉬層以上及矽層以下的第- 低二:成;:::中間層’也就是屏蔽層的物質，通常顯示 ===中為第—中間層及隔襯及/或吸收 們通常亥鄰接物質的低擴散率。此外，他 的趨勢。較佳：，、::=模:相對如封__ic層之： 質係於操作波長下具有:當弟^ 本例所述第一或第 層 渡-保護層的對應中間層。 中間層厚度較佳小於可卷 射光學元件基本特性，特別田3 ^隔襯及吸收物層且界疋反 成的層。該附加層厚度較;"眾作波長範圍之交替物質製 200835943

例如’針對13.5奈米操作波長，係製造具有纪當作鉬 上矽w面處之第一中間層23a，及當作朝向矽層21之第二 中間層24a的碳化硼，及當作矽上鉬介面處之第一中間層 23b之釕，及再當作朝向該矽層之第二中間層24b的碳化 ’係藉由電子|汽相沉積施力σ所有層。姜目的各層厚度約 2·8奈米’釔為〇·6奈米，兩碳化硼層為0.2奈米，矽為4.2 奈米，釕為0.8奈米。堆疊2〇包含此重複15次。13·5奈 米操作波長係產生些微超過？1%之實際可達成最大反射率 百刀比。與不需依據本發明之中間層而藉由可比擬鉬_矽多 層系統實際達成之69%相比，此意指增加2%以上。 針對另-例，製造不僅藉由電子束汽相沉積，並藉由磁 控機鍍塗敷碳化硼中間制上述反射光學元件。亦於此例 中’ 13·5奈米操作波長係產生些微超過71%最大反射率百 此外，製造再次藉由電子束汽相沉㈣敷所有各声的另 一反射光學元件。在此，政取代鈮當作用於纟目上ς 處的第一中間層物質。此反射光學元件可於13 5太一 成約71%最大反射率百分比。 、·不米處達 除了其實際高達成反射率之外，依據本發明的 讀另具有進-步優點，其多層系統結構亦特 = 間層而維持穩定一段較長使用時間。此係因該# 一弟—中 亦在連續以EUV或軟射線輻射的熱應力下，μ弟一中間層 們的該層交互擴散。即使於連續操作中亦可防止與鄰接它 處的最大反射率。·此.可製造依據本發明牲、，持知作波長 、別適用於EUv蝕 16 200835943 刻裝置的該反射光學元件，例如可於 鏡元件或林元件。 、心置使用其當作 束整概要說明__裝置100。基本部件係為杏 制’、、、’ 11 〇 ’照明系統〗20，光罩130及投影系統、 ^ πΓ：^；0 中。此外，夢0助奈f波長範圍的激發㈣捆束於準直儀m

操作波長。器1L3，：藉由改變入射角濾、出預期 圍中的反射光^株及早色$ 113通常#作所述波長範 當作阜#/Μ件。例如，使用依據本發明之反射元件 統110中義U2或單色器113，係特別適用於光束整形系 杜A 此係因在此之熱應力特別南，所以藉由以下部 鬲反射率提供最大E U V輻射係特別重要。 、。接著將光束整形系統110中的波長及空間分佈所準備 ;喿作光束引進照明系統120中。第4圖顯示例中，照明 系、先12〇係具有兩鏡121，122，其均具有如上述第一及第 —中間層的多層系統。應注意，照明系統120亦僅具有一 或二’四’五或更多鏡，其可全部或部分具有如上述第一 及弟二中間層的多層系統。 鏡121，122引導光束至光罩130，其具有將被映射至 晶圓150的結構。光罩130亦為用於EUV及軟X射線波長 範圍，具有第一及第二中間層的多層系統的反射光學元件。 藉助投影系統140,光罩130所反射之光束係投射至晶 圓150上，而光罩130結構係映射其上。說明例中，投影 系統140具有兩鏡141，142，具有第一及第二中間層的多 17 200835943 層系統。應注意，投影系統140亦可具有一或三，四，五 或更多鏡，其一或更多鏡具有第一及第二中間層的多層系 參考數字 1 反射光學元件 2 多層系統 3 基板

4 保護層 20 定期重複層堆疊 21 具有低吸收係數的物質 22 具有高吸收係數的物質 23,23a，b用於增加反射率的第一中間層 24,24a，b當作擴散屏蔽的第二中間層 100 EUV蝕刻裝置 110 光束整形系統 111 光源 112 準直儀 113 單色器 120 照明系統 121，122 鏡 130 光罩 140 投影系統 141，142 鏡 150 晶圓 ，一 一 18 200835943 R 最大反射率 d 厚度 表1 13.5奈米波長處的折射率

名稱 Mo Mo2C Ru Rh Ru2Si Si Y Nb Nb4Si Y5Si3 B4C C Si3Ni4 Mo7Si 實部分 0,923793525 0,917767145 0,886360034 0,875048831 0,899574861 0,999002305 0,973729959 0,933749691 0,938146889 0,977611721 0,963771485 0,961573470 0,973136209 0,926676892 虛部分 0,006435425 0,007945986 0,017064894 0,031177852 0,016169887 0,001826494 0,002281516 0,005195933 0,005302884 0,002474689 0,005145842 0,006905315 0,009317771 0,006498690 19 200835943 【圖式簡單說明】 將參考較佳實施例更詳細解釋本發明。 第la圖顯示一反射光學元件概要說明； 第lb圖顯示該反射光學元件概要詳細說明； 第lc圖顯示該反射光學元件第三實施例概要詳細說 明； 第Id圖顯示該反射光學元件另一實施例概要詳細說 φ 明； 第le圖顯示該反射光學元件另一概要詳細說明； 第2 a圖顯示對當作矽上第一附加層的不同物質最大反 射率影響； 第2b圖顯示對當作矽上第二附加層的不同物質最大反 射率影響； 第3 a圖顯示對當作鉬上第一附加層的不同物質最大反 射率影響； • 第3b圖顯示對當作鉬上第二附加層的不同物質最大反 射率影響；及 第4圖顯示一 EUV蝕刻裝置概要說明。 20 200835943

【主要元件符號說明】 1 反射光學元件 2 多層系統 3 基板 4 保護層 20 定期重複層堆疊 21 具有低吸收係數的物質 22 具有高吸收係數的物質 23,23a，b 用於增加反射率的第一中間層 24,24a，b 當作擴散屏蔽的第二中間層 100 EUV蝕刻裝置 110 光束整形系統 111 光源 112 準直儀 113 單色器 120 照明系統 121/122 鏡 130 光罩 140 投影系統 141,142 鏡 150 晶圓 R 最大反射率 d 厚度 21

Claims (1)

1. 200835943 十、申請專利範圍： 1 · 一種反射光學开枝 波長範圍中的一y ’用於軟x射線及極端紫外線(EUV) 具有由至少d波長，4寺別用於一 euv餘刻裝置，其 物質在該操作波長=夕層系、“至少兩父替 食下其折射率具有不同實部分，其中一特 另外物質的兩附力展 (21 , ZT 5 ，b ^ 24，

   =貝（21 ’22)的至少其中之一，且其中從其折射率且 分之部分之該物質(22)至其折射率具有—較高實部 以^質（21)的一過渡區處選擇該兩附加層（23a，b， 复叫’係與從其折射率具有-較高實部分之該物質(21)至 ’、折射率具有—較低實部分之該物質(22)的-過渡區處者 不同。 2·如申請專利範圍第1項所述的反射光學元件，其中從 jlJL ^ > I 一折射率具有一較低實部分之該物質（22)至其折射率具有 —較高實部分之該物質（21)的一過渡區處選擇該兩附加層 〇3a，b ’ 24a，b)的順序，係與從其折射率具有一較高實部分 之该物質（21)至其折射率具有一較低實部分之該物質（22) 的一過渡區處者不同。 3·如申請專利範圍第1或2項所述的反射光學元件，其 中從其折射率具有一較低實部分之該物質（22)至其折射率 具有一較高實部分之該物質（21)的^過渡區處選擇該兩附 加層（23a，b，24a，b)至少其中之一的物質，係與從其折射率 具有一較高實部分之該物質（21)裘其折射率具有一較低實 部分之該物質（22)的一過渡區處|不同。 22 200835943 I糾T唷寻利範圍第▲厂且 元件，其中一另外物質的— 、/、中之r/T述的反射光學 兩交替物質(21，22)之間至少—附加層(23a，b)係放置於該 的反射率相較下，可妗加=過渡區上，與無該附加層 JL ^ 44 ^ ^桑作波長下的該多屬糸絲AA 取大反射率，及放置當作該 /糸冼(2)的 物質的-第二附加層(24a，b)。 屏敝的另-另外 5·—種反射光學元件，

   波長範圍巾的-彳幡0 射、核極^紫外線(_) 且古士石κ 乍波長，特別用於一 EUV蝕刻裝置，复 ^兩父替物質製成的一多層系、统，該至少兩六二 物質在該操作波長下其折射率具料同實部分，复中= 定另外物質的兩附加層（23，2 ，24，24a鄰= ，的至少其中之一，且其中— 第附加層（23，23a，b)係放置於該兩交替物質（21，22) 之間的至少一過渡區上，與無該附加層的反射率相較下， 可增加該操作波長下的最大反射率，及放置當作該鄰接層 之間一屏蔽的另一另外物質的〆第二附加層（24,24a，b)。 6·如申请專利範圍第5項所述的反射光學元件，其中該 第一附加層（23a，b)係由從其折射率具有一較低實部分之該 物質（22)至其折射率具有二較高實部分之該物質（21)的一 過渡區處，與從其折射率具有〆較高實部分之該物質（21) 至其折射率具有一較低實部分之該物質（22)的一過渡區處 者一不同的物質製成。 7·如申请專利範圍第1至6頊其中之一所述的反射光學 元件，——保護塗層係施加至該多層系統，其中一另外物質 23 200835943 的-第-附加層⑼係放置衫層系統(2)及保護塗 :力：^，下，可增加該操_下 的取大反料，及放置可當作該鄰接層之間—屏蔽的另一 另外物質的一第二附加層（24)。 咖第1至7項其中之-所述的反射光學 :件’其二附加層(24，24_錄質與無該附加 錢該反科相較Τ，亦可產生該操作波長下的一較高的 最大反射率。 _ 9.如=專利範圍$1至8項其中之―所述的反射光學 =件’其中至少該第—附加層的該物質具有一折射 率’其於賴作波長下崎射率實部分的值，係大於具有 该較面折射率實部分的該交替物f(2i)的對應值，或小於 具有該較低折射率實部分的該交替物質(22)的對應值。 J0.如申請專利範圍第1至8項其中之一所述的反射光 I:件!其5至少該第一附加層(23a，b)的該物質具有-拆 _ ^八於4麵作波長下該折射率實部分的值，係介於該 父替物質（21，22)的對應值之間。 風_11.如中請專利範圍第！至ι〇項其中之一所述的反射光 制：：該附加層(23杣’的厚度⑷小於由該交 物貝衣成的該層(21 ’22)的厚度。 】2·如申请專利範園第1至11項其中之一的反射光學元 抑ί、、1該附加層（23，23a，b，24，24㈣的該鼻度(d)小於 A I ! C四分之―，特別小於該操作波長的八分之：。 • 〇申請專利範圍第I至〗2項其中之一戶斤述的反$光 24 200835943 學元件，其中於該操作波長下其折射率具有〆軾低實部分 的該物質（22)係為鉬，而於該操作波長下其折射率具有一 較高實部分的該物質（21)係為矽。 14. 如申請專利範圍第〗至13項其中之一所述的反射光 學元件，其中該第一附加層（23，23a,b)具有選自釕，铑， 在乙及銳之群組的一物質。 15. 如申請專利範圍第1至14項其中之一所述的反射光 • 學兀件，其中該第二附加層（24，24a，b)具有碳化硼。 16. —種特別用於一 EUV蝕刻骏置的投影系統（12〇)，其 具有如申請專利範圍第1至15項所述的反射光學元件 (121，122)至少其中之一。 一種特別用於一 EUV蝕刻裴置的照明系統（14〇)，具 有如申請專利範圍第1至15項所述的反射光學元件(141， 142)至少其中之一。 I8.一種EUV蝕刻裝置（100)，具有如申請專利範圍第1 • 至15項所述的反射光學元件（121，122，141，142)至少其 中之一。 ^ 25