200832495 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一波長轉換結構，尤其關於一含有可用以將紫外 光，尤其是波長不大於280nm之紫外光（即UVc)轉換為可見光 之波長轉換塗層之結構，該塗層可於空氣存在情形下配合UVc光 源使用，轉換UVc波長至可見光波長。該波長轉換結構製作步驟 簡單，從而可以簡易手段提供一大面積之平面光源。本發明另關 於將該波長轉換結構應用於發光模組及背光模組中。 【先前技術】 大發光面積之平面光源為目前光源之發展趨勢，尤其大發光面 積之平面光源對於大面板液晶顯示器之背光模組更顯重要。目前 習知光源中，利用能量/波長轉換方式提供可見光波長之方式，包 括冷陰極管技術（cold cathode fluorescent lamp; CCFL)、外部電 極螢光管技術（external electrode fluorescent lamp ; EEFL)、發 光二極體技術（light emitting diode ; LED )、奈米碳管技術（carbon ^ nanotube ; CNT)、平面光源技術（Flat Fluorescent Lamp ; FFL) 以及有機發光二極體技術（organic light emitting display ; OLED) 於上述各式藉由能量/波長轉換以提供可見光波長之手段中， CCFL係於玻璃管内壁塗覆一層螢光體，並在螢光管内部封入少量 惰性氣體及汞蒸氣，汞蒸氣於電極放電過程中經電子衝擊而產生 紫外光，紫外光經由燈管壁上之螢光體轉換為可見光而釋出，以 提供可見光波長。CCFL具有製作技術成熟、成本與前揭技術相比 5 200832495 較低等優點，惟受限於螢光塗層需與發光源置於同一真空燈管 中，故有不易大型化、難以提供大面積波長轉換之限制。此外， 現有CCFL於試圖將燈管加長以提供較大發光面積時，尚有良率 低、成本大幅提高等缺點。 EEFL與CCFL之最大差異，在於將電極置於燈管外部，故可利 用同一轉換器驅動多根螢光燈管，因此，轉換器之成本較低、電 能利用效率較高。然，EEFL仍具有應用上之限制，例如當EEFL 燈源亮度不足時，若欲藉由提高燈管電壓以增加電流、提升輸出 亮度時，則會造成轉換器體積急劇上升，散熱效果變差。此外， 如同CCFL，EEFL亦具有無法提供較大發光面積之缺點。 LED係一由半導體材料所製成之發光元件，以III-V族化學元素 (如：磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等）為材料，透過對化合物半 導體施加電流，經由電子與電洞的結合而以光的形式釋出，達成 發光效果。LED具有體積小、壽命長、驅動電壓低、及反應速率 快等優點。然而，LED於製作上仍具有混色問題、製作成本高、 均一度低、散熱不佳、以及用電效率低等問題。 CNT係利用高電場將電子從尖端釋出，再利用高壓加速撞擊螢 光板而轉換成光波長能量，此技術雖具省電、無汞與低溫等優點， 但其製程較複雜、成本高、亮度穩定性不佳、且均勻度不佳。此 外，CNT之大型化製作技術仍在發展中。 FFL係利用惰性氣體放電時所產生的紫外光激發彩色螢光體粉 末後，再轉換成人眼可接受的可見光波長。FFL雖有不含汞、壽 命長與簡化光學設計等優點，但於現階段則仍存在製程困難、製 6 200832495 作成本較高、效率不佳及散熱問題等缺點。 至於0LED，則係利用一外加偏壓以驅動電洞/電子各自從正/負 極注入，其後於電場作用下，使電洞與電子相向移動、進行再妗 合而釋出光波長能量。0LED雖具厚度薄、亮度高、操作溫度範園 廣、低耗電、以及低驅動電壓等優點，但於現階段則仍存在大型 化困難、製作成本較高、效率不足、以及使用壽命短等缺點。 由上述說明可知，於現有之可見光光源中，若非製作技術未臻 P 成熟（如：LED、CNT、〇LED與FFL)，便具有因先天上製作限 制所致之無法大型化缺點（如CCFL與EEFL)，均無法滿足業界 以簡易、低成本手段提供大面積波長轉換之需求。 本發明即針對上述需求所為之研發成果，透過簡易手段， 合既有技術，而提供大面積之波長轉換方法。 【發明内容】 於本揭露中，所謂「UVc」係指波長不大於280 nm之紫外光， 例如200至280 nm之光、特別是250至260 nm之光，尤其是指 Ο 253.7 nm之光。所謂「UVB」係指波長介於280〜320nm之光，所 謂「UVA」係指波長介於320〜400nm之光。所謂「巨分子」 (Macfomei·)係指分子量大於looo之分子，包含募聚物 (Oligomer)及高分子（Polymer)。所謂『可受紫外光（或是UVc、 uvA或uvB)激發之螢光體』係指於接受紫外光（或是UVc、UVa、 或UVB)照射時，可吸收紫外光（或是uvc、UVA或UVB)且放 出可見光之材料。 本發明之一目的，在於提供一種波長轉換結構，其係包含： 7 200832495 一基材；以及 一波長轉換塗層，位於該基材上且包含： (a) —可受UVc激發之螢光體粉末；以及 (b) —抗UVc黏著劑， 其中該波長轉換塗層之厚度為螢光體粉末平均粒徑之2至10倍， 且該螢光體粉末於該波長轉換塗層之含量係符合以下至少一條 件： ⑴螢光體粉末於波長轉換塗層中之體積百分比為30%至85%(以 螢光體粉末與黏著劑之總體積為基準）；以及 (ii)螢光體粉末與黏著劑之重量比為1:1至20:1。 本發明波長轉換結構可搭配UVc光源，提供大面積之可見光平 面光源。該可見光光源更可運用於背光模組中，以簡易手段提供 大面積之顯示面板。 本發明之另一目的，在於提供一種製造波長轉換結構之方法， 其係包含： _ 提供一基材； 於該基材表面塗覆一漿料，其係置於一儲槽中且包含·· (a) —可受UVc激發之螢光體粉末； (b) —抗UVc黏著劑；以及 (c) 一有機溶劑， 其中，該螢光體粉末與該黏著劑之重量比為1:1至20:1 ;以及 乾燥該經塗覆之基材。 在參閱隨後描述之實施方式後，本發明所屬技術領域中具有通 8 200832495 常知識者當可輕易暸解本發明之基本精神及其他發明目的，以及 本發明所採用之技術手段與較佳實施態樣。 【實施方式】 為提供一大發光面積之平面光源，本發明人藉由一螢光體將紫 外光轉換成為可見光，特別是將含螢光體粉末之漿料直接塗佈於 一平面基材上形成一波長轉換結構。如此可使紫外光，尤其是UVc 波段，經由該波長轉換結構轉換成為可見光。亦即，使紫外光激 ^ 發螢光體粉末，並產生可見光。此一波長轉換結構可增進發光之 < 均勻度，且可視需要地提供所需之發光面積。 如前述，CCFL具有製作技術成熟、成本較低等優點，惟受限於 螢光塗層需與發光源置於同一真空燈管中，故有不易大型化、難 以提供大面積波長轉換之限制。詳細言之，CCFL係將螢光體漿料 溶液（係一由螢光粉、有機物、無機物及溶劑組合而成之組合物 成分）塗佈於玻璃管内部，其後再將該組合物中之有機物成份燒 結去除，於玻璃.管内壁形成一螢光層。再於玻璃管内灌入汞蒸氣， 之後封閉玻璃管，以電極方式激發汞蒸氣而釋出UVc，該UVc經 由玻璃壁上之螢光層而轉換成為可見光。 於上述傳統CCFL製法中，該螢光層之塗覆係以直立方式進行， 利用虹吸原理先將螢光體漿料吸至直立燈管上端，再藉由重力使 其由上而下塗覆於燈管内壁，其後燒結去除塗層中之有機物成 分，形成所欲之螢光層。前述塗覆方式，會因重力差而於燈管上 下端造成厚度不均一現象，此一不均勻現象，於燈管尺寸需求高 之情形（即，需要較長燈管的情形）尤其嚴重。 9 200832495 另’現有CCFL之結構係將螢光體燒結於玻璃管壁上，但仍難 以避免紫外光從螢光層之螢光體間隙中洩漏。以現有的之液晶顯 不器技術為例，CCFL之紫外光洩漏會影響擴散板、增亮膜等光學 材料之特性，造成該等材料的劣化。因此多數材料均需經過抗紫 外光塗層的處理，以增進其使用壽命。 針對上述問題，本發明人試圖將螢光體漿料直接塗佈於個別基 材上，而非玻璃管内壁，以燈管與螢光層分離之方式提供可見光 光源，免除CCFL螢光層厚度不一之問題，增進其發光均勻度， 且可視需要地k供所欲之發光面積。而且經研究發現，透過特殊 溶劑及黏著劑之使用，以及黏著劑與螢光體粉末含量之控制，所 形成之組合物漿料可於不需燒結製程之情形下，於基材上形成一 可將紫外光有效轉換為可見光之波長轉換塗層。該漿料可使用相 對簡易之塗佈方式（例如捲對捲（roll-to-roll)塗佈法）塗佈於基 材上以大幅增進其量產性。其他塗佈方式舉例言之（但不以此為 限），可採用浸塗法（dip coating )、刮刀式塗佈法（cornma coating)、 喷塗法（spraying coating )、旋轉式塗法（Spin coating )、擠壓塗 佈法（slot coating)、簾幕式塗佈法（curtain coating )、凹板塗模法 (gravure coating)、或繞線棒塗佈法。尤其，可視需要地，以任 何合宜之方式乾燥之。舉例言之（但不以此為限），可以自然揮 發方式、或輔以通氣及/或加熱之強制揮發方式（如：通以熱空氣） 來進行該乾燥。該處理塗層搭配基材之結合，可成為一簡單之波 長轉換塗層組合結構，可與現有背光源、燈源、固態照明（如led 及OLED )等應用結合而無須更改既有之結構設計，有其高應用性。 200832495 此外，該波長轉換塗層結構可有效免除傳統CCFX之螢光體粉 末劣化問題。於此，習知CCFL於放電過程中所產生之185nm* 曰使螢光體粉末產生吸收或放光頻譜（c〇l〇r center，亦稱「色心」 或「色中心」），導致新的吸收帶產生，使螢光體粉末的亮度降 低（前述現象可參見美國第6402987號專利之說明，該專利内容 併於此處以供參考）。其次，汞離子與電子於燈管壁處複合時會 釋放10.42 eV能量，該能量能破壞螢光體粉末之晶格，使亮度降 〇 低。再者，由於CCFL燈管中通常存在鈉離子，其會與CCFL·燈 ^放電時所產生之電子複合而形成納原子。該鈉原子將擴散進入 螢光體粉末晶粒，導致螢光體粉末性能之降低。因此，當將本波 長轉換結構應用於發光模組中時，由於波長轉換塗層係與uve光 源分離，此即，螢光體與UVc光源分離，故可有效免除傳統ccfl 將螢光體粉末與UVc光源置於同一燈管所致之前述問題。 八體而σ本發明可k供一波長轉換結構，其具體實施態樣可 如第1A圖例示說明，其中，〇、籲及❿分別代表不同顏色之螢光 I， 體私末。波長轉換結構1 係包含一基材1 〇21與一波長轉換塗層 1023。該塗層1023係位於該基材1〇2i上且包含一可受UVe激發 之螢光體粉末以及一抗UVc之黏著劑。其中，該轉換塗層1023 之厚度為螢光體粉末平均粒徑之2至10倍，且該螢光體粉末於該 波長轉換塗層1023之含量係符合以下至少一條件·· (i) 螢光體粉末於波長轉換塗層中之體積百分比為3〇%至 85% (以螢光體粉末與黏著劑之總體積為基準）；以及 (ii) 螢光體粉末與黏著劑之重量比為1:1至2〇:;1。 11 200832495 之可受UVc激發之螢光體粉
體粉末。 可於波長轉換塗層採用任何合宜 末。舉例言之（但不以此為限），号
轉換塗層中採用具抗UVc性質之黏著劑。 具體而言，以使用253.7nm波長之UVc光源為例，由於其光能 量約為113 kcal/mol，在不受理論限制之情形下，咸信若一巨分子 黏著劑之重複單元的化學結構中至少包含一鍵能大於113 kcal/mol之化學鍵，便足以抵抗UVc波段之能量，避免於激發過 程造成自身材料之劣化。於此，因碳氟鍵之鍵能為BZkcal/mo卜 故若採用253.7 nm之UVc光源，則可採用如下之含氟高分子為黏 著劑：聚四氟乙浠（polytetrafluoroethylene，PTFE)、聚偏二氟 乙烯（poly(vinylidene fluorde)，PVDF)、聚偏二氟乙烯-六氟丙 烯（poly(vinylidene fluoride-hexafluoropropylene)，PVDF-HFP )、 乙稀-四氟乙烯共聚物（ethylene-tetrafluoroethylene copolymer， ETFE )、氟化乙稀丙稀共聚物（fluorinated ethylene propylene copolymer，FEP )、全氟烧氧（perfluoroalkoxy，PFA )、氣橡膠 (fluoro-rubber )、氟彈性體（fluoro_elastomer)、非結晶型氟* 南 分子（amorphous fluoropolymers)、及其組合。亦可採用如下含 12 200832495 矽高分子：矽膠（silicon mbber)、聚矽氧烷（p〇iysil〇xane)及 其組合。其他如聚醯亞胺（polyimide，pi )、聚_颯 (ployethersulfone，PES)專南效能聚合物，亦可於採用uvc波 段之253.7nm波長之紫外光時，作為波長轉換塗層之黏著劑。較 佳者係採含碳氟鍵之巨分子為骑劑。料，其他具黏結功能 或可作為螢光體基質之無機或有機.無機混成化合物，如二氧化 石夕、二氧化鈦、二氧化錯等無機或溶膠凝膠材料（灿-㈣讀她） Ο 等’亦可搭配253.7nm&長之UVe而施料波長轉換塗芦中。 如前述，波長轉換塗層中之營光體粉末含量須符合以下條件： (1) 30%至85%體積百分比（以螢光 . 基準）及/或（2)螢光體粉末與黏著 此，當黏著劑含量越低’所提供勞央展里比為1:1至20:1。於 光體盥’、 9之螢光體彼此間、以及螢 八旦姑-一 附將越弱；相對地，當黏著劑 含里越兩，雖可提供較強之黏 UVC夕捣合脸加一 ^ , 1一落較面量黏著劑暴露於 WC之機a將越^長期❹下除造絲著劑之 易使得所提供波長㈣結構之發光 n b 宜之波長轉換塗層，較佳者係使波 从供 轉換塗層中含有符合以下條 件之登先體&末含$以形成類似沙 μ Φ#α 、馬之μ構（即，黏著劑於塗 層中係以4㈣式覆於螢光體粉末上 積百分比為50至70%之榮光體非為—連續相）：（1)體 重量比為25 .…广體及/或(2)螢光體粉末與黏著劑之 量比為t·;至:至i1。更佳者係使螢一 基於發光效率考量，營光體粉末之粒徑分佈㈣為 13 200832495 米，更佳為1至10微米。此外，可採用二或多種粒徑分佈區間之 螢光體粉末組合以增加其堆疊效率，增進所提供波長轉換塗層之 紫外光吸收效率與可見光發光效率。於此，僅需其一之粒徑在上 述範圍即可。舉例言之，可採用第一種粒徑分佈區間在丨至10微 米，且第二種粒徑分佈在i至1000奈米之螢光體粉末組合。 於波長轉換結構中，當轉換塗層之厚度過高，將阻擋所轉換釋 出之可見光，而若塗層厚度過薄，則易因UVC1收不全而產生 洩漏現象，造成波長轉換結構之基材或黏著劑等高分子材料黃 化。因此，為提供合宜之uvc轉換效益、避免黃化，宜控制波長 轉換塗層之厚度。於此，經發現，當轉換塗層之厚度為螢光體粉 末平均粒徑之2至10倍時，可於塗層中具有多層螢光體粉末之堆 疊，此可使UVc於塗層中經多次反射及/或折射，有效兼顧發光效 率及阻隔UVc。更佳地，該轉換塗層之厚度為螢光體粉末平均粒 技之3至5倍。舉例言之，當螢光粉之平均大小為3堇4微米時， 轉換塗層之厚度以6至40微米為佳，尤以1〇至20微米更佳。 波長轉換結構之基材可為一撓性膜，尤其是由聚合物材料所構 成者’以利於傳統捲對捲（roll-to-roll)之量產塗佈方式。該撓性 基材較佳具可透光性，更佳為具較高透光性。舉例言之（但不以 此為限），可採用選自以下群組之材料所提供之膜層為基材··聚 對笨二曱酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET )、三醋酸纖 維（triacetyl-cellulose，TAC )、聚萘二曱酸乙二酯（poly(ethylene 2,6-naphthalate)，PEN)、聚醚石風（polyether sulfone，PES)、聚 偏二氟乙稀（p〇ly(vinylidene fluorde)，PVDF)、乙浠-辛稀共聚 200832495 物（poly(ethylene-co-octene ) ，ΡΕ-ΡΟ)、丙浠-乙烯共聚物 (p〇ly(pr〇pylene-co-ethylene ) ，PP-PE)、雜排聚丙烯（atactic polypropylene，aPP )、同排聚丙烯（isotactic polypropylene，iPP)、 官能化聚烯烴（functionalized polyolefin)、及線性低密度聚乙烯 -g-順丁 稀二酐（linear low density polyethylene-g-maleic anhydride，LLDPE-g-MA)，較佳為光學級之 PET 與 TAC。 亦可以透明薄片為波長轉換結構之基材。舉例言之（但不以此 為限），可採用由玻璃、石英、聚（曱基丙烯酸曱酯）（p〇ly(methyl 〇 methacrylate)，PMMA)、聚苯乙浠（polystyrene，PS)、聚（甲基 丙烯酸甲醋-苯乙浠）共聚物（methyl methacrylate-co-styrene， MS)、或聚碳酸酯（p〇lycarb〇nate，PC)所提供之薄片為基材， 或者，可利用可透光之纖維織物（fabrics)作為基材，其材質通常 為玻璃。此外，亦可採用由二或多層上述膜層及/或薄片所構成之 複合層為基材；於此，可利用高分子感壓膠以黏合各層。 該波長轉換結構可由包括如下步驟之方法製得： Q 提供一基材； 於該基材表面塗覆一漿料，其係置於一儲槽中且包含： (a) —可受UVc激發之螢光體粉末； (b) —抗UVc黏著劑；以及 (c) 一有機溶劑， 其中，該螢光體粉末與該黏著劑均如前述所定義且此二者之 重量比為1:1至20:1 ;以及 乾燥該經塗覆之基材。 15 200832495 可採用任何合宜有機溶劑以作為螢光體粉末與黏著劑之载劑 (carrier)。一般而言，基於連續性塗佈之容易性的考量，通常係 控制漿液黏度在lOcps至l〇〇〇〇cps之範圍内，此時較佳係採用低 沸點有機溶劑，以避免於塗層乾燥過程中因溶劑無法迅速揮發而 發生螢光體沉澱，進而導致顏色偏差等問題。合宜之低沸點溶劑 包括（但不以此為限）選自以下群組者：ere*酮類、經一或多個 鹵基取代之CrQ鏈烷類、c5-c7鏈烷類、c5-C6環烷類、crC4鏈 Q 烷醇類、CrC4醚類、乙酸乙醋、苯、甲苯、乙腈（acetonitrile)、 四氫呋喃、石油醚、氟素溶劑、及其組合。較佳為酮類、經 一或多個鹵基取代之CrC4鏈烷類、CVC7鏈烷類、C5-C6環烷類、 乙腈、及前述之組合。 適用之低沸點有機溶劑的具體實例包括（但不限於）：丙酮、 甲乙酮、1，2-二氯乙烷、二氯甲烷、氣仿、戊烷、正己烷、庚烷、 環戊烷、環己烷、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、三級丁醇、乙醚、 乙酸乙醋、苯、甲苯、乙腈（acet〇nitrile)·、四氯咬喃、石油驗、 G 及其組合。較佳之具體實施例為甲苯、甲乙酮、乙酸乙酯、 一"氣乙燒k、及其組合。 漿料中之有機溶劑含量並非本發明重點所在，可視所欲漿料黏 度而調整。一般所採用之有機溶劑含量（以漿料總重量為基準） 在20至80重量％，較佳為35至55重量％。 視需要地，可於梁料中進一步添加其他成分，以延長所提供波 長轉換、、’。構之可Tf卩。此4視需要添加之其他成分包括（但不以此 為限）：穩定劑、吸收劑、阻斷劑、及其組合。於此，如氧化铭、 16 200832495 屬孔化物（較佳為具奈米尺寸者），係可 提供阻斷效益；如二苯基_ amine 久本开二嗤之有機化合物，乃典型之 吸收劑，其可吸收紫外^釋出熱；如受阻胺（_㈣一 之光毅劑，則可吸收料發基團而防止其所造成之化學反應。 % 般而。$避免對波長轉換結構之效能造成不利影響，此等視 需要添加成分之總量通常為（以⑽總重為基準 )不超過10重量 Γ、 社述方法中，可於塗覆進行前或進行中將前述螢光體粉末與 黏著於洛诏中以形成所需漿料。其後，將該漿料塗覆於基 材表面再乾知去除溶劑，即得所欲之波長轉換塗層。較佳地， 係於塗覆壯中對該儲槽中之⑽施予適度的授摔 ，以避免因密 度差異所致之固體物沉澱或相分離現象。可以各式合宜方式以提 供該授拌。舉例吕之（但不以此為限），可經由機械授拌方式、 均質攪拌、混鍊、雙軸㈣、三滾筒騎、行星式攪拌、球磨、 或脈衝加壓方式·，以於儲槽内之㈣中形成紊流擾動，達到搜摔 c,目的。 可採用任何合宜之方式來進行上述塗覆操作。舉例言之（但不 以此為限），可採用浸塗法（dipcoating)、刮刀式塗佈法（comma coating)、喷塗法（spraying coating )、旋轉式塗法（spin coating)、 擠壓塗佈法（slot coating)、簾幕式塗佈法（curtain coating )、凹板 塗模法（gravure coating )、或捲對捲（roll-to-roll)塗佈法。視 需要地，可進行一或多次塗覆操作至所需之塗層厚度。該塗層可 以任何合宜方式以乾燥之。舉例言之（但不以此為限），可以自 17 200832495 然揮發方式、或輔以通氣及/或加熱之強制揮發方式（如：通以熱 空氣）來進行該乾燥。 該波長轉換結構可應用於一發光模組。於此，可視需要於基材 覆有波長轉換塗層侧之相對側形成如稜鏡或微粒之光學增進結 構，以提供額外之光學效果。波長轉換結構可視需要更包含任何 合宜之光學元件，例如擴散板、擴散膜、增亮膜（Brightness Enhancement Film ; BEF )、反射式增亮膜（Dual Brightness Enhancement Film ; DBEF)、稜鏡板（prisin Plate)、凸鏡片 〇 (Lenticular Film)、偏光板、或前述組合之光學膜片，以提供增 亮或偏光效能。波長轉換結構之另一實施態樣茲以第IB、1C圖例 示說明，其中，〇、#及®分別代表不同顏色之螢光體粉末。於 第1B圖中，波長轉換結構104係包含一基材1〇41與一位於基材 1041上方之波長轉換塗層1043，基材1〇41係由一如PET之透明 膜層1045與一如PMMA、MS、或PC之透明薄片1047經由一層 高分子感壓膠1049所黏合而成之複合層。第1C圖所示波長轉換 Q 結構106係包含一基材1061與一位於基材1061上方之波長轉換 塗層1063,其中，基材1061係一於一側具稜鏡結構或擴散結構之 光學增進結構。此外，可視需要於基材上使用一保護性膜（如PET 膜）以保護之。 第2A圖顯示一應用上述波長轉換結構之發光模組之分解示意 圖。於發光模組20之框體201中設有UVc光源203。光源203通 常為一燈管（lamp)。為固定燈管位置，使其不致產生移動，傳 統上會於光源203與框體201底部之間設置一光源固定座（holder) 18 200832495 207(如第2B圖所示）。該光源固定座207通常具有-背板2(m、 複數□疋木2G73及-支撐柱2G75。固定架2G73與支撐柱 均置；月板2〇7〗上’背板2071則固定於框體201内之底部上。 固定架2073失持該光源加使其固定於—適當位置，而支撐柱 2075則可支撐框體2G1上方之光學元件（圖未繪示）使其不致下 蜜。其中，為保遵光源固定座207不受光源203產生之UVc所損 壞’亦可視需要於光源固定座2G7之表面上塗覆前述波長轉換塗 層（圖未繪示）。 下述之發光模組（包括背光模組）均可視需要地設置光源固定 座，惟簡化起見，以下内容中除非特別指出，否則將以不設置光 源固定座之態樣來進行說明。 再參考第2A圖，框體201具有一開口 2011，於開口 2011上設 置一波長轉換結構205，以與框體201形成一含有空氣之密閉空 間2013。波長轉換結構205包含一波長轉換塗層2051及一基材 2053，波長轉換塗層2051塗佈於基材2053面向光源203之側面 上（即，於基材2053之面光源側）。於發光模組20中，當光源 203產生UVc並射向波長轉換結構205時，波長轉換塗層2051中 之螢光體粉末將被UVc激發，並釋出可見光。 該可見光之顏色可經由光混色原理而獲得，例如混合紅色、綠 色及藍色之可見光，可獲得實質上白色之可見光。 第3A圖顯示一應用上述波長轉換結構之發光模組30之剖面示 意圖。發光模組30包含一框體301、一波長轉換結構305、由樞 體301與波長轉換結構305所包圍之含有空氣的密閉空間3013、 19 200832495 以及位於密閉空間3013内之UVc光源303。波長轉換結構305包 含一第一波長轉換塗層3051及一基材3053，第一波長轉換塗層 3051塗佈於基材3053面向光源303之側面上（即，於基材3053 之面光源側）。第一波長轉換塗層3051包含可受UVc激發而釋出 第一可見光之螢光體粉末。框體301之内側壁上則設置一第二波 長轉換塗層307，其包含可受UVc激發而釋出第二可見光之螢光 體粉末。當光源303產生UVc並射向波長轉換結構305及第二波 0 長轉換塗層307時，波長轉換結構305之第一波長轉換塗層3051 中的螢光體粉末將被UVc激發而釋出第一可見光；第二波長轉換 塗層307中的螢光體粉末則被uVc激發而釋出第二可見光。該第 二可見光於穿過波長轉換結構3〇5之後，與結構3〇5所釋出之第 一可見光進行混光而產生一第三可見光。 於第3A圖之發光模組3〇中，當第一可見光與第二可見光之顏 色相同時’可提供顏色與第一可見光與第二可見光相同、但亮度 較其為高之第三可見光；而若第一可見光年第二可見光之顏色不 〇 同時’則可產生混光作用，提供顏色與第一可見光與第二可見光 不同之可見光。舉例言之，當該第-可見光包含紅色可見光及綠 色可見光且該第二可見光為藍光時，便可透過前述混光而產生白 色可見光。 °亥第一波長轉換塗層307之設置，除可採用直接塗佈於框體301 Θ側壁（如第3A圖所示）之方式以外，亦可經由先將第二波長轉 #奐塗層307塗佈於—適當之挽性基材上（圖未繪出），以形成一 第一波長轉換結構（圖未繪出），其後再將該結構設置於框體3〇1 20 200832495 内側壁上之方式而達成，提供所欲混光效益。 第3B圖顯示應用上述波長轉換結構之另一發光模組之剖面 示意圖。發光模組32包含一框體321、一波長轉換結構325、以 及由框體321與波長轉換結構325所包圍之含有空氣的密閉空間 3213。密閉空間3213内設有複數個光源，包括可產生uVc之光源 3231以及可產生可見光（例如藍色可見光）之光源3233。波長轉 換結構325包含一波長轉換塗層3251及一基材3253,波長轉換塗 p 層3251塗佈於基材3253面向光源之側面上（即，於基材3253之 面光源側）。波長轉換塗層3251包含可受UVc激發釋出一可見光 之螢光體粉末。類似前述第3A圖之發光模組30，於發光模組32 中，當光源3231產生UVc並射向波長轉換結構325時，波長轉換 塗層3251中之螢光體粉末將被UVc激發，並釋出一第一可見光。 該第一可見光與光源3233所產生之第二可見光進行混光，產生一 第三可見光。該第三可見光之顏色可與第一可見光與第二可見光 相同（當第一可見.光之顏色與第二可見光相同）或為第一可見光 G 與第二可見光之混光結果（當第一可見光之顏色與第二可見光相 異）。 如周知，一般UVC光源於發光時，除UVC波段之紫外光以外， 亦可能會提供少許UVA波段及/或UVB波段之紫外光。為有效利用 UVc，本揭露中之螢光體粉末可選用吸收UVc波長之螢光體粉 末，以及可吸收其他紫外光波長之螢光體粉末之組合，例如可吸 收波長實質上為365奈米（nm)之UVB或400奈米（nm)之UVA 之螢光體粉末，以充分轉換光源所發出之紫外光。 21 200832495 為避免前述微量uvA波段及/或uvB波段紫外光所可能造成之 影響，除可於發光模組之波長轉換塗層中同時包含可吸收UVC與 uvA及uvB之螢光粉以外，亦可於發光模組之波長轉換結構中進 一步包含一紫外光波長阻絕塗層，以減少任何可能之紫外光洩 漏。此一具紫外光波長阻絕塗層之發光模組實施態樣之示意圖可 參考第4A至4C圖，其中第4A圖係為發光模組之分解圖，第4B、 4C圖係為第4A圖中沿AA’線之波長轉換結構局部剖面示意圖， p 代表波長轉換結構之二不同態樣。 如弟4A圖所示’發光模組40包含一框體401具有一開口 4〇 11， 框體401中設有uVc光源403。於開口 4011上設置一波長轉換龄 構405,波長轉換結構405與框體401組合形成一含有空氣之密閉 空間4013。其中，波長轉換結構405之一實施態樣如第4b圖所 示，由下而上包含一波長轉換塗層4051、一基材4053以及—紫外 光波長阻絕塗層4055，即，波長轉換塗層4051與紫外光波*阻絕 • 塗層4055係置於基材4053之兩側。紫外光波長阻絕塗層4〇55 , ii 可視需要地與波長轉換塗層4051置於基材4053之同側，i μ
』叫如弟4C 圖所示。 务、外光波長阻絕塗層4055之材料可為任何可阻絕紫外光者 如· 1外光阻擋材料、紫外光穩定材料、紫外光吸收材料、紫外 光反射材料、及前述之組合。常用之紫外光阻擋材料如金屬氧化 物，具體悲樣可為氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋅、及前述之組入 其中’較佳係採用粒徑實質上小於丨微米之金屬氧化物。可採用 之条外光疋材料如受阻胺（hin(jered amine )，且可採用之紫 22 200832495 光吸收材料則之具體例如二苯基酮、苯并三唑、及前述之組合。 為更進一步阻絕紫外光洩漏，可於發光模組之框體内侧壁中進 一步設置一保護層。參考第5圖，顯示另一發光模組於框體部份 之剖面示意圖，該發光模組如第4A圖所示，但於框體内側壁另具 有一保護層。如第5圖所示，此一實施態樣係包含一框體501，其 内設有UVc光源503，且於内侧壁上設置有一保護層505,以阻擋 UVc光源所發出之光穿透該框體501。保護層505係包含如前述紫 外光波長阻絕塗層所含之可阻絕紫外光材料或一反射層（例如金 〇 屬層）。框體501内側壁可視需要設有一波長轉換塗層（例如第 3A圖所示），於設有此一波長轉換塗層時’保護層505係設置於 框體内壁與波長轉換塗層之間。 上述各種發光模組亦可應用於顯示裝置之各種背光模組中，例 如側光式背光模組或直下式背光模組。第6圖為一應用該發光模 組之侧光式背光模組60之示意圖。背光模組60包含一框體61， 框體61内之一側設有UVc光源63，光源63之一側則設有一波長 轉換結構65。於框體61之適切處設置有所需之光學膜片，例如擴 I’ 散膜671、稜鏡片673、導光板675、反射片679等等。 第7圖為上述發光模組於直下式背光模組之一應用態樣之示意 圖。於第7圖中，直下式背光模組70包含一具一開口之框體701， 框體701内設有UVc光源703，於框體701開口上設有一波長轉 換詰構705，波長轉換結構705上則設有一光學膜片7〇7。其中’ 波長轉換結構7〇5包含一波長轉換塗層7051及一基材7053。基材 7053通常為一可透光基材，且波長轉換塗層7051通常設置於基材 23 200832495 7053之面光側。 如前述第2B圖所述，有關光學膜片於發光模組（包括背光模組） 之應用，傳統係於發光模組之框體内設有包含支撐柱之光源固定 座。其中，支撐柱主要係用以避免光學膜片下垂、減少膜片表面 不平坦之現象，從而免除因此所致之亮度不均勻或不正確的結 果。第8圖為傳統直下式背光模組之一實施態樣之示意圖。直下 式背光模組80包含一具一開口之框體81，框體81内設有光源83, 〇 於框體81開口上設有光學膜片85，且於框體81内存在支撐柱87 以支撐光學膜片85,以免除膜片85表面不平坦所致之不利結果 (為簡化起見，此圖中僅顯示光源固定座之支撐柱部分）。 然而’經發現’當於第7圖所示直下式背光模組70採用習知手 & ’以支撐柱來支撐光學膜片707時，由於光學膜片707係設於 波長轉換結構705上且波長轉換塗層7〇51係設置於波長轉換結構 7〇5之面光源側’故波長轉換塗層7051將直接與支撐柱接觸。此 ^ , 於長時間使用，或於背光模組搬運或安裝過夢中，均可能導致支 撑挺彳貝害（例如刮傷）波長轉換塗層7051，造成背光模組之發光 缺陷。 為避免上述因支撐柱損害波長轉換結構或波長轉換結構剛性不 斤致表面不平坦之現象，可於背光模組中進一步設置可提供波 換結構一張力之一固定裝置，維持該波長轉換結構之表面於 貝上平坦’且免除支撐柱之使用。特定言之，可於將一波長轉 、、"構设置於背光模組之前，先預施加一張力於該波長轉換結 使其表面獲得實質上之平坦。之後，於波長轉換結構表面實 24 200832495 質上平坦之狀態下以一固定裝置固定其形狀，從而維持其表面於 實質上平坦。 可採用各式合宜之固定裝置。例如，固定裝置可以包含互相對 應之第一元件及第二元件，當該兩個元件互相結合時可固定波長 轉換結構之形狀，使該波長轉換結構具實質上平坦之表面。或者， 固定裝置可以包含一構形與框體相配合之元件，以於與框體相結 合時固定波長轉換結構之形狀。 f 舉例言之，參考第9A至9F圖，顯示本背光模組之一實施態樣， 其包含上述固定裝置之一特定態樣，其中第9A圖係為背光模組之 分解圖，第9B至9F圖係為第9A圖中沿BB’線之波長轉換結構局 部剖面示意圖，代表波長轉換結構之不同態樣。 如第9A圖所示，背光模組90包含一具一開口 911之框體91， 於開口 911上設有一波長轉換結構93，框體91内設有UVc光源 95。波長轉換結構93包含一波長轉換塗層931及一基材933，波 長轉換塗層931位於.基材933之面光源側。波長轉換結構93經由 I 一固定裝置而固定其形狀，固定裝置包含第一框架971及第二框 架973，且框架971與框架973具實質上相同尺寸。如第9B圖所 示，經由如黏合劑之合宜方式將框架971及框架973分別固定於 波長轉換結構93之上下兩側面，以固定該波長轉換結構93之形 狀，使其具實質上平坦之表面。 固定裝置所含二框架未必須具相同尺寸，亦可具不同尺寸，如 第9C圖所示。於第9C圖中，固定裝置係含第一框架975及第二 框架977,第二框架977之尺寸小於第一框架975 (或者相反，即， 25 200832495 第一框架977之尺寸小於第二框架975)且可與第一框架975相嵌 設。從而，當框架975與框架977相嵌設時，可將波長轉換結構 93固定於其中，從而維持其表面於實質上平坦。 亦可如第9D圖所示，僅使用一框架979，經由黏合劑或其他適 切方式將波長轉換結構93固定於框架979上，以維持波長轉換結 構93之表面於實質上平坦，而可置於框體91上。或者，可如第 9E圖及第9F圖所示，採用外徑較開口 911小之框架981或内徑 較開口 911側之框體91截面大之框架983，經由框架981或983 與框體91相嵌設之方式，固定波長轉換結構93之形狀，使其具 實質上平坦之表面。 上述各實施態樣之框架可為一體成形之框架或為複數條狀物所 組合之框架。此外，框架之形狀不限於矩形，亦可為應用上所需 之其他形狀（如：橢圓形）。 亦可於固定裝置上具特殊構型設計，藉由構形間之組合而固定 波長轉換結構。參考第10A至10E圖，第10A圖為本背光模組之 另一實施態樣之示意圖，其中第10A圖係為背光模組之分解圖， 第10B至10E圖係為第10A圖中沿CC’線之波長轉換結構局部剖 面示意圖，代表波長轉換結構之不同態樣。於第10A圖中，背光 模組100之框體101具有一開口 1011，於開口 1011上設有一波長 轉換結構103，框體101内設有UVc光源105。波長轉換結構103 包含一波長轉換塗層1031及一基材1033，波長轉換塗層1031位 於基材1033之面光源側。如第10B圖所示，固定裝置包含一具凹 狀結構之第一元件1071，以及一具凸狀結構之第二元件1073。第 26 200832495 一元件1071之凹狀結構之位置至少與第二元件1073之凸狀結構 之位置相對應。 當然，固定裝置亦可包含一具凸狀結構之第一元件1075，以及 一具凹狀結構之第二元件1077，如第10C圖所示。其中，該凹狀 結構之位置至少與該凸狀結構之位置相對應。較佳地，該凹狀結 構與凸狀結構係分別為條形凹狀結構與條形凸狀結構。從而，於 凹狀結構與凸狀結構相嵌設時，可以固定波長轉換結構103於其 中，而維持其表面於實質上平坦。 C * 亦可藉由框體與固定裝置之組合，提供所欲固定波長轉換結構 之效益。第10D圖顯示此一組合之一實施態樣之示意圖。其中， 框體101a進一步於頂端具一凸狀結構，而固定裝置則包含一具凹 狀結構之第一元件1079，該凹狀結構之位置至少與凸狀結構之位 置相對應。當兩者相互嵌設時，可以固定波長轉換結構103，維持 其具實質上平坦之表面。或者，可於框體頂端具凹狀結構而於固 定裝置包含具有與該凹狀結構之對應之凸狀結構之元件，參見第 10E圖。如第10E圖所示，框體101b進一步於頂端具一凹狀結構， 固定裝置則包含一具凸狀結構之第一元件1081，凹狀結構之位置 至少與凸狀結構之位置相對應。 於上述各實施態樣中，第一元件1071、1075、1079、1081及第 二元件1073、1077係被設置於波長轉換結構103之部份側邊，惟 不受此限，第一元件1071、1075、1079、1081及第二元件1073、 1077亦可被設置於波長轉換結構103之全部側邊或其他適當處。 各凹狀結構及凸狀結構亦不受圖式之形狀所限。此外，固定裝置 27 200832495 可視需要包含二或多個第一元件或第二元件。 舉例言之，對於開口為矩形之框體而言，第一元件與第二元件 可為環繞成矩形之條狀物，亦可為由L形或I形條狀物所相嵌組 合而成之矩形。於此，當採用框體與固定裝置之組合，以藉由其 凹/凸結構相嵌設而固定波長轉換結構時，可於固定裝置含有二具 有與框體頂端相對應凹/凸狀結構之I形條狀物，經由與框體頂端 相對側相嵌設而固定波長轉換結構之相對側邊，以維持其表面於 實質上平坦。亦可於固定裝置含有二具有與框體頂端相對應凹/凸 狀結構之L形條狀物，經由與框體頂端相對角相嵌設而固定波長 轉換結構之相對側角，而維持其表面於實質上平坦。 固定裝置亦可為其他態樣。參考第11A至11D圖，第11A圖顯 示一背光模組110,其中第11A圖係為背光模組之分解圖，第11B 至11D圖係為第11A圖中沿DD’線之波長轉換結構局部剖面示意 圖，代表波長轉換結構之不同態樣。如第11A圖所示，背光模組 110包含一框體111，框體111具有一開口 1111，於開口 1111上 設有一波長轉換結構113，框體111内設有UVc光源115。波長轉 換結構113包含一波長轉換塗層1131以及一基材1133,波長轉換 塗層1131位於基材1133之面光源側。如第11B圖所示，固定裝 置包含一具有一連接件之第一元件1171以及一具有一連接孔之第 二元件1173，該連接件係與該連接孔相配合。從而，經由該連接 件與該連接孔而結合第一元件1171與第二元件1173,以固定波長 轉換結構113，使其具實質上平坦之表面。 另一背光模組之實施態樣如第11C圖所示，其中，背光模組係 28 200832495 與第11A圖所示相同，但所包含之框體ma則進-步具一連接 孔’而固疋裝置則包含一具有連接件之第 之連接孔與第一开杜A ^ Ua 之連接件相配合。從而，藉由連接件盥
連接孔而、、，。合框體llla_定裝置之第―元件1175,以固定波長 轉換結構U3之形狀，使其具實質上平坦之表面。類似地，可如 弟11D圖所示，於背光模組之框體⑽進―步具—連接件（如圖 之側凸部分），而固定裝置則包含-具有連接孔之第-元 件 該連接件與該連接孔相配合。以藉由連接孔與連接件而 結合框體lllb斑旧—壯里々始 /、口疋裝置之第一元件1177，以固定波長轉換結構 U3之形狀，^其具實質上平坦之表面。於上述實施態樣中，第一 、一 或第—元件1173係為一長條狀，惟不受此限，其亦可 為”他適田之形狀。另外，具體言之，連接件可為-螺絲，連接 孔可為累巾目，或者連接件可為-卡榫，連接孔可為-卡槽；或 為其他本$域具通常知識者所習知之組合構形。 月光模、、且之實施悲樣如第12 A至12C圖所示，其中第12 A 圖係為月光枳組之分解圖，第12B及12C圖係為第12A圖中沿ee， 線之波長轉換結構局部剖面示意圖，代表波長轉換結構之不同態 樣。如第12A圖所示，背光模組12〇包含一框體121，其具一開 口 1211，於開口 1211上設有一波長轉換結構123，框體121内設 有UVc光源125。波長轉換結構123包含一波長轉換塗層1231及 一基材1233，波長轉換塗層1231位於基材1233之面光源側。如 第12B圖所示，背光模組12〇另包含一固定裝置，其包含一框架 1271及一彈性件1273 (例如一夾子）。透過固定裝置，以彈性件 29 200832495 1273將波長轉換結構123固定於框架1271上而固定其形狀，使其 具實質上平坦之表面。另一固定裝置態樣可參考第12c圖。其中， 框體121 a於頂緣具一凸出構形，固定裝置則包含具一彈性件之第 一元件1275 (例如一夾子）。透過固定裝置之第一元件1275將波 長轉換結構123固定於框體121a上而固定其形狀，使其具實質上 平坦之表面。於上述實施態樣中，該彈性件可不受圖式中之形式 所限，亦可為螺旋形式或其他可供應用之形式。 以下將以具體實施態樣以進一步例示說明此處揭露之波長轉換 結構及其應用。 實施例 於以下實施例中，所採用之成分、材料及儀器係如下所列： (1)黏著劑成份： 黏著劑溶液A :築光公司所提供含20重量％氟素巨分子之 溶液（Chipaste)，由黏著劑溶液A所得厚度約1〇〇微米之濕 膜於50°C下30秒可完全乾燥。 黏著劑溶液 B :將 PVDF (polyvinylidene difluoride，聚偏 氟乙稀）（Dyneon公司）溶於丙酮中，所調配而得含7重量 %PVDF之丙酮溶液，由黏著劑溶液B所得厚度約100微米之 濕膜於50°C下20秒可完全乾燥。 黏著劑溶液 C :將 PVDF-HFP ( polyvinylidene difluoride-co-hexafluoroproplene，聚偏氟乙烯-六氟丙稀） (Atofina公司，型號Kynar2801 )溶於丙酮中，所調配而得 含7重量％PVDF-HFP之丙酿1溶液，由黏著劑溶液C所得厚度 30 200832495 約100微米之濕膜於50°C下20秒可完全乾燥。 (2) 螢光體粉末：日本Kasei公司，型號LP-W1，色號EX-D。 (3) 亮度測試方法I : 測量模組：UVc光源（ 253.7 nm)之模組，該模組尺寸為 60公分長36公分寬，其中放置16根UVc燈管（長度尺寸為 590公分，管徑為3.5公分，管壁厚為0.7公分，燈管強度為 3100 μλν/cm2)，燈管間之間距為2公分，燈源下方為一鋁反 射片，該模組上方留有一樣品放置區。 測試方法：將待測樣品以含螢光塗層面對UVc燈源之方式 放置於燈源上方，樣品上方0.5公分處放置一光學量測探測器 (宇宏企業，型號RK828)以量取色度座標及亮度值。 (4) 亮度測試方法II : 測量模組：UVc光源（ 253.7 nm)之模組，該模組尺寸為 72公分長42公分寬，其中放置16根UVc燈管（長度尺寸為 710公分，管徑為3.5公分，管壁厚為0.7公分，燈管強度為 3450 μλν/cm2)，燈管間之間距為3.5公分，燈源下方為一塗 佈相同波長轉換塗層之反射片，該模組上方留有一樣品放置 區。 測試方法：將待測樣品以含螢光塗層面對UVc燈源之方式 放置於燈源上方，樣品上方50公分處放置一亮度色度計（中 惠科技，型號Topcon BM7)以量取色度座標及亮度值。 實施例1 31 200832495 將900克黏著劑溶液A置入2000毫升繞杯中，以磁石麟10 分鐘。再加人_克螢光體粉末，㈣溫下以機械授拌葉混合Μ 分鐘，以獲得混合均勻之㈣。漿料混合均勻後，加人氣壓式脈 衝循環器中進行攪拌3G分鐘。其後，利用擠壓塗佈法塗佈於ρΕτ 基材（厚度125微米）上，其擠壓膜口與ρΕΤ基材之間距為ΐ5 微米，吐出壓力為〇·12 MPa，塗佈速度為15公尺/分鐘。濕膜完
成後再以50°C之熱風烘乾，從而提供於PET基材上具12至15 微米厚度之波長轉換塗層之樣品。 使用焭度測試方法I，其中樣品放置區大小為30公分長2〇公分 寬且樣品與光源間之距離為丨.5公分；依照CIE1931之色座標量 測方式量測所得樣品之x值、y值及亮度值，結果係如表丨所列： 表1 CIEx CIEy 亮度（cd/M2) 0.271 0.321 5314 波長轉換之結果係如第13A與13B圖所示，其·中第13A圖係該 提供UVc光源之模組的原始光源光譜，第13B圖為經過所得樣品 而發出之光譜；其顯示所得波長轉換塗層樣品可有效將UVc轉換 為可見光。 實施例2 重複實施例1之漿料製備、塗佈及乾燥步驟，但將所得漿料擠 壓塗佈於厚度125微米之PET基材上，得到於ΡΕΊΓ基材上具12 至15微米厚度之波長轉換塗層之樣品。 32 200832495 接著，利用刮刀塗佈25微米厚度之壓克力膠（全科企業，型號 S3277)於所得樣品之未經波長轉換塗層塗佈之面。塗佈完成後將 該樣品與壓克力基材（厚度2公分）及PET保護基材（厚度25 微米），以滾輪貼膜設備（志聖工業，型號CSL-M25R)進行壓 合。其中，將樣品之膠面壓合於該壓克力基材上，PET保護基材 則貼壓於該壓克力（聚（甲基丙烯酸甲酯））基材之另一面。貼合速 度為1.5公尺/分鐘，壓力3 kgf/平方公分，溫度40°C。同樣地， 重複上述步驟，但以聚碳酸酯基材（厚度2公分）取代該壓克力 基板。 使用亮度測試方法I，其中樣品放置區大小為30公分長20公分 寬且樣品與光源間之距離為2公分；依照CIE1931之色座標量測 方式量測所得樣品之X值、y值及亮度值，結果係如表2所列： 表2 基板種類 CIEx CIEy 亮度（cd/M2) 壓克力基板· 0.289 0.321 4655 聚碳酸酯基板 0.280 0.321 4945 實施例3 取用計量之螢光體粉末與計量之黏著劑溶液分別調配為具有表 3所列重量比之混合物，分別裝於50毫升封口玻璃瓶中以磁石攪 拌10分鐘，再以超音波震盪10分鐘，獲得6份漿料。 將10公分寬15公分長之PET基材（厚度125微米）吸附於真 空吸氣台上，將各漿料以繞線棒塗佈法塗覆於PET基材上，塗佈 33 200832495 速度為10公尺/分鐘，重複進行各漿料之塗佈。將6個各塗有不同 漿料之PET基材放置於流通空氣中自然乾燥3分鐘，所得塗層厚 度約為15至18微米。 使用亮度測試方法I，其中樣品放置區大小為30公分長20公分 寬且樣品與光源間之距離為2公分；依照CIE1931之色座標量測 方式量測所得樣品之X值、y值及亮度值，結果係如表3所列： 表3 螢光體粉末與黏著劑 之重量比 CIEx CIEy 亮度（cd/M2) 〇·5 ·· 1 (比較例） 0.270 0.318 3497 1:1 0.274 0.323 3953 2.5:1 0.291 0.346 3809 5:1 0.288 0.347 4545 10:1 0.292 0.339 4078 15:1 0.262 0.303 3726 U 實施例4 I.含碳氟鍵之黏著劑 重複實施例3之漿料製備、塗佈及乾燥步驟，惟使用黏著劑溶 液A、黏著劑溶液B及黏著劑溶液C，且各螢光體粉末與黏著劑 溶液所含黏著劑之重量比為5 : 1。再將所調配而得之漿料各自塗 佈於厚度125微米之PET基材上，得到具塗層厚度為12至15微 米之樣品。其中，使用黏著劑溶液A、B及C所得之樣品分別稱 為樣品A、B及C。 34 200832495 使用亮度測試方法I，其中樣品放置區大小為10公分長10公分 寬且樣品與光源間之距離為2公分；依照CIE1931之色座標量測 方式量測所得樣品之X值、y值及亮度值，結果如表4-1所列： 表4-1 樣品 CIEx CIEy 亮度 (cd/M2) A 0.282 0.314 3748 B 0.294 0.323 3502 C 0.296 0.327 3684
此外，以如下方式，對樣品A及樣品C進行一加速實驗。分別 將樣品A及樣品C放置於一單根UV燈管製具上，其中，樣品與 光源之距離為0.5公分，UV強度為10000 μλν/cm2，且樣品照射面 積為2公分x2公分。分別於一開始及持續照射1000小時後量測強 度及色度，結果如下表所示： 樣品A 樣品C 時間 亮度(cd/m2) CIEx CIEy 亮度(cd/m2) CIEx CIEy Ohr 1180 0.290 0.340 940 0.286 0.323 lOOOhr 890 0.296 0.333 800 0.294 0.333 II·碳氫系黏著劑（比較例） 取用螢光體粉末與黏著劑溶液A以螢光體粉末與黏著劑之重量 比為5: 1之比例裝於50毫升封口玻璃瓶中，以磁石攪拌10分鐘， 攪拌後以超音波震盪10分鐘，得到一氟系漿料。另製備一聚乙烯 35 200832495 醇（polyviny1 alcoho1，PVA)黏著劑溶液（以去離子水為溶劑且 具20重量PVA)並與等重之螢光體粉末以研蛛混合均勻’得 到一碳氫系黎料（其中碳氫鍵之鍵能為98 kcal/mol)。 接著，將10公分寬15公分長之PET基材（厚度125微米）吸 附於真空吸氣台上，將兩漿料分別以刮刀塗佈法塗佈於各PET基 材上，刮刀間隙為50微米，塗佈速度為1〇公尺/分鐘。之後，將 經氟系聚料塗佈之PET基材放置於流通空氣中自然乾燥3分鐘， 經碳氫系漿料塗佈之PET基材以熱風烘箱8〇。〇加熱30分鐘。所 得塗層厚度約為17至20微米。 使用亮度測試方法I，其中樣品放置區大小為3〇公分長2〇公分 寬且樣品與光源間之距離為1·5公分；依照CIE1931之色座標量 測方式量測所得樣品與光源照射18〇小時後之χ值、y值及亮度 值，結果係如表4-2所列： 表4-2 黏著劑溶液種類 照射時數 (Hr) CIEx CIEy 亮度 (cd/M2) 黏著劑溶液A 0 0.284 0.324 4580 180 0.284 0.320 4150 PVA黏著劑溶液 0 0.283 0.331 5043 180 0.267 0.307 2569 表4-2結果顯示，相較於碳氫系漿料之亮度衰減幾達5〇%的表 現，本揭露使用黏著劑中含有碳氟鍵所製得之波長轉換塗層，即 使在光源照射180小時後，仍可提供與初始相當之亮度。 IIL_甚黏著劑滚淡 36 200832495 取10克之四乙氧基石夕院（Tetraethoxysilane，TEOS)，加入10 克之甲基二乙氧基石夕烧（Methyltriethoxysilane，MTEOS)、3克之 酒精、2克之去離子水、及1毫升1%鹽酸（hci)水溶液。於室 溫下攪拌30分鐘至均相。再於此無機水溶液中加入8克螢光粉， 以磁石攪拌60分鐘，攪拌後以超音波震盪1〇分鐘，再以磁石攪 拌30分鐘，獲得一漿料。 依照上述Η部分所述方式，將上述漿料塗佈於厚度1 〇〇微米之 PET基材上。經塗佈之pet基材係置於l〇(TC烘箱中乾燥6〇分鐘， 冷卻後取出。 接著使用亮度測試方法I，其中樣品放置區大小為5公分直徑 (19.6平方公分）且樣品與光源間之距離為2公分；依照CIE1931 之色座標量測方式量測所得樣品之X值、y值及亮度值，結果如表 4-3所列： 表4-3 黏著劑種類 ClEx CIEy 亮度（cd/M2) 無機黏著劑 0.2728 0.3352 2673 實施例5 採用亮度測試方法II，於相同管電壓、電流及測量方式之條件 下，對傳統CCFL模組與實施例2所製得之壓克力基板樣品之性 能進行比較，比較結果如表5-1與表5-2所列： 表5-1 37 200832495 項目/ 規格值 CCFL CCFL + 下擴散板 CCFL+下擴散 板+BEFIII CCFL+下擴散板 +BEFIII+DBEFD 中心輝度 4578 5928 8363 5729 平均輝度 (81 點） 4578.7 5811.7 8102.3 5540.7 X色度 0.2467 0.2489 0 0.2591 Y色度 0.2212 0.2244 0 0.2453 均齊度 (9點） 94% 95% 93% 94%
Q ——· 項目 /規格值 轉換塗 層 轉換塗層+ 下擴散板 轉換塗層+ 下擴散板+ BEFIII 轉換塗層+ 下擴散板+ BEFIII+DBEFD ---— 中心輝度 6376 8338 11720 8066 平均輝度 (81 點） 6304.7 8218.6 11464.4 7863.2 ___— X色度 0.2742 0.2762 0.2813 0.2909 ----— Y色度 0.3265 0.3279 0.3362 0.3481 -----" 均齊度 (9點) 92% 92% 91% 93% 上述結果顯示，本波長轉換塗層之性能較傳統CCFL者為優。 接著，採用亮度測試方法II，將所得壓克力基板樣品（即表5-2 所列之「轉換塗層+下擴散板」者）於該UVc模組中進行長時間 照射，其色座標及亮度變化如表6及第14圖所示；其中，於各個 點燈（照射）時間下’分別取兩組相同之該壓克力基板樣品進行 兩次亮度測試，試驗結果分為表6中所列樣品A與樣品B之結果。 此結果顯示經長時間照射後’本發明波長轉換塗層仍可提供相當 38 200832495 亮度。 表6 (小時） 0 樣品編號 ^—--- 中心輝度 (nits) 8703 平均輝度 (nits) 8599.7 CIEx 0.2905 ClEy 8860 8622.1 0.2844 0.3374 450 8755 8599.4 0·2931_ 上 3416 8562 8384.9 0.2816 0.3286 1880 8658 8475.4 0.2929 0.3399 8377 8188.8 0.2808 0.3267 3407 8413 8201.8 0.2930^ 43411 8226 8013.3 0.2812 0.3282 光波長阻絕塗層之效益） 將2〇克黏著劑溶液A與20克螢光體粉末裝於50毫升封口玻璃 瓶中以磁石授拌⑺分鐘，攪拌後以超音波震盈10分鐘。將該漿 U 料以刮刀塗佈法塗佈於10公分寬10公分長之石英表面，刮刀間 隙為50微米，塗佈速度為10公尺/分鐘。經塗佈之石英係置於流 通空氣中自然乾燥3分鐘，該條件製作得之塗層厚度約為17至2〇 微米。此為未具有紫外光波長阻絕塗層之波長轉換塗層樣品。 另一波長轉換塗層樣品以相同方式處理，惟石英表面預先以刮 繞線棒塗佈法（RDS編號〇6)塗佈一層具阻擋紫外光功能之奈米 乳化鋅材料（澳大利亞Advanced Nanotechnology製造，型號 Nanoz) ’塗佈速度為1〇公尺/分鐘，塗佈後置於100°C熱風烘箱 39 200832495 中乾燥30分鐘。 接著使用亮度測試方法I ,其中樣品放置區大小為30公分長20 公分寬且樣品與光源間之距離為2公分；依照CIE1931之色座標 量測方式量測所得樣品之X值、y值及亮度值，結果如表6及第 15A圖（無紫外光波長阻絕塗層）與第15B圖（具紫外光波長阻 絕塗層）所示： 表7 CIEx CIEy 亮度（cd/M2) 無紫外光波長 阻絕塗層 --------- 0.289 0.344 3339 具紫外光波長 阻絕塗層 ----- 0.294 0.353 3535 由第15A圖與第15B圖之比較可知，未設置紫外光波長阻絕塗 層時’發光模組仍漏洩出少量未被使用完全之紫外光UVc波段， 以及未被利用之紫外光UVa波段以及uvB波段；而當設置紫外光 t； 波長阻絕塗層時，紫外光UVc波段、UVA波段以及UVB波段均被 阻絕。此外，由表7可知，紫外光波長阻絕塗層之使用，並未實 質上影響發光模組之效能。 7(紫外来浊县阻絕塗層之效益） 如實施例 6，但以 PET (polyethylene terephthalate)為基材，且 量測紫外光穿透度，如第16A、16B圖，前者為未設置紫外光波長 阻絕塗層之發光模組之紫外光穿透光譜圖，後者為設有紫外光波 長阻絕塗層之發光模組之紫外光穿透光譜圖，圖中虛線框起處為 200832495 比較第16A圖與第16B圖 幾乎可完全阻絕紫外光之 紫外光UVc波段及UVB波段之波長 可知，於設置紫外光波長阻絕塗層時 洩露。 施例8 (混光之效益） 提供兩組如第3A圖所示之結構，其中，第_組之第—波長轉換 塗層係與第二波長轉換塗層相同，第二組之第―波長轉換堂層則 〇與第二波長轉換塗層不同。所使用之黏著劑溶液為黏著劑溶液A， 且所使用之螢光體粉末為日本Kasei公司之產品。 第-組之第-波長轉換塗層與第二波長轉換塗層係以下列方式 獲侍。將党UVc激發可释出紅色可見光之螢光體粉末（下稱「r 螢光體粉末」）、受UVc激發可釋出綠色可見光之螢光體粉末（下 稱「G螢光體粉末」）及受UVc激發可釋出藍色可見光之螢光體 粉末（下稱「B螢光體粉末」），以4·4 : ι·6 : 4〇之比例混合提 供一螢光體粉末混合物。將該螢光體粉末混合物倒入裝於5Q毫升 G 封口玻璃瓶中之10公克黏著劑溶液A中，並以磁石攪拌1 〇分鐘， 再以超音波震盪10分鐘，提供一漿料。將1〇公分寬15公分長之 PET基材（厚度1〇〇微米）吸附於真空吸氣台上，將所得該漿料 以刮刀塗佈法塗佈於該PET基材上。其中，刮刀間隙為5〇微米且 塗佈速度為10公尺/分鐘。之後，將經塗覆之PET基材放置於流 通空氣中自然乾燥3分鐘，所得塗層厚度約為π至20微米。 第二組結構之第一波長轉換塗層之製備係如第一組結構，但所 採用之漿料係經由將6·4公克由R螢光體粉末與G螢光體粉末以 41 200832495 4·9: 1.5之比例混合之螢光體粉末混合物到入6.4公克之黏著劑溶 液Α中所得到者。 第二組結構之第二波長轉換塗層之製備亦如第一組結構，但採 用由10公克B螢光體粉末與10公克黏著劑溶液A混合而得之漿 料，且塗佈於厚度225微米之PET基材上。 分別將上述兩組具有第一波長轉換塗層之PET基材設置於兩組 框體之開口上以及將具有第二波長轉換塗層之PET基材設置於兩 組框體之内側壁上。之後，分別測量兩組結構之光學特性質，結 Γ 果如表8所示： 表8 CIEx CIEy 亮度(cd/M2) 第一組 0.2471 0.2285 3100 第二組 0.2480 0.2243 3300 . 表8結果顯示，第二組所提供之亮度值係較第一組提升約5至 I 6%。 上述各實施例及態樣僅為例示性說明本發明之原理及其功效， 以及闡釋本發明之技術特徵，而非用於限制本發明之保護範疇， 例如圖式中所示之各元件之形狀或形式並非限制本發明。任何熟 悉本技術者之人士均可在不違背本發明之技術原理及精神的情況 下，可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範 圍。因此，本發明之權利保護範圍應如後述之申請專利範圍所列。 42 200832495 【圖式簡單說明】 第1A圖顯示本波長轉換結構之一實施態樣之示意圖； 第1B圖顯示本波長轉換結構另一實施態樣之示意圖，其中，所 含之基材為一複合層； 第1C圖顯示本波長轉換結構又一實施態樣之示意圖，其中，所 含之基材係一光學增進結構； 第2A圖顯示應用波長轉換結構之發光模組； 第2B圖顯示可用於本揭露之發光模組之框體中之光源固定座 f 之示意圖； 第3A及3B圖顯示應用本揭露之發光模組之混光態樣； 第4A至4C圖顯示一具有紫外光波長阻絕塗層之發光模組實施 態樣； 第5圖顯示於發光模組之框體内側壁設置一保護層之示意圖； 第6圖顯示一應用波長轉換結構之側光式背光模組實施態樣示 意圖； 第7圖顯示一應用波長轉換結構之直下式背光模組實施態樣之 不意圖， 第8圖顯示一傳統直下式背光模組之示意圖； 第9A至12C圖顯示具有各式固定裝置之背光模組實施態樣示意 圖； 第13A圖顯示實例1 UVc模組之原始光源光譜； 第13B圖顯示第13A圖UVc模組經由本波長轉換結構所發出光 源之光譜； 43 200832495 第14圖顯示實施例2所得樣品於UVc照射3400小時後之色座 標及亮度變化； 第15A圖顯示實施例6所得未設置紫外光波長阻絕塗層之光譜 圖， 第15B圖顯示實施例6所得設有紫外光波長阻絕塗層之光譜圖； 第16A圖顯示實施例7所得未設置紫外光波長阻絕塗層之光譜 圖；以及 第16B圖顯示實施例7所得設有紫外光波長阻絕塗層之光譜圖。 【主要元件符號說明】 20、30、32、40 :發光模組 60、70、80、90、100、110、120 :背光模組 6 卜 8 卜 9 卜 1(H、101a、101b、11 卜 111a、111b、12 卜 121a、 201、301、321、401、501、701 :框體 63、83、95、105、115、125、203、303、403、503、703、3231、 3233 :光源 _ 65、93、102、103、104、106、113、123、205、305、325、405、 705 :波長轉換結構 85、707 :光學膜片 2075、87 :支撐柱 505 :保護層 671 :擴散膜 673 :稜鏡片 675 :導光板 200832495 679 :反射片 91 卜 101 卜 1 11 卜 121卜 201卜 4011 :開口 307、93卜 1023、103卜 1043、1063、113卜 123卜 205卜 3051、 3251、4051、7051 :波長轉換塗層 933、102卜 1033、104卜 106卜 1133、1233、2053、3053、3253、 4053、7053 ··基材 971、975 :第一框架 973、977 :第二框架 〇 979、981、983、1271 :框架 1045 :透明膜層 1047 :透明薄片 1049 :高分子感壓膠 1071、1075、1079、1081、1171、1175、1177、1275 :第一元 件 1073、1077、1173 ··第二元件 1 1273 :彈性件 2013、3013、3213、4013 :密閉空間 4055 :紫外光波長阻絕塗層 207 :光源固定座 2071 :背板 2073 :燈管固定架 45