TW200832447A - Electron beam irradiation device - Google Patents

Electron beam irradiation device Download PDF

Info

Publication number
TW200832447A
TW200832447A TW96143214A TW96143214A TW200832447A TW 200832447 A TW200832447 A TW 200832447A TW 96143214 A TW96143214 A TW 96143214A TW 96143214 A TW96143214 A TW 96143214A TW 200832447 A TW200832447 A TW 200832447A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electron beam
electron
substrate
vacuum chamber
beam transmitting
Prior art date
Application number
TW96143214A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Matsumura
Original Assignee
Hamamatsu Photonics Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics Kk filed Critical Hamamatsu Photonics Kk
Publication of TW200832447A publication Critical patent/TW200832447A/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00Irradiation devices
    • G21K5/04Irradiation devices with beam-forming means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J33/00Discharge tubes with provision for emergence of electrons or ions from the vessel; Lenard tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06Electron sources; Electron guns
    • H01J37/065Construction of guns or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045Diaphragms
    • H01J2237/0451Diaphragms with fixed aperture
    • H01J2237/0453Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/063Electron sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/16Vessels
    • H01J2237/164Particle-permeable windows

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

200832447 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於電子射線照射裝置。 【先前技術】 > 作爲以往的電子射線照射裝置,存在有下述裝置,即 ,具備有:形成有電子射線通過孔之真空室;設置於真空 Φ 室的一端側,射出電子射線之電子槍;及設置於真空室的 另一端側,具有複數個電子射線透過構件之電子射線透過 單元者(參照例如專利文獻1 )。由於這種的電子射線照 射裝置是使由電子槍所射出之電子射線偏向成依次透過所 有的電子射線透過構件,故,對欲照射電子射線之區域爲 較廣的情況特別有效。再者’在電子射線透過單元設置複 數個電子射線透過構件,這是有鑑於電子射線透過構件一 般爲由鈹等所構成之厚度1〇#ηι左右的薄膜’容易破損之 φ 情事,將各電子射線透過構件予以小面積化’用以防止電 子射線透過構件的破損產生之故。 ^ 〔專利文獻1〕日本特開2004-23 9920號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 但,在上述這種的電子射線照射裝置’存在有下述問 題。即,當由電子槍所射出的電子射線偏向成依次透過所 有的電子射線透過構件時,在電子射線透過單元’不僅電 -4- 200832447 子射線透過構件,對相鄰的電子射線透過構件間的框架部 分亦會照射電子射線。因此,相鄰的電子射線透過構件間 的框架部分會發熱,最壞的情況,會產生熔融之虞。 因此,本發明有鑑於這種的事情而開發完成的發明, 其目的在於提供,針對電子射線透過單元,能夠抑制相鄰 的電子射線透過構件間的框架部分發熱之電子射線照射裝 置。 爲了達到上述目的,本發明之電子射線照射裝置,其 特徵爲:具備有:形成有電子射線通過孔的真空室;設置 於真空室的一端側,射出電子射線之電子槍;設置於真空 室的另一端側,具有排列於預定方向之複數個電子射線透 過構件的電子射線透過單元;將由電子槍射出並通過電子 射線通過孔的電子射線予以集束之集束手段;使藉由集束 手段所集束並通過電子射線通過孔之電子射線朝預定方向 偏向的偏向手段;及以在電子射線透過單兀’比起對電子 射線透過構件照射電子射線之時間,對相鄰的電子射線透 過構件間的框架部分照射電子射線之時間變短的方式,控 制偏向手段之控制手段。 在此電子射線照射裝置,由電子槍所射出的電子射線 在通過電子射線通過孔之際,受到集束手段所集束,對具 有排列於預定方向之複數個電子射線透過構件的電子射線 透過單元進行照射。此時,藉由集束手段所集束並通過電 子射線通過孔之電子射線是以在電子射線透過單元,比起 對電子射線透過構件照射電子射線之時間,對相鄰的電子 -5- 200832447 射線透過構件間的框架部分照射電子射線之時間變短的方 式’藉由偏向手段及控制手段朝預定方向偏向。因此,經 由各電子射線透過構件,可將電子射線確實地射出至外部 .,並且,在電子射線透過單元,能夠抑制相鄰的電子射線 透過構件間的框架部分發熱。 在本發明之電子射線照射裝置,集束手段是以照射於 電子射線透過構件之電子射線的像成爲包含於電子射線透 φ 過構件之大小的方式,將電子射線予以集束爲佳。藉此, 在電子射線透過單元,可更進一步抑制因對相鄰的電子射 線透過構件間的框架部分照射電子射線造成該部分之發熱 〇 在本發明之電子射線照射裝置,電子射線透過單元具 有在另一端面安裝有電子射線透過構件之基板,在基板, 於與電子射線透過構件相對向的部分,形成有開口,在基 板的一端面,於與電子射線通過孔的另一端相對向的部分 • ,形成有凹部爲佳。在此情況,在基板中之與電子射線通 過孔的另一端相對向的部分的厚度是形成爲較在基板中之 安裝於真空室的部分的厚度薄。藉此,可維持基板與真空 室之安裝強度,並且,在電子射線通過基板的開口而朝向 電子射線透過構件之際,可抑制電子射線照射到基板造成 基板發熱。且,在基板中之與電子射線通過孔的另一端相 對向的部分靠近真空室的外部側。藉此’可將熱有效率地 由基板放出至真空室的外部。 在本發明之電子射線照射裝置’開口之至少基板的一 -6- 200832447 端面側的部分是呈朝基板的一端面側末端變廣的形狀爲佳 。_此,;^電子射線通過基板的開口而朝向電子射線透過 構件之際,可更進一步抑制^電子射線/照射到基板造成€板 發熱。 在本發明之電子射線照射裝置’基板是由黃銅所1構成 爲佳。由於黃銅的熱傳導率高’故即使電子射線照射到基 板的一部分,熱也容易擴散至基板全體。因此’能夠防止 被照射到電子射線之基板的一部分熔融之情況產生。再者 ,在基板由黃銅所構成的情況’比起基板由例如銘所構成 之情況,可提高基板的強度。 在本發明之電子射線照射裝置’基板對真空室可自由 裝卸,電子射線透過構件對基板可自由裝卸爲佳。藉此, 在例如1個的電子射線透過構件破損的情況’能夠由真空 室取下電子射線透過單元’再將新的電子射線透過單元安 裝於真空室。又,在由真空室所取下之電子射線透過單元 ,可將已破損的電子射線透過構件由基板取下,再安裝新 的電子射線透過構件。 〔發明效果〕 若根據本發明的話,在電子射線透過單元,能夠抑制 相鄰的電子射線透過構件間的框架部分發熱。 【實施方式】 以下,參照圖面詳細說明關於本發明之電子射線照射 200832447 裝置的理想實施形態。 如圖1所示,電子射線照射裝置1具有:形成電子射 線通過孔2之真空室3 ;以封住電子射線通過孔2的後端 (一端)2a的方式,氣密地安裝於真空室3的電子槍10 :及以封住電子射線通過孔2的前端(另一端)2b的方式 ,氣密地安裝於真空室3的電子射線透過單元20。電子槍 1 〇是將由陰極1 1所放出的電子射線EB朝Z軸方向射出 。由電子槍1 〇所射出的電子射線EB朝電子射線透過單元 20通過電子射線通過孔2。電子射線透過單元20具有排 列於Y軸方向(預定方向)之複數(在此爲5個)的電子 射線透過構件21。再者,將藉由電子射線照射裝置1照射 電子射線EB之側稱爲前側,將其相反側稱爲後側。 由於這種的電子射線照射裝置1是朝Y軸方向偏向, 使得由電子槍1 〇所射出的電子射線EB依次透過所有的電 子射線透過構件2 1 ’故,對欲照射電子射線EB之區域爲 較廣的情況特別有效。例如電子射線照射裝置1是在氮等 的鈍氣中,對流動於線上之照射對象物,照射電子射線 EB,使用於進行照射對象物的乾燥、殺菌、表面改質等。 真空室3具有:安裝有電子槍1〇之真空室3l;及安 裝有電子射線透過單元20之真空室32。真空室3ι是藉由 金屬形成爲圓柱狀。真空室3 i所形成的電子射線通過孔 2 i的剖面爲圓形,電子射線通過孔21呈前側的小徑部與 後側的大徑部相連接之形狀。另外,真空室3 2是藉由金 屬形成爲梯形板狀。真空室3 2所形成的電子射線通過孔 -8 - 200832447 22的剖面是以Y軸方向作爲長邊方向之長方形,電子射線 通過孔22是呈朝向前側,僅在γ軸方向末端變廣之形狀 〇 在真空室32的後端部,設有藉由金屬形成爲圓板狀 之突緣4,突緣4的後面與真空室31的前端面接觸。真空 室32對真空室31,可自由旋轉於ζ軸周圍,藉由貫通突 緣4之螺栓5,以期望的角度固定於真空室31。 φ 在真空室3 1,以夾持電子射線通過孔21的小徑部而 成對的方式,配置有調正線圈及集束線圈(集束手段 )62。由電子槍10射出並通過電子射線通過孔2之電子 射線EB,藉由調正線圏6 i,修正電子槍部1 〇或構成電子 射線EB的通過路徑之各構件的機械性中心的偏移,或各 構成構件的殘留磁性及設置場所周邊的磁場等的影響之電 子射線EB對期望的通過路徑(電子射線通過孔2 i的中心 軸)的偏移後,藉由集束線圈62將其對電子射線透過構 φ 件2集束。又,在突緣4的前面,配置有偏向線圈(偏向 手段)7。受到集束線圈62所集束並通過電子射線通過孔 2之電子射線EB是藉由偏向線圏7朝Y軸方向偏向。 '在真空室3 i,形成有將電子射線通過孔2 1與真空泵 (未圖示)連接之排氣管8。藉此,真空室3內(即,電 子射線通過孔2 )被真空吸引。又’電子射線照射裝置1 具備有控制其全體之控制部(控制手段)9。 電子槍10具有:藉由金屬形成長方體狀的外殼12 ; 絕緣塊1 3 ;及高耐壓型連接器1 4。 -9 - 200832447 外殼12氣密地固定於真空室3l的後端部。在外殻12 的前壁,設有連通外殼丨2內與真空室31內之開口 12a。 又,在外殼12的側壁’設有用來安裝連接器14之開口 12b。在開口 12b周圍的外殼12的內面’設有凹凸部分, 確保與絕緣塊1 3之結合強度。 絕緣塊1 3是由絕緣性材料(例如環氧樹脂等)所構 成,將由連接器1 4朝陰極1 1之電力供給路徑由外部予以 φ 絕緣。絕緣塊13具有被收容於外殼12內之基部13a;及 由基部13a通過開口 12a而朝電子射線通過孔21的大徑部 內突出,在Z軸方向,前端部與電子射線通過孔2 i的小 徑部的後端相對向的突出部13b。基部13a佔有外殼12的 內部空間的大部分,並與外殼1 2的開口 1 2a側及開口 1 2b 側的內面接觸。又,在基部1 3 a未與外殼1 2的內面接觸 之部分,貼附有由導電性材料所構成的薄膜1 5,藉由薄膜 1 5與作爲接地電位之外殼1 2電性連接,能夠將面對外殼 • 12的內面之絕緣塊1 3的表面電位作爲接地電位,可使 動作時的穩定性提昇。 連接器1 4爲用來由電子射線照射裝置1的外部的電 源裝置對陰極1 1更供給高電壓之構件。連接器1 4被插入 至外殼1 2的側壁之開口 1 2b,在連接器1 4的前端位於絕 緣塊1 3的中心附近之狀態下,埋沒並固定於絕緣塊7中 °在連接器14的前端部的外周面設有凹凸部分,確保與 絕緣塊1 3之結合強度。 在連接器1 4的基端部,設有供用來保持與電源裝置 -10- 200832447 連接的外部配線的前端之電源用插頭插入的插入口 14a ° 又,在連接器14的前端,設有1對內部配線16、16。內 部配線1 6、1 6由連接器1 4的前端朝基部1 3 a的中心延伸 ,並且,在基部13a的中心折彎而延伸至突出部13b的前 端部。在內部配線16、16,連接有埋沒於突出部13b的前 端部之插座31、31,在插座31、31,於由突出部13b的 前端面突出的前端部,結合有掛設著陰極1 1之供電用銷 32、32。再者,供電用銷32、32貫通配置於突出部13b 的前端面上之陶瓷板33,而藉由軟焊等固定於陶瓷板33 陰極1 1爲放出成爲電子射線EB之電子的薄板狀構件 。即,陰極1 1是藉由與使用於放出電子射線EB之電源裝 置不同的其他的加熱用電源裝置,經由內部配線1 6、1 6、 插座31、31及供電用銷32、32,通電加熱至電子放出部 1 1 a (參照圖2 )可放出電子之溫度。然後,陰極1 1利用 以電源裝置,對內部配線1 6的一方施加高電壓,來放出 成爲電子射線EB之電子。在陰極1 1的周圍,設有所謂栅 極之中間電極1 7。中間電極1 7藉由施加預定電壓,引出 由陰極1 1所放出的電子,產生將電子射線EB予以集束之 電場。再者,在對中間電極1 7之預定電壓施加,使內部 配線1 6任一方與在突出部1 3b的前端附近電性連接,簡 單地對中間電極1 7賦予與陰極1 1相同的電位,亦可與內 部配線1 6、1 6同樣地由連接器1 4設置內部配線。藉此, 電子射線EB由電子槍1 〇朝Z軸方向前側被射出。 -11 - 200832447 如圖2,3所示,在突出部1 3 b的前端面,配置有供 電用銷32、32貫通並固定用之陶瓷板33。在陶瓷板33上 ,配置有包圍供電用銷3 2、3 2的前端部之包圍構件1 8, 在包圍構件18的前端面,配置有覆蓋封住包圍構件18的 開口的前端之薄板狀的蓋構件1 9。包圍構件1 8及蓋構件 19是由金屬所構成,並與中間電極17接觸。藉此,包圍 構件1 8及蓋構件1 9成爲與中間電極1 7相同電位。再者 ,陰極1 1、包圍構件1 8、蓋構件1 9、供電用銷3 2、3 2及 陶瓷板33被一體地單元化。因此,在進行陰極11更換之 際,可與針對此單元進行更換。因此,不需要進行陰極n 對蓋構件19之定位等的等的煩雑調整,可容易更換陰極 11° 陰極11藉由高融點金屬(例如鎢、鉬、銶、鈮、鉅 、氧化钍等)或合金(例如在鎢混合有氧化钍之鍍钍鎢等 )形成薄板狀,具有面臨設置於蓋構件1 9之長方形孔1 9a 之長方形狀的電子放出部11a。孔19a是設置成當由Z軸 方向觀看時包含電子放出部11a的前面。又,其形狀爲電 子放出部1 1 a的前面之相似形,在孔1 9a的緣部與電子放 出部1 1 a的前面的緣部不接觸之範圍內,其間隔變窄。在 電子放出部1 1 a的後側,被支承於一方的供電用銷3 2之 反射板1 1 b與電子放出部1 1 a隔著0 · 5 m m〜1 · 5 m m的間隔 被配置著。又,由於電子放出部11a的前面與蓋構件19 的前面位置大致相同平面上,藉由中間電極17所產生的 電場會同等地作用於電子放出部1 1 a的前面,由電子放出 -12- 200832447 部11a的前面,電子大致均等被放出。再者,由電 部11a所放出的電子中,來自於電子放出部11a的 電子是直接朝Z軸方向前側被放出。另外,由電子 1 1 a的後面及側面亦放出電子,但,在這些電子中 其進行方向大幅擴大者不會通過孔1 9a而被蓋構件 遮斷,故藉由抑制所放出的電子之無刻意的擴展, 持電子射線EB的形狀。又,反射板1 1 b將由電子 1 1 a的後面所放出的電子的一部分朝Z軸方向側反 步該一部分由孔19a與電子放出部11a的隙間朝Z 側被放出。因此,特別是在需要取出大電流的用途 需要加以配置。 如圖4〜6所示,電子射線透過單元20具有藉 形成長方形板狀之基板22。基板22以後端面(一 22a接触的方式,經由Ο形環23氣密地安裝於真 的前端面。在基板22的前端面(另一端面)22b, 電子射線透過構件2 1之框構件2 4經由Ο形環2 5 地安裝著。基板22藉由螺栓26,對真空室32可自 ,電子射線透過構件2 1藉由螺栓27,對基板22可 卸。 電子射線透過構件2 1可保持氣密,且藉由具 射線EB的可透過性之材料(例如鈹、鈦、鋁等) 方形薄膜狀。框構件24是藉由金屬(例如不銹鋼 成長方形環狀。電子射線透過構件21是以覆蓋封 件24的開口的前端之方式,藉由例如軟焊等氣密 子放出 前面之 放出部 ,由於 19所 能夠保 放出部 射進一 軸方向 ,因應 由黃銅 端面) 空室3: 固定有 被氣密 由裝卸 自由裝 有電子 形成長 等)形 住框構 地固定 -13- 200832447 於框構件24的前端面,電子射線透過構件2 1的電子射線 透過部21a是由Z軸方向觀看時,成爲以γ軸方向作爲長 邊方向之長方形。再者,由Z軸方向觀看時,陰極11的 電子放出部11a的形狀與電子射線透過部21a的形狀是處 於相互大致相似的關係。 在基板22,於與各電子射線透過構件2 1相對向的部 分,形成有剖面爲長方形狀的開口 22c,各開口 22c呈朝 φ 基板22的後端面22a側,末端變廣之形狀。在基板22的 後端面22a,於與電子射線通過孔2的前端2b相對向的部 分,形成有剖面呈長方形狀的凹部22d。 說明關於以上所構成的電子射線照射裝置1的動作。 當經由排氣管8,藉由真空泵將真空室3內(即,電 子射線通過孔2 )予以真空吸引,再經由內部配線1 6、1 6 、插座31、31及供電用銷32、32,藉由電源裝置對陰極 11施加高電壓時,由陰極11的電子放出部11a放出電子 φ 。由電子放出部11a被放出的電子藉由孔19a及反射板 11b朝Z軸方向前側被放出,再利用以中間電極17所產 生之電場予以加速及集束,使電子射線EB由電子槍1 0朝 Z軸方向前側被射出。 由電子槍1 〇射出並通過電子射線通過孔2之電子射 線EB藉由調正線圈6!進行中心軸的修正後,藉由集束線 圈62將其對電子射線透過構件2集束。此時,如圖7所 示,藉由控制部9控制集束線圈62,使得被照射於電子射 線透過構件2 1之電子射線EB的像’由Z軸方向觀看時成 -14- 200832447 爲與電子射線透過部2 1 a的形狀大致相同。 受到集束線圈6 2所集束並通過電子射線通過孔2之 電子射線EB是藉由偏向線圈7朝Y軸方向偏向。即,受 到集束線圈62所集束並通過電子射線通過孔2之電子射 線EB的中心軸沿著Y軸方向呈線狀反復變化。此時,在 電子射線透過單元20,藉由控制部9控制偏向線圈7 ’使 得比起對電子射線透過構件2 1照射電子射線EB之時間, φ 對相鄰的電子射線透過構件2 1、2 1間的框架部分20a照 射電子射線EB之時間變短。這種的控制是可利用控制部 9使電流値呈例如階段狀改變之電流流動於偏向線圈7來 達到的。 藉由偏向線圈7所朝朝Y軸方向偏向之電子射線EB 依次透過各電子射線透過部2 1 a而朝外部被射出。被射出 到外部的電子射線EB是在氮等的鈍氣中,對流動於線上 之照射對象物進行照射’進行照射對象物的乾燥、殺菌、 φ 表面改質等。 如以上説明,在電子射線照射裝置1,由電子槍1 〇所 射出的電子射線EB在通過電子射線通過孔2之際,受到 集束線圈62所集束並對具有排列於Y軸方向的複數個電 子射線透過構件2 1之電子射線透過單元20進行照射。此 時,受到集束線圈62所集束並通過電子射線通過孔2之 電子射線EB,以在電子射線透過單元20,比起對電子射 線透過構件2 1照射電子射線EB之時間,對相鄰的電子射 線透過構件21、21間的框架部分20a照射電子射線EB之 -15- 200832447 時間變短的方式,藉由偏向線圈7及控制邰9朝Y軸方向 偏向。因此,可經由各電子射線透過構件2 1將電子射線 ΕΒ確實地射出至外部,並且’在電子射線透過單元2 0, 可抑制相鄰的電子射線透過構件2 1、2 1間的框架部分20a 發熱。 又,在電子射線照射裝置由電子槍射出並通過 電子射線通過孔2之電子射線EB,以照射於電子射線透 過構件2 1之電子射線EB的像在Z軸方向與電子射線透過 部2 1 a的形狀大致成爲相同的方式,受到集束線圈62及 控制部9所集束。藉此,在電子射線透過單元20,可更進 一步地抑制電子射線EB照射至相鄰的電子射線透過構件 21、21間的框架部分20a造成該部分的發熱,在各電子射 線透過構件2 1,能夠將由電子射線透過部2 1 a設出至外部 之電子射線量均等化。又,因藉由將電子射線透過部21a 之電子射線EB的形狀做成長方形,可縮小昂貴且容易破 損的電子射線透過部2 1 a的X方向的寬度,所以,可一倂 達到裝置的低價格化與輸出窗的長壽命化。 又,在電子射線照射裝置1,在基板22的後端面22a ,於與電子射線通過孔2的前端2b相對向的部分,形成 有剖面呈長方形狀的凹部2 2d。在此情況,在基板22之與 電子射線通過孔2的前端2b相對向的部分的厚度形成爲 較在基板22之安裝於真空室32的部分的厚度薄。藉此, 可維持基板22與真空室32之安裝強度,並且,再電子射 線EB通過基板22的開口 22c朝向電子射線透過構件21 -16- 200832447 之際’可抑制電子射線EB照射到基板22造成基板22發 熱。且’在基板2 2之與電子射線通過孔2的前端2 b相對 向的部分是偏靠真空室3 2的外部側。藉此,可有效率地 將熱由基板22朝真空室32的外部放出。 又,在電子射線照射裝置1,基板22的各開口 22c是 呈朝基板22的後端面22a側,末端變廣之形狀。藉此, 在電子射線EB通過基板22的開口 22c朝向電子射線透過 φ 構件2 1之際,可更進一步地抑制電子射線EB照射到基板 22造成基板22發熱。 又,在電子射線照射裝置1,基板22是藉由黃銅形成 長方形板狀。由於黃銅的熱傳導率高,故,即使電子射線 EB照射到基板22的一部分,熱也容易擴散至基板22全 體。因此,可防止被照射到電子射線EB之基板22的一部 分熔融的情況產生。且,比起基板22由例如鋁所構成之 情況,可更提高基板22的強度。 • 又,在電子射線照射裝置1,基板22藉由螺栓26, 對真空室3 2可自由裝卸,電子射線透過構件2 1藉由螺栓 27,對基板22可自由裝卸。藉此,例如1個的電子射線 ~ 透過構件2 1破損的情況,可將電子射線透過單元20由真 空室32取下後,立即將新的電子射線透過單元20再安裝 至真空室32。又,在由真空室32所取下之電子射線透過 單元20,可將已破損的電子射線透過構件21由基板22取 下,再安裝新的電子射線透過構件21。 -17- 200832447 〔.産業上的利用可能性〕 若根據本發明的話,在電子射線透過單元,能夠抑制 相鄰的電子射線透過構件間的框架部分發熱。 【圖式簡單說明】 圖1是本發明的電子射線照射裝置的一實施形態的縱 斷面圖。 圖2是圖1的陰極周邊的放大縱斷面圖。 圖3是圖1的陰極周邊的放大平面圖。 圖4是圖1的電子射線透過單元周邊的放大縱斷面圖 〇 圖5是沿著圖4的V-V線的斷面圖。 圖6是圖1的電子射線透過單元周邊的放大平面圖。 圖7是顯示照射於電子射線透過構件之電子射線的像 與電子射線透過部的形狀之關係的圖。 【主要元件符號説明】 1 :電子射線照射裝置 2,,22 :電子射線通過孔 2a :電子射線通過孔的後端(一端) 2b :電子射線通過孔的前端(另一端) 3,31,3 2 :真空室 62 :集束線圈(集束手段) 7 :偏向線圈(偏向手段) -18- 200832447 9 :控制部(控制手段) 1 〇 :電子槍 20 :電子射線透過單元 20a :框架部分 2 1 :電子射線透過構件 2 1 a :電子射線透過部 22 :基板 22a :基板的後端面(一端面) 2 2b :基板的前端面(另一端面) 22c :基板的開口 22d :基板的凹部 EB :電子射線
-19-

Claims (1)

  1. 200832447 十、申請專利範圍 1. 一種電子射線照射裝置,其特徵爲: 具備有: 形成有電子射線通過孔的真空室; 設置於前述真空室的一端側,用來射出電子射線之電 子槍; 設置於前述真空室的另一端側,具有排列於預定方向 φ 之複數個電子射線透過構件的電子射線透過單元; 將由前述電子槍射出並通過前述電子射線通過孔之前 述電子射線予以集束的集束手段; 將受到前述集束手段所集束並通過前述電子射線通過 孔之前述電子射線朝前述預定方向偏向之偏向手段;及 以在前述電子射線透過單元,比起對前述電子射線透 過構件照射前述電子射線的時間,對相鄰的前述電子射線 透過構件間的框架部分照射前述電子射線之時間變短的方 φ 式,控制前述偏向手段之控制手段。 2. 如申請專利範圍第1項之電子射線照射裝置,其 中,前述集束手段,將前述電.子射線予以集束成:照射到 前述電子射線透過構件之前述電子射線的像成爲含於前述 電子射線透過構件之大小。 3. 如申請專利範圍第1項之電子射線照射裝置,其 中,前述電子射線透過單元,具有在另一端面安裝有前述 電子射線透過構件之基板, 在前述基板,於與前述電子射線透過構件相對向的部 -20- 200832447 分,形成有開口, 在前述基板的一端面,於與前述電子射線通過孔的另 一端相對向的部分’形成有凹部。 4 ·如申請專利範圍第3項之電子射線照射裝置,其 中,前述開口之至少前述基板的一端面側的部分,呈朝前 述基板的一端面側末端變廣的形狀。 5. 如申請專利範圍第3項之電子射線照射裝置,其 中,前述基板是由黃銅所構成。 6. 如申請專利範圍第3項之電子射線照射裝置,其 中,前述基板是對前述真空室’可自由裝卸 前述電子射線透過構件是對前述基板’可自由裝卸。
    -21 -
TW96143214A 2006-11-24 2007-11-15 Electron beam irradiation device TW200832447A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006317516A JP2008128977A (ja) 2006-11-24 2006-11-24 電子線照射装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200832447A true TW200832447A (en) 2008-08-01

Family

ID=39429604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96143214A TW200832447A (en) 2006-11-24 2007-11-15 Electron beam irradiation device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2008128977A (zh)
TW (1) TW200832447A (zh)
WO (1) WO2008062666A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010032495A (ja) * 2008-06-27 2010-02-12 Rigaku Corp ガスフロー型比例計数管
SE533567C2 (sv) 2009-03-11 2010-10-26 Tetra Laval Holdings & Finance Förfarande för montering av ett fönster för utgående elektroner och en fönsterenhet för utgående elektroner
JP5829542B2 (ja) * 2012-02-08 2015-12-09 浜松ホトニクス株式会社 電子線照射装置及び電子線透過ユニット
JP6068693B1 (ja) 2016-01-08 2017-01-25 浜松ホトニクス株式会社 電子線照射装置
JP6139771B1 (ja) * 2016-12-22 2017-05-31 浜松ホトニクス株式会社 電子線照射装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5557163A (en) * 1994-07-22 1996-09-17 American International Technologies, Inc. Multiple window electron gun providing redundant scan paths for an electron beam
JP3693072B2 (ja) * 1996-01-30 2005-09-07 岩崎電気株式会社 電子線照射装置
JPH10227899A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Nikon Corp 破壊検知器付きx線透過窓
JP2001056400A (ja) * 1999-08-18 2001-02-27 Toshiba Corp 電子線照射装置
JP3896809B2 (ja) * 2001-06-25 2007-03-22 株式会社Nhvコーポレーション 電子線照射装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008062666A1 (fr) 2008-05-29
JP2008128977A (ja) 2008-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1096543B1 (en) X-ray tube
US9036788B2 (en) Radiation generating apparatus and radiation imaging apparatus
US20140203183A1 (en) Radiation generating tube, and radiation generating device and apparatus including the tube
JP6388387B2 (ja) X線管
TW200832447A (en) Electron beam irradiation device
JP5810210B2 (ja) 金属化セラミックプレート及び同金属化セラミックプレートを含むx線管
US20190027335A1 (en) Electron gun
JP4230565B2 (ja) X線管
TW202119451A (zh) X光管
US10969291B1 (en) Ionization gauge and cartridge
JP2009009794A (ja) X線管装置
JP3965156B2 (ja) ガス放電管
US10916402B2 (en) Electron beam irradiation device and electron beam irradiation method
JP2004207053A (ja) X線管
TW200832446A (en) Electron beam irradiating device
JP2007287501A (ja) 透過型x線管
JP2011216303A (ja) X線源及びx線源の製造方法
JP2005228696A (ja) 固定陽極x線管
KR20210017134A (ko) 전자빔 발생장치
JP4230016B2 (ja) X線管
KR20160102748A (ko) 전계 방출 엑스선 소스 장치
JP2002025484A (ja) マイクロフォーカスx線発生装置
TW200931486A (en) Electron beam source, electron beam irradiator and x-ray tube employing the electron beam source, x-ray irradiator in which the x-ray tube is arranged, and method for manufacturing electron beam source
JP6262161B2 (ja) X線管
JP4620034B2 (ja) 電子線照射装置