TW200830462A - Method for making an integrated circuit having a via hole - Google Patents

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200830462 九、發明說明： 【相關申請案交互參考】 此發明專利申請案申請在此併入參考，2007年1月4 曰提出申請之德國專利申請案第DE !〇 2〇〇7 〇〇1 13〇丨號。 【背景】 ~ ^具通孔之半導體的積體電路，也就是兩層表面間之電 Ο

氣接點，係用於各技術領域中。例如，三維積體記憶 置領域中，係使用通孔彼此連接個別記憶體晶片。因鈍化 及填充導電物質之通孔的A長寬“增加通孔的製造需 求再者電通孔可元成複數技術參數，如電阻，電容及 電導可能很小。針對此及其他原因，需要本。 【實施方式】 以下詳細說明中，係參考形成於此部分，且可藉由可 實财發明制特定實施例制的_。關於此點，曰如，，頂 底部正面’’，，，背面，，，”前導，，，”尾部，，等方向性 名詞，係參考綱圖式躺使用。因為可以若干不同指向 ，置本發明實_組件，所_方向性名詞制於說明且 $限制。應了解可使用其他實施例，且不㈣離 補即可改_構或·。因此，不關町詳細說明， 且由附帶申請專利範圍定義本發明範圍。 本發日牌補可提供雜電路及具通孔频電路製造 =雷:實施例可於第-處理中製造電氣接點。接著 ^電錢點謂後配㈣層。此法巾，可製造具有高長 足比，也就是具有考慮接點直徑長度之長寬㈣電氣接點。 5 200830462 另一實施例中，該接點係由碳製成。 碳 另實知例中’ e亥接點係由如碳管的石炭纖維製 纖維形成係可製造具高歐姆電阻及高絲比的接點。 另:實施例中，該層係包含如碳的半導體物質 由使用簡單技術處理來形成半導體物質層。使用 該層係可進—步整合麵及/或電倾件及魏，如該声中 的體晶片或邏輯晶片。 Ο

G 另一實施例中，矽可外延生長於基板上。 另一實施例中，接點可以製造為碳纖維束形狀。此法 卜可使用-處理技術來製造具良好電子特性的接點。/ 一實施例中，氧化矽層係沉積於基板上。矽層係沉積 於氧化獨上。具有翻用於該接狀—預定區域的凹^ 係被引進該销，藉此該凹祕賴埋人氧切層。可將 觸媒物質引進該凹陷。隨後，機沉積於該觸媒物質上而 製造出該接點。此促成接點良好定義形成。另一實施例中， 觸媒物質可用於形成該碳接點。適當觸媒物質可為如鎳， 鐵或始或其組合。 _ ' 该方法另一實施例中，一絕緣層係沉積於基板及接點 上以絕緣該接點。因此，該絕緣層係從基板表面被移除至 包圍該接點的一外殼表面。此後，該層係沉積於未被覆蓋 基板及該外殼表面上。 可藉由尚溫分解包含碳之氣體來製造破。可藉由如使 用乙稀及水汽來生長碳管。 接點可具有1至5〇〇微米的高度，及10奈米至1〇〇微 6 200830462 米的直徑。 ㈤當㈣形成接點時，另—實施例中的碳管係覆蓋著高 溫分解沉積碳。藉此，礙管之間關_'填充碳。此改盖 接點的電子特性。再者，碳管係機械歡。另-實施例中°， 碳管接點係摻雜電荷載體，因而改善通孔導電率。另一實 施例中，高溫分解沉積碳係摻雜電荷載體。此亦改善通孔 的電子特性。 另-實施财，包含碳管關導錢係形成於基板 上。該礙诚鶴由使用碳層而渗人高溫分解沉積碳。該 導電層隨後被建構人個職點束，藉此該導電層被向下移 除至該接點束。接點束係由_絕緣層包圍，醉導體表面 則無該絕緣層且清除。接點权__躲充半導體 層。此法巾，可料地製造接點，且具有個別幾何。 發明性方法另—實施例中，係提供絕緣層型式，具有 至少-接__-層。係施加該絕緣層至基板，藉此插 入接點至該接觸凹陷。接點之間的間隙係填充—物質。此 ，中，係製造包含—通孔的—層。說明方法可提供無論基 板是否包含接點，均可製造包含接_陷之該層的優點。 因此，各種處理可用來形成該接點及該層。 實知例中，接點及接觸凹陷之間的間隙係填 充一聚合物。 、 ^ 實β例中奴纖維至少部分被高溫分解沉積碳覆 蓋。 " 本矣明貝她例係有關暴露接點形成於一基板上，而 7 200830462

Ο 隨後該接點至少外殼表面被一絕緣層覆蓋的方法。接著， 接點之間的間隙係填充一物質，如半導體物質。此後，電 路被引進該物質，而通孔係以導電方式連接至該電路。隨 後，可以進一步處理移除該基板。藉由使用此程序，可獲 得如包含通孔之半導體物質的薄物質層，其可以進一步處 理從該層兩側電氣接觸。因為相對於傳統方法，由於新程 序並不藉由製造-通孔及填充該通絲製造該通孔，該通 孔可具有高長寬比。此程序巾，t先製造聽該通孔的接 點’ Ik後製造純孔的該層。此法巾，可製造具有較 高長寬比的通孔。製造_，可使用各種導電物質。一實 施例中，可以如碳f的碳來製造該I點。碳奈米管亦可用 於此。相對於金屬，所使用之物纽方法亦可促成如通常 用於半導體技術的高溫進一步處理。 第1A至F圖說明第一製造處理的各種處理。第ia圖 之第-處理中，係提供-基板i。一絕緣層2係沉積於基 板1上。基板1可為任何種類基板，如梦晶圓形狀的石夕。 絕緣層2可由如氧切或氮切的各種物質建構。觸媒声 係沉積於獨立基本區域3中的絕緣層2上。鐵， 當作觸媒。該層可具有如0.5奈米的厚度。纟於基本區域3 的安置及雜，财蚁接點4的安置及横斷面區域 氣接點4係軸於觸舰域上。針對此，可使用 成處理及各種導電㈣。例如，碳可藉由解汽相沉^ (㈣)處職長為如單鮮❹鮮的纖維或管形狀 壁管例中，該管直徑介於〇.4奈米及5奈米 8 200830462 中，該管直徑介於！奈米及觸奈米之間，所以可參 =示米管。藉此，複數管係形成於基本區域3上。碳可 Ο

使：Γ，氬或氧及氫或水汽的化學汽相沉‘處理 長。可於10分鐘内執行該沉積處理。化學汽相沉積處 理中、’可使用具有50公分或更大直徑的石英爐及具有謂 ^刀，度的加魅。伽由氣流形狀之關器來供應水 二。母分鐘1_立方公分氣流，具有気氫("桃)的純 鼠(99.99%)或純氦(99.99%)，係可當作使用水汽之化 沉積處理的周圍氣體。可以1〇分鐘沉積期間，每分鐘10 = 150立方公分乙烤流量，攝氏75〇度的溫度及介於黯 勺=pm之間的水密度來執行該化學汽相沉積處理。可施加 U奈米厚度氧化!呂及丨奈米厚度鐵，可當作觸媒的一 =於包合1奈米至麵奈米厚度之氧切層的—石夕晶圓 y除了 °兒明方法，亦可使用碳纖維束，特別是碳管形狀 點4亦可使用其他導電 至小i第1C圖說明，形成接點4之後，第二絕緣層係覆蓋 ^點=。例如，氧化矽或氮化矽可當作第二絕緣層5。 此，第二絕緣層5僅可直接沉積於接點4。 ^[歹|}中，楚_ 只 層2 絕緣層5係廣大地沉積於接點4表面上及絕緣 _、上此後’第二絕緣層5係從絕緣層2表面上被移除， ;邊際區，藉此維持具有包圍接點4的一外殼層。視選擇 、彳彳而疋，絕緣層2亦可進一步維持被第二絕緣層5覆 9 200830462 蓋。 另一方法處理中，第ID圖係說明其結果，接點4之間 的間隙係填充一層6。層6可由如半導體物質的各種物質 形成。一實施例中，層6可為矽。可以攝氏750至800度 溫度沉積石夕。藉由l〇〇m托(Torr)程序壓力下之7〇SCCm矽烷 流$(SiH4) ’可達成每小時12〇奈米的沉積速率。視使用方 法實施例而定，亦可藉由該沉積層6來覆蓋接點4，且隨 後藉由一移除處理將該接點4暴露於上端區域中，藉此配 置该層ό表面為一平面。藉此，可使用化學機械拋光(CMp) 處理及濕韻刻處理。可藉由攝氏1〇〇〇至12〇〇度範圍的熱 處理來進一步改善該半導體物質品質。 最後’如第1D圖說明，包含接點4形狀之通孔的層6 係可用於進一步處理及/或應用。 一實施例中，如第1E圖說明，電路7係併入層6或在 其上’该電路係與接點4電氣連接。例如，該電路可為各 種類型’如ASIC(特定應用積體電路)電路的積體電路，或 資料處理電路，或特別是DRAM記憶體電路或快閃記憶體 電路的記憶體電路。該記憶體電路亦可以自旋效應 或相位改變(PCRAM)或電阻組件(CBRAM，氧化物)為基 礎，以儲存或處理資料。電路7亦可被操作為簡單電導體， 如用於感應器或微機械應用，特別是奈米機械應用。電路 7可經由連接線23連接至接點4，其可以導電方式附著至 層6上表面及/或可併入層6。第1E至！7圖中，係以平行線 方式說明層6的上區域，以便說明製造電路7所需的層6 200830462 進一步處理。 、進一步處理時，基板1及絕緣層2可如第1F圖說明地 被移除。4 了移除基板1及/或絕緣層2，射使用如已知 化學機械拋光處理，濕侧，水賴或研雜術。 α 第2Α至Ε圖說明形成包含至少一通孔之層6的另— =法。第2Α圖說明包含一絕緣層2的—基板1。絕緣層: 覆盍基板1的表面。絕緣層2可以如氧化砍的氧化物型^。 較深層8係沉積於絕緣層2上。較深層8包含填入觸媒居 10的凹陷9。觸媒層10大致包含較該較深層8為低的—厚 度虽以石夕型式形成練深層8時，可使用光罩顯影處理 及後續侧處理來軸_ 9。藉此，雜深層8係被向 下移除至絕緣層2的表社。例如，觸媒層1()可為圓形或 矩形，且具有10奈米及卿微米之間的—寬度或一直徑。 例如’觸媒表面H)之物質可為錦，鐵秘，或其組合。觸 媒物質可直接或藉由金屬剝離⑽询法__陷9中， 及建構及插入凹陷9中當作觸媒層1〇。 絕緣層2具有10至励奈米的一厚度。同樣地，較深 層8具有10至細奈米的一厚度。例如，觸媒層1〇可具 有〇·5奈米厚度，且包含鎳，鐵或銘。 〃進-步處理中，碳管束係生長於觸媒層1〇上。該束高 度係介於1及500微米之間，如介於丨及1〇〇微米之間。 如第1圖說明，為了沉積碳管，可使用各種方法，如藉由 使用乙稀當作碳源及水汽來沉積該碳。絲，如第2Β圖說 明，可獲得接點4，藉此碳管束可形成各接點4。 π 200830462 進步處理中，接點4表面及較深層8表面係為第二 絕緣層5覆蓋。例如，第二絕緣層5可由氮化石夕及/或氧化 石夕層形成。該沉積第二絕緣層5係涵下移除至外殼表面 5 ’藉此暴露較深層8的部分表面。例如，第二層8的全部 表面係被向下暴露至外殼表面5的基本區域。第二絕緣層 5可藉由回钱被移除。較深層8亦可由結晶石夕層形成。 接著’層6 _成於接點4之間，也狀外殼表面5 之間。-實施例中’層6係被形成為外延沉積石夕層，藉此 可達成每分鐘150至·奈米_生長。例如，以低^外 延處理沉積_ ’係可選擇性藉由使用熱化汽體沉積以超 向真空沉_。此處理中，可以攝氏800度溫度運用乙石夕 烧(Sl2H6)，氫氣及魏於化學汽相沉積反應H中沉積。藉 此產生外延生長⑪層，藉此層生長可轉氏_度溫度及 約24m托(Torr)壓力下達到每分鐘15〇奈米。此處理中，係 使用具有1之最切：氯時的·乙魏，統及氯氣。 可藉由說日貌積技術巍選擇氧切及氮切，低部分氯 壓力可藉此充分销選雛。此法巾，-實關中，層6 可被形成為-外延料。接著，電路7係被引進層6上及/ 或中。第2C圖係說明此處理階段。 進一步處理巾’可藉由域_理來移除基板1及絕 彖層2此法中可獲得_組件層。如第2E圖說明，若 干組件層13可安置於彼此頂部，而獲得組件層13的堆疊 Μ個別、、且，層U可藉由黏著及/或接合技術彼此電氣及 麵連接。藉此，如-或若干組件層13之電氣接點係彼此 12 200830462 ^接。再者，一組層13或若干組件層13的電路可彼此電 氣連接。組件層13可彼此相同或不同。此法中，可製造組 件層13的堆疊14。個別組件層13的接點4可經由電氣層 或直接彼此連接。可於晶圓，晶圓上之晶粒或晶粒上之晶 粒之間執行接合處理。 弟3Α至F圖說明包含製造一通孔之一層$的方法。 第3Α圖說明包含一絕緣層2的一基板1，及包含凹陷9的 一較深層8，觸媒層10併入其中。該安置係依據第2Α圖 製造。 最後’包含碳纖維，特別是碳管的接點4係沉積於觸 媒層10上。接點4可為包含複數碳纖維或碳管的束型式。 碳纖維或碳管係分別依據第1圖解釋的方式來製造。第3Β 圖說明此處理階段。 接著，進一步處理中，碳可以碳層15型式高溫分解配 置於接點4上。藉此，碳纖維或碳管係分別被碳覆蓋。結 果，如碳纖維或碳管之間自由間係可至少部份或完全被填 充。 第3C圖說明沉積該高溫分解碳之後之第3Β圖放大區 段，藉此說明接點4為包含若干碳管20的束形狀，該管之 間間隙係填充高溫分解碳15。該高溫分解沉積碳15可改 善纖維的導電性及機械穩定性。藉此，較深層8亦可被覆 蓋咼溫分解沉積碳層15。碳層15可從較深層8表面被移 除。為了沉積碳，係使用如甲烧或乙快的前導，其可於如 攝氏750度至1200度溫度下高溫分解且以碳型式沉積。該 13 200830462 疊層配置之高密度的一各向 的低沉積溫度下，係形成具 高溫分解沉積碳層可包含具有 異性層結構。攝氏750度範圍 各向異性特性的一層結構。 另一實施财，可—由使用電荷載子摻雜碳層 …可於高溫分解碳期間或沉積碳層15之後接雜。係使用 氮，構，神或删來摻雜。 Ο Ο 沉積，層15 ^後，係施加第二絕緣層5。第二絕緣層 5可包含乳化砍或氧化石夕。第3D圖係說明此處理階段。 ^實施例中，碳層15係從較深層8表面被移除，而 瓶後安置第二絕緣層5。第二絕緣層5係從較深層8表 面被移除至環繞撫4 _職域。最後，包含如石夕之物 質的層6係安置於接點4之間。例如，騎可藉由選擇性， 外延沉積方法安置。此後’電路7係分別安置於層6中或 上1電路7可以導電方式經由安置於層6中或上的連接線 23連接至接點4。第3E圖係說明此處理階段。 _進一步處对’基板1魏緣層2係被移除。此法可 獲付第二組件層6。第3F圖係說明此處理階段。2e 圖中之組件層13的堆414說明，係可藉由 組件層16來製造具有第二組件層16的堆疊吏干弟一 第4圖說明製造包含通孔4之一層6的第四方法 4A圖說明絕緣層2覆蓋的基板i。絕緣層2係被較深声8 覆蓋。較深層8係被觸媒層1G覆蓋。基板i可為如^ 的任何類型基板。絕緣層2係安置於如包含氧化矽= 1上。絕緣層2包含1至⑽奈米的厚度。安置於絕緣= 14 200830462 上之較深層8，可包含矽且如具有10至2〇〇奈米的厚度。 由矽形成之層8表面可被氧化矽層覆蓋，其厚度範圍係介 於〇·5至4奈米之間。安置於較深層8上之觸媒層1〇可具 有〇·2至3奈米的厚度，如0.5奈米。例如，製造觸媒表面 10之物質可為鎳，鐵或鈷。 藉由使用上述方法，包含碳管20之碳層17係生長於 觸媒層10上。碳層17可為碳管2〇的氈。除了碳管2〇之 外，亦可提供碳纖維。藉此，碳管2〇係生長於觸媒層1〇 上且包含達1〇〇微米的長度。石炭管2〇本質上被垂直觸媒 層1〇表面安置。第4Β圖說明此處理階段，以放大區段說 明該碳管。藉由使用第！圖說财法_由碳製程之接點 4來生長包含碳管的該層。包含碳管2〇的碳層17可部分 被，溫分解碳15覆蓋。第4Β圖的放大區段說明高溫分沉 積石反I5之该層至少部分填充碳管2〇之間間隙。視被選擇 實施例而疋，该間隙可完全以高溫分沉積碳填充。 進一步處理中，如第4C圖說明，包含碳管2〇之碳層 17及高溫分解碳15係被建構產生電氣接點4。為了建構， 硬遮罩係麟使用氫，氧或线的各向異性侧處理令。 視被選擇實施伽定，亦可於將碳層17建人碳管如 束後，塗敷高溫分解碳15。 +配置為石屄官20的接點4隨後被第二絕緣層5覆蓋。係 藉由韻科技術將絕緣層5及石夕層1〇上固有的氧化層從石夕層 10之接點4完全移除。藉此，係使用稀釋氟氫酸的濕^ 清潔對該絕緣層隔襯银刻。此後，層6係形成於接點*之 200830462 間。藉此，如可依據上述方法將 電路7係安置於層6中及/或上^為外延石夕層。接著， 方式^ 可使用連接線23以導電 η6連接至接點4。第®圖說明此處理階段。 進一步處理中，基板】及絕緣 說明此處理·。 δ、麵2録移除。第4E圖 Ο

f明的第四組件層24，如第4F圖中說明可 k包3第四組件層24的堆疊14。個別組件層13可藉由 °晶圓黏合的黏合技彳彼此電氣及機械連接。此外，各 第四組件層24的電路7可鱗電方式録接點*彼此連 接0 、第^八至G目說明包含通孔4之一層6的第五製造方 法。如第5A圖說明，係提供包含觸媒層1〇的基板〗。基 板1可具有載體晶圓形狀，具有厚度0·5至4奈米的氧化 矽表面，或絕緣層上覆矽(S0I)形狀，包含具有厚度1〇至 5〇〇奈米的絕緣巾介層及具有厚度〇·5至4奈米的氧化石夕表 面。然而，亦可使用可形成基板的其他物質。觸媒層1〇可 覆蓋基板表面1且可包含鎳，鐵及/或鈷。例如，觸媒層1〇 可具有0.2至1奈米，如〇·5奈米的厚度。 以下處理中，如第4圖說明，包含碳管20之碳層17 係生長於觸媒層10上。如第4圖解釋，碳層π可被高溫 分解碳15覆蓋，也就是滲入。此法中，可機械穩定化碳管 20。再者，可於沉積期間或沉積之後，藉由添加包含硼， 磷’砷之氣體的離子植入或原位摻雜來摻雜高溫分解碳 15。第5B圖說明此處理階段。 16 200830462 此後，包含碳管20的碳層17可被建構產生碳管2〇形 狀的個別接點4。針對此，係使用如蝕刻遮罩及各向異性 蝕刻處理。視被選擇實施例而定，高溫分解碳層15直到接 點4形成之後才被沉積於接點4上，藉此可執行離子植入 及其他摻雜技術。第5C圖說明此處理階段。建構接點4 之後，接點4表面係被絕緣層5覆蓋。第二絕緣層5可包 含氮化石夕或氧化石夕。 第5D圖說明此處理階段。第5D圖說明一部份層，其 被插入包含具接觸凹陷18之一層6的相應成形第二部分層 26。第5E圖說明此處理階段。第二部分層％包含第二基 板19 ’包含具有已整合電路7的一層6。層6内，接觸凹 陷18係依據接點4幾何及安置而形成。如上述，層6可包 含矽或其他物質。組裝期間，接點4係被插入接觸凹陷Μ。 視被選擇實施烟定，接點4可獅人有或無第二絕緣層 5的接觸凹陷18。接觸凹陷18區域中，一導電層3〇係形 成於第二基板19上。導電層3〇係以直接或經由連接線幻 導電方式_接至電路7。第5ESj說明此處理階段。 進步處理中，基板1被移除而獲得第5F圖的安置。 刀別介於電氣接點4及層6，或介於第二絕緣層5及層6 ，間的凹陷，係可填充如聚合物的液體絕緣物質。此後， 第一基板19亦可被移除。再者，可移除仍安置觸媒層π 於其上的接點4上區域。如第5G圖說明，此法可獲得第三 組件層28。 一 可使用傳導層2〇的焊接綱反流焊接處理來連接接 17 200830462 ”、、占4。此法可改善傳導層2〇及接點4之間的電氣接觸。藉 由使用第5A至G圖說明的方法，係可獲得具有包含高方 向比接點4之通孔的—層，藉此可以各處理製造及彼此獨 立的接點4及具有接觸_ 18的層6。此雜製程更有彈 性。 第6圖說明包含具有接點4之一通孔的一層6，具有 使用上述方法製造之電路7及接點4之一層6的另一製造 方法。接著於以下處理中，係移除接點4而獲得第二接觸 凹陷22。當以碳管束形狀形成接點4時，可使用氧電漿或 氫電漿移除碳管束。第6A圖說明此處理階段。為了簡化處 理三在沉積第二絕緣層5之前，包含组層及域氮化纽層的 ”塗層29係沉積於接點4上。亦可沉積其他執拗傳 V物貝。於是，導電背板21係施加於如鈦或氮化鈦金屬製 成的層6底側上。層6已包含電路7。此法可獲得包含電 路7及弟—接觸凹陷22的層6。 一進步處理中，第二接觸凹陷22係填充如電鑛銅的電 氣物質。如第6B圖說明，此法可獲得具接點4的層6。接 點4可經由連接線23連接至電路7。 視被選擇實施例而定，若干層可以堆疊型式安置於彼 此頂u卩上。第6C圖說明此實施例。第6D圖說明一堆疊， 具有表示電氣接點4的填滿第二接觸凹陷22。 第7圖說明使用矽作為安置矽-鍺-層之後之一矽層的 基板1的另一實施例，該矽層對應層8。該矽層係外延生 長於該矽-鍺-層上。該矽_鍺_層係為一獨立層。此法中，除 18 200830462 了絕緣層上覆矽(SOI)基板，亦可提供昂貴結構。視使用實 施例而定，亦可使用矽外延生長的其他結構。如先前圖式 5兒明地>儿積接點4之後，石夕係被外延安置於石夕層上。此去 可獲得包含接點4的-外延石夕層，該接點4具有一高方向 比。該矽-鍺-層可具有10至1〇〇奈米的一厚度。 ° Ο Ο 一丞孜一鍺化矽及一矽屏， 綱層10被安置於該錯切層上，觀無4可生長4 別包含碳管的觸媒層K)上，而藉此層6可於接點_ =::虫=_㈣彻解。可獲得‘ 圍，熟練-要不雜本發明範 代該說明特定實施例。本代及/辑實施可替 實施例的任何改良或變# =如盍在此討論之特定 利範圍及其同等物的限制。，預期本發明僅受申請專 19 200830462 【圖式簡單說明】 ^附圖提供進-步理解本發明 說明書的-部份。簡式 將人構成本 起解釋本糾顧。施似與該說明一 明其他實施例及本發明許多預:=明係可較佳理解本發 Ο 度里:相似參考數字係標示對應類似零件。不 第2圖說明提供一通孔的第二方法。 第3圖說明提供一通孔的第三方法。 第4圖說明提供一通孔的第四方法。 第5圖說明提供一通孔的第五方法。 第6圖說明提供一通孔的第六方法。 弟7圖說明基板進一步實施例。

V 20 200830462 【主要元件符號說明】 1基板 2 絕緣層 * 3 基本區域 4接點 5 第二絕緣層 6層 7電路 23 連接線 9 凹陷 10觸媒層 8較深層 15碳層 16 第二組件層 17碳層 〇 20碳管 24 第四組件層 28 第三組件層 22 凹陷 29較深傳導塗層 Si矽 21

Claims (1)

1. 200830462 十、申請專利範圍： I —種積體電路製造方法’包含： 於一基板上從導電物質形成至少一接點；及 朴於该基板上安置達該接點的一預定位準的一層，包含 措由該接點而於該層巾提供-導電通孔於該層中 ，該通孔 係從該層的一側被導引至一對側。 2·如申請專利範圍第1項的方法，包含形成電路於該 f) 層上或中。 3·如申請專利範圍第1項的方法，包含其中該接點至 少部分包含碳。 4·如申請專利範圍第3項的方法，包含其中該接點係 由碳纖維形成。 5·如申請專利範圍第丨項的方法，包含以碳纖維束型 式來安置一接點。 6·如申請專利範圍第4項的方法，包含形成一碳管來 〇 當作一破纖維。 7·如申請專利範圍第丨項的方法，包含施加一觸媒物 質，用以將碳安置於該基板上的一預定區域，藉此安置該 碳以及該觸媒物質製造的該接點。 8·如申明專利範圍第1項的方法’包含以—半導體物 質來安置該層。 9·如申請專利範圍第8項的方法，包含以娜成該層。 10·如申請專利範圍第9項的方法，包含外延安置該矽。 η·如申請專利範圍第1項的方法，包含安置具有大於 22 200830462 該接點的高度之一厚度的該層， 點的-上端。 n綺向下移除至該接 12. 如申請專利範圍第！項的方法 層於該基板上，安置—料於職切層上 點之一凹陷引進抵達該埋人氧切層的 媒物質以安置該碳於該凹陷中，及 女置—觸 質上及形成該接點。 “於該觸媒物

   Ο 13. 如申請專職_ 12餐方法， 至500奈米的一厚度的該氧化矽層。 女置八有1 Η.如申請專利細第12項^法，包含安置具 於10及200奈米的一厚度的該石夕層。 κ如申請專利細第㈣的方法，包含其中選自包含 錄，鐵或始之群組的物質的至少其中之一係安置為一觸媒。 16.如申請專利範圍第！項的方法，包含安置一絕緣層 於該基板上及該接點上，以隔絕該接點，藉此該絕緣層隨 後從祕板的該表面被向下移除至環魏接點的—外殼表 面’而該絕緣物質持續覆蓋該接點。 申請專利範圍第π項的方法，包含其中該絕緣 層包含氮化石夕或氧化石夕。 > 18.如中請專利範圍第丨項的方法，包含藉由乙稀及水 汽形成一碳管之該接點及安置該碳管。 19. 如申請專利範圍第！項的方法，包含其中該接點具 有1至500微米的一高度。 20. 如申請專利範圍第丨項的方法，包含其中該接點具 23 200830462 有ι〇奈米至loo微米的一直徑。 21·如申請專利範圍第丨項的方法，包含藉由以高溫分 解而安置之一碳形成碳管之該接點及覆蓋該碳。 22·如申請專利範圍第1項的方法，包含其中該接點包 含石炭，而以電荷載體摻雜該破。 23.如申請專利範圍第2〇項的方法，包含其中摻雜藉 由南溫分解而被安置的該碳。 Ο

   24·如巾t^專利範圍4 1項的方法’包含形成一碳纖維 導電層於該基板上，圖形化該導電層而導致個難點，並 以一絕緣層覆蓋該接點。 25·如申請專利範圍第24項的方法，包含於圖型化該 接點之前，滲人具高溫分解安置㈣該碳纖維導電層。 26·如申請專利範_ 24項的方法，包含 維為碳管。 27·如申μ專利範圍第^項的方法，包含以具有至少一 接觸凹1¾之、、€緣層的型式而提供—層，施力。該絕緣層於該 基板上*置该接點於該接觸凹陷及該接點之間的一中間 間隙中’及以-物質填充該絕緣層。 28·如申請專利範圍第27 _方法，包含形成該絕緣 層於載體上’且於連魏絕緣層至該基板之後移除該載 體。 29. 如申請專利範圍第27項的方法，包含以一聚合物 填充該中間間隙。 30. 如申請專利範圍第27項的方法，包含形成一電路 24 200830462 於該絕緣層中或上，並以導電方式連接該電路至該接點至 少其中之一。 31.如申請專刹範圍第1項的方法，包含使用該接點當 作犧牲接點，形成該絕緣層時移除該接點而獲得一接觸 凹陷’並以一傳導物質填充該接觸凹陷而獲得一第二導電 接點。

   32.如申請專利範圍第1項的方法，包含·· 以组/氮化组層覆蓋該接點；及 安置該絕緣層於該组/氮化组層上。 33·—種積體電路裝置，包含： 基板’具有包含一碳纖維束的一接點，該束係被埋 入一層中當作一通孔。 34·如申請專利範圍第33項的裝置，包含其中該束具 有小於100微米的一直徑。 35·如申請專娜1)第33項的裝置，包含其中安置呈 有通孔的若干層為一堆疊。 36.如申請專利範圍第33項的裝置，包含其中 摻雜該碳纖維。 貝 33項的裝置，包含其中形成該 37·如申請專利範圍第 碳纖維為碳管。 从如甲睛專利範圍第33項的裝置，包含 而溫分解製紅-絲至少部分駭該碳纖維。 分解填::軌圍第38項的裝置，包含其中以高溫 刀解女置喊充轉纖維之_該中間間隙。 25 200830462 ，包含其中製造該 ，包含其中製造該 4〇·如申請專利範圍第33項的裝置 裝置為一電路部分。 41·如申請專利範圍第33項的裝置 裝置為一記憶體電路部分。 ” 42.如申請專利範圍第％項的裝置，包含其中形成該 =緣層為環繞該束的―外殼層，且—安置♦層環繞該外殼

   Ο 43.如申請專利範圍第a項的裝置，包含其中該 為外延安置石夕。 “ 44. 如申請專利範圍帛33項的裝置，包含其中該束具 有1微米及1〇〇微米之間的一高度。 、 45. 如申請專利範圍第％項的裝置，包含其中該束具 有1〇奈米至100微米的一直徑。 46. 如申請專利範圍帛33項的震置，包含其中提供具 有接點的若干層當作通孔，轉接將干層彼此機械性 連接，及將該層接點彼此電氣連接。 47·—種積體電路，包含·· 一基板； 該導電物質基板上形成的至少一接點，· 安置一層於該基板上達該接點一預定位準，包含藉由 该接點提供-導電通孔於該層巾，該通孔健該層一侧被 導引至一對側。 48.如申請專利範圍帛47彻積體電路，包含 形成於該層上或中的電路。 26 200830462 49. 如申請專利範圍第47項的積體電路，包含該接點 至少部分包含碳。 50. 如申請專利範圍第49項的積體電路，包含其中該 ^ 接點係由碳纖維形成。 5L如申請專利範圍第47項的積體電路，包含以一碳 纖維束型式安置的一接點。 52. 如申請專利範圍第50項的積體電路，包含形成作 為一礙纖維的一碳管。 53. 如申請專利範圍第47項的積體電路，包含： 該基板上的一氧化矽層； 安置於該氧化矽層上的一矽層； 一凹陷，用於該接點而被引進該矽層抵達該埋入氧化 石夕層；及 一觸媒物質，可安置該碳於該凹陷中，及一碳管，安 置於該觸媒物質上及形成該接點。 〇 27