TW200817824A - Method and apparatus for measuring drawing position, and method and apparatus for drawing image - Google Patents

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200817824 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種測量描繪位置之方法與裝置，及描 繪影像之方法與裝置，其中當描繪點形成裝置順次地於描 繪面上形成描繪點以描繪影像，同時描繪面用以調變進入 光並於描繪面上形成描繪點之描繪點形成裝置係彼此相對 互相移動時，測量描繪點之位置。 【先前技術】 近年來，曝光裝置已發展成熟，其使用例如，如數位 微鏡裝置（DMD)之空間光調變元件依照影像資料調變光 束，以於將被曝光的構件上實行影像曝光。 該DMD爲藉由許多微鏡成二維配置於如矽的半導體 基板上所形成之鏡裝置，其中每個微鏡之反射面之角度可 依照例如，控制信號，而被改變。該每個微鏡之反射面之 角度係藉由由於每個記憶格中累積的電荷之靜電力而改 變 〇 在使用如上所述之DMD的曝光裝置中，例如，使用曝 光頭，其中從雷射光源射出之雷射光束藉由透鏡系統而被 準直，且該雷射光束藉由位在大體上該透鏡系統之焦點位 置上之DMD的多微鏡而反射，且光束係透過多光束出口窗 而射出。該光束係於感光材料之曝光面（要被曝光的構件） 上聚焦成藉由具有如微透鏡陣列之光學元件的透鏡系統縮 小的光束光點直徑，該微透鏡陣列係聚集從曝光頭之光束 出口窗射出的光束，使得對於每個像素之每條光束藉由一 個透鏡而聚集，以達到高解析影像曝光。 200817824 在曝光裝置中，DMD中之每個微鏡係基於依照影像資 料或類似資料所產生之控制信號，藉由控制器而被控制爲 開啓（on)或關閉（off)，以調變雷射光束，並且該調變後之雷 射光束係施加至曝光面以曝光該面。 在曝光裝置中，感光材料（如光阻劑）係設置於曝光面 上，並且從曝光裝置之多重曝光頭所施加至感光材料之雷 射光束之聚焦光束點的位置，係相對於該感光材料而移 動，同時每個曝光頭之DMD係依照影像資料而調變，以於 感光材料上完成圖案曝光。 例如，在使用如上述之曝光裝置於基板上作高準確性 曝光電路圖案的情況下，由於用在照明光學系統與曝光鏡 之影像光學系統中之透鏡具有稱爲”失真（distortion)”之固 有的失真特性，故由DMD之所有微鏡所形成之反射面上的 投射影像，及曝光面上之投射影像可能不具有正確的相似 關係，亦即，在曝光面上之投射影像會由於該失真而變形， 導致位置偏差，及無法準確地對應所設計的電路圖案。 爲了處理此問題，已有人提出用以修正上述失真之方 法。例如，美國專利第7248 3 3 8號提出一種修正失真之方 法，其中於曝光面之末端上提供大體上爲L形之隙縫與用 以偵測通過此隙縫之光感光器，偵測從DMD之微鏡射出且 通過該大體上爲L形隙縫之雷射光束，並且測量在偵測之 時間點上曝光面之位置，以從各個DMD之微鏡測量光束點 之位置。接著，從每個光束點之位置資訊與每個DMD之微 鏡之反射面之位置資訊計算相對位置偏差，並基於該位置 偏差修正影像資料。 200817824 然而，在上述美國專利第7248338號所揭示之方法中， 若在大體上L形隙縫與曝光頭之間的相對位置關係，由於 光束點位置之測量期間例如振動等干擾而造成偏差，故無 法完成準確的光束點位置之測量，因此無法完成高準確性 的電路圖案曝光。 【發明內容】 鑑於上述情況，本發明在於提供一種用以測量描繪位 置之方法與裝置，其可讓光束點位置之測量具有較高的準 f 確性，以完成較高準確性的影像描繪，及一種描繪影像之 方法與裝置。 本發明之描繪位置測量方法之第一個觀點爲，一種當 描繪面與用以調變進入光與在描繪面上形成描繪點之描繪 點形成裝置相對互相移動，且在該相對移動期間，該描繪 點形成裝置順次於描繪面上形成描繪點以描繪影像時，藉 由位置測量裝置，用以測量描繪點之位置之方法，該方法 包含：測量在該相對移動期間，由該描繪點形成裝置所形 ^ ； 成之每一個描繪點與該位置測量裝置之間的相對位置；及 基於該測量之相對位置，判定該描繪點之位置。 本發明之描繪位置測量方法之第二個觀點爲，一種當 插繪面與用以調變進入光與在描繪面上形成描繪點之描繪 點形成裝置相對互相移動，且在該相對移動期間，該描繪 點形成裝置順次於描繪面上形成描繪點以描繪影像時，藉 由位置測量裝置，用以測量描繪點之位置之方法，該方法 包含：測量在該相對移動期間，由該描繪點形成裝置所形 成之每一個描繪點與該位置測量裝置之間的相對位置偏 200817824 差；及基於該測量之位置偏差，修正由該位置測量裝置所 測量之描繪點的位置。 在本發明之描繪位置測量方法之第一與第二觀點中， 該位置測量裝置可包含形成於大體上相同於描繪面之表面 中之至少二個隙縫，該至少二個隙縫係互相不平行；及偵 測裝置，用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該至 少二個隙縫的光。在此情況中，基於對應通過至少二個隙 縫的光之偵測的每個時間點之相對移動描繪面之每個位置 / 資訊，而可測量描繪點之位置。 或者，該位置測量裝置可包含形成於大體上相同於描 繪面之表面中之至少三個隙縫，至少二個隙縫係互相不平 行；及偵測裝置，用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並 通過該至少三個隙縫的光。在此情況中，基於對應通過至 少三個隙縫的光之偵測的每個時間點之相對移動描繪面之 每個位置資訊，而可測量描繪點之位置。 可使用複數個位置測量裝置作爲該位置測量裝置。 f 該隙縫可於玻璃板中形成。 / 該隙縫可於單一玻璃板中形成。 本發明之描繪位置測量裝置之第一觀點包含：描繪點 形成裝置，用以調變進入光及於描繪面上形成描繪點；移 動裝置，用以將該描繪點形成裝置及描繪面彼此相對移 動；位置測量裝置，用以在由該移動裝置所引起的相對移 動期間，當該描繪點形成裝置順次於描繪面上形成描繪點 以描繪影像時，測量描繪點之位置；相對位置測量裝置， 用以在由該移動裝置所引起之相對移動期間’測量由該插 200817824 繪點形成裝置所形成之每個描繪點與該位置測量裝置之間 的相對位置；及計算裝置，用以基於由該相對位置測量裝 置所測量之相對位置，判定描繪點之位置。 本發明之描繪位置測量裝置之第二觀點包含：描繪點 形成裝置’用以調變進入光及於描繪面上形成描繪點；移 動裝置’用以使該描繪點形成裝置及描繪面相對彼此移 動；位置測量裝置，用以在由該移動裝置所引起的相對移 動期間’當該描繪點形成裝置順次於描繪面上形成描繪點 ί' 以描繪影像時，測量描繪點之位置，該位置測量裝置係配 置於描繪面上；位置偏差測量裝置，用以在由該移動裝置 所引起的相對移動期間，測量在由該描繪點形成裝置所形 成之每個描繪點與位置測量裝置之間的相對位置偏差；及 修正裝置’用以基於由該位置偏差測量裝置所測量之位置 偏差’修正由該位置測量裝置所測量之描繪點之位置。 在本發明之描繪位置測量裝置之第一與第二觀點中， 該位置測量裝置可包含至少二個隙縫，形成於大體上相同 於描繪面之表面中，該至少二個隙縫係互相不平行；及偵 測裝置’用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該至 少二個隙縫的光。在此情況中，基於對應於通過至少二個 隙縫的光之偵測的每個時間點的相對移動描繪面之每個位 置資訊，而可測量描繪點之位置。 或者，該位置測量裝置可包含至少三個隙縫形成於大 體上相同於描繪面之表面中，至少二個隙縫係互相不平 行；及偵測裝置，用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並 通過該至少三個隙縫的光。在此情況中，基於對應通過至 200817824 少三個隙縫的光之偵測的每個時間點的相對移動描繪面之 每個位置資訊，而可測量描繪點之位置。 可使用複數個位置測量裝置作爲該位置測量裝置。 該隙縫可於玻璃板中形成。 該隙縫可於單一玻璃板中形成。 【實施方式】 此後，利用本發明之測量描繪位置之方法與裝置之一 個實施例的曝光裝置，將參照圖式而被詳細說明。第1圖 / 爲顯示應用本發明之一個實施例的曝光裝置之架構透視 圖。 如第1圖中所示，曝光裝置1 0係構成爲所謂的平台型 (flatbed_type)裝置，其包含：基部12,藉由四個腳構件12A 支撐；移動台14，配置於該基部12上及在圖式之Y方向 移動，於其上設置且固定感光材料；光源單元1 6，用以射 出雷射光，其包含紫外線波長範圍內的光，成多重光束延 伸於一個方向；曝光頭單元18，基於期望的影像資料，依 . 照多重光束之位置，對該多重光束施加空間調變，及將此 k 調變後的多重光束作爲曝光光束施加至感光材料上，其中 該感光材料對於該多重光束之波長範圍是敏感的；及控制 單元20，用以從影像資料產生調變信號，其中該等信號係 隨同該移動台14之移動而被提供至曝光頭單元18。 在曝光裝置10中，用以曝光感光材料之曝光頭單元18 係配置於該移動台14上方。此曝光頭單元18包含多重曝 光頭26。每一曝光頭26具有光纖束28，其係從該光源單 元16引出並向那裡連接。 10- 200817824 該曝光裝置1 0包含閘形架22，其跨立於該基部1 2， 及配置於該架22之一側上之一對位置偵測感測器24。當該 位置偵測感測器24偵測該移動台1 4通過時，其提供偵測 信號至控制器2 0。 該曝光裝置10更包含二個導引30，配置於基部12之 上表面上且於該移動台之移動方向延伸。該移動台14安裝 在該二個導引30上，使得其可沿該導引30往復運動。例 如，該移動台1 4係藉由線性馬達（沒有顯示）以相對低的固 f 定速度，如40mm/秒，在例如1 000mm的動程距離移動。 在曝光裝置10中，感光材料（基板）11，其爲將被曝光 之構件，設置於該移動台1 4上且相對於固定的曝光頭單元 1 8而移動，以實行掃描曝光。 如第2圖中所示，該曝光頭單元18包含多重（例如， 八個）曝光頭26，其係配置大體上爲m列與η行之矩陣（例 如，二列與四行）。 曝光頭26之曝光區域32，例如，在掃描方向中爲具短 I 邊之矩形。在此情況中，條紋狀之曝光區域34係藉由每一 曝光頭2 6連同實行掃描曝光之移動，於感光材料1 1上形 成。 又，如第2圖中所示，線性配置曝光頭2 6之列係藉由 預定距離於列的方向互相偏置（藉由乘上曝光區域之長邊 一自然數而得到），使得該類似條紋狀之曝光區域34在垂 直掃描方向之方向中配置，於其間沒有空隙。例如，曝光 頭2 6之第一列之曝光區域3 2之間的未曝光部分，係藉由 曝光頭26之第二列之曝光區域32而曝光。 -11- 200817824 置 變 制 像 在 該 角 束 中 雷 線 結 射 該 重 28 之 於 構 如第3圖中所示，每一曝光頭26包含數位微鏡裝 (DMD)36，其作爲空間光調變元件，用於依照影像資料調 每一像素之進入光束。該DMD36係連接至控制單元（控 裝置）20，其包含資料處理裝置及鏡驅動裝置。 在該控制單元20中之資料處理裝置，基於輸入的影 資料’產生驅動於每一曝光頭26之DMD36之每一微鏡 被控制的區域內的控制信號。此外，作爲DMD控制器之 鏡驅動裝置，基於在該資料處理裝置所產生之控制信號 ^ 控制每一曝光頭26之DMD36中每一微鏡之反射面之 度。該反射面之角度之控制將於之後說明。 如第1圖中所示，從該光源單元1 6引出之每一光纖 28係在其光輸入端連接至每一曝光頭26之DMD36，其 該光源單元1 6係作爲發光裝置以多重光束的形式射出 射光並於一個方向延伸，及其中該多重光束爲包含紫外 波長範圍中的光。 雖然沒有在圖式中顯示，但該光源單元16包含多重 # 合模組，用以結合從多重半導體雷射晶片所射出之雷 光，並輸入此結合光至該等光纖。從每一結合模組延伸 等光纖作爲用以傳播該結合雷射光之結合光纖，且該多 光纖係捆束形成光纖束2 8。 如第3圖中所示，用以朝DMD36反射從該光纖束 之耦接端射出之雷射光的鏡42係配置於每一曝光頭26 DMD36之光輸入側上。 如第4圖中所示，該DMD3 6係藉由支撐柱而支撐 SRAM記憶格（記憶格）44上之微鏡46所形成。DMD36係 -12- 200817824 成鏡裝置，其具有許多（例如，600 x800)微鏡形成像素，以 格子的形式配置。每一像素具有一個由該支撐柱支撐於頂 麵之微鏡46。該微1¾ 46之表面具有含有筒反射性之氣相沈 積材料，如銘。 矽閘CMOS之SRAM記憶格44，其係於一般半導體生 產線上產生，經由包含樞紐（hinge)與軛（yoke)(沒有顯示）之 支撐柱（supporting post)正好配置在微鏡46下方。 當數位信號被寫入DMD3 6之SRAM記憶格44中時， (； 由支撐柱所支撐之微鏡46相對於配置DMD36之基板，在土 a度（例如，土10度）的範圍內，繞對角線傾斜。第5A圖係 顯示在”開啓（ο η) ”狀態中之微鏡4 6，其中該微鏡4 6傾斜了 + a度的角度，及第5Β圖係顯示在”關閉（off)”狀態中之微鏡 4 6，其中該微鏡4 6傾斜了 - a度的角度。因此，如第4圖中 所示，藉由依照影像信號控制DMD36之每一像素之微鏡46 的傾斜，進入該D M D 3 6的光於每一微鏡4 6之傾斜的方向 被反射。 I 應注意的是，第4圖顯示放大部分DMD36，說明被控 制之微鏡46將被傾斜+a度或-a度之一個範例。藉由控制 連接至該DMD36之控制單元20而實行設定每一微鏡46爲” 開啓”或”關閉”狀態之控制。在”開啓”狀態，由微鏡46所 反射的光係被調變爲曝光狀態，並進入配置於DMD36之光 輸出端上的投射光學系統（參照第3圖）。在，，關閉，，狀態，由 微鏡46所反射的光係被調變爲非曝光狀態，並進入光吸收 器（沒有顯示）。 該D M D 3 6可被配置，使得短邊之方向相對於掃描方向 -13- 200817824 成輕微傾斜，以於其中形成預定角度（例如，從〇 . 1。到〇 . 5。 之範圍）。第6A圖係顯示當DMD36沒有傾斜時，由各個微 鏡反射之光影像（曝光光束）4 8所反射之掃描軌道，及第6 B 圖顯示當DMD36傾斜時，曝光光束48之掃描軌道。 該DMD36包含許多（例如，600)微鏡列配置於短邊方向 中，每一列於長邊方向（列的方向）中包含許多微鏡4 6 (例 如’ 800)。藉由傾斜如第6B圖中所示之DMD36，由微鏡 4 6反射之曝光光束4 8之掃描軌道（掃描線）具有節距p 2，其 ( 係小於當DMD36沒有傾斜時掃描線之節距ρ!，故此可大大 地增加解析度。由於DMD36之傾斜的角度非常小，故傾斜 的DMD36之掃描寬度W2大體上相同於未傾斜的DMD36 之掃描寬度W 1。 應注意的是，代替傾斜的DMD 3 6，微鏡之列可在垂直 掃描方向之方向中互相偏置一預定距離，以得到相同的效 果。 接著’將說明曝光頭26中配置於DMD36之光反射側 I 上的投射光學系統（影像光學系統）。如第3圖中所示，配 置於每一曝光頭26中DMD36之光反射側上的投射光學系 統包含用以曝光之光學構件，亦即，透鏡系統5 0、5 2、微 透鏡陣列5 4及物鏡系統5 6、5 8，其係以此次序從DMD 3 6 向感光材料1 1配置，以投射光源影像於設置在DMD3 6之 光反射側上之曝光面上之感光材料1 1上。 安裝之該透鏡系統50、52作爲放大之光學系統，其係 放大由DMD36所反射之射線束之剖面積，以將被該DMD36 所反射之射線束所形成在感光材料1 1上之曝光區域3 2之 -14- 200817824 區域，放大至所期望的尺寸（顯示於第2圖中）。 如第3圖中所示，藉由一體成形之多重微鏡60形成微 鏡陣列54，其一對一的對應至DMD36之微鏡46，以反射 從該光源單元16經由光纖28而射出之反射雷射光。每一 微鏡6 0係配置於通過該透鏡系統5 0、5 2之每一雷射光束 的光軸中。 該微透鏡陣列5 4係被形成作爲矩形平板，且其中形成 微透鏡60之每一部分具有整體配置之孔徑62。將該孔徑 62形成作爲每一對應微透鏡60的孔徑闌。 如第3圖中所示，物鏡系統5 6、5 8被形成，具有例如 1 : 1之放大倍率的光學系統。該感光材料1 1係設置於該物 鏡系統5 6、5 8之下游側上的焦點位置中。應注意的是，雖 然在投射光學系統中透鏡系統5 0、5 2與物鏡系統5 6、5 8 之每一系統係於第3圖中顯示作爲單一透鏡，但每一透鏡 系統可藉由多重透鏡（例如，凸透鏡與凹透鏡）之組合來形 成。 在具有上述架構之曝光裝置10中，由於在曝光頭26 之投射光學系統中透鏡系統5 0、5 2及或物鏡系統5 6、5 8 之失真，及/或在曝光頭2 6在曝光操作期間的溫度的變化， 設有用於適當地偵測描繪失真量的描繪失真量偵測裝置。 如第1到3圖中所示，該曝光裝置1 〇包含配置於該移 動台1 4之運送方向之上游的光束位置測量裝置，用以測量 施加光束的位置及當作部分描繪失真量偵測裝置。 該光束位置測量裝置包含隙縫板7 0，其沿著垂直於該 運送方向（掃描方向）之方向，整體附加至移動台14之上游 200817824 邊緣，及感光器7 2配置於隙縫板7 0之背側對應於該隙縫 板70之隙縫。 該隙縫板70具有讓從該曝光頭26射出的雷射光束通 過之偵測隙縫74。 該隙縫板70可由石英玻璃形成，其不會由於溫度的變 化而變形。 如第7圖中所示，每一偵測隙縫74係由在運送方向的 上游處且具有預定長度的直線第一隙縫部74a，及在運送方 f ; 向中的下游處且具有預定長度的直線第二隙縫部74b所形 成，其中此兩隙縫部係在一端互相連接以於其間形成直角。 亦即，該第一隙縫部74a與該第二隙縫部74b係互相垂 直，及該第一隙縫部74a相對於Y軸（行進之方向）形成135 度的角度，且該第二隙縫部74b相對於Y軸形成45度的角 度。應注意的是，在此實施例中，掃描方向對應於Y軸且垂 直掃描方向之方向（曝光頭2 6之列的方向）對應X軸。 應注意的是，該第一隙縫部74a與該第二隙縫部74b (;： 僅需被配置成於其間形成預定角度，並且可不必互相交 叉。該第一隙縫部74a及該第二隙縫部74b可彼此分離。 在此曝光裝置中，爲了得到良好的S/N以允許高度準 確的測量，即使藉由該光束位置測量裝置所測量的光散佈 BS具有低量光，偵測隙縫74之該第一隙縫部74a與該第 二隙縫部7 4 b的隙縫寬度係被形成大於高斯光束（G a u s s i a η be am)之光束點BS的直徑，使得感光器72可接收足量的 光。總之，偵測隙縫74之該第一隙縫部74a與該第二隙縫 部7 4b之隙縫寬度係被形成以大於高斯光束之光束點BS。 -16- 200817824 藉由形成偵測隙縫7 4之隙縫寬度大於光束點B S之直 徑’使得感光器72可接收足量的光，施加於光束點BS的 光束光量可完全地被利用，以儘可能大地增加由感光器72 接收的光量。因此，可得到良好的S/N。 如一般定義，該高斯光束係指具有高斯分佈之光束， 其係以中心成對稱，在垂直於該光束的橫截面之強度。 此外’高斯光束之光束點之直徑係指一面積之直徑， 而該面積中之光束的強度係小於光束之中心軸上的強度的 f Ι/e2(約 13.5%)。 用以偵測曝光頭26的光之該感光器72(CCD、CMOS、 光偵測器等等），係配置於正好在每一偵測隙縫74下之預 定位置。 如第1圖中所示，提供於曝光裝置1 〇中之光束位置測 量裝置包含線性編碼器7 6，用以偵測移動台1 4之位置，其 配置於沿著該移動台1 4之運送方向，在移動台1 4之側端 之一上。 ρ 該線性編碼器7 6可爲商業上可得到之線性編碼器。該 線性編碼器7 6包含刻度板7 8，其係沿著該移動台1 4之運 送方向（掃描方向）整體附加於移動台14之側端上，且具有 由設於平坦部中可讓光通過之等間隔小隙縫所形成之刻 度，及投射器80與光接收器82，其係提供於該刻度板78 之兩相對側端的基部1 2上並固定至固定架（沒有顯示）。 該線性編碼器7 6係被構成使得該投射器8 〇射出測量 光束且該配置於相對側端上之光接收器8 2偵測此通過刻 度板7 8之隙縫的測量光束，並發送偵測信號至控制單元 -17- 200817824 20 ° 在線性編碼器7 6，當該移動台l 4從初始位置被移動 時，從該投射器80射出之測量光束，藉由與移動台1 4 一 起移動的刻度板7 8，以間歇擋住的方式，進入該光接收器 82 〇 接著，在曝光裝置10中，該控制單元20計算光接收 器8 2之光束的接收數量以確認移動台1 4之位置。 該曝光裝置10之控制單元20包含形成部分失真量偵 / 測裝置之電氣系統。

I 該控制單元20包含作爲控制裝置之CPU與記憶體。此 控制裝置係被構成能驅動DMD36之個別的微鏡46。 該控制裝置接收從線性編碼器76之光接收器82發出 的輸出信號及從光感測器72發出之輸出信號，並基於與從 光感測器7 2輸出的狀態相關的移動台1 4之位置的資訊， 對影像資料實施失真修正。接著，該控制裝置產生適當的 控制信號，以控制DMD3 6，並在掃描方向驅動載送感光材 , 料1 1之移動台1 4。

I 該控制裝置也控制各種單元，其中該等單元係相關於 曝光裝置10之整體曝光操作與曝光裝置10之必要的曝 光，如光源單元1 6。 接下來，將說明提供於曝光裝置1 〇中在描繪失真量偵 測裝置上，使用偵測隙縫74與線性編碼器76而測量光束 位置之方法。 首先，要說明的是，使用曝光裝置1 〇中之偵測隙縫7 4 與線性編碼器76，當要被測量的某個像素Z1被開啓（turn -18 - 200817824 on)時，形成在曝光面上的光束點的實際位置如何予以 定。 最初，將該移動台1 4移動，以定位在曝光頭單元 下方之隙縫板70之預定偵測隙縫74在對應於預定的曝 頭2 6 〇 接著’施加控制使得僅該預定D M D 3 6之某個像素 被開啓（“開啓（on)”狀態）。 接著，更進一步移動該移動台1 4使得偵測隙縫7 4 { 至曝光區域3 2中所需的位置（例如，將作爲原點的位置） 如第8 A圖中實線所示。此時，該控制裝置確認第一隙縫 74a與第二隙縫部74b之交叉點作爲（χ〇，γ〇)，並儲存此 訊於記憶體中。 接著，如第8 Α圖中所示，該控制裝置移動該移動 1 4，使得偵測隙縫7 4沿著第8 A圖中的Y軸移至右邊。 接著’當隙縫7 4通過在第8 A圖之右邊虛線所示的 置’且光從該開啓某個像素Z1通過該第一隙縫部74a， / 由如第8B圖之範例中所示之光感測器72偵測時，該控 裝置從在移動台1 4之位置與該輸出信號之間的關係，計 該某個像素Z 1之位置資訊，並接著得到第一隙縫部74a 第二隙縫部74b之交叉點如（χ〇，Υ1 1)。 在光束位置測量裝置中，由於偵測隙縫74之隙縫寬 被形成而充分大於光束點B S之直徑，故由光感測器7 2 某個範圍中之位置上得到最大偵測値，如第9圖中所示 並因此由光感測器72所得到之最大偵測値之位置不會S 純地確認爲該某個像素Z 1之位置。 鑑 18 光 Z1 移 部 資 台 位 並 制 算 與 度 於 單 •19- 200817824 因此’計算由光感測器72所偵測之最大値一半的半 値。接著，當移動台1 4連續移動時，基於從線性編碼器7 6 輸出之偵測値，該控制裝置發現二個從光感測器7 2之輸出 爲半値的位置（移動台1 4之位置）。 接者’§十算從光感測器7 2之輸出爲半値的該二位置之 第一位置a與第二位置b之間的中心位置。該計算出之中 心位置係當作某個像素Z1的位置資訊（第一隙縫部74a與 第一隙縫部7 4 b之交叉點（X 〇，γ 1丨））。在此方式下，可求得 作爲某個像素Z 1之位置的光束點b S之中心位置。 如上述，可以得到某個像素Z1之位置資訊（χ〇，γι 1)。 然而’若偵測隙縫74與曝光頭26之間的相對位置關係， 由於例如由光束位置測量裝置測量期間之干擾而失真時， 則沒有修正位置偏差就無法得到準確的某個像素ζ 1之位 置資訊。因此，在此實施例之曝光裝置中，由於上述干擾， 實行了位置偏差的修正。亦即，藉由同步，，由該偵測隙縫所 測量的位置資訊”與”在移動台與曝光頭之間的相對位置移 動値（將由辆測重機器（e n d - m e a s u r i n g m a c h i n e s)之外部測 量，移動台的饋進量與干擾皆，納入考慮的測量値）”，計算 光束位置而決定了準確的光束位置。 特別地，首先，測量在曝光頭26與偵測隙縫74之間 的相對位置偏差。 在該曝光頭26與偵測隙縫74之間的相對位置偏差係 藉由測量提供有偵測隙縫7 4之移動台1 4之位置偏差與曝 光頭2 6之位置偏差而測量。如第1 〇圖中所示，γ方向中 移動台1 4之位置偏差係藉由端測量機器Y 1、Y 2測量，且 -20- 200817824 X方向中移動台1 4之位置偏差係藉由端測量機器X測量。 Y方向中曝光頭之位置偏差係藉由端測量機器Yh 1、Yh2測 量，且X方向中曝光頭之位置偏差係藉由端測量機器Xh 測量。 接著，基於由第1 〇圖中所示之端測量機器所測量之位 置偏差，修正第一位置。特別地，此修正後之第一位置之 位置座標Y 1 1 a ’係藉由計算下列公式而獲得： Π 1α!= Πla + (Y2a- Yla)xm/n-l· {Χα-Xha)/tm6 - (Yh\ax 5 + Yh2ox r)/(r + s) f 其中： Y 1 1 a代表實際測量之第一位置a之Y方向中的座標値； Y2a代表在測量第一位置a之時間點上，從端測量機器Y2 的値； Y 1 a代表在測量第一位置a之時間點上，從端測量機器Y 1 的値； X a代表在測量第一位置a之時間點上，從端測量機器X的 値； : Xh a代表在測量第一位置a之時間點上，從端測量機器xh κ 的値； Y h 1 a代表在測量第一位置a之時間點上，從端測量機器γ h 1 的値；及

Yh2a代表在測量第一位置a之時間點上，從端測量機器Yh2 的値。 應注意的是’於X方向，有n+ 1個偵測隙縫7 4以規則 間隔配置，且該第一位置a係從該端測量機器γ1之測量量 的第m個隙縫處被測量。 -21- 200817824 此外，如第1 1圖中所示，Θ爲在偵測隙縫7 4與X方向 之間形成的角度。應注意的是，在第1 1圖中的虛線代表當 沒有干擾時的隙縫。在第1 1圖中的ΔΓ代表由干擾所導致的 所有位置偏差的總和。 同樣地，第二位置b之修正位置座標Υ 1 1 b ’係藉由下列 計算公式獲得： Π W= Yl lb + (Y2b ~ Ylb) xm/n + (Xb- Xhb)/tm0 - (Yh\b xs-l· Yhlb x r)/{r + s) 其中： { ： Yllb代表實際測量之第二位置b之Y方向中的座標値； Y2b代表在測量第二位置b之時間點上，從端測量機器Y2 的値； Y 1 b代表在測量第二位置b之時間點上，從端測量機器Y 1 的値；

Xb代表在測量第二位置b之時間點上，從端測量機器X的 値；

Xhb代表在測量第二位置b之時間點上，從端測量機器Xh 的値；

Yh 1 b代表在測量第二位置b之時間點上，從端測量機器Yh 1 的値；及

Yh2b代表在測量第二位置b之時間點上，從端測量機器Yh2 的値。 接著，儲存在如此獲得之位置座標Y 1 1 a ’與γ 1 1 b，之間 的中心位置於記憶體中，作爲修正後之某個像素Z 1之位置 資訊（X0，Y1 1’）。 接著，該移動台14被移動，以便將該偵測隙縫7 4沿 -22- 200817824 著第8A圖中之Y軸向左方移動。接著，以如上述相關於 第9圖的相同方式，當從第8 Β圖之範例中所示之開啓某個 像素Ζ1的光，通過第8Α圖中左邊虛線所示之位置的第二 隙縫部74b，且藉由光感測器72偵測時，該控制裝置從移 動台1 4之位置與自光感測器7 2輸出的輸出信號之間的位 置關係，找出第一位置c與第二位置d。接著，以相同於上 述之方式，基於由該端測量機器所測量之位置偏差，修正 第一位置c之位置座標 Y1 1 c與第二位置d之位置座標 / Ylld，及獲得第一位置c之修正後的位置座標Yllc’與第二 \ 位置d之修正後的位置座標Y 1 1 d ’。接著，在這些修正後之 位置座標之間的中心位置係被儲存於記憶體中，作爲修正 後之某個像素Z1之位置資訊（X0，Y12’）。 接著，該控制裝置讀出儲存於記憶體中之座標 (Χ0，Υ11’）與（Χ0，Υ12’），並依照下列公式獲得某個像素Ζ1 之座標（ΧΙ,ΥΙ): Χ1=Χ0 + (Υ1 1、Y12’）/2 / Y1 = (Y1 1，+Y12，）/2 應注意的是，雖然由第一隙縫部74a與第二隙縫部74b 形成之偵測隙縫74係用以找出上述實施例中某個像素Z1 之座標X 1、Y 1，但本發明並不拘限於此實施例中。例如， 該偵測隙縫74可由包含第一隙縫部74a、第二隙縫部74b 與第三隙縫部74c之三個隙縫部來形成，如第12圖中所 示。在此情況下，例如，某個像素Z 1之座標X 1 A、Y 1A可 使用第一隙縫部74a與第二隙縫部74b找出，且某個像素 Z 1之座標X 1 Β、Y 1 B可使用第一隙縫部74a與第三隙縫部 -23- 200817824 7 4c找出，如上述之相同方式，且接著這些座標可分別被平 均以獲得某個像素Z 1之座標X 1、γ 1。 此外，如第1 3圖中所示，該偵測隙縫74可由包含第 一隙縫部74a、第二隙縫部74b、第三隙縫部74c、第四隙 縫部74d、第五隙縫部74e及第六隙縫部74f之六個隙縫部 來形成。在此情況下，例如，以相同於上述方式，可使用 第一隙縫部74a與第六隙縫部74f找出某個像素Z1之座標 XI A、Y1 A，可使用第二隙縫部74b與第五隙縫部74e找出 r '； 某個像素Z 1之座標X 1 B、Y 1 B，及可使用第三隙縫部74c 與第四隙縫部7 4 d找出某個像素Z 1之座標X 1 C、Y 1 C。接 著，可將座標X 1 A、X 1 B與X 1 C平均以獲得某個像素Z 1 之座標X 1，及將該等座標Y 1 A、Y 1 B與Y 1 C平均以獲得某 個像素Z1之座標Y1。 接下來，將說明在偵測曝光裝置1 0中，在一個曝光頭 2 6之曝光區域3 2中的描繪失真量之方法。 爲了偵測在曝光區域3 2中的失真量，如第7圖中所 /' 示，曝光裝置1〇係被構成使得多重（在此實施例中爲五個） 偵測隙縫7 4 A - 7 4 E同時被使用於一個曝光區域3 2之位置偵 測。 在此情況下，將被測量之多重像素，係規則分佈於將 被測量之曝光區域上，被置放於一個曝光頭26之曝光區域 3 2內。在此實施例中，設定被測量之五組像素。這些將被 測量之像素係相對於該曝光區域32之中心於對稱位置上 設定。在第14圖中所示之曝光區域3 2中，將被測量之一 組像素Zcl、Zc2與Zc3係位在長邊方向中的中心處（在此 -24- 200817824 範例中，將被測量的二個像素形成一組）’且將被測量之二 組像素Zal、Za2與Za3以及Zbl、Zb2與Zb3，及另二組 將被測量之像素Zdl、Zd2與Zd3以及Zel、Ze2與Ze3係 對稱位在相對於在中心的組的右邊與左邊。 此外，如第12圖中所示，該隙縫板7 0包含分別形成 於五個偵測隙縫74A、74B、74C、74D及74E，對應於將被 測量之該等組之像素的位置處，以便可偵測這些像素組。 爲偵測曝光區域 3 2中之失真量，該控制裝置控制 p DMD36以設定將被測量之預定群組像素（Zal、Za2、Za3， Zbl 、 Zb2 、 Zb3 ， Zcl 、 Zc2 、 Zc3 ， Zdl 、 Zd2 、 Zd3 ， Zel 、 Ze2、Ze3)於”開啓（on)”狀態，並移動移動台14連同隙縫板 70至正好在每一曝光頭26下方的位置，使用其對應的偵測 隙縫74A、74B、74C、74D與74E，以找出將被測量之該等 像素之座標。此時，將被測量之該等預定群組之像素可一 個接著一個地被設定爲”開啓”狀態，或者預定群組之所有 將被測量之像素可被設定爲用來偵測之”開啓”狀態。 < 接著，如第1 5圖之範例中所示，該控制裝置藉由基於 k - DMD36之預定微鏡46之反射面的位置資訊所對應將被測 量之像素與從預定微鏡投射至曝光面（曝光區域32)上之預 定光束之曝光點之位置資訊，計算將被測量之像素的相對 位置偏差，找出在曝光區域32中的描繪失真量（失真情 況），其中該曝光點之位置資訊係使用偵測隙縫74與線性 編碼器7 6偵測光。 在本實施例之曝光裝置1 0中，由於多重偵測隙縫7 4 係被配置於X方向中，故一個曝光頭26之曝光區域32中 -25- 200817824 的描繪失真量可以上述方式被偵測。此外，在相鄰曝光頭 26之間的位置關可被找出。 第16A-16F係一個曝光頭之描繪失真之範例，其說明 如何修正與如何影響影像。 如第1 6 A圖中所示，在沒有失真呈現於光學系統與感 光材料中的情況下，如第16D圖中所示，輸入至DMD36之 影像資料沒有被特別修正，且如第1 6 A圖中所示被直接輸 出至感光材料1 1上以描繪之理想影像。 { 然而，在曝光射出的光束期間，由於如溫度及或振動 之因素，在列入描繪失真於對應一個曝光頭之影像中的情 況下，由曝光區域32曝光之影像99將如第16B圖中所示 變形（若輸入至DMD36的影像沒有修正），並因此修正是必 要的。 將被輸入至DMD36之影像資料係以第16F圖中所示來 修正。基於藉由光束位置測量裝置所測量的輸出至感光材 料1 1上之影像之位置資訊，藉由失真量計算裝置找出描繪 v 失真量，且基於已偵測的描繪失真量，適當地實行修正， 以最後得到沒有失真的修正影像99 ’。 接下來，具有上述架構之曝光裝置1 〇的操作將被說 明。 雖然沒有顯示於圖式中，但在提供於曝光裝置1 0中之 光纖陣列光源的光源單元1 6中，從雷射發光裝置以發散射 線形式射出之如紫外光射線的雷射光束，係藉由準直透鏡 準直並藉由聚光透鏡聚光，且進入多模光纖之核心之輸入 端，以透過該光纖傳播。該等光束係於雷射輸出端結合成 -26- 200817824 單一雷射光束，及此已結合的光束係從耦接至多模光纖之 輸出端的光纖28射出。 在此曝光裝置1 0中，依照曝光圖案之影像資料係輸入 至連接至DMD36之控制單元20,且暫存於控制單元中的記 憶體中。該影像資料代表以二元値形成影像之像素的密度 値（亦即，點是否記錄於像素）。基於藉由如上所述之描繪 失真量偵測裝置偵測描繪失真量（失真情況），藉由控制裝 置適當地修正該影像資料。 ^ 藉由施加吸力而保持感光材料1 1於移動台14表面 上，其中該移動台14係藉由驅動裝置（沒有顯示）以固定速 度在運送方向中由上游沿著導引30移動至下游。當移動台 1 4通過閘形架22下方，固定至該閘形架22之位置偵測感 測器24偵測感光材料1 1之前緣，並接著儲存於記憶體中 之影像資料接著讀出每一多重線，其中該影像資料已基於 藉由描繪失真量偵測裝置所偵測的描繪失真量修正，及基 於在作爲資料處理單元之控制裝置上所讀出的影像資料， . 對每一曝光頭26產生控制信號。應注意的是，當基於還沒 被修正所讀出影像資料，在控制裝置對每一曝光頭26產生 控制信號時，上述基於藉由描繪失真量偵測裝置所偵測之 描繪失真量（失真情況）的修正可以實行。接著，基於該產 生之控制信號，控制每一曝光頭 26之空間光調變元件 (DMD)36之每一微鏡爲開啓或關閉。 當雷射光從光源單元1 6施加至該空間光調變元件 (DMD)36時，由DMD36之”開啓”狀態的微鏡反射之雷射光 束係被聚焦在描繪用適當地被修正之曝光位置。在此方式 -27- 200817824 下，從光源單元1 6射出之雷射光係對每一像 閉，以曝光感光材料1 1。 當感光材料11與移動台14 一起以固定速 藉由曝光頭單元1 8於相反於該移動台之移 向，掃描感光材料11，且對每一曝光頭26之條 區域34(顯示於第2圖中）於該感光材料1 1上形 當藉由曝光頭單元18完成感光材料11之 偵測感測器24偵測感光材料1 1之尾緣時，該| / 由驅動裝置（沒有顯示）沿著導引30返回至運送 \ 游側之原點，並再沿著導引30以固定速度從運 上游移動至下游。 雖然依照此實施例，使用DMD作爲空間光 於曝光裝置1 0中之曝光頭26，但可使用例如， 電系統）類型之空間光調變元件（SLM :特別光丨 除了 MEMS類型空間光調變元件之空間光調變 由光電效應或液晶光學快門（FLC)調變傳送的 , 件（PLZT裝置），以代替該DMD。

V 應注意的是，MEMS係參照微系統之總稱 整合微尺寸感測器、促動器及控制電路係基於 使用微機械技術予以積體化而產生。該MEMS 調變元件爲使用靜電力藉由機電操作所驅動之 元件。 此外，在依照此實施例之曝光裝置丨〇中， 26之該空間光調變元件（DMD)14可以有選擇地 多重像素之裝置（用以選擇地調變多重像素；; 素開啓或關 度移動時， 動方向的方 紋狀之曝光 成。 掃描且位置 多動台14藉 方向中最上 送方向中之 調變元件用 MEMS(微機 阔變器），或 元件，如藉 光之光學元 名詞，其中 1C生產製程 類型空間光 空間光調變 用於曝光頭 開啓或關閉 匕裝置）來取 -28- 200817824 代。該用以選擇地開啓或關閉多重像素之裝置，例如，可 藉由選擇地開啓或關閉對應該等像素的雷射光束之雷射光 源，或藉由對應該等像素而配置以形成表面發射雷射裝置 之小雷射發射面，及可選擇地開啓或關閉之小雷射發射面 之雷射光源而形成。 此外，雖然光束位置係依照此實施例於曝光裝置1 〇中 藉由光感測器7 2偵測通過該偵測隙縫7 4之光束來測量， 但本發明並不拘限於此實施例。例如，可使用C C D或四部 f 光偵測器測量該光束位置。 依照本發明之測量描繪位置的方法與裝置，提供當用 以調變進入光與在描繪面上形成描繪點之描繪面與描繪點 形成裝置彼此相對移動，且在該相對移動期間，該描繪點 形成裝置接著於描繪面上形成描繪點以描繪影像時，藉由 配置於描繪面之位置測量裝置測量描繪點之位置的描繪位 置測量方法，其中在描繪點形成裝置與位置測量裝置之間 的相對位置偏差，係在藉由移動裝置所導致之相對移動期 I 間所測量’且由該位置測量裝置測量之描繪點的位置，基於 測量位置偏差而修正。因此，例如，即使在位置測量裝置與 描繪點形成裝置之間的相對位置關係因諸如振動之干擾而 偏離’但描繪點之位置可基於位置偏差而修正。此允許描繪 點之位置的精確測量，因此允許高準確度影像的描繪。 【圖式簡單說明】 第1圖爲說明應用用以測量本發明之描繪位置之裝置 之一個貫施例的曝光裝置之整個示意透視圖； 第2圖爲說明藉由曝光頭單元之複數曝光頭所曝光之 -29- 200817824 感光材料之示意透視圖； ' 第3圖爲說明關於曝光頭之光學系統之槪要架構圖； 第4圖爲說明D M D之結構之放大透視圖； 第5Α與5Β圖爲用以解釋DMD之操作之圖式； 弟6Α圖爲說明當DMD不是傾斜時》藉由微鏡反射一‘ 反射光影像（曝光影像）之掃描軌線之平面圖； 第6Β圖爲說明當DMD是傾斜時，曝光光束之掃描軌 線之平面圖； f 第7圖爲說明用於一個曝光頭之曝光面積的偵測隙縫 之圖式； 第8A圖爲用以解釋使用偵測隙縫如何偵測在”開啓” 狀態中某個像素之位置之圖式； 第8B圖爲說明當藉由感光器偵測在”開啓”狀態的某 個像素時之信號之圖式； 第9圖爲用以解釋使用偵測隙縫偵測如何在”開啓”狀 態中的某個像素之圖式； ^ 第1 〇圖爲用以解釋如何測量在曝光頭與偵測隙縫之 間的相對位置偏差； 第1 1圖爲顯示於偵測隙縫與X方向之間形成的角度0 之圖式； 第1 2圖爲說明偵測隙縫之另一個實施例之圖式； 第1 3圖爲說明偵測隙縫之再另一個實施例之圖式； 第14圖爲說明使用多重偵測隙縫如何偵測在”開啓”狀 態中的某些多重像素之圖式； 第1 5圖爲解釋由失真量偵測裝置所偵測之描繪失真 -30- 200817824 (失真情況）量之圖式；及 第16A到16F爲解釋描繪失真之修正之圖式。 【主要元件符號說明】 10 曝光裝置 11 感光材料 12 基部 12A 腳構件 14 移動台 16 光源單元 18 曝光頭單元 20 控制單元 22 閘形架 24 位置偵測感測器 26 多重曝光頭 28 光纖束 30 導引 32 曝光區域 34 條紋狀之曝光區域 36 DMD 44 SRAM記憶格 46 微鏡 48 曝光光束 Wl、W2 掃描寬度 50、5 2 透鏡系統 54 微透鏡陣列 -31- 200817824

56、58 物 鏡 系 統 60 多 重 微 透 m 62 孔 徑 70 隙 縫 板 72 光 感 測 器 74 偵 測 隙 縫 74a 第 —* 隙 縫 部 74b 第 二 隙 縫 部 74c 第 二 隙 縫 部 74d 第 四 隙 縫 部 74e 第 五 隙 縫 部 74f 第 -.Λ .> 隙 縫 部 76 線 性 編 碼 器 78 刻 度 板 80 投 射 器 82 光 接 收 器 99 影 像 99’ 修 正 影 像 -32

Claims (1)

1. 200817824 十、申請專利範圍： 1. 一種描繪位置測量方法，當描繪面及用以調變進入光並 方々@ ’繪面上形成描繪點之描繪點形成裝置相對互相移 動’且於相對移動期間，該描繪點形成裝置順次地於該 描繪面上形成描繪點以描繪影像時，藉由位置測量裝置 測量插繪點之位置，該方法包含： 在該相對移動期間，測量由該描繪點形成裝置所形成之 s個措ί繪點與該位置測量裝置之間的相對位置；及 ， 基於該測量之相對位置，決定描繪點之位置。 2. 一種描繪位置測量方法，當描繪面及用以調變進入光並 於描繪面上形成描繪點之描繪點形成裝置相對互相移 動’且於相對移動期間，該描繪點形成裝置順次地於該 描繪面上形成描繪點以描繪影像時，藉由位置測量裝置 測量描繪點之位置，該方法包含： #該相對移動期間，測量由該描繪點形成裝置所形成之 每個描繪點與該位置測量裝置之間的相對位置上的偏差； , 及 \ 、 基於該測量之相對位置上的偏差，修正由該位置測量裝 置所測量之描繪點的位置。 3. 如申請專利範圍第丨項之方法，其中 該位置測量裝置包含至少二個形成於大體上相同於該描 繪面之表面中的縫隙，該至少二個縫隙並非互相平行；及 偵測裝置，用以偵測由該描繪點形成裝置所調變，並通 過該至少二個縫隙的光，及 基於對應該通過至少二個縫隙的光之每個偵測之時間點 -33- 200817824 的該相對移動之描繪面的每一位置資訊而測量描繪點之 位置。 4.如申請專利範圍第2項之方法，其中 該位置測量裝置包含至少二個縫隙形成於大體上相同於 該描繪面之表面中，該至少二個縫隙並非互相平行；及偵 測裝置，用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該 至少二個縫隙的光，及 基於對應該通過至少二個縫隙的光之每個偵測之時間點 ， 的該相對移動之描繪面的每一位置資訊而測量描繪點之 位置。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中 該位置測量裝置包含至少三個縫隙形成於大體上相同於 該描繪面之表面中，至少二個該縫隙並非互相平行；及偵 測裝置，用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該 至少三個縫隙的光，及 基於對應該通過至少三個縫隙的光之每個偵測之時間點 . 的該相對移動之描繪面的每一位置資訊而測量描繪點之 位置。 6.如申請專利範圍第2項之方法，其中 該位置測量裝置包含至少三個縫隙形成於大體上相同於 該描繪面之表面中，至少二個該縫隙並非互相平行；及偵 測裝置’用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該 至少三個縫隙的光，及 基於對應該通過至少三個縫隙的光之每個偵測之時間點 的該相對移動之描繪面的每一位置資訊而測量描繪點之 -34- 200817824 位置。 7. 如申請專利範圍第3項之方法’其中該位置測量裝置包 含複數個位置測量裝置。 8. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該等縫隙係形成於 玻璃板中。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該等縫隙係形成於 單一玻璃板中。 10. —種測量描繪位置之裝置，該裝置包含： f 描繪點形成裝置，用以調變進入光並於描繪面上形成描 繪點； 移動裝置，用以將該描繪點形成裝置與描繪面彼此相對 移動； 位置測量裝置，用以在由該移動裝置引起之相對移動期 間，當該描繪點形成裝置順次地於該描繪面上形成描繪 點以描繪影像時，測量描繪點之位置； 相對位置測量裝置，用以在由該移動裝置所引起之相對 ( 移動期間，測量由該描繪點形成裝置所形成之每個描繪 點與該位置測量裝置之間的相對位置；及 計算裝置，用以基於藉由該相對位置測量裝置所測量之 相對位置，決定描繪點之位置。 1 1 . 一種測量描繪位置之裝置，該裝置包含： 描繪點形成裝置，用以調變進入光並於描繪面上形成描 繪點； 移動裝置，用以將該描繪點形成裝置與描繪面彼此相對 移動； -35- 200817824 位置測量裝置’用以在該移動裝置引起之相對移動期 間’當該描繪點形成裝置順次於該描繪面上形成描繪點 以描繪影像時’測量描繪點之位置，該位置測量裝置係 配置於該描繪面上； 位置偏差測量裝置，用以在該移動裝置所引起之相對移 動期間’測量由該描繪點形成裝置所形成之每個描繪點 與該位置測量裝置之間的相對位置偏差；及 修正裝置，用以基於藉由該位置偏差測量裝置所測量之 f 位置偏差’修正由該位置測量裝置所測量之描繪點之位 置。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之裝置，其中 該位置測量裝置包含至少二個縫隙形成於大體上相同於 該描繪面之表面中，該至少二個縫隙並非互相平行；及偵 測裝置，用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該 至少二個縫隙的光，及 基於對應該逋過至少二個縫隙的光之每個偵測之時間點 < 的該相對移動之描繪面的每一位置資訊而測量描繪點之 位置。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之裝置，其中 該位置測量裝置包含至少二個縫隙形成於大體上相同於 該描繪面之表面中，該至少二個縫隙並非互相平行；及偵 測裝置，用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該 至少二個縫隙的光，及 基於對應該通過至少二個縫隙的光之每個偵測之時間點 的該相對移動之描繪面的每一位置資訊而測量描繪點之 -36- 200817824 位置。 1 4 ·如申請專利範圍第1 0項之裝置，其中 該位置測量裝置包含至少三個縫隙形成於大體上相同於 該描繪面之表面中’至少二個該縫隙並非互相平行；及偵 測裝置’用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該 至少三個縫隙的光，及 基於對應該通過至少三個縫隙的光之每個偵測之時間點 的該相對移動之描繪面的每一位置資訊而測量描繪點之 位置。 1 5 ·如申請專利範圍第η項之裝置，其中 該位置測量裝置包含至少三個縫隙形成於大體上相同於 該描繪面之表面中’至少二個該縫隙並非互相平行；及偵 測裝置’用以偵測由該描繪點形成裝置所調變並通過該 至少三個縫隙的光，及 基於¥彳應該通過至少二個縫隙的光之每個偵測之時間點 白勺Μ相對移動之丨田彳旨面的母一 置資訊而測量描繪點之 位置。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2項之裝置，其中該位置測量裝置 包含複數個位置測量裝置。 17.如申請專利範圍第12項之裝置，其中該等縫隙係形成 於玻璃板中。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之裝置，其中該等縫隙係形成 於單一玻璃板中。 -37-