TW200812425A - Electro-optically active organic diode with short protection - Google Patents

Description

200812425 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明一般係關於電光主動有機 太陽Ab ▼ #體，例如用於有機 說，：：』乍有機發光二極體(〇L肋)。更明確地 電：關於包含一陽極電極、—陰極電極及配置於該等 【先前技術】 入：：的-電光主動有機層的電光主動有機二極體。

例如，在照明裝置、顯示裝置及有機太陽能電池裝置中 電先主動有機二極體係用作有機發光二極體(〇l剛。一 有機太陽能電池裝置中的有機二極體係配置成用以由光產 生電，而在-照明裝置中該有機二極體係配置成用以由電 產生光。’然而’此等僅係關於特定電光主動有機材料之庄 同基本特性之不同表現。因❿，在一領域(例如照明裝置 與OLED之領域）中的進展與開發可以係用於另—領域（例 如有機太陽能電池裝置之領域）中的改良。 目别，已將大部分努力花在用於產生光之裝置上，尤其 係〇咖上。此係部分由於到目前為止可行的有機太陽能 電池裝置之可獲得的效率、可靠性及運作壽命一直係考量 為太差，尤其係根據傳統太陽能電池裝置中可達到之情 況。儘官在照明應用裝置之領域中亦需要改良此等特性， 但該等要求通常並不十分高，並且已存在商用產品，例如 基於OLED技術之顯示器。此部分係由於〇LED發光並因而 不要求諸如傳統液晶顯示器（LCD)中之背光。一.般而古， 電光主動有機二極體之某些其他優點係（例如）其相對較容 122835.doc 200812425 易製造並且較成本有效，可以製造成薄且具挽性的 至可以製成透明的。 曰亚甚 最近電光主動有機二極體已顯示很大進展，尤其係在嗖 率人可〒上，然而在某些情況下該增加的壽命導致可靠性 - 問題。一般而言，在電光主動有機二極體之領域中可靠性 ^ 系問題而般需要改良的運作壽命。儘管許多所需且有 益的特性係由於該有機性質，但此亦跟隨某些缺點，例如 • 肖許多無機材料相比較有機材料-般對惡劣的物理處理與 高溫更敏感。 可靠性問題之一已知原因係一反應性陰極。4 了電子注 入與有效率，_般需要低功函數電極材料。然而，此等本 質上係反應性的。因此，作為替代已制具有-更高功函 數但更差效率的陰極材料（例如鋁（A1))，其係環境穩定的 並還具有屬於傳統半導體工業之一已知且開發成熟的導電 材=的優點。為改良效率，此類更高功函數的陰極層有時 _ 二、x置額外薄無機注入層，例如s己置於該陰極層與該電 光主動有機層之間的氟化鋰（LiF)。 US 6,525,466呈現—種主張係可靠的且不要求一注入層 的OLED。該〇LED由一金屬與一絕緣物（例如AmuF)之 此合物、合金或複合物的陰極組成，其與該電光主動有 機層接觸。出於環境保護在該陰極頂部上存在-可選的A1 ‘電包覆層，即以便該陰極位於該電光主動有機層與該包 覆層之間。 總之，在先前技術巾，存在並提議若干改良電光主動有 122835.doc 200812425 钱二極體可靠性並增強其壽命的方法，然而仍存在進 改良的需要。 乂 【發明内容】 月之目的係克服或至少緩和先前技術中的問題。 ::目的係改良電光主動有機二極體之可靠性。本發明 由隨附獨立項來定義。在附屬項及以下說明與 徒出較佳具體實施例。 於發現：希望猎由任何特定理論加以限制，本發明部分基 不可靠的傳統電光主動有機二極體（尤其係具有 二：積之此類電光主動有機二極體)之—較大貢獻者似 立”生於陰極與陽極電極之間的短路及此類 :其::有機材料的損壞程度。此外’似乎造成此等 場強㈣Γ亥陰極中由於陰極中之無意實體缺陷所致的高 高的局料強尤Γ具有銳利邊緣之缺陷，其可以引起極 陰極之5亥錢利邊緣可以係位於針孔或該 =”任二其一缺陷的表面。增加的場強二在 料。因為用於電光主… 與“之陰極材 材粗禮 極體之有機材料與—般有機 化:、:解？經受相對較低的溫度並常具有-相對較崎 …、解^πζί度，故升高的，w择 一 劣化及引起電光主動有機層材料 古 5人化’其與陰極與陽極之間的許多條之通常r :靜電愿力組合似乎會增加損壞的有機材料之風險 路透過有機材料發生於陰極與陽極之間，尤其係在以 J22835.doc 200812425 主動有機層(例如由於以上原因所致)已變得極薄或以任何 其他方式損壞的點。因此，可以存在相對較高的電流，$ 導致甚至更高的溫度與更大的損壞。 /、 因此’由以下說明將會明白的上述及其他目的係藉由包 含-陽極電極層、-陰極電極層及配置於該等電極之間的 :電光主動有機層的電光主動有機二極體加以實現。—覆 盍層係配置與該陰極層之—表面接觸使得該陰極層係定位 於該電光主動有機層與該覆蓋層之間，該覆蓋層由相對於 與邊覆盍層接觸之-陰極層材料係―實質上惰性的材㈣ 成，並且該惰性材料係沈積於該陰極層之該表面上整 個表面係覆i亚且表面缺陷係消除。—短路保護層係進一 步配置於該陰極電極層與該電光主動有機層之間並 極電極層相鄰，i中兮笳玫仅嗜R丄 〇以^ 八中4短路保濩層由一無機半導體材料形 /TXj 此處，”電光主動”表示將光轉換成電及/或將電轉換成光 的能力。當將其用於部日月心士甘A 得換成先 明一層'其—般意味著該層包含具 有此此力之一材料（例 一二極鞅拄甘 丁日之形式），而當用於說明 豆寺/、一般意味著該層包含呈有 (例如以一層之_/、有此能力之一材料 層之形式），其（例如）係— (OLED)之情況。 狨《九一極體 二陽極電極般係用於電洞注入之一電極，例 積於一载子或基板上之-基底層的形式。 一 ”陰極電極” 一般係 沈積的頂部層的形式^ 電極’例如以一 122835.doc -10- 200812425 當該覆蓋層係沈積並覆蓋該陰極表面時，表面缺陷(例 如針孔、其他空隙及銳利缺陷）係填充並覆蓋，而減低含 場強發生於此類缺陷的風險。此減低可導致—短路之條： 的風險。在仍存在一即將發生短路之情形的情況下，防止 該陰極層與該有機層之間的直接接觸之短路保護層減低不 利影響該有機層的風險與發生短路在該陰極與該陽極之門 的可靠性。因此，該覆蓋層與該短路保護層一起減低短^ 發生的風險並因而增加該電光主動有機二極 機材料-般不與有機材料-樣敏感並且其因而更 護目的。此外’半導體材料一般具有較佳的透明度，发對 =配置於該等陰極電極與有機層之間的層係—合需要：特 该短路保護層可以将莫雷& $ 政…主， 亥無機半導體形成該短 路保濩層時（即-般在藉由熱蒸發進行沈積之後），❹一 般導電（儘管沒有該陰極導電），不管所使用材料本質^ - +導體。導電允許更厚的層’其出於保護目㈣ 的。更佳的導電性一般意味著可且 " ^ /x 个苓I、有更厚的層並因而且有 、、、 路保護。該厚度可以係用於實現-導電，其對於 減低傾向於增加並且不利於一 流係有益的。 ]於即將發生的短路之情形的電 碎無機半導體材料較佳的係具有比該陰極層之材料更言 的落化溫度。此分耸兮亡^ 雷朽純體更佳地經受具有炫化該 :極材料之風險的熱量發展之情形。在此一情形中保持完 及剛性的知_路保護層進一步 、 万止5亥有機層直接接觸該電 122835.doc 200812425 極材料並在一較大表面上分佈施加於該等有機層上的力與 壓力，其減低壓縮與損壞有機層之風險。 該無機半導體材料可以具有大於27 eV並較佳的係大於 3…之一帶隙。此意味著可不吸收藍色電致發光並因而於 该短路保護層與該有機層之間的介面處不產生光電子。此 外，該短路保護層將對於熱電子而穩定，其係 路保護層與該陰極層之間的介面。 、以紐 九電子在该短路保護層 中係熱化並因而可以不損壞該有機層。大於大約2.7 eV之 一帶隙的有㈣作用係該短路保護層還將用作—激子阻播 層。 該無機半導體材料可以具有G.5 ev與35 ev之間的一電 子親和力。此可以調適並最小化電子注入該有機層之最低 未佔用分子軌域（L刪）的阻障，並且該短路 額外用作一電子注入層。 該無機半導體材料可以具有大於】、較佳的係大於^且 更佳的係大於3〇之一介電常數。高介電常數之材料減低處 於（例如）-缺陷之銳利邊緣的場強並因而有助於減小最終 可導致一短路的高場強之風險。 該無機半導體材料可以包含一驗土族金屬或鑭之一疏族 化合物或二元氧化物，較佳的係Ba〇、Ba 戈 該短路保護層可以具有至少50 A之一厚度，較佳的係高 於細A。該覆蓋層可以係導電的及/或具有大於！、較： 的係大於10且更佳的係大於30之一介電常數的材料。 I22835.doc -12- 200812425 該覆蓋層可以包含-膠（較佳的係環氧或丙稀酸型的… 或:薄膜封裝㈣（較佳的係氮切（SiN)、碳化邦⑹、 二氧化矽（Si〇2)或氧化鋁（a〗2〇3))。 该有機二極體可以進一步包含配置於該覆蓋層上 二覆蓋層。 罘 可存在包含該電光主動有機二極體的照明裳置(例如 燈）、顯示裝置或有機太陽能電池裝置。

【實施方式】 圖1示意性地顯示依據一具體實施例的一電光主動有機 二極體中之層的斷面圖。該有機二極體包含—基板丨〇〇、 -陽極層！〇2、—電光主動有機層11()、—無機短路保護層 120、一陰極層122及一覆蓋層124。 曰 該基板100—般係透明的並可以（例如）由陶瓷（例如玻璃 或矽）、塑膠或金屬製成。該基板可以係剛性的或撓性 的0 該陽極層102係一電洞注入層，一般係一相對較高功函 數與導電材料，並一般係透明的以允許光透過，其藉由圖 1之一箭頭指示。適合於該陽極層的透明材料之一者1 毎月!J王 要的範例係氧化銦錫（ITO)。其他範例包括金屬、金屬氧 化物、摻雜無機半導體、摻雜導電聚合物或小分子等。該 陽極層102的厚度一般係在大約100人至3〇〇〇 A的範圍内了 可以藉由此項技術中已知的各種薄膜之沈積技術之任一者 末將4 %極層1 〇 2沈積於该基板1⑽上，例如真空蒸發、：賤 鐘、電子束沈積或化學汽相沈積。 122835.doc -13 - 200812425 该電光主動有機層110可以包含子層，但包含至少一主 於從電至光/從光至電的轉換。該有機層 uo之總厚度可以係高於大約5GG A，但較佳的係高於侧 A。-更厚的電光主動有機層意味著在_短路可發生之前 需要損壞的餘裕與材料更多。為補償一粗糙的底層表面 (例如一 ITO基板）’該有機層一般需要高於—特定厚度。 更光α的底層一般允許一更薄的有機層。

將結合圖2_2b進一步說明該有機層11〇之結構與材 料。 圖1中，-箭頭指示光係從該有機層110發射並穿過陽極 102與基板⑽。應注意，在#代性具體實施例中發射的光 係透過一透明陰極或透過陰極與陽極兩者發出，而在另一 替代性具體實施例中可存在光的吸收。 該短路保護層12〇係一無機半導體材料，其可具有大約 〇·5 ev與大約3_5 eV之間的一電子親和力、大於大約2 “ 且較佳的係大於大約3 eV的一帶隙及高於該陰極層122材 料之點的一熔點。 人例如，已發現適合於該短路保護層12〇的材料係包括於 鹼土私金屬或鑭之硫族化合物或二元氧化物中，例如氧化 =(蝴、石西化鋇（BaSe)、氧化鑭（La2〇3)及氧化飾 以〇3)。當例示的材料形成該短路保護層Η?時（例如在蕤 :熱蒸發沈積之後)’ 一般存在〇或〜之空位並因而存在‘

Si:’其可以係該短路保護層(儘管本質上由未摻雜 導體材料形成）展現允許相對較厚層之一導電性的一原 122835.doc •14· 200812425 因。 其他範例可以包括涉及鹼土族金屬或鑭之硫族化合物及/ 或二兀氧化物的混合物，或驗土族金屬之硫族化合物及/ 或二凡氧化物與低電子親和力金屬(例如鹼金屬、鹼土族 金屬及/或鑭）的混合物。 該無機半導體材料之介電常數可大於1，例如大於10或 甚至30。例如，Ba0具有一大約％之介電常數。該短路保 護層120之厚度可以在大约1〇 A至5〇_ A之範圍内，較佳 的係在大約5G A至1G_ A之範圍内，並且—般在大約1〇〇 人至1_人之範圍内。通常，需要—至少細A之厚度。 當將該短路保護層120沈積於該有機層110上時，此應以 對該有機層無害之一方式來完成。例如，用於沈積該短路 保護層120之此類方法包括熱蒸發。在一驗土族金屬或爛 之一二元氧化物（例如Ba0、La203及Ce203)的情況下可 以藉由首先沈積該驗土族金屬或鑭（例如藉由熱蒸發）並接 著執t原處氧化（例如藉由將氧氣添加入已用於該蒸發 之一容器内）以將該鹼土族金屬或鑭轉換成一對應二元氧 化物來產生該短路保護層12ΰ。此在該二元氧化物之直接 熱蒸發所需的溫度極高時尤其有用。該陰極層122 一般係 :金屬材料或一金屬並可以係具有一相對更低的功函數之 一材料。然而’為環境穩定及更低反應性，一般選擇具有 更高功函數並更穩定的材料’或—低功函數材料可以與一 更穩定材料進行合金或組合。一低功函數之材料的範例係 妈（Ca)、鎂（Mg)及鋇（岭更高功函數但更穩定之材料的 122835.doc 200812425 卓色例 ^糸 $呂（A1)、f r、_ι> )或銀（Ag)。當光要經由該陽 經由該陰極通過時，外n❻極而非 即反射所討論的光。例如，在則土的鏡 例如在此月景下AI與Ag係視為較佳 的鏡材料。該陰極之一 1 土 路俘嘈非的低功函數可以藉由該短 路保口蒦層12 0在草猶条5L上 … 系種私度上加以補償，其可額外地用作一 電子注入層。 該陰極層122之厚度可以在大約3〇〇至議〇入之

内:可以藉由若干傳統技術（例如包括熱蒸發)之任—者來 將忒陰極層122沈積於該短路保護層12〇上。 該覆蓋層124較佳的係相對於該陰極層m之材料的一不 同但實質上化學惰性的材料。—般將該覆蓋層124沈積於 亚完全覆蓋該陰極層122之—層表面。可以藉由該覆蓋層 m來覆蓋與填充該陰極層⑵表面中的銳利邊緣缺陷，例 如針孔、空隙及其他缺陷與損壞。通常藉由表面缺陷而受 損的一般陰極材料係a卜該覆蓋層124之材料可以具有大 於1(例如大於1〇或甚至30)之一高介電常數。其可以進一步 係導電的。 實務上，已發現可以藉由許多不同無機與有機材料（一 般係汽相沈積的）之一者來達到該覆蓋層124之所需覆蓋與 填充特性，其消除表面缺陷及其不利影響。然而，該等材 料較佳的係薄膜封裝材料或膠。薄膜封裝材料之範例係氮 化秒（SiN)、碳化矽（SiC)、二氧化矽（Si〇2)及氧化紹 (Al2〇3)，一般藉由電漿增強汽相沈積（PECVD)(例如電感 耦合的PECVD (IC-PECVD))進行沈積。膠較佳的係環氧型 122835.doc •16- 200812425 般係使用兩個溶液的室溫可固化或uv可固化黏合 :、：又一洛液係環氧或丙烯酸型的。當使用-膠時，可 以精由減低該膠在施加時的黏度(例如藉由加熱至高於室 溫’例如70。〇來增強填充與覆蓋特^ 、

除其填充與覆蓋特性以外，該覆蓋層124可以具有環境 保漢特性（例如藉由對於氧氣與濕度係惰性的）並因而保護 及等内部層（例如陰極層122與短路保護層12〇)免受此等或 不利但同樣在製造或使用環境中難以避免的其他物質影 一般而言，該覆蓋層124之厚度並非關鍵，只要沈積足 以填充缺陷與覆蓋該陰極層122表面的材料。然而，該厚 度可以係大約1000 A或更多。 圖2a藉由範例示意性地顯示該電光主動有機層ιι〇之斷 面圖。此處，該電光主動有機層11〇具有一雙層結構並包 含一電洞傳輸層113 (HTL)(例如N，N，-二苯-N，N、雙（1·英 基）]，1’二苯-4,4”二胺（aNPD))與一組合電洞傳輸與發射層 Π 5 (ETL/EML)(例如Alq3)。例示的結構本質上已知並用於 傳統OLED。其係一所謂的小分子結構之範例。可以將採 用此一結構之OLED稱為一小分子發光二極體或 SM-LED)。該等有機層113與115係一般藉由熱蒸發或有機 汽相沈積而沈積之一 smoLED。 除此處已呈現的以外，應明白一 smoLED電光主動有機 層110可以包含或多或少的層與其他有機材料之層，例士 用於傳統smoLED的層。 122835.doc -17- 200812425 圖2b示意性地顯示具有除圖2a之電光主動有機層11〇以 外的另一雙層組成的電光主動有機層21〇之斷面圖。此 處，該有機層210包含一有機HIL (hole injecting layer ;電 洞注入層）211(例如聚（3,4-乙烯二羥基嗟吩）(ped〇T))與― 組合ETL/EML 215(例如聚芴（PF))。例示的結構本質上已 知並用於傳統〇LED。其係一所謂的大分子結構或聚合物 結構之範例。可以將採用此一結構之〇Led稱為一聚合物 發光二極體（polyLED或PLED)。該等有機層211與215係一 般藉由旋塗或印刷技術而沈積的p〇lyLED。 除此處已壬現的以外，應明白一 p〇lyLED有機層可以包 含或多或少的層與其他有機材料之層，例如用於傳統 polyLED的材料。 因此，應明白本發明並非取決於任何特定電光主動有機 層、電光主動有機層結構、該電光主動有機層之組成或材 料，本發明之原理適用於並可相容於絕大部分電光主動有 機層，例如用於傳統0LED及其他電光主動有機二極體的 電光主動有機層。 圖3示意性地顯示依據一具體實施例的電光主動有機二 極體中之層的斷面圖’ &中一第二覆蓋層326係沈積於並 覆蓋該覆蓋層324。其餘層3〇〇、3〇2、31〇、32〇及322對應 於結合圖1呈現的具體實施例之個別層1〇〇、1〇2、丨丨〇、 120及122。该第二覆蓋層326一般係一材料之一環境保護 層’該材料係相對於該覆蓋層324而化㈣性並環境穩定 及可阻抗尤其係氧氣、濕度及其他在使用與生產環境中難 122835.doc 200812425 以完全避免的大氣物質。當將一膠用於該覆蓋層324時， 可以額外地將該膠用於黏接該第二覆蓋層326，例如用作 防止（例如）水向内擴散的一膠合的玻璃覆蓋物蓋子。 該第二覆蓋層326之材料的其他範例係金屬、有機疏水 材料（例如全氟化油）及具有或不具有收水劑之膠（例如環氧 型）。 可以將依據本發明之一電光主動有機二極體用於一照明 裝置與一有機太陽能電池裝置，其可以係一有機發光二極 體（OLED)並可用於燈，用於顯示裝置，例如用於平面 TV、電腦顯示器、數位相機、行動電話及大量其他電子 物件。 現將例示某些更特定具體實施例。 在一第一範例中，一 OLED包含沈積於一玻璃基板上之 一 150 nm的 ITO層，隨後係一 100 nm的 aNPD層與一 80 nm 的Alq3層。在該Alq3層上沈積一20 rnn的BaO層，隨後係一 1 00 nm的A1層。一蒸發之20 nm的Alq3層覆蓋該A1層並消 除其表面的缺陷。在該Alq3層的蒸發之前，用於A1蒸發之 一容器係通風。 在一第二範例中，一 OLED包含沈積於一玻璃基板上之 一 150 nm的 IT0層，隨後係一 100 nm的 aNPD層與一 80 nm 的Alq3層。在該Alq3層上沈積一20 nm的BaO層，隨後係一 1 00 nm的A1層。已在一真空爐中乾燥1 5分鐘的一旋塗之 100 nm的PED0T層覆蓋該A1層並消除其表面中的缺陷。 在一第三範例中，——OLED包含沈積於一玻璃基板上之 122835.doc -19- 200812425 一 150 nm的 ITO層，隨後係一 100 nm的 aNPD層與一 80 nm 的Alq3層。在該Alq3層上沈積一20 nm的BaO層，隨後係一 100 nm的A1層。一 100 nm的PECVD沈積之SiN層覆蓋該A1 層並消除其表面中的缺陷。 在一第四範例中，一 0LED包含沈積於一玻璃基板上之 一 150 nm 的 I TO層，隨後係一 100 nm 的 aNPD層與一 80 nm 的Alq3層。在該Alq3層上沈積一 20 nm的BaO層，隨後係一 100 nm的A1層。一 300 nm的PECVD沈積之SiN層覆蓋該A1 層並消除其表面中的缺陷。將一環氧膠之一第二覆蓋層沈 積於該SiN層上。在該膠層上配置一玻璃板。 在一第五範例中，一 0LED包含沈積於一玻璃基板上之 一 150 nm 的 I TO層，隨後係一 100 nm 的 aNPD層與一 80 nm 的Alq3層。在該Alq3層上沈積一 20 nm的BaO層，隨後係一 100 nm的A1層。一 30 nm的Cr層覆蓋該A1層並消除其表面 中的缺陷，並將一 100 nm的A1層沈積於該Cr層上。 在一第六範例中，一 0LED包含沈積於一玻璃基板上之 一 150 nm的 ITO層，隨後係一 100 nm的 aNPD層與一 80 nm 的Alq3層。藉由蒸發在該Alq3層上沈積6 nm的Ba。在蒸發 之後，將氧氣添加入該容器内（10至5 mbar，2分鐘）。接 著，再次蒸發6 nm的Ba並將其曝露於氧氣。然後係一 100 nm的A1層。一 100 nm的PECVD沈積之SiN層覆蓋該A1層並 消除其表面中的缺陷。 熟悉此項技術者會意識到本發明絕不限於上述具體實施 例與範例。相反，可進行許多修改及變更而不脫離隨附申 122835.doc -20· 200812425 請專利範圍之範疇。 【圖式簡單說明】 附圖更詳 主動有機 動有機二 替代的雙 光主動有 現已參考顯示本發明之目前較佳具體實施例的 細地說明本發明之此態樣及其他態樣。 . 圖1不意性地顯示依據一具體實施例的一電光 二極體中之層的斷面圖。 圖2a藉由範例示意性地顯示如圖1之一電光主 φ 極體中的雙層電光主動有機層之斷面圖。 圖2b不意性地顯示作為圖2a所示之有機層之一 層之斷面圖。 圖3不意性地顯示依據另一具體實施例的一電 機二極體中之層的斷面圖。

【主要元件符號說明】 100 基板 102 陽極電極層 110 電光主動有機層 113 電洞傳輸層 115 組合 ETL/EML 120 短路保護層 122 陰極電極層 124 覆蓋層 210 電光主動有機層 211 有機HIL 215 組合 ETL/EML 122835.doc •21 - 200812425 300 層 302 層 310 層 320 層 322 層 324 覆蓋層 326 第二覆蓋層

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Claims (1)

1. 200812425 十、申請專利範圍： 1 · 一種電光主動有機二極體，其包含： 一陽極電極層（1〇2); 一陰極電極層（12 2); 電光主動有機層（11 〇)，其係配置於該等電極（丨、 122)之間；以及 其特徵為

   一覆盍層（124)，其係配置與該陰極層（122)之一表面 接觸使得該陰極層（122)係定位於該電光主動有機層 (110)與該覆蓋層(124)之間’該覆蓋層(124)由相對於與 該覆蓋層（124)接觸之一陰極層（122)材料係一實質上惰 性的材料形成，該情性材料係沈積於該陰極層〇22)之該 表面上使得覆蓋該整個表面並且消除表面缺陷；以及 一短路保護層（12〇)，其係配置於該陰極電極層（122) 與該電光主動有機層(110)之間並與該陰極電極層(122) 八中'^路H層（12G)係由-無機半導體材料形 I =求項1之有機二極體’其中該短路保護層(叫 3.如請求項!或2之有機二極體，其 u 無機+導體材^ 有匕该陰極層(122)之該材料更高的熔化溫度。 4·如明求項！之有機二極體， 一大 ，、中忒無機+導體材料j 、、2·7〜並較佳的係大於之帶隙。 5 ·如明求項丨之有機二極體，苴 ”甲忒無機丰導體材料^ 122835.doc 200812425 一 〇·5 eV與3·5 eV之間的電子親和力。 6·如請求項1之有機二極體，其中該無機半導體材料具有 大於1 ’較佳的係大於1 〇並更佳的係大於3 0之介電常 數。 7·如請求項1之有機二極體，其中該無機半導體材料包含 欢土知金屬或鑭之一硫族化合物或二元氧化物，較佳 的係 Ba〇、t ^ aSe、La2〇3 或 Ce2〇3。 •如明求項1之有機二極體，其中該短路保護層（12〇)具有 至> 50 A並較佳的係高於2〇〇 A之厚度。 9.如請求項1 、 有機二極體，其中該覆蓋層（124)係導電 10.如：求们之有機二極體，其中該覆蓋層轉一具 數的：較佳的係大於1〇並更佳的係大於3°之介電 11 ·如請求項] 膠，—極體，*中該覆蓋層(12句包含 八榖佳的係環氧或丙烯酸型的。 12.如請求項1之古城 膜封農材料，體’其中該覆蓋層（124)包含― 二氧化石夕⑽的係氮切（SiN)、碳化石夕⑻C) 〗…求項=氣化_2〇3)。 、1之有機二極體，复 層（324)上之—第_承_ ，、進一步包含配置於該覆】 層（326)。 乃放置，例如—燈， 極體。 /、包含如請求項1之有機二 機二極體 15· 一種顯示裝置，其包含如請求们之有 122835.doc 200812425 16. —種有機太陽能電池裝置，其包含如請求項1之有機二 極體。 〇 122835.doc