TW200811473A - LED extractor composed of high index glass - Google Patents

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optical
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TW096115575A
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Catherine Anne Leatherdale
Amy Suzanne Barnes
Anatoly Zhanovich Rosenflanz
Andrew John Ouderkirk
Kenton Derek Budd
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3M Innovative Properties Co
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Description

200811473 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上係關於發光二極體（LED)，且詳古之係關 於用以擷取一LED晶粒中所產生之光的光學組件或元件、。 【先前技術】 v led為一種理想之光源選擇，此部分係由於其具有相對 較小之大小、低功率/電流要求、快速響應時間、較長之 Φ 壽命、強健之封裝、多種可用輸出波長及與現代電路構造 之相容性。此等特徵可有助於解釋其在過去數十年中於多 種不时終用途之應用中的廣泛使用。繼續對LED在二 率、亮度及輸出波長方面進行改良以進一步擴大潛在最级 用途應用的範疇。 、 led通常以封裝形式出售，其包括一黏著於金屬基臺上 的led晶粒或晶片。基台可具有其中黏著有㈣晶粒之反 射杯及連接至LED晶粒之電導線。一此封 句 丽表面以部分調準自晶粒發出之光，或具有一標稱平坦表 面。已提議使用除樹脂以外之其他材料用做囊封主體，在 - 本文中將其稱作”囊封材料"。舉例而言，美國專利 • 3,596，136 (Fischer)論述了具有由某種玻璃製成之穹面的 1^0玻璃包§以重里計為19%至41%之砷、1〇%至25%之 溴及28%至50%之硫或65%至7〇%之石西。Fischa報告具有約 2.4之折射率的至少一黃色玻璃、具有2·5與2·7之間的折射 率之另一紅色玻璃及具有約2.9之折射率的又一黑色玻 120373.doc 200811473 亦已知利用一單獨製造且接著接觸或緊鄰LED晶粒之一 表面的光學元件來耦合或’’擷取”來自此處之光且減少晶粒 内所截獲之光的量。在本文中將該元件稱作擷取器。擷取
器通常具有一經定大小及形狀以實質上與LED晶粒之主發 光表面配合的輸入表面D LED在構成LED之晶粒的高折射率半導體材料中產生 光。若將晶粒浸入空氣中，則半導體與空氣之間的較大折 射率失配使得在晶粒内傳播之大部分光於晶粒/空氣界面 處务生全内反射。只有在與界面相關聯之相對較窄逃逸錐 面内成角度行進的光可折射入空氣中且逸出晶粒。逃逸錐 面之半角為熟知之界面臨界角。結果，浪費了晶粒所產生 之大部分光且有損於LED可達成之亮度。 一囊封材料及#1取H均可用以減少被浪費之光的量且改良 儿度其藉由在LED晶粒之表面處提供—與空氣相比折射 率⑷較接近晶粒之折射率的透光材料以減小界面處之折射 ^失配且增加逃逸錐面之跨距來完成此。η與晶粒之折射 j忿接近，則晶粒内部被浪費之光愈少且LED可閃爍得愈 亮。 ^ 從實，的觀點來說’習知囊封材料於此方面僅在有限程 度内獲仔成功。囊封材料實質上圍繞晶粒，且由於好 :實質上圍繞晶粒且因晶粒處所產生之熱量而導致之較： 度私動’目此選擇囊封材料不僅係出於其折射率特性還 其熱及機械特性以避免LED晶粒在多個溫度循環内受 120373.doc 200811473 損，且出於其在曝露於晶粒所發出之高通量時抗黃化或复 他劣化的能力。結果，多數囊封之咖利用具有僅約丄^ u之折射率n的專㈣氧樹脂。此等值遠大於线之折射 率（n=l)，但遠小於多數LED晶粒之折射率㈣3或更高）。 因此仍有實質改良之空間。 可能歸因於首先製偏取器且接著將其固定於㈣晶粒 上=恰當位置上所需的額外製造步驟，以及相關聯之費用 及複雜因此取器目前並不如囊封材料那樣廣泛地用 於LED中…些卫作人員已提議使用結合層來將擷取器結 合至LED之表面上。見（例如）美國專利申請公開案 2〇〇5/0()23545 (Camras等人）。此^作人員提出以下列材 料來形成擷取器：SiC (所報告之折射率在5〇〇謂情形下為 〜氧化銘（藍寳石，所報告之折射率在5〇〇 nm情形下 為〜1.8)、金剛石（所報告之折射率在5〇〇 _情形下為 〜2.4)、方晶鍅石（Zr〇2)、Sienna公司之氮氧 化鋁（A10N)、多晶氧化鋁（透明氧化鋁）、尖晶石、可 紐約安大略省之〇ptimax 8州咖公司之肖特（Sch〇啦璃 LaFN21、肖特玻璃 LaSFN35、LaP2、LaFMLaFi〇。亦提 到一些其他材料。咸信該等材料大體屬於兩類：具有中等 折射率U.5<n<2)之玻璃材料及具有較高折射率之結晶材 料，例如，金剛石及碳化矽，其折射率遠大於 【發明内容】 本申請案尤其揭示已發現在製造用於咖之擷取器的過 程中填充—重要間隙的一類材料。類似於已知之結晶材 120373.doc 200811473 料此等材料具有高折射率（在LED之發射波長下為心2， 或 ，5¾ η >ο ο *4*、 一 喊 ·2 ’或以2.3)。但與結晶材料不同，所揭 不之材料至少在最初為非晶形玻璃。因此，其展現出相異
、离轉私酿度Tg及結晶溫度Τχ，且可容易地使其變形以 成為，取器或擷取器陣列之形狀從而隨後與㈣晶粒或 ㈣：：陣列配合。較佳在忉峨以下之溫度下完成該變 形右而要，可較佳在使材料變形為一或多個擷取器之形 狀之後使材料經受熱處理，以使玻璃材料轉化為稱作破璃 陶瓷材料的部分結晶或完全結晶之材料。 所揭示之材料較佳包括至少兩種不同金屬氧化物及少量 習知玻璃形成物，例如，少於2〇 (或ΐ5、ι〇、$、3U 重望百分比之Si〇2、少於20 (或15、1〇、5、3、.2或^重量 百分比之AOs及少於4〇 (或3〇、2〇、1〇、$、3、2或丨）重量 百分比之?2〇5。在一些情形中，材料包括基於所執行之玻 璃主體的總重量少於20 (或1〇、8、5、3、2或”重量百分 比的整組化合物As2〇3、Bi2〇3、Ge〇2、仏〇、、 V2〇5、Si〇2、b2〇3及p2〇5。較佳地，\與1隔開至少 5°C，亦即，。 由此等材料製成之擷取器可具有多種形狀及大小，㈣ 較佳包括經調適以與LED晶粒之一表面配合的至少一輸^ 表面。舉例而t，若LED晶粒具有矩形輸出表面，則:取 器之輸入表面亦可具有矩形形狀，該輸入表面之長度及寬 度可類似於LED晶粒表面之長度及寬度，例如，與之實質 相同或與之相I不超過其:^0%或±2〇%。在B曰曰粒具有=坦 320373.doc 200811473 2主發光表面的情形中，操取器之輪入表面繼 :可提供揭取器之其他表面以隨意地重新定向所=— 光。舉例而言，擷取器可包括 擷取之 W T出表面及一連技私X 士 面/、輸出表面之侧表面。輸出多 雨表 表面可成角或呈錐形以至少部分沿表面’且側 軸來調準LEDS。在其他情 ^對稱軸的 少w丄… 1 表面或側表面Γ甚在 在）可成角以在側向方向上定向光。 广請案之此等及其他態樣將自以下詳細描述而_ -而，決不應將以上概述理解 铷 制，哕沪Μ騙I 4 77王烺之铽的物的限 #的物僅由隨附申請專利範圍來 行期間對其進行修改。 口為了在執 【實施方式】 以下[.實施方式]描述發光二極體（LED)光源。在此方 見外、線還是紅外線。其包括標記為,，LED”之不 金 一 °又f，不官其為習知輻射類還是超 田…員且不管其為前向發光類還是側向發光類，其中後者 在顯示器應用中往往較為有利 '若LED發出諸如紫外光之 不可見光A在其發出可見光的一些情形令’其可經封裝 从包括有機或無機麟光體(或其可照射置於遠 以將短波長之光轉化為較長波長之可見光，從而在一些情 形中產生發出白井之兮凡供 , °又觜。LED晶粒"係呈LED之最基本 ”的LED ’亦即’呈藉由半導體處理程序而製造之個別 、、且件或晶片的形式。舉例而言，LED晶粒通常由一或多個 120373.doc -10- 200811473 二之二與—或多個V族元素之組合製成 :二導體材料的實例包括諸如氮化鎵之氮化物及 也牛輪之璘化4勿。亦可使用其他類型之出-V材料作 ::!週期表之其他族中的可能無機材料。組件或晶片可 ㈣加功率W供以動力之電接觸點 人捲▼式自動結合（tab)或覆晶結 2〜件或晶片之個別層及其他功能元件通常以晶圓級形 t且可齡將完成之晶圓分割為個別塊件部分以產生多 ED曰曰曰粒。LED晶粒可經組態以用於表面黏著、板上曰 片或其他已知之黏著組態。 曰曰 此外’為此中請案之目的’下列術語將具有所指示之含 義’除非另有明確指示： ”非晶形材料"係指得自溶融及/或氣相之材料，其缺少任 何大辄圍晶體結構（如由x射線繞射所判α，及/或具有對 應於非a emv的發糾值（如由熱差分析 所判定）； ) 1差分析法”或"DTA"係指一程序，其包括在溫度升高 時1㈣本與諸如Al2〇3之熱惰性參考物之間的溫度差。 作為惰性參考物之溫度之函數的溫度差圖提供了關於樣本 中所發生之發.熱反應及吸熱反應的資訊。可自德國賽爾巴 (Selb)市之Netzsch Instruments 以商標名稱"卵丁說η {Μ 4〇9 DTA/TGA"購得用於執行此程序的例示性儀$。可將 適量（例如’ mg)樣本置放人合適之惰性保持器中（例 如，100 ml之Α1ζ〇3樣本保持器）且在靜態空氣中以合適速 120373.doc -11- 200811473 率⑽如，攝氏10度/分鐘）自初始溫度（例如，室溫，或約 25°C)加熱至諸如12〇(rc之最終溫度。 、 玻璃’係指展現出玻璃轉移溫度之非晶形無機材料； 玻璃陶n指藉由對玻璃進行熱處理而製成之材料，， 、 該材料部分結晶或全部結晶； ^ g係拓藉由合適之DTA_試而判定之玻璃轉移溫度；且 I係指籍由合適之ϋΤΑ測試而判定之結晶溫度。 • 吾人現轉而參看圖式以首先展示並描述例示性LED擷取 f、擷取器/晶粒組合及其陣列。此後，吾人論述較佳之 高折射率玻璃材料。 擷取器 圖繪一具有一輸入表面12、一輸出表面14及一側表 面16之LED擷取器10。緊鄰輸入表面12定位之led晶粒μ 自包括主發光表面20在内之若干表面發出光。一間隙22展 不為將輸入表面12與發光表面2〇隔開。無論間隙22中填充 _ 有工氣還是透明結合材料或是其他材料，間隙22均足夠小 乂使知擷取裔1〇之存在導致至少一些原本將在晶粒Η 内毛生全内反射的光籍由折射或受抑全内反射而耦合至擷 取器中。通常，間隙22為約100 nm、50 nn^^25 nm或更 ^ 小。在其他實施例中，可實質上除去間隙22。在任一情形 中’輸入表面12經調適以光學式地耦接至發光表面2〇以用 於將光自LED晶粒有效地轉移至擷取器。
雖然出於簡化之目的而一般性地展示LED晶粒18，但其 可包括此項技術中所知之習知設計特徵。舉例而言，LED 120373.doc 12 200811473 晶粒18可包括相異之？型及_摻雜半導體層、緩衝層、基 板層及上覆層。雖缺展+ _ … ^ 卜 形led晶粒配置，然而亦涵 蓋其他已知組態’諸如具有形成倒截頂角錐之成角侧表面 的㈣m然出m之目的而未展示與led晶粒18 之電接觸點’但可如所知在LED晶粒18之表面中的任何表 面上提供該等電接觸點。鲂 丧觸』車乂彳土地，晶教18具有"覆晶，，構 造’其中電接觸點提供於底部主表面上以便可使相對表 面2〇平坦而不會妨礙與擷取器之輸入表面!2之方便地配 合。 雖然榻取^具有倒截頂錐面形狀，但其他形狀亦為可 能的。在圖i之示意圖中，側表面16可表示單個錐形旋轉 表面或將輸入表面12連接至輸出表面“的多個小面化表 面。輸入表面12可經定形狀以為可能存在於咖晶粒之發 光表面20上的電接觸點留出空間。在多種情形中，發光表 面0中之些或貫質上所有者均為平坦且經樾光的。在彼 等情形中’亦需要擷取器之輸入表面12的相應部分（包括 所有部分）亦為平坦且經抛光的以（例如）展現出小於50麵 或另-指定容限的表面粗糙度。雖然無需要求精確地疊 合’但輸入表面12之橫向尺寸及形狀亦較佳經定大小以应 ㈣發光表面配合1將製造容限考慮㈣，擷取器輸入 =面可相對於LED發光表面過小或過大。舉例而言，類取 益輸入表面之橫向尺寸可高達LED發光表面之相應尺寸的 110%或，&低至LED發光表面之相應尺寸的9㈣或 選_取器之尺相使擷取器之最大橫向尺寸（無論 120373.doc 200811473 …κ向尺寸出現在輸入表面、輸出表面還是中間位置 上）標稱等於LED晶粒之相應橫向尺寸亦可為有承 充分描述於20〇5年22日申請之共 U ^尻杲國申請幸 ^，(m (Leatherdale等人）（代理人案號6州侧叫中、
的此方法中’可在將含有規則之擷取器陣列的碟片或主體 結合至晶圓級L轉列之後沿同—條㈣線來切 個別之LED/擷取器對。 次刀J
由於擷取器經調適以與LED晶粒—起使用，且咖晶粒 之寬度趨向於不超過數毫米，因此擷取器亦趨向於相對較 小。在不欲限制之情況下，擷取器通常具有1毫米至4毫米 或5笔米之整體長度，及在同—範圍内且通常小於長度 整體寬度。 又 在操作過程中，在LED晶粒18中所產生之光自發光表面 20發出且通過間隙22進入㈣請中。顧取器啊結:至 led或可如2_年1M29日中請之共同讓渡美國申請案 10/977,249 (C〇nnor等人）（代理人案號6〇216Us〇〇2)中所描 述呈非結合組態。LED晶粒18中所使用之材料具有高折射 率’其可使得LED晶粒18中所產生之大部分光在晶粒表面 處經歷全内反射。為使此光中之更多光能夠逸出，發光表 面20光學式地耦接至擷取器1()之輸入表面^上。製造擷取 器1〇之高折射率材料自LED晶粒擷取原本將由於全内反射 而失去的光。擷取器10之形狀（其中輸入表面及輸出表面 沿led晶粒之中心軸而安置(其中輸出表面寬於輸入表面) 且侧表面如圖所示呈.錐形）至少部分地調準所收集之光。 120373.doc -14· 200811473 圖1展不代表性傾斜定向射線24a，其在側表面16處藉由全 内反射或其他方式而反射以產生與LED之中心軸更接近地 對準的反射射線24b 〇 為最大化光擷取放率，擷取器1()之折射率應更接近地匹 配LED晶粒18之發光表面2〇的折射率。但LED晶粒自身通 吊包含具有不同折射率的相異個別層，例如，安置於 ^2<^3或其他合適材料之固態基板上的蠢晶半導體 f。在該等情形中，若LED晶粒18以面朝上之組態黏著於 散熱片（未圖示）上，則發光表面20與半導體層中之一者的 ^外表面重合且擷取器之折射率較佳匹配半導體之折射 率。另一方面，若LED以面朝下之組態（亦即，磊晶層朝下 或f晶）黏著於散熱片上，則發光表面2〇與基板重合且擷 取器之折射率較佳匹配基板之折射率。對於以GaN/Al2〇3 為主之高亮度LED而言，折射率要求介於約175與2 4之 間。在以m族磷化物為主之半導體的情形中，半導體層之 斤射率可间達4.0。如上文中所論述，已提議作為用於l肋 之擷取器使用的高折射率材维2)通常為難以加工或形 成所要較小形狀且亦成本高昂的結晶材料。 圖2展不另一 LED擷取器30之示意性透視圖。與擷取器 10類似，擷取器30具有一輸入表面32(該輸入表面32具有 類似於輸入表面12之特徵）、一輸出表面34及至少一側表 面。對於擷取器30,側表面包含四個相異小面（見表面 36a、36b) ’輸入表面及輸出表面之多&形形狀的每一側 具有一小面。输出表面34具有大於輸入表面32之橫向尺 I20373.doc -15- 200811473 寸，且侧表面因此呈錐形以提供某些調準特性。 。圖3展示另-LED擷取器狀示意性透視圖，該咖操取 器40包括一輸入表面42(該輸入表面42具有類似於輪 面12之特徵）、—輸出表面44及—側表面Μ 1取^㈣ 擷取器職似，但輸人表面42及輪出表面44經明確展示為 具有曲線形邊界而❹邊形邊界，且側表祕為連^轉 表面。在—例示性實施财，侧表㈣之形狀為抛^形
或抛物面形。再者，輸出表面44大於輸入表面Ο,且側表 面4 6呈錐形以提供至少部分調準。 若需要’則可將錐形擷取器之定向顛倒以使輸人表面大 於或寬於輸出表面。在該等情形中，擷取器可呈角錐 論經截頂還是未經㈣，且無論具有圓形、橢圓形還是多、 邊形底面）而非如圖…騎之㈣至LED晶粒的倒角錐形 式光t由先别稱作輸出表面14、輸出表面34、輪出表面 歡表面進入擷取器中，且可經由先前稱作輸入表面 (32 42)的表面且經由側表面16、側表面32a至側表面 、側表面46離開操取器。或者，可使角錐止於一點（亦 即，未經截頂）以除去表面12、表面32、表面42。在2〇〇6 年5月2日申请之標題為"LED Package With Converging Optical Element"(代理人案號62〇76us〇叫的共同讓渡美 國申明案第1 1/381,324號中提供了對該等操取器組態的進 一步論述。 圖4展不另一擷取器50之示意性側視圖。擷取器50包括 輸入表面，52(該輸入表面52具有類似於輸入表面12之特 120373.doc -16- 200811473 ^ 輸出表面54及一側表面56。擷取器50同樣與擷取 器1〇類似，但輸出表面54為曲線形以控制所發出之光的發 散。與先前之實施例類似，可將擷取器50模製為一單體光 學主體。 圖5展示類似於圖4及其他腾式之擷取器的擷取器㈣之示 思性侧視圖，但其中擷取器⑽具有一由兩個相異透光主體 或結構之接合而導致的複合組態。擷取器祕具有一輸入表
面62、一輸出表面64及一錐形側表面65。擷取器包括沿較 佳（但不必需）平坦之配合表面66a、配合表面而結合或 以其他方式接合在一起的相異光學主體66、光學主體68。 可使用諸如光學黏著劑、低Tg密封玻璃或反應結合之習知 方法來進行接合。可由具有相似或不同特性之相同或不同 透光材料來製造主體66、主體68。舉例而言，主體Μ可為 市售光學玻璃或甚至為聚合物。較佳地，擷取器之最接近 LED晶粒（且含有輸入表面）的部分具有高於擷取器之其他 部分的折射率。因此’在目5之情形中，嫩體66較佳 包含下文所描述之高折射率玻璃，且主體68可由下文所播 述之玻璃中的另一者或由具有較低折射率的市售玻璃製 成右諸如下文所論述之高折射率玻璃中之一者的高折射 率光學材料展㈣實f散射哉㈣使得無法將其用於整 個擷取器，則複合構造亦可為有益的。可將該材料用在顧 取裔之輸人端處以具有足夠小之厚度來將散射或吸收保持 在可接f之程度’且接著與較低散射或較低吸收材料組合 以完成擷取器。在测年1G月29日申請之共同讓渡美國申 120373.doc -17- 200811473 請案 10/977,225 (Ouderkirk 等人）（代理人案號 60218US002) 中提供了對用於LED之複合擷取器的進一步論述。 圖6展示類似於擷取器60之擷取器7〇的示意性側視圖， 但其中光學主體68由較寬之透鏡或主體78替代，該透鏡或 主體78的外表面74戒為擷取器之輸出表面，且其另一表面 78a接合至主體66之表面66a。表面66a之邊緣自表面这之 邊緣凹入。 圖7為另——擷取器80之示意性側
取器70類似，擷取器80具有複合構造。擷取器⑽包括沿肩 2接合在一起的光學主體86、光學主體⑽。擷取器⑼具有 輪入表面82、一輸出表面84及一側表面85，但此等表面 之2色可如上所述視選擇（且調適）哪一表面來與led晶粒 之發光表面光學式地耦接或配合而發生改變。較隹地，在 榻取器之輸人端處使用下文所論述之高折射率玻璃中的一 者用於光學主體’且在擷取器之輸出端處使用諸如石夕酸越 :較低折射率(習知)的玻璃形成材料用於光學主體。可視 主體st予材料之光學特性、機械特性及熱特性來選擇光學 光學特性光學主體88之相對大小或厚度產生具有可接受之 。、寺11、機械特性及熱特性的擷取器。 合擷取擷取為之光學主體中的-者€例如，在該複 寶石或:化广包含諸如金剛石4 揭取器之另丄¥熱率的透明高折射率材料。複合 为一光學主體（例如，在爷滿人摊％您 處的光學主俨w '人 在該稷δ擷取器之輸出端 體）可包含下文所論述之高折射率玻璃材料中 120373.doc 200811473 的-者。可使用該實施例來有效地轉合來自咖晶粒之熱 及光。 圖8及圖9說明擷取器，其表面經配置以在主要_^ 方向而非沿LED晶粒之中心軸的前向方向上重新定向來自 LED之光。側向發光LED尤其適用於液晶顯示器面板之薄 型直接點燃背光中’此係_可使光在較短距㈣橫向鋪 展以避免在顯示器之觀；fd域上造成明亮及黑暗區域或熱
圖8為楔形擷取器90之示意性側視圖。揭取器卯具有一 輸入表面92、一輸出表面94及側表面9“、側表面⑽。雖 然先前料之擷取㈣輸人表面與輸出表面可心益需彼 此精確平行’但在擷取器90中，輸入表面％與輸出表面％ 以相對於彼此之實質角度（標稱約9〇度）進行安置。
矩形、梯形、餅狀、半圓形或其任何組合之多種形式中的 任何形式。 藉由該配置，進入穿過輸入表面92之光線…反射離開 側=鳩、側表面96a中之一者或兩者（無論藉由全内反 射還是借助於未圖示之反射材料或塗層）且如光線鳩所表 示而大致側向地重新定向。光、線98b隨後經由輸出表面Μ 射出。自俯視圖來看，擷取器90之形狀或周界可採用包括 圖9為另一楔形擷取器1〇〇之示意性側視圖。擷取器 八有輸入表面102、一輸出表面104及侧表面106。擷取 器100可具有將擷取器9〇圍繞與側表面96a重合之垂直軸進 行旋轉而得到的形狀。在一些情形中，可藉由將擷取器90 120373.doc -19- 200811473 :=ΐ在其各別之側表面96a處接合而以複合構造來製 k 操取器 〇 在 一 %： n ^ ^ a »44. 秦造中，假想線108表示構成 00之相異光學主體之間的可能界面或邊界。 與梅取益90類似，掏抱吳，Λ ι ρ|取叩100之輸入表面1〇2與輪出表面
以相對於彼此之實f角度（標稱约9G度）進行安置。進入 輸入表面1G2之光反射離開側表面⑽（無論藉由全内反射 遥是借助於未圖示之反射材料或塗層)且大致側向地重新 定向，隨後經由輸出表面1G4射出。自俯視圖（未圖示）來 看擷取益100可具有包括（例如）多邊形（例如，正方形或 矩形V、圓形及橢圓形之若干形狀中的任一形狀。藉由圓 形及橢圓形形狀或周界，進人輸人表面⑴之光經重新定 向以形成一輸出光環。 以上實施例僅表示多種可能之擷取器形狀及構造令的一 些。從製造觀點而言’無論選擇哪種形狀或構造，均需要 以陣列形式來製成擷取器。料列使得能夠同時對大量小 型擷取器方便地進行操縱及處理，例如，在需要對擁取器 之表面進行拋光以更佳地耦接至LED晶粒的情形中。亦可 將陣列中之擷取器設計為具有—經選擇以與LED陣列之配 置及間隔實質上匹配的配置及間隔，從而使得擷取器陣列 可與LED陣列料且接合至LED陣列以同時產生大量（較佳 為數十或數百）LED/操取器對。 圖10示意性地說明一代表性擷取器陣列11〇及相匹配之 LED陣列120。擷取器陣列110包括以一固定之空間關係（諸 如藉由一連續之平臺層114)而固持在一起的複數個撖取器 120373.doc -20- 200811473 112。固定空間配置經選擇以與LED陣列12〇上的之空 間配置相匹配（在下文中進行論述）。擷取器陣列ΐι〇可為一 單體主體，其中擷取器112與平臺層114包含相同之透光材 料，或其可為非單體，其中平臺層114包含不同於擷取器 ^ 112之材料（無淪是否透光）Λ此外，擷取器112自身可具有 • 如上文所論述之複合構造&擷取器112展示為類似於圖1之 擷取器10的錐形形狀，但其亦可表現上文所提及之其他擷 φ 取器形狀及構造中的任一者。重要的是，擷取器各具有一 經調適以光學式地耦接至相應LED晶粒之輸出表面的輸入 表面112a。此較佳藉由確保擷取器輸入表面之外部尺寸與 LED發光表面之外部尺寸實質上匹配及/或藉由確保擷取器 輸入表面之輪廓與LED發光表面之輪廓實質上匹配而實 現。通常，LED發光表面在指定容限内為平坦且平滑的， 在/丨月^/中，擷取器輸入表面亦在相同或類似容限内為 平坦且平滑的。 _ 在2004年10月29日申請之共同讓渡美國申請案 1〇/977,239 (Ouderkirk 等人）（代理人案號 602〇3Us〇〇2)及 2005年11月22日申請之共同讓渡美國申請案11/288,〇71 (Leatherdale等人）（代理人案號6〇914US〇〇2)中揭示了製造 用於LED之擷取器陣列的一些方法。或者，在陣列包含下 文所描述之高折射率玻璃材料的情形中，該陣列較佳至少 部分藉由在合適之模具中藉由施加熱及壓力而使玻璃顆粒 變形且視情況聚結個別玻璃顆粒以形成較大之顆粒或主體 而製成。在與本文同一日申請之標題為" 120373.doc -21 - 200811473
Making LED Extractor Arrays”的共同讓渡美國申請案（代 理人案號62U4us〇〇2)中揭示了該等模製技術。 LED陣列120較佳為一固態晶圓，其已使甩習知半導體 處理程序而製成以形成能夠產生光之p-n接面或其類似 物，以便在單化（例如，藉由鋸切或分割）時可形成具有發 光表面122a之個別LED晶粒122。因此，如上文所論述， led陣列可包括經選擇以用於批量製造led的相異層之堆 a諸如陶瓷或半導體基板、上覆層、磊晶層及/或經摻 雜之層。亦可在陣列120上包括用於向個別1^]〇供以動力 之圖案化電接觸點。由於陣列12〇通常較薄且相對較堅 硬，且常為圓形，因此亦可將其稱作”晶圓"。可在晶圓表 面上以任何所要方式（例如，以列及行之配置）來配置晶粒 122。可將數十或數百個個別晶粒122裝配於晶圓之區域 内。因此較佳在擷取器陣列110上提供相同數目之擷取器 112 〇 °
在圖10所描繪之方法中，起初分開之陣列11〇、陣列i2ft 彼此對準以較佳提供擷取器與LED晶粒之間的——對應關 係。接著視情況藉由諸如光學黏著劑或低Tg密封玻璃之合 料光結合㈣或藉由反應結合或藉由任何其他合適技術 2開之對準陣列接合在—起。若需要，則可接著藉由切 d或刀割而單化晶圓或陣列120以顯現出個別LED 122。介 _亦可視所欲應用而單化擷取器陣列120，從而可隨意 地將個別LED晶粒/擷取器對個別地黏著在散熱片或其他基 板上。可藉由切開或截斷平臺層114來進行單化，該平臺 120373.doc -22- 200811473 上表面可成為類取器112之輸出表面。若藉由切割 陳二：貝咖取器之大小適當的情形下，切割LED :的同一切割操作可同時㈣ 厂时法中，^_取器與平臺層使用不同材料，則可 ^ (例如）藉由將擷取哭斑卓A庶4己 、 °σ /、置層拆開而簡單地移除平臺層。 ,了，：曰之移除繼而曝露出擷取器:m之上表面，該表面 :視，、設計而成為每一線取器之輸出表面。在又一方法 •列，：取器陣列可藉由平臺層114下降而結合™陣
^#、即’錯由重新配㈣取器陣列及LED陣列以使LED Π面在與擷取器112對準的同時接觸平臺層⑴。在該 =二表面心可成為輸出表面且平臺層之曝露之主表 面可成為擷取之輸入表面。 高折射率破璃 所提及，為增強LED光源之效率，所揭示之顧取 1 包含一所選種類之玻璃或破璃陶竞材料，該等玻 _ 璃或麵㈣材料之折射率為至少2、㈣為至少21、u 或2.3或更高。已提議使用高折射率結晶材料（諸如，碳化 =或金剛石）作細D擷取器，但料㈣與㈣技術不相 谷’且用於將該等材料製成諸如擷取器之小型部件的程序 ::冗須、耗時且昂貴。亦已提議一些可自光學玻璃製造 商處購得的習知玻璃材料，該等材料之折射率雖然高於典 型之LED囊封樹脂，但通常低於2。 已知以（例如)Ti〇2、肌2〇5及Ta2〇5為主的—些高折射率 玻璃（例如，心2)。見(例如）美國專利3,946,13〇 (η吨）及 120373.doc -23- 200811473
Topol L.E·專人之"Formation of new oxide glasses by laser spin melting and free fall cooling”，j· Non-Crystal.
Solids，12 (1973)，377-390。此等玻璃可含有以重量計少 於20%之Si02、2〇%2B2〇3及40%之pa〗。然而，直到近期 仍僅知曉該等玻璃呈微珠、薄片及其他微粒之形式，亦 即，具有嚴格限制之大小。該等尺寸限制使得該等玻璃不 適合用作LED擷取器，LED擷取器雖然較小，但通常並非 微觀的，且通常具有至少一約為數毫米（例如，、毫米至1〇 宅米、或1毫米至5毫米、或1毫米至3毫米或J毫米至2毫 米）之尺寸。令人吃驚的是，發現有可能製備以（例如）Ti〇2 為主之大塊玻璃以賦能大型、毫米及以上之大小的玻璃物 品之形成。此係藉由在高於玻璃轉移溫度之溫度下執行顆 粒固結步驟而達成的。發現此等玻璃在顯著結晶發生之前 (Tx)可經歷玻璃轉移（Tg)。此使得能夠自相對較=塊件之 玻璃大量製成具有任何尺寸之物品。舉例而言，一物品係 藉由加熱玻璃或含有玻璃之顆粒（包括藉由（例如）碼磨π而口獲 得之珠粒、微球、纖維及粉末使得玻璃或含 有玻璃之顆粒等聚結以形成所要形狀並冷卻該聚結之形狀 以提供該物品而製成。在一些情形中，於至少一在約 5〇〇°C至約100(TC之範圍内的溫度下進行加執。乂 门：了以Τί〇2,及丁咏為主之玻璃外，已藉由上述 固結方法而獲得多種以Al2〇3為主 人％坡璃。A1 〇可赋 予適用於諸如金屬切割工具、牙 3了賦 打I復等终多非弁學用冷 的而機械及化學耐久性。同時， '、
Al2〇3之相對較低的折射 120373.doc -24- 200811473 率（約1.7)使得無法形成具有2及以上之折射率的玻璃。 本申請案識別能夠展現出至少為2之折射率且適合作為 led擷取器使用的一類玻璃（包括玻璃陶瓷）材料。由於該 專材料至少在最相時為玻璃，因此可在相對簡單且快速之 程序令對其進行模製或以其他方式使其變形或聚結以形成 精確成形之擷取器，包括擷取器陣列。此等材料之結晶溫 度Tx較佳比其玻璃轉移溫度％高出至少5<t，以提供對材 料顆粒進行模製、變形或聚結所處之足夠之處理窗口。 雖然已在列印出版物或其他文獻中揭示了此等較佳玻璃 中之-些用於其他應用巾’然而該等文獻未揭示玻璃可展 見出间達2及以上之折射率’且未揭示可使用該等玻璃來 製造用於LED之擷取器。該等文獻實際揭示了包含少量習 知玻璃形成物的-較大種類之玻璃（本文中稱作，，非習知玻 璃，’），且吾人已發現此等玻璃中之一些展現出異乎尋常的 高折射率且適合作為LED擷取器使用。非習知玻璃包含(例 如)少於賴^………蹭量百分比之叫、 少於20 (或15、1〇、5、3、2或舌旦八丄 η 二）重里百刀比之Β2〇3及少於. 40 (或30、20、10、5、3、2或1)重量百分比之ρ2〇5。在一 ^情形中’非f知玻璃包括基於所執行之玻璃主體的總重 1之少於20 (或10、8、5、3、2或”重量百分比的整组化 合物 AS2〇3、Bi2〇3、Ge〇2、Na〇、Te〇2、V2〇5、si〇2、 B2〇iP2〇5。非習知玻璃包含在下文中進一步闡釋的至少 兩種不同金屬氧化物’而非大量此等習知玻璃形成物。較 佳地，％與1隔開至少5t，亦即，Τχ>τ^5ι。 120373.doc -25 - 200811473
在非習知玻璃中（且因此亦潛在地在較佳高折射率玻璃 中）使用的至少兩種金屬氧化物可包括（例如）：Al2〇3 ; Ti02 ;諸如 Ce02、Dy203、Er203、Eu203、Gd203、 H〇2〇3、La2〇3、L112O3、Νά·2〇3、Ρ:6〇ιι、S1112O3、Tb2〇3、 Th407、Tm203及Yb2〇3之稀土元素氧化物⑽。）；^!^、 Hf02、Ta205、Nb2〇5、Bi203、W03、V205、Ga203及諸如 CaO及BaO之鹼土金屬氧化物。有用之金屬氧化物的例示 性組合包括：RE0-Ti02、RE0-Zr02-Ti〇2、REO-Nb2〇5、 RE0-Ta205、RE0-Nb205-Zr02、RE0-Ta2CVZr02、Ca0-Nb205、Ca0-Ta205、Ba0-Ti02、RE0-A1203、REO-Al2〇3·
Zt02、RE0-Al203-Zr02-Si02及 Sr0-Al203-Zr02。有用之玻 璃調配物包括共晶或接近共晶組合物的調配物。 為得到關於該等非習知玻璃之進一步論述及教示，可參 考：美國專利公開案XJS 2003/0126803 (Rosenflanz)(代理 人案號 56400US004) ; PCT 公開案 WO 03/011776 (Rosenflanz)(代理人案號56938WO003);美國專利公開案 US 2005/0065013 (代理人案號 58807US002) ; 2005 年 11 月 14曰申請之美國申請案第1 1/273,5 13號（代理人案號 61351US002)。亦可參考：美國專利 2，150,694 (Morey); Topol等人之"Formation of new oxide glasses by laser spin melting and free fall cooling'1 J. Non-Crystal. Solids ^ 12 (1973) ’ 377-390 ; Topol 之’’Formation of new lanthanide oxide glasses by laser spin melting and free-fall cooling'1 ^ J. Non-Crystall.Soiids > 15 (1974)，11 6-124 ; Shishido 等 120373.doc -26- 200811473 人之”Ln-M-〇 glasses obtained by rapid quenching using laser beam”，J· Mater· Sci·，13 (1978)，1006-1014，· Tatsumisago 之 ’’Infrared Spectra of Rapidly Quenched
Glasses in the Systems，Li2〇-R〇-Nb2〇5 (R==Ba，Ca，Mg)”， J· American Ceram· Soc'，66，第 2卷，（1983)，117-119。 較佳之玻璃組合物較習知玻璃而言含有相對較少量的典 型玻璃形成物（諸如Si〇2及1〇3)。對心與几之間的處理窗 口（至少5 C )之組合物控制使得能夠在非習知玻璃形成氧化 物系統中大量製備具有約2·〇或更大之折射率的玻璃及玻 璃陶瓷。 總體而言，可藉由加熱適當之金屬氧化物源以形成熔融 物（理想地為同質熔融物）且接著冷卻該熔融物以提供玻璃 而製成較佳之玻璃（包括玻璃陶瓷）。玻璃材料之一些實施 例可（例如）藉由在任何合適之熔爐（例如，感應式加熱熔 爐、燃氣式熔爐或電熔爐）或（例如）在火焰或電漿中熔化金 屬氧化物源而製成。藉由將熔融物排入若千類型之冷卻媒 體（諸如，高速空氣噴流、液體、石墨或金屬板（包括冷硬 板）、、金屬捲筒（包括泠硬金屬捲筒）、金屬球（包括冷硬金 屬球）及其類似物）中的任何媒體中來冷卻所得熔融物。 在方法中，可利用如（例如）美國專利6,254,981 (C=tle)中所揭示之火焰熔化來製成較佳玻璃。簡言之， 將王屬氧化物源材料形成有時稱作，，饋入顆粒，，的顆粒。饋 ::粒通常藉由研磨、附聚(例如，喷霧乾燥)、熔融或燒 土屬氧化物源來形成。饋入火焰中之饋入顆粒的大小通 120373.doc -27 - 200811473 吊判疋所付非晶形顆粒材料的大小。將饋入顆粒直接饋入 一諸如甲燒空氣燃燒器、乙炔氧氣燃燒器、氫氣氧氣燃燒 ，及其類似物的燃燒器中。隨後在（例如）水、冷卻油、: 氣或其類似物中對材料進行淬火。 用於形成熔融物、冷卻/淬火熔融物及/或以其他方式形 成玻璃之其他技術包括氣相淬火、電漿喷射、溶融物萃 、氣體或離、霧化、對合適前驅物的熱分解（包括火焰 或雷射或電裝辅助之熱分解）、金屬前驅物之物理氣相合 成（pvs)、電漿方法及機械化學處理。 咸信冷卻速率會影響經淬火之非晶形材料的特性。舉例 璃之破輪溫度、密度及其他特性通常隨冷卻 、、°亦可在諸如還原環境、中性環境或氧化環境 之文控氣氛下進行快速冷卻， 塑所要夕气π乜处 期間保持及/或影 ^ ^ a , ^ + 9由〜㈢耒自過冷卻液體 之結日日化動力來影響玻璃形成。 可藉由任何合適之方法來將較佳之令##玄+ 擷取哭與如二 奴仏之间折射率玻璃形成為 擷取抑。舉例而言，可藉由提 人—* 具有一底部表面、一大 於底邛開口之頂部開口及至少一而 哭]表面的杈具來製備擷取 為。可如上文所述製備熔融物， ^ 』斯稭由至少兩藉全屬 氧化物及少於2 0重量卩> & > β 、’ • 2〇3、少於2〇重量百分此之
Si〇2及少於40重量百公士夕ρ Α 百刀比之Ρ2〇5。對熔融物進 成玻璃主體（例如，础、外钟 ^ 7 p u 粒等“丄 纖維、不規則成形之顆 粒專）。玻璃主體將具有\及1，其丄 5 °ς 0 χ比丁 g尚出至少 120373.doc •28- 200811473 將破璃主體置於模具中，且在約5〇〇。〇及約i〇〇〇c>c下施 力、·勺0.1 MPa與約1〇〇 MPa之間的屢力歷時約j秒與約1〇〇分 -之間以將模具中完全填滿玻璃。一旦形成擷取器，則將 其自模具移除。亦可藉由提供—模穴陣列及—連接類取器 之平臺層而在模具中製成該等擷取器之陣列。
或者，可在一擷取器形狀之模具中將如上文所述製備之 熔融物直接冷卻成擷取器且隨後自模具移除。可如美國申 請案公開案US 2G04/()148967 (Cenkkaya等人）（代理人案號 5825711歸2)中所述進行此方法。倘若同―材料在製成玻 璃時展現出tatx，aTg#Tx之間的差值為至少代，從 而可獲得固結為大塊麵主體之結果，則亦有可能將溶融 物直接冷卻成透明結晶擷取器。 在其他情形中，可將如上文製備之熔融物冷卻成玻璃主 體(例如，板、桿、棒等）’且隨後將該等破璃主體切割成 擷取器。 亦可對較佳之高折射率玻璃進行熱處理以使玻璃至少部 分結晶從而提供玻璃陶I。對玻璃進行熱處理以形成玻璃 陶甍已為此項技術所知’且已知曉針對多種玻璃之成核及 生：玻璃陶瓷的加熱條件。可籍由若干方式中之任何方式 來實施熱處理，該箄方4 4 ,、 尽 寺方式包括（例如）：電阻性、感應式或 氣體加熱式溶爐。或者’可使用旋f、流體化床熔爐或擺 黨來連續地進行熱處理。通常，玻璃H具有高於形成該 玻璃陶瓷之玻璃的折射率’且因此在所揭示之擷取器應用 中可為有a的。此外’可（例如）以玻璃轉化為結晶玻璃陶 120373.doc -29- 200811473 瓷相之私度來調整材料之折射率。替代地或此外，該社曰 處理亦可影響材料之強度。 曰曰 例不適σ製成擷取器之高折射率玻璃的表格 製成或以其他方式獲得能夠形成或成形為諸如擷取器之 主脰的多種非習知玻璃之樣本，且對折射率進行量測。 關注與其料LED擷取器、之合適度相_其他特性。 =提供於圖11A至圖11B所示之表格中。該表格總共 具有一獨特組合物的56種玻璃樣本。如表柊之第二 =第三行中所識別，玻璃樣本1至玻璃樣本似其製： 已描述於上文則用之列印出版物或專利申請案中的 一者中。（玻璃樣本53至玻璃樣本56以類似 =㈣成）。接下來的十行根據所指示之金屬氧化I的 p 一破璃樣本之組合物。接下來的兩行 展示該等玻璃樣本之玻璃轉移溫度Tg及結晶溫度L。一些 ^璃樣本由於未進行記錄或仔細量測，因此未列出此等參 之值’然而，對於所列出之56種玻璃樣本中的每一者， 結晶温狂比玻璃轉移溫度〜至少高出π。 璃組合物在火焰成形之後的折射率（標記為。最後= =一=係玻璃組合物在熱處理之後（亦即，在轉化為玻璃 的折射率（標記為” η2")。此行中之空值指示未對 折主執订熱處理。在⑺之波長下使用[儀器？]來量測 折射率n；^n2〇 之僅非習知玻璃中之一些能夠達成2或更高 。在弟-行中將此等玻璃樣本(第14號、第16號 120373.doc -30- 200811473 至第17號、第19號至第25號及第27號至第56號）標以陰 影。此等玻璃樣本中之大多者（玻璃樣本1 6至玻璃樣本 17、玻璃樣本19至玻璃樣本25及玻璃樣本27至玻璃樣本
56)能夠達成2.1或更高之折射率。較少數者（玻璃樣本16至 玻璃樣本17、玻璃樣本22、玻璃樣本24至玻璃樣本25、玻 璃樣本27至玻璃樣本28及玻璃樣本3 1至玻璃樣本53)能夠 達成2·2或更高之折射率。玻璃樣本丨6至玻璃樣本！ 7、玻 璃樣本25及玻璃樣本3 1至玻璃樣本52可達成2.3或更高之 折射率。玻璃樣本31至玻璃樣本34、玻璃樣本36、玻璃樣 本48及玻璃樣本50至玻璃樣本52可達成2.4或更高之折射 率 〇 對表格之分析展示，作為一種材料，以a1203為主之玻 璃展現出1.75與1.95之間的折射率，其中較高折射率之組 合物（心2)通常包括升高含量之組份，諸如Zr〇2、Ti〇2、 Nb205、T2〇5及 RE〇。 總體而言，吾人已展示如何以合適之組合物來製成玻月 從而提供適合與LED—起使用的玻璃擷取器及擷取器择 列，該等擷取器具有至少為2、21、2·2、23或Η之高才 射率。 门>
除非另有指示，否則在說明書及申請專利範圍中所使戶 之表達特徵大小、量及物理特徵的所有數字應理解為以 語”^來料。因此，除非有相反指示，否則前述說明1 及匕时4專利範圍巾所提㈣數字參數為近似H 近似值可視熟習此項技術者利用本 h τ所揭示之教示fl 120373.doc 200811473 試圖獲得之所要特性而改變。 刖述描述為說明性的且不欲限制本發明之範疇。有可能 對本文中所揭示之實施例進行改變及修改，且一般熟習此 項技術者在研習此專利文獻後將理解實施例之各種元件的 . 實用替代及等效物。可在不脫離本發明之精神及範疇的情 • 况下對本文所揭示之實施例作出此等及其他改變及修改。 除了與前述說明書相悖之處以外，本文所引用之所有專利 馨 及專利申請案之全文以引用之方式倂入。 【圖式簡單說明】 圖1為LED擷取器/LED晶教組合的示意性側視圖； 圖2至圖9為替代性擷取器之示意圖； 圖1〇為一擷取器陣列及一其中已形成有EED之晶圓的示 意圖，該圖式亦展示將一擷取器陣列同時耦接至一 lED陣 歹j以產生複數個led光源或led光源陣列的過程；且 圖11A至圖11B描繪一表格，該表格展示特定玻璃之相 馨 關特性以表明一些玻璃能夠展現出2、21、22及23及更 南之折射率。 【主要元件符號說明】 10 led擷取器 12 輸入表面 14 輸出表面 16 側表面 18 L E D晶粒 20 主發光表面 120373.doc -32- 200811473 22 間隙 24a 傾斜定向射線 24b 反射射線 30 LED擷取器 32 輸入表面 34 輸出表面 36a 表面 3 6b 表面 40 LED擷取器 42 輸入表面 44 輸出表面 46 側表面 50 擷取器 52 輸入表面 54 輸出表面 56 側表面 60 擷取器 62 輸入表面 64 輸出表面 65 錐形側表面 66 光學主體 66a 配合表面 68 光學主體 68a 配合表面 120373.doc -33- 200811473 70 擷取器 74 外表面 78 透鏡或主體 7 8a 表面 . 80 擷取器 82 輸入表面 84 輸出表面 • 85 側表面 86 光學主體 88 光學主體 90 擷取器 92 輸入表面 94 輸出表面 96a 側表面 96b 側表面 _ 98a 光線 98b 光線 100 擷取器 102 輸入表面 * 104 輸出表面 106 側表面 108 假想線 110 擷取器陣列 112 擷取器 120373.doc -34- 200811473 112a 114 120 122 122a nl n2
輸入表面 平臺層 LED陣列 LED晶粒 發光表面 折射率 折射率 玻璃轉移溫度 結晶溫度 120373.doc -35 -

Claims (1)

  1. 200811473 、申請專#1〗軸: ι· 種—LED晶粒一起使用之類取器，其包含： 之一發光面n肖適以*學式絲接至—LED晶粒 一輪出表& # 一 學元件之一 ，、經疋位以發出經由該輸入表面進入光 2. 如請求先予凡件包括一折射率為至少2.0的光學玻璃。 3. LED曰曰知\之擷取裔’其中該光學玻璃之折射率在由該 如靖^ ^出之光的一波長下為至少22。 4. 係固掊^之榻取為中該擷取器為卩一固定空間關 &—起之一擷取器陣列中的一者。 兮、之擷取杰’其中該擷取器陣列包括一適合用 'Λ固疋空間關係來固持該等擷取器的平臺層。 )·如請求項丨之擷取器，苴俜 粒組合。 為讀具有該發光表面之LED晶 6·如:求項5之操取器，#中該LED晶粒為以一固定空間關 係固^一起之一 LED晶粒陣列巾的一者，且該擷取器 :、、、貝上相同之固疋空間關係固持在一起之一擷取器 陣列中的一者。 7.如請求項6之擷取器，其中該願取器陣列係結合至該LED 晶粒陣列。 月求項1之擷取器，其中該光學玻璃包括至少兩種金 屬氧化物及少於20重量百分比之ΙΟ3、少於2〇重量百分 比之Si〇2及少於40重量百分比之p2〇5。 120373.doc 200811473 月東項8之擷取器，其中該光學破 百为比的毛〇3、Si%及ί>2〇5之群。 匕括少於重量 1 〇·如請求項8 央 ⑽ 者為 -稀土 ：’其中該等金屬氧化物中之 t 711素乳化物或-鹼土金屬氧化物。 H.如請求項8之擷取器，1 者為 ，、r该等金屬衰^ Al2〇34Ti〇2〇 冑錢物中之 12. 如請求項丨之擷取器，其中唁 溫度及一結晶溫度Τχ，且苴中丁予离具有—破璃轉彩 13. 如請求t # X a Χ比^至少高出5°C。 光學主it 擷取器、包含至少兩個相里 二光學主體包含-第二光學材料。 于破璃且-弟 14·1=求項1之擷取器，其中第二光學材料為—第二光學 玻璃’該第：光學玻璃具有—低於該首先提及: 璃之折射率的折射率。 予玻 15·如請求項13之擷取器 器之該輪入表面處。 16 ·如請求項1之擷取器 料。 17 ·如請求項1之擷取器 米（nm)的表面粗糙度 ’其中該光學玻璃係安置於該擷取 其中该光學玻璃為一^玻璃陶竟 其中該輸入表面具有一低於5 〇 120373.doc
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