TW200531297A - Buried-contact solar cells with self-doping contacts - Google Patents

Description

200531297 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本申請案聲請美國專利臨時申請序號6 〇 / 5 4 2，4 5 4以π 利用自行-摻配的接點製造埋入接點式太陽能電池之製程 (Process for Fabrication of Buried-Contact Cells Using Self-Doping Contacts) ’’ 為名，建檔於 20 04 年2 月 5曰者，以及美國專利臨時申請序號60/542, 390以，，背面 、接點式矽太陽能電池之製造（Fabrication of ’ Back-Contact Si 1 icon Solar Cel Is) π 為名，建檔於 丨·2 0 0 4年2月5曰者之優先權利。本申請案涉及美國公用專利 申請法定代理人事項表編號（U.S· Utility Patent

Application Attorney Docket No·) 31474-1005-UT ，以 "射體全裹覆背面接點式矽太陽能電池之接點製造法 (Contact Fabrication of Emitter Wrap-Through Back Contact Silicon Solar Cells) n為名，彼得哈克與詹姆 斯吉（Peter Hacke and James Μ· Gee)所作，同時申請建 檔於此者，以及美國公用專利申請法定代理人事項表編號 (U.S. Utility Patent Application Attorney Docket No·) 31474-1006-UT，以"背面接點式太陽能電池及製作 春方法（Back-Contact Solar Cells and Methods for Fabrication)"為名，詹姆斯吉與彼得哈克（james m·

Gee and Peter Hacke)所作，也同時申請建檔於此者。所 有上述申請案之詳述項目包含於此提供參考。 本發明涉及直接由光源，自然日光或人造光線，產生 電力之光電太陽能電池，而更明確地說，涉及太陽能電

第5頁 曹 200531297 五、發明說明（2) Ϊ後太陽能電池的方法，包括被傲入電池前及/ 或後表面的接點。 【先前技術】 此對:5二下之討論提到一些出版刊㈣參考文獻。在 旦了 4出版刊物的討論係為提供該等科學原理之更完整 搴二、导I i ί 了專利核准目的而解釋為將該等出版物發表 事項視為先前過往之技藝。 L格-ί ::型的”埋入-接點"矽太陽能電池裡，電流收集 (·即：=、入前表面上的溝槽當中。藉由將格柵接點(亦 厂電法此鱼所佔表面面積最小化，而有較多區域可供作 指^ # ί:然而，即使表面接觸面積比較少了 ，串聯電阻 有’士 _立曰加係因為接點面積增加和接點深度以及導體 面積有關係。埋入一接點式電池的其他優點包 户且以=埋入-接點溝槽才有的濃密擴㈣（》咸低接點電 接點的i ΐ處電子和孔洞再結合作用以的損失），還有 接駐斗發屬化材料係經選擇地僅被沉積於溝槽裡。埋入一 例如τ Μ池，以及製造這樣電池的方法，係描述說明於， 大 、國專利號碼4, 726, 850和4, 748, 1 30之中。高效率 的ϊ ΐ ΐ入—接點式電池已被證明展示於單晶系與多晶系 J矽質基板上。 裝迨埋入—接點式電池的代表製程 •鹼性蝕刻 w卜 ·輪淡的磷擴散作用層（60至100歐姆/平方、 ••氟化氫蝕刻

第6頁 200531297 五、發明說明（3) 4.將矽氮化物沉積於前表面或二表面上 5 ·將前表面中的溝槽作雷射劃刻和蝕刻 6·溝槽作大量濃密的磷擴散層（<2〇歐姆/平方） 7·將鋁沉積於後表面上 8.經由後電介質層加鋁合金 9 ·氟化氫钱刻 、1 〇 ·以非電式鍍裝法將一薄層的鎳沉積於溝槽中 • 11 ·燒結鎳層 • 1 2 ·以非電式鑛裝法將銅金屬沉積於溝槽中 如圖1A中所示，一種埋入接點的太陽能電池其根據過 往技藝方法由矽質基板1 〇製作者，其包含遍及受照亮表面 的少量輕淡磷擴散層12、於前表面之上沉積或以熱力成長 的電介質層18，以及隨後施用上的溝槽2〇。在溝槽20的製 造後’如圖1 B所示，大量濃密的磷擴散層3 〇被施用，例如 以氣態擴散法而優先使用氣化磷醢（p〇c丨3 )、磷化氫 (PH3)、三溴化磷（PBr3)或另外的氣態磷先導劑者，而鋁 金屬層在隨後步驟中被施用並加入為合金，而在電池後表 面上形成一種加鋁合金的接面50。此後，大量濃密擴散的 _溝槽2 0被填滿金屬，例如以鎳薄層4 2的非電式沉積，接著 疋該鎳金屬層的燒結以及隨後銅金屬層40的非電式沉積。 最後的結構，如圖1 C所示，產生了帶有被濃密摻配的内表 面30(例如帶有大量濃密磷擴散層者）之溝槽以降低接點電 阻和接點的再結合作用，以及金屬格栅或接點4 〇、4 2。或 者’可能將一種銀（Ag)金屬糊料施用於被濃密摻配的溝

第7頁 200531297 發明說明（4)

槽’而隨後被烘培 揭示者。 如美國專利編號4, 748, 1 30中所公佈 、，往，藝之埋入—接點式電池具有一些優點，包栝了 遍及文照免表面的輕淡磷擴散層而有高集電效率、濃密磷 擴散層位在溝槽内表面而有低的接點電阻和接點再結合作 用、’以及濃密磷擴散層和非電式金屬化相對於溝槽的自行 調準功能。過往技藝方法中有一些簡單的衍生變化例，例

如利用菱形裝掷鋸或稱菱形鋸者取代雷射劃刻刀去切割溝 槽（雖然雷射加圖案法能提供較？緻的線幾何構造）。過往 技藝製程順序的最大缺點是其相對複雜性、時間，和製糕 的花費價錢。能消除省略某些製程步驟將是有利的，譬如 氣態填的第二次擴散進入溝槽，以實現相同的或是有改進 的裝置結構。再者，去掉非電式鍍裝步驟將是有利的，因 為非電式鍍裝牽涉到危險化學物的使用，而在廢水處理上 需要嚴厲控管。 有關自行-摻配的金屬接點於太陽能電池表面上的使 用已在梅爾等人（Meier et al·)的美國專利編號 6, 180, 869上描述說明。請同時參看丹尼爾梅爾等人 •(Daniel L· Meier，et al·)發表，”利用塗有摻雜物源的 銀為自行-摻配的接點加於石夕中π ，第2 8屆國際電子電機工 程師協會光電專家研討會，第69頁，2000年。 ("Self-doping contacts to silicon using silver coated with a dopant source", 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pg. 69

200531297 五、發明說明（5) (2 0 0 0 ))。為了製作受摻配的石夕材料層並能同時提供接 點，銀··摻雜物糊料可以被直接放置於矽表面上或經由一 種石夕氮化物層烘咅之，雖然在後面的情況下該糊料必須包 含能溶解氮化物的成分（參見j(•希拉利等人發表，”自行一 摻配的銀糊料烘焙之最佳化以便在具有1〇〇歐姆/平方的 射體之網印的矽太陽能電池上達成高填充係數f，，第29屆 國際電子電機工程師協會光電專家研討會，紐奥良，路 斯安那州，2002 年5 月（see M· Hilali， et al.，、 ^ Optimization of self-doping Ag paste firing to achieve high fill fact〇rs ori screen-printed silicon solar cells with a l〇〇 〇hm/sq. emitter*' 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conf New

Orleans’ LA， May 2002 ))。然而，自行—推配的 方法僅只應用於表面上，而受苦於自行—株阶：上屬接點 、目灯穋配的糊料在電 池表面上政開所造成的高遮蔽損失。 【發明内容】 二發:月係「種製作太陽能電池的方法，該方法包括以 y於•在電池基板中劃刻至少一溝 睞的接點材料佈置於溝槽之内，:-種自行-摻 =熱’由此同時對溝槽進行摻：：：屬丁化摻配= 配的接點材料優先包含一 二匕自仃-摻 行-摻配的接點鉍42L俱杰^人/雜物最好疋包含磷。自 磷的-種糊料。電池基板優先而一最好疋包含銀顆粒和 行-摻配的接點材料優先包含 p ^•矽質基板而自 何t叶馒无i3銀和一種0_型矽摻雜物。或 第9頁 200531297 五、發明說明（6) 者，該電池基板包括一種n—型石夕質基板而該自行 接點材料包含銀和一種型矽摻雜物 配的 ::步驟最好是進一步心將電池後表面 :此等後接點優先包含紹金屬。在此方i!f' 劃^少-溝槽最好是包括劃刻許多溝槽其中該ϊί中， 深度為溝槽寬度之倍數者。 再 寺/冓槽μ 前述方法所製作的-種太陽能電 本毛明另外疋製作太陽能電池的一 勺電％。 『種平面的基板具有前表面和後表 二 ι括了 _ 於該半導體基板之表面，一種 你，至^有一溝槽_匈 於該溝槽之内。該自行-摻配的接仃點 而最好是包含銀。該半導體基板優先包括V曰―種糊 1仃-摻配的接點材料優先包含—種最先曰匕括w的矽而 摻雜物。該半導體基板優先包 疋匕括了磷的矽 -摻配的接點材料優先包含銀 ρ~型矽質基板而自行 導體基板最好是在有溝槽#& 種η-型矽摻雜物。該半 層。本發明之基板最以；面包含-種鱗擴散 含一層鋁金屬。 / 荐槽的表面之對面上另外包 本發明也是一種太陽能電池其包括 接點大體上佈置於該溝槽内者。該至夕一溝槽和一 摻雜物優先包含一種矽摻雜物，最好是包含銀’而 本發明之首要目桿為H彳卜制 疋G 3嶙者。 池之程序。 為簡化製作埋入-接點式太陽能電 本發明之另-目標為提供得 按點式太陽能電 200531297 五、發明說明（7) 池中同時進行金屬接點之掺配與成形者。 本發明的主要優點是提供一種= 而具有最小的袼栅遮蔽者。 乂更且的太％能電池 *製提接點式太陽能電 及非電式鍵裝之個別 接點的金屬之引入。 夕形成埋入式 本發明的其他目標、優點以及新 適：性的_ ’部分地將被提出於接下來的員詳 來的檢查技術熟悉者變得顯而易見:=於那些對接下 發明而學習到。本發明：目點===本 出的手段工具及其組合而申請 本發明允許消除非電式鍍裝程序並且提供一 入-接點式太陽能電池結構的簡化程序， =里 =能位於電池前或後表面上或者二表面皆埋有入， 點，包括但不限於銀:摻雜物的糊料。 l·、i的矽質基板通常是多結晶的或聚結晶的矽，但 用上其他類型的矽基板，包括但不限於單結晶、二鲈曰月b :^=，基板上的結晶_石夕薄膜：7常、典二型二^ 用到n-型半導體基板。 者I發明可能 本發明之一優先實施例提供製造埋入〜接點式太陽能

IH 第11頁 200531297 五、發明說明（8) 電池結構的一種方法，其 、曲 的轉印和烘焙程序取将=^示了濃密擴散步驟並且以單一 燒結）。這主要係利用—非種電式鍛裝程序（兩次鍍裝和-次 滿而能夠如此。自行—摻 行摻配的接點材料將溝槽填 或合金以及-種在接點V::間點/Λ包/ —種元素金屬、 矽摻雜物是一種n-型摻雜夂入矽表面的矽摻雜物。 (^)，用來製成^型層^去例如磷（Ρ)、銻（Sb)、或砷 雜物就最好是一種“摻雜物：型的，該摻 低溫處以加合金方Λ成:加型入層並且气 的性質允許利用金屬載體者作、2良好導體。後者 J池：電流。合乎條件的候選物質包括，#如：t 鋼、錫、和金，而以銀為優杏老瘡 、，呂 用的本質（它能在空氣中被與产而產，的#於匕具有不起作 杜认、途 攸人、^口而產生的氧化物最少）、良 的用二且適應石夕物質處理(銀在石夕裡不是-種強 再結合作用中心’而再結合作用可能降低太陽能電池效 在一優先實施例中，自行-摻配的接點材料是一種糊 2 i而最好是包含摻配了磷的銀顆粒。該糊料被施用於溝 ^係以任何可行的手段方法，包括網板轉印、滾軸壓印施 去或疋其他轉印或沉積方法。在該銀：磷糊料的施用 之後’該太陽能電池被置於銀··碎共炫點（8 4 $ °c)以上的溫 度加以烘焙，而產生帶有摻配過的接點之銀格柵。當溫度 赶過共炼溫度時’銀分解了某些界面處的石夕，而沉殿的石夕 200531297 五、發明說明（9) _ 則於溫度降低時Μ试、4办、 1 或神，可以被用ΐ 鱗以外的η一型推雜物，例如録 " 上’特別但並非獨特地，和銀相妗人。π $二縱：ί行〜摻配的糊料係優先被考慮使用，其σ他形5 …、、一最好是銀··摻雜物者，也可能被用到。 y 法，包括網板轉二滾軸遷：：：任：了：的手段方 接古、土 ^ ^ ^ 衣神麼印細用法、或是其他轉印或沉 '^ 、鍍或蒸鍍法。之後該銀層即被塗上一二人 ，者，若在昊：：含有磷化合物的材料層。或 ΐ蓋: 型物質層則 段方法，包括網板轉印、滾軸壓印施用’d 疋其他轉印或沉積方法，包括 |她用法、或 的材料層，或者，可能被放置於“金^。^有摻雜物 石夕共炼點時被分解進入金屬―石夕液體中皿金屬〜 作用。 τ 此製程藉此而起 糊料可能以一種銀的顆粒形式和液 :合體製成’ 0而生成一種自行-摻 網式的‘雜物之 料。糊料的配方可能另外包含黏結 了广版轉印的糊 本技術領域作成可網版轉印的糊料：：以戶： 值付考慮的是利用一種加熔塊的糊料配 有了肖b並 玻璃熔塊的糊料，其特別適用於需，例如一種含有 文牙遠矽氮化物層之 第13頁 200531297 五、發明說明αο) 處。 自行-摻配的銀金屬化补 d掖私丰_、 匕作用僅以一步驟即取代了濃密 的碟擴散步驟以及現有· 士 一 ^ ^ A I成的三個金屬鍍裝和燒結步驟， 逢播々允, 丁得配的接點材料轉印或佈置進入 ^ ^ w x a %頃序因此只需要幾個步驟，而比 々i丈夕私士 4 ^間早許多，而仍能提供所有 或差不夕所有相同的南效率效益。 依據本發明者，圖2 a h b山 ，L 。利认a併 圃八插缘出一個未摻雜質的溝槽20其 已被切割於矽質基板1〇之中， 施加輕淡的磷擴散層12。輕= 上則帶有先别所 ,^ 淡的磷擴散層12最好是在溝槽 :為：：：：：質層18覆蓋其上，其電介質層18之功能如 同m池的抗反射塗層，並且使轉印於溝槽以外表 面上的任何多餘金屬和擴散層丨2之間的冶金反應減至最 少。石夕質基板10優先包含p-型半導體石夕，《而，其他基板 也可能用得到，包括n-型矽與鍺，或任一種導電型式的矽 -鍺基板。輕淡的磷擴散層12係以普通常見方法施用之， 包括優先使用液態氣化磷酿（P0C13)的氣相擴散法。然 而’ ^他的擴散物源或方法也可能被用㈣，包括液體物源 經由·曰通方法之應用，例如塗層、浸泡或旋塗法之施用， 或者是固體物源，例如固體物源材料，例如五氧化二磷， 之加熱到高溫。然而，一般而言，以普通氣體狀離 POC13擴散為優先。 〜 溝槽20可能以將產生想要的尺寸之溝槽的任何方法切 割或劃刻而成。縱然以使用雷射劃刻為優先，其他方法也 第14頁 200531297 五、發明說明（π) 可能被用到，包括蝕刻、機械？製，和其他 為縱向凹槽’而實質上在表面的二侧邊之間平行並列曰。 寸、’特別是圖2“J2C，溝槽20的外形尺 ^同層之厚度、以及其他尺寸並未按比例繪製，作 為了描述目的和容易識別起見而只概要地顯示。一t仁 言，埋入的接點溝槽20具有的深度大於其寬产又 實施例中其具有的深度為寬度的數倍ς 20'寬度介於大約!。微米和大約5〇微米之間：=好= I約20被米’而其深度介於大约μ w是由基幻。的V度於而大定 以溝槽20確實也不能有度:方疋开二f好是大約40微米。所 可能具有圓形的底部=:=面；：圖2A所示，但是 槽20隔開的距雜_二？斜的側壁’和其他等等。平行溝 然而，任何可行的；=都Hi的設計考量條件而定。 溝槽20可能隔開的距離（/疋可:的’也因此隔鄰的平行 米至大约1^ηη娜虫 （由中〜線至中心線）從大約1 000微 米。太陽能電U成微米至大約2500微 大概等於2的石夕氮化物）：二】二8 (假设用的是折射率 圖2 B描繪出溝样2 n i吉、it & 、 點材料60可能是以：所、=行-摻配的接點材料6〇。接 糊料其含有銀和妙摻雜m可：，：質#優先包括-種 6〇或者也可能是經乾燥=猫f好是·。…接點材料 物，連續地相繼施用銀 f粒調劑塗上磷或另-摻雜 ί推雜物（其可能首先加銀其次是 200531297

摻雜物，或者首先加摻 :貴選擇施加於溝槽之自行：推配：點 或是可以簡單又 材料之其他配 施用自行-摻配的接點-材料即以加合金方式加入梦，4 0之3後自订-摻配的接點 (_)以上的溫度加熱或烘培以子疋在一超過；^ 的接點之銀格栅，而產生屋_生種▼有自仃-摻配 址熔、、®痄Β士 ^ ν , 如圖2C所不的結構。當溫度超過 /、Θ /皿度日守，銀分解了草此 /又攻 溫度降低時被碰松入^二界面處的矽，而沉澱的矽則於 又降低拎被％摻入，如此在溝槽内 的一層石夕7 0，知社姑、婆秘l 表面仏成破換配過 q y U牙佔據溝槽的銀接點80在一起。 以本發明利用單一的磷擴散步驟和— 料作為格柵製程之範例順序如下： ㈣仃摻配的塗 1鹼性蝕刻 輕淡的磷擴散作用層（6〇至1 〇〇歐姆/平方） 氟化氫#刻 射 〉冗積於前表面上的溝 4·將 5·劃

I槽内 石夕氮化物沉積於前表面上 刻前表面中的溝槽，優先使用雷 自行-摻配的糊料（譬如，銀：磷） 的 由 將鋁金屬沉積於後表面上 進行高溫爐退火將銀接點和鋁接點同時加合金 在前面的步驟裡’鹼性蝕刻用來清潔表面。任何合適 驗性餘刻物質都可能用上，例如熱的或暖的氫化鈉。經 實例經驗，可能用上一種氮化鈉重量比大約2 %至5 〇 %之

200531297 五、發明說明（13) 間的水溶液，其溫度最好在大約6 0 °C至9 5 °C之間。 輕淡的磷擴散作用係如以上所述者。在擴散作用之後，接 著用到酸性蝕刻步驟，例如以一種氫氟酸（HF)水溶液，最 好是以氫氟酸重量比2至5 〇 %者。任何普通常見的方法可 能被用上，包括將晶圓浸泡於一種含有氫氟酸的溶液中。 來自輕淡的磷擴散層之氧化物優先，但可隨意地，以一種 酸去除之例如氫氟酸，係因為該氧化物可能產生可靠度問 題’特別是以封裝的光電模組者。在氟化氫蝕刻之後，裸 原矽表面最好是，但也是隨意地，以一種電介質層的沉積 予以鈍化之。氮化矽（Si N)可能按照慣例地以電漿—輔助化 學氣相蒸鍍（PECVD)法或以低壓化學氣相蒸鍍“pcvD)法 等，在太陽能電池製造上將矽表面鈍化的知名方法，沉積 之。然而，鈍化作用所用的其他方法與材料，假如想要的 :’ 到’例如將二氧化矽(Si02)層作熱力成 :二C材料，例如二氧化石夕(si〇2)、二氧化 ()、五氧化二組（Ta205)等等，以不同手段工旦沉 積之在印法/喷覆法、PECVD或其他等等。… ，溝栌在^】之後例如以氮化矽進行者，假如想要的 術，例如一種Q-開關的^ °最好疋用上一種雷射技

Laser)。麸而的敍：镱鋁石榴石雷射（Nd : YAG 也可能被用得上。可任音J ;二他手&，如以上描述者， 清洗步驟可能被用到，錄f劃!丨步驟之後’-項 組成的化學溶液。 種由虱氧化鈉或氫氧化鉀 第17頁 200531297 五、發明說明（14) 溝槽2〇接著被填滿-種自# 銀：磷的糊料。這揭的殖.¾冼m 接..沾材科，例如 是其他手段工具也可能制上。版轉印法’但 ==僅填滿溝槽而且只到基水摻： ^ ^ ,80( , ffl2C „ ,) ； ： ： 隨意地作成圓頂狀。 （I表面以上，而且可以 對普通常見的電池而言，任何 用到。在-優先實施例中，〜以】Jf =面接點可能被 鋁的背面接點。對銀：磷糊料加以’所施加的是 特別是一種優先實施例，在其中有%之^先施最加銘金屬 可能被用…加合金方式同爐退火步驟 XW X JL> . . f將銀加入銀：石粦糊料形yfe 面接ΪΪ:的一：份將紹加入而形成背面接點。紹背 印或其他技術所施用。+束錢法、錢法’網版轉

第18頁 火處鋰的埋入-接點式太陽 200531297 圖式簡單說明 ' --- 【圖式簡單說明】 該等伴隨之圖說，係包含於規格說明内而成為其中一 部分’·其以圖描述本發明之一或更多實施例，並連同其文 字說明而供作解釋本發明之原理所用。該等圖說僅供^述 本發明-或更多個優先實施例為目的，並非解釋為限制本 發明。於該圖說裡： 圖1A描述過往技藝的一種矽質基板之剖面， 序中溝槽已被切割成； # | k # 圖1 B描述種過往技藝的矽質基板隨後受到磷的擴散 進入其該等溝槽中； 圖1 C描述一種過往技藝的矽質基板再附加非電鍍式金 屬以形成一種埋入-接點式太陽能電池； 層並…質基板之剖面，，具有輕淡的麟擴散 溝槽rdr于—摻配的金屬接點依據本發明佈置進人 圖2C描述本發明隨後受退 能電池之剖面圖。 春【主要元件符號說明】 1 0. · · ·矽質基板 12——磷擴散層 18——電介質層 6 0 · · · ·接點材料 50…·接面

200531297 圖式簡單說明 70____ 矽 80____ 銀接點 20____ 溝槽 30____ 表面 40____ 金屬層 42____ 鎳薄層 60____ 接點材料

ΙΙΗ·

Claims (1)

1. 200531297

   驟:h種製作太陽能電池的方法，該方法包括以下步 在電池基板中劃刻至 六、申請專利範圍 將一種自行〜换化 丹馆， 將自行-摻配；妾=材料佈置於ίϋ之内，並且； 和金屬化。 材料加熱’由此同，溝槽進行摻配 其中自行-摻 其中的矽摻 其中自行-摻 如申凊專利範圍第1項所述之方法 配的接點材料句人 7叶包含一種矽摻雜物。 齡^ ^^ t申請專利範圍第2項所述之方法 雜物包含碟。 如申凊專利範圍第1項所述之方法 配的接點材料包含銀。 其中 行-推 献M t 如申請專利範圍第1項所述之方法 -，點材料是一種包含銀顆粒和磷的糊料 板包括〜^申請專利範圍第1項所述之方法，其中電池基 和一種η 型石夕質基板而自行4配的接點材料包含銀 矛種η〜型矽摻雜物。 、 7·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中電池基 ’板〇括〜種η—型矽質基板而該自行—摻配的接點材料包含 銀和一種Ρ-型矽摻雜物。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之方法’其中加熱步 驟進一步包括將電池後表面上的後接點加入合金。 9 ·如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該等後 接點包含鋁金屬。

   第21貢 200531297 六、申請專利範圍 10· 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中劃刻至 少一溝槽包括劃刻許多溝槽，其中該等溝槽的深度為溝槽 寬度之倍數。 ’、 11· 一種太陽能電池，以申請專利範圍第1項所述之 方法製作者。 12· 製作太陽能電池的一種基板，其包括了： 一種平面的基板具有前表面和後表面者； 至少有一溝槽劃刻於該半導體基板的表面；以及 丨一種自行-摻配的接點材料佈置於上述的溝槽之内。 13.如申請專利範圍第丨2項所述之基板，其中該自 行-摻配的接點材料包含一種糊料。 1 4·如申請專利範圍第1 2項所述之基板，其中該自 行-摻配的接點材料包含銀。 、，1 5 ·如申請專利範圍第1 2項所述之基板，其中上述 的半導體基板包含結晶的矽而自行-掺配的接點材料 一種矽摻雜物。 16·如申請專利範圍第丨5項所述之基板，其中的 摻雜物包括了磷。 y 胁甘1x7·如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該半邋 八你3 種P—型秒質基板而自行-推配的接點材料包 各銀和一種η-型矽摻雜物。 導f 2·如申請專利範圍第1 2項所述之基板，其中該半 19板在有溝槽的表面上另外包含一種填擴散層。 • 如申請專利範圍第1 8項所述之基板，另外在有

   第22頁 200531297 六、申請專利範圍 溝槽的表面之對面上包含一層銘金屬。 20. —種太陽能電池，其包括了： 至少一溝槽；以及 大體上佈置於該溝槽内的接點，上述的接點包含了 一種摻 雜物。 21. 如申請專利範圍第2 0項所述之太陽能電池，其 中上述的接點包含了銀。 22. 如申請專利範圍第20項所述之太陽能電池，其 _中上述的摻雜物包含一種矽摻雜物。 23. 如申請專利範圍第22項所述之太陽能電池，其 中上述的摻雜物包含了磷。

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