TW200530602A - Circuit substrate inspection device and circuit substrate inspection method - Google Patents

Description

200530602 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種電路基板之檢查裝置及電路基板之 檢查方法，是將執行電氣檢查之屬於檢查對象的電路基板 (以下稱爲「被檢查電路基板」），藉由以上側檢查治具 和下側治具自兩面夾壓，使成爲被形成於被檢查電路基板 之兩面上的電極電氣性連接於測試機的狀態下，檢查被檢 查電路基板之電氣性特性。 【先前技術】 用以安裝積體電路之印刷電路基板是在安裝積體電路 等之前，爲了確認電路基板之配線圖案具有規定性能，檢 查電氣性特性。 該電氣檢查是例如在具備有電路基板之搬送機構的檢 查用測試機上組裝檢查頭，藉由交換檢查頭部分而執行不 同電路基板之檢查。 例如，專利文獻1 (日本特開平6-94768號公報）所 揭示般，提案有使用將接觸於被檢查電路基板之被檢查電 極而電氣性導通之金屬檢查插銷，植入設置於基板之構造 之檢查治具的方法。 再者，如專利文獻2 (日本特開5-159821號公報）所 揭示般，所知的有使用組合具有導電插銷之檢查頭，和被 稱爲離線轉接器（off-grid adapter )之間距變換用之電路 基板，和一方導電性薄膜之檢查治具的方法。 -6- 200530602 (2) 但是，如專利文獻1所示般，使用使金屬檢查插銷直 接接觸於被檢查電路基板之被檢查電極之檢查治具的方法 ，由於與由金屬所構成之導電插銷的接觸，有可能損傷被 檢查電路基板之電極。 尤其，近年來，隨著要求電路基板之電路微細化、高 密度化，於檢查如此印刷電路基板之時，爲了使多數導電 插銷同時導通接觸於被檢查電路基板之被檢查電極時，則 必須以高壓力加壓檢查治具，容易損傷被檢查電極。 然後，用以檢查如此被微細化、高密度化之印刷電路 基板的檢查治具，是要以高密度將多數金屬插銷植入設置 在基板上，其技術極爲困難。再者，該製造成本也變高， 並且於一部分金屬插銷受損時，則難以修理、交換。 另外，如專利文獻2所示般，使用一方導電性薄膜之 檢查治具，因被檢查電路基板之被檢查電極經由異方導電 性薄膜而與間距變換用基板之電極接觸，故具有被檢查電 路基板之被檢查電極不容易損傷之優點。再者，因使用執 行間距變換之基板，故可以比被檢查電路基板之被檢查電 極之間距還寬之間距，植入設置檢查插銷於基板，故有不 需要以微細間距植入設置檢查插銷，可以節約檢查治具之 製造成本的優點。 但是，該檢查治具因必須在每檢查對象之被檢查電路 基板上，作成間距變換用基板，和植入設置檢查插銷之檢 查治具，故需要與被檢查之被檢查電路基板之印刷電路基 板相同數量之檢查治具。

200530602 (3) 因此，於生產多數印刷電路基板之時，則有必g 此保有多數檢查治具的問題。尤其，近年來，電子榜 製品週期短縮，製品所使用之印刷電路基板之生產其 縮化，隨之無法長期間使用檢查治具，發生每次生違 電路基板時必須生產檢查治具的問題。 作爲如此之問題對策，提案有例如專利文獻3〜 本特開平7-248 3 5 0號公報、日本特開平8-27 1 569部 、曰本特開平8-338858號公報）般，使用中繼插銷 ’即是使用所謂普及型之檢查治具的檢查裝置。 第3 1圖是表示使用如此之普及型之檢查治具纪 裝置之剖面圖。該檢查裝置是具備有上側檢查治具 和下側檢查治具1 1 1 b，該些檢查治具是具備有電路3 連接器 121a、121b，和中繼插銷元件131a、131b， 試機側連接器1 4 1 a、1 4 1 b。 電路基板側連接器1 2 1 a、1 2 1 b是具備有間距 基板123a、123b，和被配置在該兩面側上之異方導 膜 122a、 122b、 126a、 126b。 中繼插銷元件1 3 1 a、1 3 1是具備有以一定間距（ ，2 · 5 4 m m間距）多數（例如5 0 0 0 0個插銷）配置右 點上之導電插銷132a、132b，和可在上下移動支撐鬆 插銷132a、132b的一對絕緣板134a、134b及135a、 測試機側連接器1 4 1 a、1 4 1 b是具備有以檢 1 1 1 a、1 1 1 b夾壓被檢查電路基板1 0 1時，電氣性連 I對應 I器之 g間短 i印刷 5 (曰 I公報 ί元件 ]檢查 111a B板側 和測 麥換用 ί性薄 :例如 Ξ格子 ^導電 135b :治具 ^測試 -8- 200530602 (4) 機和導電插銷132a、132b的連接器基板143a、143b，和 被配置在連接器基板143a、143b之導電插銷132a、132b 側之異方導電性薄膜142a、142b，和基座板146a、146b ο 使用該中繼插銷元件之檢查治具是檢查不同被檢查對 象之印刷電路基板之時，僅將電路基板側連接器1 2 1 a、 121b交換成對應被檢查電路基板101者即可，可以共同使 用中繼插銷元件1 3 1 a、1 3 1 b和測試機側連接器1 4 1 a、 141b ° 但是，以往之如此般之普及型之檢查治具，以構成電 路基板側連接器121a、121b之異方導電性薄膜122a、 12 2b而言，是由延伸於厚度方向之多數導電路形成部，和 護插銷絕緣該些導電部形成部之絕緣部所構成，使用僅在 導電路形成部中含有導電性粒子，被不均勻分散於面方向 ，在薄膜單面側上突出導電路形成部的非均勻分布型之異 方導電性薄膜122a、122b。 非均勻分布型之異方導電性薄膜122a22b，因檢查重 複使用導致快速惡化導電部形成部，當導電路形成部惡化 時，則產生電阻値上升等之問題。於交換惡化之異方導電 性薄膜122a、122b之時，每次交換則必須執行異方性導 電性薄膜122a、122b和間距變換用基板123a、123b之位 置合對，及電路基板側連接器1 2 1 a、1 2 1 b和中繼插銷元 件1 3 1 a、1 3 1 b之位置合對，則有交換作業繁雜且交換頻 率高而使檢查效率下降。 -9- 200530602 (5) 再者，被檢查電路基板ιοί之被檢查電極例如成爲 2 00 μπι以下般之微小間距時，於使用上述般非均勻分布型 之異方導電性薄膜122a、122b時，異方導電性薄膜122a 、122b和間距變換用基板123a、123b的位置合對則爲困 難，並且，針對多數被檢查電路基板101連續執行檢查時 ，由於反覆接觸被檢查電路基板101，容易產生異方導電 性薄膜122a、122b位置偏差。 依此，液導電性薄膜122a、122b之導電路形成部和 > 被檢查電路基板101之電極位置成爲不一致，因無法取得 良好之電氣性連接，故測定出過大之電阻値，原本應判斷 成良品之印刷電路基板則誤判成不良品。 另外，例如專利文獻6 (日本特開平6-825 3 1號公報 )所記載般，於使用一體化異方導電性薄膜和間距變換用 基板之連接器時，雖然容易位置對合，但是於異方導電性 薄膜部分惡化時，必須交換每間距變換基板，需使用多數 > 間距變換用基板，增加檢查成本。 另外，爲被檢查電路基板1 〇 1之印刷配線基板已朝向 多層高密度化，實際上在厚度方向，產生因例如BGA等 之焊料球電極等之被檢查電極102、103所造成之高度參 差不齊或基板本體彎曲。因此，爲了達成電氣性連接於屬 於被檢查電路基板101上之檢查點的背檢查電極102、103 ，則必須以高壓力加壓上側檢查治具1 1 1 a和下側檢查治 具1 1 1 b，使被檢查電路基板1 0 1平坦變形，並且，對於被 檢查電極102、103之高度參差不齊，則必須追隨上側檢 -10- 200530602

查治具1 1 1 a和下側檢查治具1 1 1 b側之被檢查電極1 0 2、 103之高度。 以往之如此的普及型之檢查治具對於被檢查電極1 02 、103之高度參差不齊，藉由導電插銷ma、132b之軸方 向移動而追隨，但是因該導電插銷132a、132b之軸方向 移動量也有界限，故對於如此被檢查電極102、103之高 度參差不齊的追隨性則有不良之情形’發生導通不良而無 法正確檢查。

再者，如此之普及型檢查治具爲了使間距變換用基板 123a、123b分散支撐按壓，必須以一定間隔配置導電插銷 132a、 132b ° 再者，以往之普及型之檢查治具中，加壓壓力是以導 電插銷132a、132b所接受，故必須以一定間隔配置多數 導電插銷132a、132b。 因此，對應於被檢查電路基板1 0 1之電極微細化，例 如以0.75mm間距形成具有1萬以上之貫通孔之絕緣板 134a、134b 之時，當絕緣板 134a、134b 及 135a、135b 之 基板厚度薄時，強度則下降，於彎曲時因也有破裂之情形 ，故必須增厚絕緣板134a、134b及135a、135b。 【專利文獻1】日本特開平6-94768號公報 【專利文獻2】日本特開平5-159821號公報 【專利文獻3】日本特開平7 - 2 4 8 3 5 0號公報 【專利文獻4】日本特開平8-271569號公報 【專利文獻5】日本特開平8-338858號公報 -11 - 200530602 (7) 【專利文獻6】日本特開平6-825 3 1號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 本發明是鑒於如此之現狀，其目的爲提供一種即使屬 於檢查對象之被檢查電路基板，爲具有以微細間距配置的 微小電極，亦可以執行信賴性高之電氣性檢查的電路基板 之檢查裝置及電路基板之檢查方法。 再者，本發明之目的，是提供對屬於檢查對象之被檢 查電路基板，重複執行連續檢查之時，減少因異方導電性 薄膜之惡化而導致的交換頻率，檢查效率爲高的電路基板 之檢查裝置及電路基板之檢查方法。 再者，本發明之目的，是提供對屬於檢查對象之被檢 查電路基板，重複執行連續檢查之時，減少需要修正異方 導電性薄膜之位置偏離，檢查作業性良好之電路基板之檢 查裝置及電路基板之檢查方法。 再者，本發明之目的，是提供於重複連續檢查屬於檢 查對象之被檢查電路基板時，異方導電性薄膜惡化時，如 應執行異方導電性薄膜之交換作業之電路基板之檢查裝置 及電路基板之檢查方法。 再者，本發明之目的，是提供即使變更屬於檢查對象 之被檢查電路基板，也不用另外製作檢查裝置全體（檢查 治具全體），僅以變更檢查用電路基板，對於所有被檢查 電路基板可對應檢查的電路基板之檢查裝置及電路基板之 -12- 200530602 (8) 檢查方法。 再者，本發明之目的，是提供相對於爲檢查對象之被 檢查電路基板之被檢查電極之高度參差不齊的追隨性良好 ，不發生導通不良，可實施正確檢查的電路基板之檢查裝 置及電路基板之檢查方法。 [用以解決課題之手段] 本發明之電路基板之檢查裝置，是藉由一對第1檢查 治具和第2檢查治具，在檢查治具之間夾壓爲檢査對象之 被檢查電路基板之兩面而執行電氣檢查的電路基板之檢查 裝置，其特徵爲：上述第1檢查治具和第2檢查治具各具 備有：具有在基板之一面側和另一面側之間變換電極間距 的間距變換用基板，被配置在上述間距變換用基板之被檢 查電路基板側之第1異方導電性薄膜，和被配置在與上述 間距變換用基板之被檢查電路基板相反側上之第2異方導 電性薄膜的電路基板側連接器；具有以規定間距配置的多 數導電插銷，和將上述導電插銷支撐成可在軸方向移動的 一對間隔離開之第1絕緣板和第2絕緣板的中繼插銷元件 ;和具有電氣連接測試機和上述中繼插銷元件之連接器基 板，被配置在上述連接器基板之中繼插銷元件側上之第3 異方導電性薄膜，和被配置在與上述連接器基板之中繼插 銷元件相反側上之基座板的測試機側連接器，上述第1異 方導電性薄膜爲導電性粒子配列於厚度方向，並且被均勻 分散在面方面的異方導電性薄膜。 -13- 200530602 (9) 再者，本發明之電路基板之檢查方法，是使用上述之 電路基板之檢查裝置的電路基板之檢查方法，其特徵爲： 藉由一對第1檢查治具和第2檢查治具，在兩檢查治具之 間夾壓爲檢查對象之被檢查電路基板之兩面而執行電氣檢 查。 在本發明中，上述第1異方導電性薄膜之厚度\\^爲 0.03〜0.5〇1111，導電性粒子之數平均粒子徑01爲3〜5(^111， 厚度和數平均粒子gDi之比\¥1/01爲1.1〜10，構成 薄膜基材之絕緣性彈性體（Elastomer ) 之硬度計硬度爲 3 0〜9 0爲佳。 若依據本媽盈之電路基板之檢查裝置，使用導電性粒 子被配列於厚度方向並且被均勻分散在面內方上之異方導 電性薄膜，當作被配置在爲檢查對象之被檢查電路基板， 和間距變換用基板之間的第1異方導電性薄膜。 因此，於針對被檢查電路基板重複執行連續檢查之時 ，減少因異方導電性薄膜之惡化而導致的交換頻率，檢查 效率爲高。 再者，即使爲例如以200μιη以下之微細間距被配置， 具有電極寬爲1〇〇 μπι以下之微小電極的背檢查電路基板， 亦可保持被檢查電路基板之各被檢查電極間之絕緣狀態， 可以達成被檢查電極和電路基板側連接器之檢查電極之電 氣性連接。然後，因不具有隔著絕緣部之導電部形成部， 故在被檢查電路基板之重複檢查時，即使產生異方導電性 薄膜之橫方向的位置偏離，因經常也可達成被檢查電路基 -14- 200530602 (10) 板之被檢查電極和電路基板側連接器之檢查電極的電氣性 連接’故可以抑制因異方導電性薄膜之位置偏離而導致良 品被檢查電路基板被誤判成不良品。 再者’第1異方導電性薄膜因成爲與檢查用電路基板 不同體，故於第1異方導電性薄膜產生惡化之時，僅交換 第1異方導電性薄膜即可，容易交換。檢查用之電路基板 因不需要於交換第1液導電性薄膜時交換，可再次使用， 故可以降低被檢查電路基板之檢查成本。 如此一來，若依據本發明之電路基板之檢查裝置，即 使爲檢查對象之被檢查電路基板爲具有以微細間距配置之 微小電極者，亦可以執行信賴性高之電氣性檢查。 本發明之電路基板之檢查裝置是上述第1異方導電性 薄膜是接觸被檢查電路基板之側的表面之表面粗度爲 0.5〜5 μιη，接觸間距變換用基板之側的表面之表面粗度爲 0· 3 μιη以下，上述間距變換用基板是接觸第1異方導電性 薄膜之側的表面之絕緣部之表面粗度爲0.2 μιη以下。 如此一來，因使第1異方導電性薄膜之被檢查電路基 板之接觸面，成爲具有特定表面粗度之粗面，故縮小於解 除對被檢查電路基板加壓時，被檢查電路基板和第1異方 導電性薄膜之接觸面積。因此，可以抑制爲薄膜基材之絕 緣性彈性體之黏著性，防止或抑制被檢查電路基板黏著於 第1異方導電性薄膜。 並且，因使第1異方導電性薄膜之間距變換用基板之 接觸面成爲表面粗度爲小之平坦面，縮小間距變換用基板 -15- 200530602 (11) 之表面之絕緣部的表面粗度，故增大間距變換用基板和第 1異方導電性薄膜的接觸面積。因此，即使於解除對被檢 查電路基板加壓後，兩者之密著性也高，藉由爲薄膜基材 之彈性體之黏著性，第1異方導電性薄膜確實被保持於間 距變換用基板上。因此，可以防止第1異方導電性薄膜自 間距變換用基板脫離，即使於連續執行多數被檢查電路基 板之電氣檢查時，亦可以圓滑地執行檢查作業。 本發明之電路基板之檢查裝置，是上述第2異方導電 性薄膜由延伸於厚度方向之多數導電路形成部，和互相絕 緣該些導電形成部之絕緣部所構成，僅在導電路形成部含 有導電性粒子，依此該導電性粒子被不均勻分散在面方向 上，並且在薄膜單面側上突出有導電路形成部。 在上述發明中，上述第2異方導電性薄膜中之導電部 形成部之厚度W2爲0.1〜2mm，導電性粒子之數平均粒子 徑D2爲5〜200μηι，厚度W2和數平均粒子徑D2之比 W2/ D2爲1.1〜10，構成薄膜基材之絕緣性彈性體（Elastomer )之硬度計硬度爲15〜60爲佳。 本發明之電路基板之檢查裝置，是上述第3異方導電 性薄膜由延伸於厚度方向之多數導電路形成部，和互相絕 緣該些導電形成部之絕緣部所構成，僅在導電路形成部含 有導電性粒子，依此該導電性粒子被不均勻分散在面方向 上，並且在薄膜單面側上突出有導電路形成部。 如此一來，作爲第2異方導電性薄膜及第3異方導電 性薄膜，是由導電路形成部和絕緣部所構成，僅在導電路 -16- 200530602 (12) 形成部中含有導電性粒子而被不均勻分散在面方向上，藉 由使用在薄膜單面側上突出導電路形成部的非均勻分布型 之異方導電性薄膜，以該些薄膜吸收因加壓檢查治具而所 引起之加壓力或衝擊，依此可以抑制第1異方導電性薄膜 之惡化。即是，因該非均勻分布型之異方導電性薄膜因彈 性力大，故吸收檢查時之檢查治具之加壓力，緩和衝擊能 力較優，故緩和壓力集中於彈力性比較少之第1異方導電 性薄膜或衝擊，抑制第1異方導電性薄膜之惡化。因此， 對於反覆檢查增長第1異方導電性薄膜之使用壽命。其結 果，於被檢查電路基板之電氣性檢查中，可以減少第1異 方導電性薄膜之交換次數，提昇檢查效率。 本發明之電路基板之檢查裝置是在上述間距變換用基 板上，設置有由一對電流用端子電極和電壓用端子電極所 構成之連接電極，該連接電極是被配置在間距變換用基板 上，使可對被檢查電路基板之各被檢查電極電氣性連接上 述一對電流用端子電極和電壓用端子電極，在上述連接器 基板上配置有電流用插銷側電極和電壓側插銷側電極，使 可各連接於上述間距變換用基板之電流用端子電極和電壓 用端子電極。 依據如此構成，於第1檢查治具和第2檢查治具之間 夾壓爲檢查對象之被檢查電路基板之兩面而執行電氣檢查 之時，對被檢查電路基板之各被檢查用電極，各個經由第 1異方導電性薄膜，電氣性連接間距變換用基板之連接電 極之電流用端子電極和電壓用端子電極之雙方。 -17- 200530602 (13) 然後，經由第2異方導電性薄膜、中繼插銷元件之導 電插銷、第3異方導電性薄膜，間距變換用基板之電流用 端子電極是被電氣性連接於連接器基板之電流用插銷側電 極，並且間距變換用基板之電壓用端子電極是被電氣性連 接於連接器基板之電壓用端子電極上。 依此，對於被檢查電路基板之各被檢查用電極，各個 經由上下之間距變換用基板之電流用端子電極而構成電流 供給路徑，另外，對於被檢查電路基板之各被檢查用電極

I ，各個經由上下之間距變換用基板之電壓用端子電極而構 成電壓計側路徑。 因此，對於被檢查電路基板之各被檢查用電極，經由 上下之間距變換用基板之電流端子電極，例如使用定電流 供給裝置，一面供給一定電流至電流供給路徑，一面經由 上下之間距變換用基板之電壓用端子電極，可藉由電壓計 側路徑，以電壓計測定來自被檢查電路基板之各被檢查用 g 電極之電壓，執行針對被檢查電路基板之配線圖案是否具 有規定之性能的電氣性特性之確認試驗。 相反的，對於被檢查電路基板之各被檢查用電極，經 由上下間距變換用基板之電壓用端子電極，例如使用定電 壓供給裝置，一面對電壓計側路徑施加一定電壓，一面經 由上下之間距變換用基板之電流用端子電極，亦可藉由電 流供給路徑，以電流計測定來自被檢查電路基板之各被檢 查用電極之電流，執行針對被檢查電路基板之配線圖案是 否具有規定之性能的電氣性特性之確認試驗。 -18- 200530602 (14) 如此一來，對於被檢查電路基板之各被檢查用電極， 經由個別的電壓計側路徑、電流供給路徑，因可以個別測 定電壓和電流，故可以執行針對被檢查電路基板之配線圖 案是否具有規定之性能的電氣性特性之確認試驗，並且可 以以短時間實施確認試驗。 本發明之電路基板之檢查裝置中，上述中繼元件是具 備有被配置在上述第1絕緣板和第2絕緣板之間的中間保 持板；被配置在上述第1絕緣板和中間保持板之間的第1 支撐插銷；被配置於上述第2絕緣板和中間保持板之間的 第2支撐插銷；並且，相對於上述第1支撐插銷之中間保 持板的第1抵接支撐位置，和相對於上述第2支撐插銷之 中間保持板之第2抵接支撐位置，是被配置在投影至中間 保持板之厚度方向的中間保持投影面中不同位置上。 依據如此之構成，於在第1檢查治具和第2檢查治具 之間夾壓爲檢查對象之被檢查電路基板之兩面而執行電氣 檢查時，在加壓之初期階段，以中繼插銷元件之導電插銷 移動、第1異方導電性薄膜、第2異方導電性薄膜和第3 異方導電性薄膜之橡膠彈性壓縮，吸收壓力，而可以某程 度吸收被檢查電路基板之被檢查電極之高度參差不齊。 然後，第1支撐插銷之中間保持板的第1抵接支撐位 置，和第2支撐插銷之中間保持板之第2抵接支撐位置， 因被配置在投影至中間保持板之厚度方向的中間保持投影 面中不同位置上，故於又在第1檢查治具和第2檢查治具 加壓爲檢查對象之被檢查電路基板之時，除第1異方導電 -19- 200530602 (15) 性薄膜、第2異方導電性異方導電性薄膜和第3異方導電 性薄膜之橡膠彈性壓縮外，藉由中繼插銷元件之第1絕緣 板、第2絕緣板、被配置在第1絕緣板和第2絕緣板之間 的中間保持板之彈簧彈性，可對於被檢查電路基板之被檢 查電極之高度參差不齊，例如焊料球電極之高度參差不齊 ，使壓力集中分散，迴避局部性應力集中。 依此，對於具有高度參差不齊之被檢查電路基板之被 檢查電極之各個，可確保安定性之電氣性接觸。並且，因 降低第1異方導電性薄膜之應力集中，故可抑制第1異方 導電性薄膜之局部性破損。其結果，因第1異方導電性薄 膜之重複使用耐久性向上，故減少第1異方導電性薄膜之 交換次數，提昇檢查作業效率。 再者，因不需要以一定間隔配置導電插銷，故可以減 少形成於絕緣板之貫通孔。因此，可以薄化絕緣板。並且 ，減少保持導電插銷在絕緣板鑽通加工的穿設作業，可以 降低檢查裝置之製作所須之成本。 本發明之電路基板之檢查裝置，是藉由一對第1檢查 治具和第2檢查治具，在兩檢查治具之間夾壓爲檢查對象 之被檢查電路基板之兩面時，以相對於上述第1之支撐插 銷之中間保持板的第1抵接支撐位置爲中心，上述中間保 持板構成被可彎曲於上述第2絕緣板之方向，並且，以相 對於上述第2之支撐插銷之中間保持板的第2抵接支撐位 置爲中心，上述中間保持板被構成可彎曲於上述第1絕緣 板之方向。 -20- 200530602 (16) 依據如此構成，中間保持板因以第1抵接支撐位置、 第2抵接支撐位置爲中心，互相彎曲於相反方向，故又在 第1檢查治具和第2檢查治具之間加壓爲檢查對象之被檢 查電路基板之時，又發揮中間保持板之彈簧彈性力，對於 被檢查電路基板之被檢查電極之高度參差不齊，使壓力集 中分散，可以迴避局部性之應力集中，抑制第1異方導電 性薄膜之局部性破損。其結果，因提昇第1異方導電性薄 > 膜之重複使用耐久性，故減少第1異方導電性薄膜之交換 次數，提昇檢查作業率。 本發明之電路基板中，相對於上述第1支撐插銷之中 間保持板的第1抵接支撐位置，是在上述中間保持板投影 面上被配置成格子狀，相對於上述第2支撐插銷之中間保 持板的第2抵接支撐位置，是在上述中間保持板投影面上 被配置成格子狀，在上述中間保持板投影面上，構成由鄰 接4個第1抵接支撐位置所構成之單位格子區域中，配置 | 1個第2抵接支撐位置，並且，在上述中間保持板投影面 上，構成由鄰接4個第2抵接支撐位置所構成之單位格子 區域中，配置1個第1抵接支撐位置。 依據如此構成，第1接支撐位置和第2抵接支撐位置 被配置成格子狀，第1抵接支撐位置和第2抵接支撐位置 被配置成所有格子狀偏離的位置上。 因此，中間保持板是以第1抵接支撐位置、第2抵接 支撐位置爲中心，互相彎曲於相反方向，在第1檢查治具 和第2檢查治具之間加壓爲檢查對象之被檢查電路基板之 -21 - 200530602 (17) 時，又發揮中間保持板之彈簧彈性力’對於被檢查電路基 板之被檢查電極之高度參差不齊，使壓力集中分散，可以 又迴避局部性之應力集中，抑制第1異方導電性薄膜之局 部性破損。其結果，因提昇第1異方導電性薄膜之重複使 用耐久性，故減少第1異方導電性薄膜之交換次數，提昇 檢查作業率。 本發明之電路基板之檢查裝置中，上述中繼插銷元件 是具備有以規定間隔分離而被配置在上述第1絕緣板和第 2絕緣板之間的多數個中間保持板；和被配置在鄰接中間 保持板彼此之間的保持板支撐插銷，並且，在至少1個中 間保持板中，相對於該中間保持板而自一面側抵接之保持 板支撐插銷的對該中間保持板之抵接支撐位置，和相對於 該中間保持板而自另一面抵接之第1支撐插銷、第2支撐 插銷、再者保持板支撐插銷的對該中間保持板之抵接支撐 位置，是被配置在投影於該中間保持板之厚度方向的中間 保持板投影面不同的位置上。 依據如此構成，藉由該些多數個中間保持板又發揮彈 簧彈性，對於被檢查電路基板之被檢查電極之高度參差不 齊，使壓力集中分散，可以又迴避局部性之應力集中，抑 制第1異方導電性薄膜之局部性破損。其結果，因提昇第 1異方導電性薄膜之重複使用耐久性，故減少第1異方導 電性薄膜之交換次數，提昇檢查作業率。 本發明之電路基板之檢查裝置中，在所有之上述中間 保持板中，相對於該中間保持板而自一面側抵接之保持板 -22- 200530602 (18) 支撐插銷的對該中間保持板之抵接支撐位置，和相對於該 中間保持板而自另一面抵接之第1支撐插銷、第2支撐插 銷、再者保持板支撐插銷的對該中間保持板之抵接支撐位 置，是被配置在投影於該中間保持板之厚度方向的中間保 持板投影面不同的位置上。 依此，在所有之中間保持板中，該表背面側之支撐插 銷的抵接支撐位置因被配置在互相偏離之位置上，故又發 揮該些多數個中間保持板之彈簧彈性力，對於被檢查電路 基板之被檢查電極之高度參差不齊，使壓力集中分散，可 以又迴避局部性之應力集中，抑制第1異方導電性薄膜之 局部性破損。其結果，因提昇第1異方導電性薄膜之重複 使用耐久性，故減少第1異方導電性薄膜之交換次數，提 昇檢查作業率。 [發明效果] 若依據本發明，爲檢查對象之被檢查電路基板即使爲 具有以微細間距所配置之爲小電極者，亦可以執行信賴性 高之電氣性檢查。 【實施方式】 以下，參照圖面針對本發明之實施形態予以說明。並 且，在以後之記載中，於總稱第1檢查治具和第2檢查治 具中之一對相同之構成要（例如，電路基板側連接器2 1 a 和電路基板連接器2 1 b、第1異方導電性薄膜2 2 a和第1 -23- 200530602 (19) 異方導電性22b等）之時，則省略「a」、「b」（例如’ 總稱第1異方導電性薄膜22a和第1異方導電性薄膜22b 而以「第1異方導電性薄膜」記載）。 第1圖是表示本發明之一實施形態中之檢查裝置的剖 面圖，第2圖是表示第1圖之檢查裝置之檢查時之疊層狀 態的剖面圖。第3圖是表示間距變換用基板之被檢查電路 基板側之表面的圖示，第4圖是表示間距變換用基板之中 繼插銷元件側之表面。 b 本實施形態之檢查裝置是對用以安裝積體電路之印刷 基板等之檢查對象的被檢查電路基板1，藉由測定被檢查 電極間之電阻，而執行電氣檢查。 該檢查裝置是如第1圖及第2圖所示般，被配置在被 檢查電路基板1之上面側之第1檢查治具Π a，和被配置 在下面側之第2檢查治具1 1 b是被配置成可上下互相相向 〇 > 第1檢查治具Ua是具備有電路基板連接器21a、中 繼插銷元件3 1 a和測試機連接器4 1 a。電路基板側連接器 21a是由間距變換用基板23a，和被配置在該兩側上之第1 異方性導電性薄膜22a及第2異方導電性薄膜26a所構成 。測試機側連接器4 1 a是由被配置在中繼插銷元件3丨a側 之第3異方導電性薄膜42a，和連接器基板43a和基座板 4 6 a所構成。 第2檢查治具1 1 b也與第1檢查治具1 1 a相同構成， 具備有電路基板側連接器2 1 b、中繼插銷元件3 1 b和測試 -24- 200530602 (20) 機側連接器4 1 b。電路基板側連接器2 1 5是由間距變換基 板2 3 b、被配置在該兩側之第1異方導電性薄膜22及第2 異方導電性薄膜2 6b所構成。測試側連接器4 1 b是由被配 置在中繼插銷元件31b之第3異方導電性薄膜42b、連接 器基板43b和基座板46b所構成。 在被檢查電路基板1之上面形成被檢查用之電極2 ’ 在該下面也形成有被檢查用之電極3，該些被互相電氣性 i 連接。 (1 )電路基板側連接器 電路基板側連接器21a、21b是具備有間距變換用基 板2 3 a、2 3 b，和被配置在該兩側上之第1異方導電性薄膜 22a、22及第2異方導電性薄膜2 6a、2 6b。 (1-a)間距變換用基板 第3圖是表示間距變換用基板23之被檢查電路基板1 側之表面的圖示，第4圖是表示該中繼插銷元件3 1側之 表面的圖示。 間距變換用基板23之一方表面，即是在被檢查電路 基板1側上，如第3圖所示般，形成有被電氣性連接於被 檢查電路基板1之電極2、3的多數連接電極25。該些連 接電極25是被配置成可對應於被檢查電路基板1之被檢 查電極2、3之圖案。 另外，間距變換用基板23之另一方表面，即是在被 -25- 200530602 (21) 檢查電路基板1之反對側上，如第4圖所示般，形成有被 電氣性連接於中繼插銷元件31之導電插銷32a、32b之多 數端子電極24。該些端子電極24例如被配置在間距爲 2 · 5 4 m m、1 · 8 m m、1.2 7 m m、1 · 0 6 m m、〇 . 8 m m、0 · 7 5 m m、 0.5mm、0.45mm、0.3mm或是0.2mm之一定間距之格子點 上，該間距與中繼插銷元件之導電插銷32a、32b之配置 間距相同。 第3圖之各個連接電極25是依據配線52及第7圖中 貫通於絕緣基板5 1之厚度方向的內部配線5 3，而被電氣 性連接於所對應之第4圖之端子電極24。 間距變換基板23之表面中之絕緣部，是如第7圖所 示般，以被形成各個連接電極25露出的絕緣層54，構成 在絕緣基板5 1之表面上，該絕緣層5 4之厚度較佳爲 5〜ΙΟΟμπι，更佳爲10〜60μπι。該厚度過小時，要形成表面 粗度過小之絕緣層則有困難。另外，該厚度過大時，連接 電極2 5和第1異方導電性薄膜2 2的電氣性連接則有困難 〇 就形成間距變換用基板之絕緣基板5 1之材料而言， 一般可以使用印刷電路基板之基材所使用者。具體而言， 可舉出例如，聚醯亞胺（Ρ ο 1 y i m i d e )樹脂、玻璃纖維補強 型聚醯亞胺樹脂、玻璃纖維補強型環氧樹脂、玻璃纖維補 強型 BT ( Bismaleimide Triazine)樹脂等。 第7圖之絕緣層5 4、5 5之形成材料，可以使用可形 成薄膜狀之高分子材料，具體而言，例如環氧樹脂、丙烯 •26-

200530602 (22) 樹脂、酚（phenol )樹脂 '聚醯亞胺（Poly 聚醯胺（P 〇 1 y a m i d e )樹脂、該些混合物、 間距變換用基板2 3例如可以如下述 先，準備在平板狀之絕緣基板之兩面上疊 層材料，對該疊層材料，藉由數値控制型 刻處理、雷射加工處理等，對應於應該形 對應之圖案而形成貫通於疊層材料之厚度 孔。 接著，依據對被形成於疊層材料上之貫 電解電鍍，而形成被連結於基板兩面之金屬 via hole )。之後，藉由對金屬薄膜層施予 在絕緣基板之表面上形成配線圖案及連接電 對策之表面上形成端子電極。 然後，如第7圖所示般，藉由在絕緣· 上使各個連接電極2 5可露出地形成絕緣層 反側之表面上，使各個端子電極24可露出 54，取得間距變換用基板23。並且，絕緣層 佳爲5〜ΙΟΟμηι，更佳爲1〇〜60μηι。 (1-b)第1異方導電性薄膜 構成電路基板側連接器2 1，與間距變 23疊層之第1異方導電性薄膜22是如第5 由絕緣性之彈性分子所構成之薄膜基材6 1 i m i d e )樹脂、 抗鈾劑材料等 予以製造。首 金屬薄層之疊 孔裝置、光蝕 之端子電極所 向的多數貫通 通孔內，施予 薄層之引洞（ 光蝕刻處理， 極，同時在範 ;板5 1之表面 54，並且在相 地形成絕緣層 ί 55之厚度較 換用電路基板 圖所示般，在 中，以被分散 -27- 200530602 (23) 於面方向且配列於厚度方向之狀態，含有多數導電性粒子 〇 第1異方導電性薄膜22之厚度較佳爲0.3〜0.6mm， 更佳爲0.05〜0.2mm。並且，如第8圖所示般，於使第1 異方導電性薄膜22之表面63成爲粗面之時，「第1異方 導電性薄膜22之厚度」爲自被當作粗面之表面63之凹部 至背面64 (平坦面）爲止之厚度（最小厚度）。 第1異方導電性薄膜22之厚度於0.03mm未滿時，第 1異方導電性22之機械性強度容易變低，無法取得所需之 耐久性。另外，於該第1異方導電性薄膜22之厚度超過 0.5mm時，厚度方向之電阻容易變大，再者，應連接之電 極的間距爲小之時，在藉由加壓所形成之各個導電路間無 法取得所需之絕緣性，在被檢查電極間產生電氣性短路而 被檢查電路基板之電氣性檢查則有困難。 構成第1異方導電性薄膜22之薄膜基材61之彈性高 分子物質，該硬度計硬度較佳爲30〜90，更佳爲35〜80， 又更佳爲40〜70。 於本說明書中，「硬度計硬度」是指根據JIS K62 5 3 之硬度計硬度試驗，藉由形式A硬度計而所測定。彈性高 分子物質之硬度計硬度未滿30時，於加壓至厚度方向時 ，因產生異方導電性薄膜之壓縮、變形變大、產生較大永 久歪斜，故意方導電性薄膜早期惡化，檢查使用爲困難’ 容易降低耐久性。 另外，彈性高分子物質之硬度計硬度超過9 0時’異 -28- 200530602 (24) 方導電性薄膜被加壓至厚度方向時，因厚 不充分，故無法取得良好之連接訊號性， 良。 第1異方導電性薄膜22之導電性粒3 磁性導電性粒子。磁性導電性粒子之數平 佳爲3〜50μιη，更佳爲5〜30μιη，又更佳爲 於本說明書中，「磁性導電性粒子之 是指藉由雷射繞射散亂法而所測定者。 藉由磁性導電性粒子之數平均徑D i焉 容易加壓變形含有所取得異方導電性薄膜 粒子的部分，再者，在該製造工程中，藉 使磁性導電性粒子予以配向時，容易配向 ，因此，所取得之異方導電性薄膜異方性 電性薄膜之分解能（加壓異方導電性薄膜 向相向之電極間的電氣性導通，並保持鄰 極間之電氣性絕緣的能力）。 另外，藉由磁性導電性粒子之數平ί 5 Ομπι以下，所取得之異方導電性薄膜則） 好且容易加壓變形者，即使對微細且微小i 解能亦爲良好。 第1異方導電性薄膜22中之厚度Wi 電性粒子之數平均粒子徑D ! ( μηι )之比率 1 · 1〜1 0爲佳。 於比率W ! / D !未滿1 · 1之時，因磁性 度方向之變形量 容易發生連接不 1 62通常是使用 均粒子徑D i較 8 〜2 0 μιη 〇 數平均粒子徑」 ί 3 μ m以上，則 中之磁性導電性 由磁場配向處理 磁性導電性粒子 也變高，異方導 ，達成與厚度方 接於橫方向之電 句粒子徑D2爲 戎爲該彈性爲良 間距之電極，分 (μιη)和磁性導 是以W ! / D !爲 導電性粒子之直 -29- 200530602 (25) 徑與異方導電性薄膜之厚度同等，或比此大，故異方導電 性薄膜之彈性變低，因此，面對著印刷配線基板等之被檢 查電路基板1之被檢查電路基板1之被檢查電極而配置異 方導電性薄膜，執行加壓而達成接觸導通狀態之·時，被檢 查電路基板則容易損傷。 另外，當比率W! / D i超過1 0之時，面對著印刷配線 基板等之被檢查電路基板1之被檢查電極而配置異方導電 導電性，執行加壓而接觸導通狀態時，在被檢查電路基板 I 1和間距變換用基板23之間配列多數導電性粒子而形成連 鎖。因此，多數存在導電性粒子彼此之接點，電阻容易變 高，容易難以使用於電氣檢查。 本發明中之最佳一態樣是如第8圖（b )所示般，與 異方導電性薄膜22中之被檢查電路基板1接觸之側的表 面63，是被形成具有凹凸的粗面。另外，與該間距變換用 基板23接觸之側的背面64被設爲平坦面。並且，藉由導 _ 電性粒子62之連鎖是與異方導電性薄膜22之表面63側 中之粗面之凸部及凹部之位置無關係，以被分散於薄膜22 之面方向的狀態被形成。 與被檢查電路基板1接觸之側的表面63 (粗面）中之 表面粗面是較佳爲0.3以下μηι，更佳爲0.005〜0.2μιη，又 更佳爲0.01〜0.1 μηι。再者，連接於間距變換用基板23之 異方導電性薄膜22之側的表面中之絕緣部54 (第3圖、 第 7圖）之表面粗度是較佳爲 0.2 μιη以下，更佳爲 0.001〜Ο.ΐμπι，又更佳爲0.01〜0·03μπι。該些面之表面粗度 -30- 200530602 (26) 過大時，因異方導電薄膜22和間距變換用基板23之密著 性不充分，故防止於電氣檢查時異方導電性薄膜22自間 距變換用基板23脫離則爲困難。 以構成第1異方導電性薄膜22之基材之彈性高分子 物質而言，若在上述硬度計硬度之範圍內即可，並無特別 限定，但是自成型加工性及電氣特性之點來看，則以使用 矽橡膠爲佳。 其他，爲了取得構成第1異方導電性薄膜22之基材 的彈性高分子物質，就理想使用的硬化性之高分子材料而 言，可舉出聚丁二燃橡膠（Polybutadiene Rubber)、天然 橡膠、異戍橡膠（P〇lyis〇prene)、苯乙烯-丁二烯共聚體 橡膠、丙烯-丁二烯共聚體橡膠等之共軛二烯橡膠（ Conjugated Diene Rubber)及該些之氫添加物、苯乙嫌·異 戍共聚體等之區塊共聚體橡膠及該些氫添加物、丁二烯橡 朦（Chloroprene rubber )、氨基甲酸酯橡膠（Urethane rubber)、聚酯橡膠（Polyester rubber)、環氧氯丙院（ epichlorohydrin rubber)、石夕橡膨、乙嫌·丙嫌共聚體橡膠 、乙烯-丙烯-二烯共聚體橡膠等。 於異方導電性薄膜要求耐候性時，則以使用共軛二烯 橡膠以外者爲佳，如上述般，以成型加工性及電氣性之點 來看以使用矽橡膠爲佳。就矽橡膠而言，以架橋或縮合液 狀矽橡膠爲佳。液狀矽橡膠該黏度在歪速度1(Γ、α爲105 泊（poise)以下爲佳，即使爲含有縮合型、附加型、乙烯 基（vinyl group )或氫氧根基中之任一者亦可。具體而言 -31 - 200530602 (27) ，可以舉出例如二甲基矽生橡膠、甲乙烯矽生橡膠、甲苯 乙烯矽生橡膠等。 該些中，含有乙烯基之液狀矽橡膠（含有乙烯基之聚 二甲基砂氧院（polydimethyl siloxane)是在存有二甲基乙 稀氯代砂院（dimethylvinylchlorosilane)或是二甲基乙嫌 院氧基砂院（dimethyvinylalkoxysilane)下，使例如二甲 二氯代砂院（dimetyldichlorosilane)或二甲二院氧基砂 院（dimethyldialkoxysilane)予以加水分解及縮合反應， 之後執行依據反覆溶解-沉澱的區分而所取得。 兩末端含有乙烯基之液狀矽橡膠是在催化劑之存在下 陰離子聚合八甲環四砂氧院（octamethylcyclotetrasiloxan )般之環狀矽氧烷，使用二甲基二乙烯矽氧烷當作聚合停 止劑，藉由適當調節其他之反應條件（例如，環狀矽氧烷 之量及聚合停止劑之量）而所取得。在此，可以使用羥基 四甲基化銨、羥基η_Τ基鱗等之鹼或是該些之氧烷溶液斗 ，來當作陰極聚合之催化劑，反應溫度例如80〜13 0°C。 含有氫氧根之液狀矽橡膠（含有氫氧根之聚二甲基氫 氧），是例如在二甲基水化矽烷之存在下，使二甲基二矽 烷或是二甲基二烷氧基矽烷加水分解及縮合反應，之後， 藉由執行依據反覆溶解-沉澱的區別而所取得。再者，在 存有催化劑下陰極聚合環狀矽氧烷，以使用例如二甲基水 化矽烷、甲基二水化矽烷或是二甲基水化烷氧矽烷等，來 當作聚合停止劑，也藉由適當調節其他反應條件（例如環 狀矽氧烷之量及聚合停止劑之量）而所取得。在此，可以 -32- 200530602 (28) 使用羥基四甲基化銨、羥基η-丁基鱗等之鹼或是該些之氧 烷溶液斗，來當作陰極聚合之催化劑，反應溫度例如 8 0〜13 0〇C 0 以液狀矽橡膠而言，雖然使用該硬化物15CTC中之壓 縮永久歪斜爲3 5 %者，但是以反覆壓縮在異方導電性薄膜 之厚度方向時之耐久性爲良好之點爲佳，該壓縮永久歪斜 更佳爲20%以下。 再者，雖然使用該硬化物之23 °C中之撕裂強度（ Tearing Strength)爲7kN/m以上之液狀砂橡膠，但是以 重複壓縮於異方導電性薄膜之厚度方向時之耐久性爲良好 之點爲佳，該撕裂強度更佳爲ΙΟΚη/m以上。 在此，液狀矽橡膠硬化物之壓縮永久歪斜及撕裂強度 是可以依據JIS K6249之方法而測定。 以使用矽橡膠作爲異方導電性薄膜22之基材時，該 分子量Mw (稱爲標準聚苯乙烯換算重量平均分子量）爲 1 0000〜40000爲佳。再者，自耐熱之點來看，分子量分布 指數（稱爲標準聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw和標準 聚苯乙烯換算平均分子量Μη之比Mw/Mn之値）是2以 下爲佳。 於用以取得將成爲異方導電性薄膜22基材之彈性高 分子物質的高分子材料中，可以含有用以硬化此之硬化催 化劑。作爲如此之硬化催化劑，可舉出例如有機過氧化物 、脂肪酸唑（azole )化合物、羥甲矽烷基化觸媒等。 當作硬化觸媒使用之有機過酸化物是可以舉出例如過 -33- 200530602 (29) 氧化苯甲醯、過氧化雙二環苯甲醯、過氧化二異丙苯、過 氧化二第三丁基（ditertiarybutyl)等。 作爲硬化觸媒所使用之脂肪酸唑（azole )化合物是可 以舉出唑雙異丁腈等。 可以作爲羥甲矽烷基化反應之觸媒使用的觸媒，可舉 出例如氯鉑酸（chloroplatinic acid )及該氯、鉑-不飽和 基含有矽氧烷化合物、乙烯矽氧烷和鉑的化合物、鉑和1 ，3 -二乙烯四甲基二矽氧烷的化合物、三有機磷（ Triorganophosphine)或是有機磷和鉑之化合物、乙醯乙 酸乙酯（acetylacetate )鉑整合物、環狀二烯和鉑之化合 物等。 硬化觸媒之使用量雖然考慮添加此之高分子材料之種 類、硬化觸媒之種類、其他硬化處理條件而適當選擇，但 一般相對於高分子材料100之重量部爲3〜15重量部。 在用以取得將成爲異方導電性薄膜22基材之彈性高 分子物質之高分子材料中，因應所需可以含有矽石粉、矽 酸膠（colloidal silica )、氣凝膠、礬土等之無機充塡材 。藉由含有如此之無機充塡材，確保用以取得異方導電性 薄膜 22之高分子材料（成型用材料）之觸變性（ thixotropic nature)，該黏度變高。並且，提昇導電性粒 子之分散安定性，並所取得之異方導電性薄膜之強度變高 〇 如此之無機塡充材之使用量雖然並不特別限定，但是 當多量使用時，由於磁場無法 -34- 200530602 (30) 使導電性粒子充分配向，故較不佳。 再者，薄膜成型用材料之黏度是在溫度25 °C中爲 1 00000〜1 000000CP之範圍內爲佳。 以異方導電性薄膜1 2 2之基材中所含有之導電性粒子 而言，由於依據使磁場作用因可以容易配向成排列於薄膜 厚度方向之點，故一般使用表示磁性之導電性粒子。作爲 磁性導電性粒子，是在藉由後述之製造方法用以形成異方 & 導電性薄膜之薄膜成型用材料中，以藉由磁場之作用容易 移動之點來看，該飽和磁化爲〇·1 Wb/m2以上者爲佳，尤 其以〇.5Wb/m2以上者爲更佳。 藉由飽和磁化爲〇·1 Wb/m2以上，因可以在該製造工 程中依據磁場作用使磁性導電性粒子確實移動而成爲所欲 之配向狀態，故可以於使用異方導電性薄膜之時形成磁性 導電性粒子之連鎖。 以磁性導電性粒子之具體例而言，可舉出表示鐵、鎳 鈷等之磁性的金屬粒子或是該些合金粒子或是含有該些 金屬之粒子，再者將該些粒子當作芯粒子，在該芯粒子之 表面覆蓋高導電性金屬之複合粒子，或是將非磁性金屬粒 子或是玻璃珠等之無機物質粒子或是聚合物粒子當作芯粒 子’在該芯粒子之表面上施予高導電性金屬之電鍍的複合 粒子’或是在芯粒子上覆蓋體磁體、金屬間化合物等之導 電性磁性體及高導電性金屬之雙方的複合粒子等。 在此，「高導電性金屬」是指〇 °C中之導電率爲5 X 106Ω ΛιΤ1以上之金屬。 -35 - 200530602 (31) 以如此之高導電性金屬而言’具體上可以使用金、銀 、铑等，該些中以化學性安定且具有高導電率之點來看以 使用金爲佳。 上述之磁性導電性粒子中’是使用將鎳粒子當作芯粒 子，並在該表面上施予金或銀等之高導電性金屬之電鍍的 複合粒子等爲佳。 以在芯粒子之表面覆蓋高導電性金屬之手段而言，雖 然並不特別限定，但可以使用例如無電解電鍍法。 磁性導電粒子是該數平均粒子徑之變動係數爲50%以 下者爲佳，更佳爲40°/。以下，又更佳爲30%以下，最佳爲 20%以下者。 在此，「數平均粒子徑之變動細數」是藉由式：（σ /Dn ) χ100(但是，σ是表示粒子徑之標準偏差之値，Dn 是表示粒子之數平均粒子徑）而取得。 藉由磁性導電性粒子之數平均粒子徑之變動係數爲 5 0%，粒子徑之不整齊程度因變小，故可以縮小所取得異 方導電性薄膜中之部分性導電性的參差不齊。 如此之磁性導電性粒子是可以藉由常法粒子化金屬材 料，或是準備市場售出之金屬粒子，對該粒子執行分級處 理而取得。 粒子之分級處理是可以藉由例如空氣分級裝置、音波 篩選裝置等之分級裝置而執行。 再者，分級處理之具體條件是因應爲目的之導電性金 屬粒子之數平均平均粒子徑、分級裝置之種類等而被適當 -36- 200530602 (32) 設定。 於使用在芯粒子之表面覆蓋高導電性金屬者當作磁性 導電性粒子之時，以取得良好之導電性之點來看，粒子表 面中之高導電性金屬之覆蓋率（導電性金屬之覆蓋面積對 芯粒子之表面積的比率）爲40%以上爲佳，更佳爲45 %以 上，最佳爲47〜95%。 高導電性金屬之覆蓋量是以相對於芯粒子爲0.5〜50 重量％爲佳，更佳爲1〜30重量％，又更佳爲3〜25重量％， 最佳爲4〜20重量％。被覆蓋之高導電性金屬爲金時，該覆 蓋量是2〜30重量％爲佳，更佳爲3〜20重量％，最佳爲 3 · 5 % 〜1 7 %。 磁性導電粒子之具體性形狀雖並不特別限定，但以可 以容易分散於用以形成屬於異方導電性薄膜22之基材的 彈性高分子物質之高分子材料中之點來看，則以球狀、星 狀、或是藉由一次粒子凝集之二次粒子的塊狀爲佳。 作爲磁性導電性粒子，即使使用該表面以矽烷系偶合 劑（Silane Coupling Agent )等之偶合劑處理者亦可。依 據以偶合劑處理磁性導電性粒子之表面，磁性導電性粒子 和彈性高分子基材的黏著性變高，其結果所取得之異方導 電性薄膜22之重複使用耐久性變高。 異方導電性薄膜22在不損傷彈性高分子物質之絕緣 性範圍下是可以含有帶電防止劑。藉由使異方導電性薄膜 22含有代電防止劑，因可以防止或抑制電荷蓄積於薄膜表 面，故於被檢查電路基板1之電氣檢查時，可以防止電荷 -37- 200530602 (33) 自異方導電性薄膜22被放出的不良狀況，並且可以以更 小之加壓力取得良好導電。 異方導電性薄膜22是可以例如下述般予以製造。首 先’調製將磁性導電性粒子分散於被硬化而成爲彈性高分 子物質之液狀高分子材料中的流動性成型材料，再者，如 第9圖所示般，準備由非磁性薄膜所構成之一對成型構件 93a、93b。然後，在單方之成型構件93b之成型面上，具 有適合於作爲目的之異方導電性薄膜22之平面形狀之形 狀的開口’配置有對應於該厚度之框狀的間隔物94。將所 調製之成型材料95塗布於間隔物94之開口內，並在該成 型材料95之上面配置另一方成型構件93a使該成型面可 接觸於成型材料95。 作爲成型構件93 a、93 b所使用之非磁性薄膜是可以 使用由聚醯亞胺（Polyimide )樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸樹 脂等所構成之樹脂薄膜。 如第8圖（a)、第8圖（b)所示般，於製作在異方 導電性薄膜22之單面上施予粗面處理者之時，則如第1 0 圖所示般，在單方成型構件93a之成型面上，施有因應作 爲目的之異方導電性薄膜22之表面63中之表面粗度。例 如，藉由噴砂法、鈾刻法等之方法在成型面上形成凹部 99a及凸部99b。其他之成型構件93b則使用屬於平坦面 者。 成型構件93a、93b之薄膜厚度以50〜500 μιη，更佳爲 7 5〜3 0 0 μ m。該厚度爲5 0 μ m未滿時，成型構件則無法取得 -38- 200530602 (34) 所需之強度。該厚度超過5 0 0 μηι時，配列導電性粒子之時 使成型材料作用所欲之強度磁場則有困難。 接著’如第9圖所示般，藉由加壓滾輪91及支撐滾 輪92 ’依據夾壓夾著成型材料95的成型構件93a、93b， 使成型材料成爲規定厚度。該狀態是如第1 〇圖所示般， 在成型材料9 5之內部均勻分散導電性粒子62。 接著’如第1 1圖所示般，在成型構件93a、93b之背 | 面側上’配置例如一對電磁石98a、98b，使平行磁場作用 於成型材料95之厚度方向。依此，被分散於成型材料中 之導電性粒子62是如第1 2圖所示般，一面維持被分散於 面方向之狀態，一面配向成排列於厚度方向，並在延伸於 厚度方向之多數導電性粒子62的連鎖分散於面方向之狀 態下被形成。 藉由在該狀態下硬化成型材料，配向成彈性高分子基 材中導電性粒子排列成厚度方向，且製造出在被分散於面 | 方面之狀態下所含有的異方導電性薄膜22。 成型材料之硬化處理即使在使平行磁場作用之狀態下 執行亦可，即使使平行磁場之作用停止後執行亦可。使作 用於成型材料之平行磁場之強度則以平均0.02〜1.5 Tesla 之大小爲佳。 使平行磁場作用於成型材料之手段，即使使用永久磁 石來取代電磁石亦可。作爲永久磁石，在取得上述範圍之 平行磁場強度之點來看，是以鎳鈷合金（Fe-Al-Ni-Co系 合金）、體磁體等所構成者爲佳。 -39- 200530602 (35) 成型材料之硬化處理雖然也依據所使用材料不 所差異，但是一般是藉由加熱處理所執行。具體性 溫度及加熱時間是考慮高分子材料等之種類、導電 之移動所需之時間等而適當設定。 若依據以上所說明之方法，則不需要對硬化處 異方導電性薄膜本體施予粗面化處理，可以以簡易 造異方導電性薄膜，並且，可以迴避施予後處理所 異方導電性薄膜之壞影響。 再者，因使用成型面被粗面化處理之非磁性體 作成型構件，故相對於成型材料可以在面方向中作 強度之磁場。即是，因在被粗處理之成型面之凸部 無形成比凹部位置大之強度磁場，故在凸部位置上 擇性形成導電性粒子之連鎖，導電性粒子之連鎖是 於異方導電性薄膜之面方向的狀態下被形成，依此 方導電性薄膜之粗面中之凸部位置上也形成有導電 之連鎖。因此，即使爲僅有異方導電性薄膜之粗面 部被加壓之狀態，在該厚度方向亦可取得導電性。 以小壓力取得表示高導電性之異方導電性薄膜。再 由使用樹脂薄膜等之非磁性薄膜當作成型構件，比 金屬模具等之高價位成型構件之時，則可以降低製 (1-c)第2異方導電性薄膜 被配置在間距變換用基板23中繼插銷元件3 1 同而有 之加熱 性粒子 理後之 工程製 造成之 薄膜當 用均勻 位置上 無被選 在分散 ，在異 性粒子 中之凸 因此， 者，藉 起使用 造成本 側之第 -40- 200530602 (36) 2異方導電性薄膜2 6是如第6圖所示般，由在絕緣性之彈 性高分子材料中多數導電性粒子62被配列在厚度方向而 所形成之導電路形成部72 ’和由各個離間導電路形成部 72之絕緣部7 1所構成。如此一來，導電性粒子62僅在導 電路形成部72中，被不均勻分散於面方面上。 導電路形成部72之厚度W2較佳爲0.1〜2mm，更佳爲 0.2〜1 .5mm。該厚度未滿〇 · 1 mm時，相對於厚度方向之加 壓的吸收能力爲低，檢查時檢查治具之加壓力的吸收變小 ，減少緩和對電路基板側連接器2 1衝擊的效果。因此， 難以抑制第1異方導電性薄膜2 1之惡化，其結果增加被 檢查電路基板1之反覆檢查時，第1異方導電性薄膜22 之交換次數，降低檢查效率。另外，該厚度W2超過2mm 時，厚度方向之電阻容易變大，有難以電氣檢查之情形。 絕緣部7 1之厚度是實質上與導電部形成部72之厚度 相同，或比此小爲佳。如第6圖所示般，使絕緣部71之 厚度比導電路形成部72之厚度小，而形成導電部形成不 72比絕緣部71還突出之突出部73，依此對於厚度方向之 加壓，導電路形成不72則容易變形，增大家壓力之吸收 能力，故可以於檢查時吸收檢查治具之加壓力，緩和對電 路基板側連接器2 1之衝擊。 於構成第2異方導電性薄膜26之導電性粒子62使用 磁性導電性粒子時，該數平均粒子徑較佳爲5〜200 μηι，更 佳爲 5〜150μιη、又更佳爲1〇〜ΙΟΟμιη。在此，「磁型導電 性粒子之數平均粒子徑」是藉由雷射繞射散亂法而所測定 -41 - 200530602 (37) 者。磁性導電性粒子之數平均粒子徑爲5 μπι以上時，容易 加壓變形異方導電性薄膜之導電部形成部。再者，在該製 造工程中，藉由磁場配向處理使磁型導電性粒子予以配向 時，則容易配向磁型導電性粒子。當磁型導電性粒子之數 平均粒子徑爲200μιη時以下時，異方導電性薄膜之導電路 形成部72之彈性爲良好容易加壓變形。 導電路形成部72之厚度W2 ( μιη )，和磁型導電性粒 子之數平均粒子徑D2爲（μιη)之比率W2/D2是1.1〜10爲 佳。 於比率W!/ D i未滿1 .1之時，因磁性導電性粒子之直 徑相對於導電路形成部72之厚度爲同等，或比此大，故 導電路形成部72之彈性變低，該厚度方向佳麗之吸收能 力變小。因此，於檢查時，減少緩和向電路基板側連接器 2 1之衝擊的效果，故難以抑制第1異方導電性薄膜22之 惡化，其結果反覆檢查被檢查電路基板1時，增加第1異 方導電性薄膜22之交換次數，容易降低檢查效率。 另外，當比率W" D!超過10之時，在導電路形成部 72上配列多數導電性粒子而形成連鎖，因多數存在導電性 粒子彼此之接點，故電阻容易變高。 屬於導電路形成部72之基材的彈性高分子物質，是 藉由該類型A硬度計所測定出之硬度計硬度較佳爲15〜60 ，更佳爲20〜50，並又更佳爲25〜45。 彈性高分子物質之硬度計比1 5小時’被加壓至厚度 方向時之薄膜壓縮，因變形大，產生較大之永久歪斜，故 -42- 200530602 (38) 薄膜形狀早期變形，檢查時之電氣連接易造成困難。於碳 型高分子物質之硬度計硬度爲比60大時，被加壓至厚度 方向時之變形則變小，故該厚度方向之加壓力之吸收能力 則變小。因此，不容易抑制第1異方導電性薄膜2 2之惡 化’其結果’在被檢查電路基板1之重複檢查時，增加第 1異方導電性薄膜22之交換次數，容易降低檢查效率。 就成爲導電路形成部72之基材的彈性高分子物質而 言’雖然若爲表示上述硬度計硬度者即可，並無特別限定 ’但是自加工性及電氣特性之點來看，以使用矽橡膠爲佳 。第2異方導電性薄膜26之絕緣部7 1實質上是藉由不含 有導電性粒子之絕緣材料所形成。作爲絕緣材料，雖然可 以使用例如絕緣性之高分子材料、無機材料、絕緣化表面 之金屬材料等，但是當使用與導電路形成部所使用之彈性 高分子相同材料時，則容易生產。於使用彈性高分子物質 當作絕緣部材料時，硬度計硬度則使用上述範圍者爲佳。 作爲磁性導電性粒子，是可以使用上述第1異方導電 性薄膜22所使用之時性導電性粒子。 第2異方導電性薄膜26是可以藉由例如以第9圖〜第 12圖所示之方法爲基準之方法而予以製造。首先，各個全 體形狀爲略平板狀，藉由互相對應之上模具和下模具所構 成’準備可以一面使磁場作用於被塡充於上模具和下模具 之成型空間內的材料層，一面加熱硬化該材料層之構成的 異方導電性薄膜成型金屬模具。 該異方導電性薄膜成型金屬模具爲了使磁場作用於材 -43- 200530602 (39) 料層，在適當位置上形成具有導電性之部分，上模具及下 模具之雙方是在由鐵、頂之強磁性體所構成之基板上，具 有交互配置使用以使強度分布產生於金屬模具內之磁場上 的由鐵、鎳等所構成之強磁性體部分，和由銅等之非磁性 金屬或是樹脂所構成之非磁性體部分可互相鄰接的馬賽克 狀之層的構成，強磁性體部分是依照對應著應形成導電形 成部之圖案的圖案而被配列。 在此，盎模具之成型面爲平坦，下模具之承襲面是對 應於應形成異方導電性薄膜之導電路形成部而具有些許凹 凸。 該異方導電性薄膜成型用金屬模具之成型空間內，被 硬化後注入將成爲彈性高分子物質之高分子物質材料中含 有表示無性之導電性粒子的成型材料，形成成型材料層。 接著，利用上模具及下模具之各個的強磁性體部分及 非磁性體部分，藉由相對於所形成成型材料層使具有強度 分布之磁場作用於該面方向，依據該磁力之作用，使導電 性粒子集合於上模具中之強磁性體部分，和位於該正下方 之下模具的強磁性體部分之間，使導電性粒子配向成可排 列於厚度方向。然後，在該狀態中藉由硬化處理該成型材 料層’製造出多數柱狀導電路形成部具有藉由絕緣部互相 絕緣之構成的異方導電性薄膜。 (2 )中繼插銷元件 中繼插銷元件31a、31b是如第1圖、第2圖所示般 -44- 200530602 (40) ’具備有上下方向相向排列，以規定間距所設置之多數導 電插銷3 2 a、3 2 b。再者，中繼插銷元件3丨a、3丨b是被設 置在該些導電插銷32a、3 2b之兩端側上，具備有被配置 在用以插通支撐導電插銷32a、32b之被檢查電路基板1 側上的絕緣板34a、34b，和被配置在被檢查電路基板〗相 反側上之絕緣板3 5 a、3 5 b之2片（一對）之絕緣板。 導電插銷32是如第13圖所示般，由直徑大的中央部 8 2，和比此値徑小之端部8 1 a、8 1 b所構成。 在該些一對絕緣板3 4及絕緣板3 5上，形成有插入導 電插銷32之端部81a、81b的貫通孔83。然後，貫通孔 83之直徑是形成比導電插銷32之端部81之直徑大，且比 中央部82之直徑小，依此，保持導電插銷32不會脫落。 2片絕緣板34、35是藉由支撐插銷33被固定成該些 間隔比導電插銷32之中央部82之長度還長，依此被保持 成導電插銷可上下移動。 導電插銷3 2之端部8 1之長度是被形成比絕緣板3 4、 35之厚度長，依此，成爲自絕緣板34、35中至少異方突 出導電插銷32。 中繼插銷元件是多數導電插銷是配置在一定間距，例 如 2.54mm、1 .8mm，1.27mm、1 .06mm、0.8mm、0.75mm 、0.5mm、0.45mm、0.3mm或〇.2mm之間距的格子點上。 藉由使中繼插銷元件3 1之導電插銷3 2之配置間距， 和被設置在間距變換用基板23之端子電極24之配置間距 相同，間距變換用基板2 3經由導電插銷3 2被電氣性連接 -45- 200530602 (41) 於測試機側。 並且，絕緣板3 4和絕緣板3 5之間的距離雖然並不特 別限定，但是以20mm以上爲佳，更佳爲40mm以上。再 者，絕緣板3 4及絕緣板3 5之各厚度雖然是因應構成該些 之材料種類，但是例如以1〜l〇mm爲佳。 以絕緣板34、35之材料的具體例而言，即使使用多 數疊層固有電阻爲1 X 1 〇 1 ^ Ω · cm以上之絕緣性材料，例 如聚醯亞胺（Polyimide)樹脂、聚醯胺（Polyamide)樹 脂、聚酯樹脂、苯酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚丁烯對苯二 甲酸酯樹脂（Polybutylene Terephthalate Resin)、聚對 苯二甲酸乙二酯樹脂（Polyethylene Terephthalate Resin )、對位聚苯乙燒（Syndiotactic Polystyrene)、聚苯硫 醚樹月旨（Polyphenylene Sulfide Resin)、聚乙醚酮樹月旨、 氟樹脂、聚乙醚丁腈樹脂、聚乙醚硫醚樹脂（Polyether Sulfide Resin)、聚丙炔樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等之機 械性強度高之樹脂材料、玻璃纖維補強型環氧樹脂、玻璃 纖維補強型聚酯樹脂、玻璃纖維補強型聚醯亞胺樹脂、玻 璃纖維型補強苯酚樹脂、玻璃纖維補強型氟樹脂等之玻璃 纖維型複合樹脂材料、碳纖維補強苯酚樹脂、碳纖維補強 型氟樹脂等之碳纖維型複合樹脂、環氧樹脂、苯酚樹脂、 充塡矽石、礬土、氮化硼等之無機材料的複合樹脂材料、 環氧樹脂、苯酣樹脂等含有塑料之複合材料等。再者，即 使使用多數疊層由該些材料所形成之板材而構成之複合板 材亦可。 -46- 200530602 (42) (3 )測試機側連接器

測試機側連接器4 1 a、4 1 b是如第1圖及第2圖所示 般，具備有連接器基板43a、43b和基座板46a、46b。第 3異方導電性薄板42a、42b是使用上述第2異方導電性薄 膜26相同者，如第6圖所示般，由在絕緣性之彈性高分 子中多數導電性粒子配列於厚度方向而所形成之導電路形 成部，分離隔開各個導電路形成部之絕緣部所構成。 連接器基板43a、43b是以基材構成絕緣基板’在該 表面之中繼插銷元件3 1側上如第1圖及第2圖所示般形 成有插銷側電極45a、45b。該些插銷側電極45a、45b是 被配置在隔著在一定間距，例如 2.45mm、1.8mm、 1.27mm、 1.06mm、 0.8mm、 0.75mm、 0.5mm、 0.45mm、 0.3mm或是0.2mm之間隔的一定格子點上，該配置間隔是 與中繼插銷元件之導電插銷之配置間距相同。 各個插銷側電極45a、46b是藉由被形成在絕緣基板 之表面之配線圖案及被形成在該內部之內部配線，被電氣 性連接於測試機側電極44a、44b。 以上所說明之本實施形態之檢查裝置是如第2圖所示 般，被檢查電路基板1之電極2及電極3是經由第1異方 導電性薄膜22a、22b、間距變換用基板23a、23b、第2 異方導電性薄膜26a、26b、導電插銷32a、32b、第3異 方導電性薄膜42a、42b、連接器基板43a、43b，依據測 試機之加壓機構以規定壓力加壓被配置在最外側之基座板 -47- 200530602 (43) 46a、46b而被電氣性連接於測試機（無圖示），執 查電路基板1之電極間中之電阻測定等之電氣檢查 藉由上側之第1檢查治具1 1 a，和下側第2檢 11b加壓被檢查電路基板1之壓力爲10 0〜2 5 Okgf。 第14圖是表示本發明之檢查裝置之其他實施 剖面圖，第15圖是表示第14圖之檢查裝置時之疊 的剖面圖，第1 6圖是表示間距變換用基板之被檢 基板側之表面的圖示，第1 7圖是表示間距變換用 中繼插銷元件側表面的圖示。並且，對應於上述實 中構成要素者以相同符號表示，省略該詳細說明。 本實施形態之檢查裝置之構成雖然基板上與上 形態相同，但是爲更適用於執行對被檢查用電極的 測及電壓計測的構成。具體而言，第1 6圖、第1 8 19圖所示般，在間距變換用基板23a、23b上配置 用端子電極27a、27b和電壓用端子電極28a、28b 之連接電極25a、25b，在連接器基板43a、43b上 電流用插銷側電極47a、47b和電壓用插銷側電極 48b 〇 間距變換用基板23a之連接電極25a，是被配 對被檢查電路基板1之被檢查電極2之各個，電氣 一對電流用端子電極27a和電壓用端子電極28a。 換用基板23b之連接電極25b，是被配置成可對被 路基板1之被檢查電極3之各個，電氣性連接一對 端子電極27b和電壓用端子電極28b。 行被檢 ) 查治具 形態的 層狀態 查電路 基板之 施形態 述實施 電流計 圖及第 由電流 所構成 配置有 48a、 置成可 性連接 間距變 檢查電 電流用 -48- 200530602 (44) 連接器基板43a之電流用插銷側電極47a是被配置成 可電氣性連接成間距變換用基板23 a之電流用端子電極 2 7a ’電壓用插銷側電極48a是被配置成可電氣性連接於 間距變換用基板23a之電壓用端子28a。連接器基板43b 之電流用插銷側電極47b是被配置成可電氣性連接於間距 變換用基板23b之電流用端子電極27b上，電壓用插銷側 電極48b是被配置成可電氣性連接於間距變換用基板23b 之電壓用端子電極28b上。間距變換用基板23之一方表 面，即是在被檢查電路基板1側上，如第1 6圖所示般， 形成有被電氣性連接於被檢查電路基板1之被檢查電極2 (被檢查電極3)上的多數連接電極25。該些連接電極25 是被配置成可對應被檢查電路基板1之被檢查電極2(被 檢查電極3 )之圖案。 再者，該連接電極25是如第16圖、第18圖及第19 圖所示般，相對於被檢查電路基板1之被檢查電極2(被 | 檢查電極3 )，由一對互相以規定間隔分離之電流用端子 電極27和電壓用端子電極28所構成。 電流用端子電極27和電壓用端子電極28之形狀是可 以設定成矩形狀、圓形狀、三角形狀等之各種形狀。再者 ，該些一對電流用端子電極2 7和電壓用端子電極2 8所佔 之區域，雖然被配置在與被檢查電路基板1之被檢查電極 2 (被檢查電極3 )所佔之區域大略相同之區域內，但是以 減少測定誤差爲佳。 再者，在間距變換用基板2 3中，電流用端子電極2 7 -49- 200530602 (45) 和電壓用端子電極2 8之間的距離是以1 〇 μηι以上爲佳。該 離間距離於比1 0 μιη小之時，因經由第1異方導電性薄膜 22a、22b流動於電流用端子電極27和電壓用端子電極28 之間的電流變大，故難以以高度精度測定電阻，則有無法 實施正確之電氣特性檢查。 另外，電流用端子電極2 7和電壓用端子電極2 8之間 的離間距離之上限是藉由被檢查電路基板1之被檢查用之 _ 電極2、3之尺寸，及間距以及電流用端子電極27和電壓 端子電極28之尺寸而規定者，雖然並不特別限定，但通 常爲500μιη以下。該離間距離過大時，對於尺寸想之被檢 查電路基板1之被檢查電極2(被檢查電極3)，適當配 置電流用端子電極27和電壓用端子電極28之雙方則有困 難。 另外，在間距變換用基板23之另一方表面，即是被 檢査電路基板1之反對側上，如第1 7圖所示般，形成有 | 被電氣性連接於中繼插銷元件3 1之導電插銷3 2的多數端 子電極24。該些端子電極24是被配置在例如間距爲 2.54mm ' 1.8mm > 1.27mm ' 1.06mm ' 0.8mm ' 0.75mm ' 0.5mm、0.45mm、0.3mm或是0.2mm之一定間距的格子點 上，該配置間距是與中繼插銷元件3 1之導電插銷3 2之配 置間距相同。 如第18圖所示般，第16圖之各個連接電極25，即是 電流用端子電極27和電壓用端子28各藉由貫通於各個配 線5 2及絕緣基板51之厚度方向之內部配線，而被電氣性 -50- 200530602 (46) 連接於所對應之第1 7圖之端子電極24。 另外，在測試機側連接器41之連接基板4 3上，該表 面之中繼插銷元件3 1側，如第14圖、第1 5圖及第19圖 所示般，形成有插銷側電極45。該些插銷側電極45是如 第1 9圖所示般，由電流用插銷側電極47和電壓用插銷側 電極48構成個別可電氣性連接於電流用端子電極27和電 壓用端子電極28，被配置在對應於中繼插銷元件31之導 電插銷3 2之位置上。 此時，該些插銷側電極45是被配置在一定間距，例 如 2.54mm、1.8mm、1.27mm、1.06mm、0.8mm、0.75mm 、0.5mm、0.45mm、0.3mm或是0.2mm之一定間距的格子 點上，該配置間距是與中繼插銷元件3 1之導電插銷3 2之 配置間距相同。 各個插銷側電極45是藉由被形成在絕緣基板之表面 上之配線圖案及被形成在該內部之內部配線，而被電氣性 連接於測試機側電極44。 並且，該實施形態雖然是將插銷側電極45設成插針 狀，但是插銷側電極45之形狀並不限定於插針形狀，例 如可變更成平坦電極等之各種。 如此所構成之本實施形態之檢查裝置1 0是如第1 4圖 所示般，被檢查電路基板1之電極2及電極3是經由第1 異方導電性薄膜22a、22b、導電性插銷32a、32b、第3 異方導電性薄膜42a、42b、連接器基板43a、43b，依據 測試機之加壓機構以規定壓力加壓被配置在最外側之基座 -51 - 200530602 (47) 行 被 膜 側 由 子 導 23 電 子 48 之 之 y 距 成 3 > 變 板46a、46b而被電氣性連接於測試機（無圖示），執 被檢查電路基板1之電極間中之電阻測定等之電氣檢查 此時，如第19圖所示般，對被檢查電路基板1之 檢查電極2 (被檢查電極3 )，經由第1異方導電性薄 22，電氣性連接間距變換用基板23之被檢查電路基板 側中之一對電流用端子電極27和電壓端子電極28。 然後，自間距變換用基板23之被檢查電路基板1 中之一對電流用端子電極27和電壓用端子電極28，經 間距變換用基板23之被檢查電路基板1和反對側之端 電極24、第2異方導電性薄膜26、中繼插銷元件31之 電插銷32、第3異方導電性薄膜42，間距變換用基板 之電流用端子電極27被電氣性連接於連接器基板43之 流用銷側電極47，同時間距變換用基板23之電壓用端 電極28是被電氣性連接於連接器基板43之電壓用端子 上。 依此，如第1 9圖所示般，對於被檢查電路基板1 各被檢查用電極2、3，經由間距變換用基板23a、23b 電流用端子電極27a、27b，構成電流計測路徑I，另外 對於被檢查電路基板1之各被檢查用電極2、3，經由間 變換用基板23a、23b之電壓用端子電極28a、28b，構 電壓計測路徑V。 因此，對於被檢查電路基板1之各被檢查用電極2、 ，經由間距變換用基板2 3 a、2 3 b之電壓用端子電極2 8 a 2 8b，一面施加電壓至電壓計測路徑V，一面經由間距 -52- 200530602 (48) 換用基板23、23b之電流用端子電極27a、27b，藉由電流 計測路徑I，測定流動被檢查電路基板I之各被檢查用電 極2、3，依此，可以執行針對被檢查電路基板1之配線圖 案是否具有規定性能之電氣性特性的確認試驗。 相反的，對於被檢查電路基板1之各被檢查用電極2 、3，經由間距變換用基板23a、23b之電流用端子電極 27a、27b，一面供給電流至電流計測路徑I，一面經由間 距變換用基板23a、23b之電壓用端子電極28a、28b，依 據電壓計測路徑V，對被檢查電路基板1之各被檢查電極 測定電壓，依此，可以執行針對被檢查電路基板1之配線 圖案是否具有規定性能之電氣性特性的確認試驗。 如此一來，因對被檢查電路基板1之各被檢查用電極 2、3，可經由個別電壓計測路徑V、電流計測路徑I而個 別測定電壓和電流，故針對檢查電路基板之配線是否距規 定性能之電氣性特性，可以執行正確之確認試驗。而且， 可以以短時間實施確認試驗。 再者，因對被檢查電路基板1之被檢查電路，可以一 面供給電流一面測定電壓，故在比以往檢查裝置中判斷導 通電阻之良否的設定電壓還低的設定電壓，可以安定測定 被檢查電路基板1之被檢查電路之導通電阻値。 即是，作爲高精度之檢查要件雖然需要判斷在低設定 電壓軋之電路的良否，但是若依據本實施形態，因以高確 率判斷並除去不良品，該具有潛在電氣性缺陷之被檢查電 路基板，故可實施信賴性高之電路基板之確認試驗。 •53- 200530602 (49) 並且，對被檢查電路基板1之各被檢查用電極2、3, 經由間距變換用基板23a、23b之電壓用端子電極28a、 28b，使用例如定電壓裝置，對電壓計測路徑V —面施加 一定電壓，一面經由間距變換用基板23a、23b之電流用 端子電極27a、27b，供給電流至電流計測路徑I，並以電 流計測定來自被檢查電路基板I之各被檢查電極2、3的 電流，亦可以執行針對被檢查電路基板1之配線圖案是否 具有規定性能之電氣性特性的確認試驗。 第20圖是表示本發明之電路基板之檢查裝置中之另 一實施形態的剖面圖，第21圖是表示第20圖之檢查裝置 之檢查時之疊層狀態的剖面圖。並且，對應於上述之實施 形態中之構成要素者是以相同符號表示，並該詳細說明則 省略。 本實施形態之檢查裝置之構成雖然基本上與上述之實 施形態相同，但是中繼插銷元件是成爲可以對具有高度參 差不齊之被檢查電路基板之被檢查電極，更確保安定性之 電氣性接觸的構成 。 本實施形態中之中繼插銷元件1是如第20圖、第21 圖及第22圖所示般，具備有上下方向相向排列，以規定 間距所設置之多數導電插銷32a、32b。再者，中繼插銷元 件31是被設置在該些導電插銷32a、32b之兩端側上，具 備有被配置在用以插通支撐導電插銷32a、32b之被檢查 電路基板1側上的絕緣板34a、34b，和被配置在被檢查電 路基板1相反側上之第2絕緣板3 5 a、3 5 b之2片之絕緣 -54- 200530602 (50) 板。 導電插銷32是如第22圖所示般，由直徑大的中央部 8 2，和比此値徑小之端部8 1 a、8 1 b所構成。 在該些一對絕緣板3 4及絕緣板3 5上，形成有插入導 電插銷32之端部81的貫通孔83。然後，貫通孔83之直 徑是形成比導電插銷32之端部8 1之直徑大，且比中央部 82之直徑小，依此，保持導電插銷32不會脫落。 第1絕緣板3 4和第2絕緣板3 5是藉由第1支撐插銷 33及第2支撐插銷37，被固定成該些間隔比導電插銷32 之中央部82之長度還長，依此被保持成導電插銷32可上 下移動。 導電插銷3 2之端部8 1 a、8 1 b之長度是被形成比絕緣 板34、35之厚度長，依此，成爲自絕緣板34、35中至少 異方突出導電插銷32。 中繼插銷元件是多數導電插銷是配置在一定間距，例 如 2.54mm、1 .8mm，1.27mm、1 .〇6mm、0.8mm、0.75mm 、0.5mm、0.45mm、0.3mm或〇.2mm之間距的格子點上。 藉由使中繼插銷元件3 1之導電插銷3 2之配置間距， 和被設置在間距變換用基板2 3之端子電極2 4之配置間距 相同，間距變換用基板2 3經由導電插銷3 2被電氣性連接 於測試機側。 再者，如第20圖〜第22圖所示般’在中繼插銷元件 31上，在第1絕緣板34a、34b和第2絕緣板35a、35b之 間。配置有間保持板3 6 a、3 6 b。然後’在第1絕緣板3 4 a -55- 200530602 (51) 、3 4b和中間保持板36a、36b之間，配置第1支撐插銷 33a、33b，依此，成爲可固定第1絕緣板34a、34b和中 間保持板3 6 a、3 6 b之間。 同樣的，在第2絕緣板35a、35b和翁間保持板36a、 36b之間，配置第2支撐插銷37a、37b，依此，成爲可固 定第2絕緣板35a、35b和中間保持板36a、36b之間。 此時，作爲第1支撐插銷33和第2支撐插銷37之材 質並不特別限定，例如黃銅、鋼等之金屬製。 並且，第1絕緣板3 4和中間保持板3 6之間的距離， 和第2絕緣板3 5和中間保持板3 6之間的距離，雖然並不 特別限定，但如後述般，考慮藉由第1絕緣板34、中間保 持板3 6及第2絕緣板3 5之彈性，生成被檢查電路基板1 之被檢查電極 2、3之高度參差不齊的吸收性時，則以 2mm以上爲佳，2.5mm以上更佳。 然後，如第23圖所示般，對於第1支撐插銷33之中 間保持板36之第1抵接支撐位置38A，和對於第2支撐 插銷3 7之中間保持板3 6之第2抵接支撐位置3 8B，是被 配置成在將檢查裝置投影至中間保持板3 6之厚度方向（ 第2 0圖中自上方朝向下方之方向）的中間保持板投影面 A中爲不同位置上。 此時，不同位置雖然並不特別限定，但是第1抵接支 撐位置38A和第2抵接位置38B是如第23圖所示般，在 中間保持投影面A上以形成於格子上爲佳。 具體而言，如第23圖所示般，在中間保持板投影面 -56- 200530602 (52) A上，在由鄰接之4個第1抵接支撐位置38A所構成之單 位格子區域R1上，配置1個第2抵接支撐位置38B。再 者，在中間保持板投影面A中，構成1個第1抵接支撐位 置38A被配置於鄰接4個第2抵接支撐位置38B所構成之 單位格子區域R2上。並且，以黑圈表示第1抵接支撐位 置38A，以白圈表示第2抵睡至38B。 並且，本實施形態雖然在第1抵接支撐位置3 8 A之單 位格子區域R1之對角線Q1之中央，配置1個第2抵接支 撐位置38B，並且在第2抵接支撐位置38B之單位格子區 域R2之對角線Q2之中央上，配置1個第1抵接支撐位置 38A，但是該些相對性位置並不特別限定，若配置在將檢 查裝置投影至中間保持板之厚度方向的中間保持板投影面 A上爲不同位置即可。即是，於不配置格子狀之時，非爲 拘束於如此之相對位置關係者，如上述般，若配置在將檢 查裝置1 〇投影至中間保持板之厚度方向的中間保持板投 影面A上爲不同位置上即可。 再者，此時，互相鄰接之第1抵接支撐位置3 8 A之間 的離間距離、第2抵接支撐位置38B之間的離間距離，並 不特別限定，較佳爲1〇〜l〇〇mm、更佳爲12〜70mm，又更 佳爲15〜50mm。 並且，第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板 3 5是使用具有可撓性。被第1絕緣板3 4、中間保持板3 6 、第2絕緣板3 5所需求之可撓性之程度，是在各以1 〇cm 間隔支撐第1絕緣板3 4、中間保持板3 6、第2絕緣板3 5 -57- 200530602 (53) 之兩端部的狀態下，配置成水平時，藉由以50kg自上方 加壓而所產生之彎曲，爲該些絕緣板之寬度的0.02°/。以下 ，並且即使藉由以200kgf之壓力自上方加壓也不會產生 破壞及永久變形的程度。 以第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板35之 具體材料而言，可以使用與上述實施形態中之中繼插銷元 件之絕緣板相同者，例如固有電阻爲1 X 1 〇 1G Ω · cm以上 之絕緣性材料爲佳。 第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板35之各 個厚度是因應構成第1絕緣板34、間保持板36、第2絕 緣板35之材料種類而適當選擇，但最佳爲1〜1mm。 如此所構成之本實施形態之檢查裝置是如第21圖所 示般，被檢查電路基板1之電極2及電極3是經由第1異 方導電性薄膜22a、22b、間距變換用基板23a、23b、第2 異方導電性薄膜26a、26b、導電插銷32a、32b、第3異 方導電性薄膜42a、42b、連接器基板43a、43b，由測試 機之加壓機構以規定壓力加壓被配置在最外側之基座板 46a、46b，依此被電氣性連接於測試機（無圖示），執行 被檢查電路基板1之電極間之電阻測定等之電氣檢查。以 下，一面參照第24圖〜第27圖（爲了方便僅表示第2檢 查治具1 1 b )，針對第1檢查治具1 1 a和第2檢查治具 1 1 B之間夾壓被檢查電路基板1之兩面時之壓力吸收作用 及壓力分散作用予以說明。 於在第1檢查治具1 1 a和第2檢查治具11 b之間夾壓 -58- 200530602 (54) 屬於檢查對象之被簡電路基板1之兩面而執行電氣檢查時 ，自第24圖之狀態疊層各構成要素而開始加壓之初期階 段（第25圖），是利用中繼插銷31b之導電插銷32b之 移動、第1異方導電性薄膜22b、第2異方導電性26b， 和第3異方導電性薄膜42b之橡膠彈性壓縮吸收壓力，可 以某程度吸收被檢查電路基板1之被檢查電極之高度參差 不齊 〇 然後，相對於第1支撐銷33b之中間保持板36b之第 1抵接支撐位置3 8 A，和相對於第2支撐插銷3 7b之中間 保持板3 6b的第2抵接支撐位置3 8B，因被配置在投影於 中間保持板3 6 b之厚度方向的中間保持板投影面A中不同 位置上，故如第26圖之箭號所示般，力作用於上下方向 ，如第2 7圖所示般，於在第1簡查治具1 1 a和第2檢查 治具1 1 b之間又加壓屬於檢查對象之被檢查電路基板1之 時，除了藉由第1異方導電性薄膜22b、第2異方導電性 薄膜26b、第3異方導電性薄膜42b之橡膠’彈性壓縮之外 ，還藉由中繼插銷元件31b之第1絕緣板34b、第2絕緣 板35b、 和被配置在第1絕緣板34b和第2絕緣板35b 之間的中間保持板3 6b之彈簧彈性，對於被檢查電路基板 1之被檢查電極3之高度參差不齊’例如焊料球電極之高 度參差不齊，使分散壓力集中’可以迴避局部性之應力集 中〇 即是，如第26圖及第27圖所示般，以與第1支撐插 銷3 3 b之中間保持板3 6b之第1抵接支撐位置3 8 A爲中心 -59- 200530602 (55) ，中間保持板3 6b彎曲於第2絕緣板3 5 b之方向（參照第 2 7圖之中心線所包圍E部分），並且以與第2支撐插銷 37b之中間保持板36b之第2抵接位置38B爲中心，中間 保持板36b是成爲彎曲於第1絕緣板34b之方向（參照以 第2 7圖之中心線所包圍之D部分。並且，以下，本說明 書中，「彎曲」及「彎曲方向」是指中間保持板3 6彎曲 成突出至凸狀之方向及該突出方向。 如此一來，中間保持板3 6b因以第1抵接支撐位置 3 8A、第2抵接支撐位置38B爲中心，互相彎曲於相反方 向，故於在第1檢查治具1 1 a和第2檢查治具1 1 b之間又 加壓屬於檢査對象之被檢查電路基板1之時，又發揮中間 保持板36b之彈簧彈性力。 再者，如以第2 7圖之中心線所包圍之B部分所示般 ，藉由第2異方導電性薄膜26b之導電路形成部之突出部 之壓縮，吸收導電插銷32b之高度，藉由該突出部之壓縮 無法吸收之壓力則被施加至第1絕緣板34b。 依此，如以第27圖之中心線所包圍之C部分所示般 ，第1絕緣板34b和第2絕緣板35b因某程度上在第1支 撐插銷3 3 b、第2支撐插銷3 7b之抵接位置，互相彎曲於 相反方向，故於在第1檢查治具1 1 a和第2檢查治具1 1 b 之間又加壓屬於檢查對象之被檢查電路基板1時，又可發 揮第1絕緣板34b和第2絕緣板35b之彈簧彈性力。 依此，即使對於具有高度參差不齊之被檢查電路基板 1之被檢查電極之各個，因確保安定性之電氣性接觸，又 -60- 200530602 (56) 降低應力集中，故可抑制異方導電性薄膜之局部性破損。 其結果，提昇異方導電性薄膜之重複使用耐久性，故減少 異方導電性薄膜之交換次數，提昇檢查作業效率。 第28圖是與表示本發明之檢查裝置之其他實施形態 的第24圖相同之剖面圖（爲了方便僅表示第2檢查治具 )，第29圖爲該中繼插銷元件之放大剖面圖。並且，以 相同符號表示對應於上述實施形態中之構成要素者，省略 該詳細說明。 本實施形態是在第1絕緣板34b和第2絕緣板35b之 間，以規定間隔分離配置多數個（該實施形態中爲3個） 之中間保持板36b，並且在該些之鄰接間保持板36b彼此 之間，配置有保持板支撐插銷3 9b。 此時，在至少1個中間保持板3 6b中，自一面側對中 間保持板3 6b抵接之保持板支撐插銷3 9b之相對於中間保 持板3 6b的抵接支撐位置，和自另一面側對中間保持板 k 3 6b之抵接支撐位置，是必須配置在投影至中間保持板

P 36b之厚度方向之中間保持板投影面中不同位置上。 最佳爲在所有中間保持保持板36b中，自一面側對中 間保持板3 6b抵接之保持板支撐插銷3 9b之相對於中間保 持板3 6b的抵接支撐位置，和自另一面側對中間保持板 36b之第1支撐插銷33b、第2支撐插銷37b或是保持板 支撐插銷3 9b之相對於中間保持板3 6b之抵接支撐位置， 是必須配置在投影至中間保持板3 6b之厚度方向之中間保 持板投影面中不同位置上。 -61 - 200530602 (57) 本實施形態是在3個中間保持板3 6b中爲上側中間保 持板3 6b上，自一面側對中間保持板3 6b抵接之保持板支 撐插銷39b之相對於中間保持板36b的抵接支撐位置39A ，和自另一面側對中間保持板3 6 b之第1支撐插銷3 3 b之 相對於中間保持板3 6b的抵接支撐位置3 8 A，是被配置在 投影至中間保持板3 6b之厚度方向之中間保持板投影面中 不同位置上。 再者，在3個中間保持板3 6b中爲中央之中間保持板 3 6b上，自一面側對中間保持板36b抵接之保持板支撐插 銷39b之相對於中間保持板36b的抵接支撐位置39A，和 自另一面側對中間保持板36b之保持板支撐插銷39b之相 對於中間保持板3 6b的抵接支撐位置3 9 A，是被配置在投 影至中間保持板36b之厚度方向之中間保持板投影面中不 同位置上。 再者，在3個中間保持板3 6b中爲下側之中間保持板 3 6b上，自一面側對中間保持板36b抵接之保持板支撐插 銷39b之相對於中間保持板36b的抵接支撐位置39A，和 自另一面側對中間保持板3 6b之第2支撐插銷3 7b之相對 於中間保持板3 6b的抵接支撐位置3 8B，是被配置在投影 至中間保持板3 6b之厚度方向之中間保持板投影面中不同 位置上。 依據如此構成，藉由該些多數個中間保持板3 6b，又 發揮彈簧彈性，對被檢查電路基板1之被檢查電極3之高 度參差不齊，使分散壓力集中，可以更迴避局部性之應力 -62- 200530602 (58) 集中，並且抑制異方導電性薄膜之局部性破損，其結果， 因提昇第1異方導電性薄膜22b之重複使用耐久性，故減 少第1異方導電性薄膜22b之交換次數，提昇檢查作業效 率。 並且，中間保持板36之個數若爲複數個即可，並無 特別限定。 再者，於配置中間保持板3 6之上述兩個實施形態中 _ ，如第20圖、第21圖、第24圖、第25圖、第27圖及 第28圖所示般，即使在測試機連接器4 1之連接器基板43 和基座板46之間，配置支撐插銷49亦可。依據該些支撐 插銷49，使成爲與第1支撐插銷33、第2支撐插銷37( 第28圖中爲第1支撐插銷33、第2支撐插銷37及保持支 撐插銷3 9 )所給予之作用相同，亦可給予分散面壓之作用 〇 以上，雖然針對使用配置有中間保持板之中繼插銷元 | 件的兩個實施形態予以說明，但是即使針對使用配置有該 中間保持板之中繼插銷元件的檢查裝置，亦可以使用適合 於第14圖〜第19圖中所說明之實施形態之構成，即是對 被檢查電路基板執行電流計測和電壓計測的構成。 如圖所示，對於被檢查電路基板1之被檢查電極2 ( 被檢查電極3 )，經由第1異方導電性薄膜22，電氣性連 接間距變換用基板23之被檢查電路基板1側之一對電流 用電極27和電壓用端子電極28。並且，第30圖爲了便於 說明，以省略支撐插銷3 3、3 7之狀態表示圖面。 -63- 200530602 (59) 然後，自間距變換用基板23之被檢查電路基板1側 之一對電流用端子電極2 7和電壓用端子電極2 8，經由間 距變換用基板2 3之被檢查電路基板1和相反側之端子電 極24、第2異方導電性薄膜26、中繼插銷元件31之導電 插銷3 2、第3異方導電性薄膜42，被電氣性連接至連接 器基板43之電流用插銷側電極47 ’並間距變換用基板23 之電壓用端子電極2 8則被電氣性連接於連接器基板4 3之 電壓用端子電極48上。 依此，對於被檢查電路基板1之各被檢查用電極2、3 ，經由間距變換用基板23a、23b之電流用端子電極27a、 2 7b，構成電流計測路徑I。另外，對被檢查電路基板I之 各被檢查用電極2、3，經由間距變換用基板23a、23b之 電壓用端子電極28a、28b，構成電壓計測路徑V。 因此，對於被檢查電路基板I之各被檢查用電極2、3 ，經由間距變換用基板23a、23b之電壓用端子電極28a、 2 8b，一面對電壓計測路徑V施加電壓，一面經由間距變 換用基板23、23b之電流用端子電極27a、27b，依據電流 計測路徑I，測定流動被檢查電路基板I之各被檢查用電 極2、3之電流，依此，可以執行針對被檢查電路基板1 之配線圖案具有具有規定性能之電氣性特性之確認試驗。 相反的，對於被檢查電路基板1之各被檢查用電極2 、經由間距變換用基板23a、23b之電流用端子電極27a、 2 7b，一面供給電流至電流計測路徑I，一面經由間距變換 用基板23a、23b之電壓用端子電極28a、28b，藉由電壓 -64- 200530602 (60) 計測路徑v，對被檢查電路基板1之各被檢查用電極2、3 測定電壓，依此，可以執行針對被檢查電路基板1之配線 圖案是否具有規定性能的電氣性特性之確認試驗。 以上，雖然針對本發明之實施形態予以說明，但是本 發明並不定於該些實施形態，可在不脫離該要旨之範圍內 作各種變形、變更及修正。 例如，被檢查電路基板1除了印刷電路基板外，即使 > 爲封裝1C、MCM、CSP等之半導體積體電路裝置、形成 於晶圓上之電路裝置亦可。再者，印刷電路基板不僅爲兩 面印刷，即使單面印刷電路基板亦可。 第1檢查治具1 1 a和第2檢查治具1 1 b對於使用材料 、構件構造等不一定要相同，即使該些微不同亦可。再者 ，第1檢查治具11a和第2檢查治具lib不一定要交該些 上下配置。再者，測試機連接器即使多數疊層如連接器基 板般之電路基板和異方導電性薄膜而構成亦可。 實施例 以下藉由實施例說明本發明，但本發明並不限於該些 實施例。 [實施例1] (評估用電路基板） 準備下述規格之評估用電路基板。 尺寸：100mm (縱）xlOOmm (橫）χ0· 8mm (厚度） -65- 200530602 (61) 上面側之被檢查電極之數量：73 12個 上面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 上面側之被檢查電極之最小配置間距：〇.4mm 下面側之被檢查電極之數量：3 784 下面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 下面側之被檢查電極之最小配置間距：〇.4mm 製作出適合於軌道搬運型電路基板自動檢查機（ Nidec- Read Corporation 製，品名：STARREC V5)之檢查 部，用以檢查上述評估用電路基板之電路基板檢查裝置（ 第20圖）。 (1)第1異方導電性薄膜22 製作出導電性粒子配列於厚度方向，且被均勻分散於 面方向之下述的第1異方導電性薄膜。 尺寸：llOmmxllOmm，厚度 0.1mm 導電性粒子：材質；施有金屬電鍍處理之鎳粒子，平 均粒子徑；2 0 μ m，含有率；1 8體積％ 彈性高分子物質：材質；矽橡膠，硬度；40 (2 )間距變換用基板23 在玻璃纖維補強型環氧樹脂所構成之絕緣基板之兩面 全面上’形成有由厚度爲1.8 μιη之銅所構成之金屬薄層的 疊層材料（松下電工公司製，品名：R-1766)，藉由數値 控制型鑽孔裝置，形成合計7 3 1 2個貫通於各個疊層材料 -66- 200530602 (62) 之厚度方向的直徑0.2mm之圓形貫通孔。 接著，藉由對形成有貫通孔之疊層材料，使用EDTA 類型銅電鍍液施予無電解電鑛處理，在貫通孔之內壁上形 成銅電鑛層，並且藉由使用硫酸銅電鍍液施予電解銅電鍍 處理，在各貫通孔內，形成電氣性互相連接疊層材料表面 之各金屬薄層，厚度約爲ΙΟμπι之圓筒狀的引洞（via hole )° 接著，在疊層材料之金屬薄層上，薄狀疊層厚度爲 25μπι之乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-225 )而 形成光阻層，並且，在該疊層材料之另一面側之金屬薄層 上配置保護密封膜。在該光阻層上配置光罩膜，對光阻層 使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後，藉 由顯像處理，形成蝕刻用之光阻圖案。然後，對形成有光 阻圖案之面的金屬薄膜層施予蝕刻處理，在絕緣基板之表 面上，形成直徑200μηι之7312個連接電極，和電氣性連 接各連接電極和引洞的線寬爲ΙΟΟμπι之圖案配線部，接著 ，除去光阻圖案。 在形成有連接電極及圖案配線部之絕緣基板之表面上 ，薄狀疊層厚度爲25 μηι之乾膜光阻層（日立化成公司製 ，品名：SR-2300G)而形成絕緣層，並且，在該絕緣層上 配置光罩膜，對光阻層使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製 )施予曝光處理後，藉由顯像處理，形成露出各個連接電 極之直徑200 μηι之7312個開口。使用硫酸銅電鍍液，並 將疊層材料之另一面側之金屬薄層當作共通電極使用，藉 -67- 200530602 (63) 由對各個連接電極施予電解銅電鑛處理，形成自絕緣層之 表面突出的7312個連接電極。 接著，除去疊層材料之另一面側之金屬薄層上之保護 密封膜，在該面之金屬薄層上，薄狀疊層厚度爲25μιη之 乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-22 5 )而形成光阻 層。之後，在該光阻層上配置光罩膜，對光阻層使用平行 曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後，藉由執行顯 像處理，在疊層材料之金屬薄層上形成蝕刻用之光阻圖案 。接著，藉由施予蝕刻處理，在絕緣性基板之背面上，形 成73 12個端子電極，和電氣性連接各端子電極和引洞的 圖案配線部，並除去光阻圖案。 接著，在形成有端子電極及圖案配線部之絕緣基板背 面上’薄狀疊層厚度爲 38μηι之乾膜銲錫光阻（ N i c h i g 〇 m 〇 r t on 公司製，品名：Conformask 2015)而形成 絕緣層，並且，在該絕緣層上配置光罩膜，接著，對絕緣 層使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後， 藉由顯像處理，形成7312個露出電極之直徑〇.45mm之開 □。 如上述般，製作第1檢查治具1 1 a用之間距變換用基 板23a。該間距變換用基板23a是縱橫尺寸爲120mm x 160mm’厚度爲〇.5mm，自連接電極之絕緣層表面露出之 部分直徑大約爲3 00μιη，自連接電極之絕緣層表面突出之 高度約爲25μηι，連接電極之最小配置間距爲〇.4mm，端 子電極之直徑爲0.4mm，端子電極之配置間距爲〇.75mm -68- 200530602 (64) ，形成有連接電極之面側的絕緣層表面粗度爲〇·〇2μπι。 再者，與上述相同，製作出在表面具有3 784個連接 電極，並且在背面具有3784個端子電極的第2檢查治具 lib之間距變換用基板23b。該間距變換用基板23b是縱 橫尺寸爲120mm X 1 60mm，厚度爲0.5mm，露出於連接電 極之絕緣層表面之部分的直徑大約爲3 00μιη，自連接電極 中之絕緣層表面突出高度大約爲25μιη，連接電極之最小 配置間距爲0.4mm，端子電極之直徑爲0.4mm，端子電極 之配置間距爲〇.75mm，表面（形成有連接電極之面）側 的絕緣層之表面粗度爲〇.〇2μιη。 (3 )電路基板側連接器2 1 藉由在該間距變換用基板23之表面側上，配置上述1 異方導電性薄膜22，在背面側上，配置由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣此之絕緣部所構成，單 面突出導電路形成部之非均勻分布型之異方導電性薄膜26 ，構成電路基板側連接器2 1。 並且，被配置在間距變換用基板23和中繼插銷元件 3 1之間的第2異方導電性薄膜26是如第6圖所示之形狀 ，具體而言使用以下構成者。 [第2異方導電性薄膜26] 尺寸：110mmxl50mm 導電路形成部之厚度：〇.6mm -69- 200530602 (65) 導電路形成部之外徑：〇.35mm 導電路形成部之突出高度：0.05mm 導電性粒子：材質；施有金屬電路之鎳粒子，平均粒 子徑；3 5 μπι，導電路形成部中之導電性粒子之含有率；3 0 體積％ 彈性高分子物質：材質；矽橡膠，硬度；30。 (W2/D2- 17 ) (4 )中繼插銷元件3 1 以第1絕緣板3 4、中間保持板3 6、第2絕緣板3 5之 材料而言，使用固有電阻爲1 X 1 0 1G Ω · cm以上之絕緣性 材料，由玻璃纖維補強型環氧樹脂所構成，該厚度爲 1 · 9mm 者。 然後，藉由第1支撐插銷33(直徑2mm，長度 36.3mm)，和第2支撐插銷37 (直徑2mm，長度3mm) 固定支撐，使第1絕緣板3 4和中間保持板3 6之間的距離 L 1可成爲3 6 · 3 mm，第2絕緣板3 5和中間保持板3 6之間 的距離L2可成爲3mm般，並且在第1絕緣板34和第2 絕緣板3 5之間，製作貫通孔8 3 (直徑0 · 4 m m )並配置成 可自在移動由下述構成所組成之導電插銷32。 [導電插銷] 材質：施有金屬電鍍之黃銅 前端部81a之尺寸：外徑0.35nim，全長2.lmni -70- 200530602 (66) 中央部82之尺寸：外徑〇.45mm，全長41mi 基端部81b之尺寸：外徑〇.35mm，全長2. 並且，相對於第1支撐插銷3 3之中間保持H 1抵接支撐位置38A，和相對於第2支撐插銷37 持板36之第2抵接支撐位置38B，是如第23圖 配置成格子狀。並且，將互相鄰接之第1抵接 38A之間的離間距離，第2抵接支撐位置38B之 距離設爲17.5mm。 (5 )測試機側連接器4 1 如第20圖所示般，自第3異方導電性薄膜 器基板4 3和基座板4 6構成測試機側連接器4 1。 3異方導電性薄膜42是使用與上述第2異方導 2 6相同者。 [性能試驗] 1 ·最低加壓壓力 將所製作出之檢查裝置設置於軌道搬運型電 動檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝 估用電路基板1，在1〇〇〜21 Okgf之範圍內使軌道 路基板自動檢查機「STARREC V5」之加壓壓力 化，在每加壓壓力條件各以1 〇次，針對評估用· 之被檢查電極，測定施加1毫安之電流時之導通彳 將所測定出之導通電阻値爲1 〇〇 Ω以上之檢 乏36之第 之中間保 所示般， 支撐位置 間的離間 42、連接 並且，第 電性薄膜 路基板自 置設置評 搬運型電 階段性變 路基板1 靈阻値。 查點（以 -71 - 200530602 (67) 下，稱爲「NG檢查點」）判定成導通不良，並算出總檢 查點中之N G檢查點之比率（以下，稱爲「N G檢查點比 率」），將NG檢查點比率成爲0.01 %以下之最低加壓壓 力當作最低加壓壓力。 該導通電阻値之測定是於一導通電阻値測定完成後， 開放該測定所涉及之加壓壓力而將檢查裝置返回無加壓狀 態，下一個導通電阻値之測定是再次藉由使規定之大小加 壓壓力予以作用而執行。 具體而言，NG檢查點比率是評估用電路基板1之上 面被檢查電極數爲7312點，下面被檢查電極數爲3784點 ，由在各加壓條件執行1 〇次測定，表示出藉由式（ 73 1 2 + 3 7 84 ) xl 0 = 1 1 0960所算出之1 1 0960點之檢查點所 佔之NG檢查點比率。 此時，「最低加壓壓力爲小」是意味以低加壓壓力執 行被檢查電路基板之電氣性檢查。檢查裝置若可以將檢查 時之加壓力設定成低時，不僅可以抑制因檢查時之加壓力 所造成被檢查電路基板及異方導電性薄膜以及檢查用電路 基板之惡化，因可以使用耐久性強度低之零件當作檢查裝 置之構成構件，故可以縮小檢查裝置之構造使成爲小型化 ，其結果，因可達成提昇檢查裝置之耐久性，刪減檢查裝 置之製造成本，故爲佳。 2 .異方導電性薄膜之耐久性測定 將所作成之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動 -72- 200530602 (68) 檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝置設置評估 用電路基板 1，將軌道搬運型電路基板自動檢查機^ STARREC V5」之加壓壓力條件設爲130kgf，執行規定次 數之加壓後，針對評估用電路基板1之被檢查電極，以加 壓壓力130kgf條件下，10次測定施加1毫安之電流時之 導通電阻値，執行規定次數之加壓同樣地反覆執行1 〇次 測定導通電阻値之作業。 將所測定出之導通電阻値爲100Ω以上之檢查點（NG 檢查點）判定成導通不良，並算出總檢查點中之NG檢查 點之比率（NG檢查點比率）。 接著，將檢查裝置之異方導電性薄膜更換新品，除了 將加壓條件變更成150kgf之外，其他藉由與上述條件相 同之條件，執行規定次數之加壓，之後，除了將加壓壓力 條件設爲150kgf之外，其他藉由與上述相同之手法算出 N G檢查點比率。 測定該異方導電性薄膜之耐久性所涉及之導通電阻値 ，是於完成一導通電阻値之測定後，開放該測定所涉及之 加壓壓力而使檢查裝置返回至無加壓狀態，下一個導通電 阻値之測定是再次藉由使規定大小之加壓壓力予以作用而 所執行。 再者，具體而言，NG檢查點比率是評估用電路基板 1之上面被檢查電極數爲7312點，下面被檢查電極數爲 3 7 84點，由在各加壓次數條件下執行1〇次測定，表示出 藉由式（7312+3784) xl0=110960所算出之110960之點 -73- 200530602 (69) 的檢查點所佔之NG檢查點之比率。 此時，檢查裝置在實用上必須設成NG檢查 0.0 1 %以下，N G檢查點比率超過0 · 0 1 %之時，因 爲良品之被檢查電路基板誤判爲不良品之檢查結 ，故有無法執行信賴性高之電路基板之電氣性檢 性。 將最低加壓壓力之測定結果表示於表1，將 性薄膜耐久性測定結果表示於表2。 [實施例2] 使用第1圖中繼插銷元件31a、31b，取代上 件 3 1，即是使用由以一定間距（2.54mm間距 8000插銷）被配置在格子點上之導電插銷32a、 支撐該導電插銷32a、32b成可上下移動的絕緣 3 4b及3 5a、3 5b所構成之中繼插銷元件，除此之 實施例1相同之構成製作檢查裝置。 針對該檢查裝置，藉由與實施例1相同之方 最低加壓壓力及異方導電性薄膜之耐久性。將最 測定結果表示於表1，將異方導電性薄膜之耐久 結果表不於表2。 點比率爲 有取得對 果的情形 查的可能 異方導電 述中繼元 )多數（ 3 2b，和 板 34a、 外，以與 法，測定 低加壓之 性的測定 -74- 200530602 (70)

【表2】 NG檢查點比率（％ ) 加壓次數（次） 1 1000 5000 1 0000 3 0000 實施例 1 加壓壓力 1 30kgf 0 0 0 0 0.3 加壓壓力 1 50kgf 0 0 0 0.05 0.7 實施例 2 加壓壓力 1 30kgf 0 0 0.1 0.25 1.5 加壓壓力 1 5 Okgf 0 0.06 0.14 0.38 2.3 【表1】 N G檢查點比率（％ ) 最低加壓壓力 (kgf) 加壓壓力 (kgf) 100 110 130 150 180 210 實施例1 0.3 0.0 1 0 0 0 0 150 實施例2 2.8 2.2 0.2 0.02 0 0 180 [實施例3] 以下，表面粗度是使用ZygoKK·公司製之3次元表面 構造解析顯微鏡「New View 200」，爲以截止値0.8mm， 測定長度0.25mm之條件測定依據JIS B060 1之中心平均 粗度R a的値。 -75- 200530602 (71) (評估用電路基板） 準備下述格式之評估用電路基板。 尺寸：100mm (縱）xlOOmm (橫）x〇.8mm (厚度） 上面側之被檢查電極之數量：73 12個 上面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 上面側之被檢查電極之最小配置間距：0.4mm 下面側之被檢查電極之數量：3 784 下面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 下面側之被檢查電極之最小配置間距：0.4mm 製作適合於軌道搬運型電路基板自動檢查機（Nidec-Read Corporation 製，品名：STARREC V 5 )之檢查部， 用以檢查上述評估用電路基板之電路基板檢查裝置（第1 圖）。 (η第1異方導電性薄膜22 以等量之比率混合二液型之附加型液狀矽橡膠之A液 和B液。添加並混合平均粒子爲20μηι之導電性粒子1 〇〇 重量部後，藉由減壓之脫泡處理，調製成型材料。 作爲附加液狀矽橡膠，以使用Α液及Β液之黏度各爲

5 0 0 P，該硬化物之1 5 0 °C之壓縮永久歪斜（依據JIS K 6 249之測定方法）爲6%，23 °C之撕裂強度（依據JIS K 6249之測定方法）爲25kN/m。 在一方成型構件之成型面上，具有120mmx200mm之 -76- 200530602 (72) 矩形開口。配置厚度爲0.0 8mm之框狀間隔物之後，在間 隔物之開口內塗布調製後的成型材料，並在該成型材料上 配置另一方成型構件使該成型面可接觸於成型材料。 一方之成型構件是將厚度爲0.1mm之聚酯薄膜（ Toray公司製，品名「馬多努米拉（譯名）si〇」，該光澤 面（表面粗度爲0·04μπι)當作成型面使用。 接著’使用加壓滾輪及支撐滾輪所構成之加壓滾輪裝 φ 置，依據該些成型構件夾壓成型材料，並將成型厚度設爲 0 · 0 8 m m 〇 在各成型構件之背面配置電磁石，依據一面對成型材 料使該厚度方向作用0.3T之平行磁場，一面以120 °C、30 分間之條件執行成型材料之硬化處理，製造出厚度爲 0 · 1 m m之矩形異方導電性薄膜。 所取得之異方導電性薄膜是該一面之表面粗度爲 1·4μπι，另一面之表面粗度爲〇·12μπι，導電性粒子之比率 φ 在體積分率爲1 2%。將該異方導電性彈性體薄膜設爲「異 方導電性薄膜（a )」。 (2)間距變換用基板23 由玻璃纖維補償型環氧樹脂所構成之絕緣基板之兩面 全面上，藉由數値控制型鑽孔裝置形成有由厚度爲1.8μιη 之銅所構成之金屬薄層的疊層材料（松下電工公司製，品 名：R- 1 766 )，藉由數値控制型鑽孔裝置，形成合計7312 個貫通於各個疊層材料之厚度方向的直徑〇.2mm之圓形貫 -77- 200530602 (73) 通孔。接著，藉由對形成有貫通孔之疊層材料，使用 EDT A類型銅電鍍液施予無電解電鍍處理，在貫通孔之內 壁上形成銅電鍍層，並且藉由使用硫酸銅電鍍液施予電解 銅電鍍處理，在各貫通孔內，形成電氣性互相連接疊層材 料表面之各金屬薄層，厚度約爲ΙΟμπι之圓筒狀的引洞（ via hole ) 。 接著，在疊層材料之金屬薄層上，薄狀疊層厚度爲 25μιη之乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-225 )而 形成光阻層，並且，在該疊層材料之另一面側之金屬薄層 上配置保護密封膜。在該光阻層上配置光罩膜，對光阻層 使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後，藉 由顯像處理，形成蝕刻用之光阻圖案。然後，對形成有光 阻圖案之面的金屬薄膜層施予蝕刻處理，在絕緣基板之表 面上，形成直徑200μπι之7312個連接電極，和電氣性連 接各連接電極和引洞的線寬爲ΙΟΟμιη之圖案配線部，接著 ，除去光阻圖案。 在形成有連接電極及圖案配線部之絕緣基板之表面上 ，薄狀疊層厚度爲25 μηι之乾膜光阻層（日立化成公司製 ，品名：SR-23 00G)而形成絕緣層，並且，在該絕緣層上 配置光罩膜，對光阻層使用平行曝光機（Oak Co·，LTD製 )施予曝光處理後，藉由顯像處理，形成露出各個連接電 極之直徑200μιη之7312個開口。使用硫酸銅電鍍液，並 將疊層材料之另一面側之金屬薄層當作共通電極使用，藉 由對各個連接電極施予電解銅電鍍處理，形成自絕緣層之 -78-

200530602 (74) 表面突出的7312個連接電極。 接著，除去疊層材料之另一面側之金屬 密封膜，在該面之金屬薄層上，薄狀疊層厚度 乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-225 ) 層。之後，在該光阻層上配置光罩膜，對光ΙΪ 曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後， 像處理，在疊層材料之金屬薄層上形成蝕刻用 。接著，藉由施予蝕刻處理，在絕緣性基板之 成73 12個端子電極，和電氣性連接各端子電 圖案配線部，並除去光阻圖案。 接著，在形成有端子電極及圖案配線部之 面上，薄狀疊層厚度爲 38μπι之乾膜彳 Nichigomorton 公司製，品名·· Conform ask 2 絕緣層，並且，在該絕緣層上配置光罩膜，I 層使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予译 藉由顯像處理，形成7312個露出電極之直徑 □。 如上述般，製作出間距變換用基板23a。 用基板23a是縱橫尺寸爲120mmxl60mm，厚 ，自連接電極之絕緣層表面露出之部分直徑大 ，自連接電極之絕緣層表面突出之高度約爲 電極之最小配置間距爲〇.4mm，端子電極之直 ，端子電極之配置間距爲〇.75mm，形成有連 側的絕緣層表面粗度爲〇.〇2 μιη。 〖層上之保護 爲 25μηι之 而形成光阻 .層使用平行 藉由執行顯 之光阻圖案 ,背面上，形 :極和引洞的 .絕緣基板背 ^錫光阻（ Π 5 )而形成 著，對絕緣 f光處理後， 0.4mm之開 該間距變換 度爲0.5 mm 約爲 3 0 0 μ m 25μηι，連接 徑爲0.4 m m 接電極之面 -79- 200530602 (75) 藉由在該間距變換用基板之表面側上，配置上述異方 導電性薄膜（a )，在背面側上，配置由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣該些之絕緣部所構成， 導電路形成部突出於單面之非均勻分布型異方導電性薄膜 ，而成爲上部側之電路基板側連接器2 1 a。 並且，被配置在間距變換用基板23和中繼插銷元件 3 1之間的第2異方導電性薄膜26爲如第6圖所示之形狀 ，具體而言是使用以下之構成者。 [第2異方導電性薄膜26] 尺寸：110mmxl50mm 導電路形成部之厚度：〇.6mm 導電路形成部之外徑：〇.35mm 導電路形成部之突出高度：〇.〇5mm 導電性粒子：材質；施有金屬電路之鎳粒子，平均粒 子徑；35μιη，導電路形成部中之導電性粒子之含有率；30 體積％ 彈性高分子物質：材質；矽橡膠，硬度；30。 (w2/D2= 17 ) 與上述相同，製作出在表面具有3 7 84個連接電極， 並且在背面具有3 784個端子電極之下部側檢查用治具用 之間距變換用基板23b。該間距變換用基板是縱橫尺寸爲 120mmxl60mm，厚度爲 0.5mm，露出於連接電極之絕緣 層表面的部分直徑大約爲3 00μηι，自連接電極之絕緣層表 -80- 200530602 (76) 面突出之高度大約爲2 5 μ m，連接電極之最小配置間距爲 0.4mm，端子電極之直徑爲0.4mm，端子電極之配置間距 爲〇.75mm，形成連接電極之面側的絕緣層之表面粗度爲 0 · 0 2 μιη 〇 藉由在該間距變換用基板之表面側上，配置上述異方 導電性薄膜（a )，在背面側上，配置由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣該些之絕緣部所構成， 導電路形成部突出於單面之非均勻分布型異方導電性薄膜 ，而成爲下部側之電路基板側連接器2 1 b。 使用該些之上部側及下部側之電路基板側連接器2 1 a 、2 1 b，如第1圖所示般依據中繼插銷元件3 1 a、3 1 b及測 試機側連接器4 1 a、4 1 b，構成檢查裝置。 [性能試驗] 在軌道搬運型電路基板自動檢查機「STARREC V5」 (Nidec- Read Corporation製）裝設檢查裝置，執行連接 安定性試驗（最低加壓壓力之測定）及異方導電性薄膜之 剝離試驗。 1.最低加壓壓力之測定 將所製作之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動 檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝置設置評估 用電路基板1，在1〇〇〜25 Okgf之範圍內使軌道搬運型電路 基板自動檢查機「STARREC V5」之加壓壓力階段性變化 -81 - 200530602 (77) ，在每加壓壓力條件各以1 〇次，針對評估用電路基板1 之被檢查電極，測定施加1毫安之電流時之導通電阻値。 將所測定出之導通電阻値爲1 〇〇 Ω以上之檢查點（以 下，稱爲「NG檢查點」）判定成導通不良，並算出總檢 查點中之NG檢查點之比率（以下，稱爲「NG檢查點比 率」），將NG檢查點比率成爲0.01%以下之最低加壓壓 力當作最低加壓壓力。 該導通電阻値之測定是於一導通電阻値測定完成後， 開放該測定所涉及之加壓壓力而將檢查裝置返回無加壓狀 態，下一個導通電阻値之測定是再次藉由使規定之大小加 壓壓力予以作用而執行。 具體而言，NG檢查點比率是評估用電路基板1之上 面被檢查電極數爲7312點，下面被檢查電極數爲3784點 ，由在各加壓條件執行1 〇次測定，表示出藉由式（ 73 1 2 + 3784 ) xl 0 = 1 1 0960所算出之1 1 0960點之檢查點所 佔之NG檢查點比率。將測定結果表示於表3。 2.剝離性試驗 搬運上述評估用電路基板設置於檢查裝置上，並以 1 5 Okgf之加壓壓力荷重對評估用電路基板加壓。在該狀態 下，施加1毫安電流至與兩個連接器之連接電極電氣性連 接之評估用電路基板上，接著，解除對評估用電路基板之 加壓。執行1 〇次操作後，自檢查裝置之檢查區域搬運評 估用電路基板。 -82- 200530602 (78) 針對1 0 0片評估用電路基板執行上述工程，自檢查裝 置之檢查區域搬運評估用電路基板之時，測定異方導電性 薄膜（a )自間距變換用基板脫離而接著於評估用電路基 板之次數（搬運錯誤次數）。測定結果表示於表3。 [實施例4] 在以實施例3所製作出之檢查裝置中，使用下述異方 導電性彈性體薄膜（b )取代異方導電性彈性體薄膜（a ) 而構成檢查裝置，與實施例3相同執行連接安定性試驗及 剝離性試驗。將測定結果表示於表3。 在一方成型構件之成型面上，具有120mmx200mm之 矩形開口。配置厚度爲〇.〇8mm之框狀間隔物之後，在間 隔物之開口內與實施例1相同塗布調製後的成型材料，並 在該成型材料上配置另一方成型構件使該成型面可接觸於 成型材料。 兩方之成型構件是將厚度爲0.1mm之聚酯薄膜（ Toray公司製，品名「馬多努米拉（譯名）S10」，該光澤 面（表面粗度爲0.04 μιη)當作成型面使用。 接著，使用加壓滾輪及支撐滾輪所構成之加壓滾輪裝 置，依據藉由各成型構件夾壓成型材料，形成厚度 0.08mm之成型材料層。在各成型構件之背面配置電磁石 ，依據一面對成型材料使該厚度方向作用〇·3Τ之平行磁 場，一面以120 °C、30分間之條件執行成型材料之硬化處 理，製造出厚度爲0.1mm之矩形異方導電性薄膜。 -83- 200530602 (79) 所取得之異方導電性薄膜（b )是該一面之表面粗度 爲0.13μπι，另一面之表面粗度爲〇·12μπι，導電性粒子之 比率在體積分率爲1 2 %。 【表3】 NG檢查點比率（％ ) 最低加 壓壓力 (kgf) 搬運錯 誤次數 (次） 加壓荷重 (kgf) 110 130 150 180 200 250 實施例3 2.2 0.2 0.02 0 0 0 180 0 實施例4 2.3 0.3 0.01 0 0 0 180 95

[實施例5] 以下，表面粗度是使用ZygoKK·公司製之3次元表面 構造解析顯微鏡「New View 200」，爲以截止値〇.8mm， 測定長度〇.25mm之條件測定依據JIS B060 1之中心平均 粗度Ra的値。 (評估用電路基板） 準備下述格式之評估用電路基板。 尺寸：100mm (縱）xlOOmm (橫）x〇.8mm (厚度） 上面側之被檢查電極之數量：7312個 上面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 上面側之被檢查電極之最小配置間距：0.4mm 下面側之被檢查電極之數量：3784 -84- 200530602 (80) 下面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 下面側之被檢查電極之最小配置間距· 〇 . 4 m m 製作適合於軌道搬運型電路基板自動檢查機（Nidec-Read Corporation 製，品名：STARREC V5)之檢查部， 用以檢查上述評估用電路基板之電路基板檢查裝置（第20 圖）。 (1 )第1異方導電性薄膜22 以等量之比率混合二液型之附加型液狀矽橡膠之A液 和B液。添加並混合平均粒子爲2 0 μιη之導電性粒子1 〇 〇 重量部後，藉由減壓之脫泡處理，調製成型材料。 作爲附加液狀矽橡膠，以使用Α液及Β液之黏度各爲 500P，該硬化物之150°C之壓縮永久歪斜（依據Jis K 6 249之測定方法）爲6%，23 °C之撕裂強度（依據Jis K 6249之測定方法）爲25kN/m。 作爲導電性粒子，以鎳粒子當作芯粒子，使用對該芯 粒子施有無電解金屬電鍍者（平均覆蓋量：成爲芯粒子重 量之5重量％的量）。 在一方成型構件之成型面上，具有120mmx200mm之 矩形開口。配置厚度爲0.08mm之框狀間隔物之後，在間 隔物之開口內塗布調製後的成型材料，並在該成型材料上 配置另一方成型構件使該成型面可接觸於成型材料。 一方之成型構件是將厚度爲0.1mm之聚酯薄膜（ To ray公司製，品名「馬多努米拉（譯名）S丨〇」，該光澤 -85- 200530602 (81) 面（表面粗度爲〇·〇4μιη)當作成型面使用。 接著，使用加壓滾輪及支撐滾輪所構成之加壓滾輪裝 置，依據該些成型構件夾壓成型材料，並將成型厚度設爲 0 · 0 8 mm 〇 在各成型構件之背面配置電磁石，依據一面對成型材 料使該厚度方向作用〇·3Τ之平行磁場，一面以120°C、30 分間之條件執行成型材料之硬化處理，製造出厚度爲 0.1 mm之矩形異方導電性薄膜。 所取得之異方導電性薄膜是該一面之表面粗度爲 1.4μπι，另一面之表面粗度爲〇·12μιη，導電性粒子之比率 在體積分率爲1 2%。將該異方導電性彈性體薄膜設爲「異 方導電性薄膜（a )」。 (2 )間距變換用基板23 由玻璃纖維補償型環氧樹脂所構成之絕緣基板之兩面 全面上，藉由數値控制型鑽孔裝置形成有由厚度爲1·8μπι 之銅所構成之金屬薄層的疊層材料（松下電工公司製，品 名：R- 1 766 )，藉由數値控制型鑽孔裝置，形成合計7312 個貫通於各個疊層材料之厚度方向的直徑〇.2mm之圓形貫 通孔。 接著，藉由對形成有貫通孔之疊層材料，使用EDTA 類型銅電鍍液施予無電解電鍍處理，在貫通孔之內壁上形 成銅電鍍層，並且藉由使用硫酸銅電鍍液施予電解銅電鍍 處理，在各貫通孔內，形成電氣性互相連接疊層材料表面 -86- 200530602 (82) 之各金屬薄層，厚度約爲ΙΟμηι之圓筒狀的引洞（via hole )° 接著，在疊層材料之金屬薄層上，薄狀疊層厚度爲 25μιη之乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-225 )而 形成光阻層，並且，在該疊層材料之另一面側之金屬薄層 上配置保護密封膜。在該光阻層上配置光罩膜，對光阻層 使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後，藉 由顯像處理，形成蝕刻用之光阻圖案。然後，對形成有光 阻圖案之面的金屬薄膜層施予蝕刻處理，在絕緣基板之表 面上，形成直徑200μιη之73 12個連接電極，和電氣性連 接各連接電極和引洞的線寬爲1〇〇μιη之圖案配線部，接著 ，除去光阻圖案。 在形成有連接電極及圖案配線部之絕緣基板之表面上 ，薄狀疊層厚度爲25 μπι之乾膜光阻層（日立化成公司製 ，品名·· SR-2300G)而形成絕緣層，並且，在該絕緣層上 配置光罩膜，對光阻層使用平行曝光機（Oak Co·，LTD製 )施予曝光處理後，藉由顯像處理，形成露出各個連接電 極之直徑200μιη之7312個開口。使用硫酸銅電鍍液，並 將疊層材料之另一面側之金屬薄層當作共通電極使用，藉 由對各個連接電極施予電解銅電鍍處理，形成自絕緣層之 表面突出的7312個連接電極。 接著，除去疊層材料之另一面側之金屬薄層上之保護 密封膜，在該面之金屬薄層上，薄狀疊層厚度爲25 μπι之 乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-22 5 )而形成光阻 -87- 200530602 (83) 層。之後，在該光阻層上配置光罩膜，對光 曝光機（Oak Co., LTD製）施予曝光處理後 像處理，在疊層材料之金屬薄層上形成蝕刻 。接著，藉由施予蝕刻處理，在絕緣性基板 成7312個端子電極，和電氣性連接各端子 圖案配線部，並除去光阻圖案。 接著，在形成有端子電極及圖案配線部 面上，薄狀疊層厚度爲 38μιη 之乾膜 Nichigomorton 公司製，品名：Conform ask 絕緣層，並且，在該絕緣層上配置光罩膜， 層使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予 藉由顯像處理，形成7312個露出電極之直卷 □。

如上述般，製作出第1檢查治具1 1 a用 基板23a。該間距變換用基板23a是縱橫尺 160mm，厚度爲0.5mm，自連接電極之絕緣 部分直徑大約爲3 00μιη，自連接電極之絕緣 高度約爲25μπι，連接電極之最小配置間距】 子電極之直徑爲〇.4mm，端子電極之配置間 ，形成有連接電極之面側的絕緣層表面粗度I 再者，與上述相同，製作出在表面具有 電極，並且在背面具有3784個端子電極的| 1 lb用之間距變換用基板23b。 藉由在該間距變換用基板之表面側上， 阻層使用平行 ，藉由執行顯 用之光阻圖案 之背面上，形 電極和引洞的 之絕緣基板背 銲錫光阻（ 2015 )而形成 接著，對絕緣 曝光處理後， § 0.4mm之開 之間距變換用 寸爲 1 20mm X 層表面露出之 層表面突出之 專 0 · 4 m m，端 距爲 0.75mm i 0 · 0 2 μχη 〇 3 784個連接 I 2檢查治具 配置上述異方 -88- 200530602 (84) 導電性薄膜（a )，在背面側上，配置由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣該些之絕緣部所構成， 導電路形成部突出於單面之非均勻分布型異方導電性薄膜 ，而成爲上部側之電路基板側連接器2 1 a。

並且，被配置在間距變換用基板23和中繼插銷元件 3 1之間的第2異方導電性薄膜26爲如第6圖所示之形狀 ，具體而言是使用以下之構成者。該間距變換用基板是縱 橫尺寸爲1 20mm X 1 60mm，厚度爲0.5mm，露出於連接電 極之絕緣層表面的部分直徑大約爲3 00μιη，自連接電極之 絕緣層表面突出之高度大約爲2 5 μπι，連接電極之最小配 置間距爲〇.4mm，端子電極之直徑爲〇.4mm，端子電極之 配置間距爲〇.75mm，形成連接電極之面側的絕緣層之表 面粗度爲〇·〇2μιη。 (3 )電路基板側連接器2 1 藉由在該間距變換用基板2 3之表面側上，配置上述1 異方導電性薄膜22，在背面側上，配置由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣此之絕緣部所構成，單 面突出導電路形成部之非均勻分布型之異方導電性薄膜26 ，構成電路基板側連接器2 1。 並且，被配置在間距變換用基板23和中繼插銷元件 3 1之間的第2異方導電性薄膜26是如第6圖所示之形狀 ，具體而言使用以下構成者。 -89- 200530602 (85) [第2異方導電性薄膜26] 尺寸：110mmxl50mm 導電路形成部之厚度：0.6mm 導電路形成部之外徑：0.35mm 導電路形成部之突出高度：0.05mm 導電性粒子：材質；施有金屬電路之鎳粒子，平均粒 子徑；35μπι，導電路形成部中之導電性粒子之含有率；30 體積％ 彈性高分子物質：材質；矽橡膠，硬度；3 0。 (W2/D2= 17) (4 )中繼插銷元件3 1 以第1絕緣板3 4、中間保持板3 6、第2絕緣板3 5之 材料而言，使用固有電阻爲1 X 1 0 1G Ω · cm以上之絕緣性 材料，由玻璃纖維補強型環氧樹脂所構成，該厚度爲 1 · 9 mm 者。 然後，藉由第1支撐插銷33 (直徑2mm，長度 3 6.3 mm )，和第2支撐插銷3 7 (直徑2 mm，長度3 mm ) 固定支撐，使第1絕緣板3 4和中間保持板3 6之間的距離 L 1可成爲3 6 · 3 mm，第2絕緣板3 5和中間保持板3 6之間 的距離L2可成爲3mm般，並且在第1絕緣板34和第2 絕緣板35之間，製作貫通孔83 (直徑0.4mm )並配置成 可自在移動由下述構成所組成之導電插銷32。 -90- 200530602 (86) [導電插銷] 材質：施有金屬電鍍之黃銅 前端部81a之尺寸：外徑〇.35mm，全長2.1mm 中央部82之尺寸：外徑〇.45mm’全長41mm 基端部81b之尺寸：外徑〇.35mm，全長2.1mm 並且，相對於第1支撐插銷3 3之中間保持板3 6之第 1抵接支撐位置3 8 A，和相對於第2支撐插銷3 7之中間保 持板3 6之第2抵接支撐位置3 8 B，是如第2 3圖所示般， 配置成格子狀。並且，將互相鄰接之第1抵接支撐位置 3 8 A之間的離間距離，第2抵接支撐位置3 8 B之間的離間 距離設爲17.5mm。 (5 )測試機側連接器4 1 如第20圖所示般，自第3異方導電性薄膜42、連接 器基板43和基座板46構成測試機側連接器41。並且，第 3異方導電性薄膜42是使用與上述第2異方導電性薄膜 26相同者。 [性能試驗] 在軌道搬運型電路基板自動檢查機「STARREC V5」 (Nidec- Read Corporation製）裝設檢查裝置，藉由下述 方法，執行連接安定性試驗（最低加壓壓力之測定）及異 方導電性薄膜之剝離試驗。 -91 - 200530602 (87) 1 ·最低加壓壓力之測定 將所製作之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動 檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝置設置評估 用電路基板1，在1〇〇〜25 Okgf之範圍內使軌道搬運型電路 基板自動檢查機「STARREC V5」之加壓壓力階段性變化 ，在每加壓壓力條件各以1 〇次，針對評估用電路基板1 之被檢查電極，測定施加1毫安之電流時之導通電阻値。 將所測定出之導通電阻値爲1 〇〇 Ω以上之檢査點（以 下，稱爲「NG檢查點」）判定成導通不良，並算出總檢 查點中之NG檢查點之比率（以下，稱爲「NG檢查點比 率」），將NG檢查點比率成爲0.01%以下之最低加壓壓 力當作最低加壓壓力。 該導通電阻値之測定是於一導通電阻値測定完成後， 開放該測定所涉及之加壓壓力而將檢查裝置返回無加壓狀 態，下一個導通電阻値之測定是再次藉由使規定之大小加 壓壓力予以作用而執行。 具體而言，N G檢查點比率是評估用電路基板1之上 面被檢查電極數爲7312點，下面被檢查電極數爲3784點 ，由在各加壓條件執行1 〇次測定，表示出藉由式（ 73 1 2 + 3 784 ) χ 1 0 = 1 1 0960所算出之Π 0960點之檢查點所 佔之NG檢查點比率。將測定結果表示於表4。 2.剝離性試驗 搬運上述評估用電路基板設置於檢查裝置上，並以 -92- 200530602 (88) 1 3 Okgf之加壓壓力荷重對評估用電路基板加壓。在該狀態 下’施加1毫安電流至與兩個連接器之連接電極電氣性連 接之評估用電路基板上，接著，解除對評估用電路基板之 加壓。執行1 〇次操作後，自檢查裝置之檢查區域搬運評 估用電路基板。 針對1 00片評估用電路基板執行上述工程，自檢查裝 置之檢查區域搬運評估用電路基板之時，測定異方導電性 薄膜（a )自間距變換用基板脫離而接著於評估用電路基 板之次數（搬運錯誤次數）。測定結果表示於表4。 [實施例6] 在以實施例5所製作出之檢查裝置中，使用下述異方 導電性彈性體薄膜（b )取代異方導電性彈性體薄膜（a ) 而構成檢查裝置，與實施例5相同執行連接安定性試驗及 剝離性試驗。將測定結果表示於表4。 在一方成型構件之成型面上，具有1 20mm X 2 0 0mm 之 矩形開口。配置厚度爲〇.〇8mm之框狀間隔物之後，在間 隔物之開口內與實施例1相同塗布調製後的成型材料，並 在該成型材料上配置另一方成型構件使該成型面可接觸於 成型材料。 兩方之成型構件是將厚度爲0.1mm之聚酯薄膜（ Toray公司製，品名「馬多努米拉（譯名）S10」，該光澤 面（表面粗度爲0.04μηι)當作成型面使用。 接著，使用加壓滾輪及支撐滾輪所構成之加壓滾輪裝 -93- 200530602 (89) 置，依據藉由各成型構件夾壓成型材料，形成厚度 0.0 8mm之成型材料層。在各成型構件之背面配置電磁石 ’依據一面對成型材料使該厚度方向作用0.3 T之平行磁 場，一面以1 2 0 °C、3 0分間之條件執行成型材料之硬化處 理，製造出厚度爲0.1mm之矩形異方導電性薄膜。 所取得之異方導電性薄膜（b )是該一面之表面粗度 爲0·13 μηι，另一面之表面粗度爲0.12 μιη，導電性粒子之 比率在體積分率爲1 2 %。 【表4】 N G檢查點, 比率 (%) 最低加 搬運錯 加壓荷重 100 110 130 150 180 2 10 壓壓力 誤次數 (kgf ) (kgf) (次） 實施例5 2.1 0.02 0 0 0 0 130 0 實施例6 2.3 0.02 0 0 0 0 130 84 [實施例7] (評估用電路基板） 準備下述評估用電路基板。 尺寸：100mm (縱）xlOOmm (橫）x〇.8mm (厚度） 上面側之被檢查電極之數量：3400個 上面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 上面側之被檢查電極之最小配置間距：〇.4mm 下面側之被檢查電極之數量：2 5 0 0 -94- 200530602 (90) 下面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 下面側之被檢查電極之最小配置間距：0.4 m m 製作適合於軌道搬運型電路基板自動檢查機（Nidec-Read Corporation 製，品名：STARREC V5)之檢查部， 用以檢查上述評估用電路基板之電路基板檢查裝置（第14 圖）。 (1) 第1異方導電性薄膜22 製作出導電性粒子配列成厚度方向，並且被均勻分散 在面方向之下述第1異方導電性薄膜。尺寸：ll〇mm X 110mm，厚度 0.1mm 導電性粒子：材質；施有金屬電鎪處理之鎳粒子，平 均粒子徑；20μιη，含有率；18體積％ 彈性高分子物質：材質；矽橡膠，硬度；40 (2) 間距變換用基板23 在玻璃纖維補強型環氧樹脂所構成之厚度〇.5mm之絕 緣基板之兩面全面上，形成有由厚度爲1.8 μιη之銅所構成 之金屬薄層的疊層材料（松下電工公司製，品名：R-1766 )，藉由數値控制型鑽孔裝置，形成合計6800個貫通於 各個疊層材料之厚度方向的直徑0.1mm之圓形貫通孔。 此時，貫通孔之形成是2個爲一組，形成在對應於評 估用電路基板之上面側之被檢查電極的位置上，一組織貫 通孔是設置0.1mm之間隙而形成（即是，意味著設定成貫 -95- 200530602 (91) 通孔A = 0.1 m m和貫通孔B = 0 . 1 m m之間的間隙=〇 · 1 m m ) o 接著，藉由對形成有貫通孔之疊層材料，使用EDTA 類型銅電鑛液施予無電解電鍍處理，在貫通孔之內壁上形 成銅電鑛層，並且藉由使用硫酸銅電鍍液施予電解銅電鑛 處理，在各貫通孔內，形成電氣性互相連接疊層材料表面 之各金屬薄層，厚度約爲ΙΟμιη之圓筒狀的引洞（via hole )° 接著，在疊層材料之金屬薄層上，薄狀疊層厚度爲 25μιη之乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-225 )而 形成光阻層，並且，在該疊層材料之另一面側之金屬薄層 上配置保護密封膜。在該光阻層上配置光罩膜，對光阻層 使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後，藉 由顯像處理，形成蝕刻用之光阻圖案。然後，對形成有光 阻圖案之面的金屬薄膜層施予蝕刻處理，在絕緣基板之表 面上，形成6800個橫60 μπι、縱150 μιη之連接電極，和電 氣性連接各連接電極和引洞的線寬爲1〇〇μηι之圖案配線部 ，接著，除去光阻圖案。 接著，在形成有連接電極及圖案配線部之絕緣基板之 表面上，薄狀疊層厚度爲5 0 μιη之乾膜光阻（東京應化公 司製，品名：FP-225 )而形成光阻層，並且，在該光阻層 上配置光罩膜，對光阻層使用平行曝光機（Oak Co.，LTD 製）施予曝光處理後，藉由執行顯像處理，形成6800個 露出各個連接電極之橫60 μιη、縱150μηι之矩形開口。 -96- 200530602 (92) 然後，使用硫酸銅電鍍液，並將疊層材料之另一面側 之金屬薄層當作共通電極使用，藉由對各個連接電極施予 電解銅電鍍處理，形成自絕緣層之表面突出的6800個連 接電極。接著，除去光阻圖案。 接著，除去疊層材料之另一面側之金屬薄層上之保護 密封膜，在該面之金屬薄層上，薄狀疊層厚度爲25 μηι之 乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-225 )而形成光阻 層。之後，在該光阻層上配置光罩膜，對光阻層使用平行 曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後，藉由執行顯 像處理，在疊層材料之金屬薄層上形成蝕刻用之光阻圖案 〇 接著，於對形成有疊層材料之連接電極之側面施予保 護密封膜後，藉由施予蝕刻處理，在絕緣性基板之背面上 ，形成6800個端子電極，和電氣性連接各端子電極和引 洞的圖案配線部，並除去光阻圖案。 接著，在形成有端子電極及圖案配線部之絕緣基板背 面上，薄狀疊層厚度爲 38 μιη之乾膜銲錫光阻（ Nichigomorton 公司製，品名：Conform ask 2015)而形成 絕緣層，並且，在該絕緣層上配置光罩膜，接著，對絕緣 層使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後， 藉由顯像處理，形成6800個露出電極之直徑0.4mm之開 □。 如上述般，製作出間距變換用基板23。該間距變換用 基板23是縱橫尺寸爲120mmxl60mm，厚度爲 0.5mm， -97- 200530602 (93) 自連接電極之絕緣層表面露出之部分直徑大約爲3 00μηι， 自連接電極25之絕緣層表面露出之部分的尺寸是橫方向 約爲60μπι，縱方向約爲150μιη，自連接電極25之絕緣層 表面突出之高度約爲60 μιη，構成一對之連接電極間25之 離間距離爲10 Ομπι，端子電極24之直徑爲0.4mm，端子 電極24之配置間距爲0.75mm，形成有連接電極24之面 側的絕緣層表面粗度爲〇.〇2 μιη。 再者，與上述相同，製作出在表面具有5 0 00個連接 電極25，並且在背面具有5000個端子電極的第2檢查治 具1 lb之間距變換用基板23b。 該間距變換用基板23b是縱橫尺寸爲120mmxl60mm ，厚度爲〇.5mm，露出於連接電極25之絕緣層表面之部 分的橫方向約爲60 μιη，縱方向約爲150 μιη，自連接電極 25中之絕緣層表面突出高度大約爲60μιη，構成一對之連 接電極間之離間距離爲100 μιη，端子電極24之直徑爲 0.4mm，端子電極24之配置間距爲〇.75mm，表面（形成 有連接電極之面）側的絕緣層之表面粗度爲0.0 2 μιη。 (3 )電路基板側連接器2 1 藉由在該間距變換用基板23之表面側上，配置上述1 異方導電性薄膜22 ’在背面側上，配置由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣此之絕緣部所構成，單 面突出導電路形成部之非均勻分布型之異方導電性薄膜26 ，構成電路基板側連接器2 1。 -98- 200530602 (94) 並且，被配置在間距變換用基板23和中繼插銷元件 3 1之間的第2異方導電性薄膜26是如第6圖所示之形狀 ，具體而言使用以下構成者。 [第2異方導電性薄膜26] 尺寸：110mmxl50mm 導電路形成部之厚度：0.6mm 導電路形成部之外徑：〇.3 5mm 導電路形成部之突出高度：0.05mm 導電性粒子：材質；施有金屬電路之鎳粒子，平均粒 子徑；35 μπι，導電路形成部中之導電性粒子之含有率；30 體積％ 彈性高分子物質：材質；矽橡膠，硬度；3 0。 (W2/D2= 17 ) (4 )中繼插銷元件3 1 以第1絕緣板3 4、3 5之材料而言，使用固有電阻爲1 X 1 0 10 Ω · cm以上之絕緣性材料，由玻璃纖維補強型環氧 樹脂所構成，該厚度爲6mm者。 然後’藉由安裝支撐插銷3 3，使絕緣板3 4和絕緣板 35之間的距離成爲52mm，並且，配置貫通孔83使可自 在移動由下述構成所組成之導電插銷32。 [導電插銷] -99- 200530602 (95) 材質：施有金屬電鍍之黃銅 前端部之尺寸：外徑〇.35mm，全長6.7mm 中央部之尺寸：外徑〇.45mm，全長51mm 基端部之尺寸：外徑〇.35mm，全長6.7mm (5 )測試機側連接器4 1 如第14圖所示般，自第3異方導電性薄膜42、連接 器基板43和基座板46構成測試機側連接器41。並且，第 3異方導電性薄膜42是使用與上述第2異方導電性薄膜 26相同者。 [性能試驗] 1 ·最低加壓壓力 將所製作出之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自 動檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝置設置評 估用電路基板1，在1〇〇〜2 50kgf之範圍內使軌道搬運型電 路基板自動檢查機「STARREC V5」之加壓壓力階段性變 化，在每加壓壓力條件各以1 〇次，針對評估用電路基板1 之被檢查電極，測定施加1毫安之電流時之導通電阻値。 將所測定出之導通電阻値爲1 〇〇 Ω以上之檢查點（以 下，稱爲「NG檢查點」）判定成導通不良，並算出總檢 查點中之NG檢查點之比率（以下，稱爲「NG檢查點比 率」），將NG檢查點比率成爲0.01%以下之最低加壓壓 力當作最低加壓壓力。 -100- 200530602 (96) 該導通電阻値之測定是於一導通電阻値測定完成後， 開放該測定所涉及之加壓壓力而將檢查裝置返回無加壓狀 態，下一個導通電阻値之測定是再次藉由使規定之大小加 壓壓力予以作用而執行。 具體而言，NG檢查點比率是評估用電路基板1之上 面被檢查電極數爲3400點，下面被檢查電極數爲2500點 ，由在各加壓條件執行1 〇次測定，表示出藉由式（ 3 400 + 2 5 00 ) xl 0 = 5 9000所算出之5 9000點之檢查點所佔 I 之NG檢查點比率。測定結果表示於表5。 2 .異方導電性薄膜之耐久性測定 將所作成之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動 檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝置設置評估 用電路基板1，將軌道搬運型電路基板自動檢查機「 STARREC V5」之加壓壓力條件設爲150kgf，執行規定次 _ 數之加壓後，針對評估用電路基板1之被檢查電極，以加 壓壓力150kgf條件下，以電壓測定電極1〇次測定藉由電 流供給電極供給1毫安之電流至檢查用電極時之導通電阻 値。 將所測定出之導通電阻値爲1 00 Ω以上之檢查點（NG 檢查點）判定成導通不良，並算出總檢查點中之NG檢查 點之比率（NG檢查點比率）。 接著，將檢查裝置之異方導電性薄膜更換新品，除了 將加壓條件變更成1 80kgf之外，其他藉由與上述條件相 -101 - 200530602 (97) 同之條件，執行規定次數之加壓， 條件設爲180kgf之外，其他藉由 NG檢查點比率。 測定該異方導電性薄膜之耐久 ，是於完成一導通電阻値之測定後 加壓壓力而使檢查裝置返回至無加 阻値之測定是再次藉由使規定大小 所執行。 再者，具體而言，NG檢查點 1之上面被檢查電極數爲3400點 2 5 00點，由在各加壓次數條件下執 藉由式(3400 + 2500 ) X 1 0 = 59000 檢查點所佔之NG檢查點之比率。 此時，檢查裝置在實用上必須f 0.0 1 %以下，N G檢查點比率超過0 爲良品之被檢查電路基板誤判爲不 ，故有無法執行信賴性高之電路基 性。將測定結果表示於表6。 3.被檢查電路基板之導通不良二 將所作成之檢查裝置設置於軌 檢查機「STARREC V5」之檢查部 備之評估用電路基板1，將軌道搬 機「STARREC V5」之加壓壓力條f 之後，除了將加壓壓力 與上述相同之手法算出 性所涉及之導通電阻値 ，開放該測定所涉及之 壓狀態，下一個導通電 之加壓壓力予以作用而 比率是評估用電路基板 ，下面被檢查電極數爲 行1 〇次測定，表示出 所算出之59000之點的 没成NG檢查點比率爲 .0 1 %之時，因有取得對 良品之檢查結果的情形 板之電氣性檢查的可能 L評估 道搬運型電路基板自動 ，對檢查裝置設置所準 運型電路基板自動檢查 設爲150kgf，針對評 -102- 200530602 (98) 估用電路基板1之被檢查電極，則在加壓壓力1 50kgf條 件下，以電壓測定電極1 0次測定藉由電流供給電極供給1 毫安之電流至檢查用電極時之導通電阻値，並將檢測出所 設定之導通電阻値爲1 00 Ω以上之導通電阻値的檢查點（ NG檢查點）判斷成NG檢查點，算出總檢查點中之NG檢 查點之比率（NG檢查點比率）。 然後，使對相同評估用電路基板1判斷成NG檢查點 的導通電阻値之設定變化成比1 00 Ω還低之電阻値，執行 評估用電路基板1之評估。將測定結果表示於表7。 [實施例8] 在實施例7之檢查裝置中，將間距變換用基板變更成 下述。 在由玻璃纖維補償型環氧樹脂所構成之厚度0.5mm之 絕緣基板之兩面全面上，藉由數値控制型鑽孔裝置形成有 由厚度爲1.8 μπι之銅所構成之金屬薄層的疊層材料（松下 電工公司製，品名：R- 1 766 )，藉由數値控制型鑽孔裝置 ，形成合計3400個貫通於各個疊層材料之厚度方向的直 徑0.2mm之圓形貫通孔。 在實施例7之間距變換用基板之製造方法中，除將連 接電極用之光阻的開口圖案變更成直徑200μιη之圓形外， 其他爲相同，製造出上側用之差銷變換基板23a。 所取得上側用之間距變換基板23a是縱橫尺寸爲 120mmxl60mm，厚度爲0.5 mm，自連接自連接電極25之 -103- 200530602 (99) 絕緣層表面突出之高度約爲60μιη，配置有連接電極25使 連接電極之1個可連接於被檢查電路基板之被檢查電極之 1個上，端子電極24之直徑爲0.4 mm，端子電極24之配 置間距爲〇.75mm，形成有連接電極之面側的絕緣層表面 粗度爲〇.〇2μπι。 再者，與上述相同，作成在表面具有2500個連接電 極25，並在背面具有2500個端子電極24之下側間距變換 基板23b。 b 該下側用之間距變換基板23b縱橫尺寸爲120mmx 160mm，厚度爲0.5mm，露出於連接電極25之絕緣層表 面之部分的直徑爲25 0μηι，自連接電極25中之絕緣層表 面露出之部分的直徑約爲60μπι，配置有連接電極25使連 接電極之1個可連接於被檢查電路基板之被檢查電極之1 個上，端子電極24之直徑爲0.4mm，端子電極24之配置 間距爲〇.75mm，表面（形成有連接電極之面）側的絕緣 _ 層表面粗度爲〇.〇2μπι。 針對所製作出之檢查裝置，藉由與實施例7相同之方 法，測定最低加壓、異方導電性薄膜之耐久性及被檢查電 路基板之導通不良的評估。將最低加壓之測定結果表示於 表5，將異方導電性薄膜之耐久性測定結果表示於表6， 將被檢查電路基板之導通不良之評估表示於表7。 -104- 200530602 (100) 【表5】 NG檢查點比率（％) 最低加 壓壓力 (kgf) 加壓荷重（kgf) 100 110 130 150 180 2 10 實施例7 3.9 2.0 0.17 0.01 0 0 180 實施例8 4.3 2.2 0.2 0.02 0 0 180 【表6】 NG檢1 E點比2 _ ( % ) 加壓次數（次） 1 1000 5 000 1 0000 3 0000 實施例 7 加壓壓力180kgf 0 0 0.09 0.22 1.4 加壓壓力210kgf 0 0.02 0.13 0.25 2.1 實施例 8 加壓壓力180kgf 0 0 0.12 0.24 1.5 加壓壓力210kgf 0 0.04 0.1 5 0.38 2.3 【表7】 NG檢查點比率（％) 設定電阻値（Ω) 100 50 10 1 0.5 0.1 0.01 實施 加壓壓力180kgf 0 0 0 0.01 0.02 4.3 9.5 例7 加壓壓力210kgf 0 0 0 0.01 0.03 4.5 9.2 實施 加壓壓力180kgf 0 0·6 4.1 測定不能 測定不能 測定不能 測定不能 例8 加壓壓力210kgf 0 0.5 3.9 測定不能 測定不能 測定不能 測定不能

[實施例9] -105- 200530602 (101) (評估用電路基板） 準備下述規格之評估用電路基板1。

尺寸·· 100mm (縱）xlOOmm (橫）x0.8mm (厚度） 上面側之被檢查電極之數量：360 0個 上面側之被檢查電極之直徑：〇.3mm 上面側之被檢查電極之最小配置間距：〇.4mm 下面側之被檢查電極之數量：2 60 0個 下面側之被檢查電極之直徑：0.3mm 下面側之被檢查電極之最小配置間距：〇.4mm 製作出適合於軌道搬運型電路基板自動檢查機（ Nidec- Read Corporation 製，品名：STARREC V5)之檢查 部，用以檢查上述評估用電路基板之電路基板檢查裝置（ 第3 0圖）。 (1 )第1異方導電性薄膜22 製作出導電性粒子配列於厚度方向，且被均勻分散於 面方向之下述的第1異方導電性薄膜。 尺寸：llOmmxllOmm，厚度 0.1mm 導電性粒子：材質；施有金屬電鍍處理之鎳粒子’平 均粒子徑；20μπι，含有率；18體積％ 彈性高分子物質：材質；矽橡膠，硬度；40 (2)間距變換用基板23 在玻璃纖維補強型環氧樹脂所構成之厚度〇.5mm絕緣 «106- 200530602 (102) 基板之兩面全面上，形成有由厚度爲1.8 μηι之銅 金屬薄層的疊層材料（松下電工公司製，品名： ，藉由數値控制型鑽孔裝置，形成合計7200個 個疊層材料之厚度方向的直徑0.1mm之圓形貫通· 此時，貫通孔之形成是以2個爲一組，形成 評估用電路基板之上面側之被檢查’電極之位置 織貫孔是設置〇· 1 mm間隙而所形成（即是，意味 貫通孔A = 0.1mm和貫通孔B = 0.1mm之間的間隙 )° 之後，藉由對形成有貫通孔之疊層材料，使 類型銅電鍍液施予無電解電鍍處理，在貫通孔之 成銅電鍍層，並且藉由使用硫酸銅電鑛液施予電 處理，在各貫通孔內，形成電氣性互相連接疊層 之各金屬薄層，厚度約爲1〇μηι之圓筒狀的引洞（ )° 接著，在疊層材料之金屬薄層上，薄狀疊J 2 5μιη之乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP 形成光阻層，並且，在該疊層材料之另一面側之 上配置保護密封膜。在該光阻層上配置光罩膜， 使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處 由顯像處理，形成蝕刻用之光阻圖案。然後，對 阻圖案之面的金屬薄膜層施予蝕刻處理，在絕緣 面上，形成橫60μηι、縱150μηι之7200個連接電 氣性連接各連接電極和引洞的線寬爲ι〇〇μπι之圖 所構成之 R- 1 766 ) 貫通於各 孔。 在對應於 上，一組 著設定成 =0.1mm 用 EDTA 內壁上形 解銅電鍍 材料表面 via hole 罾厚度爲 -225 )而 金屬薄層 對光阻層 理後，藉 开多成有光 基板之表 極’和電 案配線部 -107- 200530602 (103) ，接著，除去光阻圖案。 接著，在形成有疊層材料之連接電極及圖案配線部之 側的表面上，薄狀疊層厚度爲5 0 μιη之乾膜光阻層（東京 應化製，品名：FP-225 )而形成光阻層，並且’在該光阻 層上配置光罩膜，對光阻層使用平行曝光機（〇ak Co.， LTD製）施予曝光處理後，藉由執行顯像處理’形成露出 各個連接電極之橫方向60 μιη、縱方向150 μπι之7200個矩 形開口。 然後，使用硫酸銅電鍍液，並將疊層材料之另一面側 之金屬薄層當作共通電極使用，藉由對各個連接電極施予 電解銅電鑛處理，形成自絕緣層之表面突出的72 00個連 接電極。接著，除去光阻圖案。 接著，除去疊層材料之另一面側之金屬薄層上之保護 密封膜，在該面之金屬薄層上，薄狀疊層厚度爲2 5 μπι之 乾膜光阻（東京應化公司製，品名：FP-225 )而形成光阻 層。之後，在該光阻層上配置光罩膜，對光阻層使用平行 曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後，藉由執行顯 像處理，在疊層材料之金屬薄層上形成蝕刻用之光阻圖案 〇 接著，於對形成有疊層材料之連接電極之側的表面， 施予保護密封膜後，藉由施予蝕刻處理，在絕緣性基板之 背面上，形成7200個端子電極，和電氣性連接各端子電 極和引洞的圖案配線部，並除去光阻圖案。 接著，在形成有端子電極及圖案配線部之絕緣基板背 -108- 200530602 (104) 面上，薄狀疊層厚度爲 38μιη之乾膜銲錫光阻（ Nichigomorton 公司製’品名·· Conformask 2015)而形成 絕緣層，並且，在該絕緣層上配置光罩膜’接著’對絕緣 層使用平行曝光機（Oak Co.，LTD製）施予曝光處理後， 藉由顯像處理，形成7200個露出電極之直徑〇.45mm之開 □。 如上述般，製作出間距變換用基板23a°該間距變換 用基板23a是縱橫尺寸爲120 mm xl60 mm，厚度爲0.5 mm I ，自連接電極25之絕緣層表面露出之部分之尺寸，橫方 向約爲60μηι，縱方向約爲150μιη，自連接電極25之絕緣 層表面突出之高度約爲60 μιη，構成一對之連接電極間之 離間距離爲ΙΟΟμπι，端子電極之直徑爲0.4mm，端子電極 24之配置間距爲0.75mm，形成有連接電極24之面側的絕 緣層表面粗度爲〇.〇2μηι。 再者，與上述相同，製作出在表面具有5 200個連接 > 電極25，並且在背面具有52 00個端子電極的第2檢查治 具1 lb之間距變換用基板23b。 該間距變換用基板23b是縱橫尺寸爲120mmxl60mm ，厚度爲0.5mm，露出於連接電極25之絕緣層表面之部 分的橫方向約爲直徑大約爲6 0 μ m，縱方向約爲1 5 0 μ m， 自連接電極25中之絕緣層表面突出高度大約爲60μπι，構 成一對之連接電極間之離間距離爲ΙΟΟμιη，端子電極24 之配置間距爲〇.4mm，端子電極24之直徑爲0.4mm，端 子電極24之配置間距爲0.75 mm，表面（形成有連接電極 -109- 200530602 (105) 之面）側的絕緣層之表面粗度爲〇. 〇 2 μ m。 (3)電路基板側連接器2 1 藉由在該間距變換用基板23之表面側上，配置上述1 異方導電性薄膜22，在背面側上，配置由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣此之絕緣部所構成，由 單面突出導電路形成部之非均勻分布型異方導電性薄膜所 形成之第2異方導電性薄膜2 6，構成電路基板側連接器 21 ° 並且，被配置在間距變換用基板23和中繼插銷元件 3 1之間的第2異方導電性薄膜26是如第6圖所示之形狀 ，具體而言使用以下構成者。 [第2異方導電性薄膜26] 尺寸：110mmxl50mm 導電路形成部之厚度：〇.6mm 導電路形成部之外徑：〇.35mm 導電路形成部之突出高度：〇.〇5mm 導電性粒子：材質；施有金屬電路之鎳粒子，平均粒 子徑；35μηι，導電路形成部中之導電性粒子之含有率；30 體積％ 彈性高分子物質：材質；矽橡膠’硬度；3 0。 (W2/D2= 17 ) -110- 200530602 (106) (4 )中繼插銷元件3 1 以第1絕緣板3 4、中間保持板3 6、第2絕緣板3 5之 材料而言，使用固有電阻爲1 X 1 〇 1G Ω . cm以上之絕緣性 材料’由玻璃纖維補強型環氧樹脂所構成，該厚度爲 1.9mm 者。 然後，藉由第1支撐插銷33(直徑2mm，長度 36.3mm)，和第2支撐插銷37 (直徑2mm，長度3mm) 固定支撐，使第1絕緣板34和中間保持板36之間的距離 L 1可成爲3 6 · 3 m m，第2絕緣板3 5和中間保持板3 6之間 的距離L2可成爲3mm般，並且在第1絕緣板34和第2 絕緣板35之間，製作貫通孔83 (直徑〇.4mm )並配置成 可自在移動由下述構成所組成之導電插銷32。 [導電插銷] 材質：施有金屬電鍍之黃銅 前端部81a之尺寸：外徑0.35mm，全長2.1mm 中央部82之尺寸：外徑0.45mm，全長41mm 基端部81b之尺寸：外徑0.35mm，全長2.1mm 並且，相對於第1支撐插銷33之中間保持板36之第 1抵接支撐位置3 8 A，和相對於第2支撐插銷3 7之中間保 持板36之第2抵接支撐位置38B，是如第23圖所示般， 配置成格子狀。並且，將互相鄰接之第1抵接支撐位置 3 8 A之間的離間距離，第2抵接支撐位置3 8B之間的離間 距離設爲17.5mm。 -111 - 200530602 (107) (5 )測試機側連接器4 1 自第3異方導電性薄膜42、連接器基板43和基座板 46構成測試機側連接器41。並且，第3異方導電性薄膜 42是使用與上述第2異方導電性薄膜26相同者。 [性能試驗] 1.最低加壓壓力 將所製作出之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自 動檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝置設置評 估用電路基板1，在100〜210kgf之範圍內使軌道搬運型電 路基板自動檢查機「STARREC V5」之加壓壓力階段性變 化，在每加壓壓力條件各以1 〇次，針對評估用電路基板1 之被檢查電極，以電壓測定用電極測定出藉由電流供給用 電極施加1毫安之電流至檢查用電極時之導通電阻値。 將所測定出之導通電阻値爲1 0 Ω以上之檢查點（以下 ，稱爲「N G檢查點」）判定成導通不良，並算出總檢查 點中之N G檢查點之比率（以下，稱爲「N G檢查點比率 j )，將NG檢查點比率成爲〇·〇!%以下之最低加壓壓力 當作最低加壓壓力。 該導通電阻値之測定是於一導通電阻値測定完成後， 開放該測定所涉及之加壓壓力而將檢查裝置返回無加壓狀 態，下一個導通電阻値之測定是再次藉由使規定之大小加 壓壓力予以作用而執行。 -112- 200530602 (108) 具體而言，N G檢查點比率是評估用電路基板1之上 面被檢查電極數爲3600點，下面被檢查電極數爲2600點 ，由在各加壓條件執行1 〇次測定，表示出藉由式（ 3600 + 2600 ) xl 0 = 62000所算出之62000點之檢查點所佔 之NG檢查點比率。將測定結果表示於表8。 2.異方導電性薄膜之耐久性測定 將所作成之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動 檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝置設置所準 備之評估用電路基板1，將軌道搬運型電路基板自動檢查 機「STARREC V5」之加壓壓力條件設爲130kgf，執行規 定次數之加壓後，針對評估用電路基板1之被檢查電極， 以加壓壓力130kgf條件下，10次測定藉由電流供給用電 極施加1毫安之電流至檢查用電極時之導通電阻値，執行 規定次數之加壓同樣地反覆執行1 〇次測定導通電阻値之 作業。 將所測定出之導通電阻値爲1 〇 Ω以上之檢査點（NG 檢查點）判定成導通不良，並算出總檢查點中之NG檢查 點之比率（NG檢查點比率）。 接著，將檢查裝置之異方導電性薄膜更換新品，除了 將加壓條件變更成150kgf之外，其他藉由與上述條件相 同之條件，執行規定次數之加壓，之後，除了將加壓壓力 條件設爲150kgf之外，其他藉由與上述相同之手法算出 NG檢查點比率。 -113 200530602 (109) 測定該異方導電性薄膜之耐久性所涉及之導通電阻値 ，是於完成一導通電阻値之測定後，開放該測定所涉及之 加壓壓力而使檢查裝置返回至無加壓狀態，下一個導通電 阻値之測定是再次藉由使規定大小之加壓壓力予以作用而 所執行。 再者，具體而言，NG檢查點比率是評估用電路基板 1之上面被檢查電極數爲3600點，下面被檢查電極數爲 2600點，由在各加壓次數條件下執行1〇次測定，表示出 ® 藉由式（3600 + 2600) xl0=62000所算出之62000之點的 檢查點所佔之NG檢查點之比率。 此時，檢查裝置在實用上必須設成NG檢查點比率爲 0.01%以下，NG檢查點比率超過0.01%之時，因有取得對 爲良品之被檢查電路基板誤判爲不良品之檢查結果的情形 ，故有無法執行信賴性高之電路基板之電氣性檢查的可能 性。將測定結果表示於表9。 3·被檢查電路基板之導通不良之評估 將所作成之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動 檢查機「STARREC V5」之檢查部，對檢查裝置設置所準 備之評估用電路基板1，將軌道搬運型電路基板自動檢查 機「STARREC V5」之加壓壓力條件設爲150kgf，針對評 估用電路基板1之被檢查電極，則在加壓壓力150kgf條 件下，以電壓測定電極1 0次測定藉由電流供給電極供給1 毫安之電流至檢查用電極時之導通電阻値，並將檢測出所 -114- 200530602 (110) 設定之導通電阻値爲1 00 Ω以上之導通電阻値的檢查點（ NG檢查點）判斷成NG檢查點，算出總檢查點中之NG檢 查點之比率（NG檢查點比率）。 然後，使對相同評估用電路基板1判斷成NG檢查點 的導通電阻値之設定變化成比1 00 Ω還低之電阻値，執行 評估用電路基板1之評估。將測定結果表示於表1 0。 [實施例10] 使用第1圖中繼插銷元件3 1 a、3 1 b，取代實施例9之 上述中繼兀件3 1，即是使用由以一定間距（2 · 5 4 m m間距 )多數（80 00插銷）被配置在格子點上之導電插銷32a、 3 2b，和支撐該導電插銷32a、32b成可上下移動的絕緣板 34a、34b及35a、35b所構成之中繼插銷元件。 針對所製作出之檢查裝置，藉由與實施例9相同之方 法，測定最低加壓壓力及異方導電性薄膜之耐久性。將最 低加壓之測定結果表示於表8，將異方導電性薄膜之耐久 性的測定結果表示於表9。 [實施例11] 在實施例9之檢查裝置中，將間距變換用基板變更成 下述。 在由玻璃纖維補償型環氧樹脂所構成之厚度0.5mm之 絕緣基板之兩面全面上，藉由數値控制型鑽孔裝置形成有 由厚度爲1·8μιη之銅所構成之金屬薄層的疊層材料（松下 115- 200530602 (111) 電工公司製，品名：R- 1 766 )，藉由數値控制型鑽孔裝置 ，形成合計3600個貫通於各個疊層材料之厚度方向的直 徑0.2mm之圓形貫通孔。 在實施例9之間距變換用基板之製造方法中，除將連 接電極用之光阻的開口圖案變更成直徑200 μιη之圓形外， 其他爲與實施例9相同，製造出上側用之差銷變換基板。 所取得上側用之間距變換基板是表面具有3 600個連 接電極 25者，縱橫尺寸爲 120mm X 160mm，厚度爲 0.5 mm，自連接自連接電極25之絕緣層表面露出之尺寸爲 直徑約250μπι，自連接電極25之絕緣層表面突出之高度 約爲60 μιη，配置有連接電極25使連接電極之1個可連接 於被檢查電路基板之被檢查電極之1個上，端子電極24 之直徑爲〇.4mm，端子電極24之配置間距爲0.75mm，形 成有連接電極24之面側的絕緣層表面粗度爲0.02 μιη。 再者，與上述相同，作成在表面具有26 00個連接電 極25，並在背面具有2600個端子電極24之下側間距變換 基板。 該下側用之間距變換基板縱橫尺寸爲120mm X 160mm ，厚度爲0.5mm，露出於連接電極25之絕緣層表面之部 分的直徑爲25 0μηι，自連接電極25中之絕緣層表面露出 之部分的直徑約爲60μπι，配置有連接電極25使連接電極 之1個可連接於被檢查電路基板之被檢查電極之1個上， 端子電極24之直徑爲0.4mm，端子電極24之配置間距爲 0.7 5mm，表面（形成有連接電極之面）側的絕緣層表面粗 -116- 200530602 (112) 度爲 0·02μιη。 針對所製作出之檢查裝置，藉由與實施例9相同之方 法，測定最低加壓及異方導電性薄膜之耐久性。將異方導 電性薄膜之耐久性測定結果表示於表1 〇，將使比判斷成被 檢查電路基板之導通不良之NG檢查點的導通電阻値低 1 0 0 Ω之低電阻予以變換之評估結果表示於表1 1。 並且於表8及表8之時，因爲4端子檢查之情形，故 將設定電壓設爲10Ω，於表1〇及表11之時，因包含有2 端子檢查之時（實施例11)，故將設定電壓設定成1〇〇 Ω 而執行試驗。

【表8】 NG檢查點比率（％ ) 最低加壓壓力 (kgf) 加壓荷重 (kgf ) 100 110 130 150 180 210 實施例9 0.2 0.03 0 0 0 0 130 實施例1 〇 3.2 2.5 0.3 0.0 1 0 0 180 -117- 200530602 (113)

[ 表ί η NG檢查點比率（％) 加壓次數（次） 1 1000 5 000 1 0000 3 0000 實施例 加壓壓力130kgf 0 0 0 0 0.2 9 加壓壓力1 50kgf 0 0 0 0.04 0.5 實施例 加壓壓力130kgf 0 0 0.15 0.3 1.8 10 加壓壓力1 50kgf 0 0.05 0.2 0.25 2.2 [ 表10] NG檢查點比率（％) 加壓次數（次） 1 1000 5000 1 0000 30000 實施例 加壓壓力1 80kgf 0 0 0.08 0.25 1.5 9 加壓壓力210kgf 0 0.02 0.13 0.27 2.0 實施例 加壓壓力180kgf 0 0 0.13 0.25 1.6 11 加壓壓力210kgf 0 0.05 0.20 0.35 2.5 【表1 1】 NG檢查點比率（％) j定電阻値（Ω) 100 50 10 1 0.5 0.1 0.01 實施 加壓壓力180kgf 0 0 0 0.01 0.03 4.2 8.5 -例9 加壓壓力210kgf 0 0 0 0.02 0.02 3.8 9.0 實施 加壓壓力180kgf 0 0.5 4.2 測定不能 測定不能 測定不能 測定不能 -例11 加壓壓力210kgf 0 0.6 3.9 測定不能 測定不能 測定不能 測定不能 -118- 200530602 (114) 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明之電路基板之檢持裝置之一實施 形態的剖面圖。 第2圖是表示第1圖之檢查裝置之檢查時之疊層狀態 之剖面圖。 第3圖是表示間距變換用基板之被檢查電路基板側之 表面的圖示。 第4圖是表示間距變換用基板之中繼插銷元件側之表 面的圖示。 第5圖是表示第1異方導電性薄膜之部分剖面圖。 第6圖第2異方導電性薄膜之部分剖面圖。 第7圖是表示將第1異方導電性薄膜疊層於間距變換 用之狀態的剖面圖。 第8圖（a)是表示以單面爲粗面之第1異方導電性 薄膜之部分剖面圖，第8圖（b)是表示將該第1異方導 電性薄膜疊層於間距變換用基板之狀態的剖面圖。 第9圖是說明第1異方導電性薄膜之製造工程的圖示 〇 第1 0圖是表示成型構件內部之導電性粒子之分布狀 態的圖示。 第11圖是說明第1異方導電性之製造工程的圖示。 第1 2圖是表示作用磁場後之導電性粒子之分布狀態 的圖示。 第1 3圖是表示中繼插銷之導電插銷，及絕緣板之一 -119- 200530602 (115) 部分的剖面圖。 第14圖是表示本發明之電路基板之檢查裝置中之其 他實施形態的剖面圖。 第15圖是表示第14圖之檢查裝置之檢查時的疊層狀 態之剖面圖。 第1 6圖是表示間距變換用基板之被檢查電路基板側 之表面的圖示。 第1 7圖是表示間距變換用基板之中繼插銷元件側之 表面的圖示。 第1 8圖是表示將第1異方導電性薄膜疊層於間距變 換用基板上之狀態的剖面圖。 第19圖是說明第14圖之檢查裝置之使用狀態的部分 放大剖面圖。 第20圖是表示本發明之電路基板檢查裝置之其他實 施开$態的剖面圖。 第21圖是表示第20圖檢裝置時之疊層狀態的剖面圖 〇 第22圖是表示中繼插銷元件之導電插銷及絕緣板之 一部分的剖面圖。 第23圖是表示投影中間保持板之後部方向的中間保 持板投影面之部分放大圖。 第24圖是第20圖之檢查裝置之部分放大剖面圖。 第25圖是說明第20圖之檢查裝置之使用狀態之部分 放大剖面圖。 -120- 200530602 (116) 第26圖是第20圖之檢查裝置之中繼插銷元件之部分 放大剖面圖。 第27圖是說明第20圖之檢查裝置之使用狀態的部分 放大剖面圖。 第2 8圖是與表示本發明之檢查裝置之其他實施形態 的第2 4圖相同部分之部分放大剖面圖。 第29圖是第28圖之檢查裝置之中繼插銷元件之部分 > 放大剖面圖。 第3 0圖是表示本發明之其他實施形態中之檢查裝置 之使用狀態的部分放大剖面圖。 第31圖是以往之電路基板之檢查裝置之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 被檢查電路基板 2 被檢查電極 3 被檢查電極 1 la 第 1檢查治具 lib 第 2檢查治具 21a、 2 1 b 電路基板側連接器 22a、 22b 第1異方導電性薄膜 23a、 23b 間距變換用基板 24 端子電極 25 連接電極 2 6a、 26b 第2異方導電性薄膜 -121 - 200530602 (117)

27a、 27b 電流用端子電極 28a、 28b 電壓用端子電極 3 1a、 3 1b 中繼插銷元件 32a、 32b 導電插銷 33a ' 33b 第1支撐插銷（支撐插銷） 34a、 34b 第1絕緣板 35a、 35b 第2絕緣板 36a 中間保持板 37a > 37b 第2支撐插銷 38A 第 1抵接支撐位置 3 8B 第 2抵接支撐位置 39a、 39b 保持板支撐插銷 39A 抵接支撐位置 41a、 41b 測試機側連接器 42a、 42b 第3異方導電性薄膜 43a、 43b 連接器基板 44a、 44b 測試機側電極 45a ' 45b 插銷側電極 46a、 46b 基座板 47a、 47b 電流用插銷側電極 48a、 48b 電壓用插銷側電極 4 9a、 49b 支撐插銷 5 1 絕緣基板 52 配線 -122- 200530602 (118) 5 3 內部配線 5 4 絕緣層 5 5 絕緣層 6 1 薄膜基材 62 導電性粒子 6 3 表面 64 背面 71 絕緣部

73 突出部 8 1 a、8 1 b 端部 82 中央部 83 貫通孔 9 1 加壓滾輪 92 支撐滾輪 9 3 a、b 成型構件 94 間隔物 95 成型材料 96 上部表面 97 部表面 9 8 a、b 電磁石 99a 凹部 9 9b 凸部 101 被檢查電路基板 102 被檢查電極 -123 200530602 (119)

103 被檢查 電極 111a 上側檢查 治 具 111b 下側檢查 治 具 12 1a、 12 1b 電 路 基 板 側 連 接器 122a、 122b 異 方 導 電 性 薄 膜 123a、 123b 間 距 變 換 用 基 板 126a、 126b 異 方 導 電 性 薄 膜 13 1a、 13 1b 中 繼 插 銷 元 件 132a、 132b 中 繼 插 銷 元 件 132a、 132b 導 電 插 銷 133a、 133b 支 撐 插 銷 134a、 134b 第 1 絕 緣 板 135a、 135b 第 2 絕 緣 板 14 1a、 141b 測 試 機 側 連 接 器 142a、 142b 異 方 導 電 性 薄 膜 143a、 143b 連 接 器 基 板 144a、 144b 測 試 機 側 電 極 145a、 145b 插 銷 側 電 極 146a、 146b 基 座 板 A 中間保持 板投影i 面 LI 距離 L2 距離 Ql 對角線 Q2 對角線 -124-

200530602 (120) R 1 單位格子區域 R2 單位格子區域 -125-

Claims (1)

1. 200530602 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種電路基板之檢查裝置，是藉由一對第1檢查治 具和第2檢查治具，在檢查治具之間夾壓爲檢查對象之被 檢查電路基板之兩面而執行電氣檢查的電路基板之檢查裝 置，其特徵爲： 上述第1檢查治具和第2檢查治具各具備有： 具有在基板之一面側和另一面側之間變換電極間距的 間距變換用基板，被配置在上述間距變換用基板之被檢查 > 電路基板側之第1異方導電性薄膜，和被配置在與上述間 距變換用基板之被檢查電路基板相反側上之第2異方導電 性薄膜的電路基板側連接器； 具有以規定間距配置的多數導電插銷，和將上述導電 插銷支撐成可在軸方向移動的一對間隔離開之第1絕緣板 和第2絕緣板的中繼插銷元件；和 具有電氣連接測試機和上述中繼插銷元件之連接器基 > 板，被配置在上述連接器基板之中繼插銷元件側上之第3 異方導電性薄膜，和被配置在與上述連接器基板之中繼插 銷元件相反側上之基座板的測試機側連接器， 上述第1異方導電性薄膜爲導電性粒子配列於厚度方 向，並且被均勻分散在面方面的異方導電性薄膜。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之電路基板之檢查裝 置，其中，上述第1異方導電性薄膜之厚度\¥!爲 0.03〜0.5mm，導電性粒子之數平均粒子徑D!爲3〜50μιη， 厚度W!和數平均粒子徑Di之比 W" D!爲1 .1〜10，構成 -126- 200530602 (2) 薄膜基材之絕緣性彈性體（Elastomer ) 之硬度計硬度爲 30〜90 〇 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之電路基板之檢查裝 置，其中，上述第1異方導電性薄膜是接觸被檢查電路基 板之側的表面之表面粗度爲0.5〜5 μ m，接觸間距變換用基 板之側的表面之表面粗度爲0.3 μπι以下， 上述間距變換用基板是接觸第1異方導電性薄膜之側 的表面之絕緣部之表面粗度爲0.2 μπι以下。 k 4.如申請專利範圍第1項所記載之電路基板之檢查裝 置，其中，上述第2異方導電性薄膜是由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣該些導電形成部之絕緣 部所構成，僅在導電路形成部含有導電性粒子，依此該導 電性粒子被不均勻分散在面方向上，並且在薄膜單面側上 突出有導電路形成部。 5 ·如申請專利範圍第4項所記載之電路基板之檢查裝 置，其中，上述第 2異方導電性薄膜之厚度 W2爲 t 〇.1〜2mm，導電性粒子之數平均粒子徑D2爲5〜200μηι，厚 度W2和數平均粒子徑D2之比 D2爲1 .1〜1〇，構成薄 膜基材之絕緣性彈性體（Elastomer ) 之硬度計硬度爲 1 5 〜6 0 〇 6.如申請專利範圍第4項所記載之電路基板之檢查裝 置，其中，上述第3異方導電性薄膜是由延伸於厚度方向 之多數導電路形成部，和互相絕緣該些導電形成部之絕緣 部所構成，僅在導電路形成部含有導電性粒子，依此該導 -127- 200530602 (3) 電性粒子被不均勻分散在面方向上，並且在薄膜單面側上 突出有導電路形成部。 7 ·如申請專利範圍第1項所記載之電路基板之檢查裝 置，其中，在上述間距變換用基板上，設置有由一對電流 用端子電極和電壓用端子電極所構成之連接電極，該連接 電極是被配置在間距變換用基板上，使可對被檢查電路基 板之各被檢查電極電氣性連接上述一對電流用端子電極和 電壓用端子電極， I 在上述連接器基板上配置有電流用插銷側電極和電壓 側插銷側電極，使可各連接於上述間距變換用基板之電流 用端子電極和電壓用端子電極。 8.如申請專利範圍第1項所記載之電路基板之檢查裝 置，其中，上述中繼元件是具備有 被配置在上述第1絕緣板和第2絕緣板之間的中間保 持板； > 被配置在上述第1絕緣板和中間保持板之間的第1支 撐插銷； 被配置於上述第2絕緣板和中間保持板之間的第2支 撐插銷； 並且，相對於上述第1支撐插銷之中間保持板的第1 抵接支撐位置，和相對於上述第2支撐插銷之中間保持板 之第2抵接支撐位置’是被配置在投影至中間保持板之厚 度方向的中間保持投影面中不同位置上。 9 .如申請專利範圍第8項所記載之電路基板之檢查裝 -128- 200530602 (4) 置，其中，藉由一對第1檢查治具和第2檢查治具，在兩 檢查治具之間夾壓爲檢查對象之被檢查電路基板之兩面時 以相對於上述第1之支撐插銷之中間保持板的第1抵 接支撐位置爲中心，上述中間保持板構成被可彎曲於上述 第2絕緣板之方向， 並且，以相對於上述第2之支撐插銷之中間保持板的 第2抵接支撐位置爲中心，上述中間保持板被構成可彎曲 於上述第1絕緣板之方向。 1 0·如申請專利範圍第8項所記載之電路基板之檢查 裝置，其中，相對於上述第1支撐插銷之中間保持板的第 1抵接支撐位置，是在上述中間保持板投影面上被配置成 格子狀， 相對於上述第2支撐插銷之中間保持板的第2抵接支 撐位置，是在上述中間保持板投影面上被配置成格子狀， 在上述中間保持板投影面上，構成由鄰接4個第1抵 接支撐位置所構成之單位格子區域中，配置1個第2抵接 支撐位置， 並且’在上述中間保持板投影面上，構成由鄰接4個 第2抵接支撐位置所構成之單位格子區域中，配置1個第 1抵接支撐位置。 1 1 ·如申請專利範圍第1項所記載之電路基板之檢查 裝置’其中’上述中繼插銷元件是具備有以規定間隔分離 而被配置在上述第1絕緣板和第2絕緣板之間的多數個中 -129- 200530602 (5) 間保持板；和 被配置在鄰接中間保持板彼此之間的保持板支撐插銷 並且，在至少1個中間保持板中，相對於該中間保持 板而自一面側抵接之保持板支撐插銷的對該中間保持板之 抵接支撐位置，和相對於該中間保持板而自另一面抵接之 第1支撐插銷、第2支撐插銷、再者保持板支撐插銷的對 該中間保持板之抵接支撐位置，是被配置在投影於該中間 保持板之厚度方向的中間保持板投影面不同的位置上。 12.如申請專利範圍第11項所記載之電路基板之檢查 裝置，其中，在所有之上述中間保持板中，相對於該中間 保持板而自一面側抵接之保持板支撐插銷的對該中間保持 板之抵接支撐位置，和相對於該中間保持板而自另一面抵 接之第1支撐插銷、第2支撐插銷、再者保持板支撐插銷 的對該中間保持板之抵接支撐位置，是被配置在投影於該 中間保持板之厚度方向的中間保持板投影面不同的位置上 〇 1 3 . —種電路基板之檢查方法，是使用申請專利範圍 第1項至第1 2項中之任一項所記載之電路基板之檢查裝 置的電路基板之檢查方法，其特徵爲： 藉由一對第1檢查治具和第2檢查治具，在兩檢查治 具之間夾壓爲檢查對象之被檢查電路基板之兩面而執行電 氣檢查。 -130·