TW200529330A - Fluid ejection device metal layer layouts - Google Patents

Description

200529330 九、發明說明：

L發明戶斤屬之技術領域;J 本發明係有關於流體噴射裝置金屬層佈置。 Γ先前技術3 發明背景 10 15 右干流體喷射裝置例如包括喷墨列印頭，該種裝置具 有-垂直行喷嘴排列成-行於晶片上，且敎—長條區。 位在噴嘴下方之發射㈣部的發射電阻碰激活，藉此加 熱搶内流體，造成趙_，㈣·賴。❹標準薄 膜技術製糾絲結構上㈣路，包括—料路徑來承載 發射該發射電阻器之電力、位址信號路徑、邏輯元件及發 射電阳體。此種電路用來適當激活發射電阻器與操作發射 ，阻益。位址匯流排與火線或電力匯流排間的電容柄合可 能產生雜訊而造成效能的劣化。 流體噴射裝置的成本可藉由縮小裝置晶粒尺寸來降 低。但此《4晶粒尺寸的_、可能對電線管的尺寸造成 不利影響，結果導致能量的變化高，以及列印品質降低。 電線管包含金，金容易離層。 【明内容：】 本發明係為一種流體噴射裝置，包含：一第一金屬層， 其包含至少-位址路徑部分以及_非位址路㈣分；一第 -金屬層，其係麟於該第—金屬層上方，該第二金屬層 /包含-第-金屬部分，其只舖設於第_金屬層之非位址路 杈部分上方，其中該第一部分為導電部分。 20 200529330 本發明亦為一種流體喷射裝置，包含：一第一金屬層， 其包含一電阻器部分、該電阻器部分界定一長條高度；以 及一第二金屬層，其係位於該第一金屬層上方，該第二金 屬層包含一第二金屬層接地部分路由通過該長條高度。 5 本發明又為一種流體喷射裝置，包含：一第一金屬層， 其包含一電晶體部分，一概略平行該電晶體部分延伸之接 地部分，以及一概略平行該電晶體部分延伸之邏輯部分， 該邏輯部分係與該電晶體部分隔開大於5微米距離，其中該 接地部分係介於該電晶體部分與該邏輯部分間延伸。 10 圖式簡單說明 本發明之特色及原理方便由熟諳技藝人士由前文具體 實施例之詳細說明參照附圖獲得了解，附圖者： 第1圖顯示一流體喷射裝置之一具體實施例中，金屬部 分相對位置之方塊圖。 15 第2圖顯示流體喷射裝置之第一金屬層之一具體實施 例。 第3圖顯示第2圖之流體喷射裝置之第二金屬層之一具 體實施例。 第4圖為一具體實施例各部分之相對位置之方塊圖。 20 第5A圖及第5B圖為流體喷射裝置之另一具體實施例 中，各金屬部分相對位置之方塊圖。 第6圖顯示流體喷射裝置之第一金屬層之一具體實施 例。 第7圖顯示第6圖之流體喷射裝置之第二金屬層之一具 200529330 體實施例。 ^ "、禾一流體喷射裝置之第二金屬層佈局之一具 體實施例。 第9圖為〜目μ^ -、體貫施例各部分之相對位置之方塊。 第10圖顯$、、六遍+ 、心1L體贺射裝置之一具體實施例之頂視圖。 【實施冬式】 詳細說明 10 15 ;後文洋細說明以及於附圖之數幅圖中，類似的元件 將標示以類似的參考編號。 例中第1圖顯7^範例流體噴射裝置之金屬層佈局範例具體 人々金屬層部分之相對位置之簡化剖面圖。薄膜堆疊10 二s第金屬層1及第二金屬層11。第一金屬層1包含至少 一位址路徑部分6以及非位址路徑部分。第 一金屬層1之非 音=路卩分包含至少—電阻器部分第—金屬層接地 二刀4以及一邏輯部分5。一具體實施例中，第一金屬層工包 各電阻杰部分2、接地部分4及邏輯部分5各自至少二者排列 (第ίο。路彳二"卩分6之相對兩側。電阻器部分2及關聯之喷嘴 J圖）界定一長條鬲度26。電阻器部分2包含複數個電阻 器（弟2圖）。如董 1 α ’位址路控部分6包含^一位址匯流 口位址線或導體、資料路徑、選擇路徑或致能路徑其用 ^作組成電阻器部分2之電阻器。位址路徑部分6承載信 :、輯7L件’邏輯元件造成特定發射電晶體來造成特定 4射電阻|§回應於該信號而發射。邏輯元件包括例如 電晶體等組成it件，組成元件提供位址信號產生、發射信 20 200529330 號搞合、選擇作缺 …岡^產生、同步信號產生等功能。 則上方^缚棋堆疊10也包含第二金屬層11於第一金屬 « 主屬層11包含至少—導電部分7以及一第二 金屬層接地部分8 _ 匯流排來提供電連^電部分^含傳導職、火線或電力 、、，α至電源供發射電阻器21。一具體實施 例二—金屬層包含至少二導電部分7設置於接地部分 8之:一::上。導電部分7至少部分係路由於第-金屬層 層接地部分4上方。第二金屬層接地部分8係路 由通過奸條Μ，該長條高度實質卿行崎22電阻器 10 15 21 ’且係於第—金屬層1之邏輯部分5及位址路徑部分6上 方°第二金屬層接地部分8之外側緣係重疊於第-金屬層接 地4刀4之内側緣。傳導通孔(第2_4圖)提供電連結介於第一 金屬層接地。|5刀4與第二金屬層此第二金屬層接地部分8 間。 經由設置第-金屬層i及第二金屬層η之佈局或拓樸 學’讓導電‘刀7不會路由於(亦即不會覆蓋於或重疊於)位 址路t心6JiS ’ f拍導電部分與位址路徑部分間之電容 柄合產生雜訊的機率及效能低劣的機率降低。 第二金屬層接地部分8路由通過第二金屬層 11之覆蓋 於第一金屬層1之邏輯部分5及位址路徑部分6上方該區，可 能導致由於接地面餘大，接地電崎低，結果造成能量 變化的減少。没置第二金屬層接地部分8於第二金屬層，可 避免晶粒尺寸增加造成的成本增加，當接地電阻係藉加寬 第-金屬狀接地雜寬度來達成時，對應地增加晶粒尺 20 200529330 寸’結果導致晶粒尺寸加大關聯的成本增高。第二金屬層 接地部分8路由通過長條高度，也可促進能量變化的改善， 可藉增加第二金屬層11厚度而達成。 弟2圖頒示流體喷射裝置之一具體實施例之第一金屬 5層1之範例佈局或拓樸學之頂視圖。該第一金屬層係沉積於 基材結構上。第一金屬層1經過遮罩且經過蝕刻來界定與製 造流體噴射裝置電路部分的第一金屬層1之預定佈局及拓 樸學。 弟一金屬層界定且包含電阻器部分2、電晶體部分3、 10 第一金屬層接地部分4、邏輯部分5及位址路徑部分6。電阻 器部分2各自包含複數個個別電阻器21。一具體實施例中， 電阻器部分2也包含加熱器腳27延伸超出下方電晶體邊 緣，來提供電連結至個別電阻器21。 一具體實施例中，電阻器部分2寬約168微米，電阻器 15 寬約75微米，加熱器腳27由下方驅動電晶體邊緣朝外侧延 伸約93微米。一具體實施例中，電晶體部分3寬約156微米， 邏輯部分5寬約126微米，位址路徑部分寬約206微米。第2 圖之具體例中，第一金屬層接地部分4係路由於驅動電晶體 上方。一具體實施例中，接地部分寬約96微米。此等尺寸 20 係用於一具體實施例；其它具體實施例可採用其它尺寸及 維度。 一具體實施例中，電阻器21部分係經由從第一金屬層 之電阻器部分蝕刻去除至少傳導層部分而形成。電阻器21 排列成行22，但也可排列成列。第2圖顯示排成一行22的8 200529330 個代表性電阻器21。 器。於具體實施例中， 或168個電阻器。 一行電阻器可包含任何數目的電阻 一行電阻器例如可包含100個電阻器 :、曰體。卩刀3包含關聯對應電阻器2之個別驅動電晶體 5之驅動電晶體金屬部約。驅動電晶體金屬部扣係以代 表1^舉例6兄明形狀顯示。須了解部分31之形狀細節係依據 ‘驅動電晶體之特殊佈局及設計決定。傳導通孔&連結驅動 電晶體金屬部分31至附於其上方的導電部分7(第3圖）。驅動 電晶體金屬部分M連結電阻器η至電源，以及連結驅動電 1〇晶體之源極及沒極部分至電阻器2卜以及經由通孔連結至 接地部分4,或經由下方各層（圖中未顯示)例如經由鱗石夕酸 玻璃層、複晶石夕層及/或開極氧化物層而連結至碟石夕酸玻璃 接點。 接地。卩刀4包g —共通接地連結或共通接地路徑至大 15地，介於驅動電晶體金屬部分3ι與邏輯部分$間。接地通孔 41電連結第-金屬層接地部分4至覆蓋於上方之第二金屬 層之第一金屬層接地部分8。 邏輯部分5包含個別邏輯元件53之邏輯元件金屬部分 51(第4圖），邏輯元件53係_對應鶴電晶體％(第4圖）之 2〇電阻為2卜-具體例中’位址路徑部分6包含複數個位址路 徑部分6卜其承載信號至邏輯元件53，該信號決定何者發 射電阻器21將被激活。對各個電阻㈣而言，對應驅動電 晶體33及邏輯元件53共同操作來接收來自位址路徑部分之 信號且解譯該信號，以及來於適當時間回應該位址信號而 200529330 切換電力至電阻器來發射該電阻器。 10 15 第3圖顯示對應第2圖之具體實施例之第二金屬層^之 範例拓樸學之頂視圖。第二金屬層11覆蓋於第一金屬層1上 方（第2圖），且係使用薄膜技術沈積與製造。第二金屬層11 含導電部分7及第二金屬層接地部分8。導電部分7及第二 金屬層接地部分8包含第二金屬層之導電層部分且係由導 電層部分所界定，該導電層部分例如為金。第二金屬層n 也包含第二傳導層112於第一傳導層113下方，如第4圖所 不:於第3圖之具體實施例中，第二金屬層接地部分8及導 “刀7包含貫質上具有相同拓樸學之傳導層部分及第二 =導層部分。於一具體實施例中，第二傳導層部分可延伸 超出傳導層部分外緣，例如超出傳導層部分邊緣約4微米。 導電。卩刀7至少部分係路由於非位址路徑部分上方。第 圖之具體例中，{列如導電部分7係路由於驅動電晶體部分） 、夕4刀上方，例如於驅動電晶體金屬部分31之至少部 分及部分接地部分4上方（第2圖）。第二金屬層接地部分_ 广金屬糾之該行22電晶體21間，且於第一金屬 丄中，導電料7並未覆純㈣㈣分6核何部 2圖）。-具體例中，導電部分7寬約196微米 層接地部分8寬約475微米。 一、，屬 晶體部 第4圖顯示糾圖所示具體實施例，一種流體 置之薄膜堆疊1G之第-金屬層部分與第二金屬層部八、 對位址圖。第一金屬層1包含發射電阻器部分2、電刀相 20 200529330 分3(電晶體部分3包括驅動電晶體金屬部分31及接地部分 4)、邏輯部分5及位址路徑部分6。 第一金屬層1包含電阻層部分13及傳導層部分14。一具 體實施例中，該電阻層部分包含TaA1，該傳導層部分包含 5 A1Cu。一鈍化層12將第一金屬層1與第二金屬層11隔開。一 具體實施例中，鈍化層12例如包含碳化矽及/或氮化矽。 第一金屬層1沉積於基材結構15上。一具體實施例中， 基材結構15包括矽基材、閘極氧化物層、摻雜區、碟石夕酸 玻璃及複晶矽層（圖中未顯示）。驅動電晶體33及邏輯元件53 10係界定於基材結構15。電晶體部分3覆於驅動電晶體33之至 少部分上方，邏輯部分5覆於邏輯元件53上方。 第二金屬層11包含導電部分7及第二金屬層接地部分 8。第二金屬層接地部分8覆於位址路徑部分6、邏輯元件金 屬部分5及接地部分4之内側緣上方。第二金屬層接地部分8 15 係藉傳導通孔41而連結至接地部分4。導電部分7並未覆於 位址路徑部分6上方。導電部分7係經由傳導通孔32而連結 至驅動電晶體金屬部分3。 第二金屬部分包含至少一第一傳導層部分113，進一步 可包含一第二傳導層部分112。第二傳導層部分112具有電 20 阻率係高於第一傳導層部分113之電阻率。一具體實施例 中，第一傳導層部分113包含金，具有電阻率約〇·〇8歐姆/ 平方。一具體實施例中，第一傳導層部分113包含厚約0.36 微米之金層。其它具體例中，第一傳導層部分113包含厚度 於約0.3微米至約1·5微米範圍之金層。第一傳導層部分113 12 200529330 包含AlCu。 -具體實施财，第二料層部分112包含組，第二傳 導層部分112具有電阻率約60歐姆/平方。第二傳導層部分 112包含厚約G.3微米之Is層。其它具體例中组層可具有約 5 〇_〇微米至0.5微米範圍之厚度。第二傳導層部分例如包含 组。於沈積金層部分113之前’沈積粗層部分112可改良金 層黏著性。 第5A圖顯示於範例流體噴射裝置之薄膜堆疊1〇之另一 具體實施例中，金屬層部分之相對佈局之簡化說明圖。薄 10膜堆疊10包含第一金屬層1及第二金屬層u。第一金屬層i 包含至少-電阻器部分2、-第-金屬層接地部分4、一邏 輯部分5及一位址路徑部分6。一具體實施例中，該第一金 屬層包含電阻器部分2、接地部分4及邏輯部分5各至少二者 排列於位址路徑部分6之相對兩側上。電阻器部分2各自包 15 含一行22個別電阻器21(第6圖）。 第二金屬層11包含至少一導電部分9及一第二傳導部 分8’。第二傳導部分8’係與導電部分9電隔離。第二傳導部 分8,路由於位址路徑部分6及邏輯部分5上方。一具關 中，第二金屬層11包含至少二導電部分9設置於第二傳導部 20 分8’之相對兩側上。 第5B圖顯示於一範例流體噴射裝置之薄膜堆疊1〇之一 具體實施例中，金屬層部分之相對佈局之簡化說$圖。第 二金屬層11包含導電部分7及9。一具體實施例中，第5八圖 之配置及第5B圖之配置係對應流體噴射裝置電路之-不同 13 200529330 部分配置。例如第5A圖之第二金屬扣之佈局係對應第8 圖之第一金屬層㈣等部分之佈局，於該等部分導電部分7 及9係彼此並列路由。第5B圖之第二金屬糾佈局可對應第 8圖之第二金屬層u該等部分佈局，於該處導電部分&係路 5由超出導電部分7末端。 經由配置第一金屬層i及第二金屬層u之佈局或抬撲 學’讓導電部分7及9不會路由於位址路徑部分6上方，且讓 第一傳導部分8’與導電部分7及9電隔離，第5A圖及第沾圖 之配置可減少由導電部分與位址路徑部分間之電容耦合造 1〇成產生雜訊的機率。設置帶有包含鈕之第二傳導部分8，之 第二金屬層11，可減少第二金屬層丨丨與上方阻擋層的離層。 第6圖舉例說明流體喷射裝置之第一金屬層丨之另一具 體實施例之簡化頂視圖。第一金屬㉟包含位址路徑部分6及 非位址路徑部分。非位址路徑部分包含電阻器部分2、電晶 5體^刀3、弟一金屬層接地部分4及邏輯部分電阻器部分 2包含複數個個別電阻器21排列成一行22。電晶體部分3包 含關聯對應電阻器21之個別驅動電晶體之驅動電晶體金屬 部分31，且覆於下方驅動電晶體33上方（第9圖）。傳導通孔 32電連結驅動電晶體部分31至覆於上方之導電部分7、％第 20 7 圖）。 邏輯部分5位於下方邏輯部分53上方，邏輯部分53係界 定於基材結構15(第9圖）。邏輯部分之位置並未儘可能地接 觸電晶體部分3。邏輯部分可以大於5微米之距離與電晶體 邛为3分開。一具體實施例中，邏輯部分5寬約65微米，與 200529330 對應電晶體部分3分隔約134微米。其它具體實施例中，邏 輯部分5與對應電晶體部分分隔大於3〇微米或大於1⑼微 米。第6圖之具體實施例中，第—金屬層接地部分4延伸超 出下方電晶體33之外，且部分包含電晶體部分3。一且體實 施例中，第一金屬層接地部分4寬約281A企 貝 、' 倣米。一具體實施 例中，位址路徑部分6寬約139微米。 弟7圖顯示對應第6圖所示第一今属思 主辑層具體實施例，第 10 15 20 二金屬層之另-具體實施例之簡化頂視圖1第二全屬層 包含導電部分7及9 ’係由第二金屬_之傳導層部分 91所界定與包含。第二金屬層也包含第二傳導部分η、％ 及第二傳導部分8, ’其係覆於下方第_金屬層之位址路徑 部分及邏輯部分5上方。-具體實_中，第二傳導部八 t92比對應賴於上方之71、91更寬，且延伸超出^ 傳導層部分71、9丨邊緣例如約4微米。第二傳導層部分23覆 於下方第-金屬層之電阻器部分2(第6圖）上方。第二傳導層 部分23可保護下方電阻器21因成穴作用而受損。 第二傳導層部分23、72、92及8,係藉第二金屬層之連 續間隙ill分隔。_m電分隔導電部分7、9斑立對應之 第二傳導部分71、91。導電部分7係藉導電通孔32而電連结 至第-金屬層之下方電晶體部分3(第6圖）。導電部分7供電 給對應於下方雜電晶體之電阻.導電部分由於接地 部分4上方’來進—步順著該行供電給驅動電晶體及電阻器 (第8圖）。 第8圖顯示第5A_7圖所示具體例之第二金屬層u之範 15 200529330 例佈局。本具體例中’第二金屬層11包含6個導電部分，亦 二四個導電部分7及二個導電部分9,導電二: 屬層U之傳導層部分71、91所界定。第二 ^二 應第二傳導層部分72、92， 曰匕3對 5 10 15 ，、係延伸超出傳導部分71、91 之邊緣，以及包含第二傳導層部分23其係覆蓋於第 層之電阻器部分2上方(第6圖)，以及包含第二傳導部分: 其係覆k於位址路徑部分6上方。第二傳導層部分π%係 延伸於導電部分7之傳導部分71、91下方。第二傳導層部分 72、92及8’储第二金屬層之連相隙⑴所分隔。—具體 實施例中，連續間隙ηι可為8微米至2〇微米。 /、 對第二金屬層11設置含组第二傳導部分8,，可減少第 二金屬層11與上方阻擔層離層。對第二金屬層_供延伸 超出傳導部分π、9ι邊緣之外的第二料層部分m， 可防止上方之阻擋層由第二金屬層的傳導部分邊緣離 層，〇〇〇於該處第二金屬層n可能暴露出。離層更可能出現於 金暴露於傳導部分邊緣。 四個導電部分7至少部分係路由於非位址路徑部分上 方。例如於第8圖之具體例中，導電部分7係路由於下方第 $ —金屬層（圖中未顯示）之電晶體部分及第一金屬層接地部 2〇分4之至少該等關聯對應最上方電阻器群及最下方電阻器 群4分上方。導電部分9係路由於第二傳導部分71與對應導 電部分7間。導電部分9延伸超出傳導部分7，來提供電力給 驅動電晶體群及電阻器群朝向該行中央。 第9圖顯示第一金屬層1、第二金屬層u及於基材結構 16 200529330 15之驅動電晶體33及邏輯元件53各部分之相對位置來顯示 第5A_8圖具體實施例之範例佈局。第一金屬層丨包含傳導層 部分14及電阻層部分13。第一金屬層丨包含電阻器部分2、 驅動電晶體部分3、第一金屬層接地部分4、邏輯元件部分5 5及位址部分6。第一金屬層1係形成於基材上方，其包括閘 極氧化物層、碟石夕酸玻璃、複晶石夕及摻雜區。 驅動電晶體33及邏輯元件53係界定於基材結構於驅動 電晶體3及邏輯元件部分5下方。邏輯元件53及電晶體33彼 此間隔並非儘可能的彼此接近。邏輯元件53及對應電晶體 10 33分隔距離大於5微米。一具體實施例中，驅動電晶體33寬 約216微米，而與對應邏輯元件53分隔134微米。提供電晶 體部分與邏輯部分的分隔，可對較寬的接地部分4提供額外 空間，可降低接地電阻，因而減少能量變化，改良流體喷 射裝置效能。 15 鈍化層12分開第一金屬層1與第二金屬層11。第二金屬 層包含第二傳導層部分112及第一傳導層部分in。第二傳 導層部分112包含第二傳導部分72、92、8,及23。第二傳導 部分72路由於驅動電晶體部分3上方，第二傳導部分％路由 於第一金屬層接地部分4上方’第二傳導部分8,路由於位址 20路徑部分6上方，第二傳導部分23路由於電阻器部分2上方。 第一傳導層部分113包含傳導部分71、91，其界定且包 含導電部分7、9。傳導部分71、91分別係路由於第二傳導 部分72及92上方。一具體貫施例中，並無任何導電部分路 由於位址路徑部分6上方。 17 200529330 第10圖顯示流體喷射裝置100之一具體實施例之等角 視圖。該流體喷射裝置包含_孔口層101、一阻擋層103及 一基材結構15。一具體實施例中，該孔口層1〇1包含一孔口 板101，孔口板101可含金屬。 5 孔口層101包含至少一行24噴嘴25。於第1〇圖之具體 例，顯示兩行24噴嘴25。須了解孔口層1〇1包含多行24噴嘴 25各τ g 25係對應於下方弟一金屬層1之一個電阻器Μ。 噴嘴25可以基本群組排列。各群噴嘴25係由一共同導電部 分7或9供電（第8圖）。第10圖之具體實施例中，噴嘴乃係排 1〇列成6組心£。基本群組a、b、〇及(1係對應喷嘴25，噴嘴25 對應於電阻器21，係由第8圖第二金屬層^之對應導電部分 7所供電。群組e&f係對應第8圖所示由導電部分9所供電之 噴备。第10圖顯示各群組之代表性喷嘴數目。須了解噴嘴 數目可改變。例如一具體實施例中，a、b、c及d群組各自 5包3至少28個喷嘴，以及e&f群組至少包含116個噴嘴，來 自各行24各58個喷嘴。 一具體實施例中，孔口板1〇1包含貫穿孔口板的開口 16。一具體實施例中，開口16位於第8圖第二傳導部分8，上 方，其外廓係以虛線8’顯示。開口 16包含膨脹格栅，其可 2〇配合減少因熱膨脹造成損壞的可能。設置膨脹格栅ι6讓其 位於第二傳導部分8’上方而非位於金上方，可降低阻擋層 與第二金屬層離層的可能。設置第二金屬層，其中第二傳 導層部分延伸超出傳導層部分邊緣，可減少因短路及/或離 層造成問題。 200529330 須注意線、匯流排或路徑等詞應用於任何傳導路徑， 該傳導路徑有足夠傳導性來提供特定類型信號傳播的信號 路徑。 須了解前述具體例僅供舉例說明可代表本發明原理之 5 可能的特定具體例。其它配置可由熟諳技藝人士未悖離本 發明之精髓及範圍，根據此等原理方便地修改。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示一流體喷射裝置之一具體實施例中，金屬部 分相對位置之方塊圖。 10 第2圖顯示流體喷射裝置之第一金屬層之一具體實施 例。 第3圖顯示第2圖之流體喷射裝置之第二金屬層之一具 體實施例。 第4圖為一具體實施例各部分之相對位置之方塊圖。 15 第5A圖及第5B圖為流體喷射裝置之另一具體實施例 中，各金屬部分相對位置之方塊圖。 第6圖顯示流體喷射裝置之第一金屬層之一具體實施 例。 第7圖顯示第6圖之流體喷射裝置之第二金屬層之一具 20 體實施例。 第8圖顯示一流體喷射裝置之第二金屬層佈局之一具 體實施例。 第9圖為一具體實施例各部分之相對位置之方塊。 第10圖顯示流體噴射裝置之一具體實施例之頂視圖。 19 200529330 【主要元件符號說明】 1···第一金屬層 2···電阻器部分 3···電晶體部分 4···第一金屬層接地部分 5···邏輯部分 6…位址路徑部分 7···導電部分 8···第一金屬層接地部分 8’…第二傳導部分，外廓虛線 9···導電部分 10…薄膜堆疊 11…第二金屬層 12…鈍化層 13…電阻層部分 14…傳導層部分 15…基材結構 16…開口，膨脹格栅 21…電阻器 22…行 23…第二傳導層部分 24…行 25…噴嘴 26…長條高度 27···加熱器腳 31…驅動電晶體金屬部分 32…傳導性通孔 33…驅動電晶體 41…傳導性通孔 42…電連結 51…邏輯元件金屬部分 53…邏輯元件 61…位址路徑部分 71、 91…第一傳導層部分 72、 92…第二傳導層部分 100···流體喷射裝置 101···孔口層，孔口板 102···阻擔層 111…間隙 112···第二傳導層部分 113…第一傳導層部分 20

Claims (1)

1. 200529330 十、申請專利範圍： L 一種流體噴射裝置，包含： 第金屬層，其包含至少一位址路徑部分以及一 非位址路徑部分； 々一第一金屬層，其係鋪設於該第一金屬層上方，該第-至屬層包含_第_金屬部分，其只鋪設於第一金屬 曰之非位址路㈣分上方，其巾該第—部分為導電部 分。 10 15 20 :月專利範圍第1項之流體噴射裝置，其中該第二金 層進—步包含—第二部分，其賴設於該位址路徑部 分上方，係與該第一部分電隔離。 t申清專利範圍第2項之流體噴射裝置，其中該第二部 为包含一第二金屬層接地部分。 如申請專利範圍第3項之流體噴射裝置，其中·· 該第-金屬層包含一第一金屬層接地部分；以及 拉认該第二金屬層接地部分係鋪設於部分第一金屬層 妾也部分上方，且係電連結至該第二金屬層接地部分。 如申請專利範圍第2項之流體噴射裝置，其中·· 該第二金屬層U包含-具有第一電阻率之第 該^分，及具有第二電阻率之第二傳導層部分，其中 μ 一電阻率係低於該第二電阻率；以及 該第二部分包含該第三料層部分，''傳導層部分。 以 如申請專利範圍第5項之流體噴射裝置，其中該第二傳 3. 4. 5. 6. 21 200529330 導層部分包含鈕。 7. 如申請專利範圍第6項之流體喷射裝置，其中第一傳導 層部分包含金。 8. —種流體喷射裝置，包含： 5 一第一金屬層，其包令—電阻器部分、該電阻器部 分界定一長條高度；以及 一第二金屬層，其係位於該第一金屬層上方，該第 二金屬層包含一第二金屬層接地部分路由通過該長條 南度。 10 9.如申請專利範圍第8項之流體喷射裝置，其中該第一金 屬層進一步包令—第一金屬層接地部分，其係電連結至 該第二金屬層接地部分。 10.—種流體喷射裝置，包含： 一第一金屬層，其包含一電晶體部分，一概略平行 15 該電晶體部分延伸之接地部分，以及一概略平行該電晶 體部分延伸之邏輯部分，該邏輯部分係與該電晶體部分 隔開大於5微米距離，其中該接地部分係介於該電晶體 部分與該邏輯部分間延伸。 22