TW200528775A - Polarized reticle, photolithography system, and method of forming a pattern using a polarized reticle in conjunction with polarized light - Google Patents

Description

200528775 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明和基板（例如半導體晶圓）之光微影處理中所使 用的光柵設計有關。更明確地說，本發明係關於具有_偏 振材料層的光柵，以及利用偏振光來曝光該光栅以於光阻 上產生高解析度影像的方法。 【先前技術】 利用光微影術結合各種其它製程於單一半導體晶圓咬 其它整塊半導體基板上製造數百個，甚至數十億個電路圖 案，便可大量生產含有積體電路的半導體裝置（例如記憶體 晶粒）。為針對特定表面積提高半導體記憶體裝置上記憶體 胞的數量’重要的係要精確地控制於光微影術期間所製造 的影像的光學解析《。該些影像係用㈣一半I體其板: 界定結構性特徵_ ’以便製造此等半導體記憶體二： 整合電路。 的 如光阻）層中描繪圖案的製程。於光微影術中，U材合 =:(例如光柵或光罩)會曝露在入射光中。由該光柵 4所4供的f彡像料被㈣ ^ 基板的光阻之上。該光微影製程通常涉二=圓或其它 ::曝光與_’兩者之間則有沉積步驟、：:進行多 或植入步驟。於某一特定步驟中 “驟、及, 於光子、電子、或離子之中，秋 4擇性地曝露 婉矂氺从& …曼1^ 4丁顯影以移险氺伽山 的部份或是未經曝光的部份，端賴採用的:正:: 200528775 或負光阻而定。複雜的裝置則通常會需要進行多次曝光與 顯影步驟。 ~ 目刚有三種主要慣用的光微影方法用於以光學方式將 光栅或光罩上的圖案轉印至被塗佈於一基板上的光阻 中。该些方法係接觸印刷法、鄰近印刷法、以及投影印刷 法。杈衫印刷法為目前最常用的光微影系統類型。參考圖 1/圖中所不的係投影印刷法中所使用的慣用光微影系統。 光=影系統1〇〇包含照明控制器1〇2，該控制器可運作以被 耦合至用來產生光的照明源104。照明源104通常包含一反 身:鏡叫登管、-雷射、-濾光片、及/或-聚光透鏡系統。 於圖1所不的曝光系統中，照明源1〇4會照射光柵1〇6，該 光拇1〇6具有欲被投影至光P且11G之上的預期圖案。投影 、、見08可此包含一複雜的透鏡/反射鏡組，其會將源自光 柵1 06 6勺衫像聚焦於光阻i i 〇之上。光b〇會先被顯影， 然後便會利用㈣法對基板i 12進行後續處理以形成該等 預期結構，接著便會移除光阻110。 利用光U衫術來製造記憶體晶粒與其它半導體裝置的 要門題係，在不同的照明條件中，該光柵的周圍區域與 陣列區域會呈有复导| 也 ，、/、取大的製程視窗。當欲形成於該光阻上 的特徵圖形的尺寸# , ~ ^ 、 才恨小（例如其大小等級約係所使用之光源 的波長的一半或以下)時，此項問題便特別嚴重。如圖2A 所不’光㈣200的標準光栅圖案包括一陣列區域2〇4與一 。品或202圖所示的係被該周圍區域2〇2包圍的單 車列區域2G4的不意圖。再次參考圖2a與，光栅綱 200528775 勺/車歹J區域204與該周圍區域202具有不同的圖案。舉 例來說，該陣列區4 2G4可能含有-具有特殊維度的週期 性圖案；而該周圍區域202則可能含有一具有較小或較大 維度的不同圖案，該圖案可能係一不同的週期性圖案，或 者可能係一非週期性的圖案。 。、於k用的光微影術中，該光柵的該周圍區域與該陣列 區域均會在相同的時間曝露於該照明源之中。不過，該陣 列區域與該周圍區域的最佳照明條件卻不相同。本文所使 :…、月釭件」一詞應該被理解成包含用來照射該光栅 的光的角度分佈以及該些角度中的光的總強度。該陣列區 域：相對緊密分隔圖案的特徵通常需要利用圓環形的光以 非爷陡崎的入射角度來進行照明；而該周圍區域之相對稀 疏圖案的特徵則通常需要利用單一平面波的入射光方能且 有，佳的照明條件。㈣，該光栅的每個區域均具有特殊 的照明條#，例如其中包括聚焦深度、入射光的劑量與角 度就δ亥寺照明條件來說，該陣列區域與該周圍區域會具 ::同的最佳值。所以，假使針對該陣列區域來最佳化該 、條件的活，那麼，該周圍區域的該等照明條件便合 ^佳，反之亦然°頒給的美國專利第5,245,47〇隸 试圖以光微影術製造圖案來克服部份該等問題。 本技藝中熟知者，此問題的其中一種可能的解決方 ::係利用一個以上的光柵，而且有時候會用來製造半導 ^ 不過使用雙光柵卻會有兩項主要缺點。第一項 缺點係，增加#睹凹 _ 、或購貝弟二光柵的額外成本。第二項缺 200528775 點係’使用一個以上的并；1：讲奋ππ & 九柵會因為必須取出第一光柵換成 第二光柵而降低製程產出量，而H r # 士 山里而且經常需要時間來重新校 正遺光彳政影糸統。第三項缺胃i彳纟 .. 只缺點係，使用一個以上的光柵還 會於該等兩個光柵之間造成疊置誤差的問題。 據此，為改良利用光微影術被轉印至光阻上的圖案的 品質’吾人需要—種單-光栅的光微影系、统，其必須適合 在每個個別區域不同的最佳照明條件下來曝光該光柵中具 有不同圖案的各區域。 【發明内容】 本發明於數項實施例中分別包含偏振光栅、製造該等 偏振光栅的方法、㈣此等偏振光柵的光微料、統、以及 利用該等偏振光柵於-光阻上製造一圖案化影像的方法。 利：本發明的該等偏振光柵便可讓具有複數個圖案化區域 的早一光柵在每個特殊區域的最佳照明條件下曝露在光之 中本鲞明可用於光微影處理中，用來製造半導體裝置、 液晶顯示元件、薄膜磁頭、光柵，並且亦可使用於需要進 行精確光微影成像的許多其它應用中。 於本發明的其中一項觀點中揭示一種具有至少一層偏 振材料的偏振光柵。該偏振光柵包含至少部份被至少一第 〜圖案化區域包圍的至少一第一圖案化區域，每個區域之 上均會界定不同的圖案。於該光柵的該第一圖案化區域的 ^ 邛伤之上可置放一偏振材料，而且亦可於該光柵的 /第一圖案化區域的至少一部份之上置放一偏振材料。該 圖木化區域上之該偏振材料的偏振方向大體會正交於 200528775 的偏振方向。亦揭示製 該第二圖案化區域上之該偏振材料 造本發明之該偏振光栅的方法。 於本發明的另—項觀點中揭示—種光微影 么从a a — 微影系統包含一照明控制器’其可運作以被耦合至一昭日 源。一照明源（舉例來說，雷射）可用來發出線性偏振光“ 於本發明的偏振光柵與該照明源之間置放—可移動的半法 片。當源自該照明源的光通過該可移動的半波偏振:

耐’该可移動的半波偏振片的位置與組態可用以變 的偏振方向。 ~ 、於本發明的另-項觀點中揭示—種對光栅進行曝光的 方法。此方法中會提供一具有光阻的基板。本發明的偏 光柵會被置放於一照明源與該基板之間，#中該偏振光栅 包含至少部份被至少一第二圖案化區域包圍的至少一第一 圖案化區i或，以及一頂端與一背面。可利用源自該照明源 的線性偏振光來照射該偏振光柵的頂端。該線性偏振光離 開該偏振光柵的背面的該第一圖案化區域或該第二圖案化 區域時便會被該偏振光柵過濾。於該光栅的其中一個區域 被曝光之後，便會於該光阻上產生一圖案，接著便可對該 光柵的另一個區域進行曝光。使用本發明的該等偏振光柵 便可讓該偏振光柵的每個個別區域於其個別最佳的照明條 件下被曝光。因此，便可利用單一光柵以每個個別圖案的 最佳照明條件來曝光多個圖案。 於本發明的另一項觀點中則揭示另一種對光柵進行曝 光的方法。此方法中會提供一其上置有光阻的基板。本發 10 200528775 明的偏振光柵會被置放於_照明源與該基板上該光阻之 間。该光柵之上包含一圖案，其具有至少部份被至少一第 二圖案化區域包圍的至少一第一圖案化區域。可利用源自 該照明源的線性偏振光來照射該光柵。該圖案的某個區域 可被選擇性地投影至該光阻之上。接著，便可以近似九十 度的角度來變更該照明源所照射之線性偏振光的偏振方 向，而後便可將該圖案的另一區域選擇性地投影至該光阻 之上。 熟習本技藝的人士於配合附圖來閱讀下文詳細說明便 將會明白本發明的該些特點、優點、以及替代性觀點。 【實施方式】 本發明於數項實施例中分別包含偏振光栅、製造該等 偏振光拇的方法、利用此等偏振光柵的光微影系統、以及 利用該等偏振光柵來製造一圖案影像用於供基板處理使用 的方法。本發明可用於光微影處理中，用來製造半導體裝 置、液晶顯示元件、薄膜磁頭、光栅，並且亦可使用於需 要進行精確光微影成像的許多其它應用中。本發明可運用 步進重複式或步進掃描式投影印刷法，或是其它類似的系 統。 參考圖3A-3C，圖中所示的係一示範的偏振光栅300。 偏振光柵300包含一光栅301，該光柵301之上則界定著一 圖案。光栅3 01可能係由石英或矽酸硼玻璃之類的材料所 構成。可以利用半導體製造工業中所使用之光微影處理中 系用的光罩技術與|虫刻技術來製造光柵3 〇 1。 200528775 如圖3A所示，偏振光柵3〇〇可能係由複數個周圍區域 302與複數個陣列區域3()4所組成。陣列區域綱含有一圖 案，該圖案異於該周圍區域3〇2 #圖案。舉例來說，内含 於該陣列區域30…的圖案可能具有較大或較小的特徵 圖形或者可能係週期性不同於内含於該周圍區域3〇2之中 的圖案’甚至兩者情形兼具。内含於該陣列區域3〇4之中 的圖案亦可能係不同於内含於該周圍區域3〇2之中的非週 期性圖案。該偏振光柵3〇〇的維度可能係半導體製造工業 中所使用之光栅常用的維度，例如約15 24咖(6英时）乘約 UK6英忖）。參考圖邛，該周圍區域3〇2的寬度（w) 可能約為0.254cm⑼〇英忖）。該陣列區域3〇4的維度可能 約為1.27Cm(0.5英时）(Li)乘約cm〇 〇英…⑹，其 中該陣列區域304通常會被該周圍區域3〇2包圍。不過了 W的維度與圖案均僅供示範用途’其目的並非限制本發 明。本發明涵蓋由至少部份被至少一第二圖案化區域包圍 :至少一第一圖案化區域所組成的任何偏振光柵，其中該 #圖案化區域包含一圖案，該圖案異於該第二圖案化區 域的圖案。 +再-人參考圖3B與3C，圖中將一偏振材料3〇8置放於 /周圍區i或302之上’用以選擇性地塗佈光拇之上的 :周圍區域3G2。圖中亦將_偏振材料3 1()置放於該陣列區 =3〇4之上’用以選擇性地塗佈光柵301之上的該陣列區 二3二4。因此，偏振材料3〇8與偏振材料310便可分別完全 後一亥周圍區域3G2與該陣列區域3()4。偏振材料與偏 12 200528775 表：的偏振方向分別由圖…上的直線⑴與 314 1振材料310的偏振方向_ η中的直線 j 1兮尸/Γ不J係由圖3 Γ由 一 示。如圖3Β中的直線中37Γ車列區域304中的小點來表 振材料31(Μ固別的偏#方;;314所示，偏振材料則與偏 大體正六心 4振方向會經過選擇’致使兩者彼此會 又。偏振材料308與偏振材 材料所構成的，不過，並u 由相何的 方向被配向成會彼位置則會使得其個別的偏振 材料31〇 Μ 大體正父。假使偏振材料308與偏振 材枓3】〇的偏振方向經過正確選擇的 材料便可充去嗆本从U 。亥寺個別 材料之偏】;=中::濾除於大體正交於該等個別 、 的方向中被線性偏振的輻射。如上接为， 此過濾現象係歸因於本發明所使 電場向量垂直此等材 广振材科會吸收 仞η炙偏振方向的光且又不會吸 明顯）電場向量平行此等材料之偏振方向的光。 w 舉例來說，偏振方向大體平行偏振材料3〇8之 向的線性偏振光將會被偏振材料310遽掉。再者 、 向大體平行偏振材肖31〇之偏振方向的線性偏振 '方 被偏振材# 3G8遽掉。可供偏振材料3〇8與偏振材料^ 使用的材料會經過選擇用以過遽光微影系統中所 外線波長的光。偏振材料則與偏振材料31〇的 二 的範例包含無機材料，舉例來說，方解石、♦母口且材料 滯板 '雙色薄片偏振片、BK7(MellesGru)t二的 ㈣）、以及uv等級的炼化石夕石。偏振材料3〇8與偏振材料 3 1〇的合宜材料的範例進—步包含有機材料，舉例來說， ~ 鐵 13 200528775 電性聚合物（整塊的形式或 ^ /為 Langmuir-BI〇dgett 胺）、斌偏氟乙烯、以及液晶聚合 $MenesGnot^〇riel.t 上面材抖的供應商包 ” 〇nellnStrUmeniS。該些示範材料會吸收 或阻隔約百分之98之僬掂士 a丄减 及收 之偏振方向大體正交該偏 方向的入射光。 仍Tf i侷振 可利用各種沉積技術於光栅3G1之上 308與偏振材料31〇所制β & $ 堝搌材科 rrvnH, 薄臈。化學氣相沉積法 物理氣相沉積法（PVD)、以及原子層沉積法（Am) 域^0口4 t在構成光栅300之該周圍區域302與該陣列區 用半導體的Λ寺特殊經界定的區域中來沉積該等薄膜。可利 工業中所使用之光微影處理中常用的光罩技 ^敍刻技術於该周圍區域3〇2與該陣列區域_中施加 /寺偏振材料。亦可藉由手動塗敷由該等上述偏振材料（其 固別的偏振方向係被配向於預期的方向中）所製成之預先形 成膜的方式將偏振材料3G8與偏振材料31G塗敷於光柵3〇1 ^ :別的位置中。手動塗敷偏振材料308與偏振材料31〇 ^曰助於作業員/技術員在顯微鏡下來實施該塗敷作業，並 。/用彳放鉗以幫助將該等偏振材料精確地置放於光柵 i中的等預期區域中。偏振材料308與偏振材料3丨〇所 二成勺。亥等薄膜亦可能係一 Langmuir-Blodgett類型的薄 月萬 〇 談| γ 、以、ailgmUir-B1〇dgett膜為先預先形成於一液體表面 上然後再被轉移至光柵301之上的單分子層。 一〜二考圖4 ’圖中圖解的係使用本發明的偏振光柵300的 八^"彳支〜系統4 〇 〇。照明控制器1 〇 2可被控制耗合至照明 14 200528775 源1 04用於投影線性偏振光402。照明源1 〇4可能係一能夠 產生線性偏振光的雷射。舉例來說，照明源1 〇 4可能還包 含一反射鏡、一燈管、一雷射、一濾光片、及/或一聚光透 鏡系統。本文所使用的「光」一詞並不限為可見光，還可 月b包S任何形式的輕射能置，例如光子、雷射光束、或是X 射線。半波偏振板404的大小與組態經過設計以便能夠利 用一抽取式或旋轉式夾頭（圖中未顯示）將其置入線性偏振 光402的路徑之中。半波偏振板404可能係由Melles Gdot 所製造之雲母構成的半波偏振板。舉例來說，假使該線性 偏振光402的偏振方向於垂直方向中被偏振的話（也就是， 垂直於該偏振光柵300與該半波偏振板404)，那麼快速光 軸或慢速光軸被配向成與該垂直方向成四十五度的半波偏 振板404將會讓該線性偏振光402於通過該半波偏振板4〇4 之後使其偏振方向變更九十度。此等半波偏振板可能會被 置入線性偏振光的路徑之中以便將其偏振方向變更九十 度’或者該半波偏振板404亦可能會以固定位置被置入線 性偏振光402的路徑之中並且被旋轉至與該線性偏振光4〇2 的偏振方向形成一特定角度，以便改變線性偏振光402的 偏振方向。 當半波偏振板404被配置成位於線性偏振光402的路 徑中的話，其便會讓線性偏振光402的偏振方向旋轉約九 十度。偏振光栅300會界定一欲被投影至光阻110之上的 圖案’該偏振光柵300會直接從照明源1 〇4或從半波偏振 板404中接收線性偏振光4〇2，用以產生代表該偏振光柵 15 200528775 300之圖案的被選定部分的光柵圖案影像4〇6。視情況，可 將偏振光柵300固定至一硬薄膜或軟薄膜，以保護偏振光 拇谓免於受到污染。舉例來說，硬薄膜包含玻璃或聚合 物纖維。 θ 再次參考圖4, 一投影透鏡1〇8可能會從偏振光柵3⑻ 中接收光栅圖案影像406。舉例來說，投影透鏡i 〇8可能係 一細小透鏡或是複數個透鏡及/或反射鏡的組合，用以將光 柵圖案影像406投影至基板112上之光阻}丨〇的表面之上。 標準的半導體製造光微影術涉及四至十次 3⑻上的圖案尺寸，用於投影至-目標基板112之^ = 透鏡108會投影光柵圖案影像406，以便製造一投影圖案影 像 408 。 ’ 接著’投影圖案影像408便會被照射於基板112上的 光阻1 10之上。基板丨12可能係一半導體基板，例如單晶 矽、單晶砷化鎵、多晶矽、磷化銦、層狀整片式半導體基 板（例如絕緣體上矽（S0I)基板，其範例有玻璃上矽（s〇g)或 疋·^貝石上石夕（s 〇 s)基板），用於形成光栅的玻璃（舉例來 祝，蘇打-石灰玻璃、矽酸硼玻璃、或是石英）；或是任何其 它合宜的材料，例如用於形成液晶顯示器與薄膜磁頭的材 料其上置放著光阻1 10的基板Π 2可能會被支樓且固定 於一固定裝置（例如夾頭（圖中未顯示））上的正確位置中，如 本技蟄中所熟知者，該固定裝置可能係一步進機（圖中未顯 不）的一部份或是受控於該步進機。 再次參考圖4將會更完整地瞭解配合偏振光柵3〇〇來 16 200528775 =之光微影系統400的運作方式。照明控制器⑽會啟 動知、明源1 04，用以產生線性偏护 合於丄__^ 隸偏振先4G2。線性偏振光402 二二仃於偏振材料3〇8或偏振材料310之偏振方向 向中被選擇性地偏振。線性偏振光402亦合於大雕正 =了材料或偏振材料31。其中一者之偏振方： ==擇性地偏振。因此，當線性偏振光-的偏振 Q f仃光柵3G1上該等偏振材料其中—者 向時，該光便會透射穿過該偏振材料。相反地 ，光術的偏振方向大體正交光拇3〇1上該等偏振材料= 者的偏振方向時，該光便會被遽掉而不會透射穿過抵 =柵训。可針對欲被曝光之偏振光柵剔的該特殊區域 “取佳化該線性偏振光4〇2的照明條件，舉例來說，該等 照明條件變數中包含劑量、聚焦深度、入射角度。 舉例來說，若將偏振方向大體正交偏振材二〇8之偏 振方向的線性偏振光術會被照射於偏振光栅300之上， 那麼線性偏振光術會透射穿過該偏振材料⑽，因而會穿 過偏振光柵300的陣列區域3〇4,不過，該光中的絕大：分 並^會透射穿過偏振材料则。接著，投影透鏡⑽便會投 影该陣列區域3G4的光柵圖案影像4{)6，用以利用—投影圖 案厅、> 像4 0 8來日召身+古JJg 1 1 a * A , 、 木…、射先阻110。於光阻11〇之上會形成一圖 案’其代表的係偏振光柵300之該陣列區域304内所 之圖案。 1 於光阻110上形成陣列區域3〇4的圖案之後，便可將 α玄半波偏振板404移入該線性偏振光4〇2的路徑之中；戋 17 200528775

是如果該半波偏振板404已經位於該線性偏振光4〇2的路 徑之中的話，則可將該半波偏振板404旋轉至預期的位置。 於線性偏振光402穿過該半波偏振板404時，離開光的偏 振方向便會被變更約九十度。因此，現在該線性偏振光4〇2 的偏振方向便會大體正交偏振材料310的偏振方向且大體 平行偏振材料308的偏振方向。接著，線性偏振光4〇2便 會穿透該偏振材料308 ’因而會穿透偏振光柵3〇〇的周圍區 域302。該光中絕大部分均不會穿透偏振材料31〇。接著， 才又’5V透鏡108便可技影该周圍區域3〇2的光柵圖案影像 406 ’以便利用一投影圖案影像4〇8來照射光阻^ 1 〇。於光 阻110之上會形成-㈣’其代表的係偏振光栅之該 周圍區域302内所界定之圖案。上面關於光微影系統· 之運作的說明僅係其中一種範例。其替代方式亦可先曝光 該周圍區域302，接菩風罢λ斗、》& 接者冉置入或疑轉該半波偏振板404，然 後再曝光該陣列區域304。 雖然前面的說明 不應視為限制本發明 已經含有許多細節，不過，該些細節 的範而僅係提供特定的示範實施

例。同樣地 亦可在不脫離本發明之精神或範疇下設計出 本發明的其它實施例。所^ 所以，本發明的範疇僅可由隨附^ 請專利範圍與其合法的等六令I J寻政者來表明與限制，而非前面白 說明。如本文所揭示般， 範疇之中對本發明進行的 蓋於本發明之中。 凡在該等申請專利範圍之意義與 所有增添、刪除、以及修改均涵 【圖式簡單說明】 18 200528775 圖 1 所不的 4系 ,1-©- rg . » » ... 咏丨貝用的光微影系統。 圖2A所示的係半導體製造工業中所使用的標準光桃的 平面圖5 ^玄光柵包含陣列區域與周圍區域。 、 圖2B所示的你同1 Λ & 圖 係圖2Α所不之光栅之-部份的放大平面 所丁的係根據本發明之一偏振光拇的頂表面的平 斤的係圖3 A所示之光栅之一部份的放大平面 3 C所示的係本發明之偏振光柵的剖面圖 Α. ύ^τ ΛΑ 圖 面圖。 圖 圖。 圖 〜 7 一〜I娜m 7U臀日V甘』值7圃 〇 曝光系統 圖4所不的係_配合本發明之偏振光拇來使用的示範 屯0 【主要元件符號說 100 光微影系統 102 照明控制器 104 照明源 106 光栅 108 投影透鏡 110 光阻 112 基板 200 光栅 202 周圍區域 204 陣列區域 300 偏振光拇 19 200528775 301 302 304 308 310 312 314 400 402 404 406 408 光柵 周圍區域 陣列區域 偏振材料 偏振材料 偏振方向 偏振方向 光微影系統 線性偏振光 半波偏振板 光栅圖案影像 投影圖案影像

20

Claims (1)

1. 200528775 十、申請專利範圍： 1. 一種偏振光柵，其包括： 一光栅，其包含至少部份 —^ ^ ^ ^ 圍的至少一弟一圖案化區域， ^ _ ^ . 墙一 1 2 3亥至少一弟一圖案化區域與 该至 >、一第一圖案化區域之 ^ 上各界定不同的圖案； 一具有第一偏振方向的僬 ]偏振材料，其係被置放於該光 柵的該至少一第一圖宰化p 乐α荼化&域的至少一部份之上；以及 一具有第二偏振方向的

   J彳每振材料，該第二偏振方向會 大體正交該第一偏振方向， 、y 5亥偏振材料係被置放於該光 栅的該至少一第二圖幸化p七 口系化（he域的至少一部份之上。 2 ·如申請專利範圍第 固弟1項之偏振光栅，其中該光栅包 含複數個該至少一第一圖宏几广 昂圖案化區域以及複數個該至少一笫 一圖案化區域。

   21 1 ·如申請專利範圍第1項之偏振絲，其中該至少_ 2 第-圖案化區域係一陣列區《，而該至少一第二圖案化區 域則係一周圍區域。 + 4.如中請專利範Μ 3項之偏振光柵，其中被置放於 3 亥周圍區域之該至少一邮彳八 4伤之上的該偏振材料係有機聚合 物或無機材料。 …5.如中請專利範圍第4項之偏振光栅，其中該偏振材 枓係選自由下面所組成之群中的有機聚合物：⑳電性聚合 物、聚偏氟乙烯、以及液晶聚合物。 ;/·如申請專利範圍帛4項之偏振光撕，纟巾該偏振材 料係選自由下面所組成之群中的無機材料：方解石、雲母、 200528775 石英、以及石夕石。 7 ·如申請專利範圍第3 该陣列區域之該至少一部份 物或無機材料。 8 ·如申請專利範圍第7 料係選自由下面所組成之群 物、聚偏氟乙稀、以及液晶 9.如申請專利範圍第7 料係選自由下面所組成之群 石英、以及石夕石。 !〇·如申請專利範圍第 括石英或玻璃中至少其中一 11 ·如申請專利範圍第 料係預先形成膜。 1 2.如申請專利範圍第 形成膜係 Langmuir-Blodgett 1 3 ·如申請專利範圍第 該至少一第一圖案化區域之 料係有機聚合物或無機材料 14.如申請專利範圍第 材料係選自由下面所組成之 合物、聚偏氟乙烯、以及液 1 5 ·如申請專利範圍第 材料係選自由下面所組成之 項之偏振光栅，其中被置放於 之上的該偏振材料係有機聚合 項之偏振光栅，其中該偏振材 中的有機聚合物··鐵電性聚合 聚合物。 項之偏振光栅，其中該偏振材 中的無機材料··方解石、雲母、 3項之偏振光柵，其中該光柵包 者。 3項之偏振光柵，其中該偏振材 1 1項之偏振光栅，其中該預先 膜。 1項之偏振光柵，其中被置放於 該至少一部份之上的該偏振材 c 13項之偏振光栅，其中該偏振 群中的有機聚合物：鐵電性聚 晶聚合物。 13項之偏振光柵，其中該偏振 群中的無機材料：方解石、雲

   22 200528775 母、石英、以及；5夕石。 1 6 ·如申5青專利範圍繁 1頁之偏振光柵，其中被置放於 该至少一第二圖案化區域 -飞之该至少一部份之上的該偏振材 料係有機聚合物或無機材料。 1 7 ·如申請專利範圍篦 图弟1 6項之偏振光柵，其中該偏振 材料係選自由下面所組成 风之群中的有機聚合物··鐵電性聚 合物、聚偏氟乙烯、以及液晶聚合物。 1 8 ·如申請專利筋图笛 項之偏振光柵，其中該偏振

   材料係選自由下面所组志夕 所、、且成之群中的無機材料··方解石、雲 母、石英、以及矽石。 , 士申明專利範圍第1項之偏振光柵，其中該偏振材 料係預先形成膜。 …20.如申請專利範圍第19項之偏振光拇，其中該預先 1 成膜係 Langmuir-Blodgett 膜。 ^如中請專利範㈣丨項之偏振光栅，其中該光拇包 括石英或玻璃中至少其中一者。

   2 2 · —種光微影系統，其包括： -照明控制器，其可運作以被耦合至一照明源，該昭 明源會被配置成用以照射線性偏振光；以及 ’、、 …-可移動的半波偏振片’其係被置放於―偏振光拇與 該照明源之間，該偏振光柵包括： 、 一光柵，其包含至少部份被至少一第二圖案化區域包 圍的至少一第一圖案化區域，該至少一第一圖案化區域與 °亥至^一第二圖案化區域之上各界定不同的圖案； 23 200528775 Μ ^ ^ ^ I ......，了，升你被置放於該^ 柵的该至少一第一圖宰 ^ 一 斤一 系化區域的至少一部份之上；以及 大雜…t偏振方向的偏振材料，該第二偏振方向會 to正父該第一偏振方 ^ Μ ^ ^ ζ;, 且4偏振材料係被置放於該光 柵的该至少一第二圖奉 ^ 口茶化Ε域的至少一部份之上。 2 3 ·如申請專利蔚圖 員之光微影系統，其中該可 私動的半波偏振片係可旋轉的。 24·如申請專利範

   員之光微影系統，其中該可 移動的半波偏振片係可抽取的。 〇 25.如申請專利範圍第22項之光微影系統，其進 料鏡，該投料鏡被置放的位置可心接收穿 亥偏振光栅的該線性偏振光。

   22項之光微影系統，其中該至 列區域，而該至少一第二圖案 26·如申晴專利範圍第22 偏振材料各係預先形成膜。 27·如申請專利範圍第22 柵包含複數個該至少一第一圖 一苐一圖案化區域。 28·如申請專利範圍第 少一第一圖案化區域係一陣 化區域則係一周圍區域。 項之光微影系統，其中該等 項之光微影系統，其中該光 案化區域以及複數個該至少 士申叫專利範圍第28項之光微影系統，其中被置 放於該周ρ 门域之該至少一部份之上的該偏振材料係有機 聚合物或無機材料。 〇·如申請專利範圍第29項之光微影系統，其中該偏 24 200528775 振材料係選自由下面所組成之群 聚合物、聚偏氟乙稀、以及液晶聚合物幾聚合物:鐵電性 振材3::ΓΓ:第〜 撕W行係遠自由下面所組成 丨两 *母、石纟、 取之鮮中的無機材料：方解石、 方甘 石央、以及矽石。 請專利範圍第281貞之光微m 放於該陣列區域之該至少-中破置 聚合物或無機材料。上的该偏振材料係有機

   33.如申請專利範圍第32項之光微 振材料係選自由下面所組成 二：中该偏 取入仏π Υ的有钺I合物：鐵電性 ♦口物、聚偏氟乙烯、以及液晶聚合物。 其中該 方解石 其中該 其中該 其中該 其中被 3…請專利範圍第”項之光微影系統 振材料係選自由下面所組成之群中的無機材料 雲母、石英、以及矽石。 35·如申請專利範圍第28項之光微影系統 栅包括石英或玻璃中至少其中一者。

   36·如申請專利範圍第28項之光微影系統 偏振材料各係預先形成膜。 ”·如申請專利範圍第36項之光微影系統 先形成膜係Langmuir-Blodgett膜。 3 8·如中晴專利範圍第22項之光微影i統，其中 放於該第一圖案化區域之該至少-部份之上的該偏振 係有機聚合物或無機材料。 39·如申凊專利範圍第38項之光微影系統，其中 25 200528775 :鐵電性 其中該偏 方解石、 其中該偏 :鐵電性

   : 辰材料係選自由下面所組成之群中的有機聚合物 聚合物、聚偏氣乙烯、以及液晶聚合物，物 40.如申請專利範圍第％項之光微影系統， :材料係選自由下面所組成之群中的無機材料： 雲母、石英、以及矽石。 41. 放於該第 係有機聚 ’其中被置 ^亥偏振材料 如申請專利範㈣22項之光微影系統 二圖案化區i或之該d、一部份之上的 合物或無機材料。 42.如申請專利範圍第41項之光微影系统， 振材料係選自由下面所組成之群中的有機聚合物 聚合物、聚偏氟乙烯、以及液晶聚合物。 其中該偏 方解石、 43.如申請專利範圍第41項之光微影系統 振材料係選自由下面所 W 、、、見成之群中的無機材料 雲母、石英、以及矽石。 44. 如申請專利範圍第22項之光微影系統， 柵包括石英或玻璃中至少其中一者。

   45. 如申請專利範圍第38項之光微影系統，其中 偏振材料各係預先形成膜。 ^ /·如中請專利範圍第45項之光微影系統，其中該預 先形成膜係Langmuir-Blodgett膜。 4?· 一種對光栅進行曝光的方法，其包括： 提供一其上置放著光阻的基板； 將一光柵置放於一照明源與該基板上的該光阻之間， 其中该光柵包括至少部份被至少一第二圖案化區域包圍的 26 200528775 至少一第一圖案化區域； 利用源自該照明源的線性偏振光來照射該光柵；以及 選擇性地過濾該線性偏振光，用以在該線性偏振光離 開該光柵的該至少一第一圖案化區域或該至少一第二圖案 化區域當中一者來對該基板之一部份上與其對齊的光阻進 行曝光時，防止該線性偏振光離開另一個圖案化區域。 48·如申請專利範圍第47項之方法，其中該選擇性地 過濾包括：選擇源自該照明源的線性偏振光，使其具有大 體正父於覆盍該至少一第一圖案化區域之偏振材料之偏振 方向的偏振方向，或是具有大體正交於覆蓋該至少一第二 圖案化區域之偏振材料之不同偏振方向的偏振方向。 49·如申請專利範圍第47項之方法，其中該選擇性地 過濾包括··將該線性偏振光的偏振方向改變約九十度。 50·如申請專利範圍第49項之方法，其進一步包括於 該照明源與該光柵之間置入一半波偏振片，用以改變該線 性偏振光的該偏振方向。 51·如申請專利範圍第50項之方法，其進一步包括從 該照明源與該光柵之間抽出該半波偏振片，用以改變該線 性偏振光的該偏振方向。 52·如申請專利範圍第49項之方法，其進一步包括旋 轉位於該照明源與該光柵之間的一半波偏振片，用以將該 線性偏振光的該偏振方向改變約九十度。 53· —種對光柵進行曝光的方法，其包括： 提供一其上置放著光阻的基板； 27 200528775 將一光柵置放於一照明源與該基板上的該光阻之間， 其中該光栅包括一圖案，該圖案包含至少部份被至少一第 二圖案化區域包圍的至少一第一圖案化區域； 利用源自該照明源的線性偏振光來照射該光柵；以及 選擇性地將該圖案的該至少一第一圖案化區域或該至 少一第一圖案化區域投影至該光阻之上。 其進一步包括將 其進一步包括於 ，用以改變該線 54·如申請專利範圍第53項之方法 該線性偏振光的偏振方向改變約九十度。 55. 如申請專利範圍第54項之方法， 該照明源與該光栅之間置入一半波偏振片 性偏振光的該偏振方向。 56. 如申請專利範圍第54項之方法，其進一步包括從 該照明源與該光栅之間抽出—半波偏振片，用以改變該: 性偏振光的該偏振方向。 57. 如申請專利範圍第54項之方法，其進一步包括旋 轉位於該照明源與該光柵之間的一半波偏振片，用以改變 该線性偏振光的該偏振方向。 58. 如申請專利範圍第54項之方法，其進一步包括選 擇性地將該圖案的該至少—第—圖案化區域與該至少—第 二圖案化區域中的另—者投影至該光阻之上。 5 9· —種製造偏振光柵的方法，其包括： 提供-光柵，其具有至少部份被至少一第二圖案化區 域包圍的至少一第一圖案化區域，該至少一第一圖案化區 域與忒至少一第二圖案化區域之上各界定不同的圖案； 28 200528775 於該光柵的該至少一第一圖案化區 上施加一具有第一偏振方向的偏振材料 於該光柵的該至少一第二圖案化區 上施加一具有第二偏振方向的偏振材料 會大體正交該第一偏振方向。 域的至少一部份之 ;以及 域的至少一部份之 ’該第二偏振方向 60.如申請專利範圍第59項之方法， 具進 施加至該光柵之前先預先形成該等偏振材料。 6 1 ·如申请專利範圍第6 〇項之方法， σ玄寺偏振材料形成Langmuir-Blodgett膜。 步包括於 步包括使 62·如申請專利範圍第6〇項之方法， 擇該等偏振材料作為薄膜。

   其進一步包括選 63 ·如申請專利範圍第59項之方法， 振材料包括於該光栅之上沉積該等偏振材 64.如申請專利範圍第63項之方法， 相/儿積法、物理氣相沉積法、或是原子層 沉積製程。 其中施加該等偏 料。 其中利用化學氣 沉積法來實行該

   十一、圖式： 如次頁 29