CN112034675A - 掩膜版、图形制作装置和图形制作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 32
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 22
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 3
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
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Abstract
本发明涉及一种掩膜版，包括掩膜基板、间隔设置在所述掩膜基板上的若干个遮光部以及位于各个所述遮光部之间的若干个开口区，其特征在于，至少一个所述开口区内设置有偏光膜，至少一个所述开口区内不设置偏光膜。本发明还涉及一种图形制作装置和方法，通过采用本发明的掩膜版，可以制作不同比例大小的图形，满足对不同客户的设计需求，缩短了产品的开发周期，降低了生产的成本。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版、图形制作装置和图形制作方法。
背景技术
在液晶显示面板的制作过程中，通常会使用曝光技术，所谓曝光技术，是利用光照将掩膜版上的图形经过光照后投影到光刻胶上，实现图形转移。
在很多情况下，需要在一次曝光过程中获得尺寸、比例不相同的图形，如主辅隔垫物的制作中，需要获得高低不同的主、辅隔垫物。而现有技术中，如图1所示，通常采用半色调(halftone)曝光技术，即使用一张包括掩膜基板1、遮光部2、半色调开口区3和正常开口区4的半色调掩膜版，其中半色调开口区3镀以半透膜，当光照通过半色调开口区时光强会减弱，而正常开口区则不会，通过该方式可以获得不同透过率的光，从而通过一次曝光显影过程，同时制作出尺寸、比例不相同的图形5。
然而，在实际工艺中，会面对不同客户和实验等需求，往往需要不断调节图形的尺寸和比例，由于半色调掩膜版的半色调开口区域的透过率是固定不变的，现有技术中，只能制作不同的半色调掩膜版来获得不同的半色调开口区，从而获得不同的透过率光，以适应不同的图形制作要求。然而，上述方法不仅使得产品开发周期延长，还增加了产品资金投入。
面对上述问题，急需开发能够节约成本和缩短周期的掩膜版以及相应的图形制作装置和方法。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提出一种可变透过率掩膜版，通过对现有技术中掩膜版的改进，只需要使用一张掩膜版，就可以制作不同比例大小的图形，满足对不同客户的设计需求，缩短了产品的开发周期，降低了生产的成本。
具体地，本发明提出了一种掩膜版，包括掩膜基板、间隔设置在所述掩膜基板上的若干个遮光部以及位于各个所述遮光部之间的若干个开口区，其特征在于，至少一个所述开口区内设置有偏光膜，至少一个所述开口区内不设置偏光膜。
进一步的，所述偏光膜为金属偏光膜或碘系偏光膜或染料系偏光膜或聚乙烯偏光膜。
本发明还提出一种图形制作装置，对待图形化基板进行图形化制作，包括上述掩膜版，还包括偏振光源。
进一步的，所述偏振光源包括光源和覆盖在所述光源上的偏光膜。
进一步的，所述待图形化基板为彩膜基板或阵列基板。
本发明还提出一种图形制作方法，采用上述图形制作装置，包括如下步骤：
S1：所述掩膜版平行置于所述待图形化基板上方；
S2：所述偏振光源的照射方向垂直于所述掩膜版；
S3：在平面内旋转所述偏振光源，调整所述偏振光源的偏振方向和所述掩膜版的偏光膜的偏振方向之间的角度；
S4：在设置有偏光膜的所述开口区形成不同的透光率，在待图形化基板上形成不同尺寸比例的图形。
本发明还提出另一种图形制作装置，对待图形化基板进行图形化制作，包括上述掩膜版，还包括光源和偏振基板。
进一步的，所述偏振基板位于所述掩膜版和光源之间。
进一步的，所述偏振基板也可以是位于所述掩膜版和待图形化基板之间。
进一步的，所述待图形化基板为彩膜基板或阵列基板。
本发明还提出另一种图形制作方法，采用上述图形制作装置，包括如下步骤：
S1：所述掩膜版平行置于所述待图形化基板上方；
S2：所述光源的照射方向垂直于所述掩膜版；
S3：所述偏振基板平行置于所述掩膜版与待图形化基板之间或所述光源和掩膜版之间；
S4：在平面内旋转所述偏振基板，调整所述偏振基板的偏振方向与所述掩膜版的偏光膜的偏振方向之间的角度；
S5：在设置有偏光膜的所述开口区形成不同的透光率，在待图形化基板上形成不同尺寸比例的图形。
进一步的，所述待图形化基板上事先形成一层光刻胶。
进一步的，将上述掩膜版应用于主、辅隔垫物的制作中，但不限于主、辅隔垫物的制作。
进一步的，设置有偏光膜的所述开口区对应待图形化基板上辅隔垫物的位置，未设置有偏光膜的所述开口区对应待图形化基板上主隔垫物的位置。
有益效果：
相对于现有技术，本发明的掩膜版不仅制作简单，而且能够搭配偏振装置，实现不同透光率，进而实现一次曝光过程中不同尺寸比例图形的制作，只需要一张本发明的掩膜版，就可以满足不同场景、不同图形的需求，节省了掩膜版的数量，降低了投入成本，也缩短了产品的周期。
附图说明
图1为背景技术中的图形制作示意图。
图2为本发明图形制作实施例一示意图。
图3为本发明图形制作实施例二示意图。
图4为本发明图形制作原理示意图。
附图标记：1掩膜基板；2遮光部；3半色调开口区；4正常开口区；5图形；6光照方向；7开口区；8偏光膜；82第二偏光膜； 9光源；10待图形化基板；11偏振基板。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
结合图2可知，本发明的掩膜版，包括掩膜基板1、间隔设置在所述掩膜基板1上的若干个遮光部2以及位于各个所述遮光部2之间的若干个开口区7，至少一个所述开口区7内设置有偏光膜8，至少一个所述开口区内不设置偏光膜。
具体实施例一：
结合图2可知，本发明的图形制作装置，对待图形化基板10进行图形化制作，包括上述掩膜版、光源9和覆盖在光源9上的第二偏光膜82，将所述掩膜版平行置于所述待图形化基板10上方，所述光源9经过光源9上的第二偏光膜82而发出偏振光源，其照射方向垂直于所述掩膜版，通过在平面内旋转所述光源9，调整所述偏振光源偏振方向和所述掩膜版上偏光膜偏振方向之间的角度，从而在所述掩膜版的偏光膜8对应的开口区形成不同的透光率，最终在待图形化基板10上形成不同尺寸比例的图形5。
本实施例中产生偏振光源的方式不仅仅局限于在光源9上设置偏光膜8，还包括其他能够产生偏振光源的所有方式。
具体实施例二：
结合图3可知，本发明的另一图形制作装置，对待图形化基板 10进行图形化制作，包括上述掩膜版、光源9和偏振基板11，将所述掩膜版平行置于所述待图形化基板10上方，所述光源9的照射方向垂直于所述掩膜版，将所述偏振基板11平行置于所述光源9和掩膜版之间，通过在平面内旋转所述偏振基板11，调整所述偏振基板11偏振方向与所述掩膜版上偏光膜8偏振方向之间的角度，从而在所述掩膜版的偏光膜8对应的开口区形成不同的透光率，最终在待图形化基板10上形成不同尺寸比例的图形5。
本实施例中，还可以将所述偏振基板11平行置于所述掩膜版与待图形化基板之间(图未示)，同样能够实现调节透光率的效果。
上述各个实施例中，所述图形可以是主、辅隔垫物，或其他不同尺寸比例的图形，图2和图3的图形5为高度较高的主隔垫物和高度较低的辅隔垫物，设有偏光膜8的开口区7对应形成辅隔垫物，没有设置偏光膜8的开口区7对应形成主隔垫物。
在优选的实施例中，对应形成辅隔垫物的开口区7内设有偏光膜 8，对应形成主隔垫物的开口区7内没有设置偏光膜。
上述各个实施例中，所述光源可以是曝光机，但不限于曝光机，还包括其他能够产生正常光的装置。
图4示出了上述各实施例中采用同一掩膜版制作不同尺寸比例图形的原理，具体地，a中示出了不设置偏光膜的开口区光强的变化情况，其光照仅经过一块偏振基板或光源上的偏光膜，在调整偏振基板或光源位置的前后，虽然其光的偏振方向发生了改变，但其最终出射的光强度不变；b中示出了设置偏光膜的开口区光强的变化情况，其光照不仅经过一块偏振基板或光源上的偏光膜，还经过掩膜版上的偏光膜，在调整偏振基板或光源位置的前后，偏振基板或光源上偏光膜与掩膜版上的偏光膜组成一个整体，起到光阀的作用，随着调整位置的变化，二者偏振方向的夹角发生变化，调整后夹角增大，设置偏光膜的开口区透光率降低(当二者偏振方向垂直时，透光率最低)；调整后夹角变小，设置偏光膜的开口区透光率则增大。通过以上调整角度的过程，在不设置偏光膜的开口区对应图行尺寸不会变化，而设置偏光膜的开口区对应图形尺寸则会变化，这样就可以调节设置偏光膜和不设置偏光膜开口区对应图形的尺寸比例值，最终在待图形化基板上形成不同尺寸比例的图形。
本发明的掩膜版不仅制作简单，而且能够搭配偏振装置，实现不同透光率，进而实现一次曝光过程中不同尺寸比例图形的制作，只需要一张本发明的掩膜版，就可以满足多个场景、多种图形的需求，节省了掩膜版的数量，降低了投入成本，也缩短了产品的周期。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种掩膜版，包括掩膜基板、间隔设置在所述掩膜基板上的若干个遮光部以及位于各个所述遮光部之间的若干个开口区。其特征在于，至少一个所述开口区内设置有偏光膜，至少一个所述开口区内不设置偏光膜。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述偏光膜为金属偏光膜或碘系偏光膜或染料系偏光膜或聚乙烯偏光膜。
3.一种图形制作装置，对待图形化基板进行图形化制作，包括权利要求1-2中任一项所述的掩膜版，其特征在于，还包括偏振光源。
4.根据权利要求3所述的图形制作装置，其特征在于，所述偏振光源包括光源和覆盖在所述光源上的偏光膜。
5.一种图形制作装置，对待图形化基板进行图形化制作，包括权利要求1-2中任一项所述的掩膜版，其特征在于，还包括光源和偏振基板。
6.根据权利要求5所述的图形制作装置，其特征在于，所述偏振基板位于所述掩膜版和光源之间。
7.根据权利要求5所述的图形制作装置，其特征在于，所述偏振基板位于所述掩膜版和待图形化基板之间。
8.一种图形制作方法，采用权利要求3或4所述的图形制作装置，其特征在于，包括如下步骤：
S1：所述掩膜版平行置于所述待图形化基板上方；
S2：所述偏振光源的照射方向垂直于所述掩膜版；
S3：在平面内旋转所述偏振光源，调整所述偏振光源的偏振方向和所述掩膜版的偏光膜的偏振方向之间的角度；
S4：在设置有偏光膜的所述开口区形成不同的透光率，在待图形化基板上形成不同尺寸比例的图形。
9.一种图形制作方法，采用权利要求5-7任一所述的图形制作装置，其特征在于，包括如下步骤：
S1：所述掩膜版平行置于所述待图形化基板上方；
S2：所述光源的照射方向垂直于所述掩膜版；
S3：所述偏振基板平行置于所述掩膜版与待图形化基板之间或所述光源和掩膜版之间；
S4：在平面内旋转所述偏振基板，调整所述偏振基板的偏振方向与所述掩膜版的偏光膜的偏振方向之间的角度；
S5：在设置有偏光膜的所述开口区形成不同的透光率，在待图形化基板上形成不同尺寸比例的图形。
10.根据权利要求8或9所述的图形制作方法，其特征在于，所述待图形化基板上事先形成一层光刻胶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010932192.5A CN112034675A (zh) | 2020-09-08 | 2020-09-08 | 掩膜版、图形制作装置和图形制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112034675A true CN112034675A (zh) | 2020-12-04 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010932192.5A Pending CN112034675A (zh) | 2020-09-08 | 2020-09-08 | 掩膜版、图形制作装置和图形制作方法 |
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| CN (1) | CN112034675A (zh) |
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