CN110806675A - 掩模板及彩膜基板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种掩模板及彩膜基板的制备方法,该掩模板包括与色阻对应的图案部,图案部包括对应于色阻显示区的第一区域和对应于色阻非显示区的第二区域;图案部上设置有至少一条缝隙,使透过缝隙的光线发生衍射,缝隙位于所述第二区域。本申请在掩模板的图案部的第二区域设置缝隙,当采用本掩模板对光刻胶层进行曝光时,光线穿过缝隙时发生衍射效应,进而降低了缝隙两侧遮光部分的遮光效果,使得对应于图案部的图案化的色阻两侧的斜坡角度增加,斜坡的宽度缩短。
Description
技术领域
本申请涉及一种显示技术,特别涉及一种掩模板及彩膜基板的制备方法。
背景技术
随着市场对显示器分辨率的要求增高。现有掩模板设计时像素的尺寸越来越小,相邻像素显示区域间距越来越小,可以给彩膜基板的相邻色阻的间距越来越小,而间距不足会导致相邻色阻堆叠过高,影响产品品质。
发明内容
本申请实施例提供一种掩模板及彩膜基板的制备方法,以解决现有的掩模板在形成彩膜基板相邻色阻时堆叠过高的技术问题。
本申请实施例提供一种掩模板,用于彩膜基板的制程,所述彩膜基板包括色阻,其中,所述掩模板包括与所述色阻对应的图案部,所述图案部包括对应于所述色阻显示区的第一区域和对应于所述色阻非显示区的第二区域;
其中,所述图案部上设置有至少一条缝隙,使透过所述缝隙的光线发生衍射,所述缝隙位于所述第二区域。
在本申请实施例的掩模板中,所述色阻的材料为正性光刻胶,所述图案部为遮光部分。
在本申请实施例的掩模板中,所述缝隙包括相对设置的边界线,所述边界线为直线状或锯齿状。
在本申请实施例的掩模板中,所述缝隙的数量为两条,两条所述缝隙关于所述图案部的中心线对称设置。
本申请实施例还涉及一种彩膜基板的制备方法,其包括以下步骤:
提供一基板;
采用第一掩模板在所述基板上形成图案化的第一色阻;在所述基板上形成图案化的第二色阻;在所述基板上形成图案化的第三色阻;所述图案化的第一色阻、第二色阻和第三色阻形成色阻层;所述第一掩模板包括与所述第一色阻对应的第一图案部,所述第一图案部包括对应于所述第一色阻显示区的第一区域和对应于所述第一色阻非显示区的第二区域,所述第一图案部上设置有至少一条第一缝隙,使透过所述第一缝隙的光线发生衍射,所述第一缝隙位于所述第二区域;
在所述色阻层上形成平坦层。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中,所述第一色阻的材料为正性光刻胶,所述第一图案部为遮光部分。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中,所述第一缝隙包括相对设置的第一边界线,所述第一边界线为直线状或锯齿状。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中,所述第一缝隙的数量为两个,两条所述第一缝隙关于所述第一图案部的中心线对称设置。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中,采用第二掩模板在所述基板上形成图案化的第二色阻;
所述第二掩模板包括与所述第二色阻对应的第二图案部,所述第二图案部包括对应于所述第二色阻显示区的第三区域和对应于所述第二色阻非显示区的第四区域,所述第二图案部上设置有至少一条第二缝隙,使透过所述第二缝隙的光线发生衍射;所述第二缝隙位于所述第四区域,且至少一条所述第二缝隙位于靠近所述第一色阻的一侧。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中,所述第二缝隙包括相对设置的第二边界线,所述第二边界线为直线状或锯齿状。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中,所述第二缝隙的数量为两个,两条所述第二缝隙关于所述第二图案部的中心线对称设置。
相较于现有技术的掩模板,本申请的掩模板及彩膜基板的制备方法通过在掩模板的图案部的第二区域(对应于色阻非显示区的区域)设置缝隙,当采用本掩模板对光刻胶层进行曝光时,光线穿过缝隙时发生衍射效应,进而降低了缝隙两侧遮光部分的遮光效果,使得对应于图案部的图案化的色阻两侧的斜坡角度增加,斜坡的宽度缩短。由于色阻两侧的斜坡角度的增加和宽度的缩小,因此当相邻的两个色阻堆叠时,起到了降低色阻堆叠高度的效果;解决了现有的掩模板在形成彩膜基板相邻色阻时堆叠过高的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请实施例的掩模板的结构示意图;
图2为现有技术的掩模板形成的色阻和本申请实施例的掩模板形成的色阻的对比图;
图3为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的一流程示意图;
图4为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的另一流程示意图;
图5为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的第一掩模板的结构示意图;
图6为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的第二掩模板的结构示意图。
具体实施方式
请参照附图中的图式,其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例,其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
请参照图1,图1为本申请实施例的掩模板的结构示意图。本申请实施例提供一种用于彩膜基板制程的掩模板100。彩膜基板包括色阻。掩模板100包括与色阻对应的图案部11。图案部11包括对应于色阻显示区的第一区域a和对应于色阻非显示区的第二区域b。
其中,图案部11上设置有至少一条缝隙12,使透过所述缝隙12的光线发生衍射。缝隙12位于所述第二区域b。
在本申请实施例中,色阻的材料为正性光刻胶。图案部11为遮光部分。
其中,在对应于色阻非显示区的图案部11的位置上设置缝隙12。即缝隙12对应于色阻的边缘区域。当采用本实施例的掩模板100进行曝光,光线穿过缝隙12时发生衍射效应。光线进入缝隙12两侧的图案部11,降低了缝隙12两侧的部分图案部11的遮光效果。
当光线发生衍射,光线照射到图案部11对应于色阻的非显示区(边缘部分),使得色阻的边缘部分被光线照射。从而在进行显影的步骤时,采用本实施例的掩模板100形成的色阻B的边缘部分相较于现有技术的掩模板形成的色阻A,本实施例的色阻B的宽度会被缩短,斜坡的坡度也会增大,即减少了色阻边缘部分的色阻量。具体参照图2,图2为现有技术的掩模板形成的色阻和本申请实施例的掩模板形成的色阻的对比图。
而相较于现有技术中的色阻堆叠,本实施例的相邻的色阻边缘部分缩短且坡度增大,大大减少了色阻边缘部分的色阻量,所以当两个相邻的色阻的边缘部分发生堆叠时,两色阻边缘部分交叠的区域减小,色阻堆叠的高度低于现有技术中色阻堆叠的高度。
在本申请实施例的掩模板100中,缝隙12包括相对设置的边界线12a。边界线12a为直线状或锯齿状。在本实施例中,边界线12a为直线状。
在一些实施例中,在两条边界线12a中,靠近第一区域a的边界线12a为直线状,远离第一区域a的边界线12a为锯齿状。这样的设置,当光线照射到锯齿状的边界线12a时,光线发生衍射效应,照射在色阻的边缘外侧部分,进一步减少色阻成型后,其边缘部分的色阻量。
另外,缝隙12的数量为两条。两条缝隙12关于图案部11的中心线对称设置。这样的设置,使得形成色阻时,色阻两侧的边缘部分宽度缩短,斜坡的坡度增大,减少了边缘部分的色阻量。
请参照图3和图4,图3为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的一流程示意图;图4为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的另一流程示意图。本申请实施例还涉及一种彩膜基板的制备方法,其包括以下步骤:
S1:提供一基板;
S2:采用第一掩模板在所述基板上形成图案化的第一色阻;在所述基板上形成图案化的第二色阻;在所述基板上形成图案化的第三色阻;所述图案化的第一色阻、第二色阻和第三色阻形成色阻层;所述第一掩模板包括与所述第一色阻对应的第一图案部,所述第一图案部包括对应于所述第一色阻显示区的第一区域和对应于所述第一色阻非显示区的第二区域,所述第一图案部上设置有至少一条第一缝隙,使透过所述第一缝隙的光线发生衍射,所述第一缝隙位于所述第二区域;
S3:在所述色阻层上形成平坦层。
下面对本申请实施例的彩膜基板200的制备方法进行具体的阐述。
步骤S1:提供一基板21。基板21可以为硬性基板或柔性基板。可选的,基板21为玻璃基板。随后转入步骤S2。
步骤S2:采用第一掩模板31在所述基板21上形成图案化的第一色阻221;在所述基板21上形成图案化的第二色阻222;在所述基板21上形成图案化的第三色阻223;所述图案化的第一色阻221、第二色阻222和第三色阻223形成色阻层22。
其中第一掩模板31包括与所述第一色阻221对应的第一图案部311。所述第一图案部311包括对应于所述第一色阻221显示区22a的第一区域31a和对应于所述第一色阻222非显示区22b的第二区域31b。所述第一图案部311上设置有至少一条第一缝隙312,使透过所述第一缝隙312的光线发生衍射.所述第一缝隙312位于所述第二区域31b。
形成图案化的第一色阻221的步骤包括:首先,在基板21上形成一第一光刻胶层,第一光刻胶层为正性光刻胶;随后采用第一掩模板31对第一光刻胶层进行曝光,其中第一图案部311对应于待形成的第一色阻221,第一图案部311为遮光部分;在进行曝光时,光线穿过第一缝隙312产生衍射效应,使得光线照射到第一色阻221的非显示区(边缘部分);最后,对第一光刻胶层进行显影,得到图案化的第一色阻221。本实施例的第一色阻221的非显示区(边缘部分)受到光衍射的影响,使得第一色阻221的边缘部分的宽度缩短以及斜坡的坡度增大,进而减少了边缘部分的色阻量。
进一步的,请参照图5。所述第一缝隙312包括相对设置的第一边界线312a。所述第一边界线312a为直线状或锯齿状。在本实施例中,第一边界线312a为直线状。
在一些实施例中,在两条第一边界线312a中,靠近第一区域31a的第一边界线312a为直线状,远离第一区域31a的第一边界线312a为锯齿状。这样的设置,当光线照射到锯齿状的第一边界线312a时,光线发生衍射效应,照射在第一色阻221的边缘外侧部分,进一步减少第一色阻221成型后,其边缘部分的色阻量。
另外,在本实施例中,第一缝隙312的数量为两个。两条第一缝隙312关于所述第一图案部311的中心线对称设置。这样的设置,使得形成第一色阻221时,第一色阻221两侧的边缘部分宽度缩短,斜坡的坡度增大,减少了边缘部分的色阻量。
在形成图案化的第二色阻222的制程中,采用第二掩模板32形成图案化的第二色阻222。其中第二掩模板32包括与第二色阻222对应的第二图案部321。第二图案部321包括对应于第二色阻222显示区22c的第三区域32a和对应于第二色阻222非显示区22d的第四区域32b。第二图案部321上设置有至少一条第二缝隙322,使透过第二缝隙322的光线发生衍射。第二缝隙322位于第四区域32b,且至少一条第二缝隙322位于靠近第一色阻221的一侧。
形成图案化的第二色阻222的步骤包括:首先,在基板21上形成一第二光刻胶层,第二光刻胶层为正性光刻胶;随后采用第二掩模板32对第二光刻胶层进行曝光,其中第二图案部321对应于待形成的第二色阻222,第二图案部321为遮光部分;在进行曝光时,光线穿过第二缝隙322产生衍射效应,使得光线照射到第二色阻222的非显示区(边缘部分);最后,对第二光刻胶层进行显影,得到图案化的第二色阻222。本实施例的第二色阻222的非显示区(边缘部分)受到光衍射的影响,使得第二色阻222的边缘部分的宽度缩短以及斜坡的坡度增大,进而减少了边缘部分的色阻量。
在本实施例中,由于第一色阻221和第二色阻222之间的距离较小,使得第一色阻221和第二色阻222的边缘部分产生交叠,进行发生堆叠现象。而此时,本申请的实施例通过在第一掩模板31设置第一缝隙312和在第二掩模板32设置第二缝隙322,缩小了第一色阻221边缘部分和第二色阻222的边缘部分,进而减小了第一色阻221和第二色阻222的交叠区域,从而降低了二者的堆叠高度。
请参照图6,第二缝隙322包括相对设置的第二边界线322a。第二边界线322a为直线状或锯齿状。在本实施例中,第二边界线322a为直线状。
在一些实施例中,在两条第二边界线322a中,靠近第一区域32a的第二边界线322a为直线状,远离第一区域32a的第二边界线322a为锯齿状。这样的设置,当光线照射到锯齿状的第二边界线322a时,光线发生衍射效应,照射在第二色阻222的边缘外侧部分,进一步减少第二色阻222成型后,其边缘部分的色阻量。
另外,第二缝隙322的数量为两个。两条第二缝隙322关于第二图案部321的中心线对称设置。这样的设置,使得形成第二色阻222时,第二色阻222两侧的边缘部分宽度缩短,斜坡的坡度增大,减少了边缘部分的色阻量。
在形成图案化的第三色阻223的制程中,采用第三掩模板33形成图案化的第三色阻223。其中,第三掩模板33的结构可以与第一掩模板31的结构一致,也可以与第一掩模板31的结构不同。在本实施例中,第三掩模板33的结构与第一掩模板31的结构一致,此处不再赘述。形成图案化的第三色阻223的步骤也与形成第一色阻221的步骤相同或相似。
可选的,第一色阻221、第二色阻222和第三色阻223为不同颜色的色阻,比如分别为红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。
第一色阻221、第二色阻222和第三色阻223形成色阻层22。随后转入步骤S3。
步骤S3:在所述色阻层22上形成平坦层23。
这样便完成了本申请实施例的彩膜基板的制备方法的步骤。
相较于现有技术的掩模板,本申请的掩模板及彩膜基板的制备方法通过在掩模板的图案部的第二区域(对应于色阻非显示区的区域)设置缝隙,当采用本掩模板对光刻胶层进行曝光时,光线穿过缝隙时发生衍射效应,进而降低了缝隙两侧遮光部分的遮光效果,使得对应于图案部的图案化的色阻两侧的斜坡角度增加,斜坡的宽度缩短。由于色阻两侧的斜坡角度的增加和宽度的缩小,因此当相邻的两个色阻堆叠时,起到了降低色阻堆叠高度的效果;解决了现有的掩模板在形成彩膜基板相邻色阻时堆叠过高的技术问题。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本申请后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种掩模板,用于彩膜基板的制程,所述彩膜基板包括色阻,其特征在于,所述掩模板包括与所述色阻对应的图案部,所述图案部包括对应于所述色阻显示区的第一区域和对应于所述色阻非显示区的第二区域;
其中,所述图案部上设置有至少一条缝隙,使透过所述缝隙的光线发生衍射,所述缝隙位于所述第二区域。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述色阻的材料为正性光刻胶,所述图案部为遮光部分。
3.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述缝隙包括相对设置的边界线,所述边界线为直线状或锯齿状。
4.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述缝隙的数量为两条,两条所述缝隙关于所述图案部的中心线对称设置。
5.一种彩膜基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板;
采用第一掩模板在所述基板上形成图案化的第一色阻;在所述基板上形成图案化的第二色阻;在所述基板上形成图案化的第三色阻;所述图案化的第一色阻、第二色阻和第三色阻形成色阻层;所述第一掩模板包括与所述第一色阻对应的第一图案部,所述第一图案部包括对应于所述第一色阻显示区的第一区域和对应于所述第一色阻非显示区的第二区域,所述第一图案部上设置有至少一条第一缝隙,使透过所述第一缝隙的光线发生衍射,所述第一缝隙位于所述第二区域;
在所述色阻层上形成平坦层。
6.根据权利要求5所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述第一色阻的材料为正性光刻胶,所述第一图案部为遮光部分。
7.根据权利要求5所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述第一缝隙包括相对设置的第一边界线,所述第一边界线为直线状或锯齿状。
8.根据权利要求5所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述第一缝隙的数量为两个,两条所述第一缝隙关于所述第一图案部的中心线对称设置。
9.根据权利要求5所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,采用第二掩模板在所述基板上形成图案化的第二色阻;
所述第二掩模板包括与所述第二色阻对应的第二图案部,所述第二图案部包括对应于所述第二色阻显示区的第三区域和对应于所述第二色阻非显示区的第四区域,所述第二图案部上设置有至少一条第二缝隙,使透过所述第二缝隙的光线发生衍射;所述第二缝隙位于所述第四区域,且至少一条所述第二缝隙位于靠近所述第一色阻的一侧。
10.根据权利要求9所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述第二缝隙包括相对设置的第二边界线,所述第二边界线为直线状或锯齿状。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20200218 |