KR102290753B1 - 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 상에 제1 물질층 및 제1 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 제1 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광할 수 있다. 제1 포토레지스트막을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제1 패턴을 형성할 수 있다. 제1 패턴 상에 제2 물질층 및 제2 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 제1 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 중첩 영역과 소정의 간격으로 이격시켜 노광할 수 있다. 제2 포토레지스트막을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제2 패턴을 형성할 수 있다. 제2 패턴 상에 제3 물질층 및 제3 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 제3 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 제2 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 경계 부분과 소정의 간격으로 이격시켜 노광할 수 있다. 제3 포토레지스트막을 현상하여 제3 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 제3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제3 패턴을 형성할 수 있다.

Description

패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법{METHOD OF FORMING A PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY PANEL USING A METHOD OF FORMING A PATTERN}
본 발명은 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 선택적인 중첩 분할 노광 방식을 이용하여 패턴을 형성하는 방법과 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치가 대형화됨에 따라, 기판을 분할하여 노광하는 분할 노광 공정이 사용되고 있다. 일반적으로, 분할 노광 공정에서는 마스크를 사용하여 실시되는 한 번의 노광 공정의 단위를 샷(shot)이라 정의하며, 하나의 샷에 대응되는 기판의 노광 영역을 샷 영역이라 정의한다.
그러나, 실제의 샷은 전이, 회전, 비틀림 등과 같은 왜곡이 발생하기 때문에, 인접하는 샷 간의 경계 부분이 정확하게 정렬되지 않아, 인접하는 샷 간의 경계 부분이 육안으로 시인되는 스티치 불량이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 표시 장치를 제조하는 과정에 있어서, 동일한 노광 공정들만을 실시하여 상기 표시 장치의 각 레벨의 패턴을 형성하기 때문에, 샷 간의 경계 부분들이 각 패턴을 형성하는 층마다 누적되어 표시 장치의 특정 부위에 강한 스티치 불량이 야기되는 문제점이 있다.
본 발명의 일 목적은 패턴으로 형성되는 층에 선택적으로 중첩 분할 노광 방식을 실시하여 샷 간의 경계 부분들을 분산시킴에 따라, 표시 품질을 향상시킬 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 패턴 형성 방법을 이용하는 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적들이 상술한 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법은 액티브 영역을 포함하는 기판 상에 제1 물질층을 형성할 수 있다. 상기 제1 물질층 상에 제1 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제1 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광할 수 있다. 상기 제1 포토레지스트막을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제1 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제1 패턴 상에 제2 물질층을 형성할 수 있다. 상기 제2 물질층 상에 제2 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 상기 제1 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 중첩 영역과 소정의 간격으로 이격시켜 노광할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트막을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 제2 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제2 패턴 상에 제3 물질층을 형성할 수 있다. 상기 제3 물질층 상에 제3 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 상기 제2 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 경계 부분과 소정의 간격으로 이격시켜 노광할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트막을 현상하여 제3 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제3 패턴을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정에서, 제1 메인 투과 패턴, 제1 서브 투과 패턴 및 제1 차광 패턴을 포함하는 제1 마스크를 사용하여 상기 제1 포토레지스트막에 제1 샷을 실시할 수 있다. 제2 메인 투과 패턴, 제2 서브 투과 패턴 및 제2 차광 패턴을 포함하는 제2 마스크를 사용하여 상기 제1 포토레지스트막에 제2 샷을 실시할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 패턴은, 상기 제1 마스크의 상기 제1 메인 투과 패턴에 의해 형성되는 제1 메인 패턴, 상기 제1 마스크의 상기 제1 서브 투과 패턴에 의해 형성되는 제1 서브 패턴, 상기 제2 마스크의 상기 제2 메인 투과 패턴에 의해 형성되는 제2 메인 패턴 및 상기 제2 마스크의 상기 제2 서브 투과 패턴에 의해 형성되는 제2 서브 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 중첩 영역 내에 형성되는 제1 패턴은 상기 제1 서브 패턴과 상기 제2 서브 패턴이 상호 보완되어 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 중첩 영역 내에서, 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향에 따라, 상기 제1 서브 패턴의 수는 점진적으로 감소될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 중첩 영역 내에서, 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향에 따라, 상기 제2 서브 패턴의 수는 점진적으로 증가될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 포토레지스트막에 제1 샷을 실시하는 단계와 상기 제1 포토레지스트막에 제2 샷을 실시하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 실시되는 샷의 횟수, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 실시되는 샷의 횟수 및 상기 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 실시되는 샷의 횟수는 실질적으로 다를 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 사용되는 마스크의 패턴의 수, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 사용되는 마스크의 패턴의 수 및 상기 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 사용되는 마스크의 패턴의 수는 실질적으로 다를 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 상기 액티브 영역 보다 실질적으로 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 패턴 및 상기 제3 패턴은 각기 스트라이프(stripe) 형상을 가지고, 상기 제2 패턴은 아일랜드(island) 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제3 패턴들은 각기 금속 패턴 또는 수지 패턴을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제3 포토레지스트막들은 각기 포지티브 타입(positive type)을 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역으로 분할하여 노광하는 과정에서 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 패턴은 스트라이프 형상을 가질 수 있다.
또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 포토레지스트막을 복수의 샷 영역으로 분할하여 노광하는 과정에서 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법은 액티브 영역을 포함하는 기판 상에 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막을 형성할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막 상에 제1 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제1 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광할 수 있다. 상기 제1 포토레지스트막을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 블랙 매트릭스 패턴을 형성할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스 패턴 상에 컬러 필터 형성용 막을 형성할 수 있다. 상기 컬러 필터 형성용 막 상에 제2 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 상기 제1 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 중첩 영역과 소정의 간격으로 이격시킨 다음 노광할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트막을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 제1 내지 제3 컬러 필터들을 형성할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들 상에 오버코트층 형성용 막을 형성할 수 있다. 상기 오버코트층 형성용 막 상에 제3 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 상기 제2 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 경계 부분과 소정의 간격으로 이격시킨 다음 노광할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트막을 현상하여 제3 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 오버코트층을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정에 있어서, 제1 메인 투과 패턴, 제1 서브 투과 패턴 및 제1 차광 패턴을 포함하는 제1 마스크를 사용하여 상기 제1 포토레지스트막에 제1 샷을 실시할 수 있다. 제2 메인 투과 패턴, 제2 서브 투과 패턴 및 제2 차광 패턴을 포함하는 제2 마스크를 사용하여 상기 제1 포토레지스트막에 제2 샷을 실시할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 블랙 매트릭스 패턴은 상기 제1 마스크의 상기 제1 메인 투과 패턴에 의해 형성되는 제1 메인 블랙 매트릭스 패턴, 상기 제1 마스크의 상기 제1 서브 투과 패턴에 의해 형성되는 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴, 상기 제2 마스크의 상기 제2 메인 투과 패턴에 의해 형성되는 제2 메인 블랙 매트릭스 패턴 및 상기 제2 마스크의 상기 제2 서브 투과 패턴에 의해 형성되는 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 중첩 영역 내에 형성되는 블랙 매트릭스 패턴은 상기 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴과 상기 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴이 상호 보완되어 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 중첩 영역 내에서, 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향에 따라, 상기 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴의 수는 점진적으로 감소되며, 상기 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴의 수는 점진적으로 증가될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판의 저면 상에 편광 부재를 추가적으로 형성할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 따르면, 각 층에 패턴을 형성함에 있어서, 선택적으로 분할 중첩 노광 공정을 적용하며, 각 층의 샷 영역을 분할함에 있어서, 중첩 분할 노광 방식이 사용된 층에 실시된 샷 간의 경계 부분과 분할 노광 공정이 사용된 층에 실시된 샷 간의 경계 부분을 서로 분산시킴으로써, 중첩 분할 노광 방식이 사용된 층과 분할 노광 공정이 사용된 층 간의 패턴 차이를 서로 보완할 수 있다. 그 결과, 샷 간의 경계의 중첩으로 인하여 야기되는 스티치 불량을 화면 전체에 분산시켜 화질 불량을 감소시킬 수 있다. 이와 같이, 간단하게 각 층의 샷 영역 분할 방식만을 변경하기 때문에, 제조 원가 및 공정 시간의 증가 없이 대형 기판 상에도 다양한 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 인접하는 샷 영역에 형성되는 패턴들은 공간적으로 서서히 섞이게 마련됨으로써, 샷 간의 경계가 육안으로 나타나는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 샷 무라(shot mura)와 같은 불량 발생을 억제할 수 있다. 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법은 상술한 패턴 형성 방법을 사용하기 때문에, 공정 시간을 단축시키고 제조 원가를 절감시키며 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 대형 표시 패널을 제조함에 있어서, 상술한 패턴 형성 방법을 적용하여 향상된 신뢰성을 가지며 고해상도를 구현할 수 있는 표시 패널을 제공할 수 있다.
그러나, 본 발명의 효과가 상술한 바에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 있어서, 모든 샷 영역들의 경계 부분을 나타내는 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 있어서, 중첩 영역에 제1 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 사용되는 제1 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 사용되는 제2 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 3a의 A 부분을 확대한 평면도이다.
도 7은 도 3b의 B 부분을 확대한 평면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법을 보다 상세하게 설명한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 평면도들이다. 이하에서는, 분할 노광 공정에서 마스크를 사용하여 실시되는 한 번의 노광 공정의 단위를 샷(shot)으로 정의하며, 하나의 샷에 대응되는 기판의 노광 영역을 샷 영역으로 정의한다.
도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 기판(110)이 대형화됨에 따라, 기판(110)에는 하나의 액티브 영역(115)이 형성될 수 있다. 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 있어서, 제1 포토레지스트막, 제2 포토레지스트막 및 제3 포토레지스트막은 각기 복수의 샷들에 의해 분할 노광될 수 있으며, 선택적으로는 분할 중첩 노광되어 제1 패턴, 제2 패턴 및 제3 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 내지 제3 포토레지스트막들은 각기 포지티브 타입(positive type)일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 포토레지스트막들이 각기 포지티브 타입일 경우, 상기 제1 내지 제3 포토레지스트막들은 후속하는 현상 공정 시에 제거되므로, 제1 내지 제3 포토레지스트 패턴들은 각기 제1 내지 제3 패턴들과 동일한 형상을 가질 수 있다. 이와는 달리, 제1 내지 제3 포토레지스트막들이 각기 네거티브 타입(negative type)일 경우, 상기 제1 내지 제3 포토레지스트막들은 후속하는 현상 공정 시에 제거되지 않으므로, 제1 내지 제3 포토레지스트 패턴들은 각기 제1 내지 제3 패턴들과 반대되는 형상을 가질 수 있다.
도 1a에 예시한 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트막은 5개의 샷 영역(11, 12, 13, 14, 15)으로 분할되어 노광될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 포토레지스트막은 기판(110) 상에 배치된 제1 물질층(120) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 물질층(120) 상에 상기 제1 포토레지스트막을 형성한 후, 상기 제1 포토레지스트막에 대해 분할 노광 공정을 5회 반복적으로 진행하고, 노광된 제1 포토레지스트막을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 제1 물질층(120)을 패터닝함으로써, 기판(110) 상에 제1 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 패턴은 금속 패턴 또는 수지 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 패턴의 형성 과정에 대해서는 후술한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 인접하는 샷 영역들(11, 12)의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역(10)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 중첩 영역(10)은 약 20,000um 내지 약 30,000um의 폭을 가질 수 있다. 중첩 영역(10)이 전술한 범위의 폭을 가질 경우, 인접하는 샷 영역들(11, 12)의 경계 부분의 시인성이 가장 효과적으로 저하될 수 있다. 이 경우, 샷 영역의 크기에 따라 중첩 영역(10)이 형성되는 위치 및/또는 중첩 영역(10)의 폭은 다양하게 설정될 수 있다. 이러한 샷 영역의 크기는 기판(110)의 크기에 따라 결정될 수 있으며, 기판(110)의 크기가 커질수록, 상기 샷 영역의 크기는 작아질 수 있다.
상술한 바에 있어서는, 상기 제1 포토레지스트막을 5회 분할 노광하고, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역(10)을 중첩 노광하지만, 기판의 크기 및 상기 제1 포토레지스트막 노 광용 마스크의 크기 등에 따라, 샷 영역을 6개 또는 7개로 분할하여 분할 노광을 진행한 다음, 중첩 노광을 진행할 수도 있다. 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 제1 포토레지스트막을 5개의 샷 영역(11, 12, 13, 14, 15)으로 분할하여 노광을 진행하며, 각각의 샷 영역 마다 인접하는 샷 영역과 중첩되는 중첩 영역(10)은 중첩 노광을 진행하여 패턴 마진을 확보할 수 있다.
도 1b에 예시한 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트막을 3개의 샷 영역(21, 22, 23)으로 분할 노광하되, 인접하는 샷들(21, 22)의 경계 부분(20)은 제1 패턴용 샷 간의 경계 부분(즉, 중첩 영역(10))과 소정의 간격으로 이격시킨 다음 분할 노광할 수 있다. 상기 제1 패턴 상에 제2 물질층(150)을 형성한 다음, 제2 물질층(150) 상에 상기 제2 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트막을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제2 물질층(150)을 패터닝함으로써, 제2 패턴을 수득할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 패턴은 금속 패턴 또는 수지 패턴을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 제1 패턴을 형성하는 경우와는 달리, 샷 영역들을 서로 중첩시키지 않으면서 상기 제2 포토레지스트막을 분할 노광한다.
도 1c에 예시한 바와 같이, 상기 제3 포토레지스트막을 복수의 샷(31, 32)으로 노광하되, 인접하는 샷들(31, 32)의 경계 부분(30)은 상기 제1 패턴 형성용 샷 간의 경계 부분(10) 및 상기 제2 패턴 형성용 샷 간의 경계 부분(20)과 소정의 간격으로 이격시킨 다음 분할 노광할 수 있다. 상기 제2 패턴 상에 제3 물질층(170)을 형성한 다음, 제3 물질층(170) 상에 상기 제3 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트막을 현상하여 제3 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 제3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제3 물질층(170)을 패터닝함으로써, 제3 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 패턴은 금속 패턴 또는 수지 패턴을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 제2 패턴을 형성하는 경우와 동일하게 샷 영역들을 서로 중첩시키지 않으면서 상기 제3 포토레지스트막을 분할 노광한다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 따르면, 샷 영역을 분할함에 있어서, 중첩 분할 노광 방식이 사용된 층에 실시된 샷 간의 경계 부분과 분할 노광 공정이 사용된 층에 실시된 샷 간의 경계 부분을 서로 분산시킴으로써, 중첩 분할 노광 방식이 사용된 층과 분할 노광 공정이 사용된 층 간의 패턴 차이를 서로 보완시키기 때문에 층간 패턴 유동으로 인해 발생하는 스티치 불량을 방지할 수 있다. 상술한 샷 분할 방식을 적용하여 대형 기판 상에 다양한 패턴들을 형성할 수 있으며, 나아가 향상된 신뢰성을 가지며 고해상도를 구현할 수 있는 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 있어서, 모든 샷 영역들의 경계 부분을 나타내는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 제1 내지 제3 패턴 형성용 샷 간의 경계 부분들(10, 20, 30)은 모두 분산되어 있다. 즉, 제1 내지 제3 패턴 형성용 샷 간의 경계 부분들(10, 20, 30)을 각 패턴을 형성하는 층마다 중첩시키지 않고 모두 분산시킴으로써, 스티치 불량을 화면 전체에 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 스티치 불량이 특정 부분에 집중적으로 강하게 나타나는 라인 결함(line defect)과 같은 화면 불량을 방지할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 패턴을 형성하기 위해 실시되는 샷의 횟수, 상기 제2 패턴을 형성하기 위해 실시되는 샷의 횟수 및 상기 제3 패턴을 형성하기 위해 실시되는 샷의 횟수는 다를 수 있다. 또한, 상기 제1 패턴을 형성하기 위해 사용되는 마스크 패턴의 수, 상기 제2 패턴을 형성하기 위해 사용되는 마스크 패턴의 수 및 상기 제3 패턴을 형성하기 위해 사용되는 마스크 패턴의 수는 다를 수 있다. 이와 같이, 패턴 형성용 샷 간의 경계 부분들(10, 20, 30)을 각 패턴을 형성하는 층마다 중첩시키지 않고 분산시키기 때문에, 층 간의 패턴 불균일을 최소화시킬 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 있어서, 중첩 영역에 제1 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 사용되는 제1 마스크를 나타내는 평면도이다. 도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법에 사용되는 제2 마스크를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 3a의 A 부분을 확대한 평면도이다. 도 7은 도 3b의 B 부분을 확대한 평면도이다.
도 3a 내지 도 7을 참조하면, 제1 마스크(130) 및 제2 마스크(140)는 제1 포토레지스트막(125)을 노광하는 마스크일 수 있다. 예를 들면, 제1 마스크(130)는 제1 포토레지스트막(125)에 제1 샷을 실시하는 경우 사용되며, 제2 마스크(140)는 제1 포토레지스트막(125)에 제2 샷을 실시하는 경우 사용된다.
상기 제1 샷에 의해 수득된 제1 포토레지스트 패턴(126a)을 식각 마스크로 사용하여 제1 샷 영역(11) 및 중첩 영역(10)에 제1 메인 패턴(도시되지 않음) 및 제1 서브 패턴(124)을 형성할 수 있고, 상기 제2 샷에 의해 수득된 제1 포토레지스트 패턴(126b)을 식각 마스크로 사용하여 제2 샷 영역(12) 및 중첩 영역(10)에 제2 메인 패턴(도시되지 않음) 및 제2 서브 패턴(128)을 형성할 수 있다. 이 경우, 중첩 영역(10)에 형성되는 패턴은 제1 마스크(130)와 제2 마스크(140)에 의해 상호 보완되어 형성될 수 있다. 달리 말하면, 중첩 영역(10)에 형성되는 패턴은 제1 마스크(130)의 제1 서브 투과 패턴(134)과 제2 마스크(140)의 제2 서브 투과 패턴(144)에 의해 형성되는 패턴들(즉, 제1 서브 패턴(124) 및 제2 서브 패턴(128))이 공간적으로 서서히 섞임으로서 완성될 수 있다. 즉, 상기 제1 샷에 의해 수득된 제1 포토레지스트 패턴(126a)에 의해 제1 샷 영역(11) 및 중첩 영역(10) 상에 위치하는 제1 물질층(120)은 일차적으로 식각되며, 상기 제2 샷에 의해 수득된 제1 포토레지스트 패턴(126b)에 의해 제2 샷 영역(12) 및 중첩 영역(10) 상에 위치하는 제1 물질층(120)이 이차적으로 식각된다. 이러한 과정을 반복하여 제1 물질층(120)의 나머지 영역에도 제1 패턴을 형성한다.
상술한 바와 같이, 제1 마스크(130)를 이용하여 제1 포토레지스트막(125)에 제1 샷을 수행하며, 제2 마스크(140)를 이용하여 제1 포토레지스트막(125)에 제2 샷을 수행한다. 이 경우, 상기 제1 샷과 상기 제2 샷은 동시에 수행될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 중첩 영역(10) 내에서, 제1 마스크(130)의 제1 서브 투과 패턴(134)에 의해 형성되는 제1 서브 패턴(124)은 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향을 따라 점진적으로 감소하도록 구성될 수 있고, 제2 마스크(140)의 제2 서브 투과 패턴(144)에 의해 형성되는 제2 서브 패턴(128)은 상기 방향을 따라 점진적으로 증가하도록 구성될 수 있다. 상술한 방식으로 제1 패턴(129)을 형성하면, 중첩 영역에서 제1 마스크(130)에 의해 형성된 제1 서브 패턴(124)과 제2 마스크(140)에 의해 형성된 제2 서브 패턴(128)이 점진적으로 섞이게 되므로, 스티치 현상의 발생을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 샷 간의 경계 부분이 얼룩져보이는 것을 실질적으로 제거하거나 감소시킬 수 있다.
도 4에 예시한 바와 같이, 제1 마스크(130)는 제1 메인 투과 패턴(132), 제1 서브 투과 패턴(134) 및 제1 차광 패턴(136)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 서브 투과 패턴(134)은 제1 메인 투과 패턴(132)의 외곽에 형성되어 있으며, 제1 마스크(130)의 제1 서브 투과 패턴(134)에 의해 형성되는 제1 서브 패턴(124)과 제2 마스크(140)의 제2 서브 투과 패턴(144)에 의해 형성되는 제2 서브 패턴(128)이 상호 보완되어 중첩 영역(10)에 제1 패턴의 일부를 형성할 수 있다.
도 5에 예시한 바와 같이, 제2 마스크(140)는 제2 메인 투과 패턴(142), 제2 서브 투과 패턴(144) 및 제2 차광 패턴(146)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 서브 투과 패턴(144)은 제2 메인 투과 패턴(142)의 외곽에 형성되어 있으며, 제1 마스크(130)의 제1 서브 투과 패턴(134)에 의해 형성되는 제1 서브 패턴(124)과 제2 마스크(140)의 제2 서브 투과 패턴(144)에 의해 형성되는 제2 서브 패턴(128)이 상호 보완되어 중첩 영역(10)에 제1 패턴의 일부를 형성할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하나의 마스크를 사용하여 반복적으로 노광 공정을 실시하여 기판 상에 제1 패턴을 형성할 수도 있다. 이 경우, 하나의 마스크에 형성된 서로 마주보는 서브 투과 패턴은 상호 보완적인 구조를 가질 수 있다. 달리 말하면, 하나의 마스크에 형성된 서브 투과 패턴을 메인 투과 패턴을 중심으로 하여 상하 및 좌우 네 영역들로 구분한다고 가정하면, 상부 서브 투과 패턴과 하부 서브 투과 패턴은 서로 보완적인 구조를 가지며, 좌측 서브 투과 패턴과 우측 서브 투과 패턴이 서로 보완적인 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 마스크를 제1 방향에서 제2 방향으로 또는 상기 제2 방향에서 상기 제1 방향으로 순차적으로 이동해 가면서 노광 공정을 진행하는 경우, 상하 또는 좌우의 메인 패턴 형성 영역에 메인 패턴이 한 번씩 패터닝될 때, 서브 패턴 형성 영역은 서브 패턴이 두 번에 걸쳐 패터닝됨으로써 완성될 수 있다.
상술한 바에 있어서는, 제1 패턴을 형성하는 과정에서 제1 마스크(130) 및 제2 마스크(140)를 사용하여 제1 포토레지스트막(125)에 대하여 중첩 분할 노광 공정을 수행하는 것을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 기판의 크기에 따라 더 많은 마스크를 사용하여 중첩 분할 노광 공정을 수행하여 제1 패턴을 형성할 수도 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하나의 마스크를 사용하여 중첩 분할 노광 공정을 수행하여 제1 패턴을 형성할 수도 있다. 또한, 제1 마스크 및 제2 마스크는 반복적으로 노광 공정을 수행하며, 반복 횟수는 기판의 크기, 마스크의 크기 등에 의해 다양하게 결정될 수 있다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 평면도들이다. 도 8a 내지 도 8c에 예시하는 패턴 형성 방법에 있어서, 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 설명한 방법들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 8a를 참조하면, 제1 물질층(220) 상에 형성된 제1 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들(41, 42, 43, 44, 45)로 분할한 다음, 분할 노광 공정을 수행하고, 인접하는 샷 영역들(41, 42)의 경계 부분에서 샷들이 중첩되는 중첩 영역(40)을 중첩 노광한다. 노광된 제1 포토레지스트막 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 제1 포토레지스트막을 마스크로 이용하여 제1 물질층(220)을 패터닝함으로써, 제1 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 중첩 영역(40)을 기준으로 좌측에 위치하는 샷(41)에 의해 형성되는 패턴은 우측에 위치하는 샷(42)에 의해 형성되는 패턴과 상호 보완적인 관계를 가질 수 있다.
도 8b를 참조하면, 상기 제1 패턴 상에 형성된 제2 물질층(250) 상에 제2 포토레지스트막을 형성한 다음, 상기 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들(51, 52, 53)로 분할하여 중첩 분할 노광 공정을 실시할 수 있다. 이 경우, 인접하는 샷들(51, 52)의 경계 부분에서 샷들이 중첩되는 중첩 영역(50)이 형성될 수 있으며, 중첩 영역(50)은 상기 제1 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생하는 중첩 영역(40)과 중첩되지 않게 위치할 수 있다. 노광된 제2 포토레지스트막을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제2 물질층(250)을 패터닝 함으로써, 제2 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 패턴은 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 중첩 영역(40)을 기준으로 서로 마주보는 샷들(51, 52)에 의해 형성되는 패턴들은 대칭적으로 형성될 수 있다.
도 8c를 참조하면, 상기 제2 패턴 상에 형성된 제3 물질층(270) 상에 형성되며, 복수의 샷 영역들(61, 62)로 분할된 제3 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 제3 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제3 물질층(270)을 패터닝함으로써, 제3 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 인접하는 샷 영역들(61, 62)의 경계 부분은 제1 및 제2 물질층들(220, 250)을 패터닝하는 과정에서 발생하는 중첩 영역들(40, 50)과 각기 소정의 간격으로 이격될 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9a를 참조하면, 기판(310) 상에 상기 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막을 형성할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막은 블랙 실리콘, 카본 블랙 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이어서, 상기 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막 상에 제1 포토레지스트막을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트막의 상부에 제1 마스크(도시되지 않음) 및 제2 마스크(도시되지 않음)를 위치시킨 다음, 상기 제1 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광할 수 있다. 이 경우, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷들이 중첩되는 중첩 영역을 연속적으로 중첩 노광하는 중첩 분할 노광 공정, 상기 제1 포토레지스트막을 현상하는 현상 공정 및 상기 현상 공정에 의해 수득된 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막을 페터닝하는 공정을 순차적으로 수행함에 따라, 차광막으로 기능하는 블랙 매트릭스 패턴(320)을 수득할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 마스크를 사용하여 상기 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막에 제1 샷을 실시하며, 상기 제2 마스크를 사용하여 상기 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막에 제2 샷을 실시한다. 이 경우, 상기 제1 마스크에 의해 형성되는 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴은 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향을 따라 점차적으로 감소되게 구성하고, 제2 마스크(340)에 의해 형성되는 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴은 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향을 따라 점차적으로 증가되게 구성하여 상기 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴과 상기 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴이 점진적으로 섞이게 할 수 있다.
예를 들면, 블랙 매트릭스 패턴(320)은 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 블랙 매트릭스 패턴(320)이 스트라이프 형상을 갖는 경우, 블랙 매트릭스 패턴(320)이 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 연속적으로 존재하지만, 상술한 바와 같이, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서는 상기 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴과 상기 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴이 공간적으로 점진적으로 섞이게 구성하여 블랙 매트릭스 패턴(320)의 일부를 형성하기 때문에, 인접하는 샷 영역들의 밝기 차이는 점진적으로 변화될 수 있다. 그 결과, 샷 간의 경계가 시인되는 현상을 감소시킬 수 있다.
도 9b를 참조하면, 블랙 매트릭스 패턴(320)이 형성된 기판(310) 상에 상기 컬러 필터 형성용 막을 형성하고, 상기 컬러 필터 형성용 막 상에 제2 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트막 상부에 제3 마스크(도시되지 않음)를 위치시킨 다음, 상기 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 블랙 매트릭스 패턴(320)을 형성하는 과정에서 발생되는 중첩 영역과 소정의 간격으로 이격시켜 노광한다. 상기 제2 포토레지스트막을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마크스로 이용하여 상기 컬러 필터 형성용 막을 패터닝함으로써, 제1 컬러 필터(345a), 제2 컬러 필터(345b) 및 제3 컬러 필터(345c)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 내지 제3 컬러 필터들(330a, 330b, 330c)은 각기 아일랜드(island) 형상을 가질 수 있다. 이와 같이, 제1 내지 제3 컬러 필터(330a, 330b, 330c)는 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서는 연속적으로 존재하지 않기 때문에, 샷 간의 경계가 실질적으로 시인되지 않을 수 있다. 다만, 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 내지 제3 컬러 필터(330a, 330b, 330c)가 각기 스트라이프 형상을 갖는 경우, 제1 내지 제3 컬러 필터(330a, 330b, 330c)도 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 연속적으로 존재하기 때문에, 상술한 바와 같이, 중첩 분할 노광 공정을 진행하여 샷 간의 경계의 시인성을 약화시키는 것이 바람직하다.
도 9c를 참조하면, 블랙 매트릭스 패턴(320) 및 제1 내지 제3 컬러 필터(330a, 330b, 330c) 상에 상기 오버코트층 형성용 막을 형성한 후, 상기 오버코트층 형성용 막 상에 제3 포토레지스트막을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 제3 포토레지스트막의 상부에 제4 마스크(도시되지 않음)를 위치시킨 다음, 상기 제3 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 제1 내지 제3 컬러 필터들(330a, 330b, 330c)를 형성하는 과정에서 발생되는 경계 부분과 소정의 간격으로 이격시켜 노광한다. 상기 제3 포토레지스트막을 현상하여 제3 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 제3 포토레지스트 패턴을 마크스로 이용하여 상기 오버코트 형성용 막을 패터닝함으로써, 오버코트층(340)을 형성할 수 있다. 다만, 오버코트층(340)도 샷 간의 경계 부분에서 연속적으로 존재하지만, 오버코트층(340)을 형성하는데 요구되는 샷의 수가 다른 구성 요소들보다 상대적으로 작기 때문에, 중첩 분할 노광 공정 대신 분할 노광 공정을 진행하였지만, 실시예에 따라 중첩 분할 노광 공정을 진행할 수도 있다.
도시하지는 않았으나, 상기 표시 패널은 기판(310)에 대향하는 대향 기판, 기판(310)과 상기 대향 기판 사이에 배치되는 표시층 등을 추가적으로 포함할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널이 투명 표시 장치에 적용되는 경우, 기판(310)의 저면 상에 편광 부재를 추가적으로 형성할 수 있다. 상기 편광 부재는 기판(310)의 저면으로부터 입사되는 광을 차단할 수 있다. 예를 들면, 상기 편광 부재는 약 40% 내지 약 45%의 투과율을 가지기 때문에, 광원과 관측자가 둔각을 이루는 경우, 광원과 관측자가 직각을 이루는 경우 및 광원과 관측자가 예각을 이루는 경우 모두 스티치 불량의 시인성을 더욱 약화시킬 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법에 대하여 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 패턴 형성 방법은 패턴을 형성하는 층에 선택적으로 중첩 분할 노광 방식을 실시하여 노광 공정에서 발생하는 샷 간의 경계 부분을 패턴이 존재하는 각 층에서 서로 중첩되지 않게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 샷 간의 경계의 중첩으로 인하여 야기되는 스티치 불량을 화면 전체로 분산시켜 화질 불량을 감소시킬 수 있다. 또한, 인접하는 샷 영역에 형성되는 패턴들은 공간적으로 점진적으로 섞이게 마련됨으로써, 샷 간의 경계가 시인되는 것을 방지할 수 있다.
10, 40: 제1 패턴 형성용 샷 간의 경계 부분
20, 50: 제2 패턴 형성용 샷 간의 경계 부분
30, 60: 제3 패턴 형성용 샷 간의 경계 부분
11, 12, 13, 14, 15, 21, 22, 23, 31, 32, 41, 42, 43, 44, 45, 51, 52, 53, 61, 62: 샷 영역
110, 210, 310: 기판
115, 215: 액티브 영역
120, 220: 제1 물질층
130: 제1 마스크
132: 제1 메인 투과 패턴
134: 제1 서브 투과 패턴
140: 제2 마스크
142: 제2 메인 투과 패턴
144: 제2 서브 투과 패턴
150, 250: 제2 물질층
170, 270: 제3 물질층
320: 블랙 매트릭스 패턴
330a: 제1 컬러 필터
330b: 제2 컬러 필터
330c: 제3 컬러 필터
340: 오버코트층

Claims (20)

  1. 액티브 영역을 포함하는 기판 상에 제1 물질층을 형성하는 단계;
    상기 제1 물질층 상에 제1 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트막을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제1 물질층을 패터닝하여 제1 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 패턴 상에 제2 물질층을 형성하는 단계;
    상기 제2 물질층 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 상기 제1 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 중첩 영역과 소정의 간격으로 이격시켜 노광하는 단계;
    상기 제2 포토레지스트막을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제2 물질층을 식각하여 제2 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 패턴 상에 제3 물질층을 형성하는 단계;
    상기 제3 물질층 상에 제3 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 제3 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 상기 제2 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 경계 부분과 소정의 간격으로 이격시켜 노광하는 단계;
    상기 제3 포토레지스트막을 현상하여 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제3 물질층을 식각하여 제3 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
    제1 메인 투과 패턴, 제1 서브 투과 패턴 및 제1 차광 패턴을 포함하는 제1 마스크를 사용하여 상기 제1 포토레지스트막에 제1 샷을 실시하는 단계; 및
    제2 메인 투과 패턴, 제2 서브 투과 패턴 및 제2 차광 패턴을 포함하는 제2 마스크를 사용하여 상기 제1 포토레지스트막에 제2 샷을 실시하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 패턴은,
    상기 제1 마스크의 상기 제1 메인 투과 패턴에 의해 형성되는 제1 메인 패턴;
    상기 제1 마스크의 상기 제1 서브 투과 패턴에 의해 형성되는 제1 서브 패턴;
    상기 제2 마스크의 상기 제2 메인 투과 패턴에 의해 형성되는 제2 메인 패턴; 및
    상기 제2 마스크의 상기 제2 서브 투과 패턴에 의해 형성되는 제2 서브 패턴을 포함하며,
    상기 중첩 영역 내에 형성되는 제1 패턴은 상기 제1 서브 패턴과 상기 제2 서브 패턴이 상호 보완되어 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중첩 영역 내에서, 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향에 따라, 상기 제1 서브 패턴의 수는 점진적으로 감소되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 중첩 영역 내에서, 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향에 따라, 상기 제2 서브 패턴의 수는 점진적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트막에 제1 샷을 실시하는 단계와 상기 제1 포토레지스트막에 제2 샷을 실시하는 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 실시되는 샷의 횟수, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 실시되는 샷의 횟수 및 상기 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 실시되는 샷의 횟수는 다른 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 사용되는 마스크의 패턴의 수, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 사용되는 마스크의 패턴의 수 및 상기 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 사용되는 마스크의 패턴의 수는 다른 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 상기 액티브 영역 보다 작은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 패턴 및 상기 제3 패턴은 각기 스트라이프(stripe) 형상을 가지고, 상기 제2 패턴은 아일랜드(island) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 패턴들은 각기 금속 패턴 또는 수지 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 포토레지스트막들은 각기 포지티브 타입(positive type)인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역으로 분할하여 노광하는 과정에서 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제2 패턴은 스트라이프 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 제3 포토레지스트막을 복수의 샷 영역으로 분할하여 노광하는 과정에서 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  16. 액티브 영역을 포함하는 기판 상에 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막을 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막 상에 제1 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분에서 샷 영역들이 중첩되는 중첩 영역은 중첩 노광하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트막을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 블랙 매트릭스 패턴 형성용 막을 패터닝하여 블랙 매트릭스 패턴을 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스 패턴 상에 컬러 필터 형성용 막을 형성하는 단계;
    상기 컬러 필터 형성용 막 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 상기 제1 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 중첩 영역과 소정의 간격으로 이격시켜 노광하는 단계;
    상기 제2 포토레지스트막을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 컬러 필터 형성용 막을 패터닝하여 제1 내지 제3 컬러 필터들을 형성하는 단계;
    상기 제1 내지 제3 컬러 필터들 상에 오버코트층 형성용 막을 형성하는 단계;
    상기 오버코트층 형성용 막 상에 제3 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 제3 포토레지스트막을 복수의 샷 영역들로 분할하여 노광하되, 인접하는 샷 영역들의 경계 부분은 상기 제2 포토레지스트막을 노광하는 과정에서 발생되는 경계 부분과 소정의 간격으로 이격시켜 노광하는 단계;
    상기 제3 포토레지스트막을 현상하여 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 오버코트층 형성용 막을 패터닝하여 오버코트층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
    제1 메인 투과 패턴, 제1 서브 투과 패턴 및 제1 차광 패턴을 포함하는 제1 마스크를 사용하여 상기 제1 포토레지스트막에 제1 샷을 실시하는 단계; 및
    제2 메인 투과 패턴, 제2 서브 투과 패턴 및 제2 차광 패턴을 포함하는 제2 마스크를 사용하여 상기 제1 포토레지스트막에 제2 샷을 실시하는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 제16항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스 패턴은,
    상기 제1 마스크의 상기 제1 메인 투과 패턴에 의해 형성되는 제1 메인 블랙 매트릭스 패턴;
    상기 제1 마스크의 상기 제1 서브 투과 패턴에 의해 형성되는 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴;
    상기 제2 마스크의 상기 제2 메인 투과 패턴에 의해 형성되는 제2 메인 블랙 매트릭스 패턴; 및
    상기 제2 마스크의 상기 제2 서브 투과 패턴에 의해 형성되는 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴을 포함하며,
    상기 중첩 영역 내에 형성되는 블랙 매트릭스 패턴은 상기 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴과 상기 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴이 상호 보완되어 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 중첩 영역 내에서, 상기 제1 샷에서 상기 제2 샷을 향하는 방향에 따라, 상기 제1 서브 블랙 매트릭스 패턴의 수는 점진적으로 감소되며, 상기 제2 서브 블랙 매트릭스 패턴의 수는 점진적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 기판의 저면 상에 편광 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
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