TW200525153A - Method of manufacturing protruding-volute contact, contact made by the method, and inspection equipment or electronic equipment having the contact - Google Patents

Description

200525153 九、發明說明： [發明所屬之技術領域】 本發明關於一接觸器被下壓至由1C(積體電路）或 LSI(大型積體電路）組成之電子設備之一電極以從電極取 出一電氣訊號，本發明也關於檢測設備與配備此等接觸器 之電子設備。 【先前技術】 一檢測插座被用以從經由接觸器從一 1C或LSI組成之 電子設備電極藉下壓接觸器至電極上而取出一電氣訊號以 φ 檢測電子設備之電氣連續，一連接器被用以與電子設備維 持電氣連續之目的以使接觸器被下壓在電子設備之接地電 極上以經由接觸器與電子設備維持電氣連續，檢測插座與 連接器被設置以許多相對於欲被連接之電子設備之電極數 目之接觸器，且較高密度安裝相對於高密度電子設備係爲 接觸器所需求以被設置於檢測插座與連接器中。 例如用於BGA(球型格狀陣列）之一接觸器爲此等已知 接觸器之一種，接觸器在接觸一球型電極前具有一平面螺 $ 旋形狀且接觸器之螺旋形狀因爲與球型電極接觸結果會對 應於球型電極形狀而改變（見日本專利申請公開案號No. 2002-175859)，在此它被描述爲此接觸器可符合電極之高 密度安裝，確保電氣連續而不會將一球型電極變形且爲高 信賴度的。 在使用一螺旋接觸器情形中，當螺旋下垂量在尖端部 係小的時候，螺旋下垂量隨著與球型電極尖端部遠離而增 加，依此彎曲應力在靠近螺旋接觸器根部增加最大，此處 200525153 它最不會趨向彎曲，因此信賴度依據球型電極之安裝密度 增加而減少’在解決此一問題之一已知方法爲在電子設備 側邊上之一電極形狀被設計成一圓錐型、三角金字塔、四 角金字塔或相類物（見日本專利申請公開案號No.2003 -78078) 〇 一已知檢測接觸器爲例如具有螺旋形狀之一彈簧之一 接觸器其線圈直徑從一外周圍至一內周圍逐漸減少，接觸 器藉下壓至電子設備之電極上獲得電氣連續（見日本專利 申請公開案號No. 200 1 -23 5486)，它被說明因爲此接觸器 具有螺旋形狀之一彈簧，其長度與具有一致線圈直徑之一 彈簧相比變得較短且依此在彈簧部分之阻抗減少，導致甚 至在測得一高頻電氣訊號情形中電氣訊號衰減減少。 .可有不同方法製造這些螺旋接觸器，一電鍍方法被與 一使用具有一波長約2 0 Onm之紫外線輻射（UV)之雕像術方 法結合之方法，一使用雷射、蝕刻或沖壓之方法，或一機 械性方法其一平板被捲曲等，，然而使用UV之雕像術方 法或使用雷射、蝕刻或沖壓之方法，僅有螺旋接觸器具有 一厚度約2 0微米或更小可被製造，且結果地該縱橫比是小 的，依此彈簧是薄的假如它被嘗試以增加一衝程（一螺旋之 下垂量）以增進具有高傳導信賴度之一接觸器，因此此等一 接觸器不可能傳導一 0.5A或更大之電流。

而且因爲小縱橫比，螺旋數目會變少，且當衝程被嘗 試增大時接觸負荷會減少，反過來當接觸負荷被嘗試增大 時衝程會減少，因此僅有低耦合信賴度之螺旋接觸器被獲 得，而且因爲一大部分零件，如一螺旋接觸器、使用VIA 200525153 之插入板等，零件成本增加與組裝成本增加 一致化是需要的，其會導致接觸器之高成本 如它被嘗試藉加工過程製造一螺旋接觸器如 接觸器之微小化是有一極限，且大量地精確 再製性之精密接觸器是困難的。 【發明內容】 本發明被以上述提及問題觀點被實現， 目的爲提供一低成本檢測或具有高信賴度與 流電氣連續之耦合接觸器。 一種依據本發明製造一渦狀突起接觸器 造方法用於一接觸器其被用以與電子設備或 電極達成電氣連續，該方法典型地包含使用 一塑膠模（阻抗結構）之一過程，藉電積形成 (阻抗結構）中形成由金屬材料組成一覆層之 行由金屬材料組成之覆層製成之一金屬微結 之一過程以形成一渦狀向外突起之一螺旋彈 本發明之一渦狀突起接觸器之另一製造 含藉X光雕像術形成一塑膠模（阻抗結構）， 塑膠模（阻抗結構）中形成由金屬材料所組成 程與執行由金屬材料組成之覆層製成之一金 面形成之一過程以形成一渦狀向外突起之一 此等製造方法可進一步包含加工該金屬 之一面或雙面的過程使得該金屬材料組成之 緣至中心變得較薄，此等加工過程可藉放電 等加工過程可以一方式被實施使得金屬材料 ，因爲組裝之 ，另一方面假 捲曲一平板， 製造具有滿意 且本發明之一 能夠達成大電 之方法爲一製 檢測設備之一 一金屬模形成 方式在塑膠模 一過程，與執 構之突面形成 黃。 方法典型地包 藉電積形成在 一覆層之一過 屬微結構之突 螺旋彈簧。 材料組成覆層 覆層厚度從外 加工執行，此 組成覆層製成 200525153 之一金屬微結構之一面或雙面能在加工後與一球面或旋轉 之拋物面接觸，本發明之接觸器可藉此等方法被製造且可 由鎳或鎳合金所製成。 本發明之檢測設備可具有配備此等渦狀突起接觸器之 一插座，且特別的可被用以地面柵格陣列排置之半導體之檢 測，另一方面本發明之電子設備特徵可爲具有配備此等渦 狀突起接觸器之一連接器，且被與接地電極相接。 依據本發明，一檢測接觸器或可達到大電流之電氣連 續之具有高信賴度耦合接觸器可以低成本被提供。 【實施方式】 在下文，本發明之實施例將參考附圖被詳細地描述， 在圖示描述中相同元件將被以相同參考編號標示，且多餘 的描述將被省略。 (渦狀突起接觸器） 本發明之一渦狀突起接觸器之一典型例子如第1圖所 示，如第1圖所示本發明之渦狀突起接觸器爲具有一螺旋 彈簧結構其爲明顯的渦狀向外，例如此等渦狀突起接觸器 被使用於供檢測一半導體之一插座或安裝於電子設備中之 一連接器，以一方式其該對接觸器31&與31b被結合於一 基板32之穿孔中，如第3(d)圖所示，與它們的突面螺旋部 分向外且與它們的該相反側之終端面被放置一起，供檢測 設備之一插座情形中，電氣連續被達成於一 LSI35之電極 3 6與一變壓器繞線模3 8之電極3 7間其藉放置檢測設備插 座於LS I 3 5與位於量測設備側之變壓器繞線模3 8間使得 一中等接觸負荷藉接觸器31之螺旋彈簧之附加力被產 ‘200525153 生，所以從LS I 3 5所得之電氣訊號經過變壓器繞線模3 8 經由接觸器3 1被引導至量測設備，因此本發明之渦狀突起 接觸器供作爲被用於檢測地面柵格陣列排置之一半導體或 相類物之檢測設備用之一插座之接觸器爲有用的，而且本 發明之渦狀突起接觸器作爲供欲與通訊設備如一行動電話 或電子設備如一個人電腦之地面電極連接之電子設備之一 連接器之接觸器是有用的。 渦狀突起接觸器之螺旋彈簧較佳地具有一厚度其從外 緣部分至中心部分變得徑向地較薄，假如螺旋彈簧之厚度 與寬度爲均勻的，螺旋彈簧之硬度在一內側部份會較一外 側部份更大，因爲曲度半徑在較近於中心處位置是較小 的，然而假如渦狀突起接觸器之螺旋彈簧之厚度被設計爲 在一位置較近於中心處是較薄的，硬度在任何部分將變得 相等，且結果地依照一突面電極之形狀彈簧之整體呈現出 均勻且有效的性能，而且硬度可藉使在一位置較近於中心 處螺旋彈簧之寬度更短而成爲均勻，然而此等螺旋彈簧具 有一缺點其一外緣部分變得較厚，且依此地螺旋數量變得 較少使得衝程減少，因此本發明之一較佳實施例係使得厚 度被設計在一位置較近於中心處更薄。 較佳地檢測設備或電子設備之電極被構建爲一板形式 因爲介於渦狀突起接觸器與該電極間之確定接觸因此被達 成，然而渦狀突起接觸器可被用於具有一不均勻面如一下 壓或突起之面之電極。 第1圖顯示具有當以垂直一縱向方向之一平面切開之 一大體上圓形之剖面之接觸器，然而本發明之接觸器形狀 200525153 不限於是此等圓形形狀’它可爲一圓形或具有一部分捲邊 圓周之一橢圓形狀或一多邊形形狀，如一三角形、正方形 等，依據突面電極之形狀或相類物，多邊形形狀可具有不 同長度之邊，並不限於爲一等邊多邊形，第6圖顯示圓形 之各種不同模式接觸器之情況於它們被以垂直一縱向方向 之一平面切開，它們全部被包含在本發明之範圍，在第6(a) 圖中所示之例子包含一支臂，在第6(b)圖與第6(c)圖中所 示之例子包含二個支臂，在第6(b)圖例子中，尖端不被連 接，但在第6(c)圖例子中尖端被連接於中心處。 春 (製造一渦狀突起接觸器之方法） 本發明用於製造渦狀突起接觸器之方法典型地包含藉 X光雕像術形成一塑膠模（阻抗結構）之一過程，與在一塑膠 模（阻抗結構）上藉電積形成方式形成由金屬材料組成一覆 層之一過程，與藉執行金屬材料組成之覆層製成之一金屬 微結構之突面形成之一過程，以此等方法一具有高信賴度 與能夠達到大電流電氣連續之一檢測接觸器可以低成本被 製造。 籲 在本發明製造方法中，X光（波長〇.4nm)其波長短於 紫外線（波長2 OOrim)被使用因爲一具有高縱橫比之一接觸 器可由此被得到，特別地X光中之同步X光（以下稱同步輻 射）以它們的高指向性是較佳地被使用，LIGA (Lithographie Galvanoformung Abformung)過程其使用同步 輻射是有利的因爲深雕像術使用它是可能的，‘因此具有數 百微米次方之一高度之金屬微結構可以一微米次方精密度 且大量地被製造。 •10- 200525153 以X光與電積形成結合使用之一方法，接觸器具有一 縱橫比（b/a)等於或大於2,如第1圖所示可被輕易地製造， 且它有可能製造具有一縱橫比（b/a)等於或大於30之接觸 器，因爲一高縱橫比可被獲得，它有可能即使一彈簧之寬 度a被設計爲薄的’使厚度b能爲厚的，且依此它有可能 製造展現高接觸強度與高接觸信賴度之接觸器，依此一大 的可允許電流等於或大於0.5A可被確保，而且因爲彈簧之 寬度”a”可爲薄的，螺旋之數量可被增加，依此製造展現一 大衝程彈簧之螺旋接觸器是可能的，所以即使衝程變得較 馨 大，接觸負荷並不會減低，更特定地具有二個或多個螺旋 之一螺旋彈簧之接觸器可輕易地被製造，且製造具有四個 或更多個螺旋之一螺旋彈簧之接觸器以提高一衝程是有可 能的，它有可能輕易地製造具有100微米或更多之一衝程 之接觸器與一 0.03牛頓接觸負荷，而且具有一接觸負荷〇.1 牛頓或更高之接觸器亦可被製造。 假如一嘗試被用來藉加工過程如捲曲一平板以製造一 螺旋接觸器，接觸器之微小化將有一限制，且一可能最小 φ 之螺旋接觸器藉此等加工過程被製造者將具有一 1 0 0 0微 米之厚度b與約500微米至1000微米之一直徑D，以此尺 寸符合半導體之高密度封裝是困難的，大量製造精密地具 滿意的再製性之高精密度接觸器也是困難的。 依據本發明，它有可能符合電子設備之高密度封裝因 爲接觸器具有一厚度b介於50微米至500微米間，一直徑 D介於100微米至500微米間，與1〇〇微米或更多之突出c 之量可輕易地以滿意的再製性精密地被製造，而且因爲雕 -11- .200525153 像術與電積形成被結合之製造方法，金屬微結構可被一體 地成形，零件數目可被減少，且零件成本與組裝成本可被 減低。 在本發明製造方法中，一樹脂覆層42被形成在一導電 基板4 1上如第4 ( a)圖所示，導電基板爲例如一由金屬如 銅、鎳或不鏽鋼製成之基板，或一矽基板其一金屬材料如 鉻或鈦藉鍍濺被施加，樹脂覆層由一含有聚酯甲基丙烯酸 酯如聚甲基丙烯酸酯（Ρ Μ Μ A)作爲一主要成分所製成，或化 學放大類型聚合物材料具有對X光易感光性或相類物，樹 馨 脂覆層之厚度可依欲被形成接觸器之厚度選擇地安排，例 如它可被設計爲50微米至500毫米。 其次，一面罩43被安排在樹脂材料42上，且X光44 經過面罩43被輻射，較佳地X光爲同步輻射，面罩43由 一光學透明基板材料43b與依據接觸器形態所形成之一 X 光吸收覆層43a組成，光學透明基板材料43b由矽氮化物、 鑽石、矽、鈦或相類物製成，X光吸收覆層43a爲由一重 金屬如金、鎢、鉬或其一複合物或相類物製成，樹脂覆層 φ 42之一樹脂覆層部分42a被曝露於X光44之輻射，且它 的品質改變，但一樹脂覆層部分42b因X光吸收覆層43a 而不被曝露，因此只有因爲X光44使品質已改變之部分藉 該發展被移除且結果地一塑膠模（阻抗結構）42b如第4(b) 圖所示被獲得。 其次，一金屬材料45在一塑膠模（阻抗結構）42b中藉 電積形成被堆積如第4(c)圖所示，電積形成意義爲使用一 金屬離子溶液，一金屬材料組成之一覆層被形成在一導電 -12- •200525153 基板上，金屬材料45可藉使用導電基板41作爲一種子覆 層之電積形成而被堆積於塑膠模（阻抗結構）4 2b中，在一情 形其金屬材料被堆積到一程度其塑膠模（阻抗結構）之空間 是大體上被埋沒，本發明之接觸器可從累積的金屬材料之 覆層最終地被獲得，在一情形其金屬材料被堆積在一塑膠 模（阻抗結構）中超過塑膠模（阻抗結構）之高度，具有一空間 之一金屬微結構藉移除塑膠模（阻抗結構）與基板可被獲 得，由此獲得之金屬微結構可被用作爲依據如下所描述之 本發明製造一接觸器方法之一模子，鎳、銅或它們的合金 鲁 被用以作爲金屬材料，且特別地鎳或一鎳合金，如鎳錳從 提升接觸器之磨耗阻抗觀點是較佳地，在電積形成後，厚 度藉拋光或加工被調整至一預定尺寸（第4(d)圖），且其後 塑膠模（阻抗結構）42b藉濕蝕刻或離子蝕刻被移除如第4(e) 圖所示，接著濕蝕刻使用酸或鹼被執行或機械加工被執行 以移除導電基板41，且由此本發明之一金屬微結構如第4(f) 圖所示可被獲得，該金屬微結構之立體圖被示於第2圖 中，渦狀向外突起之一螺旋彈簧結構因爲突面形成展現之結 @ 果藉以第2圖中箭頭方向所示下壓該金屬微結構被形成，所 以本發明之一接觸器如第1圖所示被獲得，突面形成之一 簡單方法例如一方法其中外力被如第2圖中箭頭方向施加 至中心部分以使塑性變形，且其後一熱處理於溫度攝氏1 00 度至3 5 0度間被執行5至40小時以釋放一加工應力，如此 所得之接觸器被與一金鍍膜以一厚度0.05至1微米設置， 以提升與一電子設備之一電極或相類物之電氣連續。 較佳地，由以上所提及之金屬材料覆層組成之一金屬 -13- .200525153 ‘ 微結構之一面或雙面被加工，使得厚度從外周圍部分向中 心變成較薄，在螺旋彈簧中曲率半徑在中心處是較小，且 依此假如支臂之寬度與厚度爲一定，愈接近中心部分愈 硬，因此由具有均勻寬度與厚度之一支臂製成之螺旋彈簧 情況，在突面形成過程中壓力會傾向集中在支臂根部，因 此硬度在支臂任何部分會變得均勻且均勻突面可輕易被製 成假如螺旋彈簧之一面或雙面被加工使得厚度在靠近中心 部分處變得較薄，例如使得一面或雙面可與一球面或旋轉 之拋物面接觸，假如螺旋彈簧之中心部分之厚度被設計得 φ 較薄以提供一凹面，一桿以推動中心部分在突面形成過程 會傾向移向中心部分，且依此突面形成可被達成，以很少 被彎曲甚至在一金屬微結構像本發明之一接觸器。 依據本發明接觸器之切面圖被示於第7(a)至7(d)圖， 第7(a)圖顯示均勻厚度之一例子，第7(b)與7(c)圖顯示例 子其厚度藉一面之加工使得朝向中心部分較薄，在第7(b) 圖例子中，被加工面係與一球型表面71接觸，在第7(c) 圖例子中，被加工面係與一旋轉拋物面72接觸，在第7(d) φ 圖例子中，厚度藉雙面之加工使得朝向中心較薄，且雙面 各別地與一球型表面73接觸，此等一碗型之凹面可藉加 工、蝕刻或放電加工或相類物被形成，且從精密度觀點， 放電加工是較佳的，例如放電加工以下列方式被執行，用 來作爲放電加工之電極尖端被加工成一半球型或旋轉拋物 面形狀，且藉上述提及方法製造一接觸器之情形中，在電 積形成後，較佳地於藉（阻抗結構）蝕刻（第4(d)、5(f)圖）移 除一塑膠模前或此等移除之後（第4(e)、5(g)圖），基板上之 -14- •200525153 金屬覆層藉該電極被加工，它的尖端也被如此加工，多數 接觸器可使用一電極型式模子同時一起被加工，在雙面加 工之情形，加工在從基板分離金屬覆層後可類似地被執 行。 第3(a)到3(d)圖顯示從所得之接觸器製造一檢測插座 之方法，供安裝之一接觸器也可藉一相似方法被製造，供 檢測插座或供安裝之連接器之製造方法並不限於第3(a)到 3(d)圖所示之方法，然而圖中所示之此等方法從容易製造 觀點是較佳的，首先如第3 (a)圖中所示，穿孔依據被容納 鲁 其中之接觸器之外直徑被形成於一基板32中，其係在位置 相對於電子設備之電極或欲檢測之一半導體之電極處，接 著具有一直徑小於欲被容納之接觸器之外直徑之孔在相對 於電極排置之位置被類似地形成於一下覆蓋薄板3 3中，且 下覆蓋薄板33被附接至基板32，其後一對接觸器31a與 31b，彼此面對與它們的向外螺旋形狀之個別突面部分被放 置，被結合置入基板32之每一穿孔內如第3(b)圖所示，接 著一類似下覆蓋薄板33之一上覆蓋薄板34被附接至基板 φ 3 2，所以依據本發明之一檢測插座如第3 (c)圖中所示被獲 得，基板32之材料、下覆蓋薄板33與上覆蓋薄板34可選 擇地選自聚醯亞胺樹脂群，一般纖維強化塑膠（FRP)與相類 物。 依據本發明之另一實施例製造一接觸器之一方法包含 使用一金屬模形成一塑膠模（阻抗結構）之一過程與藉電積 形成方式形成在塑膠模（阻抗結構）中金屬材料組成之一覆 層，與藉施加突面形成至從金屬材料組成之覆層製成之一 -15- -200525153 金屬微結構而形成一渦狀向外突起形狀之一螺旋彈簧之一 過程，以此等方法也如在以上提及之一塑膠模（阻抗結構） 藉X光雕像術被形成之製造方法情況中，它有可能以低成 本製造一檢測接觸器或展現高信賴度之耦合接觸器與能夠 達到大電流電氣連續，它是有利的在使用相同模具之接觸 器大量生產是可能的。 以此等製造方法，一下壓之塑膠模（阻抗結構）53如第 5(b)圖所示藉壓型機或射出成型機或相類物使用一具有如 第5(a)圖所示之突出部分之模52被形成，熱塑性塑膠樹 鲁 月旨，包括丙烯酸樹脂如聚甲基丙烯酸酯、聚 樹脂或聚縮 醛樹脂如聚甲醛樹脂被使用爲塑膠模（阻抗結構）之材料， 至於模52因爲它是一金屬微結構類似本發明之接觸器，它 是較佳地藉以上提及之一 X光雕像術方法與電積形成結合 之方法被形成。 其次，在反轉塑膠模（阻抗結構）53之頂部與底部後， 它被附接在如第5(c)圖中所示導電基板51上，接著塑膠模 (阻抗結構）53被拋光以形成一塑膠模（阻抗結構）53a如第 φ 5(d)圖中所示，其後與上述相同，一金屬材料55藉電積形 成被堆積至塑膠模（阻抗結構）53a(第5(〇圖），厚度被調整 (第5(f)圖），塑膠模〇且抗結構）5 3a被移除（第5(g)圖），且 導電基板51被移除，因此如第5(h)圖中與第2圖所示之一 、金屬微結構被得到，其後一渦狀向外突起之螺旋彈簧藉突 面形成被形成且因此本發明之一接觸器如第1圖所示被得 到，接著以上述相同方法供檢測設備之一插座或電子設備 之一連接器從此等接觸器被獲得。 -16- 200525153 例1 : 首先一樹脂覆層42被形成在如第4(a)圖中所示導電基 板41上，一藉濺鍍鈦所製成之矽基板被用作爲導電基板， 形成一樹脂覆層之材料爲甲基丙烯酸酯與甲基丙烯酸之共 聚合物，且樹脂覆層厚度爲200微米。 其次一面罩43被安排在樹脂覆層42上，且X光經由 面罩43被輻射，至於X光藉SR設備之同步輻射是被採用 的，面罩43有一 X光吸收覆層43 a相對於接觸器型式，且 面罩4 3之一光學透明基板材料4 3 b係由矽氮化物所組成， 且X光吸收覆層4 3 a係由鎢氮化物所組成。 在X光44輻射後藉甲基異丁酮執行展開，且品質已被 改變部分藉X光44被移除，結果地一塑膠模（阻抗結構）如 第4(b)圖中所示被獲得，接著第4(c)圖中所示，一金屬材 料45藉電積形成被堆積在塑膠模（阻抗結構）42b空間中， 鎳被用作爲金屬材料。 在電積形成完成後，表面之不均勻藉拋光被除去如第 4(d)圖所示，且塑膠模（阻抗結構）42b藉氧氣離子被除去如 第4(e)圖所示，接著導電基板41藉使用KOH溶液之濕蝕 刻被除去，所以一連續的金屬微結構被得到如第4(f)圖所 示，此金屬微結構之立體圖被示於第2圖中，接著金屬微 結構之外周圍部分被固定且突面形成藉塑性變形被製成其 中金屬微結構之外周圍部分被以第2圖中所示箭頭方向被 下壓，且加工應力藉熱處理被釋放，其後0.1微米厚度之 1 觸 之接 起之 突到 外得 向所 狀此 渦以 示， 所到 圖得 1被 第器 如觸 有接 具 | 以之 所明 ， 發 行本 執之 被簧 膜彈 鍍旋 金螺 -17- 200525153 器具有一直徑D 300微米與一厚度b 150微米，彈簧之厚 度a爲10微米且縱橫比（b/a)爲15，突出c之量爲爲150 微米，螺旋之數目爲3·5圈，且彈簧之衝程爲12〇微米。 接著低覆蓋薄板3 3與基板3 2，其具有相對於欲檢測 之一半導體（LSI)之電極之位置之穿孔，如第3(a)圖所示被 附接一起，基板32由聚醯亞胺樹脂製成且具有厚度300微 米，且具有一直徑3 00微米之穿孔，而且低覆蓋薄板33由 聚醯亞胺樹脂製成，且具有厚度20微米，於其處具有一直 徑250微米之穿孔被形成在相對於基板32之穿孔的位置。 鲁 其後一對接觸器31a與31b，彼此面對與它們的向外螺 旋形狀之突面部分被放置如第3(b)圖所示，被結合置入基 板32之個別穿孔，接著一類似下覆蓋薄板33之一上覆蓋 薄板34被附接至基板32，所以接觸器31被固定且本發明 * ； 之一檢測插座如第3(c)圖所示被獲得， 以此所得之檢測插座被負載在如第3 (d)圖所示檢測設 備之變壓器繞線模38之電極37與一欲檢測之LSI 35被放 置在檢測設備，當一 70mN力量如第3(d)圖中所示之箭頭 φ 方向被施加時，於LSI 35之平板形電極36與一變壓器38 之電極37間之電氣連續因爲螺旋彈簧之附加力被達成，且 LSI可基於因此所得之電子訊號被檢測。 在本例中接觸器之直徑爲3 00微米，然而其被發現具 有一直徑D約100微米之一接觸器可藉本發明之方法被製 造，且此等接觸器將進而能與電子設備之高密度封裝一 致。 値得注意的是揭示於說明書中實施例與例子在各方面 -18- .200525153 都爲示範性且本發明並不限於它們’本發明之範圍意欲爲 如申請專利範圍所示而非以上所列示之描述且包含所有申 請專利範圍之修改與相等物。 依據本發明，提供具有呈現高信賴度之低成本接觸器 與能夠達成大電流電氣連續之檢測設備或電子設備爲有可 能的。 【圖式簡單說明】 第1圖爲本發明之一渦狀突起接觸器之一立體圖。 第2圖爲金屬微結構在藉下壓加工一中心部分前之一 立體圖。 第3(a)至3(d)圖爲圖示依據本發明製造使用接觸器之 一檢測插座之一過程。 第4(a)至4(f)圖爲圖示製造本發明之一接觸器之一過 程。 第5(a)至5(h)圖爲圖示製造本發明之一接觸器之另一 過程。 第6 (a)至6(c)圖爲圖示本發明之接觸器之剖面圖，顯 示相對一縱向方向垂直切開之剖面。 第7(a)至7(d)圖爲圖示本發明之接觸器之切面圖，顯 示相對一縱向方向切開之剖面。 【主要元件符號說明】 a 彈簧寬度 b 厚度 c 突起 D 直徑 3 1 a，3 lb 接觸器 -19- 200525153 32 基板 33 下覆蓋薄板 34 上覆蓋薄板 35 半導體（LSI) 36,37 電極 3 8 變壓器繞線模 4 1,51 導電基板 42 樹脂覆層 42a 樹脂覆層部分 42b，53,53a 塑膠模（阻抗結構） 43 面罩 43a X光吸收覆層 43b 光學透明基板材料 44 X光 45,55 金屬材料 52 模 7 1,73 球型表面 72 ♦ 旋轉拋物面 20-

Claims (1)

1. 200525153 十、申請專利範圍： 1·一種製造一渦狀突起接觸器，以獲得與電子設備或檢測設 備之一電極之電氣連續性的方法，該方法包括下列步驟： 使用一金屬模形成一塑膠模（阻抗結構）； 形成一覆層，其由塑膠模（阻抗結構）中金屬材質組成， 並以電積形成方式形成；以及 執行一由金屬材質組成之覆層所製成的金屬微結構凸面 之形成步驟，以形成一向外渦狀突起之螺旋彈簧。 2·—種製造一渦狀突起接觸器，以獲得與電子設備或檢測設 備之一電極之電氣連續性的方法，該方法包括下列步驟： 藉X光雕像術形成一塑膠模（阻抗結構）； 形成一覆層，其由塑膠模（阻抗結構）中金屬材質組成， 並以電積形成方式形成；以及 執行一由金屬材質組成之覆層所製成的金屬微結構凸面 之形成步驟，以形成一向外渦狀突起之螺旋彈簧。 3.如申請專利範圍第1項與第2項之方法，更包括加工該金 屬材質組成覆層之一面或雙面的步驟，以使該金屬材質組 成之覆層厚度沿徑向從外緣部分至中心部分變得更薄。 •4.如申請專利範圍第3項之方法，該步.驟是以放電加工方式 執行。 5 ·如申請專利範圍第3項、第4項之方法，該加工過程之執 行使得該金屬材質組成覆層之一面或雙面能與一旋轉的球 面或抛物面接觸。 6·如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之方法，該渦狀 200525153 突起接觸器是由鎳或鎳合金所製成。 7. —種渦狀突起接觸器，其以如申請專利範圍第1項至第6 項中任一項方法所製成。 8. —種具有如申請專利範圍第7項之渦狀突起接觸器之插 座，此插座爲一檢測搔座，被用以檢測一地面柵格陣列 (LGA)排置之半導體。 9·一種檢測設備具有如申請專利範圍第8項之檢測插座。 10. —種具有如申請專利範圍第7項之渦狀突起接觸器之連揆 器，該連接器被用以與接地電極相接。 11. 一種電子設備具有如申請專利範圍第1〇項之連接器。 -22-