TW200523211A - Processes and systems for making phosgene - Google Patents

Description

200523211 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種依據申請專利範圍第1和第7項的 前言之製造光氣的方法和系統。 【先前技術】 〔發明背景〕 源於含硫有機化合物之氣體常含有硫化氫，所以在使 用這些氣體來製造光氣之前應先除去硫化氫。可藉由使受 污染之氣體通入活性碳而自氣體中部份地除掉硫化氫’其 中此硫化氫是以物理方式吸附於活性碳的微孔內。而產生 之硫則吸附在活性碳表面上，最後，由於活性碳表面上的 硫負載量而必需將此活性碳置換或再生。 光氣，C0C12，係藉由在活性碳上使一氧化碳氣體， CO與氯氣，Cl2反應而製造。典型地，反應中所用之一氧 化碳氣體係自焦炭中製得，所以通常會受到許多硫化合 物，包括硫化羰（cos )、二硫化碳（cs2 )及硫化氫 (H2s )的污染。在一氧化碳氣體股流進入光氣反應容器 之前，可使用活性碳來處理此氣體股流’也希望能從該氣 體中除去這些硫化合物。然而，活性碳除掉H2S的能力不 比其除去大部份之其他硫化合物的能力好。由於其除去 H2S的低能力，H2s將會突破活性碳。也就是說，當活性 碳之能力還未耗盡尙可除去其他硫化合物時，H2s卻無法 從該進入光氣反應容器之一氧化碳氣體股流中除掉。就 -5- 200523211 (2) H2 S之去除而論，由於活性碳過早的耗盡’將會發生數個 缺點。問題之一是在反應室內硫將沉積在光氣觸媒上。另 一問題則是硫的沉積物會堵塞下游設備，如C0/C12混合 區、光氣反應器、及光氣冷凝器。再者’爲了移除活性碳 使之再生或替換而致經常要中斷合成過程’也會使生產率 有所損失。所以，特別需求一更有效的系統，能在一氧化 碳氣體進入合成反應之前便從中排除硫化合物。 【發明內容】 〔發明之簡略說明〕 本發明係揭示一種供製造光氣之系統及方法。在光氣 之製造方法的具體實施例之一中包括有：將一氧化碳股流 導入一金屬氧化物浸漬之活性碳中，以減少該一氧化碳股 流中之硫化氫濃度而產生乾淨股流，其中乾淨股流中之硫 化氫濃度係小於或等於約2 0 p p m，以及使該乾淨股流中之 一氧化碳與氯反應以產生光氣。 在具體實施例之一中，供製造光氣之系統包括：一氧 化碳之供應、金屬氧化物浸漬之活性碳、及放置在下游且 與金屬氧化物浸漬之活性碳及氯氣供應有流動性連通之反 應器。 ,在另一具體實施例中，供製造光氣之系統包括：一氧 化碳之供應、含有未用金屬氧化物浸漬之初期活性碳的第 一個除硫裝置、位於下游且與第一個除硫裝置有流動性連 通之含有金屬氧化物浸漬之活性碳的第二個除硫裝置、放 -6 - 200523211 (3) 置在下游且與第二個除硫裝置有流動性連通之除濕裝置、 以及放置在下游且與氯氣供應及除濕裝置有流動性連通之 反應器。 上文所述及其他之特徵將藉由下列之圖示及詳細說明 而解說示範。 〔發明之詳細說明〕 本發明係揭示一種可自氣體股流中除去硫化氫之方 法，較佳地係提供一可使設備如光氣反應器之下游堵塞減 至最小，同時可使光氣合成用之活性碳觸媒的連線使用期 間增長的方法。從焦炭中製得之一氧化碳氣體股流通常含 有約 1 OOppm (百萬分之一份）至約200ppm之H2S ;約 4,000ppm 至約 5,000ppm 的 COS ;以及約 l，5 00ppm 至約 2，5 OOppm之CS2。第一個吸附劑組成物如活性碳，可用於 一或多個上游吸附器內以便從一氧化碳氣體股流中除去 COS及CS2，進而產生一改質之氣體股流。由於此觸媒很 容易被H2S浸透而飽和，然後該改質之氣體股流將通入位 於第一個裝置下游的第二個吸附劑裝置。在第二個吸附劑 裝置中H2S就可藉由金屬氧化物浸漬之活性碳而自該一氧 化碳氣體股流中排除，因而產生一不含硫之一氧化碳進料 以供光氣製造之用（也就是說，小於或等於約2ppm之硫 化合物）。 雖然無金屬氧化物浸漬之活性碳很容易吸附（及/或 吸收；本文以下將表示爲除去）許多有機蒸氣，但相對地 -7- 200523211 (4) 對極性氣體如H2 S而言卻是一較差之吸附劑。對照下，金 屬氧化物浸漬 （MOI ) 之活性碳就很容易自氣體股流中 除去H2S。可選擇地，該製造光氣之系統中的部件可爲只 包含MOI之活性碳、MOI活性碳與無MOI活性碳之組合 (可混合在反應器內，較佳地在反應器中依序地係將MOI 活性碳放置於無MOI活性碳的下游）、或者是由活性碳 組成之連貫式反應器且MOI活性碳較佳地係放置下游。 此外，也可使用多個具有其一或二者形式之活性碳的反應 器，端視反應器之大小及所需能力而定。基於經濟效益， 較佳地是使用無MOI之活性碳位於MOI活性碳的上游。 頃相信，當一含有硫化氫之氣體通入未浸漬之活性碳 時，硫化氫會吸附在碳粒子表面上。活性碳表面乃涵蓋碳 的微孔表面。最後硫化氫會堵塞無MOI之活性碳而致碳 必須替換或再生的程度。當活性碳經一試劑如金屬氧化 物，例如氧化銅（CuO )改質時，硫化氫化合物會更有效 率地自股流中除去。若是使用以金屬氧化物浸漬之活性碳 來排除氣體中之硫化氫時，在活性碳與金屬氧化物之間會 有一協合作用。活性碳吸附、反應或除去硫化氫的能力會 因其被金屬氧化物浸漬而增加。 合適且商品化之活性碳實例有BPL®活性碳（Calgon Carbon Corporation，Pittsburgh，PA 公司）。此 BPL®活性 碳可未經改質地用於一吸附器中以除去 cos及 cs2。 BPL®活性碳也可藉以金屬氧化物（視情況需要也可以其 他金屬化合物）浸漬而改質並用在吸附器中以除去硫化 -8- 200523211 (5) 氫。 MOI之活性碳可爲任一能有效地自氣體股流中除去 H2S 至濃度小於或等於 20ppm，更佳地小於或等於 1 0 p p m，甚而更佳地小於或等於2 p p m的Μ Ο I活性碳。爲 了得到此一效率，活性碳內之金屬氧化物最好是不要阻塞 活性碳的微孔和大孔。此類ΜΟΙ活性碳已有各種形式之 商品，包括可被金屬氧化物浸漬之九狀、顆粒狀、及粉末 狀。活性碳可藉由任何適當之工具，包括噴灑浸漬而以氧 化銅或其他金屬氧化物來浸漬。 ΜΟΙ活性碳可依多種方式製備。舉例之，可將活性碳 與溶於水、酸性水溶液、鹼性水溶液、或是各種溶劑或分 散劑之第一個金屬化合物（如金屬氧化物或其他金屬化合 物）的溶液或懸浮液形式混合（亦即浸漬、噴灑、或是別 方面之接觸）以形成一混合物。可選擇地將此混合物乾燥 (主動或被動）及/或煅燒（亦即加熱至足夠的溫度達一 充份時間以使該金屬化合物活化）。一旦乾燥及/或煅燒 後，便可使另一金屬化合物（如和第一個金屬化合物相同 或不同之化合物，其中至少一個該金屬化合物無論是乾燥 及/或煅燒後應爲金屬氧化物）混合到此活性碳中，並再 次地視需要而乾燥（主動或被動）及/或煅燒。換句話 說，金屬氧化物或另一金屬化合物皆可在最初、同時地、 或依序地（在乾燥及/或煅燒之前或之後）與活性碳混 合。 可選擇地’也可將金屬化合物加入於活性碳用之原料 -9- 200523211 (6) 中’接著再碳化與活化。如上文有關形成受浸漬之活性碳 的貫施例過程，可將一或多個金屬化合物加入於原料及/ 或活性碳中，其中這些金屬化合物可相同或各異。舉例 之’可將一金屬氧化物與欲生成活性碳之原料組合而形成 一混合物。待碳化與活化後，再於可選舉之乾燥（主動或 被動）及/或煅燒前，將第二個金屬化合物（相同的金屬 氧化物及/或不同的金屬化合物）加入於此活化之混合物 內。 可用來浸漬活性碳以便自氣體中除去硫化氫之至少— 個I金屬化合物係金屬氧化物、或金屬氧化物與金屬鹽類。 此類金屬氧化物之實例包括氧化銅（CuO )、氧化鑭 (La2〇3 )、，鈦酸鋅（ZnTi〇3 )、氧化鐵（如 FeO、鐵 Fe_ 2〇3及其類似物）、氧化鈣（CaO )、二氧化矽（Si〇 )、 氧化錦（Ah O3 )、其類似物、以及含有至少一個前述金 屬氧化物之組合物，對在約常溫（即約2 2 t )下操作的方 法而言以氧化銅及含有氧化銅之組合物爲較佳。 MOI活性碳可包含充分之金屬氧化物以便自氣體股流 中將H2 S排除至所需之濃度水準。一般而言，可使用約 〇·5重量百分比（wt% )至約2〇重量百分比之金屬氧化 物’相對於MOI活性碳的總重量。在此範圍內，以小於 或等於約1 5重量百分比之金屬氧化物爲較佳，且以小於 或等於約1 2重量百分比爲更佳。同時，也較佳地是金屬氧 化物濃度應大於或等於約i重量百分比。M0I活性碳之商 口口製造商的貫例包括Res-Kem Corp·，Media，PA公司（如 -10- 200523211 (7)

CuO Calgon) 、NUCON International，Inc.，Columbus, OH 公司（NUSORB FC) 、N i c h e m C ο ·，I r v i n g t ο η，N J 公司、 以及 Cameron Carbon Inc·，Baltimore，MD 公司等。 在製造光氣的方法中，硫化合物可在C 0股流與光氣 觸媒接觸之前即自該股流中除去，以避免弄污了此方法中 之光氣觸媒、反應器、及/或其他組份。硫化合物（如 COS、cs2、及/或類似物）較佳地係以第一個反應器（即 未受金屬氧化物浸漬之活性碳、或其類似物（無MOI之 活性碳））來排除，而H2S則是以MOI活性碳（可在除 去COS及CS2之前或之後，而以之後爲較佳）來排除。這 些硫化合物之去除包括了在反應器內使該CO股流與碳組 份接觸。可使用各種形態之反應器，例如固定床、移動 床、裝塡床、攪拌槽、流化床、及其類似物。 關於圖1，在光氣製造系統（50)中第一個可選擇之 除硫裝置（22 )可包括一前位之副裝置（24 )及一後位之 副裝置（26 )，其中此兩個副裝置皆可含有無MOI活性 碳。該等副裝置可依串聯方式操作，且後位之副裝置 (2 6 )是位於前位之副裝置（2 4 )的下游，或者也可爲平 行的。運轉期間，一氧化碳股流（20 )將通入此第一個除 硫裝置（22 )，其中無MOI活性碳可自該股流中除掉 COS及CS2。來自第一個除硫裝置（22)之改質股流可送 入位於第一個除硫裝置（22 )下游的第二個除硫裝置 (5 4 )中，其內之Μ 01活性碳可從該股流中除去硫化氫 (舉例之，可在常溫（即約2 2 °C )及8 0磅每平方英吋規 -11 - 200523211 (8) 格（psig )之壓力下進行）。視該進入第一個除硫裝置 (2 2 )之一氧化碳的濕氣含量及μ ΟI活性觸媒內所用之 特定金屬氧化物而定，濕氣可視需要在第二個除硫裝置 (5 4 )上游處被加入或除去。 可選擇地，該不含硫化物之股流可在氯氣（2 8 )導入 該股流之前或之後進一步地處理以便除去濕氣。所以， 不含硫化氫之氣體股流就可從第二個除硫裝置（54 )中通 入一可選擇之除濕裝置（34)，此除濕裝置（34)較佳地 是在足以使該股流之濕氣維持在小於或等於約1 ppm之條 件下操作。該股流從除濕裝置（3 4 )中流出後便可通入一 混合裝置（3 6 )(如擠壓機、揉合機、閥、或其類似 物），加入該股流中之氯將於其內先行混合，再進入反應 器（38 )中。 隨著時間的過去，除硫裝置（54 )會因硫化氫而飽 和，所以需要再生。舉例之，再生可藉由將熱（亦即在大 於或等於約3 5 0 °C下（例如，藉由加熱碳及/或惰性氣 體））的惰性氣體（如一氧化碳、氮氣、及其類似物，以 及含至少一個這些氣體之組合物）導入裝置中，並配合足 夠量的氧氣與金屬硫化物反應以將該金屬硫化物轉化爲金 屬氧化物並產生二氧化硫而達成。典型地’惰性氣體股流 之氧含量係約0.2體積百分比（v〇l%)至2體積百分比的 氧，相對於惰性氣體股流之總體積。較佳地’惰性氣體股 流之氧含量係約0.5體積百分比至1體積百分比’而典型 地是使用約〇 · 5體積百分比，相對於惰性氣體股流之總體 -12« 200523211 (9) 吸附作用及再生反應並不受限於理論，其乃如下列： 吸附·· CuO + H2S— CuS + H20 常溫（約 25°C) 再生：2CuS + 302-> 2Cu0 + 2S02 熱約 3 5 0 °C，於氮 氣中） MOI活性碳觸媒之再生可在離線時進行，如卸下飽和 吸附器之時，或者可藉使用閥系統及其他輕微之修正而在 連線上進行，以使含硫之再生股流不會進入反應器（3 8 ) 內。 需明瞭的是，一或多個吸附器，即無MOI活性碳和 Μ ΟI活性碳都可以串聯或平行方式使用，端視特定之系統 設計而定。此一設計特徵將依所需之流速、空間限制、各 別反應器大小、連線或離線再生、及其類似者而定。在所 有系統中，將使用至少一個ΜΟΙ活性碳除硫裝置以抑制 硫污染反應器。視情況需要，此Μ ΟI活性碳除硫裝置可 放置在無ΜΟΙ活性碳除硫裝置內，也就是說，在前位與 後位裝置之間，較佳地係放在至少一部份無ΜΟΙ活性碳 的下游。 【實施方式】 實施例1 :僅使用BPL®活性碳以除去硫化合物 參考圖 1，將一含有 4,630 ppm 之 COS、1，991 ppm CS2、及1 18 ppm H2S的一氧化碳氣體股流通入第一個除 硫裝置（22 )內；即以8,000磅每小時（】b/hr )之速率通 -13- 200523211 (10) 過前位之副裝置（24 )，然後再通過後位之副裝置 (26)。此前位與後位之裝置包含30,000磅之無MOI活 性碳組成物以做爲除硫組成物，其可自一氧化碳氣體股流 中除去COS及CS2氣體和一些硫化氫。待此改質之股流通 過超前與後位之裝置後，便可通入除濕裝置（34)中，以 使此改質之股流的水含量減少至1 ppm，然後於混合器 (36)中與氯混合，再導入反應器（38)中，在其內就可 產生光氣。 圖2·係以圖示代表在混合器（36 )中該通過之股流的 硫化氫濃度。監測此系統約5 · 5天之久。如此圖所顯現， 在裝置中1 4小時連線使用的約7小時期間內硫化氫每天 會突破（約200PPm )。在此14小時連線時間內COS及 C S2並不會突破。基本上，由於此一突破，硫將沉積在設 備及光氣反應器上。此硫沉積物總計約1 5至2 0磅每天， 所以需經常關閉光氣之生產以便置換除硫裝置或使之再 生，同時也須淸洗裝滿硫之設備。 貫施例2 ·藉使用B P L ®活性碳，接著再使用c u 0 -浸漬之 活性碳以除去硫化合物 重複實施例1之過程，但不同的是使用一磨光床，也 就是說將CuO-浸漬之活性碳除硫裝置（54 )放置在除硫 裝置（22)下游。此除硫裝置（54)包含15,000碌CuO 浸漬之活性碳（亦即NUSORB FC )。 將一含有 4,630 ppm 之 c〇S、1，991 ppm CS2、及]18 -14- 200523211 (11) PPm H2S的一氧化碳氣體股流通入含有BPL®活性碳的第 一個除硫裝置（22 )內；即以8,000磅每小時（lb/h〇之 速率通過前位之副裝置（24 )，然後再通過後位之副裝置 (26 )。此前位與後位之裝置包含30,〇〇〇磅之無MOI活 性碳組成物以做爲除硫組成物，其可除去COS及CS2氣體 以產生一改質之股流。 待此改質之股流通過前位與後位之裝置後，便可通入 CuO-浸漬之活性碳除硫裝置（54 )內，其可將硫化氫濃度 減低至小於2 ppm。從除硫裝置（54 )流出後，再將此不 含H2 S之股流通入除濕裝置（3 4 )中，以使此股流之水含 量減少至lppm，然後於混合器（36 )中與氯混合，再導 入反應器（38)中，在其內就可產生光氣。 圖3係以圖示表示藉使用如圖1之系統及如實施例2 所述般，從一氧化碳氣體中除去硫化氫的結果。從圖示中 可看出在約9天的連線使用期間（亦即每天1 4小時後配 合14小時之的再生）硫化氫氣體之濃度，在整個時間 內，於混合器中的硫化氫濃度是小於1 〇 P P m，典型地小於 係 2 p p m。 使用本發明所揭示之方法自一含有硫化合物之股流中 除去硫化氫氣體，可比在無M0I活性碳吸附器之下游不 用M0I活性碳（特別是CuO浸漬之活性碳）的系統提供 了更多的優勢。優點之一包括了產生一基本上不含硫化氫 之一氧化碳氣體股流，並可用來製造其他如光氣之化學 物，而不會阻塞管線、過濾器、混合器、反應器、及觸 -15- 200523211 (12) 媒。此一系統能將硫化氫排除到小於或等於約5 〇PPm ’較 佳地是小於或等於約 20ppm，更佳地小於或等於約 2ppm，甚而，小於或等於約ippm也可輕易獲得。 由於股流中之低硫化氫濃度，所以會顯著地增加觸媒 在連線上的使用（如光氣反應器及觸媒）’並且不會因觸 媒之再生或置換而關闢系統。未利用本發明系統之前’在 CO速率約8,0 00磅/小時下就會有約15磅/(14小時期 間）的硫沉積在設備及光氣觸媒上。對照下，在CO速率 約8，0 0 0磅/小時下則只有小於或等於約1磅/( 1 4小時期 間）的硫沉積在設備及光氣觸媒上。由於CO股流之純度 (也就是說有非常低的H2S濃度），就可從所製得之光氣 中製造較高純度之聚碳酸酯。 在本發明已根據範例性具體實施例說明之際，熟諳此 藝者需明瞭的是，在不違背本發明之範圍下都可進行各種 變異，並且也可替代相對等之元件。除此之外，只要不違 背本發明之基本範圍，即可進行許多修正以使特定之情況 或部件適應本發明之教示。所以，本發明並不意圖限制於 可進行本發明之最佳模式所揭示的特定具體實施例，但本 發明將涵蓋所有在隨附之申請專利範圍內的具體實施例。 【圖式簡單說明】 接著將參照圖示詳細說明本發明，其中 圖1係表示一可自氣體股流中除去硫化氫氣體之方法 的示意性代表圖； -16- 200523211 (13) 圖2係表示一比較性實施例之結果的圖解代表圖，其 可顯示出一氧化碳氣體股流只通入一無MOI之活性碳 時’該氣體股流中之硫化氫濃度； 圖3係表示一硫化氫濃度之圖解代表圖，其係爲一氧 化碳氣體股流通入未浸漬之活性碳且隨後再通過如圖1所 述之氧化銅浸漬之活性碳時，該氣體股流中之硫化氫濃 度。 【主要 元件 符 說 明 ] 2〇 --- 氧 化 碳 股 流 22 第 一 個 除 硫 裝 置 24 刖 位 之 副 裝 置 26 後 位 之 副 裝 置 28 氯 氣 34 除 濕 裝 置 36 混 合 裝 置 38 光 氣 反 應 器 5〇 光 氣 製 造 系 統 54 第 二 個 除 硫 裝 置

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Claims (1)

1. 200523211 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種製造光氣之方法，彼包括： 將一氧化碳股流導至一金屬氧化物浸漬之活性碳； 減少·該一氧化碳股流中的硫化氫濃度以產生乾淨股 流’其中該乾淨股流之硫化氫濃度係小於或等於約 2 0 p p m ;以及 使該乾淨股流中之一氧化碳與氯（28 )反應以產生光 氣。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，彼進一步包括： 在將該一氧化碳股流導至該經金屬氧化物浸漬之活性 碳之前，先將之導至未以金屬氧化物浸漬之活性碳中；以 及 減少該一氧化碳股流中之硫化羰和二硫化碳至少一者 之濃度。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，彼進一步包括： 藉由如下程序使該經金屬氧化物浸漬之活性碳再生·· 停止將一氧化碳股流導至該經金屬氧化物浸漬之活性 碳； 將一含有氧氣之惰性氣體股流導至該經金屬氧化物浸 漬之活性碳，其中係將至少一個該經金屬氧化物浸漬之活 性碳加熱至大於或等於約3 5 0 °C，或者是使該惰性氣體股 流在大於或等於約3 5 (TC之溫度下；以及 從該經金屬氧化物浸漬之活性碳除去二氧化硫。 4 ·如申請專利範圍第3項之方法，其中該惰性氣體 -18- 200523211 (2) 股流中所存在之氧氣含量相對於該惰性氣體股流之總體_ 係爲約0.2體積％至約2體積％。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之方法，其 中該金屬氧化物包括氧化銅。 6 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之方法，其 中硫化氫濃度係小於或等於約2ppm。 7 · —種製造光氣之系統（5 0 )，彼包括： 一氧化碳之供應（20 ); 含有未用金屬氧化物浸漬之原始活性碳的第一個卩余^ 裝置（22 ); 位於下游且與第一個除硫裝置（2 2 )有流動性連通& 含有經金屬氧化物浸漬之活性碳的第二個除硫裝# (54); 放置在氯氣供應（28 )及第二個除硫裝置（54 )下游 且與之有流動性連通的反應器（3 8 )。 8 ·如申請專利範圍第7項之系統，彼進一步包括位 於第二個除硫裝置（5 4 )下游且位於反應器（3 8 )上游之 除濕裝置（3 4 )。 9 ·如申請專利範圍第8項之系統，彼進一步包括位 於除濕裝置（3 4 )下游且位於反應器（3 8 )上游之混合器 (36)〇 -19-