TW200414801A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Description

200414801 (1) 玫、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關光電裝置及具備此光電裝置的 【先前技術】 先前，有機電激光（以下簡稱有機EL)顯 光電裝置中，基板上層積有陽極、正孔注入層、 等之光電物質所成的發光層、以及陰極之構造爲 成此種有機EL顯示裝置的有機EL元件中，存 成發光層的光電物質因氧氣或水分等而劣化、陰 或水分等造成導電性下降，而使得發光元件的壽 問題。 爲了解決此課題的先前技術，例如有形成保 蓋發光層或陰極之有機EL元件的製法爲人所公 曰本特開平8 - 1 1 1 2 8 6號公報）（圖1 )。 【發明內容】 但在此同時，前記有機EL元件的製法中， 當發光層爲多數時之情形，因此要將該技術適用 數有機EL元件所成的顯示部之光電裝置上會有 此，現狀下，光電裝置中的發光元件（有機EL 長壽命化甚爲困難。 本發明係有鑑於前記事實，目的在提供特別 電子機器 示裝置等 EL物質 公知。構 在有：形 極因氧氣 命縮短之 護膜來覆 知（例如 並未揭露 在具備多 困難。因 元件）的 是發光層 -5- (2) 200414801 爲多數之光電裝置中’可輕易並確實地防止氧氣或 入發光層和電極，藉此以使發光元件的長壽命化變 的光電裝置，及具備其之電子機器。 爲了達成前記目的，本發明的光電裝置，其特 有：在基體上的第1電極；及設於前記第1電極上 有至少含有一層機能層之元件層的複數之元件領域 形成在前記元件層上方之第2電極；及前記複數元 中’覆盍最接近前記基體之最外周之元件領域所含 層之前記外周側之側部，設於前記基體上之包圍部 覆蓋前記第2電極之氣體隔絕層；且前記包圍部材 外周側的側部，係被前記第2電極所覆蓋；且前記 絕層和前記基體相接。 若根據該光電裝置，由於是以覆蓋著元件領域 元件層的外周側的側部的狀態設置包圍部材，在該 材的外周側之側部則被第2電極所覆蓋，該第2電 氣體隔絕層覆蓋，故尤其是藉由元件領域所含之元 外周側的側部被包圍部材、第2電極、氣體隔絕層 封，而可確實地防止氧氣或水分，藉此可抑制氧氣 造成元件層或電極之劣化等，使元件可長壽化。 又，由於沒有必要針對每一元件層（例如發光 )形成第2電極或氣體隔絕層，故可免除細微的圖 ，因此只需以單純的成膜法形成，而達到提升生產 的。 又，前記光電裝置中，其中前記元件層，係亦 水分滲 爲可能 徵爲含 方，含 :及被 件領域 之元件 材；及 之前記 氣體隔 所含之 包圍部 極又被 件層的 三重密 或水分 元件層 案形成 性的目 可藉由 -6- (3) (3)200414801 來自前記第1電極或前記第2電極所供給之載子，通過前 記元件層，而展現機能。 當載子通過元件層時，至少有一部份會產生電子與正 孔的存在機率不同之部份，而破壞該部份的電荷平衡。該 部份反應性已經極高，若是和氧氣或水分反應就會導致構 造缺陷。構造缺陷會變成載子的捕捉基，是導致元件層機 能機能下降的原因。因此，元件層必須要被完整保護遠離 氧熱或水分’ f昔由則記包圍部材或氣體隔絕層等，可保護 元件層遠離氧氣或水分。 又，因爲載子的注入狀態大受電極狀態所影響，故爲 了維持適切的注入效率，必須要保護電極遠離氧氣或水分 ，而藉由前述包圍部材或氣體隔絕層等，亦可保護電極遠 離氧氣或水分。 又，前記光電裝置中，其中前記氣體隔絕層係無機化 合物爲理想。 如此，例如第2電極爲ITO (銦錫氧化物）等無機氧 化物或金屬、合金等所成時，由於氣體隔絕層爲無機化合 物或矽化合物所成故與第2電極之密著性良好，因此氣體 隔絕層會是沒有缺陷的緻密層而對氧氣或水分的隔絕性良 好。 又，前記光電裝置中，其中前記第2電極至少和氣體 隔絕層相接的面上，是由無機化合物所成爲理想。 如此，由於前記第2電極至少和氣體隔絕層相接的面 上是由無機化合物，故與無機化合物或矽化合物所成之氣 (4) (4)200414801 體隔絕層之密著性良好，因此氣體隔絕層會是沒有缺陷的 緻密層而對氧氣或水分的隔絕性良好。 又’則記光電裝置中，其中形成前記包圍部材之外側 部之面，和基體表面間所成之角度，在110度以上爲理想 〇 如此，覆蓋包圍部材之外側部的第2電極與氣體隔絕 層的覆蓋性良好，可確保在該外側部上之第2電極與氣體 隔絕層的連續性。 又，前記光電裝置中，其中前記光電裝置係主動矩陣 型爲理想。 如此，由於沒有必要每一發光元件形成第2電極，故 可免除細微的圖案形成，因此只需以單純的成膜法就可形 成第2電極，可達到提升生產性之目的。 又，前記光電裝置中，其中前記器氣體隔絕層，理想 係使第2電極側的氧氣濃度較外側氧氣濃度爲低。 若根據此一構成，可防止氣體隔絕層之氧氣通過第2 電極到達發光層導致發光層劣化，藉此以達到使發光層長 壽化之目的。 又，前記光電裝置中，其中前記氣體隔絕層上設有覆 蓋其之保護層爲理想。 如此，發光層和電極被保護層所保護，可抑制氧氣或 水分所致發光層和電極之劣化，因此可使發光元件長壽化 〇 又，前記光電裝置中，其中前記保護層係在其表面側 -8- (5) (5)200414801 具有表面保護層爲理想。 如此，例如藉由表面保護層是具備耐壓性、耐磨耗性 、防止反光性、氣體隔絕性、紫外線隔絕性等機能，使得 發光層、電極甚至是氣體隔絕層都受到該表面保護層所保 護，因此可達發光元件長壽化之目的。 又’前記光電裝置中，其中前記保護層係在前記氣體 隔絕層側，具有密著於該氣體隔絕層且有對抗機械力衝擊 之緩衝機能的緩衝層爲理想。 如此，藉由緩衝層發揮對抗機械衝擊之緩衝機能，可 緩和對氣體隔絕層或其內側之發光元件的機械衝擊，而可 防止該機械衝擊造成機能劣化。 又，前記光電裝置中，其中前記緩衝層，係含有矽烷 耦合劑（silane coupling agent)或烷氧基矽烷（alkoxyl-silane)爲理想。 如此，與氣體隔絕層的密著性良好，因此可提高對機 械衝擊的緩衝機能。 本發明之電子機器，其特徵爲具備前記光電裝置。 若根據此種電子機器，由於具備抑制氧氣或水分所致 發光層或電極之劣化而使發光元件長壽化之光電裝置，故 電子機器本身的製品壽命也良好。 【實施方式】 本發明之光電裝置的一實施形態，是以使用了光電物 質之一例的電場發光物質、其中之有機電激光（EL)材 -9 - (6) 200414801 料的EL顯示裝置來說明。 首先，茲佐以圖1說明本實施形態之E L顯示裝置 配線構造。 圖1所不EL顯示裝置（光電裝置）1，是屬於使 了薄膜電晶體（Thin Film Transistor，以下略稱TFT) 爲開關元件的主動矩陣型EL顯示裝置。 該EL顯示裝置1，如圖1所示，除了具有複數之 描線101…，及對各掃描線1〇1成直角交叉方向延伸之 數的信號線102…，及平行於各信號線1〇2延伸之複數 電源線103…，分別構成配線，還在掃描線！ 01…與信 線102之各交點附近，設有像素領域X…。 信號線102上連接著具備平移暫存器（shift regisi )、位準平移器（level shifter )、視訊線（v i d e ο 1 i n e 以及類比開關之資料線驅動電路1 〇〇。又，掃描線1 〇 1 ’連接著具備平移暫存器及位準平移器的掃描線驅動電 80 ° 甚至’各個像素領域X，係設置有：隔著掃描線1 供給掃描信號至聞極的開關用TFT1 1 2、隔著該TFT1 從信號線1 0 2中保持著共有之像素信號的保持電容1 1 3 將該保持電容1 1 3所保持的像素信號供給至閘極的驅動 TFT123、隔著該驅動用TFT123當電氣連接至電源線1 時從該電源線103通入驅動電流的像素電極（電極）23 該像素電極23與陰極（電極）5〇所包夾之機能層1 1〇 藉由像素電極23、陰極50與機能層110，構成發光元 的 用 作 掃 複 的 號 :e r ) 上 路 0 1 12 用 03 件 -10- (7) (7)200414801 (有機EL元件）。 若根據此E L顯示裝置1，則一旦掃描線1 〇 1被驅動 而TFT1 12成開狀態，則此時信號線102的電位會被保持 電谷1 1 3所保？寸’且呼應該保ί寸電谷1 1 3的狀態而決定驅 動用TFT123的開/關狀態。然後，隔著驅動用TFT123 的通道，電流從電源線1 0 3流至像素電極2 3，再通過機 能層1 1 〇流至陰極5 0。機能層1 1 0，會反映流過之電流量 而發光。 接著，茲佐以圖2〜圖5，說明本實施形態之E L顯 示裝置1的具體構成。 本實施形態之EL顯示裝置1，係具備如圖2所示具 備電氣絕緣性的基板20、連接至開關用TFT (未圖示） 的像素電極在基板20上呈矩陣狀配置的像素電極域（未 圖示）、被配置在像素電極域周圍且連接各像素電極的電 源線（未圖示）、至少位於像素電極域上之平面視爲幾乎 呈矩形之像素部3 (圖2中單點虛線框內）而構成的主動 矩陣型EL顯示裝置。此外，本發明中，包含基板20與 後述之於其上所形成之開關用TFT或各種電路，及層間 絕緣膜等，統稱爲基體。（圖3、4中是以符號200表示 ° ) 像素部3係被中央部份的實顯示領域4 (圖2中雙點 虛線框內），及被配置在實顯示領域4周圍的空白領域5 (單點虛線與雙點虛線之間的領域）所劃分。

實顯示領域4內，有像素電極分別在顯示領域R、G -11 - (8) (8)200414801 、B在A - B方向及C - D方向上分別離間而呈矩陣狀配置 〇 - 又’實顯示領域4之圖2中的兩側，配置著掃描線驅 動電路8 0、8 0。這些掃描線驅動電路8 0、8 0，係被配置 在空白領域5下側。 再者，實顯示領域4的圖2中的上側，配置著檢查電 路9 0。該檢查電路9 0，係爲了檢查e L顯示裝置1的運 作狀況之電路構成’例如具備將檢查結果輸出至外部的檢 查資訊輸出手段（未圖示），在製造途中或出貨時可進行 顯示裝置之品質、缺陷之檢查。此外，該檢查電路90亦 被配置在空白領域5.的下側。 掃描線驅動電路80及檢查電路90，其驅動電壓都是 從所定的電源部，經過驅動電壓導通部3 1 0 (參見圖3 ) 及驅動電壓導通部3 40 (參見圖4 )而施加。又，送往這 些掃描線驅動電路8 0及檢查電路9 0的驅動控制信號及驅 動電壓，係透過進行該EL顯示裝置1的運作控制之所定 之主驅動器等所送來的驅動控制信號導通部320 (參見圖 3)以及驅動電壓導通部350(參見圖4)而送信或施加。 此外，此處所謂驅動控制信號，係關係著掃描線驅動電路 80及檢查電路90在信號輸出致祭的控制之來自主驅動器 的指令信號。 又，此EL顯示裝置1，係如圖3、圖4所示在基體 2 00上具備第1電極（像素電極23 )與本發明中做爲機能 層的發光層60與第2電極（陰極50)之發光元件（有機 •12- 200414801 Ο) EL元件）形成有多數個，再將其覆蓋氣體隔絕層 成。 此外，本例中機能層是以發光層60爲之， 能層的元件層係視爲元件領域（未圖示），但本 謂的機能層，雖然是以發光層（電激光層）爲代 可爲正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電 等之載子注入層或載子輸送層。甚至，亦可爲正 (Hole Blocking 層）、電子阻止層（Electron 層）。 構成基體 200的基板 20，在所謂頂發光 Emission)的E L顯示裝置時，因爲是屬於要取 板對面側之氣體隔絕層3 0側來的發光光的構造 用透明基板或不透明基板之任一種。不透明基板 例如有鋁等之陶瓷、不鏽鋼等金屬薄片上施以表 絕緣處理之物，或熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂 其薄膜（plastic film )。 此外，在所謂背發光型（Back Emission)的 裝置時，因爲是屬於將來自基板20之發光光取 ，故基板20的成份，採用透明或半透明者。例 石英、樹脂（Plastic、Plastic Film)等，尤其是 較爲理想。此外，本實施形態中，是假設將來自 層30側的發光光取出之頂發光型，因此基板20 記不透明者，例如不透明之塑膠薄膜等。 又，基板20上，形成有含有用以驅動像素電 ί 3 0而形 含有該機 發明中所 表，但亦 子輸送層 孔阻止層 Blocking 型（Top 出從該基 ，故可使 的成份， 面氧化等 ，甚至是 EL顯示 出之構成 如玻璃、 玻璃基板 氣體隔絕 是採用前 [極2 3的 •13- (10) (10)200414801 驅動用TFT123等之電路部11，其上設有多數個發光元件 (有機EL元件）。發光元件，如圖5所示，是藉由依序 形成做爲陽極功能之像素電極（第1電極）23、將來自該 像素電極23的正孔注入/輸送之正孔輸送層70、具備光 電物質之一的有機EL物質之發光層60，及陰極（第2電 極）5 0而構成。 此種構成基本上，發光元件係在其發光層60中，藉 由正孔輸送層70所注入的正孔與來自陰極50的電子結合 ，而產生發光光。 像素電極2 3，在本實施形態中因爲是頂發光型而不 必爲透明，因此藉由適宜的導電材料形成。 正孔輸送層7 0的形成材料，例如聚噻吩衍生物、聚 吡咯衍生物，或此等之摻雜體。具體而言，可使用3,4_聚 乙烯二氧化噻吩/聚苯乙烯颯（pED〇T/PSS )〔商品名： Baytron-p，拜耳公司製〕的分散液，亦即，將3,4-聚乙 烯二氧化噻吩分散在分散媒之聚苯乙烯颯中，再以水分散 之分散液。 發光層60的形成材料，可使用可發出螢光或磷光之 公知的發光材料。具體而言，適合使用的有（聚）芴衍生 物（PF )、（聚）對苯乙烯衍生物（ppv )、聚乙烯基咔 哗（PVK )、聚噻吩衍生物、聚甲基矽烷（PMPS )等聚 矽烷系等。 又’這些高分子材料中，亦可使用茈（perylene)系 色素、香豆素（Cumarin)系色素、若丹明（Rh〇damine) -14- (11) (11)200414801 系色素等商分子系材料’或紅熒燒（rubrene)、菲、 9,10 -一本基恩、四本基丁 一嫌、耐綸紅、香豆素6、 口丫 酮（quinacridone )等低分子材料當作摻雜劑使用。 此外’亦可以先前公知的低分子材料，取代前記高分 子材料。 又，因應所需，亦可在此種發光層60上形成電子注 入層。 又，本實施形態中所謂正孔輸送層7 0與發光層6 0， 係如圖3〜圖5所不在基體2 0 0上形成格子狀的親液性控 制層25與有機擋堤層22 1所圍繞而配置，藉此所圍繞成 的正孔輸送層70及發光層60係構成單一發光元件（有機 EL元件）之元件層。 此外，形成爲格子狀的親液性控制層2 5及有機擋堤 層221中，尤其是最外周部份，亦即發光層60的最外周 位置且覆蓋外側部之狀態下圍繞此之部份，成爲本發明中 的包圍部材2 0 1。 此處，關於包圍部材201，尤其是形成其上部的有機 擋堤層221中，形成外側部的面201a的基體200表面所 夾之角度（9，會呈110度以上。之所以爲此種角度，是爲 了如後述之在其上良好地形成陰極5 0，使得氣體隔絕層 3 〇的步驟覆蓋性良好，以確保外側部上之陰極和氣體隔 絕層3 0的連續性。 陰極50，如圖3〜圖5所示，具備較實顯示領域4及 空白領域5的總面積更廣的面積’並分別覆蓋其而形成， -15· (12) (12)200414801 故是在覆蓋前記發光層60及有機擋堤層221及包圍部材 201的上面，甚至覆蓋了形成包圍部材201之外側部的面 2〇la之狀態下，形成於基體2 00上。此外，該陰極50， 如圖4所示，在前記包圍部材2 0 1之面2 0 1 a的外側，連 接至形成在基體200之外周部的陰極電源配線2 02。該陰 極電源配線202上連接著可彎性基板203，藉此，則使陰 極5 0成爲隔著陰極電源配線202連接在可彎性基板203 上之未圖示的驅動1C (驅動電路）。 用來形成陰極50之材料，由於本實施形態係頂發光 型故必須要有透光性，因此使用透明導電材料。理想的透 明導電材料有ITO。除此以外，例如可使用氧化銦、氧化 鋅非晶態透明導電膜（Indium Zinc Oxide: IZO (註冊商 標））（日本出光興產公司製）等。 此種陰極5 0上，氣體隔絕層3 0是在覆蓋著該陰極 50於基體200上露出之部份的狀態下而設置。該氣體隔 絕層3 0，係爲了防止氧氣或水分滲入其內側，故可藉其 防止氧氣或水分滲入陰極5 0或發光層6 0，而可抑制氧氣 或水分所導致之陰極50或發光層60的劣化。 該氣體隔絕層3 0，係例如由無機化合物所成，較理 想爲矽化合物，亦即氮矽化物或氮氧矽化物等所成。但是 ，除了矽化物以外，亦可爲例如鋁、氧化鉅、氧化鈦、甚 至其他陶瓷等所成者。若如此以無機化合物形成氣體隔絕 層30，尤其是陰極50是由ITO所成，則氣體隔絕層30 和該陰極5 0之間的密著性良好，因此氣體隔絕層3 0可成 -16- (13) (13)200414801 爲無缺陷之緻密層而可有良好的氧氣或水分隔絕性。 又，該氣，體隔絕層30的射料，例如亦可爲將不同於 前記矽化合物之層層積而成之構造，具體而言從陰極50 側起依序形成氮矽化物、矽氧化物來構成氣體隔絕層3 0 較爲理想。又，除了此種組合以外，只要是能使陰極5 0 側之層的氧濃度可藉此而較外側層之氧濃度爲低之構成者 ，都爲理想。 若根據此，則陰極5 0側的氧濃度可較其相反側爲低 ，故可防止氣體隔絕層3 0中的氧通過陰極5 0到達內側之 發光層60所導致之發光層60的劣化，藉此可達成發光層 6 0的長壽化。 又，氣體隔絕層30構成，可不必爲層積構造，只要 使其組成爲非均勻尤其是使其氧濃度呈連續、或非連續變 化之構成皆可。此時，也是依據前述理由，是以陰極50 側的氧濃度較外側氧濃度爲低者爲理想。 又，此種氣體隔絕層 30的厚度，以10nm以上、 5 0 0nm以下爲理想。若不滿1 〇nm，則可能因膜的缺陷或 厚度瑕疵等導致部份地形成貫通孔，而損及覆蓋性；若超 過5 0 0 n m以上，則可能因應力而導致破裂。 又，本實施形態由於是頂發光型’故氣體隔絕層3 0 必須要有透光性，因此藉由適宜地調整膜厚’使得本實施 形態中可視光領域中的透光率例如爲80%以上。 前記發光元件的下方，如圖5所示設有電路部1 1。 該電路部11，係形成在基板20上以構成基體200。亦即 -17- (14) (14)200414801 ，基板20的表面上形成有以 Si02爲主體之基底保護層 281作爲基底，在其上形成矽層241。該矽層241的表面 上，形成有以Si02及/或SiN爲主體之閘極絕緣層282 〇 又，前記矽層241中，夾著閘極絕緣層2 82重疊於閘 極電極242的領域則成爲通道領域241a。此外，該閘極 電極242，係未圖示之掃描線101的一部份。另一方面， 覆蓋矽層241，且形成閘極電極242的閘極絕緣層2 82的 表面上，形成有以Si02爲主體的第1層間絕緣層2 83。 又，矽層241之中，在通道領域241a之源極側，低 濃度源極領域241b及高濃度源極領域241S，另外在通道 領域24 1 a的汲極側設置低濃度汲極領域24 1 c及高濃度汲 極領域241D，構成所謂LDD ( Light Doped Drain )構造 。在此其中，高濃度源極領域24 1 S，係透過橫越閘極絕 緣層2 82與第1層間絕緣層283而開孔之導通孔243 a， 連接至源極電極243。該源極電極243，係構成爲前述電 源線1 〇 3 (參見圖1、圖5中在源極電極2 4 3位置上朝紙 面垂直方向延伸）之一部份。另一方面，高濃度汲極領域 241D，係透過橫越閘極絕緣層2 82與第1層間絕緣層283 而開孔之導通孔244a，連接至和源極電極243同層所成 的汲極電極244。 形成有源極電極2 4 3及汲極電極24 4的第1層間絕緣 層2 83的上層，係被例如以壓克力系樹脂爲主體的第2層 間絕緣層284所覆蓋。該第2層間絕緣層284，係可使用 -18- (15) (15)200414801 壓克力系絕緣膜以外的材料’例如SiN、Si02等。而且， 由IΤ Ο所成的 像素電極23，除了在該第2層間絕緣層2 84的表面 上有形成，還隔著被設置在該第2層間絕緣層284上之導 通孔23a連接至汲極電極244。亦即，像素電極23，係隔 著汲極電極244，連接至矽層241的高濃度汲極領域 24 1 D。 此外，掃描線驅動電路80及檢查電路90內所含的 TFT (驅動電路用TFT )，亦即例如這些驅動電路之中， 構成平移暫存器所含之倒換器（inverter)之N通道型或 P通道型TFT，除了沒有和像素電極23連接這點以外， 其餘是和前記驅動用TFT 123相同的構造。 在形成有像素電極23的第2層間絕緣層284之表面 ，設有像素電極23、前記親液性控制層25及有機擋堤層 221。親液性控制層25，係例如Si02等之親液材料爲主體 之物，有機擋堤層221，係由聚丙烯酸或聚醯亞胺等所成 。然後，在像素電極23上，親液性控制層25設有開口部 25a，以及被有機擋堤層221所圍繞只開口部221a的內部 ，依序層積著正孔輸送層70與發光層60。此外，本實施 形態中親液性控制層25的所謂「親液性」，係指至少較 構成有機擋堤層221之聚丙烯酸或聚醯亞胺等之材料具有 更高親液性者。 以上說明之基板20上至第2層間絕緣層284爲止的 層，構成了電路部1 1。 -19- (16) (16)200414801 於此，本實施形態之EL顯示裝置1，係爲了進行彩 色顯示，發光層60必須要分別對應該發光波長頻帶之光 的三原色而形成。例如，發光層60，係將發光頻帶爲對 應於紅色之紅色用發光層60R、對應於綠色之綠色用發光 層60G、對應於藍色之藍色用發光層60B，分別設置在對 應之顯示領域 R、G、B，構成以這些顯示領域R、G、B 進行彩色顯示之一個像素。又，各色顯示領域的邊界，例 如在有機擋堤層22 1與親液性控制層25之間，形成有以 金屬鉻藉由濺鍍法等成膜之未圖示的BM(黑矩陣）。 接著，茲佐以圖6〜圖10，說明本實施形態所論EL 顯示裝置1之製造方法之一例。此外，本實施形態中，做 爲光電裝置之例的EL顯示裝置1是頂發光型。又，圖6 〜圖1 〇的剖面圖，係對應於圖2中A-B線的剖面圖。 首先，如圖6(a)所示，在基板20的表面上，形成 基底保護層281。接著，在基底保護層281上，以IC VD 法、電漿CVD法等形成非晶矽層501後，以雷射回火法 或急速加熱法促使結晶粒成長而成爲多矽層。 接著’如圖6 ( b )所示，將多矽層以光微影法圖案 化’形成島狀的矽層241、251及261。其中的矽層241， 是被形成在顯示領域內，以構成連接著像素電極2 3之驅 動用TFT 123 ;矽層25 1、261，則分別構成掃描線驅動電 路80中所含之P通道型及N通道型TFT (驅動電路用 TFT ) 〇 接著，以電漿CVD法、熱氧化法等，在矽層241、 -20- (17) (17)200414801 251及261、基底保護層281的全面上，藉由厚度30nm〜 2 OOnm的氧化矽膜，形成閘極絕緣層2 82。於此，在利用 熱氧化法形成閘極絕緣層2 8 2之際，亦進行矽層 2 4 1、 25 1及261的結晶化，並將這些矽層形成多矽層。 又，當矽層241、251及261進行通道摻雜時，該時 機下打入例如約1 X 1 〇12/cm2的劑量的溴離子。其結果爲 ，矽層241、251及261成爲了不純物濃度（活性化回火 後的不純物中算出）爲約1 X 1 017/cm3的低濃度P型矽層 〇 接著，P通道型TFT、N通道型TFT的通道層的一部 份上形成離子注入選擇遮罩，在此狀態下以1 X 1 0 12/cm2 的劑量注入離子。其結果爲，對圖案工程用遮罩自我對準 (self-align)地導入了高濃度不純物，如圖6 ( c )所示， 矽層241及261中，形成高濃度源極領域241S及261S以 及高濃度汲極領域241D及261D。 接著，如圖6 ( c )所示，閘極絕緣層2 8 2的表面全 體，形成了由摻雜矽層或氧化矽膜、或鋁膜和鉻膜、鉬膜 這些金屬膜所成的閘極電極形成用導電層5 02。該導電層 502之厚度已經有500 nm左右。之後，藉由圖案化法，如 圖6(d)所示，形成P通道型驅動電路用TFT的閘極電 極2 52，形成像素用TFT之閘極電極242、形成N通道型 之驅動電路用TFT的閘極電極262。又，驅動控制信號導 通部320(350)、陰極電源配線202的第1層121亦同 時形成。此外，此情況下，驅動控制信號導通部3 20 ( •21 - (18) (18)200414801 3 5 0 )係被配設在空白領域5。 接著，如圖 6 ( d )所示，將閘極電極 242、2 5 2及 262當作遮罩使用，以4 X 1 013/cm2的劑量對矽層241、 25 1及261注入離子。其結果爲，對閘極電極242、252 及2 62自我對準（self-align)地導入了低濃度不純物，如圖 6 ( d )所示，在矽層2 4 1及2 6 1中，形成低濃度源極領域 241b及261b、與低濃度汲極領域241c及261c。又，在 矽層2 5 1中形成低濃度不純物領域2 5 1 S及2 5 1 D。 接著，如圖7(e)所示，形成離子注入選擇遮罩503 來覆蓋P通道型驅動電路用TFT252以外的部份。使用該 離子注入選擇遮罩503，以1.5xl015/cm2的劑量對砂層 251注入離子。其結果爲，由於構成p通道型驅動電路用 TFT的閘極電極252亦發揮遮罩的機能，故閘極電極252 中自我對準地摻雜了高濃度不純物。因此，低濃度不純物 領域251S及251D被反摻雜（counter doped)，成爲P 型通道型驅動電路用TFT的源極領域及汲極領域。 接著，如圖7 ( f)所示，橫跨基板20全面形成第1 層間絕緣層2 8 3，並用光微影法將第1層間絕緣層2 8 3圖 案化，以在各TFT源極電極及汲極電極對應位置上形成 導通孔C。 接著，如圖7 ( g )所示，形成由鋁、鉻、鉅等金屬 所成之導電層504，覆蓋第1層間絕緣層283。該導電層 5 04的厚度爲200nm〜800nm左右。之後，導電層504之 中，形成圖案工程用遮罩5 05以覆蓋欲形成各TFT源極 -22- (19) (19)200414801 電極及汲極電極之領域240a、欲形成驅動電壓導通部310 (340 )之領域310a、欲形成陰極電源配線202之第2層 的領域122a，並將該導電層504圖案化，形成圖8 ( h ) 所示的源極電極 243、253、263，汲極電極 244、254、 264 ° 接著，如圖8 ( i )所示，以例如聚丙烯酸酯樹脂等高 分子材料，形成這些覆蓋第1層間絕緣層2 8 3而形成之第 2層間絕緣層2 8 4。該第2層間絕緣層2 8 4的理想形成厚 度爲1〜2 // m。此外，亦可藉由SiN、Si02形成第2層間 絕緣層，SiN的理想厚度爲200nm，Si02的理想厚度則爲 8 0 0 nm 〇 接著，如圖8 ( j )所示，在第2層間絕緣層284中， 驅動用TFT之汲極電極244所對應部份被蝕刻去除形成 導通孔23a。 之後，覆蓋基板20全面地形成做爲像素電極23的導 電膜。然後，藉由將該透明導電膜圖案化，如圖9(k) 所示，形成透過第2層間絕緣層2 84之導通孔23a和汲極 電極244導通的像素電極23，同時亦形成空白領域之空 白圖案26。此外圖3、4中，將這些像素電極23、空白圖 案26總稱爲像素電極23。 空白圖案26，係被形成爲沒有透過第2層間絕緣層 2 84連接至下層金屬配線。亦即，空白圖案26係呈島狀 而配置，具有大約類似形成在實顯示領域內之像素電極 23的形狀。當然，亦可爲不同於被形成在顯示領域之像 -23· (20) (20)200414801 素電極2 3的形狀。此外，該情況下，空白圖案2 6必須要 爲至少涵蓋前記驅動電壓導通部3 1 0 ( 3 4 0 )之上方位置 〇 . 接著，如圖9(1)所示，像素電極23，在空白圖案 2 6上’及第2層間絕緣膜上，形成屬於絕緣層之親液性 控制層2 5。此外，像素電極2 3中一部份爲開口之樣態下 形成親液性控制層2 5，在開口部2 5 a (亦參見圖3 )中， 正孔可從像素電極2 3移動。相反地，未設開口部2 5 a的 空白圖案26中，絕緣層（親液性控制層）25成爲了正孔 移動遮蔽層而不會發生正孔移動。接著，在親液性控制層 25中，位於不同的兩個像素電極23之間而形成之凹狀部 上形成黑矩陣（未圖示）。具體而言，對親液性控制層 2 5之前記凹狀部，使用金屬鉻藉由濺鍍法成膜。 接著，如圖9 ( m )所示，親液性控制層2 5的所定位 置上，詳言之，形成有機擋堤層221以覆蓋前記黑矩陣。 具體的有機擋堤層形成方法，有例如將聚丙烯酸酯樹脂、 聚醯亞胺樹脂等光阻劑溶解於溶媒中，藉由旋轉塗佈法、 浸沾式塗佈法等各種塗佈法而塗佈以形成有機質層。此外 ，有機質層的構成材料，只要是不溶解於後述之墨水溶媒 ，且可藉由蝕刻輕易地圖案化者皆可。 接著，將有機質層以光微影技術、蝕刻技術進行圖案 化，在有機質層上形成開口部221a，在開口部221a上形 成具有壁面的有機擋堤層221。此處，在該有機擋堤層 221中，尤其是形成其最外周之部份，亦即形成前述本發 -24- (21) (21)200414801 明中包圍部材201之外側部之面201a，其對於基體200 表面的角度(9理想爲1 1 0度以上。藉由形成此種角度，可 使得形成於其上的陰極5 0，和氣體隔絕層3 0的階段覆蓋 性良好。 此外，該情況下，有機擋堤層2 2 1係至少含有位於前 記驅動控制信號導通部320之上方部份。 接著，在有機擋堤層22 1的表面，形成呈現親液性領 域，及呈現疏液性領域。本實施形態中，是藉由電漿處理 來形成各領域。具體而言，該電漿處理，是以：預備加熱 工程；及使有機擋堤層221的上面、開口部221a的壁面 、像素電極23的電極面23c呈親液性之親墨化工程；及 使有機擋堤層的上面及開口部的壁面呈疏液性的疏墨化工 程。 亦即，將基材（含擋堤等之基板2 0 )以所定溫度、 例如約70〜80 °C加熱，接著親墨化工程是在大氣氣氛中 以氧氣做爲反應氣體進行電漿處理（〇2電漿處理）。接 著，疏墨化工程是在大氣氣氛中以四氟化碳爲反應氣體進 行電漿處理（CF4電漿處理）。其後，將爲了進行電漿處 理而被加熱的基材冷卻至室溫，使得所定地點被賦予了親 液性和疏液性。 此外，該CF4電漿處理過程中，雖然像素電極23的 電極面2 3 c及親液性控制層2 5多少也會受到影響，但像 素電極23的材料爲ITO、親液性控制層25的構成材料爲 Si〇2、Ti02等，皆對氟缺乏親和性，故在親墨化工程中被 -25- (22) (22)200414801 賦予的氫氧基不會被氟所置換，可保持親液性。 接著，藉由正孔輸送層形成工程，形成正孔輸送層 7 〇。該正孔輸送層形成工程，例如藉由噴墨法等之液滴吐 出法或旋轉塗佈法，將正孔輸送層材料塗佈在電極面2 3 c 上，之後，進行乾燥處理及熱處理，在電極23上形成正 孔輸送層7 0。正孔輸送層材料係例如以噴墨法進行選擇 性塗佈時，首先，在噴墨頭（未圖示）中充塡正孔輸送層 材料’再令噴墨頭的吐出噴嘴正對於位於形成有親液性控 制層25的前記開口部25a內的電極面23c，並一邊令噴 墨頭與基材（基板20)呈相對移動，一邊從吐出噴嘴吐 出控制爲相當於1滴之液量的液滴至電極面2 3 c。 接著，將吐出後的液滴乾燥處理，將正孔輸送層材料 所含之分散媒或溶媒蒸發，形成正孔輸送層7 0。 此處，從吐出噴嘴吐出的液滴，會在經過親液性處理 的電極面2 3 c上擴散，而塡滿親液性控制層2 5的開口部 25a內。另一方面，在經過疏墨處理的有機擋堤層221的 上面，液滴被排斥而不會附著。因此，即使液滴偏離所定 位置而吐出至有機擋堤層221的上面，該上面也不會被液 滴弄溼，被排斥的液滴會會轉向進入親液性控制層2 5的 開口部2 5 a。 此外，該正孔輸送層形成工程以後，因爲必須防止正 孔輸送層70及發光層60的氧化，而以氮氣氣氛、氬氣氣 氛等非活性氣體氣氛下進行爲理想。 接著，藉由發光層形成工程，進行發光層60之形成 -26- (23) (23)200414801 。該發光層形成工程中，例如藉由前記之噴墨法，將發光 層形成材料吐出至正孔輸送層70上，之後，藉由乾燥處 理或熱處理，在形成有有機擋堤層221的開口部25c內形 成發光層60。該發光層形成工程中，爲了防止正孔輸送 層70的再溶解，發光層形成材料的溶媒成份，是採用對 正孔輸送層7 0不溶之無極性溶媒。 此外，發光層形成工程中，藉由前記噴墨法例如選擇 性地在藍色顯示領域內塗佈藍色（B )的發光層形成材料 φ ’並乾燥處理後’问樣地將綠色（G )、紅色（r )也選 擇性地在各別之顯示領域內，進行乾燥處理。 此外，因應需要，亦可在前記這種發光層6 0上形成 電子注入層。 接著，如圖l〇(n)所示，藉由陰極層形成工程來進 行陰極5 0之形成。該陰極層形成工程中，例如藉由蒸著 法等之物理的氣相蒸著法將ITO成膜，成爲陰極50。此 時，該陰極50，當然覆蓋了前記發光層60與有機擋堤層 鲁 221及包圍部材201的上面，且在亦覆蓋了形成包圍部材 2 0 1的外側部之面2 0 1 a之狀態下而形成。 之後，如圖1 0 ( 〇 )所示，形成氣體隔絕層3 0將陰 極50覆蓋，亦即成爲基體200上露出的陰極50的所有部 位皆覆蓋的狀態，而獲得本發明之EL顯示裝置（光電裝 置）。於此，該氣體隔絕層3 0的形成方法理想爲’先以 濺鍍法或離子鍍膜法（i〇n plating)等物體的氣相蒸著法進 行成膜，接著，以電漿CVD法等化學氣相蒸著法進行成 -27- (24) (24)200414801 膜。濺鍍法或離子鍍膜法（ion plating)等物體的氣相蒸著 法，一般而言對於異質的基板表面也能獲得密著性較佳的 膜，但所得的膜容易產生粒塊狀缺陷，且容易形成應力大 之覆膜，爲其缺點。另一方面，化學氣相蒸著法中，雖然 可獲得應力小而階段覆蓋性優之缺陷少的緻密良好之膜質 ’但對一般的異質基板表面很難獲得較佳密著性與造膜性 ，爲其缺點。於是，藉由初期採用物理氣相蒸著法形成例 如所需膜厚之一半厚或以上之膜，後期成膜再使用化學氣 相蒸著法，來彌補之前形成的膜的缺陷，就可以較短的時 間形成整體覆蓋性（對氧氣或水分的隔絕性）佳的氣體隔 絕層3 0。 於此，關於該氣體隔絕層3 0的形成，可如前述般地 藉由同一材料而單層形成，或可藉由不同材料以複數層來 層積形成，甚至可爲單層，但令其組成在膜後方向上呈連 續或非連續變化而形成。 在以不同材料層積形成複數層之情況，理想情況爲例 如，如前述般以物理氣祖蒸著法所形成的內側之層（陰極 5 〇側之層）爲矽氮化物或氮氧矽化物，而以化學氣相蒸 著法之外側層是以氮氧矽化物或矽氧化物等。 又’再以物理氣相蒸著法形成內側層之際，亦可藉由 令供給至成膜裝置內的氧氣量最初爲少，而之後呈連續或 非連續的增加，使形成之氣體隔絕層3 0中的氧濃度在陰 極5 0側（內側）爲低、外側爲高而形成。 此外’關於氣體隔絕層30之形成，當然可以單一成 -28- (25) 200414801 膜法進行，而在此情況下亦可如前述般使陰 側）的氧濃度較低而形成。 此種EL顯示裝置1中，包圍部材201 光層6 0的最外周位置及外側部之狀態下而 50是以覆蓋了該包圍部材201的外側部之 ，再將氣體隔絕層30以覆蓋了該陰極50之 露出部位之狀態下而形成，故尤其是藉由發 側部被包圍部材201、陰極50、氣體隔絕層 封，而可確實防止氧氣或水分的滲入。因此 或水分所致之發光層60或陰極50等的劣化 元件的壽命。 又，藉由將氣體隔絕層3 0的連接基體 做成矽化合物，使得即使構成基體200的基 等具有水分透過性之物，形成在該基板2 0 膜等可一倂被氣體隔絕層3 0將發光元件部 密封，因此可延長發光元件的壽命。 又，由於是主動矩陣型故沒有必要將陰 隔絕層3 0做成每個像素皆形成，因此可免p 或氣體隔絕層3 0之微細圖案形成。因此， 成膜法就可形成它們，故可達到提升生產性 此外，前記EL顯示裝置1中雖然以頂 說明，但本發明並不侷限於此，而亦可適用 或使兩側發光射出型的裝置。尤其是背發光 5 〇不必使用透明電極，但該情況下，該陰極 極50側（內 是以覆蓋了發 形成，且陰極 狀態下而形成 基體200上的 光層60的外 ^ 3 0而二層密 ，可抑制氧氣 ，可延長發光 200部份全部 :板20爲樹脂 上的層間絕緣 份的外側全部 極50或氣體 余這些陰極50 只需以單純的 之目的。 發光型爲例來 在背發光型， 型，雖然陰極 丨5 0至少在和 -29- (26) (26)200414801 氣體隔絕層3 0相接之面側，是以無機氧化物形成者爲理 想。 藉此，由於陰極5 0至少在和氣體隔絕層3 〇相接之面 側是以無機氧化物形成’故與無機化合物或砂化合物等所 成的氣體隔絕層3 0之密著性佳，因此氣體隔絕層3 〇可爲 沒有缺陷的緻密層而對氧氣或水分有良好隔絕性。 又’頂發光型，或兩側發光射出型，關於形成在基體 200上之開關用TFT112或驅動用TFT123，理想爲不在發 光元件正下方’而是在親液性控制層2 5及有機擋堤層 221的正下方形成，以提高開口率。 又，前記EL顯示裝置1中本發明之第〗電極爲陽極 機能，第2電極爲陰極機能，但亦可將其顛倒，分別使第 1電極爲陰極機能’ ％ 2電極爲陽極機能而成。但是，在 此情況下，發光層6 0與正孔輸送層7 0的形成位置必須要 互換。 又’前記實施形態中雖然展示了將EL顯示裝置1適 用於本發明之光電裝置，但本發明並不侷限於此，基本上 第2電極只要是設在基體外側者，不論任何形態的光電裝 置都可適用。 又’前記EL顯示裝置1中，雖然將氣體隔絕層3 0 做爲最外層，但亦可如先前般在氣體隔絕層3 0外側再以 密封基板或密封罐來加以密封。 圖11矽再氣體隔絕層3 0外側密封之例子，展示了再 氣體隔絕層30上覆蓋設置保護層204。該保護層204，係 -30- (27) (27)200414801 由本實施形態中設在氣體隔絕層3 0側的緩衝層205，及 設於其上的表面保護層206所成。 緩衝層205，係密著於氣體隔絕層30，且具有對抗來 自外部之機械衝擊的緩衝機能，因此是由例如氨基甲酸酯 系、聚丙烯酸酯系、環氧樹脂系、聚烯系等樹脂，藉由較 後述表面保護層206柔軟且玻璃轉移點低的材料所成之接 著劑所形成之物。此外，該種接著劑中，事先添加矽烷耦 合劑或烷氧基矽烷者爲理想。如此，所形成之緩衝層205 與氣體隔絕層3 0之間的密著性會變成良好，因此可提高 對機械衝擊的緩衝機能。或，尤其是氣體隔絕層3 0以矽 化合物形成之情況等，藉由矽烷耦合劑或烷氧基矽烷可使 得與該氣體隔絕層3 0之密著性更爲提升，因此可提高氣 體隔絕層3 0的覆蓋性。 表面保護層206，係設在緩衝層2 05上，以構成保護 層2 04的表面側，是一具有耐壓性和耐磨耗損性、外部反 光防止性、氣體隔絕性、紫外線遮斷性等之至少一種機能 的層。具體而言，是由高分子層（塑膠薄膜）或DLC (類 鑽石碳）層、玻璃等所形成。 此外’本例之EL顯示裝置中，雖然在頂發光型時， 前記表面保護層206、緩衝層20 5必須都爲具有透光性之 物’但若爲背發光型時則無此必要。 如此在氣體隔絕層3 0上設保護層204，則由於表面 保護層206具有耐壓性和耐磨耗損性、外部反光防止性、 氣體隔絕性、紫外線遮斷性等之機能，使得發光層6 0和 -31 - (28) (28)200414801 陰極50，甚至氣體隔絕層都可受到此一表面保護層206 所保護，因此可達到延長發光元件之壽命的目的。 又，由於緩衝層2 05發揮了對抗機械衝擊的緩衝機能 ，故當從外部施加機械衝擊時，可緩和對氣體隔絕層30 和其內側之發光元件的機械衝擊，而可防止因機械衝擊導 致發光元件的機能劣化。 接著，說明本發明之電子機器。本發明之電子機器， 係具有前記EL顯示裝置（光電裝置）之顯示部，具體而 言可列舉如圖1 2所示。 圖1 2 ( a )係行動電話之一例的斜視圖。圖12(a) 中，符號1〇〇〇係行動電話本體，符號1001係使用了前記 EL顯示裝置的顯示部。 圖12(b)係腕錶型電子機器之一例的斜視圖。圖12 (b )中，符號1 100係腕錶本體，符號1 101係使用了前 記EL顯示裝置的顯示部。 圖12(c)係文書處理器、電腦等之攜帶型資訊處理 裝置之一例的斜視圖。圖1 2 ( c )中，符號1 2 0 0係資訊 處理裝置、符號1 202係鍵盤等輸入部、符號1 204係資訊 處理裝置本體’符號1 206係使用了前記EL顯示裝置的 顯示部。 圖12(a)至（c)所示的各電子機器，因爲具備前 記EL顯示裝置（光電裝置）’故可達到使構成顯示部之 EL顯示裝置的發光元件長壽化之目的。 -32- (29) (29)200414801 「實驗例1」 爲了確認本發明之氣體隔絕層的氣體隔絕性，故進行 以下實驗。 試料製作 基板爲使用PET (聚對苯二甲酸乙二酯；日本 TOREY公司製「T00」，厚度ΜΟηΟ ，如下述般將電 極材料、氣體隔絕層形成材料成膜在其上，製作試料· 無機氧化物電極（ITO )的製作（成膜條件） 成膜裝置使用磁控直流濺射機（Magnetron DC sputter) ’靶材使用高純度A1。在真空度爲Ι.ΟχΙίΓ5 Pa下進行成 膜，製作厚度25nm的A1膜。 氣體隔絕層使用矽化物（SiOx、SiNx、SiOxNy )之製 作（成膜條件）。 成膜裝置使用 ECR ( Electron Cyclotron Resonance， 電子迴旋共振），靶材使用Si。在真空度爲0.2 Pa下， 導入Ar、02、N2進行成膜，製作厚度1〇〜I50nm的矽化 合物膜。此外’導入氣體的使用氣體和其流量是每種試料 皆適宜調整。 測定 針對所得試料，進行「jIS-Z〇20 8」標準之水蒸汽穿 透率測定。測定結果（測定値）如以下所示（水蒸汽穿透 率的單位是〔g/m2 · 24小時〕）。此外，測定條件爲60 -33- (30) (30)200414801 t、90%RH。又，對於只有基板及在基板上只有電極材料 成膜者，亦做爲對照組而測定，結果示於以下。甚至，石夕 化合物膜單獨的水蒸汽穿透率亦根據下式計算（換算）之 ，並將所得到的値一倂列在前記結果旁以供參考。 (1/A)= ( 1/ B ) + ( 1/ C ) 其中，A : ( P E T或P R T +1 Τ Ο膜）+砂化合物膜的測 定値 B ： ( PET或PRT + ITO膜）的測定値 C:矽化合物膜單獨的計算（換算）値 水蒸汽穿透率 試料的構成 測定値砂化合物膜單獨 PET/ITO/SiOx (膜厚 70nm) 0.04 〇.〇4 PET/ITO/SiOx (膜厚 40nm ) 0.21 〇.23 PET/ITO/SiNOxNy (膜厚 40ηπι ) 0.12 〇.ι2 PET/SiOx (膜厚 70nm) 1.76 2.1 8 PET/SiOx (膜厚 40nm ) 0.45 〇·47 PET/SiNOxNy (膜厚 40nm ) 0.29 〇·3〇 PET/Al/SiOx 0.41 0.81 PET 9.19 . PET/ΑΙ(膜厚 25nm) 0.81 . PET/ITO(膜厚 lOOnm) 3.13 . 此外，矽化合物膜的折射率’以自動橢圓測試儀「 -34- (31) (31)200414801 NARY - 1 02」（曰本Five Lab株式會社製）測定波長領域 爲 632p.m，發現 SiOx 爲 1.43，SiNx1 i.99，SiOxNy 爲 1 · 6 5。（其中，S i Ο X N y因其組成改變，而可能有任意之折 射率變化） 「實驗例2」 改變矽化合物膜（S i Ο X )的膜厚，以和「實驗例1」 相同的方法測定水蒸汽穿透率，調查其與矽化合物膜（ S i Ο X )的膜厚依存性。結果如下所示。此外，矽化合物膜 (SiOx)不是直接形成在基板（PET)上，而是隔著ITO 膜形成之先則例（SiOx膜厚爲70nm)亦一併記入。又， 將所得之結果以圖形表示則如圖1 3所示。 水蒸汽穿透率 試料的構成 測定値矽化合物膜單獨 PET/ITO/SiOx (膜厚 70nm) 〇.〇4 0.04 PET/SiOx (膜厚 1 Onm ) 9.1 4 1 5 82.46 PET/SiOx (膜厚 30nm ) 8.55 121.63 PET/SiOx ( m m 50nm) 3.68 6.1 4 PET/SiOx (膜厚 70nm ) 1.76 2.1 8 PET/SiOx (膜厚 lOOnm) 0.47 0.49 PET/SiOx (膜厚 1 50nm ) 0.45 0.47 由結果得知，和矽化合物膜（SiOx )單獨形成在基板 -35· (32) (32)200414801 上之情形相比較，發現如圖1 3所示有隔著ITO膜形成者 ，即使膜厚相同其水蒸汽穿透率卻極端的低。因此，我們 可知矽化合物膜（si〇x)在ΙΤΟ膜上形成者，較直接在基 板（PET )上形成者，其膜質較緻密、覆蓋性提高。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕本發明之EL顯示裝置的配線構造的模式圖 〔圖2〕本發明之EL顯示裝置的構成之.模式平面圖 〇 〔圖3〕沿著圖2之A-B線的剖面圖。 〔圖4〕沿者圖2之C-D線的剖面圖。 〔圖5〕圖3之要點部位的放大剖面圖。 〔圖6〕說明E L顯示裝置之製造方法的工程順序之 剖面圖。 〔圖7〕延續圖6之說明用剖面圖。 Φ 〔圖8〕延續圖7之說明用剖面圖。 〔圖9〕延續圖8之說明用剖面圖。 〔圖1 〇〕延續圖9之說明用剖面圖。 〔圖1 1〕本發明之其他EL顯示裝置的要點部位的放 大剖面圖。 〔圖12〕 （ a )〜（c )係本發明之電子機器的斜視 圖。 〔圖1 3〕展示矽化合物膜之膜厚依存性的圖形。 -36- (33)200414801 [符號說明] 1 EL顯示裝置（ :光電裝置） 23 像 素 電 極 (第 1 電極） 3 0 氣 體 隔 絕 層 50 陰 極 ( 第 1電 極 ) 60 發 光 層 ( 機能 層 ) 200 基 體 20 1 包 圍 部 材 2 04 保 護 層 205 緩 衝 層 206 表 面 保 護 層 -37-

Claims (1)

1. (1) 200414801 拾、申請專利範圍 1.一種光電裝置，其特徵爲含有 在基體上的第1電極；及 設於前記第1電極上方，含有至 元件層的複數之元件領域；及 被形成在前記元件層上方之第2 前記複數元件領域中，覆蓋最接 之元件領域所含之元件層之前記外周 基體上之包圍部材；及 覆蓋前記第2電極之氣體隔絕層 前記包圍部材之前記外周側的側 極所覆蓋；且 前記氣體隔絕層和前記基體相接 2 ·如申請專利範圍第1項之光電 層，係藉由來自前記第1電極或前記 子，通過前記元件層，而展現機能。 3 .如申請專利範圍第1項或第2 前記氣體隔絕層係無機化合物。 4.如申請專利範圍第1項或第2 前記氣體隔絕層係矽化合物。 5 .如申請專利範圍第1項或第2 前記第2電極至少和氣體隔絕層相接 合物所成。 6.如申請專利範圍第1項或第2 少含有一層機能層之 電極；及 近前記基體之最外周 側之側部，設於前記 :且 部，係被前記第2電 〇 裝置，其中前記元件 第2電極所供給之載 項之光電裝置，其中 項之光電裝置，其中 項之光電裝置，其中 的面上，是由無機化 項之光電裝置，其中 -38- (2) (2)200414801 形成前記包圍部材之外側部之面，和基體表面間所成之胃 度，在11 〇度以上。 7 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其中 前記光電裝置係主動矩陣型。 8 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其中 前記器氣體隔絕層，係使第2電極側的氧氣濃度較外側氧 氣濃度爲低。 9 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其中 前記氣體隔絕層上設有覆蓋其之保護層。 1 0.如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中前記保護層係在其表面側具有表面保護層。 1 1 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中前記保護層係在前記氣體隔絕層側，具有密著於該氣體 隔絕層且有對抗機械力衝擊之緩衝機能的緩衝層。 1 2 ·如申請專利範圍第1項或第2項之光電裝置，其 中前記緩衝層，係含有矽烷耦合劑（silane coupling agent) 或院氧基砂院（alkoxyl-silane)。 1 3 · —種電子機器，具備申請專利範圍第1〜1 2項之 光電裝置。 -39-