TW200413854A - Chemical amplification type positive type resist composition - Google Patents

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200413854 Ο) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關設於基板上，含具孤立電子對原子之層 ’例如’氮化砂、四氮化三砂、碟·砂酸玻璃、硼·憐· 矽酸玻璃或氮化鈦層上形成抗蝕圖型時，可形成高解析度 ，而無基腳等缺陷，剖面形狀優之抗蝕圖型之感光性層合 物中之化學放大型正型抗蝕組成物。 【先前技術】 近年來，半導體裝置之積體密度日高，同時設計法則 (Design Rule )在〇 · 20微米附近之LSI已開始量 產，不久設計法則0 · 1 5微米附近之L S I ，其量產亦 將出現。 最近有化學放大型正型抗蝕組成物之提議，因其相較 於用淸漆樹脂作基材樹脂，用萘醌二迭氮磺酸酯作感光劑 之習知非化學放大型抗蝕物解析度 '感度優，故已漸受採 用。 如此之化學放大型正型抗蝕組成物，已知有例如，用 對（1一乙氧基乙氧基）苯乙烯及對羥基苯乙烯共聚物作 基材樹脂，用雙（環己基磺醯基）重氮基甲烷之類的磺醯 基重氮基甲烷系酸產生劑作爲酸產生劑者。（日本專利特 開平5 — 2 4 9 6 8 2號公報）。 其因係溶解物制基，相對弱酸亦可解離之縮醛基，及 產生相對弱酸之磺醯基重氮基甲烷系化合物之組合，而可 -5- (2) (2)200413854 形成高解析度之抗蝕圖型。當使用僅具縮醛基之基材樹脂 時，除一旦形成之抗蝕圖型有隨時間經過變細之傾向外， 亦未必有滿意之耐熱性、基板隨從性等，難以實用化。 爲克服這類缺點，有使用含縮醛基再加上三級丁氧基 羰基、三級丁基、四氫吡喃基等弱酸難解離，強酸解離之 酸解離基之共聚物、混合樹脂，及磺醯基重氮基甲烷系酸 產生劑之化學放大型抗蝕組成物之提議，目前這些亦已成 爲主流。 另一方面，半導體裝置之製造中，隨其使用目的，係 於基材上設絕緣層、半導體層、金屬層等，再用設有抗倉虫 層所成之感光性層合物，形成抗蝕圖型。 通常，該絕緣層係用氧化矽（S i 0 2 )、氮化矽（ S i N )、四氮化三矽（S i 3 N 4 )、五氧化二鉅（ T a 2 Ο 5 )、磷·矽酸玻璃（P S G )、硼•磷•矽酸 玻璃（BPSG)、有機SOG、聚醯亞胺層等，半導體 層係用多晶矽層，金屬層用鋁、鋁·矽合金、鋁·矽·銅 合金、矽化鎢（W S i )、氮化鈦（T i N )等之層。 至於設有這些層之感光性層合物，目前爲止可形成 0 · 3 0微米左右之微細圖型即充分達到目的，但隨最微 細設計法則所要求之0 · 1 5微米附近之L S I之量產， 對這些感光性層合物亦已有0 · 2 5微米左右之圖型尺寸 之要求。 然而，使用如此之感光性層合物形成上述之微細圖型 時，於含具有孤立電子對原子之S i N、S i 3 N 4、 -6- (3) (3)200413854 P SG、BP S G或T i N等之層與抗蝕圖型層之邊界難 免產生基腳，剖面形狀受損。 【發明內容】 發明槪要 本發明鑒於上情，其目的在提供，於如S : N、 S i 3N4、P SG、BPSG或T i N層之含具有孤立 電子對原子之層上形成抗蝕圖型時，可防這些層與抗蝕層 邊界產生基腳之感光性層合物。 本發明人等對於在基板上，介以含具有孤立雷子對原 子之層，設化學放大型正型抗蝕層之感光性層合物，用以 形成抗蝕圖型之際，抑制基腳產生之手段一再加以種種硏 究’結果發現，使用含特定樹脂成分、特定膜減量之酸產 生劑及胺之組合之化學放大型正型抗蝕物，即可達該目的 ，基於該見解終於完成本發明。 亦即，本發明係在提供，於基板上介以含具有孤立電 子對原子之層，設化學放大型正型抗蝕層之感光性層合物 ，其特徵爲：含（A)含（a 1)羥基苯乙烯或α -甲基 羥基苯乙烯單元，及（a 2 )羥基苯乙烯或α —甲基羥基 苯乙烯之羥基，其氫原子經低級烷氧基烷基取代之單元， 藉酸之作用於碱之溶解度增大之樹脂成分，（Β )藉活性 光線之照射可產生酸之酸產生劑，其中羥基中3 5 %之氫 原子經1 一乙氧基乙基取代，重均分子量1 2，0 0 0， 分散度1· 2之聚羥基苯乙烯對其18質量份5該酸產生 (4) (4)200413854 劑以5質量份之比例配合形成之膜，以2 . 3 8質量％之 氫氧化四甲銨水溶液於2 3 °C處理1分鐘時，膜減量爲 0 · 6奈米/秒之酸產生劑，及（C )胺，以及其特徵爲 :使用該感光性層合物，以活性線作選擇性照射，後加熱 之後，以碱顯像之抗蝕圖型之形成方法。 發明之實施形態 本發明之感光性層合物，係於基板上設含具有孤立電 子對原子之第一層，及其上所設化學放大型正型抗蝕組成 物所成之第二層而構成。而基板係用通常慣用於半導體裝 置之基板，例如矽晶圓。 又，設於該基板上，含具有孤立電子對原子之第一層 ，有例如氮化矽（丁 i N )層，磷·矽酸玻璃（P S G ) 層、硼·磷·矽酸玻璃（B P S G )層、氮化矽（S i N )層、四氮化三矽（S i 3 N 4 )層等。如此之層係以例 如化學蒸鍍（C V D )法、有機或無機S〇G法、有機聚 合之旋塗法，於基板上設厚0 · 02至0 · 5微米之層。 設於該第一層上之第二層，係將化學放大型正型抗蝕 組成物，以旋塗法、塗旋（coat-and-spin )法等塗布成厚 0.3至3.0微米之層。 該化學放大型正型抗鈾組成物含（A )樹脂成分、（ B )酸產生劑及（C )胺。 該（A)成分之樹脂有，（a 1)羥基苯乙烯或α — 甲基羥基苯乙烯單元，及（a 2 )羥基苯乙烯或α —甲基 各 (5) (5)200413854 羥基苯乙烯中羥基之氫原子以低級烷氧基烷基取代之單元 所成之聚羥基苯乙烯，或由（al) 、 （a2)及（a3 )羥基苯乙烯或α—甲基羥基苯乙烯中羥基之氫原子以比 烷氧基烷基難以酸解離之基，即選自三級丁氧基羰基、三 級丁基、四氫吡喃基及四氫呋喃基中之至少1種酸解離性 溶解抑制基取代之單元所成者。 其中之（a 1 )單元係賦予碱可溶性、基板密合性之 單元，係羥基苯乙烯或α —甲基羥基苯乙烯之乙烯式雙鍵 開裂衍生之單元。羥基之取代位置可係鄰位、間位、對位 之任一，因易於取得價格低，以對位爲最佳。 又，（a)單元係上述羥基苯乙烯或α—甲基羥基苯 乙烯單元中羥基之氫原子以低級烷氧基烷基取代之單元， 具有該單元時，曝光部經活性光線之照射所產生酸之作用 下，低級烷氧基烷基脫離，變成酚式羥基，使曝光前不溶 於碱之（Α)成分在曝光後變成可溶於碱。 上述低級烷氧基烷基之例有1-乙氧基乙基、1一甲 氧基乙基、1 -甲氧基丙基、正丙氧基乙基、異丙氧基乙 基、正丁氧基乙基等。 如此之具酸解離性溶解抑制基之聚羥基苯乙烯，有例 如特開平5 — 2 4 9 6 8 2號公報所揭示者。 本發明所用之（A )成分，必要時可有（a 3 )含比 低級烷氧基烷基難解離之溶解抑制基之單元。如此之溶解 抑制基有，三級烷氧基羰基、三級烷基或環狀醚基，例如 三級丁氧基羰基、三級丁基、四氫吡喃基、四氫呋喃基。 _9· (6) (6)200413854 這些具酸解離性溶解抑制基之聚羥基苯乙烯，有例如 專利第2 6 9〇6 5 6號說明書，特開平9一 2 1 1 8 6 6號公報，特開平1〇一 4 8 8 2 6號公報及 特開平1 1 一 9 5 4 3 4號公報所揭示者。 如此之具酸解離性抑制基之聚羥基苯乙烯，可係具2 種以上之酸解離性溶解抑制基之共聚物，或這些之混合物 〇 如此之聚羥基苯乙烯，較佳例有以下（甲）至（己） 之聚合物或混合物。 (甲）聚羥基苯乙烯中羥基之3 0至6 0%氫原子經 低級烷氧基烷基取代之聚合物。 (乙）（甲）之聚合物，及聚羥基苯乙烯中羥基之 3 0至6 0 %氫原子經三級丁氧基羰基取代之聚合物，其 質量比1 : 9至9 : 1之混合物。 (丙）（甲）之聚合物，及聚羥基苯乙烯中羥基之 3 0至6 0%氫子經四氫吡喃基取代之聚合物，其質量比 1 : 9至9 : 1之混合物。 (丁）羥基之氫原子以三級丁氧基羰基取代之羥基苯 乙烯單元1 〇至4 9莫耳％，羥基之氫原子以1 一乙氧基 乙基取代之羥基苯乙烯單元1 0至4 9莫耳，及羥基苯乙 烯單元2至8 0莫耳％所成之聚合物。 (戊）羥基之氫原子以三級丁基取代之羥基苯乙烯單 元1 0至4 9莫耳％，羥基之氫原子以1 一乙氧基乙基取 代之羥基苯乙烯單元1 0至4 9莫耳％，及羥基苯乙烯單 -10- (7) (7)200413854 元2至8 0莫耳％所成之聚合物。 (己）羥基之氫原子以四氫吡喃基取代之經基苯乙烯 單兀1 0至49莫耳％，邀基之氫原子以乙氧基乙基 、 取代之羥基苯乙烯單元1 0至4 9莫耳％，及羥基苯乙烯 單元2至8 0莫耳％所成之聚合物。 這些樹脂成分，以重均分子量3 ，〇Qq至 3〇 ，〇〇〇 ’分散度1 · 〇至6 · 0範圍內者，因可賦 予高解析度、高耐熱性抗蝕圖型而爲較佳。分散度愈小則 · 可賦予高解析度 '高耐熱性，以1 · 〇至1 · 5之範圍內 者爲佳。 本發明中，亦可取代上述聚羥基苯乙烯，改用對應之 聚（α—甲基羥基苯乙烯）。 其次，本發明所用抗蝕組成物中必須配合有（Β )成 分，酸產生劑，其係可通過下述溶解試驗者。亦即，該酸 產生劑5質量份，及樹脂成分羥基中3 5%之氫原子以1 一乙氧基乙基取代，重均分子量12，0〇〇，分散度 鲁 1 · 2之聚羥基苯乙烯1 8質量份，於其有機溶劑，如丙 二醇單甲醚醋酸酯8 2質量份，調製成抗鈾組成物溶液， 於基板上形成之乾燥被膜，以2 · 3 8質量％之氫氧化四 甲銨水溶液在2 3 °C接觸1分鐘，其被膜減量，即膜厚之 減少在0 · 6奈米/秒以上之酸產生劑。 目前爲止之化學放大型正型抗蝕組成物中，樹脂成分 若用含低級烷氧基烷基等之相對弱酸可解離之溶解抑制基 ，及三級丁氧基羰基、三級丁基或四氫吡喃基等之非強酸 -11- (8) (8)200413854 難以解離之溶解抑制基之組合之樹脂成分時，因對K r F 準分子雷射光高度透明，且曝光產生之酸具有膨鬆之基， 曝光後加熱下擴散距離合適之理由，酸產生劑主要係用雙 (環己基磺醯基）重氮基甲烷，必要時更以_鹽組合使用 〇 然而，現今因抗鈾圖型有進一步微細化之要求，與含 具有孤立電子對原子之層相接設抗蝕層形成圖型時，這些 接觸部份難免有所謂基腳之外擺之發生。此乃抗蝕物在曝 光部及未曝光部之邊界部位其酸產生量低，且經曝光由酸 產生劑所產生之酸與孤立電子對結合、失活而雙（環己基 磺醯基）重氮基甲烷係具膨鬆基之酸產生劑，在邊界部位 附近其對碱呈顯溶解抑制基之特性，並在曝光後加熱之際 ，所產生之酸難以擴散所致。 至於鐵鹽，因有陰離子部份及陽離子部份，邊界附近 之陰離子與經曝光產生之酸之質子結合而失活，而_鹽具 有如苯基之膨鬆基，故可於邊界附近對碱呈顯溶解抑制基 之作用。因此，本發明之（B )成分必須使用不具如此缺 點之酸產生劑。如此之酸產生劑不具環己基、苯基等膨鬆 基’係碱溶解性相對較高之酸產生劑。亦即，宜係上述溶 解試驗中’膜減量在〇 · 6奈米/秒以上之酸產生劑。而 這些雙（環己基磺醯基）重氮基甲烷、_鹽等之酸產生劑 ’因上述溶解試驗中，膜減量均低於〇 . 6奈米/秒，故 不適作本發明之酸產生劑。 本發明中，可用作（B )成分之酸產生劑，有例如一 12· 200413854 Ο) 般式 R1— S〇2— C (N2) - SO2 — R2 (I) (式中R1及R2各係碳原子數3至1 〇之直鏈或分 枝烷基）之重氮基甲烷系化合物。該R1及R2有正丙基 、異丙基、正丁基、異丁基、三級丁基等。 特佳之重氮基甲院系化合物，係上述一般式中R1及 R2各係碳原數3或4之分枝烷基之化合物，例如雙（異 丙基磺醯基）重氮基甲烷、雙（異丁基磺醯基）重氮基甲 烷、雙（三級丁基磺醯基）重氮基甲烷。 這些（B )成分化合物可單獨使用，亦可2種以上組 合使用。其配合量係對（A)成分1 0 〇質量份，在 〇·5至30質量份，以1至10質量份爲佳。若該配合 量不級0 . 5質量份，則圖型無法充分形成，若超出3 0 質量份則難得均勻溶液，使溶液之保存安定性下降。 · 本發明所用之化學放大型正型抗鈾組成物’除上述（ A )成分及（B )成分以外，尙須配合（C )成分胺。如 此之胺成分，有例如脂族胺、芳族胺、雜環胺等。脂族胺 有例如，甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺 、正丙胺、二正丙胺、三正丙胺、異丙胺等。芳族胺有例 如，苯甲胺、苯胺、N —甲基苯胺、N，N —二甲基苯胺 、鄰一、間一及對甲苯胺、N，N — 一乙基本S女、一本月女 、二對甲苯胺等。而雜環胺有例如，吡啶、鄰甲基吼D定、 -13- (10) (10)200413854 鄰乙基吡啶、2 ，3 —二甲基吡啶、4 一乙基一 2 —甲基 吡啶、3 —乙基一 4 一甲基吡啶等。尤以，本發明中含具 有孤立電子對原子之第一層，及設於其上之抗蝕物中樹脂 成分及酸產生劑之相互關係，預烘烤（pre-baking )時不 易揮散，曝光後熱處理之際不易擴散，若配合以沸點 1 5 0 °C以上之烷醇胺，即可改善抗蝕圖型頂部形狀，提 升矩形性故較佳。如此之烷醇胺係以三乙醇胺、三異丙醇 胺、三丁醇胺之類的三級胺，尤以三乙醇胺爲佳。這些胺 化合物可單獨使用，或2種以上組合使用。其配合量係對 (A)成分1 〇〇質量份，在〇 · 〇1至1 . 〇質量份。 本發明所用化學放大型正型抗蝕組成物，除上述（A )、(B ) 、 （ C )成分外，必要時可配合（D )羧酸及 以往慣用於化學放大型正型抗蝕組成物之暈光防止劑、用 以防輝紋（striation )之界面活性劑等。 如此之羧酸可用例如醋酸、檸檬酸、琥珀酸、丙二酸 、馬來酸等脂族羧酸，苯甲酸、水楊酸等芳族羧酸。這些 可單獨使用，或2種以上組合使用。這些羧酸通常係於對 (A)成分1 〇〇質量份，在〇 · 01至1 · 0質量份之 範圍使用。 上述化學放大型正型抗蝕組成物係將（A )成分、（ B )成分、（C )成分及必要時之添加成分溶於有機溶劑 ，用作塗布液。此時所用之有機溶劑’可溶解上述諸成分 成均勻溶液者即可，可適當選用已知化學放大型抗蝕劑溶 劑中之任意1種或2種以上。 -14- (11) (11)200413854 如此之有機溶劑有例如丙酮、丁酮、環己酮1、甲基異 戊基酮、2 —庚酮等酮類，乙二醇、乙二醇單醋酸醋、二 乙二醇、二乙二醇單醋酸酯、丙二醇、丙二醇單醋酸醋、 二丙二醇，或二丙二醇單醋酸酯之單甲酸、單乙酸、單丙 醚、單丁醚或單苯醚等多元醇類及其衍生物’二喔院之類 的環式醚類、乳酸甲酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯 、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙 酸乙酯等之酯類。 本發明之感光性層合物，可於基材上設上述之第一層 ，以如上調製之化學放大型正型抗鈾組成物之塗布液’塗 布而形成乾燥後其厚度0·3至3·0微米之塗布層作爲 第二層而製造。 本發明之感光性層合物，如同通常之感光性層合物， 係以例如K r F準分子雷射光之活性線，透過光罩圖型照 射，加熱。其次，用碱顯像液，例如〇 · 1至1 0質量％ 之氫氧化四甲銨水溶液作其顯像處理。如此即可形成光罩 圖型之忠實圖型。 此時之活性線除K r F準分子雷射光以外，可用波長 較短之A r F準分子雷射光、f2雷射光、EUV (遠紫 外線）、V U V (真空紫外線）、電子束、X線、軟X線 等。 其次以實施例更詳細說明本發明。而各例中諸物性係 如下量測。 -15- (12) (12)200413854 【實施方式】 (1 )感度 用旋塗機將試樣（抗蝕組成物溶液）塗布於設有特定 之第一層之基板上，使其在熱板上於1 0 0 t乾燥9 0秒 ，形成膜厚0 . 70微米之抗蝕膜，該膜透過光罩，用縮 小投影曝光裝置FPA— 3000EX3 ( Canon公司製 )，以每階段增加1毫焦耳/平方公分之K r F準分子雷 射光光量照射後，於1 1 〇 °C作9 0秒之曝光後烘烤（ PEB)，以2.38質量％之氫氧化四甲銨水溶液於 2 3 °C顯像6 0秒，水洗3 0秒後乾燥，以顯像後曝光部 膜厚爲0之最小曝光量爲感度，以毫焦耳/平方公分（能 量密度）單位記錄。 (2 )基腳之有無： 經上述（1 )之操作所得之0 · 2 5微米線與間隙（ line-and-space)之抗触圖型之斷面以S E Μ (掃目苗式 子顯微鏡）相片觀察，上述第一層及抗蝕圖型之界面無基 腳發生者以〇表示’有小基腳發生者以△表示，有大基腳 發生者以X表示。 (3 )解析度： 經上述（1 )之操作所得之線條圖型，檢視其臨界解 析度。 _16- (13) (13)200413854 參考例1 羥基之3 5 %氫原子經1 -乙氧基乙基取代之重均分 子量12 ，000 ’分散度1 · 2之聚羥基苯乙烯18質 量份，及雙（三級丁基磺醯基）重氮基甲烷5質量份溶於 丙二醇單甲基醋酸酯8 2質量份，調製化學放大型抗蝕組 成物。其次，將該組成物塗布於基板上成厚7 0 0奈米之 抗蝕層，再滴下2 · 3 8質量％之氫氧化四甲銨水溶液， 於2 3 °C保持1分鐘。經該水溶液處理，膜厚減至6 6 0 奈米。 因此，膜減量爲〇 · 6 7奈米/秒。 參考例2 參考例1之化學放大型抗鈾組成物中，取代雙（三級 丁基磺醯基）重氮基甲烷’改用同量之雙（異丙基磺醯基 )重氮基甲烷以外’同樣調製化學放大型抗蝕組成物。其 次，同樣以氫氧化四甲銨水溶液處理，膜厚減至6 5 0奈 米。 因此，膜減量爲0 · 8 3奈米/秒。 參考例3 參考例1之化學放大型抗蝕組成物中，取代雙（三級 丁基磺醯基）重氮基甲烷，改用質量比1 : 1之雙（三級 丁基磺醯基）重氮基甲烷及雙（異丙基磺醯基）重氮基甲 烷之混合物5質量份以外，同樣調製化學放大型抗飽組成 17 - (14) (14)200413854 物。其次，同樣以氫氧化四甲銨水溶液處理後，膜厚減至 6 6〇奈米。 因此，膜減量爲0 · 6 7奈米/秒。 參考例4 參考例1之化學放大型抗蝕組成物中，取代雙（三級 丁基磺醯基）重氮基甲烷，改用同量之雙（環S基磺醯基 )重氮基甲烷以外，同樣調製化學放大型抗蝕組成物。其 次同樣以氫氧化四甲銨水溶液處理後，膜厚減至6 7 0奈 米。 因此，膜減量爲0 . 5 0奈米/秒。 參考例5 參考例1之化學放大型抗蝕組成物中，取代雙（三級 丁基磺醯基）重氮基甲烷，改用同量之三氟甲烷磺酸（4 -三級丁基苯基）碘鎗以外，同樣調製化學放大型抗鈾組 成物。其次同樣以氫氧化四甲銨水溶液處理，膜厚減至 6 9 5奈米。 因此，膜減量爲0 · 0 8奈米/秒。 參考例6 參考例1之化學放大型抗蝕組成物中，取代雙（三級 丁基磺醯基）重氮基甲烷，改用雙（環己基磺醯基）重氮 基甲烷3 · 6質量份及三氟甲烷磺酸三苯銃1 . 4質量份 -18- (15) (15)200413854 之混合物以外，同樣調製化學放大型抗蝕組成物。其次 同樣以氫氧化四甲銨水溶液處理，膜厚減爲6 7 5奈米。 因此，膜減量爲〇 . 4 2奈米/秒。 實施例1 (A)成分用羥基之3 5%氫原子經1 一乙氧基乙基 取代，重均分子量1 2，000分散度1 · 2之聚經基苯 乙烯100質量份，（B)成分用雙（三級丁基磺醯基） 重氮基甲烷10質量份，連同三乙醇胺0 · 3質量份’溶 於丙二醇單甲醚醋酸酯5 〇 〇質量份，以孔徑0 · 2微米 之濾膜過濾，調製化學放大型抗鈾組成物之塗布液° 其次，於設有表1之第一層之矽晶圓上，用旋塗機塗 布該塗布液，於1 0 0。(：之熱板上乾燥9 0秒’形成厚 0 · 7微米之抗蝕膜，製造感光性層合物。其物性列於表 實施例2 (A)成分用羥基之3 5%氫原子經1 一乙氧基乙基 取代，重均分子量12，000，分散度1 · 2之聚經基 苯乙烯100質量份，（B)成分用雙（異丙基擴醯基） 重氮基甲烷1 0質量份，連同三乙醇胺〇 · 3質量份及馬 來酸0 · 0 7質量份，溶於丙二醇單甲醚醋酸醋5 0〇質 量份，過濾調製成塗布液，用以如同實施例1製造感光性 層合物。其物性列於表1。 -19- (16) 200413854 實施例3 (A)成分用羥基之3 5%氫原子經i_ 取代’ m均分子量1 2，0 0 0，分散度i . 苯乙燦6 〇質量份，及羥基之3 5%氫原子以 鑛基取代，重均分子量12，〇〇〇，分散度 經基苯乙烯4 0質量份之混合物，（b )成分 磺醯基）重氮基甲烷1〇質量份，連同三 0 · 3質量份及丙二酸0 · 0 7質量份，溶於 醚醋酸酯5 0 0質量份，過濾調製塗布液。其 實施例1製造感光性層合物。其物性列於表1 實施例4 (A)成分用羥基之3 5%氫原子經1 — 取代’重均分子量12，000，分散度1 . 苯乙烯7 〇質量份，及羥基之3 0%氫原子經 代’重均分子量12，000，分散度1 . 2 乙烯3 0質量份之混合物，（B )成分用雙（ 醯基）重氮基甲烷5質量份，連同三乙醇胺〇 及水楊酸0 · 2質量份，溶於丙二醇單甲醚醋 質量份，過濾調製塗布液。其次以之如同實施 光性層合物。其物性列於表1。 實施例5 乙氧基乙基 2之聚羥基 三級丁氧基 1 . 2之聚 用雙（三級 乙醇胺 丙二醇單甲 次用之如同 乙氧基乙基 2之聚羥基 三級丁基取 之聚羥基苯 三級丁基磺 • 2質量份 酸酯5 〇 〇 例1製造感 -20- (17) (17)200413854 (A)成分用羥基之3 5%氫原子經1 一乙氧基乙基 取代，重均分子量12，000分散度1 · 2之聚羥基苯 乙烯5 0質量份，及羥基之3 5%氫原子經四氫吡喃基取 代，重均分子量12 ，〇〇〇，分散度1 · 2之聚羥基苯 乙烯5 0質量份之混合物，（B )成分用雙（三級丁基磺 醯基）重氮基甲烷及雙（異丙基磺醯基）重氮基甲烷之等 量混合物1 ◦質量份，連同三乙醇胺〇 · 2質量份及馬來 酸0 · 0 5質量份，溶於丙二醇單甲醚醋酸酯5 0 0質量 份’過濾調製塗布液。其次以之如同實施例1製造感光層 合物。其物性列於表1。 比較例1 (B )成分用雙（環己基磺醯基）重氮基甲烷1 〇質 星份以外，如同實施例1製造感光性層合物。其物性列於 表1 。 比較例2 (B )成分用二氟甲烷磺酸雙（4 —三級丁基苯基磺 醯基）碘錫3質量份以外，如同實施例丄製造感光性層合 物。其物牲列於表1。 比_例3 (B )成分用雙（環己基磺醯基）重氮基甲烷5質量 及二氟甲烷磺酸三苯锍2質量份之混合物以外，如同實 »21- (18) (18)200413854 施例3製造感光性層合物。其物性列於表1。 表1 第一層之 種類 酸產生劑之 膜減量 (nm/秒） 感度 (m J / c m 2 ) 基腳之 有無 解析度 (// m) 1 TiN 0.67 3 5 〇 0.18 實 2 TiN 0.83 28 〇 0.20 施 3 Si3N4 0.67 3 3 〇 0.18 例 4 TiN 0.67 3 8 〇 0.19 5 BPSG 0.67 30 〇 0.20 比 1 TiN 0.50 5 1 Δ 0.20 較 2 Si3N4 0.08 3 1 X 0.22 例 3 Si3N4 0.42 34 X 0.22 -22-

Claims (1)

1. (1) 200413854 拾、申請專利範圍 1 . 一種化學放大型正型抗蝕組成物，其特徵爲含（ A)含（al)羥基苯乙烯或α -甲基羥基苯乙烯單元， > 及（a 2 )羥基苯乙烯或α -甲基羥基苯乙烯中羥基之氫 jT 原子經低級烷氧基烷基取代之單元，藉酸之作用使對碱之 溶解度增大之樹脂成分，（B )以活性光線照射產生酸之 酸產生劑，係對羥基3 5%之氫原子經1 -乙氧基乙基取 代之質量平均分子量12，000、分散度1 · 2之聚羥 馨 基苯乙烯1 8質量份，配合5質量份之該酸產生劑所形成 之膜，以2 · 3 8質量％之氫氧化四甲銨水溶液，於2 3 °C處理1分鐘後，其膜減量在〇 . 6奈米/秒以上之酸產 生劑，及（C )胺。 2 ·如申請專利範圍第1項之抗蝕組成物，其中（A )成分每100質量份，含（B)成分0· 5至30質量 份。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之抗蝕組成物，其中 · (A)成分每100質量份，含（C)成分〇 · 〇1至 1 . 0質量份。 4 ·如申請專利範圍第1項之抗蝕組成物，其中（A )成分係（a 1 )羥基苯乙烯或α -甲基羥基苯乙烯單元 ，（a 2)羥基苯乙烯或α —甲基羥基苯乙烯中羥基之氫 原子經低級烷氧基烷基取代之單元，及（a 3 )羥基苯乙 烯或α —甲基羥基苯乙烯中羥基之氫原子經選自三級丁氧 基幾基、三級丁基、四氫毗喃基及四氫呋喃基中之酸解離 -23- (2) (2)200413854 性溶解抑制基取代之單元所構成之共聚物。 5 ·如申請專利範圍第1項之抗蝕組成物，其中（B )成分係一般式 R1 — S〇2 — C ( N 2 ) - S 0 2 - R 2 (式中R1及R2各係碳原子數3至10之直鏈或分 枝烷基）所表之重氮基甲烷系化合物。 6 ·如申請專利範圍第5項之抗蝕組成物，其中一般 式中R1及R2各係選自異丁基、三級丁基及異丙基。 7 ·如申請專利範圍第1項之抗蝕組成物，其中化學 放大型正型抗蝕組成物更含（D )羧酸，其對（a )成分 1 0 0質量份之比例係0 . 0 1至1 . 0質量份。 200413854 柒、（一）、本案指定代表圖為：無 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明：無 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式： _4-