TW200410597A - High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices - Google Patents
High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices Download PDFInfo
- Publication number
- TW200410597A TW200410597A TW092121650A TW92121650A TW200410597A TW 200410597 A TW200410597 A TW 200410597A TW 092121650 A TW092121650 A TW 092121650A TW 92121650 A TW92121650 A TW 92121650A TW 200410597 A TW200410597 A TW 200410597A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- cathode
- metal alloy
- metal
- work function
- anode
- Prior art date
Links
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 18
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- -1 porphyrin compounds Chemical class 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 10
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 2
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 2
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000008521 reorganization Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- PWMWNFMRSKOCEY-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-1,2-ethanediol Chemical compound OCC(O)C1=CC=CC=C1 PWMWNFMRSKOCEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 1-anthracen-9-yl-2,2,2-trifluoroethanone Chemical group C1=CC=C2C(C(=O)C(F)(F)F)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8-tetrachloro-dibenzo-p-dioxin Chemical compound O1C2=CC(Cl)=C(Cl)C=C2OC2=C1C=C(Cl)C(Cl)=C2 HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVHJYBVPQWLOMD-UHFFFAOYSA-N 2,3-diethylthiophene Chemical compound CCC=1C=CSC=1CC IVHJYBVPQWLOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- WFYJOIZOFRFIFV-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylideneacetonitrile Chemical class N#CC=C1OC=CC=C1 WFYJOIZOFRFIFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIAXWFTYAJQENP-UHFFFAOYSA-N 3-ethenyl-2h-1,3-oxazole Chemical compound C=CN1COC=C1 NIAXWFTYAJQENP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFDIZDRMCRHQGM-UHFFFAOYSA-N 4-benzyl-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1CC1=CC=CC=C1 ZFDIZDRMCRHQGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCRMNYVCABKJCM-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-pyran Chemical compound CC1=COCC=C1 QCRMNYVCABKJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 244000291564 Allium cepa Species 0.000 description 1
- 235000010167 Allium cepa var aggregatum Nutrition 0.000 description 1
- 241000345998 Calamus manan Species 0.000 description 1
- 206010011469 Crying Diseases 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000269799 Perca fluviatilis Species 0.000 description 1
- 244000273256 Phragmites communis Species 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUUUSPGMWMECQJ-UHFFFAOYSA-N [In+3].[O-2].[Hf+4] Chemical compound [In+3].[O-2].[Hf+4] XUUUSPGMWMECQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N [In+3].[O-2].[Mg+2] Chemical compound [In+3].[O-2].[Mg+2] GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229940054051 antipsychotic indole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- JYZIHLWOWKMNNX-UHFFFAOYSA-N benzimidazole Chemical compound C1=C[CH]C2=NC=NC2=C1 JYZIHLWOWKMNNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000002107 myocardial effect Effects 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNBXWZGMEVQJTH-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenylaniline;3-methyl-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC=CC=2)=C1.C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JNBXWZGMEVQJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003348 petrochemical agent Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 235000012950 rattan cane Nutrition 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012430 stability testing Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 150000003443 succinic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
200410597 玫、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機場致發光裝置。詳言之,本發明係關
於使用新型陰極材料。 H 【先前技術】 有機場致發光(EL)裝置或有機發光二極體(〇LED)係回應 -所施加之電位而發光之電子裝置。一〇遍之結構依次: 括.陽極、一有機EL媒體及一陰極。配置於陽極與陰極 4間的有機EL媒體通常由一有機空穴傳輸層(HTL)及一有 機電子傳輸層(ETL)組成。空穴及電子在HTL介面附近的 ETL中將光重組並發射。「應用物理學文獻」(AppHed
Letters) 51,913 (1987)中唐(Tang)等人的“有機場致發光二 極體’’及共同讓渡之美國專利第4,769,292號舉例說明了使 用该層體結構之高效OLED。自此,已揭示了大量具有交替 層體結構之OLED。例如,現有包含一位於111^及ETL之間的 有機發光層(LEL)之三層OLED,例如「應用物理學期刊」 (Journal Applied Physics) 65,36 1 〇 (1 989)中唐(Tang)等人的 “摻雜有機薄膜之場致發光,,中所揭示。該LEL通常由一掺雜 了客體材料之宿主材料構成,其中可將該層體結構表示為 HTL/LEL/ETL。此外,存在多層〇led,其包含位於該等裝 置中的一空穴注入層(HIL),及/或一電子注入層(EIL),及/ 或一空穴阻擋層,及/或一電子阻擋層。該等結構進一步導 致改良之裝置效能。 相似於該等0LED中的有機層體結構,陰極在〇led總效 87242 200410597 月匕中亦扮、决一重要角色。吾人要求〇leD中的陰極不僅具有 良好電子注入能力,亦具有良好的耐腐蝕性。吾人已知, 苇用的Mg:Ag陰極(Tang及VanSlyke的第4,885,211號美國專 利)及UF/A1陰極(Hung及丁ang之第5,776,622號美國專利)具 有良好笔子/主入能力’但其在周圍條件(ami3ient c〇n(^ti〇n) 下易於被腐蝕。濕氣對OLED之陰極係有害的。儘管對〇LED 進行封裝以防止濕氣,但在封裝後難以完全消除濕氣,且 在每個發光像素之邊緣及頂部仍存在陰極腐蝕,其形成黑 暗邊緣及黑斑以減小有效發射區域。尤其對於位於易彎曲 的聚合體基板上的OLED而言,濕氣之消除更加難以實現。 因此,為了 OLED安定性之改良,需要具有更佳耐腐蝕性之 陰極。 在OLED中為了改良黏附性質或改良電子注入能力,將某 些金屬合金用作陰極,例如前述Mg:Ag、Al:Mg (VanSlyke 及丁 ang的第5,〇59,862號美國專利)、Ai:u (Hung等人的第 6,140,763 號美國專利)及 A1:Li:Cu:Mg:Zr (Nakaya等人的第 Μ 72,45 8號美國專利)。該等金屬合金包含至少一種低工作 函數金屬(“低,,意即工作函數值小於4 () eV),且該等金屬合 金在周圍條件下仍易受到腐姓。 【發明内容】 本發明的一個目的為提供一具有一高工作函數金屬合金 陰極心OLED,該金屬合金陰極具有增強之耐腐蝕性。 本發明足另一目的為提供一具有低黑暗邊緣增長率之 OLED。 87242 200410597 本&明之#目的為改良OLED之運行安定性。 - 該等目的在—有機場致發光裝置中實現,裝置依次包含: a) 一陽極; b) —場致發光媒體;及 c) 一包含至少兩種仝^ , ®至屬足金屬合金陰極,其中合金之所有 金屬之工作函數均高於4.〇eV。 優勢 本發明的一個優勢為可在〇LED中使一高工作函數金屬 口至陰極叙揮功效以增強耐腐蝕性並減小〇led中發射區 域的黑暗邊緣增長率。 本發,之另一優勢為,藉由在0LED中鄰近-電子注入層 使用㈤工作函數金屬合金陰極,亦可改良之運行安 定性。 【實施方式】 圖1展示一根據本發明之有機場致發光裝置(0LED) 100 j 〇LED 100包含—基板⑻、一陽極層103、-可選用的空 八/王入層(HIL) 1〇5、一空穴傳輸層(htl) ι〇7、一發光層 (H109、一電子傳輸層(肌)m、-電子注入層(EIL)二 及问工作函數金屬合金陰極II5。儘管圖丨作為一實例,但 此員技術中存在大量具有交替層體結構之0LED。本發明適 用=任何包含一有機EL媒體及一陰極w〇led。 藉由在陽極103與陰極115之間施加一由電壓/電流源丨6〇 所^的電位,運行〇LED _,使得陽極1G3相對於陰極115 更阿之正兒叙。電導體1 5〇將陽極1 03與陰極π 5連接 87242 200410597 至電壓/電流源16〇。藉由施加一電位’將空穴(帶正電賴 自陽極i 0 3經由肌i 〇 5注入H T L i 〇 7。同時,將電子(帶备: 載體)自陰極U5經由EIL 113注人饥⑴。空穴與電= LEL 1Q9中重新結合。該空穴_電子重新結合導致光自咖 1 0 9發出。 如則所述’吾人極大地關注如何改良電子注人特性及有 機EL媒體與陰極之間的黏附特性。通常,熔合了若干低工 作函數金屬(例如驗金屬及/或驗土金屬)之高工作函數(〉 4.“V)金屬可有效地改良電子注入特性。然而,當在陰極 中溶合低工作函數金屬後陰極的耐腐錄將會降低。事膏 七吾人要求〇LED中的陰極不僅具有良好電子注入能力貝 還應具有良好耐腐蝕性。 OLED之效能與陰極之耐腐敍性緊密相關。若陰極因曝露 於濕乳或乳氣中而被腐敍’則該陰極之邊緣及陰極表面之 針孔將被很快氧化’形成絕緣氧化層並導致在正常運行過 紅中在该寺邊緣產生非發射帶(黑暗邊緣)且在表面形成非 發射點(黑斑)。蔚愛giL· ^息々矣E +、 …暗坆、·豕增長見度之量測及比較係用以比 較兩個不同陰極之間耐心性之便利方法。假定在同樣的 運行或儲存條件下陰柘A JL古工/、、, —、 一 /、有兩倍於陰極B的黑暗邊緣增長 寬度’且假定將每—像素之兩側(或四側)曝露於渴氣中,則 =Γΐ具有陰極A的像素之發射區域將擁有快於具有陰 - 6’ ·<务射區域2倍(或約4倍)的收縮率。即使該1有 陰極M〇LED之初始發光度高於具有陰極B之OLED之發光 度,但由於發射區诚> ^ ^ 乂快的收縮率,在曝露於濕氣或氧 87242 200410597 氣-足時間《後自具有陰極^0LED之光發射與具 B之OLED相比較差。吾人已知,溶合兩種或更多高工= 數金屬可增強合金之耐腐蝕性。因此,高工作函數 = 金陰極將有助於改良該等〇LED之長期效能。 s 在ETL與陰極之間插入—肌(例如UF層,或驗金屬接雜 Alq層,或鹼金屬化合物摻雜Alq層)可擴大充當陰極的高L 作函數金屬之選擇範圍,但在〇LED巾並非每種具有良好耐 腐蝕性之高工作函數金屬或合金均可用作陰極。例如,: 、Au及Cu具有充當0LED中陰極材料之高工作函數及良好^ 腐蝕性,且若將其與某些EIL合用’則其可具有良好電子注 入特性。然而,Ag、Au&Cu在〇LED中具有擴散性,若= 該等金屬用作陰極,則將導致嚴重發光度抑制且壽命縮= 。同樣地,若將該等擴散性金屬與其他高工作函數金屬^ 合以形成高工作函數金屬合·金陰極,則在一定溶合濃戶下 仍然存在該擴散問題。因為必須考慮其他特性(例如由擴散 導致之發光度抑制),因此並不能選擇高工作函數金屬合金 就直接用於OLED中。 本發明中所選的用作陰極之高工作函數金屬合金之結構 式可為A:E’其中八^自八1、2]1或第4族至第1〇族,且e選自 元素週期表之第4族至第1〇族。a較佳選自A1且E較佳選自元 素週期表第4族至第1 〇族。在結構式A:E中,A更佳為A1且e 為Ni以形成Ai:Ni合金,其中A:E之體積比在10:〇5至1〇:1〇 之範圍内,較佳在10:0.5至1〇:4之範圍内。 本發明中所選的用作陰極之高工作函數金屬合金之結構 87242 -10- 200410597 式亦可為A:E:G,其中A選自Ab Zn或第4族至第10族,且-E 句域自元素過期表之第4族至第1〇族。a較佳選自A1且E 車又佳均選自元素週期表弟4族至第1〇族,其中a.e.g之體 積比在1〇:0.1:0.1至1〇:10:1〇之範圍内,較佳在1〇:〇.5:〇1至 10:5:1之範圍内。 本發明中所選的用作陰極之高工作函數金屬合金具有大 於5〇奈米之厚度。藉由熱蒸發兩種或更多的獨立金屬源, 或猎由電子束蒸發兩種或更多的獨立金屬源,或藉由濺鍍 至屬合金目松,可製作該陰極。較佳使用金屬合金目標 之義鍍製作陰極。為了增強耐腐蝕性,陰極不含工作函數 低於4.0 ev之任何金屬。此外,使陰極鄰近一電子注入層並 與其結合使用。 本發明之〇LED通常位於一支援基板上,其中陰極或陽極 可與該基板接觸。與該基板接觸之電極通常被稱作底電極 居底%極通常為陽極,但本發明並非侷限於該組態。依 據光發射之預定方向,該基板可為透光或不透光。吾人要 求具有透光特性以透過該基板觀察EL發射。在該狀況下通 常採用透明玻璃或塑膠。對於透過頂電極觀察ELs射之應 用,底邵支架之透明特性並不重要,因此其可透光、吸光 或反光。孩種狀況下使用之基板包括(但非侷限於)玻璃、塑 膠、半導體材料、#、陶资及電路板材料。當S,在該等 裝置組態中必須提供一透光頂電極。 當透過陽極103觀察此發#時,胃陽極對於吾人所關心之 發射應為透明或大f#卜日Η , _ π 又又上边明。本發明所用的共同透明陽極 87242 200410597 2為氧化銦錫(IT0)、氧化銦雜⑺及氧化錫,但亦可使 2他金屬氧化物,其包括(但非侷限於)轉雜或銦摻雜氧 化鋅、氧化鎂銦及氧化鎳鶴。除了該等氧化物之外,可將 金屬氮化物(例如氮化鎵)及金屬石西化物(例如晒化鋅)以及全 屬硫化物(例如硫化鋅)用作陽極。在僅經由陰極觀察虹發射 ;愿用中’陽極之透射特性並不重要,且可使用任何透明 不込明或反射性導電材料。用於該應用之示範導體包括 (但非侷限於)金、銀、鈿、免及銘。典型透射或其他陽極材 料具有一4.〗eV或更大的工作函數。通常藉由任意適宜之方 法(例如蒸發、濺鍍、化學氣相沉積或電化學方法)沉積吾人 所要之陽極材料。可使用熟知之微影蝕刻方法將陽極圖案 化。或者,在應用於其他層體之前將陽極拋光以減小表面 粗糙度以便將短路最小化或提高反射率。 儘管並非總須如此,但通常提供一與陽極1〇3接觸之hil 係有效的。該HIL可用於改良隨後有機層之成膜性能並便利 將空穴注入該HIL,減小OLED之驅動電壓。該HIL中適用之 材料包括(但非侷限於)如美國專利第4,72〇,432號中描述的 卟啉化合物、如美國專利6,208,〇75中描述的電漿沉積碳氟 化合物聚合體,及某些芳香族胺,例如m _ μ 丁 d AT A (4,4,,4,,_ 參[(3-甲基冬基)冬基胺基]二私胺)。如美國專利第6,423,429 B2號中所描述,一 p型摻雜有機層(具有充當主要載體之空 穴)對於該HIL係有效的。EP 0 891 121 A1及EP 1 029 909 A 1 中描述了據報告在有機EL裝置中有效的替代性空穴注入材 料0 87242 200410597 OLED中的HTL包括至少一種空穴傳輸化合物,例如芳香 族第二胺’其中後者可被理解為包含至少一個僅與碳原子 結合之二價氮原子(該等碳原子中至少一個為芳香環分子) 。在一形態下,該芳香族第三胺可為芳基胺,例如單芳基 胺、一芳胺、二芳胺或聚合方基胺。Klupfel等人的美國專 利第3,1 80,730號中說明了示範性單體三芳胺。Brantley等人 的美國專利第3,567,4 50號及第3,658,520號中揭示了其他適 宜的以一個或多個乙烯基替代的及/或包含至少一個活性今 氫基團之三芳胺。 更佳類型之芳香族第三胺為包括至少兩個芳香族第三胺 部分之芳香族第三胺,如美國專利第4,720,432及美國專利 第5,061,569中所描述。該HTL可由單一芳香族第三胺化合物 或其混合物形成。有效的芳香族第三胺示例如下: 1,1-雙(4-二-對-甲苯基胺苯基)環已烷 1,1-雙(4 -二-對-甲苯基胺苯基)-4 -苯基環已燒 4,4’-雙(二苯胺基)四苯基 雙(4-二甲胺基-2-甲基苯基甲苯 N,N,N-三(對-甲苯基)胺 4-(二-對甲苯基胺基)-4’-[4(二-對_甲苯基胺基苯乙晞基] 均二苯代已烯 队1^3’,]^’-四-對-甲苯基-4-4’-二胺基聯苯 N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二胺基聯苯 队队>^’^’-四-1-萘基-4,4’-二胺基聯苯 N,N,N’,N’-四-2-萘基-4,4’-二胺基聯苯 87242 -13 - 200410597 N-苯基噚唑 4,4’-雙[N-(l-奈基)-N-麥胺基]聯二本· 4,4’-雙[Ν-(1-奈基)-N-(2 -奈基)胺基]聯二苯] 4,4”-雙[N-(l-萘基)-N-苯胺基]對-三聯苯 4,4’-雙[N-(2-萘基)-N-苯胺基]聯二苯 4,4’-雙[N-(3-苊基)-N-苯胺基]聯二苯 1,5-雙[N-(l-萘基)-N-苯胺基]萘 4,4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯胺基]聯二苯 4,4M-雙[N-(l-蒽基)-N-苯胺基]對-三聯苯 4,4’-雙[N-(2-菲基)-N-苯胺基]聯二苯 4,4’-雙[N-(8-氟蒽基)-N-苯胺基]聯二苯 4,4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯胺基]聯二苯 4,4’-雙[N-(2-萘並萘基)-N-苯胺基]聯二苯 4,4’-雙[N-(2-二萘嵌苯基)-N-苯胺基]聯二苯 4,4’-雙[N-(l-coronenyl)-N-苯胺基]聯二苯 2.6- 雙(二-對甲苯基胺基)萘 2.6- 雙[二- (1-奈基)胺基]奈 2.6- 雙[N-(l-萘基)-N-(2-萘基)胺基]萘 N,N,N’,N’-四(2-萘基)-4,4”-二胺基-對三聯苯 4,4’-雙{N-苯基-N-[4-(l-萘基)-苯基]胺基}聯二苯 4,4’-雙[N-苯基-N-(2-芘基)胺基]-聯二苯 2.6- 雙[N,N-二(2-萘基)胺基]芴 1,5-雙[N-(l-萘基)-N-苯胺基]萘 4,4’,4”-參[(3-甲基苯基)苯胺基]三苯胺 R77.4?. -14 - 200410597 另一類有效空穴傳輸材料包括多環芳香烴化合物,如Ep_工 〇〇9 041中所描述。可使用具有兩個以上胺基的第三芳香族 月女,包括低聚合材料。此外,可使用聚合空穴傳輸材料, 例如聚(N-乙烯基哜唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺及 共聚物,例如聚^,仁乙埽二羥噻吩穴聚㈠-苯乙烯磺酸鹽) (亦稱為 PEDOT/PSS)。 如美國專利第4,769,292號及第5,935,721號中詳細描述, 有機EL單兀中LEL包括一發光或熒光材料,其中場致發光作 為戎區域電子空穴對重組之結果而產生。該LEL可由一單— 材料構成,但通常由摻雜一客體化合物或若干化合物(其中 光發射王要來自孩摻雜物並可為任何顏色)之宿主材料組成 。LEL中的宿主材料可為如下文所界定之電子傳輸材料,如 上又所界足之空穴傳輸材料,或其他材料或支援空穴電子 重組之材料之組合。摻雜物通常選自高度螢光染料,但亦 可使用鱗光性化合物’例如W〇 98/5556 1、WO 00/1 885 1 、 WO 00/57676及WO 〇〇/7〇655中所描述的過渡金屬錯合物 (complex)。通常將摻雜物以〇 〇1至1〇重量%塗覆入宿主材料 中。亦可將聚合材料,例如聚芴及p〇lyvinyUrylenes [例如, 聚(對次苯基次亞乙晞基),ppv]用作宿主材料。在該種狀況 下,可將小分子摻雜物呈分子狀態散佈於該聚合宿主材料 中’或者可藉由將一微量組份聚合入該聚合宿主材料而加 入該換雜物。 選擇一染料作為摻雜物之重要關係為該帶隙電位之比較 ’將帶隙電位界足為分子之最高佔據分子軌道與最低未佔 87242 -15 - 200410597 據分子軌道之間的能量差異。為眚翊右、 /、 局㈢%有效乏自宿主分子至 摻雜物分子之能量傳輸’—必要條件為接雜物之帶隙小於 宿主材料之帶隙。對於鱗光性發射體,亦較為重要的是宿 王 < 佰王二重能I位準應足夠高以實現能量自宿主至摻雜 物之傳輸。 已知有效之褚主及發射分子包括(但非侷限於)下列專利 中所揭示之分子:美國專利七%^”^^^,”^^“,^^ 、5,151,629、5,405,709、5,484,922、5,593,788、5,645,948 5,6 8 3,8 2 :>、5,7 5 5,9 9 9、5,9 2 8,8 0 2、5,9 3 5,7 2 0、5 9 3 5 7 2 1 及 6,020,078 ° 8-羥基喹啉(喔星)之金屬錯合物及類似的衍生物構成一 類有效之能夠支援場致發光之宿主化合物。下文說明了有 效之螯合oxinoid化合物: CO-1 ·二喔星錯[別名,三(8-quinolinolato)銘(III)] CO-2:二喔星鎂[別名,二(8 —qUin〇lin〇lato)鎂(π)] C〇-3 :二[苯並{f}-8-quinolinolato]鋅(II) CO-4 ··二(2-甲基-8-quinolinolato)銘(ΙΙΙ)-μ-氧代-二(2-甲 基- 8-quinolinolato)銘(III) C〇-5 :三喔星銦[別名,三(8-qUin〇lin〇lat〇)銦] CO-6:三(5-甲基喔星)銘[別名,三(5-甲基-8-quinolinolato) 鋁(III)] C〇-7 ··喔星鋰[別名,(8-qUin〇linolato)鋰(I)] CO-8:喔星嫁[別名,三(8-quinolinolato)嫁(ΠΙ)] CO-9 :喔星錐[別名,四(8-quinolinolato)錐(IV)] -16- 87242 200410597 /、他類型之有效宿主材料包括(但非侷限於)蒽之衍生物,例 如如美國專利第5,935,721號中描述之9,1〇_二_(2_蔡基)葱及其 衍生物、如美國專利第5,121,〇29號中描述之distyiTlarylene衍 生物,及吲哚衍生物,如2,2,,2,,-(1,3,5-亞苯基)三[1-苯基 1 Η苯並咪唑]。哜唑衍生物為用於磷光性發射體之尤為有 效之宿主。 有放之金光性摻雜物包括(但非侷限於)蒽、並四苯、氧雜蒽 、一奈嵌苯、紅螢晞、香豆素、若丹明及喹吖啶二酮之衍生 物一氰基亞甲基吡喃化合物、噻喃化合物、聚甲川化合物 、pyriluim 及 thiapyrilium化合物、芴衍生物、perinanthene 衍 生物、洋並二萘嵌苯衍生物、二(吖嗪基)胺硼化合物、二 (σ丫嗪基)甲烷化合物及碳苯乙烯基化合物。 用於形成本發明之有機EL單元中的ETL之較佳形成薄膜 材料為金屬螯合〇xinoid化合物,包括喔星螯合物本身(亦通 常%作8-喹啉醇或訌羥基喹啉)。該等化合物有助於注入並 傳輸電子,展示高水準之效能,並易於製成薄膜形態。示 範性oxinoid化合物如上文所列舉。 其他電子傳輸材料包括如美國專利第4,356,429號中揭示 夂各種丁二晞衍生物及如美國專利第4,539,5〇7號中揭示之 各種雜%光學光亮劑。吲哚及三嗪亦為有效之電子傳.輸材 料。 還可使用一與該陰極115接觸之EIL。該EIL可加速將電子 >王入?褒ETL中並提高導電性,導致該〇LED的驅動電壓較低 。用於該EIL之適宜材料為上述具有充當摻雜物之強還原劑 87242 200410597 或具有充當摻雜物之低工作函數金屬(<3 ·〇 e v)以形成一 η型 摻雜有機層(具有充當主要載體之電子)之ETL。替代性無機 電子注入材料在該〇LED中亦有效,例如美國專利第 5,677,572號中所揭示之奈米1^]?層。 在某些狀況下’可視情況將該OLED中的LEL及ETL壓縮 入單一層中,該單一層提供支援光發射及電子傳輸之功 此。此項技術中已知可將發射摻雜物加入該充當宿主之htl 中。例如,藉由將發射藍光及黃光之材料結合、將發射青 光及紅光之材料結合或將發射紅光及綠光及藍光之材料結 合’可將多種摻雜物加入一個或多個層以便製造一發射白 光之OLED。例如,美國專利公開案2〇〇2/〇〇25419幻、美國 專利 5,683,823、5,503,91 0、5,405,709、5,283,182、EP 1 187 23 5及EP 1 182 244中描述了發射白光之裝置。 在本發明之裝置中可應用額外之層體,例如該项技術中 所教示之電子或空穴阻擋層。(例如)在美國專利公開案 2002/001 5859 A1中,通常使用空穴阻擋層來改良磷光性發 射體裝置之效率。 可將本發明用於所謂的堆疊裝置架構中,(例如)如美國專 利 5,703,436及 6,337,492 中所教示。 藉由汽相方式,例如昇華,可將上文提及之右 ^ 〜$钱材料適 萄地沉積,但可自液體沉積,例如自具有用於、 、 、 民成膜之 可選黏合劑之溶劑。若該材料為聚合體,溶劑沉積鲈為 效,但可使用其他方式,例如濺鍍或自一施體薄片=哉有 遞。可自通常由鉦材料構成之“船形,,(boat)昇華哭 …、傳 口口 I如美國專 87242 -18 - 200410597 利6,237,529中所描述)將藉由 受 升举,儿和 < 材枓恶發,或首先 、:w施體薄片上,然後使其在更加接近基板處昇華 等材材料之層體可使用獨立船形昇華器,或可將該 寺材枓預先混合並自單一船形昇華器或施體薄片塗覆。可 制嘻遮罩、積料遮罩(美國專利5,294,87〇)、自一施體 蓴片傳耗之二間界足熱染料(美國專利、 ’ 9及6’06 6’3 57)及噴、1方式(美國專利6,Q66,357)膏 現圖案化沉積。 〃 大Moled裝置對濕氣或氧氣或對兩者敏感,因此通常 將其密封惰性大氣中,例如氮氣或氬氣,㈣具有乾 燥劑,例如氧化銘、銘土礦、硫酸转、黏土、石夕膠、滞石 、鹼金屬氧化物、鹼土金屬氧化物、硫酸鹽、或金屬鹵化 物及高氯酸鹽。用於封裝及乾燥之方*包括(但非侷限於) 美國專利6,226,_中描述之方法。此外,用於封裝之技術 中已知(例如)Si〇x、聚四氯乙烯之障壁層,及替代無機/聚 合層。 一=需要,本發明之〇LED裝置可採用各種熟知光學效應以 增強其性能。其包括最佳化層體厚度以產生最大光透射、 提供介電鏡面結構、以吸光電極替代反射電極、在顯示器 上提供抗閃光或抗反射塗層、在顯示器上提供極化媒體、 或在顯示器上提供彩色、中性密度或色彩轉換濾光器。可 將濾光器、偏振器及,抗閃光或抗反射塗層特別提供於蓋罩 上或使其成為蓋罩之一部份。 可將本發明用於大多數OLED裝置組態中。此包括包含一 87242 -19- 200410597 單一陽極及陰極之極為辩i 、、、間早疋〜構至較為複雜之裝置,-例 如由形成像素之陽極及降太τ 、 一口口 及陰極又正叉陣列構成之無源矩陣顯 示器’及有源矩陣顯示哭, "σσ 其中(例如)利用一薄膜電晶體 (TFT)獨立控制每一像素。 將本發明說明中參考之I子丨 亏足專利及其他公開案之全部内容以 引用方式併入本文。 實例 提出下列實例以進_杳摁妒士 & 里角千本喬明。為簡潔起見,材料 及自其形成的層體將被簡化如下: ΙΤΟ:氧化銦錫;用於在破璃基板上形成透明陽極 CFx·聚合竣氟化合物層;祕在場致發光媒體中形成肌
=:4,4、雙(1•萘基_N_苯胺基)雙苯基;用於在場致發光 媒體中形成HTL
Alq:三㈣基㈣)銘(111);用於在場致發光媒體中形 成LEL及ETL·
CuPc:銅酞菁;用於在場致發光媒體中形成ει[
LiF .氟化鋰;用於在場致發光媒體中形成幻^ AH 10:1至10:4之體積比之銘:鎳;用於形成陰極 ,使用-恒定電流源及-光度計對所有製作的裝置之虹特 :進行計算。在20 mA/cm2之電流密度下對發光效率及驅動 %壓進行量測。在將該裝置在周圍條 ‘ Γ域# —特足時間 〈則及之後,藉由使用一CCD(電荷耦合)昭 ^ ^ ^ 厂、、、像機拍攝場致發 尤衫像以量測並比較黑暗邊緣寬度。在 、 mA/cm〜、攝氏70 度下對某些裝置進行加速安定性測試。 87242 -20- 200410597 t知⑽D之製備如下··使用一可購得之破璃洗藤工且將 塗覆-圖案化透明IT〇導電看之A〜0·7毫米厚玻璃基板清 洗並乾燥。IT〇之厚度約為85奈米且該IT〇之薄層電阻約為 3〇、Ω/平方。隨後以氧化電漿處理該ITO表面以使該表面具 有充當一陽極之條件。藉由在尺1;電漿處理腔室中分解 氣體,在該清潔ιτο表面上沉積—丨奈米厚之cfx層作為該 肌。此後將該基板傳送人-真空沉積腔室以在該基板頂端 沉積所有其他層。藉由在約丨0_6托之直 ^ ΛΛ Λ ^ ^ 工卜自一加熱的船形 昇華器昇華,以下列順序沉積下列層·· (1)以0.4奈米/s之速率沉積厚度為75奈米之HTL,立由 NPB構成; /、 ()以〇·4示米/s之速率沉積厚度為6〇奈米之£丁:(亦作為 發射層),其由Alq構成; ()以0.1示米/s之速率沉積厚度為〇 5奈米之£化,並由 LiF構成; 八 (4)以〇·5奈米/s〈速率沉積厚度為約川奈米之陰極,其 由熱蒸發A1構成。 ’、 該裝置完成時並未被封裝,且其結構表示為it〇/cFx/ NPB(75)/Alq(60)/UF(0.5)/Al(熱)。 該裝置需要一5_9V之驅動電壓以傳輸。其發光 度為668義2且其發光效率為約3.4秦圖2展示攝氏7〇 度下發光度茨減與運行時間之對比及電壓變化與運行時間 之對比° ®3“在㈣條件下儲存HM)小時後的黑暗邊緣 87242 200410597 寬度。 實例2 (發 製備了類似於比較實例丨之〇LED,不同之處在於陰極為 共同熱蒸發之體積比為1():2的A1:Ni。裝置完成時並未被封 裝,且其結構表示為 ITO/CFX/NPB(75)/Alq(60)/LiF(0.5)/ Al:Ni(l〇:2,熱)。 琢裝置需要一 5·8 v之驅動電壓以傳輸2〇 mA/cm2。其發光 度為578 cd/m2且發光效率為約2·9 cd/A。圖2展示攝氏度 下發光度茨減與運行時間之對比及電壓變化與運行時間之 對比。圖3展示在周圍條件下儲存1〇〇小時後的黑暗邊緣寬 度0 f例3 (發明料、 一製備了類似於比較實例r〇led,不同之處在於陰極為 扁共同瘵發足以體積比為10:4wA1:Ni。該裝置完成時並未 被封裝’且其結構表示為IT〇/CFx/NpB(75)/Alq(6〇)化斤㈧ /Al:Ni(l 〇:4,熱)。 、及衣置需要一5.4 V之驅動電壓以傳輸2〇 mA/cm2。其發光 度為571、Cd/m2且發光效率為約2.9 cd/A。112展示攝氏7〇度 :發光度震減與運行時間之對比及電塵變化與運行時間之 对比。圖3展示在周圍條件下儲存1⑼小時後的黑暗邊緣寬 度。 、, 藉由在圖2中比較實例i、 AhNi陰極之優勢。隨著八丨陰 運行時間之增加率降低,且 2及3之間的運行安定性可理解 極中Ni含量之增加,驅動電壓/ 無光度哀減與運行時間之辦加 87242 -22 - 200410597 率亦降低。此表明藉由使 運4干H 使用A1:Nl陰極可顯著提高OLED之總 逆订文疋性。此外,,一 要#、鲁^ 、 圖所7^,具有A1陰極之裝置具有的 …暗邊緣厚度為〇·2毫光,i 用圚伙I 木,、▲、乎為具有Α1··Νί陰極之裝置在 周圍條件下彳諸存約1⑽ W 寺後的黑暗邊緣厚度之兩倍。假定 氏、不咨·中每一發射像+且古 像素具有-〇·5亳米Χ0.5毫米之尺寸且 U㈤器在周圍條件下未被封裝儲存約购、時,則將存 f黑暗邊緣增長。若使用鋁陰極則該等像素可僅留下一0」 見米之條狀區以發射井,Η文/ 土 ΠΠ A 1 ,上 耵尤且右使用Α1··Νί陰極則其將留下一 〇·3'米之條狀區以發射光。儘管具有Μ陰極之裝置之初始 發光度比具有則!陰極之裝置之初始發光度高約2〇%,但 二/、有A1陰極之衣置之貫際發光度減小將比具有八丨以丨陰極 ,、衣置丨夬2 土 4倍。此係因為發射區域之較快收縮。因此, 黑暗邊緣增長為損害〇LED效能的一個參數。 實例4〔比# ) 另一習知OLED之製備如下:使用一可購得之玻璃洗滌工 具將塗覆一圖案化透明1丁〇導電層之厚A〜1;1毫米玻璃基 板清洗並乾燥。1丁〇之厚度約為42奈米且該IT〇之薄層電阻 約為68 Ω /平方。隨後以氧化電漿處理該Ιτ〇表面以使該表 面具有充當一陽極之條件。藉由在RF電漿處理腔室中分解 CHF3氣體,在該清潔ΙΤΟ表面上沉積一 1奈米厚之cj?x層作 為該HIL。此後將該基板傳送入一真空沉積腔室以在該基板 頂部沉積所有其他層。藉由在約1 (Γ6托之真空下自一加熱船 形昇華器昇華,以下列順序沉積下列層: (1)以0.4奈米/s之速率沉積厚度為75奈米之HTL,其由 87242 -23 - 200410597 NPB構成; ⑺以G.4奈米/3之速率沉積厚度為6G奈米之肌(亦作為 發射層),其由Alq構成; (3 )以 〇 . 4 奈米 / s 之速車m ώ: ά ο r\ -h I手"l和厗度為20奈米之有機EIL,其 由CuPc構成; ’ ()ス〇·1 ,丁、米/s之速率沉積厚度為ο」奈米之另一 eil,其 由LiF構成。 ’、 在上述層’儿%之後,藉由在同一沉積腔室内使用一離子 濺鍍槍濺鍍一A1目標,以〜0·7毫米/s之速率沉積一厚度約 60奈米之A1陰極。濺鍍功率為1〇〇 w’且在3〇托之Ar氣體壓 力下進行。 3裝置几成時並未密封,且其結構表示為IT〇/CFx/ NPB(75)/A1q(60)/CuPc(2〇)/LiF(0_5)/Al(賤鍍)。 藏裝置需要一 6.7V之驅動電壓以傳輸20 mA/cm2。其發光 度為562 cd/m2且其發光效率為約2·8 cd/A。圖4展示在周圍 條件下黑暗邊緣增長與儲存時間之對比。 實例5 (發明性、 製備了類似於實例4之OLED,不同之處在於由體積比約 10:1义Al:Ni目標替代該Ai目標。該裝置完成時並未被封裝 ’且其結構表示為 ITO/CFx/NPB(75)/Alq(60)/CuPc(20)/LiF (0.5)/Al:Ni(l〇: 1,濺鍍)。 該裝置需要一 6.2 V之驅動電壓以傳輸20 mA/cm2。其發光 度為497 cd/m2且其發光效率為約2.5 cd/A。圖4展示在周圍 條件下黑暗邊緣增長與儲存時間之對比。 87242 -24- 200410597 類似於實例2及3中的熱蒸發AhNi陰極,用於該等〇LED 之濺鍍沉積AhNi陰極與A1陰極相比亦顯示優越的耐腐蝕性 。藉由封裝該裝置,該Al:Ni陰極將更不易受到來自該等封 裝裝置中殘留濕氣的影響。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明之具有一鄰近一 EIL之高工作函數金屬 合金陰極之OLED之橫剖面示意圖; 圖2將一具有A1陰極之OLED與具有熱蒸發Al:Ni陰極之 OLED之間白勺運行安定性進行比較; 圖3將一具有A1陰極之OLED與具有熱蒸發Al:Ni陰極之 OLED之間白勺黑暗邊緣增長進行比較;及 圖4將一具有A1陰極之OLED與具有濺鍍沉積Al:Ni陰極之 OI^D之間白勺黑暗邊緣增長進行比較。 將瞭解圖1並非按比例繪製,因為單個層體太薄,且不同 元件的厚度差異太大,不適宜按比例繪製。 【圖式代表符號說明】 100 場致發光裝置 101 基板 103 陽極 105 空穴注入層(HIL) 107 空穴傳輸層(HTL) 109 光發射層(LEL) 111 電子傳輸層(ETL) 113 電子注入層(EIL) 87242 -25 - 200410597 115 高工作函數金屬合金陰極 150 電導體 16 0 電壓/電流源 -26 - 87242
Claims (1)
- 200410597 拾、申請專利範圍·· 1 · 一種有機場致發光裝置,其依次包含: a) —陽極; b) —場致發光媒體;及 c) 一包含至少兩種金屬之金屬合金陰極,其中該合 金之所有金屬之工作函數均高於4.〇 eV。 2.如申請專利範圍第1項之有機場致發光裝置,其中該陰 極包含一種金屬合金A:E,其中a選自A:l、Zn或第4族至 第1〇族,且E選自元素週期表之第4族至第1〇族,且其中 A:E之體積比在10:0.5至10:10之範圍内。 3 .如申請專利範圍第1項之有機場致發光裝置,其中該陰 極包含一種金屬合金A1:E’其中E選自元素週期表之第4 族至第10族,且其中A1:E之體積比在1〇:〇 5至1〇:1〇之範 圍内。 •如申巧專利範圍第1項之有機場致發光裝置,其中該陰 極包含一種金屬合金Al:Ni ’且其中A1:Ni之體積比在 10:0.5至10:10之範圍内。 5·如申請專利範圍第丨積之有機場致發 極包含-種金屬合金简,且其中伽之體:二 10:0.5至10:4之範圍内。 6·如申請專利範圍之有機場致發光裝置,其中該陰 極=含一種金屬合〜E:G,其中A選自ai、^或第4族 土罘10狹,且E及G均選自元素週期表之第4族至第1〇族 ’且其中A:E:G之體積比可在1〇:〇.1:〇·κ ι〇:ι〇:ι〇之範 87242 圍内。光裝置,其中該陰 8 · —種有機場致發光裝置, 其依次包含: a) —陽極; b) —場致發光媒體; c) 一包含至少兩種金屬之金屬合金陰極,其中該合 金之所有金屬之工作函數均高於4.〇eV;及 - d) 一電子注入層,其與該金屬合金陰極及該場致發 光媒體邵分接觸。 9. 一種製造一〇LED裝置之方法,其包含該等以下步驟·· a) 提供一陽極; b) 形成一場致發光媒體; c) 藉由熱蒸發雨種或更多的獨立金屬源,或藉由電 子束蒸發兩種或更多的獨立金屬源’或藉由錢鍍一金屬 合金目標,形成一金屬陰極,其中該合金之所有金屬之 工作函數均高於4.0 e V ;及 d) —電子注入層,其與該金屬合金陰極及該場致發 光媒體部分接觸。 87242
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/260,666 US6765349B2 (en) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200410597A true TW200410597A (en) | 2004-06-16 |
Family
ID=31977928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092121650A TW200410597A (en) | 2002-09-30 | 2003-08-07 | High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6765349B2 (zh) |
EP (1) | EP1403940A2 (zh) |
JP (2) | JP4828787B2 (zh) |
KR (1) | KR20040029284A (zh) |
CN (1) | CN1498050A (zh) |
TW (1) | TW200410597A (zh) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6876144B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-04-05 | Kuan-Chang Peng | Organic electroluminescent device having host material layer intermixed with luminescent material |
TW578439B (en) * | 2002-10-25 | 2004-03-01 | Ritdisplay Corp | Organic light emitting diode and material applied in the organic light emitting diode |
US20040099862A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-05-27 | Harumi Suzuki | Organic EL device and repair method thereof |
JP2005276739A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100590269B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101080353B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2011-11-07 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
WO2006013990A1 (en) * | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US7964864B2 (en) * | 2004-09-30 | 2011-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
WO2006046678A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emittintg element, light-emitting device, and manufacturing method thereof |
US7259405B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-08-21 | Au Optronics Corporation | Organic photoelectric device with improved electron transport efficiency |
TWI320294B (en) * | 2005-02-23 | 2010-02-01 | Organic semiconductor light-emitting element and display device | |
US7635858B2 (en) * | 2005-08-10 | 2009-12-22 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer conductivity distribution |
US7901793B2 (en) * | 2005-09-23 | 2011-03-08 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting compound and organic light-emitting device containing the same |
JP4637712B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
JP4637710B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
KR100721428B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2007-05-23 | 학교법인 포항공과대학교 | 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
JP2009524189A (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-25 | エルジー・ケム・リミテッド | 積層型有機発光素子 |
KR101320382B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2013-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 화합물 및 이를 구비한 유기 발광 소자 |
JP2009021104A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機発光素子の製造方法 |
US20110248244A1 (en) * | 2009-10-05 | 2011-10-13 | Emagin Corporation | Independently controlled stacked inverted organic light emitting diodes and a method of manufacturing same |
KR101677265B1 (ko) | 2010-03-31 | 2016-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN103137870A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-06-05 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 聚合物太阳能电池及其制备方法 |
CN104617225A (zh) * | 2015-02-16 | 2015-05-13 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光二极管器件及其制作方法 |
JPWO2016132460A1 (ja) * | 2015-02-17 | 2017-11-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2018106784A2 (en) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | Djg Holdings, Llc | Preparation of large area signage stack |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL250330A (zh) * | 1959-04-09 | |||
US3658520A (en) * | 1968-02-20 | 1972-04-25 | Eastman Kodak Co | Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups |
US3567450A (en) * | 1968-02-20 | 1971-03-02 | Eastman Kodak Co | Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors |
US4356429A (en) * | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
US4539507A (en) * | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
DE3518323A1 (de) * | 1985-05-22 | 1986-11-27 | SEVAR Entsorgungsanlagen GmbH, 8590 Marktredwitz | Verfahren und vorrichtung zum trocknen von klaerschlamm |
US5283182A (en) * | 1986-09-17 | 1994-02-01 | Beecham Group Plc | Preparation of immobilized hydantoinase stabilized with divalent metal ions |
US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US4720432A (en) * | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
US5121029A (en) * | 1987-12-11 | 1992-06-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Electroluminescence device having an organic electroluminescent element |
US5059862A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US5150006A (en) * | 1991-08-01 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II) |
US5151629A (en) * | 1991-08-01 | 1992-09-29 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I) |
US5141671A (en) * | 1991-08-01 | 1992-08-25 | Eastman Kodak Company | Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors |
US5294870A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
DE69305262T2 (de) * | 1992-07-13 | 1997-04-30 | Eastman Kodak Co | Einen inneren Übergang aufweisende organisch elektrolumineszierende Vorrichtung mit einer neuen Zusammensetzung |
US5405709A (en) * | 1993-09-13 | 1995-04-11 | Eastman Kodak Company | White light emitting internal junction organic electroluminescent device |
US5503910A (en) * | 1994-03-29 | 1996-04-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
US5703436A (en) * | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
US5593788A (en) * | 1996-04-25 | 1997-01-14 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices with high operational stability |
US5688551A (en) * | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
US5683823A (en) * | 1996-01-26 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | White light-emitting organic electroluminescent devices |
US5776622A (en) | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device |
US5645948A (en) * | 1996-08-20 | 1997-07-08 | Eastman Kodak Company | Blue organic electroluminescent devices |
DE19633824C1 (de) * | 1996-08-22 | 1997-06-05 | Braun Ag | Elektrisch betreibbarer Rasierapparat |
US5935720A (en) * | 1997-04-07 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Red organic electroluminescent devices |
US6172458B1 (en) | 1997-04-30 | 2001-01-09 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device with electrode of aluminum-lithium alloy |
US5928802A (en) * | 1997-05-16 | 1999-07-27 | Eastman Kodak Company | Efficient blue organic electroluminescent devices |
US5755999A (en) * | 1997-05-16 | 1998-05-26 | Eastman Kodak Company | Blue luminescent materials for organic electroluminescent devices |
US6337492B1 (en) * | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
US5851709A (en) * | 1997-10-31 | 1998-12-22 | Eastman Kodak Company | Method for selective transfer of a color organic layer |
JPH11251067A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US5935721A (en) * | 1998-03-20 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent |
US6140763A (en) | 1998-07-28 | 2000-10-31 | Eastman Kodak Company | Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure |
JP2000123976A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Tdk Corp | 有機el素子 |
US6020078A (en) * | 1998-12-18 | 2000-02-01 | Eastman Kodak Company | Green organic electroluminescent devices |
US6066357A (en) * | 1998-12-21 | 2000-05-23 | Eastman Kodak Company | Methods of making a full-color organic light-emitting display |
JP3732985B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2006-01-11 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US6166488A (en) * | 1998-12-29 | 2000-12-26 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
JP3528695B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2004-05-17 | トヨタ自動車株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
-
2002
- 2002-09-30 US US10/260,666 patent/US6765349B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-08-07 TW TW092121650A patent/TW200410597A/zh unknown
- 2003-09-18 EP EP20030077940 patent/EP1403940A2/en not_active Withdrawn
- 2003-09-29 JP JP2003337170A patent/JP4828787B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-30 KR KR1020030067922A patent/KR20040029284A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-09-30 CN CNA031327478A patent/CN1498050A/zh active Pending
-
2010
- 2010-05-19 JP JP2010115615A patent/JP2010225592A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040061435A1 (en) | 2004-04-01 |
CN1498050A (zh) | 2004-05-19 |
US6765349B2 (en) | 2004-07-20 |
JP2004127937A (ja) | 2004-04-22 |
EP1403940A2 (en) | 2004-03-31 |
JP2010225592A (ja) | 2010-10-07 |
KR20040029284A (ko) | 2004-04-06 |
JP4828787B2 (ja) | 2011-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200410597A (en) | High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices | |
TWI357779B (en) | Using a crystallization-inhibitor in organic elect | |
US7126267B2 (en) | Tandem OLED having stable intermediate connectors | |
US6881502B2 (en) | Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer | |
US7629741B2 (en) | OLED electron-injecting layer | |
KR101218227B1 (ko) | 유기 중간 컨넥터를 갖는 직렬식 oled | |
US8057916B2 (en) | OLED device with improved performance | |
JP4789209B2 (ja) | 正孔輸送領域内の金属副層 | |
US7799439B2 (en) | Fluorocarbon electrode modification layer | |
US20060240277A1 (en) | Tandem OLED device | |
US20060240280A1 (en) | OLED anode modification layer | |
EP1475851A2 (en) | Highly transparent top electrode for oled device | |
US20090004365A1 (en) | Contaminant-scavenging layer on oled anodes | |
TW200522791A (en) | Organic electroluminescent devices having stability enhancing layer | |
KR100721551B1 (ko) | 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치 | |
CN101222027B (zh) | 一种有机发光器件及其制备方法 | |
KR101200860B1 (ko) | 안정한 중간 연결부를 갖는 직렬식 oled | |
US20050164589A1 (en) | Method of improving stability in OLED devices | |
US20020182307A1 (en) | Organic electroluminescent devices with organic layers deposited at elevated substrate temperatures | |
Ji et al. | Effects on the spectrum of the blue organic light-emitting diodes by the indium tin oxide surface treatment |