TW200410588A - Sealing plate for electroluminescent device, manufacturing method thereof, and multiple paring mother glass plates thereof - Google Patents

Description

200410588 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電激發光元件用密封板及其製造方法、 以及該密封板多個削取用母玻璃基板。 【先前技術】 電激發光（以下稱為「EL」）元件，一般係包含有於表面形 成EL層豐膜之基板、及為了將其頂面介以黏著劑黏接於基板 上之周邊突條部規定於周邊部而將中央部加工成凹狀，俾於 覆蓋形成於基板上之EL層疊膜的EL元件用密封板。基板與密 封板，係介以由配設於基板與周邊突條部間之密封部份上的 黏著劑所構成的黏著層而黏接著。 作為該密封板之材料，係可採用金屬、玻璃、或樹脂等。 該等之中密封板由金屬構成的情況，由於以保持形成於基板 上之拉出電極部分的電絕緣性為目的，而有必要使絕緣性之 間隔物混在基板與周邊突條部間之密封部份中，所以基板與 周邊突條部之間隙會變大同間隔物之程度，且外部之水分從 該部分侵入的可能性會變高。又，在從密封板侧取出始自發 光層之光的頂端發射構造中，由於對密封板要求透明性，所 以無法使用金屬構成的密封板。 因而，在EL元件採用頂端發射構造的情況，密封板係採用 具有絕緣性與透明性的塑膠或玻璃。但是，塑膠，因其本身 所具有的吸水性而很少當作密封板之材料來使用，相對於 此’玻璃由於絕緣性、透明性、及耐水性優所以常用作密封 板之材料。 86751 200410588 作為玻璃製之密封板的加工方法，有折彎玻璃素板本身並 加工的壓製法（圖3)、或除去玻璃素板之中央部的喷砂法（圖 4) 〇 如囷3所示，以壓製法加工的密封板30，由於為了防止燒痕 而使用具有微小凹凸的模子，所以該凹凸會轉印在周邊突條 部31之頂面而使平坦部變低，且水分或氧容易從配設於基板 10與周邊突條部31間之密封部份上的黏著層40侵入。又，如 圖4所示，以噴砂法加工的密封板3〇，由於在中央凹部之表面 夕發生喷砂法特有之微小的裂紋6〇，所以為了將密封板黏 接在基板10上，而當施加壓力至配設於基板1〇與周邊突條部 3 1間之密封部份上的黏著層4〇時就有密封板3〇遭破壞的情 況。 作為密封板30之加工方法，除了上述壓製法或喷砂法，尚 有蝕刻法，若依據該方法，則由於周邊突條部31之頂面的平 坦度會變高，且在中央凹部之表面不會發生微小的裂紋，所 以施加基板10與密封板30之黏接用壓力亦可在密封部份進行 均等的黏接。 又’即使在密封板3 0由耐水性優之玻璃構成的情況，當點 著劑塗佈至基板1 〇與周邊突條部3 1間之密封部份的塗佈量痕 少時’因外部之水分或氧會從密封部份侵入並帶給El層疊膜 本身損傷，且EL元件之壽命會極端地變短。因此，塗佈至密 封部份的黏著劑之量要受到嚴密控制。 然而’當周邊突條部3 1之頂面的凹凸有不均等時，除了在 該凹部分上容易滯留黏著劑，而且當周邊突條部3 1之頂面的 86751 200410588 面積’即塗佈黏著劑的面積較大時，就很難均等形成黏著層 40之厚度。 因而，即使只嚴密控制塗佈至基板丨〇與周邊突條部3丨間之 密封部份的黏著劑之量，亦很難對密封部份形成一定厚度的 黏著層40，且有外部之水分或氧會從未滿足黏著層4〇之一定 厚度的部分侵入，並使EL元件之壽命變短的第一問題。 另一方面，EL元件，為人所周知者有二種類，其一為可藉 由選擇性地施加電壓至隔著發光層而相對的電極及背面電極 來使該發光層選擇性地發光，而適於矩陣顯示的被動型；另 一為可利用高速開關功能而進行高速切換顯示，且適於動畫 顯示的主動型。 上述被動型之EL元件，係採用單純矩陣構造，且包含有基 板™該基板上的電極；含有發光層，且層疊於該電極 上面的EL層疊體；層疊於該£匕層叠體上面的背面電極；以及 玻璃製在封板，其以將頂面黏接於層疊該肛層疊體之基板上 的周邊突條部規定於周邊部的方式而將中央部加工成凹狀， 且介以周邊突條部之頂面的密封部黏接於基板上。 又上述主動型之EL元件，係採用主動矩陣型構造立盥 抓液晶元件之構造同樣，包含有基板；以每-像素形成： 該基板上的薄膜電晶體電路或二極體；含有發光層，且層疊 於該屬膜電晶體電路或該二極體之上面的紅層疊體；以及玻 璃製密封板，細將頂轉接於層#紐層㈣之基板上的 :邊突條部規定於周邊部的方式而將中央部加工成凹狀且 )丨以周邊突條部之頂面的密封部黏接於基板上。 86751 200410588 上述密封部，係構成將EL元件内從水分或氧遮斷的密封 部。 在上述被動型之EL元件與上述主動型之EL元件中，頂端發 射型之EL元件，係藉由以透明構件構成上述發光層至上述密 封板側，而將始自發光層之光從密封板側取出者。 在該頂端發射型之EL元件中，雖為了將EL元件内從水分或 氧遮斷而可利用密封板之密封部來密封，但是因長期間使用 而有降低密封部之密封性並因水分等混入EL元件内而使EL 層疊膜劣化的情形。為了抑制該EL層疊膜之劣化，而藉由在 被密封之EL元件内配設吸濕劑，以提高對混入之水分的耐水 性。戎吸濕劑，一般係配設在與EL層疊體對峙之密封板的凹 部内面整體上。 然而，當吸濕劑配設在與EL層疊體對峙之密封板的凹部内 面整體上時，在從密封板側取出始自發光層之光的頂端發射 構造中就無法獲得充分的開口率，而有無法充分取出始自發 光層之光的第二問題。 本發明之第一目的，係在於提供一種可有效防止水分或氧 侵入EL元件内部並謀求EL元件之長壽命化的EL元件用密封 板、以及該密封板多個削取用母玻璃基板。 更且，本發明之第二目的，係在於提供一種可一面抑制EL 層疊膜之劣化，而一面充分取出始自發光層之光的頂端發射 型之EL元件用岔封板及其製造方法、以及該密封板多個削取 用母玻璃基板。 【發明内容】 86751 -10- 200410588 $ 了達成上述第一目的’本發明第一態樣之電激發光元件 用密封板’其係玻璃製，且為了將其頂面介以黏著劑黏接於 上述基板上的周邊突條部規^於周邊部而將中央部加工成凹 狀’俾於覆蓋層疊於基板上帆層疊㈣，其特徵為：上述 周邊突條部之頂面凹凸的最大值係10/im未滿。 在第一態樣之電激發光元件用密封板中，較佳者為，上述 中央部係使用蝕刻法加工成凹狀。 更且，較佳者為，上述蝕刻法係濕式蝕刻法。 為了達成上述第一目的，本發明第一態樣之密封板多個削 取用母玻璃基板，其特徵為：上述電激發光元件用密封板係 形成大致矩陣狀。 為了達成上述第二目的’本發明第二態樣之虹元件用密封 板其心玻璃製，且以將頂面黏接在層疊此層疊體之基板上 的周邊突條部規定於周邊部的方式而將中央部加工成凹狀 者，其特徵為··在上述周邊突條部之内側面配設有吸濕劑。 /在第：態樣之EL元件用密封板中，較佳者為，上述吸濕劑 係分子篩。 較佳者為’在上述周邊 開口部的同時保持上述吸 在第二態樣之EL元件用密封板中 突條部之頂面，具備有於中央具有 濕劑的保持部。 更且，較佳者為， 條部之内側面朝内側 更且，更佳者為， 驗性玻璃製。 上述保持部之開口緣，係從上述周邊突 突出。 上述保持部’係厚度為Ll.i mm之無 86751 200410588 為了達成上述第二目的，本發明第二態樣之el元件用密封 板多個削取用母玻璃基板，其特徵為：上述EL元件用密封板 係形成大致矩陣狀。 為了達成上述第二目的，本發明第二態樣之El元件用密封 ▲ 方法’其4^徵為·準備玻璃素板、及餘刻速度慢於 上述玻璃素板之玻璃薄板，在上述玻璃素板上黏接上述玻璃 薄板，將黏接有上述玻璃薄板之玻璃素板，以在周邊部規定 周邊突條部之方式在中央部從上述玻璃薄板側開始㈣加工 成凹狀，且在上述周邊突條部之内側面配設吸濕劑。 較佳者為，第一悲樣之上述黏接係利用加熱熔接而進行者。 更且，較佳者為，上述加熱熔接，係在上述玻璃素板與上 述玻璃薄板之間介設低熔點玻璃而進行者。 為了達成上述第二目的，本發明第三態樣之EL元件用密封 板之製ie方法，其特徵為·準備玻璃素板及玻璃薄板，以在 周邊部規定周邊突條部的方式在中央部將上述玻璃素板姓刻 加工成凹狀，以中央具有開口面積小於上述㈣加工之玻璃 素板之凹部㈣口部之方式㈣加卫上述玻璃薄板，以使上 述開口部之開口緣從上述周邊突條部之内側面朝内侧突出的 方式黏接上述蝕刻加工的玻璃素板與上述蝕刻加工的玻璃薄 板’且在上述周邊突條部之内側面配設吸濕劑。 在第三態樣之EL元件用密封板之製造方法_，較佳者為， 上述黏接係利用加熱熔接而進行者。 更且，較佳者為，上述加熱熔接，係在上述玻璃素板與上 述玻璃薄板之間介設低熔點玻璃而進行者。 86751 -12- 更且， 更佳者為，在上述第二態樣及第三態樣之EL元件用 搶封板之製造方法中， r ^ r 上迹站接係使用黏著劑而進行者。 【實施方式】 本發明人，為了逵忠 運成上述弟一目的而進行專心研究後，結 ^發現在為了將其頂面介以黏著難接於上述基板上的周邊 :條：規定於周邊部的方式而將中央部加工成凹狀，俾於覆 盍層：於基板上的EL層疊體之玻璃製的EL元件用密封板 中’备上述周邊突條部之頂面凹凸的最大值未滿1〇"茁時， 將密封板之基板密封部份的黏接著厚度設為均等，即可有效 地防止水分或氧侵入EL元件内部並可謀求EL元件之長壽命 化。 又本發明人，為了達成上述第一目的而進行專心研究後， 結果發現在以將頂面黏接在層疊£1層疊體之基板上的周邊 突條部規定於周邊部的方式而將中央部加卫成凹狀之玻璃製 的EL元件用密封板中，當在上述周邊突條部之内侧面配設有 吸濕劑時’由於在周邊突條部之内侧面配設有吸濕劑，所以 可一面抑制EL層疊膜之劣化，而一面充分地取出始自發光層 之光。 本發明，係根據上述研究結果而開發完成者。 以下，係一面參照圖式而一面說明本發明第一實施形態之 EL元件用密封板。 圖1係具備本發明第一實施形態之EL元件用密封板的el元 件之剖面圖。 圖1中，EL元件100，係採取底端發射構造，且包含有大小 86751 -13- 200410588 7·〇 cm角、厚度1·0 mm之板狀透明的無驗性玻璃製之基板 10 ;形成於基板10上的有機EL層疊體20;及形成覆蓋該有機 EL層疊體20的密封板30。 密封板30，係例如利用濕式#刻法而由大小5·〇 cm、厚度 〇·7〇 mm之板狀透明的無驗性玻璃（例如NA-35 : NH科技玻璃 股份有限公司製）製之玻璃素板所構成，且為了於凹部32之周 邊部規定寬2.0 mm之周邊突條部31而將中央部加工成凹狀， 而凹部32之底部的厚度為〇·4 mm。基板1〇與周邊突條部3 1， 係介以配設在形成於基板1 〇與周邊突條部3 1之頂部間的密封 部份上，例如由紫外線硬化型環氧樹脂製之黏著劑所構成的 黏著層4 0而黏接。 Φ封板30對基板10之黏接，首先係在周邊突條部31塗佈一 定量的黏著劑之後，將密封板30載置於基板1〇上，其次，以 在密封部份上施加980 N/m2(l〇〇kg/m2)左右之力的方式藉由 面將雄封板3 0按壓在基板1 〇上而一面對黏著劑照射紫外線 來進行。 在饴封板30之凹部32的底部表面33上，為了使之吸附水分 而塗佈有分子筛50(優尼恩卡拜德（Uni〇n Carbide)公司製）。另 外，在塗佈分子篩50時及密封板3〇黏接至基板1〇時，為了消 除水分或氧之影響較佳者係在乾燥環境或減壓下進行。 又，在本實施形態中，吸濕劑雖係使用最佳的分子篩5〇， 但是並非被限定於此，例如亦可為氧化矽膠（Si〇2)、乾燥劑（克 萊系乾燥劑）、氯化鈣、氧化鈣、矽酸鈣等。 有機EL層疊體20,係包含有形成於基板1〇上，且由厚度3〇〇 86751 •14- 200410588 nm之ITO(氧化銦錫）膜構成的透明導電膜21;包含後述之發 光層，且層疊於該透明導電膜21之表面的有機EL層疊膜22 ; 形成於有機EL層疊膜22之表面，且由厚度30〇 nm之Mg-Ag(鎂 銀）合金構成的背面電極23;以及連接於背面電極23，且由 厚度300 nm之ITO膜構成的拉出電極24。 有機EL層疊膜22，係從透明導電膜21側開始依序層疊由三 苯雙胺構成的咼度70 nm之電洞輸送層、接著由羥基喹啉鋁錯 5物構成的尚度70 nm之發光層。更且，在背面電極23與發光 層之間，亦可配設有由三唑或嘮畊唑構成的透明之電子輸送 層。 在上述濕式蝕刻法中所用的蝕刻液，較佳者係在氟化氫酸 5〜50質量％中，適量含有選自硫酸、鹽酸、硝酸及磷酸構成 之無機酸之群中至少一種的酸。藉此，可增大蝕刻力。另外， 選自該等無機酸之群的強酸，亦可為單體或2種類以上的混合 物。 又’上述姓刻液，較佳者係適量含有選自由幾酸類、二羧 酸類、胺類、及胺基酸類組成之群的丨種或2種以上之有機酸 或鹽基之類。又，亦可在上述蝕刻液中適當添加界面活性劑， 亦可適當變更所添加的界面活性劑。 如上述之餘刻液的成分與其濃度，係可依钱刻液之溫度、 及所姓刻之玻璃的組成或種類等而適當變更。又，在施行钱 刻處理時，對於使被蝕刻之玻璃搖動，或賦予輸出較弱之超 曰波亦為有效。藉此，就可將姓刻液形成均等的溶液。更且， 在施行蝕刻處理時，對於從蝕刻液取出並一旦浸潰於選自由 86751 -15- 200410588 水、或硫酸、鹽酸、硝酸及磷酸構成的無機酸之群♦之至少 -種的酸、或選自由羧酸類、二羧酸類、胺類及胺基酸類構 成之群之1種或2種以上的有機酸或鹽基之類中亦為有效。藉 此’可均等施行蝕刻處理。 在上述實施形態中，作為在玻璃素板上形成凹部32的方 法，雖係使用濕式蝕刻法，但是亦可為乾式蝕刻法，或並用 乾式蝕刻法與濕式蝕刻法。 在濕式蝕刻法中，可藉由選擇蝕刻液之成分與蝕刻溫度而 進行批次處理，且可提高密封板30之生產性。相對於此，在 乾式蝕刻法中，雖可精密地進行蝕刻處理，但是由於無法進 行批次處理，而不得已進行單片處理，所以密封板3〇之生產 性低。 又，密封板30，雖係使用無鹼性玻璃之玻璃素板，但是依 EL元件1〇〇之構成，亦可使用低鹼性玻璃，或使用蘇打石灰 玻璃或石英玻璃等。 密封板30之凹部32底部的厚度，較佳者為on」mm。厚 度未滿0.3 mm，則密封板3〇之凹部32底部的強度過小，當大 於1·1 mm時密封板30之強度雖十分大但是無法謀求el元件 100之薄型化。 若依據本實施形態’由於周邊突條部3 1之頂面凹凸的最大 值為1 0 /z m未滿，所以可將基板1 〇與周邊突條部3丨間之密封 部份的黏著層40之厚度形成均等，並有效防止水分或氧侵入 EL元件100内部並謀求EL元件1〇〇之長壽命化。 在本實施形態中，有機EL層疊膜22雖為採用被動構造，但 86751 -16- 200410588 疋亦可採用主動構造。又，在本實施形態中，有機EL元件ι〇〇 雖係採用底端發射構造，但是亦可採用頂端發射構造。 又，有機EL層積膜22雖係採用由電洞輸送層與發光層構成 者，但是亦可使用由電洞輸送層、發光層及三唑或呤畊唑組 成的電子輸送層所構成者。 更且，EL層疊膜，亦可為無機el層疊膜，以取代有機el 層疊膜22。該情況，可採用從透明導電膜側依序為絕緣層、 發光層、絕緣層組成者、或電子障壁層、發光層、電流限制 層組成者。 用於圖1之EL元件1〇〇的密封板3〇，係如上所述除了單片處 理之製作’亦可從下述圖2之密封板多個削取用母玻璃基板切 出。 圖2係用於圖1之EL元件100之密封板30大致形成矩陣狀的 密封板多個削取用母玻璃基板之平面圖。 圖2中，縱30 cm、橫40 cm之密封板多個削取用母玻璃基板 200，係具有形成5 X 6之矩陣狀的密封板30。 作為在玻璃素板上形成5x6之矩陣狀的密封板30之方法，有 以包含濕式蝕刻法之蝕刻法將玻璃素板之指定部分除掉成凹 狀的方法。所使用的玻璃素板，其處理方面從厚度0.5 mm以 上、EL元件100之薄性化的觀點來看適合使用1.1 mm以下者。 在該方法中，首先，係在無鹼性玻璃（例如NA-3 5等）製之玻 璃素板上，為了將露出部形成5 X 6之矩陣狀而利用寬為2.5 mm之帶狀的光阻進行掩蔽處理，將該掩蔽處理之玻璃素板， 浸潰在上述蝕刻液中10〜180分鐘左右，並從玻璃素板殘留突 86751 -17- 200410588 條部1 01除掉成凹狀以形成凹部1 02者。在以純水充分洗淨該 玻璃素板之後玻璃光阻。 如此由於將玻璃素板之指定部分利用濕式蝕刻法除掉成凹 狀，所以可確實使密封板30之凹部32的底部表面形成平坦， 且可對外部壓力增大密封板30之強度。 其次，如上所述將凹部102形成5 X 6之矩陣狀的密封板多 個削取用母玻璃基板200，在規定凹部1 〇2之突條部1 〇 1的部位 切斷。藉此，可取得3〇(5 X 6)個例如用於後述之圖2的ELS 件100的密封板30。 在上述實施形態中，作為在玻璃素板上形成凹部1〇2的方 法’雖係使用濕式蝕刻法，但是亦可使用乾式蝕刻法，或並 用乾式钱刻法與濕式姓刻法。 密封板多個削取用母玻璃基板2〇〇，雖係將密封板30之排列 形成矩陣狀，但是若為適於多個削取之排列的話則亦可為矩 陣狀以外。 又’光阻之寬度，並未被限定於2·5 mm，只要所取得之密 封板30之周邊突條部3丨的寬度為該周邊突條部3丨之厚度以上 即可’為了確保作為密封板3〇之留量亦可為1 cm左右。 若依據圖2之密封板多個削取用母玻璃基板2〇〇，則可利用 切斷分離來取得各密封板3〇，且於切斷時對外部壓力增大強 度’且消除單片處理之進行而可提高密封板3〇之生產性。 以下’ 一面參考圖式而一面說明本發明第二實施形態之El 元件用密封板。 本實施形態之EL元件基本上具有與第一實施形態之el元 86751 •18- 200410588 件同樣的構成。因而，在同一構成上附記同一元件符號並省 略說明。 圖5係具備本發明第二實施形態之EL元件用密封板的EL元 件之剖面圖。 圖5中，頂端發射型有機EL元件1〇〇a，係採用被動構造， 且包含大小7.0 cm角、厚度1〇 mm之板狀透明的蘇打石灰玻 璃之基板10a;形成於基板1〇a上之有機]£1^層疊體2〇;及形成 覆蓋該有機EL層疊體20的密封板30a。 始、封板30a，係大小5.0 (:^^角、厚度K1 mm之板狀透明的蘇 打石灰玻璃製，且以將頂面黏接在層疊EL層疊體2〇之基板 l〇a上的寬2.0 mm之周邊突條部31a規定於周邊部的方式而將 中央部加工成凹狀，而底部之厚度為0.8 mm。 更且，密封板30a，係在周邊突條部31a之頂面，具備大小 5.〇Cm角、厚度n mm之無鹼性玻璃製的玻璃薄板31丨。該玻 璃薄板3 11，係在中央具有經蝕刻加工之4·5 cm角的開口部， 同時保持上述分子篩50。 該玻璃薄板3 11之開口緣3 12，係從周邊突條部3 1 a之内側面 3 13朝内側突出。由該開口緣312保持的分子篩5〇，係配設於 周邊突條部3 1 a之内側面3 13。 基板10a與密封板3 〇a，係介以配設於密封部之上述黏著層 40而黏接。具體而言，在玻璃薄板311塗佈一定量的紫外線硬 化型環氧樹脂製之黏著劑之後，將密封板3〇a載置於基板1〇a 上，其次藉由一面將密封板30a以1〇〇 kg/m2左右之力按壓在 基板1 0a上而一面在黏著劑上照射紫外線而進行。 86751 -19- 200410588 密封板30a之凹部32a的形成，係藉由將玻璃素板利用後述 之濕式蝕刻法形成凹狀而進行。在測定利用該濕式蝕刻法而 蝕刻的玻璃素板之#刻深度時為300 。又，在凹部3〜之 底面角隅部具有彎曲部位，且其曲率半徑約為3〇〇//m。密封 板30a之凹部32a的底部厚度，較佳者為〇3〜1;l mm。厚度未 滿0.3 mm，則密封板30a之強度不充分，且當大於^ mm時雖 可獲得充分的密封板30a之強度，但是無法謀求£[元件1〇〇a 之薄型化。 圖6係顯示圖5之密封板3(^之製造方法的流程圖。 圖6中，首先，準備玻璃素板及玻璃薄板311(步驟§21)。在 此，玻璃薄板311之材料，為了形成上述開口緣312，而較佳 者為蝕刻速度慢於玻璃素板。 其次，在玻璃素板上黏接玻璃薄板311(步驟S22)。該玻璃 素板與玻璃薄板311黏接，係將玻璃薄板311加熱至玻璃素板 之軟化溫度附近’並藉由互相炫接而進行。 更且，將黏接有玻璃薄板311之玻璃素板，使用濕式蝕刻 法，以在周邊部規定周邊突條部31a的方式在中央部從玻璃薄 板3 11側蝕刻加工成凹狀（步驟S23)，且在周邊突條部31&之内 側面3 1 3配設分子篩50(步驟S24)。 上述步驟S23之濕式蝕刻法，係在為了使黏接有玻璃薄板 311之玻璃素板的4.5 cm角之中央部露出的方式以财酸性 帶，即光阻掩蔽之後，將該掩蔽之玻璃素板，浸潰在由例如 2〇質量％氟化氫酸、i質量％十二苯磺酸鈉之混合液組成，且 保持於25°C之蝕刻液中者。 86751 -20- 200410588 另外，在上述濕式姓刻法中所用的姓刻液並非被限定於上 述蝕刻液，亦可使用與第一實施形態同樣者。如上述之蝕刻 液的成分與其濃度，係可依蝕刻液之溫度、及所蝕刻之玻璃 的組成或種類等而適當變更。又，在施行蝕刻處理時，對於 使被蝕刻之玻璃搖動，或賦予輸出較弱之超音波亦為有效。 藉此，就可將蝕刻液形成均等的溶液。更且，在施行蝕刻處 理時，對於從蝕刻液取出並一旦浸潰於選自由水、或硫酸、 鹽酸、硝酸及磷酸構成的無機酸之群中之至少一種的酸、或 選自由羧酸類、二羧酸類、胺類及胺基酸類構成之群之丨種或 2種以上的有機酸或鹽基之類中亦為有效。藉此，可均等施行 蝕刻處理。 圖7係顯示圖5之密封板30a之另一製造方法的流程圖。 圖7中，首先，準備玻璃素板及玻璃薄板311(步驟S31)。 其次’將玻璃素板，使用上述濕式餘刻法，以在周邊部規 定周邊突條部3 1 a之方式而在中央部姓刻加工成凹狀（步驟 S32)，將玻璃薄板3 U，使用上述濕式蝕刻法，以中央具有開 口面積小於經蝕刻加工過之玻璃素板之凹部32a的開口部之 方式進行蝕刻加工（步驟S33)。 更且，將上述蝕刻加工過之玻璃素板及玻璃薄板311，以玻 璃薄板3 11之開口緣3 12從周邊突條部3 1 a之内側面3 13朝内側 突出的方式黏接（步驟S34)，且在周邊突條部31a之内侧面313 配設分子篩50(步驟S35)。 若依據本實施形態，則由於在周邊突條部3 1 a之内侧面3 13 配設有分子篩50，所以可一面抑制有機EL層疊膜22a之劣 86751 -21 - 200410588 化’而一面充分取出始自發光層之光。 在本實施形態中，雖係使用被動型以作為有機EL元件 1 00a，但是並非被限定於此，亦可為主動型。 在本實施形態中，密封板30a雖係依設於周邊突條部313之 頂面的玻璃薄板3 11而在周邊突條部3丨&之内側面3丨3保持分 子筛50，但是並非被限定於此，例如，亦可如圖8所示不設置 玻璃薄板，而將黏著層40當作保持機構。 在本實施形態中，雖係使用蘇打石灰玻璃以作為密封板3〇a 用玻璃素板，但是亦可按照有機EL元件1〇(^之構成而使用低 鹼性玻璃、無鹼性玻璃、石英玻璃等。 在本實施形態_，雖係使用厚度〇1 mm之無鹼性玻璃以作 為玻璃薄板3 11 ’但疋並非被限定於此，例如亦可為厚度 0.05〜1.1 mm之無驗性玻璃。 在本實施形態中，雖係使用無鹼性玻璃以作為玻璃薄板 3 11，但是並非被限定於此，例如亦可為低鹼性玻璃、蘇打石 灰玻璃、石英玻璃等。 在本實施形態中，雖係使用最佳的分子篩5〇以作為吸濕 劑，但是與第一實施形態同樣，並非被限定於此。 在本實施形態中，雖然玻璃素板與玻璃薄板3 u之黏接係藉 由將玻璃薄板311加熱至玻璃素板之軟化溫度附近，以使之互 相溶接而黏接者’但疋並非被限定於此，亦可在玻璃薄板叙 玻璃薄板3 11之間’丨β又低溶點玻璃’且可使用黏著劑來黏接。 在本實施形態中，作為在玻璃素板上形成凹部32&的方法， 雖係使用濕式蝕刻法，但是與第一實施形態同樣亦可為乾式 86751 -22- 200410588 姓刻法，或並用乾式蝕刻法與濕式蝕刻法。 在本實施形態中，雖係使用有機EL層疊膜22以作為EL層叠 膜’但是與第一實施形態同樣，並非被限定於此。 用於圖8之有機EL元件l〇〇a的密封板3〇a，如上所述除了單 片處理之製作，其餘與第一實施形態同樣，可從密封板多個 削取用母玻璃基板200中切出。 又’切斷密封板多個削取用母玻璃基板2〇〇後之形狀較佳者 為與上述密封板3〇a同樣的形狀。 又亦可將在上述玻璃素板上形成5 X 6之矩陣狀之密封 板3 0a的方法，適用於黏接沒有形成開口部之玻璃薄板311的 玻璃素板上，或可在圖5之凹部32a形成矩陣狀的玻璃素板上 令占接形成矩陣狀開口部之玻璃薄板。 若依據圖5之密封板多個削取用母玻璃基板2〇〇 ,則可利用 切斷分離來取得各密封板3〇a，於切斷時對外部壓力增大強 度，且消除單片處理之進行以提高密封板3〇a之生產性。 以下’係說明本發明之第一實施形態的實施例。 本發明人，從玻璃素板中，分別利用濕式蝕刻法（實施例 〇、壓製法（比較例1)、喷砂法（比較例2)，製作為了在中央部 規定凹部而於周邊部具備周邊突條部的密封板之實驗片（實 施例1及比較例1〜2)如下（表1)。 86751 -23- 200410588 表1 凹部加工方 法 凹凸最大 值 亮度減半壽命 驅動電壓上升 實施例 1 濕式蝕刻法 10 /z m 未 滿 5000小時 小（12 V) 比較例 1 壓製法 10 // m 以 上 2000小時 大（25 V) 比較例 2 喷砂法 2500小時 大（25 V) 首先，調製20質量％氟化氫酸、1質量％十二苯磺酸鈉之混 合液組成的餘刻液，且以覆蓋由大小5.0 cm角、厚度0.70 mm 大小之無鹼性玻璃（NA-3 5)組成的玻璃素板之外面、周邊面、 及周邊突條部的耐酸性帶施行掩蔽處理進而將該玻璃素板浸 潰在保持於25 °C之上述蝕刻液中60分鐘，並從蝕刻液中取 出’藉由在以純水充分洗淨之後剝離财酸性帶，以將深度3 〇 〇 //m之凹部與寬2·5 mm之周邊突條部形成於玻璃素板上，而 取得密封板之實驗片。 從該等取得之密封板的實驗片中，將周邊突條部之頂面凹 凸的最大值10 // m未滿者當作實施例1。 接著，一面將厚度0.50mm之NA-35的玻璃基板加熱至作業 溫度附近而一面利用碳製鎮模加以按壓，且在該Na_3 5之玻 璃基板上形成深度300 // m之凹部與寬2.0 mm之周邊突條 部’以取得密封板之實驗片，且將該等當作比較例1。作為碳 86751 -24 - 200410588 製鑄模，由於係使用為了防止燒痕而具有微小凹凸者，所以 在比較例1之密封板的實驗片中，碳製鑄模之微小凹凸並不限 於中央凹部而亦可轉印至周邊突條部之頂面，且周邊突條部 之頂面凹凸的最大值超過l〇Vm。 更且，對厚度0.70mm之NA-35的玻璃基板施行喷砂處理， 並在該NA-35的玻璃基板上形成深度3〇〇 # m之凹部與寬2 〇 mm之周邊突條部，以取得密封板之實驗片，且將該等當作比 較例2。在比較例2之密封板的實驗片中，雖會於中央凹部發 生喷砂法特有的微小裂紋等，但是周邊突條部之頂面凹凸的 最大值，可維持NA-35之玻璃基板的凹凸，且不一定為1〇#m 未滿。 接著，在實施例1及比較例1〜2之密封板之實驗片的周邊突 條部，分別塗佈適量的紫外線硬化型之環氧樹脂製之黏著 劑，且對於從玻璃基板與密封板之實驗片的兩側形成於玻璃 基板與周邊突條部之間的密封部份藉由一面施加98〇 N/m2(l〇0kg/m2)左右之力而一面對黏著劑照射紫外線，以在 玻璃基板與周邊突條部間之密封部份形成黏著層，並製作有 機EL元件。 將如此製作成的有機EL元件利用驅動電流1〇 mA/cm2進行 連續驅動並測定亮度之減半壽命。將該測定結果顯示於表工 中。 從表1可明白如下事情。 (實施例1) 在實施例1中，在基板與周邊突條部間之密封部份的全區 86751 -25- 200410588 域，黏著層之厚度為均等，而亮度之減半壽命可非常地增加 壽命長至5000小時。 又，初期的驅動電壓8 V會隨著驅動時間之增加而降低亮 度，雖然為了要維持亮度而需要使驅動電壓上升，但是只要 使初期的驅動電壓上升至丨2 v即可維持亮度。 (比較例1) 在比較例1中，因轉印至周邊突條部之頂面的碳製鑄模之微 J凹凸，而無法在基板與周邊突條部間之密封部份上均等形 成黏著層，且減半壽命會減短至2〇〇〇小時。又，初期的驅動籲 電壓，雖與實施例i同樣為8 V，但是為了維持亮度而有必要 使初期的驅動電壓上升至25 V以上。 (比較例2) 在比較例2令，因喷砂所產生的細裂紋，使實驗片在黏著層 形成時之按壓下破裂，且無法製作有機EL元件。 因此，在形成黏著層時施加49〇 N/m2(5〇kg/m2)左右之力以 衣作有機EL元件。但是，在該條件下如圖3之黏著層扣所示 無法在密封部份上形成均等，且亮度之減半壽命會減短至· 2500】時。又，初期的驅動電壓，雖與實施例1同樣為8 V， ’ 仁疋為了維持焭度而有必要使初期的驅動電壓上升至25 v以 上。 若依據本實施例，則可明白當周邊突條部之頂面凹凸的最 大值為10 未滿時，就可因將基板與周邊突條部間之密封 部份的黏著層之厚度形成均等，而有效防止水分或氧侵入E]L 兀件内並謀求EL元件之長壽命化。 86751 -26- 200410588 以下，說明本發明第二實施形態之實施例。 本發明人，有製作在周邊突條部31a之内侧面313配設分子 篩50的有機EL元件100a(實施例2(圖5)及實施例3(圖8)、以及 在周邊突條部3 la之内側面3 13未配設分子篩50的有機EL元 件100a(比較例3)。在此，實施例2之有機EL元件100a，係在 周邊突條部3 1 a之頂面具備用以保持分子篩5〇的玻璃薄板 311 〇 對如此所製作的有機EL元件1 〇〇a照射紫外線，且以驅動電 流10 mA/cm2進行連續驅動並測定維持初期亮度用的驅動電 壓上升（V)及亮度之減半壽命（小時），進而將其測定結果顯示 於表2中。 表2 分子篩 玻璃薄板 亮度減半壽命 驅動電壓上升 實施例2 有 有 6000小時 小（4 V) 實施例3 有 無 4000小時 小（7 V) 比較例3 無 無 5 00小時 大（12 V) 從表2中可明白，當在周邊突條部31a之内側面313配設分子 篩50時，可一面抑制有機EL層疊膜22a之劣化，而一面充分 取出始自發光層之光。 又，可明白當使用在周邊突條部3 la之頂面具備保持分子篩 5 〇之玻璃薄板3 11的密封板3 0a時，可確實地一面抑制有機eX 層疊膜22a之劣化，而一面充分取出始自發光層之光。 86751 -27- 200410588 (產業上之可利用性） 如以上詳細說明，若依據本發明第一態樣之EL元件用密封 板，則由於周邊突條部之頂面凹凸的最大值*1〇#m未滿， 所以可將基板與周邊突條部間之密封部份的黏著層之厚度設 在均等，可有效防止水分或氧侵入EL元件内部並謀求£1^元件 之長壽命化。 若依據第一態樣之EL元件用密封板，則由於中央部使用蝕 刻法加工成凹部，所以可平滑地加工中央凹部之底面。 若依據第一態樣之EL元件用密封板，則由於蝕刻法係濕式 餘刻法’所以更可平滑地加工中央凹部之底面。 若依據第一態樣之密封板多個削取用母玻璃基板，則由於 上述玻璃製EL元件用密封板大致形成矩陣狀，所以可提高el 元件用密封板之生產性。 又，如以上詳細說明，若依據本發明第二態樣之E]L元件用 密封板，則由於在周邊突條部之内側面配設有吸濕劑，所以 可一面抑制EL層疊膜之劣化，而一面充分取出始自發光層之 光。 若依據第二態樣之EL元件用密封板，則由於在周邊突條部 之頂面，具備有於中央具有開口部的同時保持吸濕劑的保持 部，所以可確實抑制EL層疊膜之劣化。 若依據第二態樣之EL元件用密封板，則由於保持部之開口 緣係從周邊突條部之内側面朝内側突出，所以可確實保持吸 濕劑。 若依據第一態樣之EL元件用密封板多個削取用母玻璃基 86751 -28- 200410588 板’則由於上述密封板大致形成矩陣狀，所以可達成與上述 效果同等的效果。 若依據第二態樣之el元件用密封板之製造方法，則由於準 備玻璃素板、及蝕刻速度慢於玻璃素板之玻璃薄板，在玻璃 素板上黏接玻璃薄板，將黏接有玻璃薄板之玻璃素板，以在 周邊部規定周邊突條部之方式在中央部從玻璃薄板側開始蝕 刻加工成凹狀，所以可同時進行玻璃素板與玻璃薄板之蝕 刻，且可容易製造EL元件用密封板。 若依據第二態樣之EL元件用密封板之製造方法，則由於玻 璃素板與玻璃薄板之黏接係利用加熱熔接而進行，所以可破 實黏接玻璃素板與玻璃薄板。 若依據第二態樣之EL元件用密封板之製造方法，則由於加 熱溶接係在玻璃素板與玻璃薄板之間介設低熔點玻璃而進行 者’所以更可確實黏接玻璃素板與玻璃薄板。 若依據第二態樣之EL元件用密封板之製造方法，則由於黏 接係使用黏著劑而進行，所以無須加熱，即可黏接玻璃素板 與玻璃薄板。 【圖式簡單說明】 圖1係具備本發明第一實施形態之EL元件用密封板的el元 件之剖面圖。 圖2係用於圖1之EL元件100之密封板30大致形成矩陣狀的 密封板多個削取用母玻璃基板之平面圖。 圖3係具備使用壓製法而加工之EL元件用密封板的el元件 之剖面圖。 86751 -29- 200410588 圖4係具備使用噴砂法而加工之EL元件用密封板的£乙元件 之剖面圖。 圖5係具備本發明第二實施形態之EL元件用密封板的£乙元 件之剖面圖。 圖6係顯示圖5之密封板30a之製造方法的流程圖。 圖7係顯示圖5之密封板30a之另一製造方法的流程圖。 圖8係圖5之有機el元件100a之變化例的剖面圖。 【圖式代表符號說明】 10 、 10a 基板 20 有機EL層疊體 21 透明導電膜 22 、 22a 有機EL層疊膜 23 背面電極 24 拉出電極 30、30a 密封板 31、31a、101 周邊突條部 32、32a、102 凹部 33 底部表面 40 黏著層 50 分子篩 60 裂紋 100 、 100a EL元件 200 密封板多個削取用母玻璃基板 311 玻璃薄板 86751 -30- 200410588 312 開口緣 313 内側面 86751 -31 -

Claims (1)

1. 200410588 拾、申請專利範圍： 1.一種電激發光元件用密封板，其係破璃製，且為了將其頂 面介以黏著劑黏接於上述基板上的周邊突條部規定於周邊 部而將中央部加工成凹狀，俾於覆蓋層疊於基板上的電激 發光層疊體者，其特徵為： 上述周邊突條部之頂面凹凸的最大值係1〇/zm未滿。 2·如申請專利範圍第丨項之電激發光元件用密封板，其中，上 述中央部係使用蝕刻法加工成凹狀。 3·如申請專利範圍第2項之電激發光元件用密封板，其中，上 述姓刻法係濕式蝕刻法。 4·一種密封板多個削取用母玻璃基板，其特徵為： 申請專利範圍第1項之電激發光元件用密封板係形成大 致矩陣狀。 5. -種電激發光元件用密封板，其係、玻璃製，且以將頂面黏 接在層疊電激發光層疊體之基板上的周邊突條部規定於周 邊部的方式而將中央部加工成凹狀者，其特徵為： 在上述周邊大條部之内侧面配設有吸濕劑。 6. 如申β月專利|巳圍第5項之電激發光元件用密封板，其中，上 述吸濕劑係分子篩。 7. 如申請專利範圍第5項之電激發光元件用密封板，其中，在 上述周邊大條。ρ之頂面，具備有於中央具有開口部的同時 保持上述吸濕劑的保持部。 8·如申請專利範圍第7項之電激發光元件用密封板，其中，上 述保持。Ρ之開口緣’係從上述周邊突條部之内側面朝内側 86751 200410588 突出。 9·如申請專利範圍第7項之電激發光元件用密封板，其中，上 述保持部，係厚度為0·05〜;^ mm之無鹼性玻璃製。 1 0 ·種電激發光元件用密封板多個削取用母玻璃基板，其特 徵為： 申請專利範圍第5項之電激發光元件用密封板係形成大 致矩陣狀。 U·一種電激發光元件用密封板之製造方法，其特徵為： 準備玻璃素板、及蝕刻速度慢於上述玻璃素板之玻璃薄 板’在上述玻璃素板上黏接上述玻璃薄板，將黏接有上述 坡璃薄板之玻璃素板，以在周邊部規定周邊突條部之方式 在中央部從上述玻璃薄板侧開始蝕刻加工成凹狀，且在上 述周邊突條部之内側面配設吸濕劑。 12·如申請專利範圍第u項之電激發光元件用密封板之製造 方法’其中，上述黏接係利用加熱熔接而進行者。 13·如申睛專利範圍第12項之電激發光元件用密封板之製造 方法’其中’上述加熱熔接係在上述玻璃素板與上述玻璃 薄板之間介設低熔點玻璃而進行者。 14·一種電激發光元件用密封板之製造方法，其特徵為： 準備玻璃素板及玻璃薄板，以在周邊部規定周邊突條部 的方式在中央部將上述玻璃素板蝕刻加工成凹狀，以中央 具有開口面積小於上述蝕刻加工之玻璃素板之凹部的開口 之方式姓刻加工上述玻璃薄板，以使上述開口部之開口 緣從上述周邊突條部之内側面朝内側突出的方式黏接上述 86751 -2- 200410588 蝕刻加工的玻璃素板與上述蝕刻加工的玻璃薄板，且在上 述周邊突條部之内側面配設吸濕劑。 15·如申請專利範圍第14項之電激發光元件用密封板之製造 方法’其中’上述黏接係利用加熱熔接而進行者。 16·如申請專利範圍第15項之電激發光元件用密封板之製造 方法’其中，上述加熱熔接係在上述玻璃素板與上述玻璃 薄板之間介設低熔點玻璃而進行者。 17·如申請專利範圍第11項之電激發光元件用密封板之製造 方法’其中，上述黏接係使用黏著劑而進行者。 86751