TW200404186A - Liquid crystal display and thin film transistor array panel - Google Patents

Description

i 200404186 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ，並且更 示器及其 本發明係關於一種液晶顯示器及其製造方法 明確地說，係關於一種包含一晝素電極之液晶顯 製造方法。 【先前技術】 一典型的液晶顯示器（“LCD，，）包含一且右一 u — 八男 共同電極 和複數個彩色濾光片之上面板’以及一具有薄膜電 和複數個畫素電極之下面板。—對排^層 (alignment layers)係經塗佈在該上和下面板各自 曰的内表面 上，並且一液晶層係經插入在其間。不同的電壓經運用至 該共同電極和該等晝素電極上以產生電場。電場強度及/ 或方向的改變會改變液晶分子的方向以變更穿透過今^曰 層的光線透射比。據此，利用調整該等晝素電極和該共$ 電極之間的差異可以得到預期影像。 在這些液晶顯示器之中，一垂直排列式（vertically aligned mode)液晶顯不器（之後稱為一 ’’VALCD”）因為立高 反差比和廣視角而是非常有潛力的，其在無電場情況下使 該液晶分子的主軸與該上和下面板垂直排列。 為了在VALCD中達到寬廣的視角，複數個斷流器或 複數個突出（protrusion)被提供在該（等）電場產生電極上。 兩者都產生邊際電場（fringe fields)以將液晶分子的傾斜 方向分散為數個方向，因而產生廣視角。一在該等電極内 5 200404186 提供有斷流器之圖畫化的垂直排列型式被認為是内平 換型式（inplane switching mode)之良好的取代品。但 視角的觀點來說，斷流器本身的供應是不足夠的。 【發明内容】 本發明之一目的是改良一 LCD的視角。 要完成這些和其他目的，本發明提供一種在一晝 域内具有至少兩種不同厚度的液晶層。 詳細地，本發明提供一薄膜電晶體陣列面板，其包 一絕緣基材；一形成在該絕緣基材上的閘極線；一與 極線相交並與該閘極線絕緣的資料線；一提供在由該 線和該資料線之交點所界定出來的一晝素區内並且在 素區中包含至少兩個具有不同高度的部分之晝素電極 及一提供在由該閘極線和該資料線之交點所界定出來 晝素區内並且與該閘極線、該資料線和該晝素電極連 薄膜電晶體。 較佳者該薄膜電晶體陣列面板更包含一將該閘極 該資料線絕緣的閘極絕緣層，以及一將該資料線與該 電極絕緣的被動層。具有不同高度之該晝素電極的至 個部分之較佳數量是兩個，並且該晝素電極之兩個部 其中一個係位於該被動層或該閘極絕緣層上，而該晝 極之兩個部分的另一個則位於一沒有該閘極絕緣層和 動層的區域上。較佳者，該晝素電極具有複數個斷流 該等斷流器的至少一個配置於一沒有該閘極絕緣層和 面轉 是以 素區 含： 該閘 閘極 該晝 ；以 的一 接之 線與 晝素 少兩 分的 素電 該被 器， 該被 6 200404186 動層的區域上，而其他斷流器則配置於該被動層上。 本發明提供一種液晶顯示器，其包含：一第一絕緣基 材；一形成在該第一絕緣基材上之閘極線；一與該閘極線 相交並與該閘極線絕緣之資料線；一提供在由該閘極線和 該資料線之交點所界定出來的一晝素區内之晝素電極；一 面向該第一絕緣基材之第二絕緣基材；一形成在該第二絕 緣基材上方之共同電極；一插入在該晝素電極和該共同電 極之間的液晶層；一位於該晝素電極内之斷流器；一提供 在該第一和該第二絕緣基材的其中一個上方之第一區域分 割構件；以及一提供在該第一和該第二絕緣基材的其中一 個上方並且協同該第一區域分割構件將該晝素區分割為複 數個區域之第二區域分割構件，其中該晝素區内之複數個 區域根據該液晶層的厚度而分成至少兩種型式。 較佳者，該第一區域分割構件包含一個該晝素電極之 斷流器，並且該第二區域分割構件包含一個該晝素電極之 斷流器。根據本發明之實施例，該晝素區中之複數個區域 根據電壓應用時該液晶層内的液晶分子之傾斜方向而分成 四組，並且根據電壓應用時該液晶層内的液晶分子之傾斜 方向所分成之四組的每一個都包含所有的根據該液晶層的 厚度所分成之至少兩種型式的區域。該液晶顯示器更包含 一將該閘極線與該資料線絕緣的閘極絕緣層，以及一將該 資料線與該晝素電極絕緣的被動層。根據該液晶層的厚度 所分成之至少兩種型式之較佳數量是兩個，並且該晝素電 極係配置在一具有該被動層或該閘極絕緣層的區域上以及 200404186 沒有該閘極絕緣層和該被動層的另一個區域上。該資 可以包含一非晶矽層、一摻雜的非晶矽層以及一金屬 三層。 本發明提供一種液晶顯示器，其包含：一第一基 複數個提供在該第一基材上之晝素電極；一形成在該 素電極之預定區域上之有機絕緣層；一配置在該第一 上並且以一預定縫隙（gap)與該第一基材隔開的第二基 形成在該第二基材下方之一黑色矩陣（black matrix) 彩色濾光片以及一共同電極；以及一插入在該第一和 二基材之間的液晶層。 在一具有該有機層之區域上之該液晶層内所包含 晶分子的主軸傾斜角度與在一不具有該有機絕緣層之 上之該液晶層内所包含之液晶分子的主軸傾斜角度不 該液晶層可能有負的介電異向性。在一具有該有 之區域上之該液晶層内所包含之液晶分子的主軸傾斜 比在一不具有該有機絕緣層之區域上之該液晶層内所 之液晶分子的傾斜角度大。 當位於代表紅色、綠色和藍色之該等晝素電極上 素區域分別被界定為R晝素、G晝素和B晝素時， 含一組R、G和B晝素的區域即被界定為一個點，一 内具有該有機絕緣層的點被界定為一有機絕緣層點， 個其内不具有該有機絕緣層的點則被界定為一非有機 層點，該有機絕緣層點所佔據的面積基本上與該非有 緣層點所佔據的面積相同。 料線 層等 材； 等晝 基材 材； 該第 之液 區域 同。 機層 角度 包含 的晝 一包 個其 而一 絕緣 機絕 8 200404186 當該有機絕緣層點之一 R晝素被界定為一 R有機絕 緣層晝素、該有機絕緣層點之一 G畫素被界定為一 G有 機絕緣層晝素、並且該有機絕緣層點之一 B晝素被界定 為一 B有機絕緣層晝素時，該等R、G和B有機絕緣層 晝素的每一個之約 5 0 %的面積較佳者係被該有機絕緣層 覆蓋。 當位於該等R、和B有機絕緣層晝素的每一個内之具 有不同液晶分子傾斜角度之四組分別被界定為第一、第 二、第三和第四方向R、G和B有機區域時，該第一至該 第四方向 R有機區域所佔據的面積基本上是相同的，該 第一至該第四方向 G有機區域所佔據的面積基本上是相 同的，並且該第一至該第四方向 B有機區域所佔據的面 積基本上是相同的。 該第一方向 R有機區域、該第一方向 G有機區域和 該第一方向 B有機區域所佔據的面積基本上是相同的， 該第二方向 R有機區域、該第二方向 G有機區域和該第 二方向 B有機區域所佔據的面積基本上是相同的，該第 三方向R有機區域、該第三方向G有機區域和該第三方 向 B有機區域所佔據的面積基本上是相同的，該第四方 向R有機區域、該第四方向G有機區域和該第四方向B 有機區域所佔據的面積基本上可能是相同的。 該等有機絕緣層點和該等非有機絕緣層點可以沿著一 橫方向交互配置。 或者，該等有機絕緣層點和該等非有機絕緣層點係沿 9 200404186 著一縱方向交互配置。 該等非有機絕緣層點在四個方向上皆可能與該等有機 絕緣層點相鄰。 該有機絕緣層可以被提供在該等有機絕緣層點的其中 一個内之該等R、G和B有機區域之中的相同的方向有機 區域處。 該有機絕緣層可以被提供在該尊R和B有機絕緣層 晝素之該第一至該第四方向有機區域的其中兩個處，以及 該 G有機絕緣層晝素之該第一至第四方向有機區域的另 兩個處。 較佳者該有機絕緣層的厚度係等於或小於3微米，並 且該有機絕緣層的介電常數範圍是1.5至7.5。 【實施方式】 本發明之實施例將會參考伴隨的圖式來詳細敘述以使 熟知技藝者能夠輕易地實施。但是本發明能夠以許多不同 的方式來實施，並且不應該理解為受限於在此所提出的該 等實施例。 在圖式中，該等層和區域的厚度係經誇大以求清楚。 相同的標號始終表示相同的元件。可以暸解的是當一元 件，例如一個層、薄膜、區域、基材或面板被表示為位於 另一個元件『上』時，其可以是直接位於其他元件上方或 者也可能存在有介於其間的元件。相反地，當一元件被表 示為『直接』位於另一個元件『上』時，此時就沒有介於 10 200404186 其間 電晶 TFT 例之 根據 係第 介於 的液 上， 形成 和氧 斷流 位置 與將 與傳 數個 啟或 對一 料形 的元件存在。 那麼’根據本發明之實施例的用於液晶顯示器之薄膜 體陣列面板會參考圖式來描述。 第1圖係根據本發明之第一實施例之一用於LCD的 陣列面板的佈局圖，第2圖係根據本發明之第一實施 一用於LCD的彩色濾光片面板的佈局圖，第3圖係 本發明之第一實施例之一 LCD的佈局圖，而第4圖 3圖所示之該LCD沿著IV - vi，線所取得之剖面圖。 一 LCD包含一下面板、一與其相對的上面板以及一 該兩面板之間並包含與該等面板垂直排列的液晶分子 晶層3。 該下面板的結構將被描述。 複數個畫素電極190形成在該下基材n〇之内表面 忒下基材1 1 0較佳者係由例如玻璃之透明絕緣材料所 。該等晝素電極190較佳者係由例如氧化銦錫（IT〇) 化銦鋅（ΙΖΟ)之透明傳導材料所形成，並具有複數個 益191、192和193。該等晝素電極的表面依據所在 而具有較高部分和較低部分。該等畫素電極丨9〇各自 被應用以影像訊號電壓之該等TFT連接。該等tft 送掃目田§fL號之複數個閘極線丨2丨和傳送影像訊號之複 二料線1 7 1連接’其根據對該等掃目苗訊號的反應而開 關閉。一下偏光板丨2附於該下基材1丨〇之外表面上。 反射性LCD來說’該等晝素電極19〇並非由透明材 成並且該下偏光板是不必要的。 200404186 色的 鋅之 由例 面上 電極 其可 重疊 下絕 數個 等閘 向延 上° 數對 133c 個或 储存 較佳 個層 其包 該上面板的結構將被描述。 一用來阻斷漏光的黑色矩陣220，複數個紅、綠和藍 彩色遽光片2 3 0以及較佳者由例如氧化銦鍚和氧化鋼 透明傳導材料所形成之一共同電極2 70形成在較佳者 如玻璃之透明絕緣材料所形成之該上基材2 1 〇的内表 。複數個斷流器271、272和273係經提供於該共同 270上。雖然該黑色矩陣220與畫素區的邊界重疊， 更與該共同電極270之該等斷流器271、272和273 以阻斷由該等斷流器271、272和273所產生的漏光。 根據該第一實施例之一 LCD將更詳細地被描述。 基本上以橫向延伸的複數個閘極線1 2 1係經形成在— 緣基材11 〇上。每一個閘極線12 1的多重擴展形成複 閘極電極1 2 3 ’並且複數個閘極墊1 2 5係經形成在該 極線1 2 1之一端。基本上與該等閘極線丨2 1呈平行方 伸之複數個儲存電極線1 3 1也形成在該絕緣基材1 i 〇 從每一個儲存電極線1 3 1分支出去之以縱向延伸的複 儲存電極1 3 3 a和13 3 b係經由一橫向延伸的儲存電極 來彼此連接。該等儲存電極線1 3 i的數量可以是兩 更多個。該等閘極線12 1、該等閘極電極12 3、該等 電極線131和該等儲存電極133a、133b、133c和133d 者係由例如鋁或鉻的金屬所形成。其包含若不是單一 就是較佳者包含依序沈積的鉻和鋁層之雙層。或者， 含多種金屬。 一較佳者由氮化矽（SiNx)所形成之閘極絕緣層14〇係 12 200404186 經形成在該等閘極線1 2 1、該等儲存電極線丨3 1和該等儲 存電極 133a、133b、133c 和 133d 上。 以縱向延伸之複數個資料線1 7 1係經形成在該閘極絕 緣層140上。每一個資料線171的複數個分支形成複數個 源極電極1 7 3，並且複數個汲極電極i 7 5在個別的源極電 極1 7 3鄰近處形成。複數個資料墊1 7 9係經形成在該等資 料線171之一端。此外，與該等閘極線i 2丨重疊之複數個 橋下（under-bridge)金屬片172係經形成在該閘極絕緣層 1 4 0上。該等資料線丄7丨、該等源極電極1 7 3、該等沒極 電極175和該等資料墊179較佳者係與該閘極線路一般由 鉻或紹所形成。其也可能具有一單層結構或一多層結構。 用來做為TFT之通道部分的非晶矽層1 5 1和丨5 4之 複數個通道部分丨54係經形成在該等源極電極1 73和該等 汲極電極175下方，此外以縱向延伸並與該等非晶矽通道 部分1 54連接的非晶矽層i 5丨和！ 54的複數個資料部分1 5 i 係經形成在該等資料線171下方。一用來降低該等源極和 該等沒極電極1 73和1 75以及該等非晶矽通道部分丨54之 間的接觸電阻之接觸層1 6 1和1 69係經形成在該非晶矽層 151和154上。該接觸層161和；t69較佳者係由以N型摻 質重度摻雜之非晶矽形成。 一較佳者由例如氮化矽（SiNx)之無機絕緣體或例如樹 脂之有機絕緣體所形成之被動層1 80係經形成在該等資料 線1 7 1及諸如此類者上方。暴露出該等汲極電極1 7 5的複 數個接觸孔181係經提供在該被動層18〇内。該被動層18〇 13 200404186 和該閘極絕緣層14〇皆具有無薄膜區186,其係被 構成一晝素電極190在區域之間的高度差別。該等 區1 8 6係以虛線表示，如在第i和3圖中所示者， 蓋住位於一晝素電極19〇之第一斷流器191和第三 193兩侧的四個區域。第4圖示出提供有表示為A 和D之無薄膜區ία的區域。 複數個晝素電極丨9 0，每一個都具有複數個 1 9 1、1 9 2和1 9 3，係經形成在該被動層i 8 〇上。該 電極1 90較佳者係由例如氧化銦錫或氧化銦鋅的透 或一例如鋁之具有絕佳的光反射特性之不透明導體 位於母一個晝素電極1 9 0上之該等斷流器1 9 1、1 9 2 皆包含一橫向延伸並且位在一個能夠將該晝素電極 割成為縱向排列之上半部和下半部的位置之橫向 1 9 2，以及呈傾斜方向延伸並且分別位於該畫素電 之該下半部和該上半部内之兩個傾斜的斷流器 193。該等傾斜的斷流器191和193的延伸部分係 直以便規律地將該邊際電場的電場方向分佈成為 向。該晝素電極因為該等無薄膜區186的緣故而具 部分（位於該等無薄膜區186内）和較高部分（位於 層1 8 0上）。 此外’複數個储存連接或橋91，其將該儲存電； 和關於該等閘極線121來說與該儲存電極l33a相 等儲存電極線1 3 1連接，係經形成在該被動層j 8 〇 等儲存橋（storage bridge)91經由提供在該被動層 提供以 無薄膜 並且覆 斷流器 、B、C 斷流器 等晝素 明導體 形成。 和193 190分 斷流器 極 190 1 9 1和 彼此垂 四個方 有較低 該被動 極 1 3 3 a 對的該 上。該 1 8 0和 14 200404186 該閘極絕緣， 觸該等儲存 橋91與該筹 在該下基材 需要的話， 線1 7 1的缺 修補而照射 存橋91之間 複數個 成在該被動 層1 8 0和該 墊1 2 5連接 180處之一 ^ 一用來 2 1 〇上。複 形成在該黑 和 273 的# 上。該共同 之透明導體 該共同 該晝素電極 鄰接的斷流 272 或 273 和193平行 層 Ϊ40兩去允 考内之複數個接觸孔丨8 3和丨8 4來接 電極 1 3 3 a和兮望抑+‘ 和該4儲存電極線i 3 i。該等健存 *橋下金屬g 屬片172重疊。該等儲存橋91與所有 110上夕处a 1 铸存線路電氣連接。此儲存線路，若 可以用來修補該等閘極線ί 2 1及/或該等資料 $，而該橋下金屬片172的功用係在為了此種 田射光束時用來加強該等閘極線1 2 1和該等儲 丨的電氣連接。 输助閑極塾95和複數個辅助資料墊97係經形 層上。該輔助閘極墊95透過一提供在該被動 問極絕緣層1 40兩者處的接觸孔1 8 2與該閘極 ’而该辅助資料墊97則透過提供在該被動層 〖妾觸孔與該資料塾1 7 9連接。 阻斷漏光的黑色矩陣220係經形成在一上基材 數個紅色、綠色和藍色的彩色濾光片2 3 0係經 色矩陣220上。一具有複數組斷流器271、272 I同電極270係經形成在該等彩色濾光片230 電極270較佳者係由例如氧化銦錫或氧化銦鋅 形成。 電極2 7 0的每一組斷流器2 7 i、2 7 2和2 7 3使 1 9 0之該等傾斜的斷流器1 9丨和丨9 3介於兩個 器27 1、272和273之間。每一個斷流器271、 皆包含一傾斜部分或與該等傾斜的斷流器1 9 1 的部分’以及與該等晝素電極丨9 〇的邊緣重疊 15 200404186 的橫向和縱向部分。 根據本發明之一 LCD的基本結構係經由排列並 具有上述配置之該TFT陣列面板和該彩色濾光片面 並將液晶材料注入其間使其垂直排列來製備。當該 陣列面板和該彩色濾光片面板經過排列後，該等晝素 190之該等斷流器191、192和193和該共同電極271 和 2 73之該等斷流器將個別的晝素區分割成幾個小 域。該等區域是長形的以使其寬度和長度可以區分出 這些小區域根據應用電場時位於其中的液晶分子主軸 均方向而分成四種型式。第4圖所示之A和A，；B和 C和C ’ ；以及D和D ’分別為相同型式。相同型式的 域根據其單元縫隙再一次被分類。區域A、B、C和 有較大的單元縫隙，而 A，、B，、C ’和D ’具有較小的 縫隙。較佳者具有較大的單元縫隙之該等區域和具有 的單元縫隙之該等區域具有相等的平面積。但是，該 性在為了促進特定視角的可見度時可以免除。 如上所述，具有不同單元縫隙之相同型式的該等 具有不同的電場分配和不同的延遲（retardation)，因 補了亮度而改善側面的可見度。 現在，製造根據本發明之實施例之一用於LCD之 陣列面板的方法，其提供上述結構與功用，將被描述 第5至9圖係依序示出一種製造根據本發明之第 施例之一用於LCD之TFT陣列面板的方法之剖面圖 如在第5圖中所示者，較佳者由鉻或鉬合金所形 結合 板， TFT 電極 、272 的區 來。 之平 B’ ； 小區 D具 單元 較小 相等 區域 此彌 TFT 〇 一實 0 成之 16 200404186 具有絕佳的物理和化學特性之第一閘極線路層2 11、^、 251以及較佳者由鋁或銀合金所形成之具有低電阻之第二 問極線路層212、232和252係經沈積在一基材u〇上並 且圖案化以形成一包含複數個閘極線121、複數個閘極電 極123和複數個間極塾125並且基本上以橫向延伸之間極 線路。此時，雖然未示^，但—儲存電極線路也被形 一光罩）。

鉬合金之第一閘極線路層211、23 1和251以及銀合 金之第二閑極線路層212、232和252兩者都以用於鋁合 金之蝕刻劑來蝕刻，例如磷酸、硝酸、醋酸和去離子水的 奶&物。因此’包含兩個層之該閘極線路1 2 1、12 3和12 5 的形成係利用一單蝕刻製成來完成。因為該磷酸、硝酸、 酉曰&L和去離子水的混合物對鋁合金的钱刻率比對鉬合金的 餘刻率高，故可以得到該閘極線路所需要的3〇度的錐形 角度（taper angle)。

接著’如在第6圖中所示者，依序沈積一較佳者由氮 化石夕（SiNx)所形成之閘極絕緣層140、一非晶矽層和一摻 雜的非晶矽層等三層，並且該非晶矽層和該摻雜的非晶石夕 層係一起被光蝕刻以在該閘極絕緣層i 4 〇上相對於該等閘 極電極123(第二光罩）處形成非晶矽層154和159以及歐 姆接觸層160和169。 其後’如在第7圖中所示者，較佳者由鉻或鉬合金所 形成之第一資料線路層7 11、73 1、75 1和79 1和較佳者由 銘或銀合金所形成之第二資料線路層712、732、752和792 17 200404186 經沈積並光蝕刻以形成一資料線路。該資料線路包含與該 閘極線1 2 1相交之複數個資料線1 7 1、與該等資料線1 7 1 連接並且延伸至該等閘極電極 1 2 1上之複數個源極電極 173、與該等資料線171的一端連接之複數個資料墊179 以及與該等源極電極 1 7 3 分開並且關於該等閘極電極 1 2 1 (第三光罩）來說與該等源極電極 1 7 3相對之複數個汲 極電極1 7 5。

之後，沒有被該資料線路1 7 1、1 7 3、1 7 5和1 7 9所覆 蓋的該摻雜的非晶矽層圖案1 60部分被蝕刻以使該摻雜的 非晶矽層圖案1 6 0分成兩個關於該等閘極電極1 2 3來說彼 此相對的部分1 6 3和1 6 5，以便暴露出介於該摻雜的非晶 矽層的兩個部分1 6 3和1 6 5間之該非晶矽圖案1 5 4部分。 氧氣電漿處理較佳者被執行以穩定該非晶矽層1 54之暴露 的表面。

接著，如第8圖所示者，一被動層1 8 0經由利用化學 氣相沈積（“CVD”）法、利用沈積一例如氮化矽（SiNx)之無 機絕緣薄膜、或利用塗覆一例如丙烯基（aery 1-based)材料 之有機絕緣薄膜來形成一 a矽：碳：氧薄膜或一 a矽：氧： 氟薄膜來形成。該a矽：碳：氧薄膜的沈積係藉由使用氣 態的 SiH(CH3)3、Si02(CH3)4、（SiH)404(CH3)4、Si(C2H50)4 等做為基本來源，並通入一例如氧化二氮（n2o)和氧氣和 氬氣或氦氣之氧化劑的氣體混合物來執行。該a矽：氧： 氟薄膜的沈積係在一氧氣和曱矽烷（SiH4)、四氟化矽（SiF4) 等的氣體混合物氣流中執行。四氟化碳（CF4)可以被添加 18 200404186 來做為一輔助的氟來源。（第二光罩） 該被動層1 8 0與該閘極絕緣層1 4 0 —起利用一光餘刻 製程來圖案化，以形成暴露出該等閘極墊12 5、該等汲極 電極175和該等資料墊179的複數個接觸孔181、182和 1 8 3以及複數個無薄膜區1 8 6。在此，該等接觸孔1 8 1、1 8 2 和183的平面形狀是多邊型或圓形。較佳者暴露出該等墊 1 2 5和1 7 9之每一個接觸孔1 8 1和1 8 3的區域係等於或大 於0.5毫米xl5微米，並且等於或小於2毫米x60微米。 雖然未示出，用來使儲存橋與該等儲存電極線以及儲存電 極接觸的複數個接觸孔也在此步驟中形成（第四光罩）。 最後，如在第9圖中所示者，一氧化銦錫層或一氧化 銦鋅層被沈積並且被光蝕刻出複數個晝素電極1 90、複數 個輔助閘極墊9 5以及複數個辅助資料墊9 7。每一個晝素 電極1 9 0係經由該第一接觸孔1 8 1與該汲極電極1 7 5連 接，並且該輔助閘極墊95和該輔助資料塾97的每一個係 經由該第二和該第三接觸孔1 8 2和1 8 3與該閘極墊9 5和 該資料墊9 7連接。一利用氮氣的預熱製程較佳者在沈積 氧化銦錫或氧化銦鋅之前就執行。為了防止金屬氧化物經 由該等接觸孔181、182和183形成在該等金屬層之暴露 出的部分上，這是有必要的。雖然未示出，複數個儲存橋 也在此步驟中形成，並且一光罩被設計得使該等晝素電極 1 9 〇的斷流器關於該等資料線1 7 1來說具有一反轉對稱（第 五光罩）。 根據本發明的實施例之一 TFT陣列面板可以利用四 19 200404186 個光罩來製造。一利用四個光罩製造的 TFT陣列面板和 其製造方法將被描述。 首先，先考慮利用四個光罩來製造的一 TFT陣列面 板的結構。 第1 0圖係根據本發明之第二實施例之一用於LCD的 TFT陣列面板之佈局圖，第11圖係第1〇圖所示之該TFT 陣列面板沿著X I a - X I a’、 X I a’ - X I a’ ’和χ I a - X I a，，，線所取得之剖面圖，而第1 2圖係第1 〇圖所 示之該T F T陣列面板沿著X I b - X I b ’線所取得之剖面 圖。 基本上以橫向延伸之複數個閘極線1 2 1係經形成在一 絕緣基材1 1 〇上。每一個閘極線1 2 1的多重擴展形成複數 個閘極電極1 2 3，並且複數個閘極墊1 2 5係經形成在該等 閘極線121之^一端。基本上與該等閘極線121呈平行方向 延伸之複數個儲存電極線1 3 1也形成在該絕緣基材 u 〇 上。從每一個儲存電極線1 3 1分支出去之以縱向延伸的複 數對儲存電極133a和133b係經由一橫向延伸的儲存電極 133c來彼此連接。該等儲存電極線131的數量可以是兩 個或更多個。該等閘極線i 2 1、該等閘極電極i 2 3、該等 儲存電極線1 3 1和 較佳者係由例如紹 依序沈積的鉻和銘 者，該閘極線路和 層結構。 該等儲存電極133a、 或鉻的金屬所形成。 層之雙層。或者，其 該儲存線路具有若不 133b、 133c 和 133d 其包含較佳者含有 包含多種金屬。或 是單層結構就是三 20 200404186 一較佳者由氮化矽（SiNj所形成之閘極絕緣層ι4〇係 經形成在該等閘極線121、該等儲存電極線131和該等儲 存電極 133a、133b、133c 和 133d 上。 以縱向延伸之複數個資料線i 7丨係經形成在該閘極絕 緣層1 40上。每一個資料線丨7丨的複數個分支形成複數個 源極電極1 7 3 ’並且複數個沒極電極1 7 5在個別的源極電 極1 7 3鄰近處形成。複數個資料塾1 7 9係經形成在該等資 料線1 7 1之一端。此外，與該等閘極線1 2 1重疊之複數個 橋下（under-bridge)金屬片172係經形成在該閘極絕緣層 140上。該等資料線171、該等源極電極173、該等汲極 電極1 75和該等資料墊1 79係與該閘極線路一般具有一包 含鉻層731、751和791以及鋁層732、752和7 92之雙層 結構。其也可能具有一單層結構或一多層結構。 用來做為TFT的通道部分之非晶矽層15 i和154之 複數個通道部分1 54係經形成在該等源極電極173和該等 汲極電極1 7 5下方，此外以縱向延伸並與該等非晶石夕通道 部分154連接的非晶矽層151和154的複數個資料部分i5l 係經形成在該等資料線1 7 1下方。一用來降低該等源極和 該專沒極電極173和175以及該等非晶石夕通道部分154之 間的接觸電阻之接觸層163、165和169係經形成在該非 晶矽層1 5 1和1 5 4上。該接觸層1 6 1、1 6 5和1 6 9較佳者 係由以N型摻質重度摻雜之非晶矽形成。接觸層1 6丨、i 65 和169基本上具有與該資料線路171、173、175和179相 同的形狀，而非晶矽層154和151與該資料線路m和179 21 200404186 具有相同的形狀’除了該等通道部分1 5 4之外。換句話說， §貝料線路包含一金屬層、一接觸層和一非晶石夕層。 較佳者由例如氮化矽（siNj之無機絕緣體或例如樹 月曰之有機絕緣體所形成之被動層丨8 〇係經形成在該等資料 線1 7 1及諸如此類者上方。暴露出該等汲極電極175的複 數個接觸孔1 8 1係經提供在該被動層1 8 0内。該被動層1 8 0 和該閉極絕緣層1 4〇皆具有無薄膜區1 8 6，其係被提供以 構成一晝素電極i 9〇在區域之間的高度差別。該等無薄膜 區1 8 6係以虛線表示，如在第1 〇圖中所示者，並且覆蓋 住位於晝素電極19 0之第一斷流器191和第三斷流器 193兩側的四個區域。 複數個晝素電極丨9 〇，每一個都具有複數個斷流器 192和193’係經形成在該被動層18〇上。該等晝素 電極1 90較佳者係由例如氧化銦錫或氧化錮鋅的透明導體 或一例如鋁之具有絕佳的光反射特性之不透明導體形成。 位於每一個畫素電極190上之該等斷流器191、192和193 皆包含一橫向延伸並且位在一個能夠將該晝素電極19〇分 割成為縱向排狀上半部和下半部的位置之橫向斷流器 192,以及呈傾斜方向延伸並且分別位於該晝素電極19〇 之該下半部和該上半部内之兩個傾斜的斷流器191和 Β3。該等傾斜的斷流器191和193的延伸部分係彼此垂 直以便規律地將該邊際電場的電場方向分佈成為四個方 向該畫素電極因為該等無薄膜區186的緣故而具有較低 部分（位於該等無薄膜區186内）和較高部分（位於該被動 22 200404186 層1 8 〇上）。 此外，複數個儲存連接或橋91，其將該儲存電極 和關於該等閘極線121來說與該儲存電極U3a相對的該3 等儲存電極線131連接，係經形成在該被動層18〇上。= 等儲存橋（storage bridge)91經由提供在該被動層18〇 = 該閘極絕緣層140兩者内之複數個接觸孔183和184來接 觸該等儲存電極133a和該等儲存電極線131。該等儲存 橋91與該等橋下金屬片172重疊。該等儲存橋91與所= 在該下基材1 1 0上之儲存線路電氣連接。此儲存線路，若 需要的話，可以用來修補該等閘極線121及/或該等資料 線171的缺陷，而該橋下金屬片172的功用係在為了此種 修補而照射雷射光束時用來加強該等閘極線12丨和該等儲 存橋91之間的電氣連接。 複數個辅助閘極墊95和複數個輔助資料墊97係經形 成在該被動層上。該輔助閘極墊95透過一提供在該被動 層1 8 0和該閘極絕緣層丨4 〇兩者處的接觸孔丨8 2與該閘極 塾125連接’而該輔助資料墊97則透過提供在該被動層 1 8 0處之一接觸孔與該資料墊1 7 9連接。 根據本發明的第二實施例之一用於LCD的彩色濾光 片面板基本上與該第一實施例所示者具有相同的形狀。因 此’一具有在第4圖中所示的剖面之LCD係藉由組合參 考第10、Ua和11b圖所述的TFT陣列面板以及一彩色 濾、光片面板來製得^ 第1 2A至1 8B係依序示出根據本發明之第二實施例 23 200404186 之一用於LCD的TFT陣列面板之製造方法的步驟之剖面 圖。 首先，如在第12A和12B圖中所示者，較佳者由鉻 或鉬合金所形成之具有絕佳的物理和化學特性之第一閘極 線路層2 3 1、2 5 1和3 3 1 c以及較佳者由鋁或銀合金所形成 之具有低電阻之第二閘極線路層232、252和3 32c係經沈 積在一基材11 0上並且圖案化以形成一包含複數個閘極線 1 2 1、複數個閘極電極1 2 3和複數個閘極墊1 2 5之閘極線 路以及儲存電極線路131、133a、133b、133c、和133d(第 一光罩）。 接著，如在第13A和13B圖中所示者，一氮化矽（SiNx) 閘極絕緣層1 40、一非晶矽層1 50、以及一接觸層丨60利 用CVD法來依序沈積，使得該等層30、40和50分別具 有15 00〜5000埃、500〜2000埃以及300〜600埃的厚度。 一較佳者由鉻或鉬合金所形成之第一傳導薄膜7 0 1以及一 較佳者由鋁或銀合金所形成之第二傳導薄膜702利用濺鍍 法來沈積以形成一傳導層1 7 0。之後，一厚度為1 一2微 米的光阻薄膜光阻PR(光阻）被塗覆在其上。 隨後，該光阻薄膜PR透過一光罩暴露在光線下，並 且顯影以形成一光阻圖案PR2和PR1，如在第14A和14B 圖中所示者。該光阻圖案PR2和PR1的第二部分pR2， 其位於介於源極和汲極電極i 73和i 7 5之間的TFT之通 道區C上’係經建立使具有比位於形成該資料線路之資 料區A上之該等第一部份pR 1小的厚度。位於剩下的區 24 200404186 域B上的該光阻薄膜部分被去除。位於該等通道區C上 之該等第二部份PR2和位於該等資料區A上之該等第一 部份PR 1的厚度比係根據將在稍後敘述之蝕刻步驟的蝕 刻條件來調整。較佳者該等第二部分PR2的厚度係等於 或小於該等第一部份PR 1之厚度的一半，更明確地說， 等於或小於4000埃（第二光罩）。 該光阻薄膜之取決於位置的厚度係由幾個技術來製 得。為了調整該等區域C之光線暴露量，一狹縫圖案、 一格子圖案或半透明薄膜被提供在一光罩上。 當使用一狹縫圖案時，較佳者位於該等狹縫之間的該 等部分的寬度或該等部分之間的距離，也就是說，該等狹 縫的寬度比微影法所用之曝光機的解析度小。在使用半透 明薄膜的情況下，具有不同透射比或具有不同厚度的薄膜 可以被用來調整該光罩的透射比。 當該光阻薄膜透過這樣一個光罩來照光時，直接暴露 在光線下的部分之聚合物幾乎完全分解，並且面向該狹縫 圖案或該等半透明薄膜的那些部分沒有完全分解，因為小 量的暴光量的緣故。被光阻斷薄膜所遮蔽住的部分之聚合 物幾乎沒有分解。該光阻薄膜的顯影使具有沒有被分解之 聚合物的部分留下來，並且使暴露於較少量放射光的該等 部分變得比沒有受到曝光的該等部分薄。在此，務需使曝 光時間不至於長到分解所有的分子。 該光阻圖案的較薄部分PR2可以經由執行一回流製 程（reflow process)來製得，其將一可回流的光阻薄膜流入 25 200404186 曝光之後沒有光阻薄膜的區域内並將該光阻薄膜 用具有完全透光的透光區和完全阻斷光線的阻斷 光罩。 之後，蝕刻該光阻圖案 PR2和下方的層， 層 1 7 0、該接觸層 1 6 0和該非晶矽層 1 5 0，以使 路和下方的層餘留在該等資料區 A上，只有該 餘留在該等通道區C上，並且所有的170、160 層皆從該剩下的區域B去除以暴露出該閘極絕緣 如在第15A和 15B圖中所示者，位於該等1 之暴露出的該傳導層170部分被去除以暴露出下 層1 6 0部分。在此步驟中，乾钱刻和濕餘刻兩者 地使用，並且較佳者在該傳導層1 7 0被選擇性蝕 光阻圖案PR1和PR2幾乎沒有被蝕刻的情況下 是，一個能夠蝕刻光阻圖案PR1和PR2以及該傳 的蝕刻條件是適於乾蝕刻的，因為要找到只選擇 傳導層170同時不蝕刻光阻圖案PR1和PR2的 困難的。在此情況下，該第二部分PR2的厚度 所用的厚度相比應該要相對厚以防止經由蝕刻而 方的傳導層170。 結果，如在第15A和 15B圖中所示者，位 道區C和該等資料區A上之該傳導層部分1 7 1、 和179，以及橋下金屬圖案172被餘留下來，而 的區域B上的該傳導層1 7 0部分被去除以暴露 該接觸層150部分。該等餘留的導體圖案171、 顯影，利 區的一般 即該傳導 一資料線 非晶矽層 和 1 5 0三 層 1 4 0 〇 i域B上 方的接觸 被選擇性 刻同時該 執行。但 導層170 性蝕刻該 條件是很 與濕蝕刻 暴露出下 於該等通 173 、 175 位於剩下 出下方的 173 、 175 26 200404186 和1 79基本上具有與該等資料線路1 7 1、 相同的形狀，除了該等源極和該等汲極電 然連接而沒有分開之外。當使用乾蝕刻時， 和PR2也被餘刻至一預定的厚度。 接著，如在第 16A和 16B圖中所示 域B上的該接觸層 15 0之暴露出的部分 非晶矽層 1 5 0的部分藉由乾蝕刻與該第 一起被同步去除。該蝕刻較佳者係在同步 PR1和PR2、該接觸層 150和該非晶矽層 刻該閘極絕緣層 1 4 0的情況下進行。（需 矽層和該中間層不具有蝕刻選擇性）更明 圖案PR1和PR2以及該非晶矽層 150的 彼此相等。例如，該薄膜和該層基本上利用 和氣化氫的氣體混合物或一六氟化硫和氧 來蝕刻至相同的厚度。對於具有相同蝕刻 PR1和PR2以及該非晶矽層 150來說， 的厚度較佳者係等於或小於該非晶石夕層 1 5 0的總厚度。 以此方式，如在第16A和 16B中所 通道區 C上之該第二部分被去除以暴露 導體圖案173和175，並且位於該等區域 1 5 0和該非晶矽層1 5 0部分被去除以暴露 極絕緣層 14 0部分。同時，位於該等資》 一部份也經蝕刻以減少厚度。在此步驟中 173 、 175 和 179 極173和175仍 該光阻圖案PR1 者，位於該等區 以及其下方的該 二光阻部分 PR2 蝕刻該光阻圖案 1 5 0，同時不蝕 注意的是該非晶 確地說，該光阻 蝕刻比較佳者係 一六氟化硫（sf6) 氣的氣體混合物 比之該光阻圖案 該第二部分PR2 1 5 0和該接觸層 示者，位於該等 出該源極/汲極 B上之該接觸層 出其下方的該閘 畔區 A上之該第 ，完成了 一非晶 27 200404186 矽圖案151、153和157的形成。一接觸層161、163和165 以及1 6 9被形成在該非晶矽圖案1 5 1、1 5 3和1 5 7上。 位於該等通道區 C上之餘留在該源極/汲極導體圖 案1 73和1 75表面上的殘留光阻然後利用灰化法來去除。

之後，如在第17 A和17B圖中所示者，蝕刻位於該 等通道區 C上之暴露出的該源極/汲極導體圖案部分和 其下方之該源極/汲極接觸層圖案部分以將其去除。可以 在該源極/汲極導體圖案以及該源極/汲極接觸層圖案兩 者上應用乾蝕刻。或者，在該源極/汲極導體圖案上應用 濕蝕刻而在該源極/汲極接觸層圖案上應用乾蝕刻。在第 一個情況中，較佳者該導體圖案和該接觸層圖案係在大的 蝕刻選擇性下蝕刻，因為若蝕刻選擇性不大的話，將會很 不容易找到蝕刻終點，因而難以調整餘留在該等通道區C 上之該非晶矽圖案的厚度。在執行乾蝕刻和濕蝕刻的第二 個情況中，經受濕蝕刻之該源極/汲極導體圖案的側邊被 蝕刻，而經受乾蝕刻的那些接觸層圖案則幾乎沒有被蝕 刻，因此得到階梯式的側邊。用來蝕刻該導體圖案和該接 觸層 1 63和 1 65的蝕刻氣體的例子係一四氟化碳（CF4)和 氣化氫的氣體混合物以及一四氯化碳和氧氣的氣體混合 物。四氯化碳和氧氣的氣體混合物使該非晶矽圖案1 5 4有 一致的厚度。此時，該非晶矽圖案的頂部可以被去除以使 厚度降低，並且蝕刻該光阻圖案之該等第一部份PR1至 一預定厚度。蝕刻係在該閘極絕緣層1 4 0幾乎沒有被蝕刻 的情況下執行，並且較佳者該光阻薄膜的厚度足以防止該 28 200404186 第一部份PR1被蝕刻而暴露出其下方的資料線路Hi、 173、175和.1 乂及其下方的儲存電容器電極177。 以此方式I等源極和該等汲極電極1 7 3和1 7 5被彼 此分離，同時完成了該資料線路171、173、175和179以 及該下方的接觸層圖案161、163和165的形成。 最後，去除餘留在該等資料區A上之該等第一部份 PR1。但是，去除該等第一部份PR1的製程可以在去除位 於該等通道G C上之該源極/沒極導體圖案I?]和175 部分以及女除下方之該接觸層圖案1 63和1 65部分之間進 行。 如上所述者，乾蝕刻和濕蝕刻係被交互執行或僅只使 用乾蝕刻。雖然後者只使用一種蝕刻型式之製程是相對簡 單的，但是卻很難找到恰當的蝕刻條件。相反地，前者的 製程可以找到適當的餘刻條件，但是製程本身卻頗複雜。 接著，如在第17A和17B圖中所示者，一被動層ι8〇 經由利用化學氣相沈積（“CVD”）法、利用沈積一例如氮化 石夕（SiNx)之無機絕緣薄膜、或利用塗覆一例如丙烯基 (acryl-based)材料之有機絕緣薄膜來形成一 a矽：碳：氧 薄膜或一 a矽：氧：氟薄膜來形成。該&矽：碳：氧薄膜 的沈積係藉由使用氣態的SiH(CH3)3、Si02(CH3)4、 (SiH)4〇4(CH山、Si(C2H50)4等做為基本來源，並通入一 例如氧化一氮（Κο)和氧氣和氬氣或氦氣之氧化劑的氣體 混合物來執行。該a矽：氧：氟薄骐的沈積係在一氧氣和 曱矽烷（SlH4)、四氟化矽（SiFJ等的氣體混合物氣流中執 29 200404186 行。四氟化碳（CF4)可以被添加來做為一辅助的氟來源。 隨後’如在第18A和18B圖中所示者，該被動層18〇 與該閘極絕緣層1 40 —起被光蝕刻以形成暴露出該等汲極 電極175、該等閘極墊125和該等資料墊179的複數個接 觸孔181、182、183和184以及該等儲存電容器電極177 以及暴露出該面板1丨〇之複數個無薄膜區i 8 6。較佳者暴 露出該等墊125和179之每一個接觸孔181和183的區域 係等於或大於0 · 5毫米x丨5微米，並且等於或小於2毫米 x60微米。雖然未示出，用來使儲存橋與該等儲存電極線 以及該等儲存電極接觸的複數個接觸孔也在此步驟中形成 (第三光罩）。 最後，如在第18A和18B圖中所示者，一氧化銦錫 層或一氧化銦鋅層被沈積並且被光蝕刻出複數個晝素電極 1 9 0、複數個辅助閘極墊9 5以及複數個輔助資料墊9 7。 母一個晝素電極1 9 0係與該沒極電極1 7 5和該储存電容器 電極1 7 7連接’並且該輔助閘極塾9 5和該輔助資料墊9 7 的每一個係與該閘極墊95和該資料墊97連接。雖然未示 出，複數個儲存橋也在此步驟中形成（第四光罩）。 因為由氧化銦鋅所形成之該等晝素電極19〇、該等辅 助閘極墊95和該等輔助資料墊97係藉由鉻蝕刻劑的使用 來形成，防止該資料線路或該閘極線路經由該等接觸孔暴 露出的部分在用來形成該等畫素電極1 9 0、該等輔助閘極 墊95和該等輔助資料墊97之光蝕刻步驟期間被腐蝕是可 能的。此種餘刻劑的一個例子是HN〇3 / (NH4)2Ce(N03)6 30 200404186 ^ 車又佳者在介於室溫和約2 0 0 °C的溫度範圍内沈積 氧化銦鋅以最小化該等接觸處的接觸電阻。較佳者一用來 形成氧化銦鋅薄膜的標的（target)包含三氧化二銦（In2〇3) 和乳化鋅（Zn〇)，並且其内所含的氧化鋅量在Η — 29%範 圍内。 一利用氮氣的預熱製程較佳者在沈積氧化銦錫或氧 化姻辞之前就執行。為了防止金屬氧化物經由該等接觸孔 181、182、1 〇 ί ι〇β < 183、184和I85形成在該等金屬層之暴露出 的部分上，這是有必要的。 雖然斷流器在上面的敘述中被例示為用來分割小區域 的構件’但介電突出（Protrusion)也可以被用來做為區域 刀割構件。該等突出係經提供在晝素電極以及一共同電極 上以做為區域分割構件。 第19圖係根據本發明之第三實施例之一 [CD的佈局 圖式’而第20A和20B圖係於第19圖所示之根據本發明 之第二實施例之該LCD沿著XXA - XXA，線所取得之剖面 圖。第20A和20B圖分別示出沒有電場時以及應用電壓 時在—正常的黑色模式（black mode)LCD下之液晶分子的 配置。 如在第20A和20B圖中所示者，一較佳者由例如氧 化麵1锡和氧化銦鋅之透明傳導材料所形成之透明畫素電極 1 9〇係經形成在一第一基材11〇之一表面上。該晝素電極 190具有藉由去除該等畫素電極的某些部分來形成之複數 個斷流器191。一第二基材210面向該第一基材110並且 31 200404186 與該第一基材110分隔開。 一外部黑色矩陣220a和一内部黑色矩陣… 成在該第二基材的内表面上。該外部黑色矩障2係經形 -矩陣形狀以界定出畫素區A’而該内 ：2〇a具有 係位於該晝素區A内並具有一預定的形狀。 複歎個…綠色和藍色的彩色濾光片係 外部和内部黑色矩陣220a和220b上。該來多、y “ 以7巴遽光片2 3 〇 與該内部黑色矩陣220b重疊的部分係經去 、X暴露出該 内部黑色矩陣220b。位於該等色彩間的邊 疼的外部黑 色矩陣2 2 0 a部分係經暴露而沒有被該彩色濾光片 覆蓋。該等彩色渡光片2 3 0的某些部分盘咳外如 1 4和内部黑 色矩陣220a和220b重疊並接觸，而Α他部分 ，、丨丨刀則與該第 基材210直接接觸。 一透明共同電極270係經形成在該外部和内部矩陣 220a和220b以及該等彩色濾光片230之暴露出的部分的 内表面上。該共同電極270被壓低以在該内部矩陣22〇b 上形成凹陷處（recesses)。一有機絕緣層50係經形成在該 共同電極270上並位在一預定的區域内。如在第2〇a和20B 圖中所示者，該有機絕緣層5 0係配置在被該外部黑色矩 陣220a所圍繞之晝素區A之一預定區域b内。該有機絕 緣層50覆蓋提供在該内部黑色矩陣220b上之該等凹陷處 291 〇 具有負的介電質之袓數個液晶分子3係經插入在該第 一基材110和該第二基材210之間。 32 200404186 如在第 20A圖中所示者，當該畫素電極 190和該共 同電極2 7 0之間沒有電壓時，該等液晶分子3被配製成與 該兩個基材1 1 0和2 1 0的表面垂直排列。 如在第 2 0B圖中所示者。當電壓被應用至該晝素電 極190和該共同電極270時，一電場E會產生在該第一 和第二基材1 1 0和2 1 0之間。該電場形成一具有傾斜弧線 的邊際電場，其關於該兩個基材11 0和2 1 0來說並沒有完 全垂直，這是因為於介於該晝素電極190之該等斷流器191 和該内部黑色矩陣 220b之間的重疊處之該共同電極270 的該等凹陷處291的緣故。因為具有負的介電異向性的該 等液晶分子3傾向於與該電場方向垂直排列，他們重新排 列而使其主軸與該兩個基材11 〇和2 1 0的表面呈傾斜。據 此，關於該等斷流器1 91和該等凹陷處291來說位於相反 區域内的該等液晶分子3以相反的方式偏斜，而這補償了 該等相對區域的光學特性而將視角放寬。 此時，假設冷1是在一具有該有機絕緣層 5 0之區域 B内之一液晶分子3的主軸關於該第一基材11 0的傾斜角 度，而/32是在一不具有該有機絕緣層50之區域C内之 一液晶分子3的主軸關於該第一基材11 0的傾斜角度。在 該區域B和C内的、傾斜角度/31和冷2是不同的。 這種現象將會被詳細敘述。 在具有該有機絕緣層5 0的區域B中和不具有該有機 絕緣層50的區域C中，相等電壓所產生的電場強度是不 同的。例如，相等電壓在不具有該有機絕緣層 5 0的區域 33 200404186

C中的電場強度係大於在具有該有機絕緣層 50的區域B 中者。這是因為該電壓被該有機絕緣層 5 0所分割，而使 得具有該有機絕緣薄膜5 0的區域B中遍及整個液晶的電 壓被降低，與不具有該有機絕緣層50的區域C中者相較。 據此，在具有該有機絕緣層5 0的區域B中的液晶分子經 受到相對弱的電場而產生相對小的傾斜角度；而在不具有 該有機絕緣層5 0的區域C中者則經受到相對強的電場而 產生相對大的傾斜角度。因此，在具有該有機絕緣層 50 的區域B中的液晶分子之主軸的傾斜角度/3 1相較於在不 具有該有機絕緣層5 0的區域C中的傾斜角度石2大。

因為具有該有機絕緣層5 0的區域B和不具有該有機 絕緣層5 0的區域C之間的傾斜角度是不同的，透射比曲 線對於應用電壓的函數，即V - T曲線是不同的，如在第 21圖中所示者。據此，在兩個區域B和C内的光學特性 被有效地補償而將視角放寬。較佳者該有機絕緣層 5 0的 介電常數介於1.5至7.5之間，而其厚度係等於或小於3.0 微米。這是因為當該有機絕緣層 5 0的厚度變得大於3 · 0 微米時，透射比會變得不佳。 雖然該等圖式顯示出該有機絕緣層覆蓋兩個區域的其 中一個，該有機絕緣層 5 0可以覆蓋形成一晝素區域之複 數個區域之中的至少一個區域。也就是說，該有機絕緣層 5 0的圖案並不受限於本發明的實施例，而是四個區域晝 素可以具有多種形狀和配置。 $ 第1 9圖示出根據本發明之一實施例之一 LCD的簡單 34 200404186 佈局圖。

如在第19圖中所示者，該共同電極270之該等晝素 斷流器1 9 1和該等凹陷處2 9 1係交互配置的。在此情況下， 因為該共同電極270的該等凹陷處291和該内部黑色矩陣 2 2 0b彼此重疊，故在第1 9圖中他們是無法被區分出來的。 一晝素區A被劃分成具有該有機絕緣層5 0的區域B和不 具有該有機絕緣層5 0的區域C。每一個區域B和C被複 數個區域所分割。該等區域的光學特性係被補償以將視角 放寬。 現在，一種製造一根據本發明之第三實施例的 LCD 的方法將參考第22A至22D圖被詳細敘述。 第22A至22D圖係依序示出根據本發明之第三實施 例之一用於LCD的彩色濾光片面板的剖面圖。 一 LCD 包含一提供有一共同電極的彩色濾光片面 板、一提供有複數個晝素電極的 TFT陣列面板、以及一 介於其間的液晶層。

製造一彩色濾光片面板200的方法包含形成内部和外 部矩陣以及彩色濾光片、形成一共同電極、形成一有機絕 緣層以及圖案化該有機絕緣層的步驟。 如在第 22A圖中所示者，形成内部和外部矩陣和彩 色濾光片的步驟包含形成用來覆蓋該等晝素區的邊界之一 網狀外部矩陣以及一位於該晝素區内的内部黑色矩陣。在 該黑色矩陣220a和220b上塗覆含有染料之光敏性材料並 執行曝光和顯影等步驟係經重複三次以形成紅色、綠色和 35 200404186 藍色的彩色濾光片 230。此時，位於該等晝素區内之該内 部黑色矩陣220b上的該等彩色濾光片23 0部分係經去除 以暴露出該内部黑色矩陣220b的某些部分。 如在第 22B 圖中所示者，形成一共同電極的步驟包 含在該内部和外部黑色矩陣220a和220b以及該等彩色濾 光片230之暴露的部分上沈積一氧化銦錫層或一氧化銦鋅 層以形成該共同電極270。位於該内部黑色矩陣上之該共 同電極2 7 0部分形成凹陷處2 9 1。 隨後，如在第22C圖中所示者，一覆蓋該共同電極270 的有機絕緣層5 0被形成。 接著，如在第22D圖中所示者，該有機絕緣層50的 圖案化僅留下位於一晝素區域的某些區域内之該有機絕緣 層50部分。 根據製造一彩色遽光片面板的方法，位於該第二基材 上之該共同電極2 7 0並沒有斷流器。因此，一用來形成該 等斷流器的光蝕刻製程是不必要的，因而也不需要形成一 用來使該等彩色濾光片免受蝕刻劑侵蝕的緩衝塗層。這簡 化了該方法並且解決了該共同電極270的電阻因為斷流器 而增加的問題。此外，由該等斷流器的頂切或底切所造成 的缺陷也不復存在。 第23圖係根據本發明之第四實施例之一 LCD的佈局 圖式，而第24A和24B圖係於第23圖所示之根據本發明 之第四實施例之該LCD沿著XXIV - XXIV ’線所取得之剖 面圖。第24A和24B圖分別示出沒有電場時以及應用電 36 200404186 壓時在 的配置 在 相同功 如 化銦錫 190係 190具 個斷流 與該第 成在該 一矩陣 係位於 複 外部和 覆蓋該 該外部 片230 和内部 與該第 在該等 係經形 此，與在上面所參考的圖式令相同的 能之相同元件。 在第24Α和24Β圖中所示者，一較 和氧化銦鋅之透明傳導材料所形成之 經形成在一第一基材11〇之一表面上 有藉由去除該等畫素電極的某些部分 器191。一第二基材21〇面向該第一 一基材1 1 0分隔開。 外部黑色矩陣22Ga和—内部黑色矩_ 第-基材的内矣τϊή U ., 表面上。該外部黑色矩 形狀以界定出晝素區A，而該内部里 該晝素區A内並具有一預定的形狀。 數個紅色、綠色和藍色的彩色遽光片 内部黑色矩陣、和⑽上。該彩 内部黑色矩陣22〇b。位於該等色彩 黑色矩P車22〇a冑分係經暴露而沒有 所覆蓋。該等彩色濾光片230的某些 黑色矩陣220a和重叠並接觸， 二基材210直接接觸。 用來保護該等彩色濾光片230的塗層 彩色濾光片230之内表面上。一透^ 成在該塗層250之肉#而μ „ ^ _ 下之液晶分子 標號表示履行 佳者由例如氧 透明晝素電極 。該晝素電極 來形成之複數 基材11 0並且 L 22 0b係經形 陣220a具有 .色矩陣 220b 係經形成在該 色爐、光片2 3 0 間的邊界處的 被該彩色濾光 部分與該外部 而其他部分則 2 5 0係經形成 共同電極27〇 電極270具有 37 200404186 複數個斷流器2 7 1。該第一和第二基材11 0和2 1 0係經排 列以使該等斷流器 2 7 1和 2 9 1被交互配置而沒有彼此成 對。 一有機絕緣層5 0係經形成在該共同電極2 7 0上並位 在一預定的區域内。如在第 24Α和 24Β圖中所示者，該 有機絕緣層50係配置在被該外部黑色矩陣220a所圍繞之 晝素區A之一預定區域B’内，並且將該晝素區A化分成 兩個區域。該有機絕緣層50並未覆蓋該共同電極270之 該等斷流器2 7 1。 具有負的介電質之複數個液晶分子3係經插入在該第 一基材110和該第二基材210之間。 如在第 2 4A圖中所示者，當該晝素電極 190和該共 同電極270之間沒有電壓時，該等液晶分子3被配製成與 該兩個基材1 1 0和2 1 0的表面垂直排列。 如在第 24B圖中所示者。當電壓被應用至該晝素電 極190和該共同電極270時，一電場E會產生在該第一 和該第二基材11 〇和2 1 0之間。該電場形成一具有傾斜弧 線的邊際電場，其關於該兩個基材11 〇和2 1 0來說並沒有 完全垂直，這是因為該共同電極270之該等斷流器291和 該畫素電極190之該等斷流器191的緣故。因為具有負的 介電異向性的該等液晶分子3傾向於與該電場方向垂直排 列，他們重新排列而使其主軸與該兩個基材11 〇和2 1 0的 表面呈傾斜。據此，關於該等斷流器19 1和27 1來說位於 相反區域内的該等液晶分子3以相反的方式偏斜，而這補 38 200404186 償了該等相對區域的光學特性而將視角放寬。 此時，假設/3 1是在一具有該有機絕緣層 5 0之區域 B’内之一液晶分子3的主軸關於該第一基材110的傾斜角 度，而/32是在一不具有該有機絕緣層 50之區域C’内之 一液晶分子3的主軸關於該第一基材1 1 0的傾斜角度。在 該區域B’和C，内的傾斜角度/31和/32是不同的。 這種現象將會被詳細敘述。 在具有該有機絕緣層5 0的區域B ’中和不具有該有機 絕緣層5 0的區域C ’中，相等電壓所產生的電場強度是不 同的。例如，相等電壓在不具有該有機絕緣層 5 0的區域 C ’中的電場強度係大於在具有該有機絕緣層5 0的區域B ’ 中者。這是因為該電壓被該有機絕緣層 5 0所分割，而使 得具有該有機絕緣薄膜5 0的區域B ’中遍及整個液晶的電 壓被降低，與不具有該有機絕緣層50的區域C ’中者相較。 據此，在具有該有機絕緣層5 0的區域B ’中的液晶分子經 受到相對弱的電場而產生相對小的傾斜角度；而在不具有 該有機絕緣層5 0的區域C ’中者則經受到相對強的電場而 產生相對大的傾斜角度。因此，在具有該有機絕緣層 50 的區域B ’中的液晶分子之主軸的傾斜角度/3 1相較於在不 具有該有機絕緣層5 0的區域C ’中的傾斜角度0 2大。 因為具有該有機絕緣層50的區域B’和不具有該有機 絕緣層5 0的區域C ’之間的傾斜角度是不同的，故透射比 曲線對於應用電壓的函數，即v-τ曲線是不同的，如在 第21圖中所示者。據此，在兩個區域B’和C’内的光學特 39 200404186 性被有效地補償而將視角放寬。較佳者 的介電常數介於1.5至7·5之間，而其 3.0微米。這是因為當該有機絕緣層50纪 微米時，透射比會變得不佳。 如在第23圖中所示者，該共同電4 斷流器1 9 1和2 7 1係交互配置的。在此 同電極270的該等凹陷處291和該内部 此重疊，故在第23圖中他們是無法被 素區Α被劃分成具有該有機絕緣層5 0 ί 該有機絕緣層 5 0的區域C ’。每一個區 個區域所分割。該等區域的光學特性係 寬。 現在，一種製造一根據本發明之I 的方法將參考第25Α至25Ε圖被詳細敘 第 25 Α至25Ε圖係依序示出根據 例之一用於LCD的彩色濾光片面板的普 一 LCD 包含一提供有一共同電I 板、一提供有複數個晝素電極的TFT 介於其間的液晶層。 製造一彩色濾光片面板200的方法 部矩陣以及彩色濾光片、形成一塗層、 形成一有機絕緣層以及圖案化該有機絕 如在第 25A圖中所示者，形成内 色濾光片的步驟包含形成用來覆蓋該等 •該有機絕緣層 5 0 厚度係等於或小於 丨厚度變得大於3.0 座270之該等晝素 情況下，因為該共 ;黑色矩陣220b彼 區分出來的。一晝 治區域B ’和不具有 域B’和C’被複數 被補償以將視角放 5四實施例的 LCD 述。 本發明之第四實施 丨面圖。 返的彩色濾光片面 陣列面板、以及一 包含形成内部和外 形成一共同電極、 緣層的步驟。 部和外部矩陣和彩 晝素區的邊界之一 40 200404186 網狀外部矩陣以及一位於該晝素區内的内部黑色矩陣。在 該黑色矩陣220a和220b上塗覆含有染料之光敏性材料並 執行曝光和顯影等步驟係經重複三次以形成紅色、綠色和 藍色的彩色濾光片230。該等彩色濾光片23 0覆蓋該内部 黑色矩陣220b。 如在第 25B圖中所示者，形成一塗層的步驟包含在 該内部和外部黑色矩陣220a和220b以及該等彩色濾光片 2 3 0之暴露的部分上進行沈積以形成該塗層2 5 0。 如在第 25C圖中所示者，形成一共同電極的步驟包 含將該共同電極270沈積在該塗層250上，以及在相應於 該内部黑色矩陣220b的位置處形成斷流器271。 隨後，如在第25D圖中所示者，一覆蓋該共同電極270 的有機絕緣層5 0被形成。 接著，如在第2 5 E圖中所示者，該有機絕緣層5 0的 圖案化被執行以使該有機絕緣層 5 0不會覆蓋住該等斷流 器 2 7 1。僅只位於一晝素區域的某些區域内之該有機絕緣 層5 0部分被留下。 第26圖係根據本發明之第五實施例之一 LCD的佈局 圖式，而第27A和27B圖係於第26圖所示之根據本發明 之第五實施例之該LCD沿著XXW - XXW ’線所取得之剖 面圖。第27A和27B圖分別示出沒有電場時以及應用電 壓時在一正常的黑色模式（black mode)LCD下之液晶分子 的配置。 如在第 27A和 27B圖中所示者，一較佳者由例如氧 41 200404186 化銦錫和氧化銦鋅 190係經形成在一 190具有藉由去除 個斷流器1 9丨。一有 上並位在一預定的 所示者，該有機絕海 所圍繞之晝素區A 代表紅色、綠色和 並未覆蓋該等斷流 上。一第二基材2 材1 1 0分隔開。 一外部黑色矩 成在該第二基材的 一矩陣形狀以界定 係位於該晝素區a 複數個紅色、 外部和内部黑色矩 與該内部黑色矩陣 内部矩陣 220b。. 矩陣220a部分係 蓋。該等彩色濾光 矩陣220a和220b 材210直接接觸。 一透明共同灣 之透明傳導材料所形成之透明晝素電極 第一基材110之一表面上。該晝素電極 該等晝素電極的某些部分來形成之複數 機絕緣層5 0係經形成在該畫素電極1 9 〇 區域内。如在第26 ' 27A和27B圖中 良層50係配置在被該外部黑色矩陣22〇a 之一預定區域B内。一晝素區a通常 藍色其中的一個顏色。該有機絕緣層5〇 器191並且係經提供在該晝素電極19〇 10面向該第一基材110並且與該第一基 陣22〇a和一内部黑色矩陣22〇b係經形 内表面上。該外部黑色矩陣220a具有 出晝素區A，而該内部黑色矩陣22〇b 内並具有一預定的形狀。 綠色和藍色的彩色濾光片係經形成在該 陣22〇a和220b上。該彩色濾光片23〇 22〇b重疊的部分係經去除以暴露出該 位於該等色彩間的邊界處的該外部黑色 經暴露而沒有被該彩色濾光片23〇所覆 片2 3 0的某些部分與該外部和内部黑色 重燮並接觸，而其他部分則與該第二基 :極270係經形成在該外部和内部矩陣 42 200404186 220a和2 20b以及該等彩色濾光片230之暴露出的部 内表面上。該共同電極270被壓低以在該内部矩陣 上形成凹陷處。 具有負的介電質之複數個液晶分子3係經插入在 一基材11 0和該第二基材2 1 0之間。 如在第 27A圖中所示者，當該晝素電極190和 同電極2 7 0之間沒有電壓時，該等液晶分子3被配製 該兩個基材1 1 0和2 1 〇的表面垂直排列。 如在第27B圖中所示者。當電壓被應用至該畫 極19 0和該共同電極2 7 0時，一電場E會產生在該 和第二基材11 0和2 1 〇之間。該電場形成一具有傾斜 的邊際電場，其關於該兩個基材丨丨〇和2 1 0來說並沒 全垂直，這是因為於介於該晝素電極190之該等斷流器 和該内部黑色矩陣220b之間的重疊處之該共同電極 的該等凹陷處291的緣故。因為具有負的介電異向性 專液晶分子3傾向於與該電場方向垂直排列，他們重 列而使其主軸與該兩個基材1 1 〇和2 1 〇的表面呈傾斜 此，關於該等斷流器191和該等凹陷處29丨來說位於 區域内的該等液晶分子3以相反的方式偏斜，而這補 該等相對區域的光學特性而將視角放寬。 此時，假設/3 1是在一具有該有機絕緣層5 0之 D内之一液晶分子3的主軸關於該第一基材丨丨〇的傾 度’而冷2是在一不具有該有機絕緣層5〇之區域f 一液晶分子3的主軸關於該第一基材11〇的傾斜角度 分的 220b 該第 該共 成與 素電 第一 弧線 有完 | 191 270 的該 新排 0據 相反 償了 區域 斜角 内之 。在 43 200404186 該區域D和F内的傾斜角度/31和冷2是不同的。 這種現象將會被詳細敘述。 在具有該有機絕緣層50的區域D中和不具有該有機 絕緣層50的區域F中，相等電壓所產生的電場強度是不 同的。例如，相等電壓在不具有該有機絕緣層 5 0的區域 F中的電場強度係大於在具有該有機絕緣層 50的區域D 中者。這是因為該電壓被該有機絕緣層 5 0所分割，而使 得具有該有機絕緣薄膜5 0的區域D中遍及整個液晶的電 壓被降低，與不具有該有機絕緣層5 0的區域F中者相較。 據此，在具有該有機絕緣層5 0的區域D中的液晶分子經 受到相對弱的電場而產生相對小的傾斜角度；而在不具有 該有機絕緣層5 0的區域F中者則經受到相對強的電場而 產生相對大的傾斜角度。因此，在具有該有機絕緣層 50 的區域D中的液晶分子之主軸的傾斜角度/3 1相較於在不 具有該有機絕緣層5 0的區域F中的傾斜角度0 2大。 因為具有該有機絕緣層5 0的區域D和不具有該有機 絕緣層5 0的區域F之間的傾斜角度是不同的，故透射比 曲線對於應用電壓的函數，即V _ T曲線是不同的，如在 第21圖中所示者。據此，在兩個區域D和F内的光學特 性被有效地補償而將視角放寬。較佳者該有機絕緣層 50 的介電常數介於1.5至7.5之間，而其厚度係等於或小於 3.0微米。這是因為當該有機絕緣層50的厚度變得大於3.0 微米時，透射比會變得不佳。 雖然該等圖式顯示出該有機絕緣層覆蓋兩個區域的其 44 200404186 中一個 數個區 50的g 素可以 第 佈局圖 如 斷流器 因為該 220b 彼 一晝素 具有該 數個區： 放寬。 雖, 將視角： 如在第 5 0就變 小於3. 現 數個有 第 内的幾 第 等畫素 來的。 D和$ jr被裰 將祝負 該有機絕緣層5 〇可以覆蓋形成一畫素隱/ 廇 域之令的至少一個區域。也就是說，該有機絶緣参 茶並不受限於本發明的實施例，而是四彳固11 具有多種形狀和配置。 j箪 26圖示出根據本發明之一實施例之一 LCP的β 在第26圖中所示者，該共同電極270之该 1 9 1和該等凹陷處2 9 1係交互配置的。在此情 共同電極270的該等凹陷處291和該内部黑 此重疊，故在第1 9圖中他們是無法被區分出 區Α被劃分成具有該有機絕緣層50的區城 有機絕緣層5 0的區域F。每一個區域D和 域所分割。該等區域的光學特性係被補償以 j 5〇 然提供在該等晝素電極1 90上之該有機絕緣μ 〆尸 〇 故寬，但是它也降低了透射比，因而減少了贫> 2 8圖中所示者，透射比變得越低，該有機絕緣廣 得越厚。該有機絕緣層5〇的厚度較佳者係等於或 0微米。 在，用來增加亮度之位於晝素電極的預定區域 ' 之 機絕緣層圖案的例子將被描述。 29A至36圖示出將被形成在晝素電極的預定區域 個有機絕緣層圖案。 29A圖示出根據本發明之第五實施例之_ ’機絕 45 200404186 緣層的第一示範圖案，而第30圖示出根據本發明之第五 實施例之一有機絕緣層的第二示範圖案。 參見第29A圖，代表紅色、綠色和藍色之晝素電極190 的該等晝素區 A分別被界定為紅色（R)晝素5 1和5 5、綠 色（G)晝素52和56、以及藍色（B)晝素53和57。一提供 有一有機絕緣層之包含一組R、G和B晝素51、52和53 的區域或一不具有該有機絕緣層之包含一組R、G和B晝 素55、56和57的區域被表示為一點54或58。一在其預 定區内提供有該有機絕緣層的點 54被表示為一有機絕緣 點，而一在其内不具有該有機絕緣層的點 5 5被表示為一 非有機絕緣點。該有機絕緣點5 4的R晝素5 1被表示為 一 R有機絕緣晝素，該有機絕緣點5 4的G晝素5 2被表 示為一 G有機絕緣晝素，而該有機絕緣點5 4的B晝素5 3 被表示為一 B有機絕緣晝素。 關於有機絕緣點5 4和非有機絕緣點5 5位於晝素電極 190上的多種有機絕緣層圖案在第29A至36圖中示出。 該有機絕緣點5 4和非有機絕緣點5 5具有相等的面積以避 免具有一有機絕緣層50的某些區域的亮度降低。 每一個R、G和B有機絕緣晝素51、5 2和5 3的5 0 %的面積被一有機絕緣層5 0所覆蓋。 第2 9B圖係於29A圖所示之一組R、G和B有機絕 緣晝素5 1、5 2和5 3的放大圖，其示出液晶分子的傾斜方 向。 如在第29B圖中所示者，在每一個該R、G和B有機 46 200404186 絕緣晝素5 1、5 2和5 3中的該等液晶分子之傾斜方向是不 同的。 例如，該R有機絕緣晝素5 1係經分割成為第一至第 四方向R有機區域51a、51b、51c和51d，其係具有不同 的液晶分子 3之傾斜方向的四個區域。該R有機絕緣畫 素 5 1具有兩個晝素斷流器1 9 1，一右端位於較高位置之 上右斷流器 1 9 1 a以及一左端位於較高位置之上左斷流器 191b。在該第一方向有機區域51a内的液晶分子因為該上 右斷流器 1 9 1 a而以西北方向傾斜，而那些在該第二方向 有機區域51b内者因為該上右斷流器191a而以東南方向 傾斜。同樣地，在該第三方向有機區域5 1 c内的液晶分子 因為該上左斷流器 1 9 1 b而以東北方向傾斜，而那些在該 第四方向有機區域51d内者因為該上左斷流器191b而以 西南方向傾斜。 同樣地，該 G有機絕緣晝素係經分割成為第一至第 四方向G有機區域52a、5 2b、52c和52d，其係具有不同 的液晶分子 3之傾斜方向的四個區域，而該 B有機絕緣 晝素係經分割成為第一至第四方向B有機區域5 3 a、5 3b、 5 3 c和5 3 d，其係具有不同的液晶分子3之傾斜方向的四 個區域。

該有機絕緣層 5 0係經形成得使該晝素電極1 9 0上之 該等第一至第四方向R有機區域51a、51b、51c和51d之 被佔據的區域是相等的，並且這對於該第一至第四方向G 有機區域52a、52b、52c和52d以及該第一至第四方向B 47 200404186 有機區域53a、53b、53c和53d來說也是一樣的。 該有機絕緣層5 0係經形成得使該第一方向r有機區 域51a、該第一方向G有機區域52a和該第一方向b有機 區域5 3佔據其個別像素電極1 9 0的相同區域，並且這對 於第二、第三和第四方向R、G和B有機區域來說也是一 樣的。 現在，幾個滿足這些要求的有機絕緣層圖案將被描 述。 第29A至32圖示出線性反轉型（line inversi〇n)的有 機絕緣層圖案。線性反轉型有機絕緣層圖案表示有機絕緣 層點5 4和非有機絕緣層點5 5係沿著橫方向或縱方向交互 配置。 參見第29A和30圖，有機絕緣層點54和非有機絕 緣層點5 5係沿著橫方向交互配置。在下文中，N代表第 一奇數行或列，N + 1代表第二奇數行或列，Μ代表第一 偶數行或列，而Μ + 1代表第二偶數行或列。行Ν或Ν + 1包含有機絕緣層點5 4，而行Μ或Μ + 1則不包含有機 絕緣層點55。在下文中，（Ν，Μ)表示行Ν的列Μ。 在第 29Α圖所示的第一示範有機絕緣層圖案中，位 於（Ν，Μ)和（Ν+1，Ν)處的該等有機絕緣層點54的R、G和 Β有機絕緣層晝素之第一和第二方向有機區域51a、51b、 52a、.52b、53a和53b係經提供有一有機絕緣層50。此外’ 位於（N，N)和（N+1，M)處的該等有機絕緣層點54之第三和 第四方向有機區域51c、5 Id、52c、52d、53c和53d係經 48 200404186 提供有該有機絕緣層5 0。 在第30圖所示之示範有機絕緣層圖案中，位於（Ν，Ν) 和（Ν+1，Ν)處的該等有機絕緣層點54之第三和第四方向有 機區域5 1c、5 Id > 52c、52d、53c和53d係經提供有一有 機絕緣層 50，而位於（N，M)和（N+1，N)處的該等有機絕緣 層點54之第一和第二方向有機區域51a、51b、52a、52b、 5 3a和5 3b係經提供有該有機絕緣層50。 第 31圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 層的第三示範圖案，而第32圖示出根據本發明之第五實 施例之一有機絕緣層的第四示範圖案。 參見第31和3 2圖，有機絕緣層點5 4和非有機絕緣 層點5 5係沿著縱方向交互配置。 第33至36圖示出點反轉（dot inversion)型的有機絕 緣層圖案。 點反轉型有機絕緣層圖案表示一非有機絕緣層點 5 5 在四個方向上與有機絕緣層點 54鄰接。換句話說，一有 機絕緣層點5 4在四個方向上與非有機絕緣層點5 5鄰接。 第3 3圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 層的第五示範圖案，而第34圖示出根據本發明之第五實 施例之一有機絕緣層的第六示範圖案。 參見第3 3和3 4圖，在四個方向上與一有機絕緣層點 5 4鄰接的所有點都是非有機絕緣層點 5 5。該有機絕緣體 50係經提供在R、G和B有機區域51a - 51d、52a - 52d 和53a - 53d之中的同方向的有機區域處。 49 200404186 詳細地，如在第33圖中所示者，一位於（n+1，M)處 之非有機絕緣層點 5 5係在四個方向上與該等有機絕緣層 點54鄰接。也就是說，有機絕緣層點54係經配置在 (N+1，N)、（N+1，N+1)、（M，M)和（M+1，M)處。位於（N+1，N) 處之該有機絕緣層點5 4的R、G和B有機絕緣層畫素5 1、 52和53之所有的第一和第二方向有機區域51a、51b、52a、 52b、53a和53b係經提供有該有機絕緣體50。在第33圖 所示之該第五示範有機絕緣圖案中，該有機絕緣體5 0係 經形成得使提供有該有機絕緣體5 0，其係包含在形成一 正方形之四個點内，之第一至第四方向有機區域的數量是 相同的。也就是說，在一包含四個點在（n，n)、（m，n)、（n，m) 和（M，M)處的正方形K中，位於（N，N)處之該有機絕緣層 點54的第三和第四方向R、G和B有機區域51c、51d、 52c、52d、53c和53d係經提供有該有機絕緣體50，而位 於（M，M)處之該有機絕緣層點54的第一和第二方向R、G 和B有機區域51a、51b、52a、52b、53a和53b係經提供 有該有機絕緣體5 0。因此，提供有該有機絕緣體50，其 係包含在四個點内，之該第一至第四方向有機區域的數量 是相同的。 在第34圖所示之第六示範有機絕緣圖案中，該有機 絕緣體5 0係經形成得使提供有該有機絕緣體5 0，其係包 含在形成一矩形之八個點内，之第一至第四方向有機區域 的數量是相同的。也就是說，在一包含八個點在（N，N)、 (M，N)、（N，M)、（M，M)、（N+1，N)、（M+1，N)、（N+1，M)和 50 200404186 (乂+1，撾）處的矩形中，位於（凡>〇和（％，]^)處之該有機絕 層點54的第三和第四方向R、G和B有機區域51c、51d 52c、52d、53c和53d係經提供有該有機絕緣體50，而 於（N+1，N)和（M+1，M)處之該有機絕緣層點54的第一和 二方向 R、G 和 B 有機區域 51a、51b、52a、52b、53a 5 3 b係經提供有該有機絕緣體5 0。因此，提供有該有機 緣體 50，其係包含在八個點内，之該第一至第四方向 機區域的數量是相同的。 第3 5圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕 層的第七示範圖案，而第36圖示出根據本發明之第五 施例之一有機絕緣層的第八示範圖案。 參見第35和36圖，在四個方向上與一有機絕緣層 5 4鄰接的所有點都是非有機絕緣層點 5 5。在一有機絕 層點5 4中，該有機絕緣體5 0係經提供在R和B有機 緣層晝素51和53的四個第一至第四方向有機區域的其 兩個處以及G有機絕緣層晝素52的四個第一至第四方 有機區域的另外兩個處。 詳細地，在第 3 5圖所示之該第七示範有機絕緣圖 中，該有機絕緣體5 0係經形成得使提供有該有機絕緣 5 0，其係包含在形成一正方形之四個點内，之第一至第 方向有機區域的數量是相同的。也就是說，在一包含四 點在（N，N)、（M，N)、（N，M)和（M，M)處的正方形 K中， 於（N，N)處之該有機絕緣層點54的第三和第四方向R和 有機區域 51c、51d、53c和 53d以及第一和第二方向

緣 位 第 和 絕 有 緣 實 點 緣 絕 中 向 案 體 四 個 位 B G 51 200404186 有機區域5 2 a和5 2b係經提供有該有機絕緣體5 0。此外， 該有機絕緣體 50也被提供在位於（Μ，Μ)處之該有機絕緣 層點54的第一和第二方向R和Β有機區域51a、51b、53a 和53b以及第三和第四方向G有機區域52c和52d處。 因此，提供有該有機絕緣體 5 0，其係包含在四個點内， 之該第一至第四方向有機區域的數量是相同的。

在第3 6圖所示之該第八有機絕緣圖案中，該有機絕 緣體5 0係經形成得使提供有該有機絕緣體5 0，其係包含 在形成一矩形之八個點内，之第一至第四方向有機區域的 數量是相同的。也就是說，在一包含八個點在（N，N)、 (M，N)、（N，M)、（M，M)、（N+1，N)、（M+1，N)、（N + 1，M)和 (M + 1，M)處的矩形中，位於（N，N)和（M，M)處之該有機絕緣 層點54的第三和第四方向R和B有機區域51c、51d、53c 和53d以及第一和第二方向G有機區域52a和52b係經 提供有該有機絕緣體 50，而位於（N+1，N)和（M+1，M)處之 該有機絕緣層點 5 4的第一和第二方向 R和 B有機區域 51a、51b、53a和53b以及第三和第四方向G有機區域52c 和 5 2d係經提供有該有機絕緣體 5 0。因此，提供有該有 機絕緣體 5 0，其係包含在八個點内，之該第一至第四方 向有機區域的數量是相同的。 雖然本發明之較佳實施例已在上文中詳細敘述，應該 清楚暸解的是此間所教示的基礎發明概念之許多變異及/ 或修改，其對於熟知技藝者來說可能是顯而易見的，仍然 會落在本發明之精神和範圍内，如在所附的申請專利範圍 52 200404186 中所界定者。特別是，許多修改可以在提供於該等晝素電 極和該共同電極之斷流器的配置上執行。 上述的配置改良了一 LCD的橫向可見度並放寬了視 角。 根據本發明，一提供在一晝素區内之一預定區域上的 有機絕緣體降低了其内的電場強度，因此一特定電壓可以 產生複數個具有不同透射比的區域。據此，一 LCD的橫 向可見度可以被改良。

此外，該有機絕緣體係以線性反轉型或點反轉型來提 供，因此被該有機絕緣體所佔據的一晝素電極的區域可以 被最小化，因而避免了肇因於該有機絕緣體的亮度的降 低0 【圖式簡單說明】 第1圖係根據本發明之第一實施例之一用於LCD的 T F T陣列面板的佈局圖；

第2圖係根據本發明之第一實施例之一用於LCD的 彩色濾光片面板的佈局圖； 第3圖係根據本發明之第一實施例之一 LCD的佈局 IS! · 園， 第4圖係第3圖所示之該LCD沿著IV - VI ’線所取得 之剖面圖； 第5至9圖係依序示出根據本發明之第一實施例之一 用於LCD的TFT陣列面板之製造方法的步驟之剖面圖； 53 200404186 第1 0圖係根據本發明之第二實施例之一 LCD的佈局 圖； 第1 1A圖係第3圖所示之該L C D沿著X I a - X I a’、 X I a’ - X I a’’和 X I a’’ - X I a’’’線所取得之剖 面圖； 第1 IB圖係第3圖所示之該LCD沿著X I b - X I b’ 線所取得之剖面圖；

第12A至18B圖係依序示出根據本發明之第二實施 例之一用於LCD的TFT陣列面板之製造方法的步驟之剖 面圖； 第1 9圖係根據本發明之第三實施例之一 LCD的佈局 圖式； 第20A和20B圖係於第19圖所示之根據本發明之第 三實施例之該LCD沿著XXA - XXA’線所取得之剖面圖， 其分別示出沒有電場時以及應用電壓時在一正常的黑色模 式（blackmode)LCD下之液晶分子的配置；

第2 1圖係透射比對於應用電壓之函數圖； 第22A至22D圖係依序示出根據本發明之第三實施 例之一用於 LCD的彩色濾光片面板之製造方法的步驟之 剖面圖； 第23圖係根據本發明之第四實施例之一 LCD的佈局 圖式； 第24A和24B圖係於第23圖所示之根據本發明之第 四實施例之該 LCD沿著 XXIV - XXIV ’線所取得之剖面 54 200404186 圖，其分別示出沒有電場時以及應用電壓時在一正常的黑 色模式（blackmode)LCD下之液晶分子的配置； 第25 A至25E圖係依序示出根據本發明之第四實施 例之一用於 LCD的彩色濾光片面板之製造方法的步驟之 剖面圖； 第26圖係根據本發明之第五實施例之一 LCD的佈局 圖式；

第27A和27B圖係於第26圖所示之根據本發明之第 五實施例之該 LCD沿著 XX W - XX VII ’線所取得之剖面 圖，其分別示出沒有電場時以及應用電壓時在一正常的黑 色模式（blackmode)LCD下之液晶分子的配置； 第 2 8圖係透射比對於一有機絕緣層之厚度的函數 圖； 第 29A圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕 緣層的第一示範圖案；

第 29B圖係於29A圖所示之一組R、G和B有機絕 緣晝素51、52和53的放大圖； 第3 0圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 層的第二示範圖案； 第 31圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 層的第三示範圖案； 第3 2圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 層的第四示範圖案； 第3 3圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 55 200404186 層的第五示範圖案； 第 3 4圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 層的第六示範圖案； 第 3 5圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 層的第七示範圖案；以及 第3 6圖示出根據本發明之第五實施例之一有機絕緣 層的第八示範圖案。

【元件代表符號簡單說明】 3 液丨 昆層 12 下 偏光板 50 有機絕緣層 51 紅 色 晝 素 52 綠 色 晝 素 53 藍 色 晝 素 54 點 55 紅 色 晝 素 56 綠 色 晝 素 57 藍 色 晝 素 58 點 51a 第 一 方 向 R 有 機 區 域 51b 第 二 方 向 R 有 機 區 域 5 1c 第 三 方 向 R 有 機 域 51d 第 四 方 向 R 有 機 域 52a 第 一 方 向 G 有 機 區 域 52b 第 二 方 向 G 有 機 區 域 52c 第 三 方 向 G 有 機 區 域 52d 第 四 方 向 G 有 機 1¾ 域 53a 第 一 方 向 B 有 機 區 域 53b 第 二 方 向 B 有 機 區 域 53c 第 三 方 向 B 有 機 區 域 53d 第 四 方 向 B 有 機 區 域 91 儲存橋 95 辅 助 閘極塾 97 輔助資料墊 110 下基材 121 閘極線 123 閘 極 電 極 125 閘極墊

56 200404186 131 儲存電極線 133a 儲存電極 133b 儲存電極 133c 儲存電極 133d 儲存電極 140 閘極絕緣層 151 非晶矽層、資料部分 153 - 15 7 非晶矽圖案 154 非晶矽層、通道部分 159 非晶矽層 160 歐姆接觸層 163、 165 部分 161、 169 接觸層 170 傳導層 171 資料線 172 金屬片 173 源極電極 175 汲極電極 177 儲存電容器電極 179 資料墊 180 被動層 181、 182 、 183 、 1 8 4接觸孔 186 無薄膜區 190 晝素電極 191、 1 9 1 a、1 9 1 b、1 9 2、1 9 3 斷流器 200 彩色遽光片面板 210 上基材 211、 231 、 251 、 331c 第 一閘極線路層 212、 232 、 252 、 332c 第 —閘極線路層 220、 220a、22 0b 黑色矩陣230 彩色遽光片 250 塗層 270 共同電極 271、 272、273 斷流器 291 凹陷處 701 第一傳導薄膜 702 第二傳導薄 膜 711、 731 、 751 、 791 第- -資料線路層 712 > 732、752、792 第二資料線路層 731、 75 1、791 鉻層 732 - 752 、 792 鋁層

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Claims (1)

1. 200404186 拾、申請專利範圍： 1、一種薄膜電晶體陣列面板，包含： 一絕緣基材； 一閘極線，形成在該絕緣基材上； 一資料線，與該閘極線相交並與該閘極線絕緣；

   一晝素電極，提供在一由該閘極線和該資料線之交點 所界定出來的晝素區内，並且在該晝素區内包含至少兩 個具有不同高度的部分；以及 一薄膜電晶體，提供在由該閘極線和該資料線之交點 所界定出來的一晝素區内，並且與該閘極線、該資料線 和該晝素電極連接。 2、如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板， 更包含：

   一閘極絕緣層，將該閘極線與該資料線絕緣；以及 一被動層，將該資料線與該晝素電極絕緣， 其中具有不同高度之該晝素電極的至少兩個部分之數 量是兩個，並且該晝素電極之兩個部分的其中一個係位 於該被動層或該閘極絕緣層上，而該晝素電極之兩個部 分的另一個則位於一沒有該閘極絕緣層和該被動層的區 域上。 3、如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體陣列面板， 58 200404186 其中上述之晝素電極具有複數個斷流器（cutout)，至少一 個該等斷流器係配置在一沒有該閘極絕緣層和該被動層 的區域上，而其他斷流器則配置於該被動層上。 4、一種液晶顯示器，包含： 一第一絕緣基材； 一閘極線，形成在該第一絕緣基材上； 一資料線，與該閘極線相交並與該閘極線絕緣； 一晝素電極，提供在一由該閘極線和該資料線之交點 所界定出來的晝素區内； 一第二絕緣基材，面向該第一絕緣基材； 一共同電極，形成在該第二絕緣基材上方； 一液晶層，插入在該晝素電極和該共同電極之間； 一第一區域分割構件，提供在該第一和該第二絕緣基 材的其中一個上方；以及 一第二區域分割構件，提供在該第一和該第二絕緣基 材的其中一個上方，並且協同該第一區域分割構件將該 晝素區分割為複數個區域， 其中該晝素區内之複數個區域根據該液晶層的厚度而 分成至少兩種型式。 5、如申請專利範圍第 4項所述之液晶顯示器，其中上述 之第一區域分割構件包含該晝素電極之一斷流器，並且 59 200404186 該第二區域分割構件包含該共同電極之一斷流器。 6、如申請專利範圍第 4項所述之液晶顯示器，其中上述 晝素區内的複數個區域係根據電壓應用時該液晶層内液 晶分子之傾斜方向而分成四組。

   7、如申請專利範圍第 6項所述之液晶顯示器，其中上述 根據電壓應用時該液晶層内液晶分子之傾斜方向所分成 之四組的每一個都包含根據該液晶層的厚度所分成之至 少兩種型式的全部區域。 8、如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示器，更包含： 一閘極絕緣層，將該閘極線與該資料線絕緣；以及 一被動層，將該資料線與該晝素電極絕緣，

   其中根據該液晶層厚度之至少兩種型式的數量是兩 個，並且該晝素電極係配置在一具有該被動層或該閘極 絕緣層的區域上以及沒有該閘極絕緣層和該被動層的另 一個區域上。 9、如申請專利範圍第 4項所述之液晶顯示器，其中上述 之資料線含有一非晶矽層、一摻雜的非晶矽層以及一金 屬層等三層。 60 200404186 1 ο、一種液晶顯示器，包含： 一第一基材； 複數個晝素電極，提供在該第一基材上； 一有機絕緣層，形成在該等晝素電極之預定區域上； 一第二基材，配置在該第一基材上並且以一預定縫隙 與該第一基材隔開；

   一黑色矩陣（black matrix)、一彩色濾光片以及一共同 電極，形成在該第二基材下方；以及 一液晶層，插入在該第一和該第二基材之間。 11、如申請專利範圍第1 〇項所述之液晶顯示器，其中上 述位於一具有該有機層區域上之該液晶層内所包含之液 晶分子的主軸傾斜角度係與位於一不具有該有機絕緣層 之區域上之該液晶層内所包含之液晶分子的主軸傾斜角 度不同。

   12、如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示器，其中上 述之液晶層具有負的介電異向性，並且位於一具有該有 機層之區域上的該液晶層内所包含之液晶分子的主軸傾 斜角度比位於一不具有該有機絕緣層之區域上的該液晶 層内所包含之液晶分子的傾斜角度大。 13、如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器，其中， 61 200404186 當位於代表紅色、綠色和藍色之該等晝素1 區域分別被界定為R晝素、G晝素和B 1 含一組R、G和B晝素的區域即被界定為-一個其内具有該有機絕緣層的點被界定為-點，而一個其内不具有該有機絕緣層的點| 非有機絕緣層點，該有機絕緣層點所佔據έ 與該非有機絕緣層點所佔據的面積相同。 14、如申請專利範圍第1 3項所述之液晶顯i 當該有機絕緣層點之一 R晝素被界定為一 層晝素，該有機絕緣層點之一 G晝素被界 機絕緣層晝素，並且該有機絕緣層點之一 定為一 B有機絕緣層晝素時，該等R、G淨 層晝素的每一個之約5 0 %的面積係被該3 蓋。 1 5、如申請專利範圍第1 4項所述之液晶顯 當位於該等R、G和B有機絕緣層晝素的 有不同液晶分子傾斜角度之四組分別被界 二、第三和第四方向R、G和B有機區域 該第四方向R有機區域所佔據的面積基本 該第一至該第四方向 G有機區域所佔據 是相同的，並且該第一至該第四方向 B :極上的晝素 :素時，一包 個點（dot)， •有機絕緣層 丨被界定為一 丨面積基本上 :器，其中， R有機絕緣 定為一 G有 B晝素被界 B有機絕緣 機絕緣層覆 :器，其中， 卜一個内之具 二為第一、第 ^，該第一至 1是相同的’ 丨面積基本上 •機區域所佔 62 200404186 據的面積基本上是相同的。 16、如申請專利範圍第1 5項所述之液晶顯示器，其中該 第一方向R有機區域、該第一方向 G有機區域和該第 一方向 B有機區域所佔據的面積基本上是相同的，該 第二方向R有機區域、該第二方向G有機區域和該第 二方向 B有機區域所佔據的面積基本上是相同的，該 第三方向R有機區域、該第三方向G有機區域和該第 三方向 B有機區域所佔據的面積基本上是相同的，並 且該第四方向R有機區域、該第四方向 G有機區域和 該第四方向B有機區域所佔據的面積基本上是相同的。 1 7、如申請專利範圍第1 4至1 6項所述之液晶顯示器，其 中上述之有機絕緣層點和非有機絕緣層點係沿著一橫 方向交互配置。 1 8、如申請專利範圍第1 4至1 6項所述之液晶顯示器，其 中上述之有機絕緣層點和非有機絕緣層點係沿著一縱方 向交互配置。 1 9、如申請專利範圍第1 4至1 6項所述之液晶顯示器，其 中上述之非有機絕緣層點在四個方向上與該等有機絕 緣層點相鄰。 63 200404186 2 0、如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示器，其中 述之有機絕緣層係提供在該等有機絕緣層點的其中 個内之該等 R、G和 Β有機區域之中之相同的方向 機區域處。 21、如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示器，其中 述之有機絕緣層係提供在該等R和B有機絕緣層晝 之該第一至該第四方向有機區域的其中兩個處，以 該 G有機絕緣層晝素之該第一至第四方向有機區域 另兩個處。 22、 如申請專利範圍第1 0至1 6項所述之液晶顯示器， 中上述之有機絕緣層的厚度係等於或小於3微米。 23、 如申請專利範圍第1 0至1 6項所述之液晶顯示器， 中上述之有機絕緣層的介電常數範圍是1.5至7.5。 上 有 上 素 及 的 其 其 64