TW199211B - - Google Patents

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Λ 6 Β6 199211 五、發明説明i ) 本發明之範圍 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是關於含有袋子以儲存像微晶片之電子元件的 帶子。 本發明之背景 共同地，含有通常為方形的微晶片都儲存在匣子（t-ray )内。匣子有相鄰的凹處以容納微晶片。這些匣子可 以在頂部互相昼高。如此空有其名地保護從微晶片側面凸 出之精細的接腳。微晶片在匣子内的移動是相當地不受限 制。這樣可能偶然造成對接腳的損壞。另外不可能偵測到 在匣子内微晶片的放置情況和所在的位置。 本發明之綜合敘述 本發明是關於適於搛帶一或多個電子微晶片而防止連 接到徼晶片之接腳損壞的帶子。這帶子可以在捲軸輪上捲 起以便儲存。 這帶子是内部含有一些通常為方形側向隔開的凹處的 長條構件以容納含有凸出接腳的微晶片。毎個凹處有一打 開的頂部，側牆面和端牆面連接到底部牆面。底部牆面有 一對向上反V型的第一脊部平行於凹處側牆面延伸出來， 一對向上引導的反V型的第二赞部位於第一脊部之間的中 央和向外形成。第二脊部平行於凹處端牆面延伸出來。第 一和第二脊部可以與微晶片結合以致把微晶片固定在凹處 的中央部份。如此把徼晶片之接腳從凹處之側牆面和端牆 本紙張尺度边用中國國家橒準(CNS)甲4規格(210x297公犮）_ 3 - 經濟部屮央標準：：ΓΜ工消处合作社印^ 199211 五、發明説明含) 面向内分出間隔。這些脊部含有内斜面使得與撤晶片之外 表面互補，因此易於把微晶片放在位置上和定位到凹處内 之中央位置。每個脊部有一些向上和向内傾斜的端部，它 們是成角度地對應放在脊部縱軸。脊部之斜端部也易於把 微晶片於在凹處内之儲存位置。 這帶子有一些方形的支撑構件以支撑微晶片在底部腌 面上之高起的位置。如此把微晶片之接腳從凹處之底部腌 面和第一與第二脊部中向上分出間隔。這支撑構件在第一 和第二脊部鄰近的端部之間成角度的延伸。毎値支撑構件 有一頂部牆面位於凹處之底部牆面的上面。這些脊都有頂 綠部其位於支撑構件之頂部牆面的上面。當撤晶片位於儲 存位置時，微晶片被支撑在支撑構件上面，因此把微晶片 抬高在底部牆面上。在支撑構件上延伸的脊部之頂部與微 晶片之外表面結合以致把微晶片固定在凹處的中央位置。 撤晶片之接腳並不與帶子之任何結構物接觸，因此可以防 止接腳受到損壞而得到保護。有一蓋子關閉凹處的頂部以 致於當帶子在捲軸上捲起和鬆捲時可以把微晶片固定到凹 處之内。帶子捲軸之實施例在D. B. Chenoweth之美國專 利4, 726, 534號中作説明。凹處之底部牆面有一 孔用來偵測微晶片是否放在凹處内。在蓋子蓋到帶子之可 以用光束來偵測凹處内是苔含有微晶片。 一種帶子之改變的形態用來容納含有凸出的接腳和凸 耳之微晶片。這帶子是長條構件内部含有至少一個凹處以 儲存這微晶片。這凹處有一打開的頂部，側牆面和端牆面 本紙張尺度边用中ϋ國家標準(CNS)T4規格（210x297公及)一'_ 4 - (請先閲讀背面之注意事項再^*寫本1) 裝- -線_ Λ 6 Β6 199211 五、發明説明3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 連接到底部牆面，側牆面和端牆面可以與微晶片之凸耳結 合以致把微晶Μ固定到凹處之内。一些支撑構件位於凹處 的角落上。這支撑構件從凹處的側牆面和端牆面向内延伸 到底部膪面。每個支撑牆面都有一頂部牆面位於凹處之底 部牆面的上面。這支撑構件通常含有中凸形狀外緣之三角 形構件。支撑構件支撑微晶Η之凸耳因而使微晶Η位於凹 處之底部牆面上之高起的位置。如此把微晶片之接脚從凹 處之側牆面和端牆面以及支撑構件向内分出間隔和從底部 牆面向上分出間隔。這些接腳不與帶子之任何部份接觸， 因此防止接腳受損壞。這側牆面和端牆面含有内斜面，它 們與微晶Κ之凸耳互補以致於易於把微晶片放在和固定在 凹處之位置内。有一蓋子用來關閉凹處的頂部。這底部牆 面有一孔使光學讀碼可以經底部牆面來偵測以決定微晶片 是否存在裹面。 圖形之說明 圖1是攜帶微晶片之帶子部份的透視圖； 經濟部屮央捣準^:^工消^合作社卬贤 圖2是圖1之帶子一部份的上視平面圖； 圖3是沿圖2之3 — 3線取出之剖面圖； 圖4是沿圖2之4 一 4線取出之剖面圖； 圖5是沿圔2之5 — 5線取出之剖面圖； 圖6是沿圖1之6 — 6線取出之放大的剖面圖； 圖7是沿圖1之7 — 7線取出之放大的剖面圖； 圖8是攜帶微晶片角落含有凸耳之修改的帶子部份之 - 5 - 本紙5fc尺度边用中國國家棕準(CNS)甲4規格(210x297公犮) 經濟部屮央標準而Π工消费合作社.4¾ 199311 Λ6 _；_B6__ 五、發明説明4 ) 透視圖； 圖9是圖8之帶子部份的上視平面圖； 圖1 0是沿圖9之1 0 _ 1 0線取出之剖面圖； 圖1 1是沿圔9之1 1 一 1 1線取出的剖面圔； 圖1 2是圖8之帶子顯示在支撑扃部有微晶片角落凸 耳之放大的上視圖； 圖1 3是沿圖1 2之1 3 — 1 3線取出的剖面圖。 較好的具體形體之說明 參考圖1，其顯示本發明通常以號碼1 0表示之帶子 ，用來容纳像徹晶片之電子零件。為防止連接到徹晶片的 接腳損壊，帶子1 〇用來儲存微晶片的。光學讀碼可經由 帶子10決定微晶片是否放在袋子内或帶子内的凹處。 帶子1 〇是以像塑膠和類似物之半曲折性之材料製k 的長條。一些側向分隔開的孔2 9在帶子1 0鄰近帶子緣 部延伸。孔2 9可容納輪子之扣鐽（sprockets )(未顯 示），使帶子1◦可以從輪子中捲起或鬆捲。帶子1〇有 一些側向隔開的方形袋子或凹處1 1其位於孔2 9之間的 中央。每個凹處11適於容納像微晶片32之通常為方形 的電子零件，而不會損壞連接到微晶片之接腳3 3。一通 常是平的蓋條3 1可解開地結合到帶子1 〇之頂面以關閉 凹處1 1。當帶子10從捲軸（未顯示）捲起或鬆捲時， 蓋子3 1把徼晶片32固定在凹處1 1内。帶子捲軸之實 施例由D. B. Chenoweth之美國專利第 (請先閲讀背面之注意事項再埙寫本I) 裝 訂- 本紙56：尺度边用中國國家榣準（CNS)甲4規格（210x297公垃）_ g - Λ 6 Β6 199211 五、發明説明4 ) 4， 726, 534號中顯示説明。凹處11可能會有其 他的形狀以容納變化的尺寸和形狀之微晶片。 參考圖2到4,每個凹處有一對向下的側牆面12和 14,它們在向下的端牆面13和16之間延伸。膪面 12、 13、 14、 16之底端連接到通常為方形底膪面 1 7之外緣以形成凹處1 1。底牆面1 7有一些向上凸出 的脊部18、19、21和22,使微晶片32放在凹處 1 1的中央部位而接腳不會碰到牆面1 2 — 1 4和1 6。 向上凸出的支撑肩部23、 24、 26和27在脊部18 、1 9、2 1和2 2之相鄰的端部3 0之間延伸。肩部在 底部牆面17上縱長位置内支撑微晶片32,使得接脚3 3不會與底部牆面17接觸也不會與脊部18、 19、 2 1和22接觸。在底部牆面17内之位於中央的孔29 用來使含有光束之光學讀碼作用，決定在凹處11是否含 有微晶片3 2。 脊部18、 19、 21和22含有反V型之縱長直線 構件。脊部18之長度確實與脊部21之長度相同。脊部 1 9和22之長度確實相同並且比祿部1 8和2 1的長度 短。但脊部18、 19、 21和22可以為相同的長度。 脊部1 8和2 1各別地從側牆面1 2和1 4延伸出來和向 内隔開。脊部1 9和2 2各別地從端牆面1 3和1 6向内 隔開和平行地延伸出來。脊部1 8是位於脊部1 9和2 2 的第一端部之間的中央和向外形成。同樣地，锸部2 2是 位於脊部1 9和2 2的對面端點之間的中央和向外形成。 本紙56：尺度逍用中國國家標準（CNS)甲4規格（210x297公及) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本π.) 裝. 線. 經濟部屮央標準/!·;Π工消作合作社卬31 Μ 199211 五、發明説明S ) 脊部1 8和2 1側向分開大約等於撤晶片3 2寬度的距離 。脊部1 9和22縱向分開大約等於微晶片32長度的距 離。脊部18、 19、 21和22可以與微晶片32的側 牆面34和3 6和端牆面3 7和3 8接觸以保持微晶片被 脊部環繞著並在凹處11之中央地區内。從凹處11之牆 面1 2 — 1 4和1 6分出的接腳3 3的這種形態因此可以 防止損壞這接腳。 每個脊部18、 19、 21和22都有向上和向内傾 斜的端部3 0，見圖5。端部30成角度地度對應放在脊 部的縱軸，而相鄰兩脊部之端部是面對面的。傾斜的端部 30容易把微晶片32放在肩部支撑面23、 24、 26 和2 7上。 肩部23、 24、 26和27通常是長方形的構件， 它們從底部牆面17向上凸出。每個扃部在脊部18、 1 9、2 1和2 2的鄰近端點之間對角地延伸。如圖5顯 示，毎値脊部通常是平的頂部牆面25以支撑微晶片32 之角落39、4 1、42。頂部牆面25位於凹處1 1之 底部牆面17上面，而微晶H32是高起於底部牆面17 上。脊部1 8、1 9、2 1和2 2之頂緣部位於扃部2 3 、24、26和27之頂部牆面25上面。脊部之頂緣部 其在扃部上面延伸，因此與微晶片之牆面34、 36、 37和38接觸，使微晶片保持在凹處1 1的中央地區之 内。微晶片3 2之角落是從脊部的端部3 0中分出間隔的 本紙尺度通用中a困家樣準(CHS)甲4規格（2川X297公及) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 線· 經濟部屮央標準XJn工消赍合作社.¾ -8 - Λ 6 Β6 199211 五、發明説明j ) 參考圖6和7,微晶片32之側牆面34和36與端 部牆面37和38有凸出形狀的外表面。微晶片32通常 含有平的頂部和底部平面。脊部18、 19、 21和22 之内斜面與微晶片牆面34、 36到38之下斜面互補。 這樣易於使微晶片32之位置在凹處11内由脊部18、 1 9、2 1和22所圍繞的區域之内。脊部之内斜面與徹 晶片之牆面34、 36和38之下斜面配合，以便調整微 晶片3 2到凹處1 1内之正確的儲存位置。例如，當微晶 Η稍微移開凹處1 1的中央到端牆面19,微晶片之端部 牆面38與牆面19之内表面接觸，因而使微晶片32滑 到凹處的中央位置之内。脊部部1 8、1 9、2 1和2 2 之互補面與微晶片牆面34、 36到38也有把撤晶片 32固定在凹處11内中央位置的功能。 當微晶片3 2在凹處1 1内之儲存位置時，微晶片 3 2之角落3 9、4 1和4 2各別地被支撑在扃部2 3、 2 4和2 7上面，以致把微晶Η抬高在底部牆面1 7上面 。撒晶片3 2有第四値角落以同樣方法被支撑在JS部2 6 上面。脊部1 8、1 9、2 1和2 2之頂緣部與微晶片之 牆面3 4、3 6到3 8結合，因此把微晶片固定在凹處 1 1内之中央地區。如圖6、7顯示，連接到徹晶片牆面 3 4、3 6到3 8之接腳在脊部上延伸出來和向下斜放到 底部牆面1 7。接腳3 3之端點位於底部牆面1 7上面並 且從凹處1 1之牆面1 2到1 4和1 6分出間隔。當微晶 片3 2位於凹處1 1内的儲存位置時，接腳不會與帶子 本紙ik尺度边用中國囷家i?準（CNS)甲4規格（210x2听公垃）-Q - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 經濟部屮央準i.Jn工消贽合作社卬!!1 經濟部屮央桴準Λ;π工消赀合作社卬¾ ί992ϋ λ 6 __^ 五、發明説明系) 1 Ο之結構接觸，因此接腳是披保護的而防止受損。當帶 子10從捲軸中捲起和鬆捲時，蓋子31關閉凹處1 1之 頂部可以把撖晶片固定在凹處内。底部牆面17内的孔 28可以用光束來偵測凹處11内是否含有微晶片32。 參考圖8到13,其顯示本發明之帶子之改變的形態 通常以號碼11◦表示，其用來攜帶含有角落凸耳134 之微晶片1 32。帶子1 1 ◦儲存微晶片1 32防止連接 到撤晶片之接腳1 33損壞。光學讀碼可經由帶子1 1 0 決定微晶Η 1 3 2是否放在帶子上的位置。 帶子1 1 ◦是半曲折性之塑膠材料的長條。一些側向 分隔開的孔1 2 9在帶子1 1 0鄰近帶子緣部延伸。孔 129可容納輪子之扣鐽（未顯示），使帶子1 10可以 從輪子中捲起或鬆捲。帶子1 1 〇有一些側向隔開的方法 袋子或凹處1 1 1其位於孔1 2 9之間的中央。毎個凹處 1 1 1適於容納含有角落凸耳1 34之微晶片1 32。當 徹晶片1 32放在凹處1 1 1内時不會損壊微晶片之接腳 1 33。一通常是平的蓋條1 3 1可解開地結合到帶子 1 1 0之頂面以關閉凹處1 1 1。當帶子1 1 〇捲起或鬆 捲時，蓋子131把微晶片132固定在凹處111内。 參考圖9到1 1。每値凹處1 1 1有一對向下和向内 傾斜的側牆面1 1 2和1 1 4，它們在向下和向内傾斜的 端牆面1 1 3和1 1 6之間延伸。牆面1 1 2至1 1 4和 1 1 6的底端連接到通常為方形底牆面1 1 7之外緣以形 成凹處1 1 1。側牆面1 1 2和1 1 4與端膪面1 1 3和 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 裝· 訂- -線. 本紙尺度逍用中國Η家標準（CNS)甲4規格（210x297公垃）_ _ Λ 6 Β6 199211 五、發明説明爸) 1 1 6可以與一些凸耳1 34結合以便把微晶片1 32固 定到凹處111之中央地區内。底部牆面117中央有一 孔1 2 8用來使含有光束之光學讀碼作用以決定在凹處 111内是否含有微晶片132。 凹處111之每個角落有一向内引導的角落支撑面 118、119、121、122以支撑微晶片132之 角落凸耳134。角落支撑面118、119、121和 1 22使微晶片1 32抬高位於底部牆面1 1 7的上面， 而在圖11斷裂線137表示的接腳133之端點是從底 部牆面隔開來和不會與之接觸。 角落支撑面118、 119、 121和122是含有 平的頂面之通常為三角形的構件其位於底部牆面117上 面和凹處1 1 1頂部的下面。如圖1 1和1 3顯示，角落 支撑面122從凹入牆面112向内延伸並平行於底部牆 面1 1 7和向下到這底部牆面。角落支撑面1 1 8、 1 1 9和1 2 1以同樣的方法在凹處1 1 1之對應的牆面 延伸。每個角落支撑面有中凸形狀的外緣。角落支撑面 118、119、121和122的長度大約等於撒晶片 1 32之凸耳1 34的長度。當凸耳1 34被支撑在角落 支撑面時，如圔1 2和1 3顯示，接腳從角落支撑面 118、119、121和122的外緣分隔開不會與之 接觸，並且也不會與凹入牆面112、 113、 114和 1 1 6接觸。牆面1 1 2至1 14和1 1 6與一些凸耳 1 34結合使微晶Μ 1 32固定在凹處1 1 1内中央地區 本紙5良尺度边用中國a家榀準((：沾）平4規格（210x297公垃）-H - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本1·) 裝- 訂· 經濟部中央標準杓Π工消合作社印奴 Λ6 Β6 199211 五、發明説明ίο ) (請先閲讀背面之注意事項再棟寫本瓦) ，因而防止接脚與凹處之側牆面和端牆面接觸。當微晶片 位於凹處1 1 1内的儲存位置時，可以保持微晶片132 之精密接脚133的形狀和延伸形態。 參考圖12和13,撒晶片132的角落凸耳134 有中凸形狀的端面1 36連到向内的側表面。微晶片 1 32通常是平的頂部和底部表面。凹入牆面1 1 2、 線. 經濟部屮央榣準/i'Ju工消费合作社卬Η4 1 1 3、1 14和1 1 6之内斜面與角落凸耳端部1 36 之下斜面互補。角落凸耳134之側表面通常平行於對應 的凹入牆面112至114和116來延伸。牆面112 至1 1 4和1 1 6之内斜面與角落凸耳端部1 3 6配合以 調整微晶片1 3 2到凹處1 1 1内正確的儲存位置。這樣 易於使撤晶片1 3 2定位到凹處1 1 1内。例如，當微晶 片1 3 2於到凹處1 1 1内稍微偏離中央到凹入牆面 1 1 2和1 1 6的結合區，凸耳1 3 4之端部1 3 6和側 表面與牆面1 1 2和1 1 6之内斜面結合，因此微晶片 1 3 2將向下滑到凸耳内的中心位置。牆面1 1 2至 1 14和1 1 6之互補表面與角落凸耳1 34也有把撤晶 片1 32固定在凹處1 1 1内中央位置的功能。 當徹晶片132在凹處111内之儲存位置時，微晶 Μ之一些角落凸耳134被支撑在角落支撑面118、 1 1 9、1 2 1和1 22上面，以致於微晶片高起於底部 藤面1 17上面。凸耳134與凹入牆面1 12至1 14 和1 1 6結合，因此把微晶片1 32固定在凹處内之中央 地區。如圖1 2和1 3顯示，連接到徼晶片之接腳1 3 4 本紙5fc尺度边用中國國家標準（CNS)甲4規格（210X297公垃）-\2 - Ϊ99211 Λ 6 Β6 五、發明説明h ) 從微晶片向外延伸和向下傾斜。接腳1 3 3位於底部腌面 1 1 7上面和從凹處1 1 1之牆面1 1 2至1 14和 1 1 6分出間隔。當微晶片1 3 2位於凹處1 1 1内的儲 存位置時，接腳133不會與帶子11◦之結構接觸，因 此接腳是被保護的而防止受損。當帶子1 1 〇從儲存的捲 軸中捲起和鬆捲時，蓋子131關閉凹處111之頂部可 以把微晶片132固定在凹處内。底部牆面117内的孔 1 2 8可以用光束來偵測凹處1 1 1是否含有微晶片 1 3 2 〇 雖然已顯示和説明本發明之帶子的較好具體形體。我 們知道在結構的改變、構造的安排，和材料方面在不偏離 本發明的設計技術範圍下都可以作一些修改。因此本發明 定義在下列的申請專利範圍之内。 先 閲 ?! 背 面 之 注 意 事 項 再 填- 寫 本 裝 玎 經濟部十央1¾準Aw工消疗合作社卬¾ 本紙張尺度边用中國國家標準（CNS)甲4規格(210x297公;¢) -13 -

Claims (1)

199211 !修正 補充 本//年/>月//曰 A7 B7 C7 D7 經濟部+央標準局貝工消费合作社印製 六、中請專利範園 第81100421號專利申請案 中文申讅專利範圃修正本 民國81年12月修正 1·一種撖晶片餘帶，容纳含有凸出接脚的微晶Η之 帶子其包含：一長條構件内有至少一凹處以館存撖晶片， 這凹處含有一打開的頂部，俩牆面和端牖面連接到底部篇 面，逭底部艢面含有第一機構其可以與撖晶片结合使撤晶 片固定在凹處的中心位置之内，因此把微晶Μ的接腳從鎇 雇面和嫌牆面.向内分出間隔，以及第二檐構其遽接到第一 機構以支撑徼晶片在底部牆面上成离起的位置，因此微晶 片之接脚從底部艚面和第一機構向外分出間隔。 2. 如申請専利範鼷第1項之帶子，其中：第一機構 包含一些询外引導的脊部其蜃繞凹虞的中央部份，脊部從 凹處的鑼艢面和蟵牆面側向地分出間。 3. 如申餹専利範匾第2項之帶子，其中：毎籲脊部 都有一植内斜面舆撇晶片的外表面互補。 4. 如申讅専利範圄第2項之帶子，其中：逭些脊部 是反V型的構件，每掴反V型構件含有向外和向内傾斜的 端部。 5. 如申讅專利範鼷第4項之带子，其中：逭些端部 成角度地對鱖放置在反V型構件之縱軸。 6. 如申餹專利範園第1項之帶子，其中：第二機構 在第一構件之靖部之間或角度地延伸。 7. 如申餹專利範臞第6項之帚子，其中：第二檐構 (請先閑讀背面之注意事項再滇寫本贾) •装· •打· •線· 本纸ft尺度邃两十鼸家輾準(CNS)甲4规格(210x297公釐) 199211 Α7 Β7 C7 D7 經濟部十央«準扃典工消费合作社印裂 六、申請專利範B 包含一些方形的構件。 8. 如申請専利範圍第1項之带子，其中：第二機構 包含一些支撑構件在第一機構端部之間成角度地延伸，毎 櫥支撑構件有一傾頂部牆面位於底部臃面上面。 9. 如申請専利範圍第8項之帶子，其中：第一機構 包含一些向上的脊部園繞凹處的中央部份，毎儀脊部有一 頂緣部位於頂部艢面之上。 1 0.如申餹専利範圍第9項之箝子，其中：每籲脊 部有一内斜面輿徵晶Η之外表面互補。 11. 一種容纳至少一舾微晶片之箝其微晶片含有凸 出接脚，其包含：一長條構件内有一些通常為方形側向分 開的凹處，每値凹處含有一打開的頂部，侧牆面和衊雇面 連接到底部嫌面逋底部鵃面含有第一脊部檐構其平行於 側牆面來延伸和第二脊部檐構其平行於嫌牆面$延伸，第 一脊部機構位於從第二脊部檐構向外鼷成的地方，第一和 第二脊部機構可以舆徽晶Η结合以致把微晶片固定在凹處 的中央部份，因此使微晶Η之接脚從餹艚面和嫌艚面向内 地分出間隔，以及支撺機構從第一和第二脊部機構之間延 伸以支捸微晶Η在底部麄面上之高起的位置，因此使撖晶 片之接臁從底*面和第一輿第二脊部機構向上分出間隔。 12. 如申請専利範園第11項之帚子，其中：第一 脊部機構包含一對向上反V型的第一脊部、第二菁部機構 包含一對向上反V型的第二脊部。 13. 如申鳙専利範第12項之帶子，其中：第一 ...............·::::“...............ί …： - {請先閱讀背面之注意事項再填寫本！β } •裝* •打. •線· 本紙張尺度遍用中家轘準(CNS) Τ4嫌格(210 x 297公釐） 1 199211 A7 B7 C7 D7 經濟部中央櫺準局霣工消费合作社印鼓 、 六'中請專利範面 脊部是在兩櫥第二脊部之間的中央。 14. 如申請專利範圃第12項之箝子，其中：毎個 第一脊部和第二脊部有一内斜面與微晶片之外表面互補。 15. 如申讅專利範圔第11項之帶子，其中：第一 和第二脊部是反V型構件，毎匍反V型構件有向上和向内 傾斜的端部。 16. 如申請専利範匯第15項之帶子，其中，毎傾 端部成角度地對應位於反V型構件之縱軸上。 17. 如申請專利範園第11項之帚子，其中：支撑 機構在第一脊部檐構之端部和第二脊部機構之端部之間成 角度地延伸。 18. 如申讅専利範園第17項之帶子，其中·•支揮 機構包含一些方形的構件。 19. 如申請専利範匾第11項之帶子，其中：支撑 機構包含一些支撑構件在第一脊部機構之端部和第二脊部 機構之端部之閭成角度地延伸，毎値支撑構件有一頂部牆 面位於底部臁面之上面。 20. 如申請専利範圃第19項之箝子，其中：第一 脊部機構包含一對向上引導的第一脊部，第二脊部機構包 含一對向上引導的第二脊部，毎値第一和第二脊部有一頂 鐮部位於頂部艢面之上面。 21. 如申請專利範圃第20項之薄子，其中：毎铕 第一和第二脊部有一内斜面與撖晶Η之外表面互補。 22. —種撖晶Μ鏟存播，容纳至少一ft撖晶片之帶 本紙羅尺度邃用十家輾旱(CNS)甲4嫌格(210x297公轚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·{ .裝. •打· _線· 3 Α7 Β7 C7 D7 l992ii 六、申請專利範面 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本π ) 子，其撖晶片含有凸出的接脚和凸耳，其包含：一長條構 件其含有至少一値凹處以儲存撖晶H,逭凹處有一打開的 頂部，側艚面和端艚面連接到底部艚面，倒餹面和端Μ面 可以舆撖晶片之凸耳结合以致把微晶Η固定在凹處内，和 支捸檐構其用來支撑撇晶片的凸耳，因此撇晶Η是位於底 部艢面上高起的位置，和微晶片之接腳從支撑檐構，価艚 面和端牆面向内分出間隔並且從底部牆面向上分出間隔。 23. 如申請專利範匾第22項之帶子，其中：支捸 機構包含一些支撑檐構，毎儀支撑構件位於凹處的角落。 24. 如申餹專利範圍第23項之箝子，其中：毎值 支撑構件有一頂部«面位於凹處底部艚面之上面。 25. 如申鳙專利範園第24項之凿子，其中：毎嫡 支撑構件是一掴含有中凸形狀外鐮之通常為三角形的構件 〇 26. 如申餹專利範匾第22項之帶子，其中：毎偭* 側艚面和端艢面有一内斜面與微晶片之外表面互補。 *1濟部中央搮準ΛΛ工消费合作社印製 27. 如申請専利範匾第26項之箝子，其中：支撑 機構包含一些支撑構件從倒牆面和端臁面向内延伸到底部 牆面，毎個支撐構件位於凹處的角落。 28. 如申請專利範園第27項之帶子，其中：每傾 支撑構件有一頂部臁面位於凹處之底部牆面的上面。 -A 本紙ft尺度邃用中 家樣準(CNS)T4规格(210x297公嫠)