TH92086A - องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ - Google Patents
องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์Info
- Publication number
- TH92086A TH92086A TH502004533F TH0502004533F TH92086A TH 92086 A TH92086 A TH 92086A TH 502004533 F TH502004533 F TH 502004533F TH 0502004533 F TH0502004533 F TH 0502004533F TH 92086 A TH92086 A TH 92086A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- imaging
- polymer
- methacrylate
- photoresist
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (25/06/50) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วย, a) โพลิเมอร์ ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นี้ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งหน่วยที่มี โครงสร้าง 1, (สูตรเคมี) (1) ซึ่ง, R' ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, (C1-C4)แอลคิล, คลอรีน, โบรมีน และ m เป็น จำนวนเต็มจาก 1 ถึง 4; b) อย่างน้อยหนึ่งโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 1; (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง, W เป็นหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, R1 ถึง R6 ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, ไฮดรอกซิล, (C1-C20)แอลคิล และคลอรีน, X1 และ X2 โดยที่เป็นอิสระคือออกซิเจนหรือ N-R7, ซึ่ง R7 เป็นไฮโดรเจนหรือ (C1-C20)แอลคิล, และ n เป็นจำนวนเต็มที่เท่ากับหรือมากกว่า 1, และ c) โฟโตอินิชิเอเตอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับกรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพ แก่สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์นี้ด้วยเช่นกัน การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วย, a) โพลิเมอร์ ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นี้ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งหน่วยที่มี โครงสร้าง 1, (สูตรเคมี) (1) ซึ่ง, R' ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, (C1-C4)แอลคิล, คลอรีน, โบรมีน และ m เป็น จำนวนเต็มจาก 1 ถึง 4; b) อย่างน้อยหนึ่งโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 1; (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง, W เป็นหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, R1 ถึง R6 ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, ไฮดรอกซิล, (C1-C20)แอลคิล และคลอรีน, X1 และ X2 โดยที่เป็นอิสระคือออกซิเจนหรือ N-R7, ซึ่ง R7 เป็นไฮโดรเจนหรือ (C1-C20)แอลคิล, และ n เป็นจำนวนเต็มที่เท่ากับหรือมากกว่า 1, และ c) โฟโตอินิชิเอเตอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับกรรมวิธีสำหรัรบทำให้เกิดภาพ แก่สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์นี้ด้วยเช่นกัน
Claims (2)
1-ไฮดรอกซิไซโคลเฮกซิลฟีนิลคีโตน, 2,
2-ไดเมธอกซิ-1,2-ไดฟีนิลอีธาน-1-โอน, บิส(2,4,6-ไตรเมธิลเบนโซอิล)ฟีนิลฟอสฟีนออกไซด์, 1-[4-(2-ไฮดรอกซิเอธอกซิ)ฟีนิล]-2- ไฮดรอกซิ-2-เมธิล-1-โพรเพน-1-โอน, 2-เบนซิล-2-ไดเมธิลอะมิโน-1-(4-มอร์โฟลิโนฟีนิล) บิวทาโนน, 2-เมธิล-1-[4-(เมธิลไธโอ)ฟีนิล]-2-มอร์โฟลิโนโพรพาน-1-โอน, และ 2-ไฮดรอกซิ-2- เมธิล-1-ฟีนิลโพรพาน-1-โอน 12. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยตัวทำให้เกิดกรด ด้วยความร้อน และ/หรือตัวทำให้เกิดโฟโตแอซิด 13. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยเซคันดารี่โพลิเมอร์ 14. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งเซคันดารี่โพลิเมอร์นี้ถูกเลือกมาจากโพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มี(เมธ)อะคริลิกแอซิด ชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์หรือโคโพลิเมอร์ ที่มี(เมธ)อะคริเลตชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มีไวนิลเอสเทอร์ ชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มีไวนิลอะโรมาติกชนิดไม่ถูกแทนที่ หรือถูกแทนที่, (เมธ)อะคริลิกแอซิด-สไตรีน โคโพลิเมอร์ และโนโวแล็คโพลิเมอร์ 15. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 นี้เกิดเป็นฟิล์มที่มี ความหนาอยู่ในช่วงประมาณ 2 ไมครอน ถึงประมาณ 200 ไมครอน 16. กรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพแก่เนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ, a) การทำให้เกิดเป็นชั้นของสารเคลือบโฟโตรีซิสท์จากสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 บนซับสเตรต; b) การเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพแก่โฟโตรีซิสท์ด้วยอุปกรณ์เปิดรับแสง; และ, d) การทำให้สารเคลือบเกิดเป็นภาพด้วยสารละลายที่ทำให้เกิดภาพ 17. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งชั้นเคลือบโฟโตรีซิสท์นี้มีความหนาของฟิล์ม อยู่ในช่วงประมาณ 2 ไมครอน ถึงประมาณ 200 ไมครอน 18. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งรังสีสำหรับการเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพ มีความยาวคลื่นมากกว่า 200 นาโนเมตร 19. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยขั้นตอนของการกำจัด ชั้นเคลือบโฟโตรีซิสท์ออกจากซับสเตรต 20. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 19, ซึ่งขั้นตอนการกำจัดนี้ประกอบรวมด้วยการให้ความร้อน แก่โฟโตรีซิสท์ฟิล์มหลังจากขั้นตอนการทำให้เกิดภาพ, และแยกเอาโฟโตรีซิสท์ฟิล์มนี้ออกจาก ซับสเตรตในสารละลายด่างชนิดแอคเควียส 21. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยการเปิดรับแสงแก่ โฟโตรีซิสท์ฟิล์มนี้
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH82731S TH82731S (th) | 2007-02-01 |
| TH92086A true TH92086A (th) | 2008-10-31 |
| TH29195S1 TH29195S1 (th) | 2010-11-26 |
| TH82731B TH82731B (th) | 2021-05-19 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW563000B (en) | Positive resist composition and process for forming resist pattern using same | |
| US9156785B2 (en) | Base reactive photoacid generators and photoresists comprising same | |
| WO2010001913A1 (ja) | アクリル酸エステル誘導体、ハロエステル誘導体、高分子化合物およびフォトレジスト組成物 | |
| TW201314368A (zh) | 氟化氬浸潤式曝光用化學增幅正型光阻材料及圖案形成方法 | |
| CN102796223A (zh) | 聚合物组合物以及包含所述聚合物的光刻胶 | |
| JP2009221194A (ja) | 光酸発生基結合型多価フェノール誘導体、該誘導体の製造方法及び該誘導体を含む電子線用又はeuv用化学増幅型レジスト組成物 | |
| JP2008163056A (ja) | ハイパーブランチポリマーの合成方法、ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法 | |
| JPWO2007020734A1 (ja) | ナノ平滑性とエッチング耐性を有するフォトレジストポリマーならびにレジスト組成物 | |
| JP5601809B2 (ja) | フォトレジスト用重合体及び組成物 | |
| WO2018008610A1 (ja) | 感光性組成物、重合体の製造方法、感光性組成物の製造方法、積層体の製造方法 | |
| JP2023169814A (ja) | 新規スルホニウム塩型重合性単量体、高分子光酸発生剤、ベース樹脂、レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
| TH82731B (th) | องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ | |
| JP4288025B2 (ja) | フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
| JP2008184513A (ja) | ハイパーブランチポリマーの合成方法 | |
| JP4481790B2 (ja) | 重合性化合物の製造方法 | |
| JP2008179770A (ja) | コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法、コアシェル型ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2006163345A5 (th) | ||
| JP2007241121A (ja) | 極端紫外線用レジスト組成物 | |
| KR20230147110A (ko) | 표면 조정제, 감광성 수지 조성물, 경화물 및 디스플레이 | |
| JP4201240B2 (ja) | 新規不飽和カルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジスト組成物 | |
| JP4045210B2 (ja) | アダマンチルアルキルビニルエーテルの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
| JP2009144059A (ja) | コアシェル型ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP2008163242A (ja) | コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法 | |
| KR102563205B1 (ko) | 말레이미드 유도체를 중합단위로 포함하는 알칼리 가용성 공중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
| KR102864009B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 |