TH92086A - องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ - Google Patents

องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์

Info

Publication number
TH92086A
TH92086A TH502004533F TH0502004533F TH92086A TH 92086 A TH92086 A TH 92086A TH 502004533 F TH502004533 F TH 502004533F TH 0502004533 F TH0502004533 F TH 0502004533F TH 92086 A TH92086 A TH 92086A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
mixture
imaging
polymer
methacrylate
photoresist
Prior art date
Application number
TH502004533F
Other languages
English (en)
Other versions
TH82731S (th
TH82731B (th
TH29195S1 (th
Inventor
พาวโลว์สกี้ จอร์จ
โอเบอร์แลนด์เดอร์ โจเซฟ
เซน ชุนเหวย
พลาสส์ โรเบิร์ต
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายรุทร นพคุณ
เมิร์ค เพเต็นท์ จีเอ็มบีเอช
Filing date
Publication date
Publication of TH82731S publication Critical patent/TH82731S/th
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายรุทร นพคุณ, เมิร์ค เพเต็นท์ จีเอ็มบีเอช filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH92086A publication Critical patent/TH92086A/th
Publication of TH29195S1 publication Critical patent/TH29195S1/th
Publication of TH82731B publication Critical patent/TH82731B/th

Links

Abstract

DC60 (25/06/50) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วย, a) โพลิเมอร์ ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นี้ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งหน่วยที่มี โครงสร้าง 1, (สูตรเคมี) (1) ซึ่ง, R' ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, (C1-C4)แอลคิล, คลอรีน, โบรมีน และ m เป็น จำนวนเต็มจาก 1 ถึง 4; b) อย่างน้อยหนึ่งโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 1; (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง, W เป็นหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, R1 ถึง R6 ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, ไฮดรอกซิล, (C1-C20)แอลคิล และคลอรีน, X1 และ X2 โดยที่เป็นอิสระคือออกซิเจนหรือ N-R7, ซึ่ง R7 เป็นไฮโดรเจนหรือ (C1-C20)แอลคิล, และ n เป็นจำนวนเต็มที่เท่ากับหรือมากกว่า 1, และ c) โฟโตอินิชิเอเตอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับกรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพ แก่สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์นี้ด้วยเช่นกัน การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วย, a) โพลิเมอร์ ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นี้ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งหน่วยที่มี โครงสร้าง 1, (สูตรเคมี) (1) ซึ่ง, R' ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, (C1-C4)แอลคิล, คลอรีน, โบรมีน และ m เป็น จำนวนเต็มจาก 1 ถึง 4; b) อย่างน้อยหนึ่งโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 1; (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง, W เป็นหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, R1 ถึง R6 ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, ไฮดรอกซิล, (C1-C20)แอลคิล และคลอรีน, X1 และ X2 โดยที่เป็นอิสระคือออกซิเจนหรือ N-R7, ซึ่ง R7 เป็นไฮโดรเจนหรือ (C1-C20)แอลคิล, และ n เป็นจำนวนเต็มที่เท่ากับหรือมากกว่า 1, และ c) โฟโตอินิชิเอเตอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับกรรมวิธีสำหรัรบทำให้เกิดภาพ แก่สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์นี้ด้วยเช่นกัน

Claims (2)

------14/09/2561------(OCR) หน้า 3 ของจำนวน 5 หน้า 12.สารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสามารถเกิดเป็นฟิล์มที่มีความหนาอยู่ในช่วง 2 ไมครอน ถึง 200 ไมครอน 13.กรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพแก่เนกาทีฟโฟโต1ซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วยขันตอนของ, a)การทำให้เกิดเป็นชันของสารเคลือบโฟโตรีซิสท์จากสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 บนซับสเตรต; b)การเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพแก่โฟโตรีชิสท์ด้วยอุปกรณ์เปิดรับแสง; และ, d) การทำให้สารเคลือบเกิดเป็นภาพด้วยสารละลายที่ทำให้เกิดภาพ 14.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งชั้นเคลือบโฟโตรีชิสทํนมความหนาของฟิล์ม อยู่ในช่วง 2 ไมครอน ถึง 200 ไมครอน 15. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งรังสสำหรับการเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพ มีความขาวคลื่นจาก 200 นาโนเมตร ถึง 450 นาโนเมตร 16.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย1ขั้นตอน1ของการกำจัด ชันเคลือบโฟโตรีชิสท์ออกจากซับสเตรต 17.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งขันตอนการกำจัดนีประกอบรวมด้วยการให้ความร้อน แก่ชันเคลือบโฟโตรีชิสท์หลังจากขันตอนการทำให้เกิดภาพ, และแยกเอาชันเคลือบโฟโตรี1ซิสท์นี ออกจากซับสเตรตในสารละลายด่างชนิดแอคเควียส 18.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยการเปิดรับแสงแก่ ชันเคลือบโฟโตรีซิสท์หลังจากขันตอนการทำให้เกิดภาพ 19.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งสารละลายที่ทำให้เกิดภาพนีประกอบรวมด้วย สารละลายชนิดแอคเควียสที่ประกอบรวมด้วยสารประกอบ อย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจาก เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, โซเดียมไฮดรอกไซด์ และโปแตสเชียมไฮดรอกไซด์ 20.สารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งหมู่ที่แตกออกได้ด้วยกรดของโมโนเมอร์ประกอบ รวมด้วยเทอร์เชียรีคาร์บอนอะตอม ที่ติดอยู่กับ X, และ/หรือ x2 21.สารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยตัวทำให้เกิดกรดด้วย ความร้อน และ/หรือ ตัวทำให้เกิดโฟโตแอชิด 22.สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีชิสท์ซึ่งประกอบรวมด้วย: a) โพลิเมอร์ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นีประกอบรวมด้วยอย่าง น้อยหนึ่งหน่วยที่มีโครงสร้าง 1, ------------ 1. สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วย; a) โพลิเมอร์ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นี้ประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งหน่วยที่มีโครงสร้าง 1, (สูตรเคมี) (1) ซึ่ง, R' ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, (C1-C4)แอลคิล, คลอรีน, โบรมีน และ m เป็นจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 4; b) อย่างน้อยหนึ่งโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 4; (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง, W เป็นหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, R1 ถึง R6 ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, ไฮดรอกซิล, (C1-C20)แอลคิล และคลอรีน, X1 และ X2 โดยที่เป็นอิสระคือ ออกซิเจน และ n เป็นจำนวน เต็มที่เท่ากับหรือมากกว่า 1, และ c) โฟโตอินิชิเอเตอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด และซึ่งเพิ่มเติมที่โมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 4 ประกอบรวมด้วยหมู่ที่แตกออกได้ด้วยกรด และ โพลิเมอร์ชนิดละลายในต่างที่ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยหมู่ที่แตกออกได้ด้วยกรด 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งโพลิเมอร์ชนิดละลายในด่างนี้ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย หมู่กรดที่แตกออกได้, และ/หรือโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 4 ซึ่งประกอบรวมด้วยหมู่กรดที่แตกออกได้ 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งหน่วยที่มีโครงสร้าง 1 นี้ได้มาจากโมโนเมอร์ที่เลือก มาจาก 3-ไฮดรอกซิสไตรีน, 4-ไฮดรอกซิสไตรีน, 3-เมธิล-4-ไฮดอกซิสไตรีน,3,5-ไดเมธิล-4- ไฮดรอกซิสไตรีน, และ 3,5-ไดโบรโม-4-ไฮดรอกซิสไตรีน 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งโพลิเมอร์ชนิดละลายในด่างนี้ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย หน่วยโมโนเมอร์เพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งหน่วย 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 4, ซึ่งหน่วยโมโนเมอร์เพิ่มเติมนี้ได้มาจากโมโนเมอร์ ที่เลือกมาจากเมธิล(เมธ)อะคริเลต, n-บิวทิล(เมธาคริเลต), ฟีนิล(เมธาคริเลต), เบนซิล(เมธาคริเลต), สไตรีน, ไฮดรอกซิสไตรีนที่มีหมู่กรดที่แตกออกได้ล เอธิลีนิกโคโมโนเมอร์ ที่มีหมู่กรดที่แตกออกได้, และอนุพันธ์นอร์บอร์นีนที่มีหมู่กรดที่แตกออกได้ 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 2, ซึ่งหมู่กรดที่แตกออกได้นี้ถูกเลือกมาจาก C(O)-O-C, C-O-C และ C-O-Si 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, W, ถูกเลือกมาจาก โพลิเมอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด, (C1-C20)แอลคิลีน และ (C2-C3)แอลคอกซิเลตเตด(C1-C20)แอลคิลีน 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งในโครงสร้าง 4, n อยู่ในช่วงจาก 1 ถึง 7 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสารประกอบที่มีโครงสร้าง 4 นี้คือ ได(เมธ)อะคริเลตโมโนเมอร์ 10. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งโมโนเมอร์นี้ถูกเลือกมาจากสารอย่างน้อยหนึ่งชนิด ของเอธิลีนไกลคอลได(เมธ)อะคริเลต, ไดเอธิลีนไกลคอลได(เมธ)อะคริเลต, บิวเทนไดออลได(เมธาคริเลต), 2,5-ไดเมธิล-2,5-เฮกเซนไดออลได(เมธาคริเลต), 2,5-ไดเมธิล-2,5- เฮกซ-3-อายน์-ไดออลได(เมธาคริเลต), กลิเซอรีนไตร(เมธาคริเลต), เพนตะเอริธรอลเตตระ(เมธาคริเลต), เพนตะเอริธริทอลเพนตะ(เมธาคริเลต), และ เพนตะเอริธริทอลเฮกซา(เมธาคริเลต) 11. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งโฟโตอินิชิเอเตอร์นี้คือสารอย่างน้อยหนึ่งชนิดของ
1-ไฮดรอกซิไซโคลเฮกซิลฟีนิลคีโตน, 2,
2-ไดเมธอกซิ-1,2-ไดฟีนิลอีธาน-1-โอน, บิส(2,4,6-ไตรเมธิลเบนโซอิล)ฟีนิลฟอสฟีนออกไซด์, 1-[4-(2-ไฮดรอกซิเอธอกซิ)ฟีนิล]-2- ไฮดรอกซิ-2-เมธิล-1-โพรเพน-1-โอน, 2-เบนซิล-2-ไดเมธิลอะมิโน-1-(4-มอร์โฟลิโนฟีนิล) บิวทาโนน, 2-เมธิล-1-[4-(เมธิลไธโอ)ฟีนิล]-2-มอร์โฟลิโนโพรพาน-1-โอน, และ 2-ไฮดรอกซิ-2- เมธิล-1-ฟีนิลโพรพาน-1-โอน 12. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยตัวทำให้เกิดกรด ด้วยความร้อน และ/หรือตัวทำให้เกิดโฟโตแอซิด 13. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยเซคันดารี่โพลิเมอร์ 14. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งเซคันดารี่โพลิเมอร์นี้ถูกเลือกมาจากโพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มี(เมธ)อะคริลิกแอซิด ชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์หรือโคโพลิเมอร์ ที่มี(เมธ)อะคริเลตชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มีไวนิลเอสเทอร์ ชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มีไวนิลอะโรมาติกชนิดไม่ถูกแทนที่ หรือถูกแทนที่, (เมธ)อะคริลิกแอซิด-สไตรีน โคโพลิเมอร์ และโนโวแล็คโพลิเมอร์ 15. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 นี้เกิดเป็นฟิล์มที่มี ความหนาอยู่ในช่วงประมาณ 2 ไมครอน ถึงประมาณ 200 ไมครอน 16. กรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพแก่เนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ, a) การทำให้เกิดเป็นชั้นของสารเคลือบโฟโตรีซิสท์จากสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 บนซับสเตรต; b) การเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพแก่โฟโตรีซิสท์ด้วยอุปกรณ์เปิดรับแสง; และ, d) การทำให้สารเคลือบเกิดเป็นภาพด้วยสารละลายที่ทำให้เกิดภาพ 17. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งชั้นเคลือบโฟโตรีซิสท์นี้มีความหนาของฟิล์ม อยู่ในช่วงประมาณ 2 ไมครอน ถึงประมาณ 200 ไมครอน 18. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งรังสีสำหรับการเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพ มีความยาวคลื่นมากกว่า 200 นาโนเมตร 19. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยขั้นตอนของการกำจัด ชั้นเคลือบโฟโตรีซิสท์ออกจากซับสเตรต 20. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 19, ซึ่งขั้นตอนการกำจัดนี้ประกอบรวมด้วยการให้ความร้อน แก่โฟโตรีซิสท์ฟิล์มหลังจากขั้นตอนการทำให้เกิดภาพ, และแยกเอาโฟโตรีซิสท์ฟิล์มนี้ออกจาก ซับสเตรตในสารละลายด่างชนิดแอคเควียส 21. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยการเปิดรับแสงแก่ โฟโตรีซิสท์ฟิล์มนี้
TH502004533F 2007-03-27 องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ TH82731B (th)

Publications (4)

Publication Number Publication Date
TH82731S TH82731S (th) 2007-02-01
TH92086A true TH92086A (th) 2008-10-31
TH29195S1 TH29195S1 (th) 2010-11-26
TH82731B TH82731B (th) 2021-05-19

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW563000B (en) Positive resist composition and process for forming resist pattern using same
US9156785B2 (en) Base reactive photoacid generators and photoresists comprising same
WO2010001913A1 (ja) アクリル酸エステル誘導体、ハロエステル誘導体、高分子化合物およびフォトレジスト組成物
TW201314368A (zh) 氟化氬浸潤式曝光用化學增幅正型光阻材料及圖案形成方法
CN102796223A (zh) 聚合物组合物以及包含所述聚合物的光刻胶
JP2009221194A (ja) 光酸発生基結合型多価フェノール誘導体、該誘導体の製造方法及び該誘導体を含む電子線用又はeuv用化学増幅型レジスト組成物
JP2008163056A (ja) ハイパーブランチポリマーの合成方法、ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法
JPWO2007020734A1 (ja) ナノ平滑性とエッチング耐性を有するフォトレジストポリマーならびにレジスト組成物
JP5601809B2 (ja) フォトレジスト用重合体及び組成物
WO2018008610A1 (ja) 感光性組成物、重合体の製造方法、感光性組成物の製造方法、積層体の製造方法
JP2023169814A (ja) 新規スルホニウム塩型重合性単量体、高分子光酸発生剤、ベース樹脂、レジスト組成物及びパターン形成方法
TH82731B (th) องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์
JP4288025B2 (ja) フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
JP2008184513A (ja) ハイパーブランチポリマーの合成方法
JP4481790B2 (ja) 重合性化合物の製造方法
JP2008179770A (ja) コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法、コアシェル型ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法
JP2006163345A5 (th)
JP2007241121A (ja) 極端紫外線用レジスト組成物
KR20230147110A (ko) 표면 조정제, 감광성 수지 조성물, 경화물 및 디스플레이
JP4201240B2 (ja) 新規不飽和カルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジスト組成物
JP4045210B2 (ja) アダマンチルアルキルビニルエーテルの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
JP2009144059A (ja) コアシェル型ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008163242A (ja) コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法
KR102563205B1 (ko) 말레이미드 유도체를 중합단위로 포함하는 알칼리 가용성 공중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR102864009B1 (ko) 감광성 수지 조성물