Claims (2)
------14/09/2561------(OCR) หน้า 3 ของจำนวน 5 หน้า 12.สารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสามารถเกิดเป็นฟิล์มที่มีความหนาอยู่ในช่วง 2 ไมครอน ถึง 200 ไมครอน 13.กรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพแก่เนกาทีฟโฟโต1ซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วยขันตอนของ, a)การทำให้เกิดเป็นชันของสารเคลือบโฟโตรีซิสท์จากสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 บนซับสเตรต; b)การเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพแก่โฟโตรีชิสท์ด้วยอุปกรณ์เปิดรับแสง; และ, d) การทำให้สารเคลือบเกิดเป็นภาพด้วยสารละลายที่ทำให้เกิดภาพ 14.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งชั้นเคลือบโฟโตรีชิสทํนมความหนาของฟิล์ม อยู่ในช่วง 2 ไมครอน ถึง 200 ไมครอน 15. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งรังสสำหรับการเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพ มีความขาวคลื่นจาก 200 นาโนเมตร ถึง 450 นาโนเมตร 16.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย1ขั้นตอน1ของการกำจัด ชันเคลือบโฟโตรีชิสท์ออกจากซับสเตรต 17.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งขันตอนการกำจัดนีประกอบรวมด้วยการให้ความร้อน แก่ชันเคลือบโฟโตรีชิสท์หลังจากขันตอนการทำให้เกิดภาพ, และแยกเอาชันเคลือบโฟโตรี1ซิสท์นี ออกจากซับสเตรตในสารละลายด่างชนิดแอคเควียส 18.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยการเปิดรับแสงแก่ ชันเคลือบโฟโตรีซิสท์หลังจากขันตอนการทำให้เกิดภาพ 19.กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งสารละลายที่ทำให้เกิดภาพนีประกอบรวมด้วย สารละลายชนิดแอคเควียสที่ประกอบรวมด้วยสารประกอบ อย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจาก เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, โซเดียมไฮดรอกไซด์ และโปแตสเชียมไฮดรอกไซด์ 20.สารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งหมู่ที่แตกออกได้ด้วยกรดของโมโนเมอร์ประกอบ รวมด้วยเทอร์เชียรีคาร์บอนอะตอม ที่ติดอยู่กับ X, และ/หรือ x2 21.สารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยตัวทำให้เกิดกรดด้วย ความร้อน และ/หรือ ตัวทำให้เกิดโฟโตแอชิด 22.สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีชิสท์ซึ่งประกอบรวมด้วย: a) โพลิเมอร์ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นีประกอบรวมด้วยอย่าง น้อยหนึ่งหน่วยที่มีโครงสร้าง 1, ------------ 1. สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วย; a) โพลิเมอร์ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นี้ประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งหน่วยที่มีโครงสร้าง 1, (สูตรเคมี) (1) ซึ่ง, R' ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, (C1-C4)แอลคิล, คลอรีน, โบรมีน และ m เป็นจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 4; b) อย่างน้อยหนึ่งโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 4; (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง, W เป็นหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, R1 ถึง R6 ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, ไฮดรอกซิล, (C1-C20)แอลคิล และคลอรีน, X1 และ X2 โดยที่เป็นอิสระคือ ออกซิเจน และ n เป็นจำนวน เต็มที่เท่ากับหรือมากกว่า 1, และ c) โฟโตอินิชิเอเตอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด และซึ่งเพิ่มเติมที่โมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 4 ประกอบรวมด้วยหมู่ที่แตกออกได้ด้วยกรด และ โพลิเมอร์ชนิดละลายในต่างที่ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยหมู่ที่แตกออกได้ด้วยกรด 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งโพลิเมอร์ชนิดละลายในด่างนี้ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย หมู่กรดที่แตกออกได้, และ/หรือโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 4 ซึ่งประกอบรวมด้วยหมู่กรดที่แตกออกได้ 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งหน่วยที่มีโครงสร้าง 1 นี้ได้มาจากโมโนเมอร์ที่เลือก มาจาก 3-ไฮดรอกซิสไตรีน, 4-ไฮดรอกซิสไตรีน, 3-เมธิล-4-ไฮดอกซิสไตรีน,3,5-ไดเมธิล-4- ไฮดรอกซิสไตรีน, และ 3,5-ไดโบรโม-4-ไฮดรอกซิสไตรีน 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งโพลิเมอร์ชนิดละลายในด่างนี้ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย หน่วยโมโนเมอร์เพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งหน่วย 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 4, ซึ่งหน่วยโมโนเมอร์เพิ่มเติมนี้ได้มาจากโมโนเมอร์ ที่เลือกมาจากเมธิล(เมธ)อะคริเลต, n-บิวทิล(เมธาคริเลต), ฟีนิล(เมธาคริเลต), เบนซิล(เมธาคริเลต), สไตรีน, ไฮดรอกซิสไตรีนที่มีหมู่กรดที่แตกออกได้ล เอธิลีนิกโคโมโนเมอร์ ที่มีหมู่กรดที่แตกออกได้, และอนุพันธ์นอร์บอร์นีนที่มีหมู่กรดที่แตกออกได้ 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 2, ซึ่งหมู่กรดที่แตกออกได้นี้ถูกเลือกมาจาก C(O)-O-C, C-O-C และ C-O-Si 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, W, ถูกเลือกมาจาก โพลิเมอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด, (C1-C20)แอลคิลีน และ (C2-C3)แอลคอกซิเลตเตด(C1-C20)แอลคิลีน 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งในโครงสร้าง 4, n อยู่ในช่วงจาก 1 ถึง 7 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสารประกอบที่มีโครงสร้าง 4 นี้คือ ได(เมธ)อะคริเลตโมโนเมอร์ 10. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งโมโนเมอร์นี้ถูกเลือกมาจากสารอย่างน้อยหนึ่งชนิด ของเอธิลีนไกลคอลได(เมธ)อะคริเลต, ไดเอธิลีนไกลคอลได(เมธ)อะคริเลต, บิวเทนไดออลได(เมธาคริเลต), 2,5-ไดเมธิล-2,5-เฮกเซนไดออลได(เมธาคริเลต), 2,5-ไดเมธิล-2,5- เฮกซ-3-อายน์-ไดออลได(เมธาคริเลต), กลิเซอรีนไตร(เมธาคริเลต), เพนตะเอริธรอลเตตระ(เมธาคริเลต), เพนตะเอริธริทอลเพนตะ(เมธาคริเลต), และ เพนตะเอริธริทอลเฮกซา(เมธาคริเลต) 11. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งโฟโตอินิชิเอเตอร์นี้คือสารอย่างน้อยหนึ่งชนิดของ------14/09/2561------(OCR) Page 3 of 5 pages 12. A mixture of claim 1, which can form a film thickness ranging from 2 microns to 200 microns. 13. A process for imaging a negative photocyst, which consists of the following steps: a) the formation of a photoresist coating from the mixture of claim 1 on a substrate; b) imaging exposure of the photoresist with an exposure device; and d) imaging of the coating with an imaging solution. 14. A process of claim 13, in which the photoresist coating forms a film thickness ranging from 2 microns to 200 microns. 15. A process of claim 13 in which radiation is used for imaging exposure. 15. A white wavelength ranging from 200 nm to 450 nm. 16. A procedure for claim 13, which includes an additional step 1 for removing the photoremoval coating from the substrate. 17. A procedure for claim 16, in which this removal step includes heating the photoremoval coating after the imaging step, and separating this photoremoval coating from the substrate in an aqueous alkaline solution. 18. A procedure for claim 13, which includes an additional exposure of the photoremoval coating after the imaging step. 19. A procedure for claim 13, in which this imaging solution consists of an aqueous solution containing at least one compound selected from tetramethylammonium hydroxide, sodium hydroxide, and potassium hydroxide. 20. A mixture of claim 1, in which the acid-dissociable group of the monomer contains a tertiary carbon atom attached to X, and/or x2. 21. A mixture of claim 1, in which an additional thermoacid and/or photoacid is incorporated. 22. A negative photoresist mixture in which: a) at least one alkali-soluble polymer, in which this polymer contains at least one unit of structure 1, ------------ 1. A negative photoresist mixture in which: a) at least one alkali-soluble polymer, in which this polymer contains at least one unit of structure 1, (chemical formula) (1) in which, R' is chosen independently of hydrogen, (C1-C4) alkyl, chlorine, bromine and m is an integer from 1 to 4; b) at least one monomer of structure 4; (Chemical formula) (4) in which, W is a multivalent linkage, R1 to R6 are independently chosen from hydrogen, hydroxyl, (C1-C20)alkyl and chlorine, X1 and X2 where oxygen is independent and n is an integer equal to or greater than 1, and c) at least one photoinitiator and which is added to the monomer with structure 4, which is further incorporated with an acid-dissociating group and the soluble polymer which is further incorporated with an acid-dissociating group. 2. The mixture according to claim 1, in which this soluble polymer is further incorporated with an acid-dissociating group. A dissociable acid group, and/or a structure 4 monomer incorporating a dissociable acid group. 3. A mixture under claim 1, in which the structure 1 unit is derived from selected monomers of 3-hydroxystyrene, 4-hydroxystyrene, 3-methyl-4-hydroxystyrene, 3,5-dimethyl-4-hydroxystyrene, and 3,5-dibromo-4-hydroxystyrene. 4. A mixture under claim 1, in which this alkali-soluble polymer is further incorporating at least one additional monomer unit. 5. A mixture under claim 4, in which the additional monomer unit is derived from selected monomers of methyl(meth)acrylate, n-butyl(methacrylate), phenyl(methacrylate), benzyl(methacrylate), styrene, and hydroxystyrene containing a dissociable acid group. 6. An ethylenedimethyl monomer containing a dissociable acid group, and a norbornene derivative containing a dissociable acid group. 7. A mixture under claim 2, in which the dissociable acid group is chosen from C(O)-O-C, C-O-C and C-O-Si. 8. A mixture under claim 1, in which the multivalent linkage, W, is chosen from at least one polymer, (C1-C20)alkylene and (C2-C3)alcoxylated(C1-C20)alkylene. 9. A mixture under claim 1, in which in structure 4, n is in the range from 1 to 7. 10. A mixture under claim 1, in which the compound in structure 4 is a di(meth)acrylate monomer. 11. A mixture under claim 1, in which the monomer is chosen from at least one of the aforementioned polymers. Ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, butanediol di(methacrylate), 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol di(methacrylate), 2,5-dimethyl-2,5-hex-3-yne-diol di(methacrylate), glycerin tri(methacrylate), pentaerythrol tetra(methacrylate), pentaerythritol penta(methacrylate), and pentaerythritol hexa(methacrylate). 11. A mixture according to claim 1, in which this photoinitiator is at least one of the following substances:
1-ไฮดรอกซิไซโคลเฮกซิลฟีนิลคีโตน, 2,1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2,
2-ไดเมธอกซิ-1,2-ไดฟีนิลอีธาน-1-โอน, บิส(2,4,6-ไตรเมธิลเบนโซอิล)ฟีนิลฟอสฟีนออกไซด์, 1-[4-(2-ไฮดรอกซิเอธอกซิ)ฟีนิล]-2- ไฮดรอกซิ-2-เมธิล-1-โพรเพน-1-โอน, 2-เบนซิล-2-ไดเมธิลอะมิโน-1-(4-มอร์โฟลิโนฟีนิล) บิวทาโนน, 2-เมธิล-1-[4-(เมธิลไธโอ)ฟีนิล]-2-มอร์โฟลิโนโพรพาน-1-โอน, และ 2-ไฮดรอกซิ-2- เมธิล-1-ฟีนิลโพรพาน-1-โอน 12. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยตัวทำให้เกิดกรด ด้วยความร้อน และ/หรือตัวทำให้เกิดโฟโตแอซิด 13. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยเซคันดารี่โพลิเมอร์ 14. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งเซคันดารี่โพลิเมอร์นี้ถูกเลือกมาจากโพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มี(เมธ)อะคริลิกแอซิด ชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์หรือโคโพลิเมอร์ ที่มี(เมธ)อะคริเลตชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มีไวนิลเอสเทอร์ ชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มีไวนิลอะโรมาติกชนิดไม่ถูกแทนที่ หรือถูกแทนที่, (เมธ)อะคริลิกแอซิด-สไตรีน โคโพลิเมอร์ และโนโวแล็คโพลิเมอร์ 15. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 นี้เกิดเป็นฟิล์มที่มี ความหนาอยู่ในช่วงประมาณ 2 ไมครอน ถึงประมาณ 200 ไมครอน 16. กรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพแก่เนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ, a) การทำให้เกิดเป็นชั้นของสารเคลือบโฟโตรีซิสท์จากสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 บนซับสเตรต; b) การเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพแก่โฟโตรีซิสท์ด้วยอุปกรณ์เปิดรับแสง; และ, d) การทำให้สารเคลือบเกิดเป็นภาพด้วยสารละลายที่ทำให้เกิดภาพ 17. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งชั้นเคลือบโฟโตรีซิสท์นี้มีความหนาของฟิล์ม อยู่ในช่วงประมาณ 2 ไมครอน ถึงประมาณ 200 ไมครอน 18. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งรังสีสำหรับการเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพ มีความยาวคลื่นมากกว่า 200 นาโนเมตร 19. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยขั้นตอนของการกำจัด ชั้นเคลือบโฟโตรีซิสท์ออกจากซับสเตรต 20. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 19, ซึ่งขั้นตอนการกำจัดนี้ประกอบรวมด้วยการให้ความร้อน แก่โฟโตรีซิสท์ฟิล์มหลังจากขั้นตอนการทำให้เกิดภาพ, และแยกเอาโฟโตรีซิสท์ฟิล์มนี้ออกจาก ซับสเตรตในสารละลายด่างชนิดแอคเควียส 21. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยการเปิดรับแสงแก่ โฟโตรีซิสท์ฟิล์มนี้2-dimethoxy-1,2-diphenylethano-1-one, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propane-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)butanone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropane-1-one, and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1-one 12. Mixtures according to claim 1, which are further incorporated with a heat-activated acidifier and/or a photoacidifier. 13. Mixtures according to claim 1, 14. The mixture according to claim 13, in which the secondary polymer is selected from a polymer or copolymer containing (meth)acrylate, non-replaced or replaced; a polymer or copolymer containing (meth)acrylate, non-replaced or replaced; a polymer or copolymer containing vinyl ester, non-replaced or replaced; a polymer or copolymer containing vinyl aromatic, non-replaced or replaced; (meth)acrylate-styrene copolymer; and novolac polymer. 15. The mixture according to claim 1, in which the mixture according to claim 1 forms a film with a thickness ranging from approximately 2 microns to approximately 200 microns. 16. The process for image formation of the negative photoresist, which includes the following steps: a) formation of a photoresist coating layer from the mixture according to claim 1 on the substrate; b) Imaging exposure of the photoresist with an exposure device; and, d) Imaging of the coating with an imaging solution. 17. A procedure under claim 16, in which the photoresist coating has a film thickness ranging from approximately 2 microns to approximately 200 microns. 18. A procedure under claim 16, in which the imaging radiation has a wavelength greater than 200 nanometers. 19. A procedure under claim 16, which includes an additional step for removing the photoresist coating from the substrate. 20. A procedure under claim 19, in which this removal step includes heating the photoresist film after the imaging step, and separating the photoresist film from the substrate in an aqueous alkaline solution. 21. A procedure under claim 16, which includes additional exposure to This photoresis film