TH82731B - องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ - Google Patents
องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์Info
- Publication number
- TH82731B TH82731B TH502004533F TH0502004533F TH82731B TH 82731 B TH82731 B TH 82731B TH 502004533 F TH502004533 F TH 502004533F TH 0502004533 F TH0502004533 F TH 0502004533F TH 82731 B TH82731 B TH 82731B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- imaging
- methacrylate
- polymer
- photoresist
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (25/06/50) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วย, a) โพลิเมอร์ ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นี้ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งหน่วยที่มี โครงสร้าง 1, (สูตรเคมี) (1) ซึ่ง, R' ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, (C1-C4)แอลคิล, คลอรีน, โบรมีน และ m เป็น จำนวนเต็มจาก 1 ถึง 4; b) อย่างน้อยหนึ่งโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 1; (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง, W เป็นหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, R1 ถึง R6 ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, ไฮดรอกซิล, (C1-C20)แอลคิล และคลอรีน, X1 และ X2 โดยที่เป็นอิสระคือออกซิเจนหรือ N-R7, ซึ่ง R7 เป็นไฮโดรเจนหรือ (C1-C20)แอลคิล, และ n เป็นจำนวนเต็มที่เท่ากับหรือมากกว่า 1, และ c) โฟโตอินิชิเอเตอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับกรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพ แก่สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์นี้ด้วยเช่นกัน การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วย, a) โพลิเมอร์ ชนิดละลายในด่างอย่างน้อยหนึ่งชนิด, ซึ่งโพลิเมอร์นี้ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งหน่วยที่มี โครงสร้าง 1, (สูตรเคมี) (1) ซึ่ง, R' ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, (C1-C4)แอลคิล, คลอรีน, โบรมีน และ m เป็น จำนวนเต็มจาก 1 ถึง 4; b) อย่างน้อยหนึ่งโมโนเมอร์ที่มีโครงสร้าง 1; (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง, W เป็นหมู่เชื่อมต่อชนิดมัลติวาเลนท์, R1 ถึง R6 ถูกเลือกมาอย่างเป็นอิสระจากไฮโดรเจน, ไฮดรอกซิล, (C1-C20)แอลคิล และคลอรีน, X1 และ X2 โดยที่เป็นอิสระคือออกซิเจนหรือ N-R7, ซึ่ง R7 เป็นไฮโดรเจนหรือ (C1-C20)แอลคิล, และ n เป็นจำนวนเต็มที่เท่ากับหรือมากกว่า 1, และ c) โฟโตอินิชิเอเตอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับกรรมวิธีสำหรัรบทำให้เกิดภาพ แก่สารผสมเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์นี้ด้วยเช่นกัน
Claims (2)
1-ไฮดรอกซิไซโคลเฮกซิลฟีนิลคีโตน, 2,
2-ไดเมธอกซิ-1,2-ไดฟีนิลอีธาน-1-โอน, บิส(2,4,6-ไตรเมธิลเบนโซอิล)ฟีนิลฟอสฟีนออกไซด์, 1-[4-(2-ไฮดรอกซิเอธอกซิ)ฟีนิล]-2- ไฮดรอกซิ-2-เมธิล-1-โพรเพน-1-โอน, 2-เบนซิล-2-ไดเมธิลอะมิโน-1-(4-มอร์โฟลิโนฟีนิล) บิวทาโนน, 2-เมธิล-1-[4-(เมธิลไธโอ)ฟีนิล]-2-มอร์โฟลิโนโพรพาน-1-โอน, และ 2-ไฮดรอกซิ-2- เมธิล-1-ฟีนิลโพรพาน-1-โอน 12. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยตัวทำให้เกิดกรด ด้วยความร้อน และ/หรือตัวทำให้เกิดโฟโตแอซิด 13. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยเซคันดารี่โพลิเมอร์ 14. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13, ซึ่งเซคันดารี่โพลิเมอร์นี้ถูกเลือกมาจากโพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มี(เมธ)อะคริลิกแอซิด ชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์หรือโคโพลิเมอร์ ที่มี(เมธ)อะคริเลตชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มีไวนิลเอสเทอร์ ชนิดไม่ถูกแทนที่หรือถูกแทนที่, โพลิเมอร์ หรือโคโพลิเมอร์ที่มีไวนิลอะโรมาติกชนิดไม่ถูกแทนที่ หรือถูกแทนที่, (เมธ)อะคริลิกแอซิด-สไตรีน โคโพลิเมอร์ และโนโวแล็คโพลิเมอร์ 15. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 นี้เกิดเป็นฟิล์มที่มี ความหนาอยู่ในช่วงประมาณ 2 ไมครอน ถึงประมาณ 200 ไมครอน 16. กรรมวิธีสำหรับทำให้เกิดภาพแก่เนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ, a) การทำให้เกิดเป็นชั้นของสารเคลือบโฟโตรีซิสท์จากสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 บนซับสเตรต; b) การเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพแก่โฟโตรีซิสท์ด้วยอุปกรณ์เปิดรับแสง; และ, d) การทำให้สารเคลือบเกิดเป็นภาพด้วยสารละลายที่ทำให้เกิดภาพ 17. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งชั้นเคลือบโฟโตรีซิสท์นี้มีความหนาของฟิล์ม อยู่ในช่วงประมาณ 2 ไมครอน ถึงประมาณ 200 ไมครอน 18. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งรังสีสำหรับการเปิดรับแสงแบบทำให้เกิดภาพ มีความยาวคลื่นมากกว่า 200 นาโนเมตร 19. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยขั้นตอนของการกำจัด ชั้นเคลือบโฟโตรีซิสท์ออกจากซับสเตรต 20. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 19, ซึ่งขั้นตอนการกำจัดนี้ประกอบรวมด้วยการให้ความร้อน แก่โฟโตรีซิสท์ฟิล์มหลังจากขั้นตอนการทำให้เกิดภาพ, และแยกเอาโฟโตรีซิสท์ฟิล์มนี้ออกจาก ซับสเตรตในสารละลายด่างชนิดแอคเควียส 21. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยการเปิดรับแสงแก่ โฟโตรีซิสท์ฟิล์มนี้
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH82731S TH82731S (th) | 2007-02-01 |
| TH92086A TH92086A (th) | 2008-10-31 |
| TH29195S1 TH29195S1 (th) | 2010-11-26 |
| TH82731B true TH82731B (th) | 2021-05-19 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW563000B (en) | Positive resist composition and process for forming resist pattern using same | |
| JP5270188B2 (ja) | 新規なアクリル酸エステル誘導体、高分子化合物 | |
| JP2017008068A (ja) | 塩基反応性光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト | |
| CN103038226A (zh) | 高金刚烷衍生物、其制备方法以及光致抗蚀剂组合物 | |
| CN104877067A (zh) | (甲基)丙烯酸系共聚物及光致抗蚀剂用感光性材料 | |
| US11814351B2 (en) | Bifunctional (meth)acrylate compound and polymer | |
| JP2008163347A (ja) | フルオロ化されたエチレングリコール基を有する感光性ポリマーおよびこれを含む化学増幅型レジスト組成物 | |
| JP2008163056A (ja) | ハイパーブランチポリマーの合成方法、ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法 | |
| JP5601809B2 (ja) | フォトレジスト用重合体及び組成物 | |
| JPWO2007020734A1 (ja) | ナノ平滑性とエッチング耐性を有するフォトレジストポリマーならびにレジスト組成物 | |
| WO2018008610A1 (ja) | 感光性組成物、重合体の製造方法、感光性組成物の製造方法、積層体の製造方法 | |
| JP5022563B2 (ja) | (メタ)アクリル酸エステルおよびその原料化合物 | |
| TH92086A (th) | องค์ประกอบเนกาทีฟโฟโตรีซิสท์ | |
| US7595353B2 (en) | Fluorine-containing photocurable polymer composition | |
| JP4481790B2 (ja) | 重合性化合物の製造方法 | |
| JP2008184513A (ja) | ハイパーブランチポリマーの合成方法 | |
| JP2006163345A5 (th) | ||
| JP2007241121A (ja) | 極端紫外線用レジスト組成物 | |
| JP2018127604A (ja) | 含フッ素単量体、含フッ素重合体およびそれを用いたパターン形成用組成物、およびそのパターン形成方法 | |
| KR20230147110A (ko) | 표면 조정제, 감광성 수지 조성물, 경화물 및 디스플레이 | |
| JP7236830B2 (ja) | 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 | |
| JP4045210B2 (ja) | アダマンチルアルキルビニルエーテルの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
| KR102563205B1 (ko) | 말레이미드 유도체를 중합단위로 포함하는 알칼리 가용성 공중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
| JP4553687B2 (ja) | ケテン、アルデヒド共重合体及びそれを含有する樹脂組成物 | |
| JP2008163242A (ja) | コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法 |