TH54005A

TH54005A - วิธีการของการสร้างตัวเก็บประจุแบบมอสและตัวเก็บประจุพอลิ-พอลิชนิดซ้อนเรียงโดยใช้แบบแผนการรวมชนิดซิลิคอนเจอร์เมไนด์

Info

Publication number: TH54005A
Application number: TH101001164A
Authority: TH
Inventors: ดี. คูลบอกห์ นายดักลาส; สจ๊วต ดันน์ นายเจมส์; อาร์เธอร์ เอสที. อองจ์ นายสตีเฟน
Original assignee: นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date: 2001-03-27
Publication date: 2002-11-22

Abstract

DC60 (30/05/44) ตัวเก็บประจุแบบพอลิ-พอลิ/มอสชนิดซ้อนเรียงจะเป็นประโยชน์ในฐานะเป็นส่วนประกอบใน อุปกรณ์แบบไบซีมอสซึ่งประกอบรวมด้วย ซับสเทรทชนิดสารกึ่งตัวนำซึ่งมีและบริเวณของรูปแบบ สภาพนำลำดับที่หนึ่ง ซึ่งก่อรูปอยู่ในพื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าว ออกไซด์เกตซึ่งก่อรูปบน ซับสเทรทชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวที่ซ้อนทับเหนือบริเวณของรูปแบบสภาพนำลำดับที่หนึ่งดังกล่าว ชั้นพอลิซิลิคอนลำดับที่หนึ่งที่ก่อรูปบนชั้นออกไซด์เกตเป็นอย่างน้อยที่สุด ชั้นพอลิซิลิคอนลำดับที่ หนึ่งดังกล่าวจะได้รับการเจือด้วยสิ่งเจือปนชนิดเอ็นหรือชนิดพี ชั้นไดอิเล็กทริกซึ่งก่อรูปบน ชั้นพอลิซิลิคอนลำดับที่หนึ่งดังกล่าว และ ชั้นพอลิซิลิคอนลำดับที่สองซึ่งก่อรูปบนชั้นไดอิเล็กทริก ชั้นพอลิซิลิคอนลำดับที่สองดังกล่าวจะได้รับการเจือปนด้วยสิ่งเจือปนชนิดเดียวกันหรือต่างชนิดจาก ชั้นพอลิซิลิคอนลำดับที่หนึ่ง ตัวเก็บประจุแบบพอลิ-พอลิ/มอสชนิดซ้อนเรียงจะเป็นประโยชน์ในฐานะเป็นส่วนประกอบใน อุปกรณ์แบบไบซีมอสซึ่งประกอบรวมด้วย ซับสเทรทชนิดสารกึ่งตัวนำซึ่งมีและบริเวณของรูปแบบ สภาพนำลำดับที่หนึ่ง ซึ่งก่อรูปอยู่ในพื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าว ออกไซด์เกตซึ่งก่อรูปบน ซับสเทรทชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวที่ซ้อนทับเหนือบริเวณของรูปแบบสภาพนำลำดับที่หนึ่งดังกล่าว ชั้นพอลิซิคอนลำดับที่หนึ่งที่ก่อรูปบนชั้นออกไซด์เกตเป็นอย่างน้อยที่สุด ชั้นพอลิซิคอนลำดับที่ หนึ่งดังกล่าวจะได้รับการเจือด้วยสิ่งปนชนิดเอ็นหรือชนิดพี ชั้นไดอิเล็กทริกซึ่งก่อรูปบน ชั้นพอลิซิคอนลำดับที่หนึ่งดังกล่าว และ ชั้นพอลิซิคอนลำดับที่สองซึ่งก่อรูปบนชั้นไดอิเล็กทริก ชั้นพอลิซิคอนลำดับที่สองดังกล่าวจะได้รับการเจือปนด้วยสิ่งเจือปนชนิดเดียวกันหรือต่างชนิดจาก ชั้นพอลิซิคอนลำดับที่หนึ่ง

Claims

1. ตัวเก็บประจุแบบพอลิ-พอลิ/มอสชนิดซ้อนเรียงซึ่งประกอบรวมด้วย ซับเทรทชนิดสารกึ่งตัวนำซึ่งมีและบริเวณของรุปแบบสภาพนำลำดับที่หนึ่ง ซึ่งก่อรูปอยู่ใน พื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าว ออกไซด์เกตซึ่งก่อรูปบนซัลสเทรทชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวที่ซ้อนทับเหนือบริเวณของ รูปแบบสภาพนำลำดับที่หนึ่งดังกล่าว ชั้นพอลิซิคอนลำดับหหนึ่งที่ก่อรูปบนขั้นออกไซด์เกตเป็นอย่างน้อยที่สุด ชั้นพอลิซิคอน ลำดับที่หนึ่งดังกล่าวจะได้รับการเจือด้วยสิ่งเจือปนชนิดเอ็นหรือชนิดพี ชั้นไดอิเล็กทริกซึ่งก่อรุปบนชั้นพอลแท็ก :