TH52089B - สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิก - Google Patents

Abstract

DC60 (28/11/57) สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และไมโครอิเล็กทรอนิกสำหรับทำความสะอาด นาโนอิเล็กทรอนิก และไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรทภายใต้สภาวะของสถานะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด และโดยเฉพาะอย่างยิ่ง สารผสมทำความสะอาดที่เป็นประโยชน์กับและซึ่งมีความเข้ากันได้ที่ดีขึ้นกับ นาโนอิเล็กทรอนิกและไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรทที่มีลักษณะพิเศษโดยการชุบด้วยโลหะซิลิคอน ไดออกไซด์, ไดอิเล็กตริกที่ไว K-ต่ำและ K-สูง และทองแดง, ทังสเตน, แทนทาลัม, นิกเกิล, ทองคำ, โคบอลต์, แพลเลเดียม, แพลตินัม, โครเมียม, รูธีเนียม, โรฮ์เดียม, อิริเดียม, ฮาฟเนียม, ไทเทเนียม, โมลิบดินัม, ดีบุก และอื่นๆ เช่นเดียวกับซับสเตรทของการชุบด้วยโลหะ A1 หรือ A1(Cu) และ เทคโนโลยีเชื่อมต่อระหว่างกันที่ก้าวหน้า ให้ไว้โดยสารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซึ่งประกอบรวมด้วยสารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และไมโคร อิเล็กทรอนิกของการประดิษฐ์นี้ให้ไว้โดยสารผสมซึ่งประกอบรวมด้วย : (1) ซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด หลักซึ่งสถานะของซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดที่อุณหภูมิ 250 องศาเซลเซียส หรือน้อยกว่า และความดัน 600 บาร์ หรือน้อยกว่า ( 592.2 atm, 8702.3 psi) และ (2) ดังที่เป็นฟลูอิดทุติยภูมิ สูตรผสมดัดแปร ที่เลือกจากสูตรผสมที่ตามมานี้: (a) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวออกซิไดซ์; ตัวทำลายอินทรีย์โพลาร์ที่เลือกจากกลุ่ม ซึ่งประกอบด้วย แอมีด, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, เซลิโนน และแอลกอฮอล์อิ่มตัว; และ อาจเลือกให้มีส่วนประกอบอื่นๆ; (b) สูตรผสมที่ปราศจากซิลิเคทซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายอินทรีย์โพลาร์ที่เลือกจาก กลุ่มซึ่งประกอบด้วย แอมีด, ซัลโฟน, เซลิโนน และ แอลกอฮอล์อิ่มตัว; แอลคาไลน์ เบสแก่; และอาจเลือกให้มีส่วนประกอบอื่นๆ; (c) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของเบสแก่ที่ไม่ ผลิต-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดที่มีนอน-นิวคลีโอฟิลิก, เคาน์เตอร์ไอออน ประจุบวก; จากประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 99.95% โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่ง ของสารประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อน, ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายยับยั้ง การกัดกร่อนที่กล่าวแล้วมีอย่างน้อยสองบริเวณที่สามารถเกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะได้; และอาจเลือกให้มีส่วนประกอบอื่นๆ; (d) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของเกลือ ฟลูออไรด์ที่ไม่ผลิตให้-HF, ไม่ผลิต-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักของน้ำ, ตัวทำละลายอินทรีย์หรือ ทั้งน้ำและตัวทำ ละลายอินทรีย์; และอาจเลือกให้มีส่วนประกอบอื่นๆ;และ (e) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05% ถึง 30%โดยน้ำหนักของเบสแก่ ไม่ผลิต-แอมโมเนียมที่มี นอน-นิวคลีโอฟิลิก, เคาน์เตอร์ ไอออนประจุบวกหนึ่งหรือ มากกว่าหนึ่งชนิด; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95% โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือ มากกว่าหนึ่งตัวทำละลายแอมีดที่กีดขวางทางสเตอริก; และอาจเลือกให้มีส่วนประกอบ อื่นๆ; สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และไมโครอิเล็กทรอนิกสำหรับทำความสะอาด นาโนอิเล็กทรอนิก และไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรทภายใต้สภาวะของสถานะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด และโดยเฉพาะอย่างยิ่ง สารผสมทำความสะอาดที่เป็นประโยชน์กับและซึ่งมีความเข้ากันได้ที่ดีขึ้นกับ นาโนอิเล็กทรอนิกและไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรทที่มีลักษณะพิเศษโดยการชุบด้วยโลหะซิลิคอน ไดออกไซด์, ไดอิเล็กตริกที่ไว K-ต่ำและ K-สูงและทองแดง,ทังสเตน,แทนทาลัม,นิกเกิล,ทองคำ โคบอลต์,แพลเลเดียม,แพลตินัม,โครเมียม,รูธีเนียม,โรฮ์เดียม,อิริเดียม,ฮาฟเนียม,ไทเทเนียม, โมลิบดินัม,ดีบุก และอื่นๆ เช่นเดียวกับซับสเตรทของการชุบด้วยโลหะ A1 หรือ A1(Cu) และ เทคโนโลยีเชื่อมต่อระหว่างกันที่ก้าวหน้า ให้ไว้โดยสารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซึ่งประกอบรวมด้วยสารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรกนิก และไมโคร อิเล็กทรอนิกของการประดิษฐ์นี้ให้ไว้โดยสารผสมซึ่งประกอบรวมด้วย : (1) ซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด หลักซึ่งสถานะของซูเปอร์คริทัลฟลูอิดที่อุณหภูมิของ 250 องศาเซลเซียส หรือน้อยกว่า และความดัน ของ 600 บาร์ หรือน้อยกว่า ( 592.2 atm, 8702.3 psi) และ (2) ดังที่เป็นฟลูอิดทุติยภูมิ สูตรผสมตัวแปร ที่เลือกจากสูตรผสมที่ตามมานี้: (a) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวออกซิไดซ์;ตัวทำลายอินทรีย์มีขั้วที่เลือกจากกลุ่ม ซึ่งประกอบด้วย แอมีด,ซัลโฟน,ซัลโฟลีน,เซลิโนน และแอลกอฮอล์อิ่มตัว;และ ส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้; (b) สูตรผสมที่ปราศจากซิลิเคทซึ่งประกอบรวมด้วย:ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วที่เลือกจาก กลุ่มซึ่งประกอบด้วย แอมีด,ซัลโฟน,เซลิโนน และ แอลกอฮอล์อิ่มตัว;แอลคาไลน์เบส แก่; และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้; (c) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย;จากประมาณ0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของเบสแก่ที่ไม่ ผลิตให้-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดที่มีนอน-นิวคลีโอฟิลิกเคาน์เตอร์ ไอออนประจุกบวกอยู่ด้วย;จากประมาณ 0.5 ประมาณ 99.95% โดยน้ำหนักของหนึ่ง หรือมากกว่าหนึ่งสารประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อน,ซึ่งสารประกอบตัว ทำละลายยับยั้งการกัดกร่อนท่กล่าวแล้วมีอย่างน้อยสองบริเวณที่สามารถเกิดสารเชิงซ้อน กับโลหะได้;และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้; (d) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย:จากประมาณ 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของเกลือ ฟลูออไรด์ที่ไม่ผลิตให้-HF,ไม่ผลิตให้-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักของน้ำ, ตัวทำละลายอินทรีย์หรือ ทั้งน้ำ และตัวทำละลายอินทรีย์;และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้;และ (e) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย;จากประมาณ 0.05% ถึง 30%โดยน้ำหนักของเบสแก่ ไม่ผลิตให้-แอมโมเนียมที่มี นอน-นิวคลีโอฟิลิกเคาน์เตอร์ ไอออนประจุบอกอยู่ด้วย หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด;จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95%น้ำหนักของหนึ่งหรือ มากกว่าหนึ่งตัวทำละลายแอมีดที่กีดขวางทางสเตอริก;และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้

Claims (18)

1. สารผสมทำความสะอาดสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเทตรท ภายใต้ภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด(super critical fluid) ซึ่งสารผสม ที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วย(1)ซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดหลักซึ่งถึงสถานะของซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด ที่อุณหภูมิ 250 องสาเซลเซียส หรือน้อยกว่า และความดัน 600 บาร์ หรือน้อยกว่า(592.2atm,8702.3 psi) และ (2)ดังที่เป็นฟลูอิดทุติยภูมิ สูตรผสมตัวดัดแปรที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสูตรผสม ที่ตามมานี้: (a) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวออกซิไดซ์; ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ซัลโฟน,ซัลโฟลีน, เซลิโนน; แอลคาไลน์เบสของสูตร R4N+OH ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อัน ซับสทิทิวเทดแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน: น้ำ;และ ตัวกระทำคีเลท q หรือ สารเชิงซ้อนของโลหะที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ทรานส์ -1,2-ไซโคลเฮกเซนไดแอมีนเททระแอซิติกแอซิด(CyDTA),เอธิลีนไดแอ มีนเททระแอซิติก แอซิด(EDTA),สแทนเนท,ไพโรฟอสเฟต,เอเธน-1-ไฮดรอกซิ- 1,1-ไดฟอสโฟเนท,เอธิลีนไดแอมีน เททระ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด)(EDTMP), ไดเอธิลีนไทรแอมีน เพนทะ(เมธิลีนฟอสโนกแอซิด),และไทรเอธิลีนเททระมีน เฮกซะ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด); แลหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: กรด; ตัวทำละลายร่วม-ยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวกระทำให้ออกซิไดซ์เสถียร; ตัวกระทำยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวยับยั้งการกัดกร่อนของโลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์;และ สารลดแรงตึงผิว; (b) สูตรผสมที่ปราศจากซิลิเคทซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ซัลโฟน,ซัลโฟลีน, เซลิโนน; แอลคาไลน์เบสแก่ของสูตร R4N+OH ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อัน ซัยสทิทิวเทดแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน: น้ำ; และ ตัวกระทำคีเลท q หรือ สารเชิงซ้อนของโลหะที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดแอมีนเททระแอซิติกแอซิด(CyDTA), เอธิลีนไดแอมีนเททระแอซิติก แอซิด(EDTA),สแทนเนท,ไพโรฟอสเฟต,เอเธน-1- ไฮดรอกซิ-1,1-ไดฟอสโฟเนท,เอธิลีนไดแอมีน เททระ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) (EDTMP),ไดเอธิลีนไทรแอมีน เพนทะ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด),และไทรเอธิลีน เททระมีน เฮกซะ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด); และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: กรด; ตัวทำละลายร่วม-ยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวกระทำให้ตัวออกซิไดซ์เสถียร; ตัวกระทำยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวยับยั้งการกัดกร่อนของโลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์;และ สารลดแรงตึงผิว; (c) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: เบสแก่ที่ไม่ผลิตให้-แอมโมเนียของสูตร[(R)4N+]p[Xg]หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อันซับสทิทิวเทดแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน และ X=OH หรือแอนไอออนของเกลือที่เหมาะสม และ p และ q มีค่าเท่ากันและเป็นจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 3; สารประกอบตัวทำละลายร่วม ยับยั้งการกัดกร่อน หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าวแล้วมีอย่างน้อยสองบริเวณ ที่สามารถเกิดการเชิงซ้อนกับโลหะได้; และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกจากหมู่ที่ ประกอบด้วย เอธิลีนไกลคอล,ไดเอธิลีนไกลคอล,กลิเซอรอล,ไดเอธิลีนไกลคอล ไดเมธิลอีเธอร์,โมโนเอธานอลอแอมีน,ไดเอธานอลแอมีน,ไทรเอธานอลแอมีน, N,N-ไดเมธิลเอธานอล,1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-ไพร์โรลิดิโนน,4-(2-ไฮดรอก ซิเอธิล)มอร์โฟลีน,2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล,2-อะมิโน-2-เมธิล-1-โพรพานอล,1- อะมิโน-2-โพรพานอล,2-(2-อะมิโนเอธอกซิ)-เอธานอล,N-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)แอซิ เทมีด,N-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)ซัคซินิมีด และ3-(ไดเอธิลอะมิโน)1-,2-โพรเพนไดออล และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: น้ำ หรือ ตัวทำละลายร่วมชนิดอื่น; แอมีนที่ไม่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอลแอมีน; กรด อินทรีย์ หรือ อนินทรีย์; สารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่นๆ; สารลดแรงตึงผิว; สารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะไอออน; ตัวกระทำคีเลทโลหะ;และ สารประกอบฟลูออไรด์; (d) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเกลือฟลูออไรด์ที่ไม่ผลิตให้-HF,ไม่ผลิตให้-แอมโมเนียม; ของสูตร (R)4N+F31 ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อันซับสทิทิวเทด แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน; ซัลโฟเลน ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ และ 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-ไพร์โรลิดิโนน เป็นตัว ทำละลายอินทรีย์; และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: ตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อนของโลหะ; แอมีนที่ไม่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอลแอมีน; กรด อินทรีย์ หรือ อนินทรีย์;จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักของสารประกอบ ตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่นๆ; สารลดแรงตึงผิว; สารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะไอออน และจากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนักของตัวกระทำคีเลทโลหะ;และ (e) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: เบสแก่ทีไม่ผลิตให้-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดที่มีสูตร[(R)4N+]p[Xg] ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อันซับสทิทิวเทดแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน และ X=OH หรือแอนไอออนของเกลือที่เหมาะสม และ p และ g มีค่าเท่ากันและเป็นจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 3; ตัวทำละลายแอมีดที่กีดขวางทางสเตอริกหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดเลือกจากกลุ่ม ที่ประกอบไปด้วย แอซิแทมีด,ไดเมธิล ฟอร์มามีด(DMF),N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมีด (DMAc),เบนซามีด,N-เมธิล-2-ไพร์โรลิดิโนน (NMP),1,5-ไดเมธิล-2- ไพร์โรลิดิโนน,1,3-ไดเมธิล-2-พิเพอริโดน,1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-ไพร์โรลิดิโนน, และ 1,5-ไดเมธิล-2-พิเพอริโดน ตัวทำละลายร่วมอินทรีย์หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบไปด้วย ไดเมธิล ซัลฟอกไซด์(DMSO),ซัลโฟเลน(SFL),ไดเมธิลพิเพอริโดน และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: แอมีนที่ไม่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอลแอมีน; กรดอินทรีย์ หรือ อนินทรีย์; สารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่นๆ; สารลดแรงตึงผิว; สารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะไอออน; ตัวกระทำคีเลทโลหะ;และ สารประกอบฟลูออไรด์;

2. สารผสมทำความอาดตามข้อถือสิทธิข้อ1 ซึ่งตัวดัดแปรฟลูอิดที่สองนี้ประกอบรวมด้วย สูตรผสมที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสูตรผสมที่ตามมานี้ (a) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย ตัวทำละลายออกซิไดซ์; ตัวทำละลายโพลาร์อินทรีย์ที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแอมีด,ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, เซลิโน และแอลกอฮอล์อิ่มตัว; และหนึ่งหรือมากว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: กรด; แอลคาไลน์เบส; ตัวละลาย-ร่วมยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวกระทำคีเลท หรือ สารเชิงซ้อนของโลหะ; ตัวกระทำให้ตัวออกซิไดซ์เสถียร; ตัวกระทำยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวยับยั้งการกัดกร่อน-โลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์; สารทำให้พื้นผิวว่องไว; และ น้ำ; (b) สูตรผสมที่ปราศจากซิลิเคทซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายโพลาร์อินทรีย์ที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแอมีด,ซัลโฟน,เซลิโนน และแอลกอฮอล์อิ่มตัว;และ แอลคาไลน์ เบสแก่; และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้ กรด; ตัวทำละลาย-ร่วมยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวทำคีเลทหรือสารเชิงซ้อนของโลหะ; ตัวกระทำให้ตัวออกซิไดว์เสถียร; ตัวกระทำยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์; สารทให้พื้นผิวว่องไว; และ น้ำ; (c) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย : จากประมาณ 0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเบสแก่ที่ไม่ผลิต ให้-แอมโมเนีมที่มีนอน-นิวคลีโอฟิลิกเคาน์เตอร์ไอออนประจุบวกอยู่ด้วย; จากประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่ง สารประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อน,ซึ่งประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าว แล้วมีอย่างน้อยสองบริเวณที่สามารถเกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะได้; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 99.45% โดยน้ำหนัก หรือตัวละลาย-ร่วมอินทรีย์ อื่น; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักแอมีนที่มไม่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอล แอมีน; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักกรดอินทรีย์ หรือ อนินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักของสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะ อื่นๆ; จากประมาณ 0 ถึง 5%โดยน้ำหนักสารทำให้พื้นผิวว่องไว; จากประมาณ 0 ถึง 10%โดยน้ำหนักของสารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะ ไอออน; จากประมาณ 0 ถึง 5%โดยน้ำหนักของตัวกระทำการคีเลทโลหะ;และ จากประมาณ 0 ถึง10%โดยน้ำหนักของสารประกอบฟลูออไรด์; (d) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05 ถึง 20%โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเกลือฟลูออไรด์ที่ ไม่ผลิตให้HF,ไม่ผลิตให้-แอมโมเนีย; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักขอน้ำ,ตัวทำละลายอินทรีย์หรือทั้ง น้ำและตัวทำละลายอินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 80% โดยน้ำหนักของตัวทำละลายยับยั้งการกักร่อน โลหะ; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักแอมีนที่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอล แอมีน; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักของกรดอินทรีย์หรืออนินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักของสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น; จากประมาณ 0 ถึง 5%โดยน้ำหนักของสารทำให้พื้นผิวว่องไว; จากประมาณ 0 ถึง10%โดยน้ำหนักของสารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะ ไอออน และ จากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนักของตัวกระทำคีเลทโลหะ;และ (e) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย จากประมาณ 0.05% ถึง 30%โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเบสแก่ที่ไม่ผลิต ให้-แอมโมเนียมที่มีนอน-นิวคลีโอฟิลิกเคาน์เตอร์ไอออนประจุบวกอยู่ด้วย; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งตัวทำ ละลายแอมีดที่กีดขวางทางสเตอริก; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 95%โดยน้ำหนักน้ำหรือน้ำหนักตัวทำละลาย-ร่วมอินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักแอมีนที่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอล แอมีน; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักกรดอินทรีย์ หรือ อนินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักของสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะ อื่นๆ; จากประมาณ 0 ถึง 5%โดยน้ำหนักสารทำให้พื้นผิวว่องไว; จากประมาณ 0 ถึง 10%โดยน้ำหนักของสารปะกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะ ไอออน; จากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนักของตัวกระทำคีเลทโลหะ; และ จากประมาณ 0 ถึง 10 โดยน้ำหนักของสารประกอบฟลูออไรด์

3. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยจากประมาณ 0.1% ถึง ประมาณ 50% โดยน้ำหนัก ของสูตรผสมตัวดัดแปรอิดฑุติยภูมิส่วนประกอบ (2) บน พื้นฐานน้ำหนักของซูเปอร์คริทิคัลหลักส่วนประกอบ (1)

4. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งสารผสมร่วมนี้ประกอบรวมด้วยจาก ประมาณที่ควรใช้จากประมาณ 3% ถึงประมาณ 25% โดยน้ำหนักของสูตรผสมตัวดัดแปร ฟลูอิดทุติยภูมิส่วนประกอบ (2) บนพื้นฐานน้ำหนักซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดส่วนประกอบ (1)

5. สารผสทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งสารผสมร่วมนี้ประกอบรวมด้วยจาก ประมาณที่ควรใช้จากประมาณ 5% ถึงประมาณ 20%โดยน้ำหนักของสูตรผสมตัวดัดแปรฟลูอิด ทุติยภูมิส่วนประกอบ (2) บนพื้นฐานน้ำหนักของซูเปอร์คริทัลฟลูอิดหลักส่วนประกอบ (1)

6. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ1ซึ่งซูเปอร์คริทัลคัล ฟลูอิดหลักนี้ประกอบรวม ด้วยคาร์บอกนไดออกไซด์

7. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งสูตรผสมตัวดัดแปรฟลูอิดทุติยภูมินี้ ประกอบรวมด้วยสูตรผสมของซัลโฟเลน,น้ำ,เททระเมธิลแอมโมเนียไฮดรอกไซด์,ทรานส์-1,2- ไซโคลเฮกเวนไดแอมีน เททระแอซิติกแอซิด และ ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์

8. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งสูตรผสมตัวดัดแปรฟลุอิดทุติยภูมินี้ ประกอบรวมด้วยสูตรผสมของซัลโฟเลน,น้ำ,เอธิลีนไกลคอน,เททระเมธิลแมโมเนียม ไฮดรอกไซด์,ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดแอมีน เททระแอซิติก แอซิดและไฮโดรเจน เปอร์ออกไซด์

9. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งสูตรผสมตัวดัดแปรฟลูอิดทุติยภูมินี้ ประกอบรวมด้วยสูตรผสมของซัลโฟเลน,น้ำ,เททระเมธิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, เอธิลีนไดแอมีน เททระ(เมธิลีน ฟอสโฟนิกแอซิด),เอธิลีนไกลคอน และไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์

10. กรรมวิธีสำรหับทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก หรือไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสง หรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด กับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 อย่างพอเพียง เพื่อทำความสะอาดซับสเตรทนี้

11. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือไมดครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสง หรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 2 อย่างพอเพียงเพื่อทำความสะอาด ซับเสตรทนี้

12. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็น เวลาหนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริคัลฟลูอิด กับ สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 อย่าง พอเพียงเพื่อทำความสะอาดซับสเตรทนี้

13. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลุอิด กับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 4 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับเตรทนี้

14. กรรมวิธีนี้สำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก หรือไมโครอิเล็กนิกซับสเตรท ของสารต้านแสง หรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 5 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้

15. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้างซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทสัมผัสเป็นเวลาหนึ่ง ที่สภาวะซูปเปอร์คริทัลคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 6 อย่างพอเพียงเพื่อทำ ความสะอาดซับสเตรทนี้

16. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด กับสารฟสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 7 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้

17. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงและสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลาหนึ่ง ที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 8 อย่างพอเพียงเพื่อทำ ควมสะอาดซับสเตรทนี้

18. กรรมวิธีสำรหับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอกนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมฟัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาะวซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 9 อย่าพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้