TH38565B - องค์ประกอบทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิคที่มีเกลือฟลู?ออโรด์ที่ปราศจากแอมโมเนียสำหรับการลอกเอาโฟโทเร?ซิสท์ที่เลือกจำเพาะ และการทำความสะอาดเรซิดิวที่เป็นเถ้า?พลาสมา - Google Patents

Abstract

DC60 (23/02/53) องค์ประกอบทำความสะอาดที่ปราศจาก HF ที่ปราศจากแอมโมเนีย สำหรับการทำความ สะอาดโฟโทเรซิสท์ และเรซิดิวที่เป็นเถ้าพลาสมาออกจากไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท และ โดยเฉพาะเกี่ยวกับองค์ประกอบทำความสะอาดเช่นนั้นที่มีประโยชน์กับ และที่มีความเข้ากันได้กับ ไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ที่ให้ลักษณะเฉพาะโดยไดอิเล็กทริค แคปปา ต่ำ หรือ แคปปา สูง, รูพรุนที่ไว และการฉาบด้วยโลหะทองแดง องค์ประกอบทำความสะอาดนั้นมีเกลือฟลูออไรด์ที่ผลิตให้นอน -HF, ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียม (เกลือ นอน-แอมโมเนียม, ควอเทอร์แนรีแอมโมเนียมฟลูออไรด์) หนึ่งสารเหลือมากกว่า ในแมทริกซ์ตัวทำละลายที่เหมาะสม องค์ประกอบทำความสะอาดที่ปราศจาก HF ที่ปราศจากแอมโมเนียสำหรับการทำความ สะอาดโพโทรเซิสท์ และส่วนเหลือเถ้าพลาสมาออกจากไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท และ โดยเฉพาะเกี่ยวกับสารผสมทำความสะอาดเช่นนั้นที่มีประโยชน์กับ และมีความเข้ากันได้กับ ไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ที่ให้ลักษณะเฉพาะโดยไดอิเล็กทริค K ต่ำ หรือ K สูง, รูพรุนที่ไว และการฉาบด้วยโลหะทองแดง สารผสมทำความสะอาดนั้นมีเกลือฟลูออไรด์ที่ผลิตให้นอน -HF, ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียม (เกลือ นอน-แอมโมเนียม,ควอเทอร์แนรีแอมโมเนียมฟลูออไรด์) หนึ่งสารหรือมากกว่าในแมทริกซ์ตัวทำละลายที่เหมาะสม

Claims (13)

1. องค์ประกอบทำความสะอาดซึ่งสามารถทำความสะอาดโพโทเรซิสท์ หรือการกัดขึ้นรอย พลาสมา หรือเรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ที่มีการฉาบด้วยโลหะทองเเดง เเบะอย่างน้อยหนึ่งชนิดของไดอิเล็กทริครูพรุน ไดอิเล็กทริค k ต่ำ หรือ k สูง ซึ่งประกอบรวมด้วย จาก 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของเกลือเททระเเอลคิล เเอมโมเนียมฟลูออไรด์ที่มีสูตร ซึ่งเเต่ละ R อย่างเป็นอิสระเป็นหมุ่ซับสทิทิวเทด หรืออันซับสิทิทิวเทดเเอลคิล จาก 5 ถึง 94.95% โดยน้ำหนักของตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด หรือทั้งน้ำ เเละตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิดดังกล่าว ซึ่งตำทำละลาย อินทรีย์ดังกล่าว อย่างน้อยหนึ่งชนิดถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน ไดเมธิลพิเพอริโคน 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนน 1-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน ไดเมธิล เเอซิดเเทมิด เเอซีโทไนทริล เเละไอโซบิวทิลไนเทริล จาก 5 ถึง 80% โดยน้ำหนัก ของไทรเอธานอเเลมีน จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบสารยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ ที่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยเบนโซไทรอาโซล เเละสารประกอบเเอริลที่มีหมู่ OH หรือ OR 2 หมู่ หรือ มากกว่า ซึ่ง R ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยหมู่เเอลคิล หรือเเอริล จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารลดความตึงผิว จาก 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไอออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารช่วยการคีเลทโลหะที่ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วย (เอธิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด (EDTA) บิวทิลีนไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด (CyDTA) ไดเอธิลีนไทรเเอมีนเพนทะเเอซีติก เเอซิด (DETPA) เอธิลีนไดเอมีนเททระโพรพิออนิคเเอซิด (ไฮดรอกซิเอธิล) เอธิลีนไดเอมีน ไทรเเอซีติกเเอซิด (HEDTA) N,N,N,N,-เอธิลีนไดเอมีนเททระ(เมธิลีนฟอสฟอนิค) เเอซิด (EDTMP) ไทรเอธิลีนเททระเเอมีนเฮกซะเเอซีติกเเอซิด (TTHA) 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซิ โพรเพน-N,N,N,N-เททระเเอซีติกเเอซิด (DHPTA) เมธิลอิมิโนไดเเอซีติกเเอซิด โพรพิลีน ไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด ไนโทรลอไทรเเอซีติกเเอซิด (NTA) ซิทริคเเอซิด ทาร์ทานิคเเอซิด กลูคอนิคเเอซิด เเซคคาริคดเเอซิด กลิเซริคเเอซิด ออกซาลิคเเอซิด ฟเเธลิคเเอซิด มาลีอิคเเอซิด เเมนเดลิคเเอซิด มาโลนิคเเอซิด เเลคทิคเเอซิด เเซลิซิลิเเอซิด เเคเทคอล เเกลลิคเเอซิด โพรพิล เเกลเลท ไพโรเเกลลอล ,8-ไฮดรอกซิควิโลิน เเละซิสทีอีน

2. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์เป็นหมู่ เเอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอนอะตอม

3. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม

4. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งเททระเเอบคิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ เป็นการ เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรดื

5. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งตัวทำละลายนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ เเละตัวทำ ละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /K ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่ถูก เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนนไดเมธิลซัลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน เเละไดเมธิลพิเพอริโดน

6. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งองค์ประกอบทำความสะอาดนั้นประกอบด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ 1-(2-ไฮดรอกซิลเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนน น้ำ ไทรเอธานอเเลมีน เเละเบนโซไทรอาโซล

7. กรรมวิธีสำหรับการทำความสะอาดโฟโทเรซิสท์ หรือการกัดขึ้นรอยพลาสมา หรือ เรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ที่มีการฉาบด้วยโลหะทองเเดง เเละอย่างน้อย หนึ่งชนิดของไดอิเล็กทริครูพรุน ไดอิเล็กทริค k ต่ำ หรือ k สูง ซึ่งกรรมวิธีประกอบรวมด้วยการ สัมผัสซับสเทรทนั้นด้วยองค์ประกอบทำความสะอาดเป็นเวลานานเพียงพอที่จะทำความสะอาด โฟโทเรซิสท์ เเละการกัดขึ้นรอยพลาสมา หรือเรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากซับสเทรทนั้น ซึ่งองค์ประกอบ ทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วย จาก 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของเกลือเททระเเอลคิล เเอมโนเนียมฟลูออไรด์ที่มีสูตร (สูตรเคมี) ซึ่งเเต่ละ R อย่างเป็นอิสระเป็นหมู่ซับสิทิวเทด หรืออันซับสทิทิวเทดเเอลคิล จาก 5 ถึง 94.95% โดยน้ำหนัก ของตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากัยได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด หรือทั้งน้ำ เเละตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด ตัวทำละลายอินทรีย์ ดังกล่าวที่เลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน ไดเมธิลพิเพอริโดน 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล) -2-พิร์โรลิดิโนน ,1-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน ไดเมธิลเอซิเเทมิด เเอซีโทไนทริล เเละไอโซบิวทิลไนทริล จาก 5 ถึง 80% โดยน้ำหนัก ของไ ทรเอธาเเลมีน จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบสารยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ ที่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยเมนโซไทรอาโซล เเละสารประกอบเเอริลที่มีหมู่ OH หรือ OR 2 หมู่ หรือ มากกว่า ซึ่ง R ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยหมู่เเอลคิล หรือเเอริล จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารลดความดึงผิว จาก 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไอออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารช่วยการคีเลทโลหะที่ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วย (เอธิลีนไดโนทริโน) เททระเเอซีติกเเอซิด (EDTA) บิวทิลีนไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด( CyDTA) ไดเอธิลีนไทรเเอมีนเพนทะเเอซีติก เเอซิด (DETPA) เอธิลีนไดเอมีนเททระโพรพิออนิคเเอซิด (ไฮดรอกซิเอธิล) เอธิลีนไดเเอมีน ไทรเเอซีติกเเอซิด (HEDTA) ,N,N,N,N -เอธิบีนไดเเอมีนเททระ(เมธิลีนฟอสฟอนิค) เเอซิด (EDTMP) ไทรเอธิลีนเททระเเอมีนเฮกซะเเอซีติกเเอซิด (TTHA) 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซิ โพรเพน-N,N,N,N-เททระเเอซีดติกเเอซิด (DHPTA) เมธิลอิมิโนไดเเอซีติกเเอซิด โพรพิลีน ไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด ไนโทรลอไทรเเอซีติกเเอซิด (NTA) ซิทริคเเอซิด ทาร์ทาริคเเอซิด กลูคอนิคเเซิด เเซคคาริคเเอริล กลิเซอริคเเอซิด ออกซาลิคเเอซิด ฟาเเธลิคเเอซิด มาลีอิคเเอซิด เเมนเดลิคเเอซิด มาโลนิคเเซิด เเลคทิคเเอวิด เเซลิซิลิคเเอซิด เเคเทคอล เเกลลิคเเอซิด โพรพิล เเกลเลท ไพโรเเกลลอย 8-ไฮดรอกซิควิโนลิน เเละซิสทีอีน

8. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอนอะตอม

9. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คารืบอนอะตอม

10. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 9 ซึ่งเททระเเอลคิลเเอมโนเนียมฟลูิออไรด์ประกอบรวมด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์

11. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งตัวทำละลายนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ เเละตัวทำละลาย อินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำที่ถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนนไดเมธิลซัลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน เเละไดเมธิลพิเพอริโดน

12. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งองค์ประกอบทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิเอธิล)-พิร์โรลิดิโนน น้ำ ไทรเอธานอลเเลมีน เเละเบนโซไทรอาโซล

13. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งการฉาบด้วยโลหะทองเเดงนั้นประกอบรวมด้วย การฉาบด้วยโลหะทองเเดงที่บริสุทธิ์อย่างมีนัยสำคัญของซับสเทรทนั้น