Claims (13)
1. องค์ประกอบทำความสะอาดซึ่งสามารถทำความสะอาดโพโทเรซิสท์ หรือการกัดขึ้นรอย พลาสมา หรือเรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ที่มีการฉาบด้วยโลหะทองเเดง เเบะอย่างน้อยหนึ่งชนิดของไดอิเล็กทริครูพรุน ไดอิเล็กทริค k ต่ำ หรือ k สูง ซึ่งประกอบรวมด้วย จาก 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของเกลือเททระเเอลคิล เเอมโมเนียมฟลูออไรด์ที่มีสูตร ซึ่งเเต่ละ R อย่างเป็นอิสระเป็นหมุ่ซับสทิทิวเทด หรืออันซับสิทิทิวเทดเเอลคิล จาก 5 ถึง 94.95% โดยน้ำหนักของตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด หรือทั้งน้ำ เเละตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิดดังกล่าว ซึ่งตำทำละลาย อินทรีย์ดังกล่าว อย่างน้อยหนึ่งชนิดถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน ไดเมธิลพิเพอริโคน 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนน 1-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน ไดเมธิล เเอซิดเเทมิด เเอซีโทไนทริล เเละไอโซบิวทิลไนเทริล จาก 5 ถึง 80% โดยน้ำหนัก ของไทรเอธานอเเลมีน จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบสารยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ ที่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยเบนโซไทรอาโซล เเละสารประกอบเเอริลที่มีหมู่ OH หรือ OR 2 หมู่ หรือ มากกว่า ซึ่ง R ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยหมู่เเอลคิล หรือเเอริล จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารลดความตึงผิว จาก 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไอออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารช่วยการคีเลทโลหะที่ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วย (เอธิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด (EDTA) บิวทิลีนไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด (CyDTA) ไดเอธิลีนไทรเเอมีนเพนทะเเอซีติก เเอซิด (DETPA) เอธิลีนไดเอมีนเททระโพรพิออนิคเเอซิด (ไฮดรอกซิเอธิล) เอธิลีนไดเอมีน ไทรเเอซีติกเเอซิด (HEDTA) N,N,N,N,-เอธิลีนไดเอมีนเททระ(เมธิลีนฟอสฟอนิค) เเอซิด (EDTMP) ไทรเอธิลีนเททระเเอมีนเฮกซะเเอซีติกเเอซิด (TTHA) 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซิ โพรเพน-N,N,N,N-เททระเเอซีติกเเอซิด (DHPTA) เมธิลอิมิโนไดเเอซีติกเเอซิด โพรพิลีน ไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด ไนโทรลอไทรเเอซีติกเเอซิด (NTA) ซิทริคเเอซิด ทาร์ทานิคเเอซิด กลูคอนิคเเอซิด เเซคคาริคดเเอซิด กลิเซริคเเอซิด ออกซาลิคเเอซิด ฟเเธลิคเเอซิด มาลีอิคเเอซิด เเมนเดลิคเเอซิด มาโลนิคเเอซิด เเลคทิคเเอซิด เเซลิซิลิเเอซิด เเคเทคอล เเกลลิคเเอซิด โพรพิล เเกลเลท ไพโรเเกลลอล ,8-ไฮดรอกซิควิโลิน เเละซิสทีอีน1. A cleaning composition capable of removing pothoresist, plasma etching, or ash residue from copper-coated microelectronic substrates and at least one type of porous dielectric, low k or high k dielectric, comprising from 0.05 to 20% by weight of one or more tetraalkyl ammonium fluoride salts of the formula, each R of which is independently substituted or unsubstituted alkyl group; from 5 to 94.95% by weight of at least one aqueously compatible, water-soluble, polar organic solvent compatible with low k copper; or both water and at least one such aqueously compatible, water-soluble, polar organic solvent compatible with low k copper, at least one of which is selected from groups containing dimethyl oxide, sulforene, dimethyl pipericone. 1-(2-hydroxyethyl)-2-pyrrolidinone, 1-methyl-2-pyrrolidinone, dimethyl acetamide, acetonitryl, and isobutylnitryl from 5 to 80% by weight; triethanolamine from 0 to 40% by weight; other selected metal corrosion inhibitor compounds from groups containing benzotriazole and aryl compounds with 2 or more OH or OR groups, where R is selected from groups containing alkyl or aryl groups; from 0 to 5% by weight; surfactants from 0 to 10% by weight; metal-ion-free silicate compounds; and from 0 to 5% by weight; metal chelating agents selected from groups containing... (Ethylene dinotrilo) tetraacetic acid (EDTA), butylene diamine tetraacetic acid (1,2-cyclohexylene dinotrilo) tetraacetic acid (CyDTA), diethylene triamine pentacetic acid (DETPA), ethylene diamine tetrapropionic acid (hydroxyethyl), ethylene diamine triacetic acid (HEDTA), N,N,N,N,-ethylene diamine tetra(methylene phosphonic) acid (EDTMP), triethylene tetraamine hexaacetic acid (TTHA), 1,3-diamino-2-hydroxy Propane-N,N,N,N-tetraacetic acid (DHPTA), methyliminodiacetic acid, propylene, diaminetetraacetic acid, nitrolotriacetic acid (NTA), citric acid, tartanic acid, gluconic acid, saccharic acid, glyceric acid, oxalic acid, phthalic acid, maleic acid, mandelic acid, malonic acid, lactic acid, salicylic acid, catechol, gallic acid, propyl gallate, pyrogalol, 8-hydroxyquilonine, and cysteine.
2. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์เป็นหมู่ เเอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอนอะตอม2. The composition according to claim 1, whereby R of tetraalkylammonium fluoride is an alkyl group containing 1 to 22 carbon atoms.
3. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม3. The composition according to claim 2, whereby R of tetraalkylammonium fluoride is an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms.
4. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งเททระเเอบคิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ เป็นการ เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรดื4. The component under claim 1, which is tetramethylammonium fluoride, is tetramethylammonium fluoride.
5. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งตัวทำละลายนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ เเละตัวทำ ละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /K ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่ถูก เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนนไดเมธิลซัลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน เเละไดเมธิลพิเพอริโดน5. The composition according to claim 1, in which the solvent consists of water and at least one water-mimicking, polar organic solvent compatible with low copper/K, selected from groups containing 1-(2-hydroxyethyl)-2-pyrrolidinone dimethyl sulfoxide, sulforene, and dimethyl piperidone.
6. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งองค์ประกอบทำความสะอาดนั้นประกอบด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ 1-(2-ไฮดรอกซิลเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนน น้ำ ไทรเอธานอเเลมีน เเละเบนโซไทรอาโซล6. The composition as per claim 1, which is a cleaning compound consisting of tetramethylammonium fluoride, dimethyl sulfoxide, 1-(2-hydroxyethyl)-2-pyrrolidinone, water, triethanolamine, and benzotriazole.
7. กรรมวิธีสำหรับการทำความสะอาดโฟโทเรซิสท์ หรือการกัดขึ้นรอยพลาสมา หรือ เรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ที่มีการฉาบด้วยโลหะทองเเดง เเละอย่างน้อย หนึ่งชนิดของไดอิเล็กทริครูพรุน ไดอิเล็กทริค k ต่ำ หรือ k สูง ซึ่งกรรมวิธีประกอบรวมด้วยการ สัมผัสซับสเทรทนั้นด้วยองค์ประกอบทำความสะอาดเป็นเวลานานเพียงพอที่จะทำความสะอาด โฟโทเรซิสท์ เเละการกัดขึ้นรอยพลาสมา หรือเรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากซับสเทรทนั้น ซึ่งองค์ประกอบ ทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วย จาก 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของเกลือเททระเเอลคิล เเอมโนเนียมฟลูออไรด์ที่มีสูตร (สูตรเคมี) ซึ่งเเต่ละ R อย่างเป็นอิสระเป็นหมู่ซับสิทิวเทด หรืออันซับสทิทิวเทดเเอลคิล จาก 5 ถึง 94.95% โดยน้ำหนัก ของตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากัยได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด หรือทั้งน้ำ เเละตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด ตัวทำละลายอินทรีย์ ดังกล่าวที่เลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน ไดเมธิลพิเพอริโดน 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล) -2-พิร์โรลิดิโนน ,1-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน ไดเมธิลเอซิเเทมิด เเอซีโทไนทริล เเละไอโซบิวทิลไนทริล จาก 5 ถึง 80% โดยน้ำหนัก ของไ ทรเอธาเเลมีน จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบสารยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ ที่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยเมนโซไทรอาโซล เเละสารประกอบเเอริลที่มีหมู่ OH หรือ OR 2 หมู่ หรือ มากกว่า ซึ่ง R ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยหมู่เเอลคิล หรือเเอริล จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารลดความดึงผิว จาก 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไอออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารช่วยการคีเลทโลหะที่ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วย (เอธิลีนไดโนทริโน) เททระเเอซีติกเเอซิด (EDTA) บิวทิลีนไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด( CyDTA) ไดเอธิลีนไทรเเอมีนเพนทะเเอซีติก เเอซิด (DETPA) เอธิลีนไดเอมีนเททระโพรพิออนิคเเอซิด (ไฮดรอกซิเอธิล) เอธิลีนไดเเอมีน ไทรเเอซีติกเเอซิด (HEDTA) ,N,N,N,N -เอธิบีนไดเเอมีนเททระ(เมธิลีนฟอสฟอนิค) เเอซิด (EDTMP) ไทรเอธิลีนเททระเเอมีนเฮกซะเเอซีติกเเอซิด (TTHA) 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซิ โพรเพน-N,N,N,N-เททระเเอซีดติกเเอซิด (DHPTA) เมธิลอิมิโนไดเเอซีติกเเอซิด โพรพิลีน ไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด ไนโทรลอไทรเเอซีติกเเอซิด (NTA) ซิทริคเเอซิด ทาร์ทาริคเเอซิด กลูคอนิคเเซิด เเซคคาริคเเอริล กลิเซอริคเเอซิด ออกซาลิคเเอซิด ฟาเเธลิคเเอซิด มาลีอิคเเอซิด เเมนเดลิคเเอซิด มาโลนิคเเซิด เเลคทิคเเอวิด เเซลิซิลิคเเอซิด เเคเทคอล เเกลลิคเเอซิด โพรพิล เเกลเลท ไพโรเเกลลอย 8-ไฮดรอกซิควิโนลิน เเละซิสทีอีน7. A procedure for cleaning photoresists, plasma etching, or ash residues from copper-coated microelectronic substrates and at least one type of porous dielectric, low k or high k dielectric, which involves contact of the substrate with a cleaning element for a sufficient duration to clean the photoresist and plasma etch or ash residue from the substrate. The cleaning element shall contain from 0.05 to 20% by weight of one or more tetraalkyl ammonium fluoride salts of the chemical formula (chemical formula) in which each R is independently substituted or unsubstituted alkyl; from 5 to 94.95% by weight of at least one aqueously compatible polar organic solvent with low k copper; or both water and aqueously compatible polar organic solvent. At least one low /k copper compatible organic solvent selected from the group containing dimethyl oxide, sulforane, dimethyl piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)-2-pyrrolidinone, 1-methyl-2-pyrrolidinone, dimethyl acetamid, acetonitryl, and isobutyl nitril from 5 to 80% by weight of triethalamine from 0 to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds selected from the group containing mensotriazole. And aryl compounds containing two or more OH or OR groups, where R is selected from groups containing alkyl or aryl groups, from 0 to 5% by weight of the surfactant, from 0 to 10% by weight of the metal-ion-free silicate compound, and from 0 to 5% by weight of the metal-ion-free silicate compound, and from 0 to 5% by weight of the metal chelating agent selected from groups containing (ethylenedinotrino) tetraacetic acid (EDTA), butylenediaminetetraacetic acid (1,2-cyclohexylenedinotrino) tetraacetic acid (CyDTA), diethylenetriaminepentacetic acid (DETPA), ethylenediaminetetrapropionic acid. (Hydroxyethyl) ethylenediamine triacetic acid (HEDTA), N,N,N,N-ethylenediamine tetra(methylenephosphonic) acid (EDTMP), triethylenetetraamine hexaacetic acid (TTHA), 1,3-diamino-2-hydroxypropane-N,N,N,N-tetraacetic acid (DHPTA), methyliminodiacetic acid, propylene diamine tetraacetic acid, nitromethyltriacetic acid (NTA), citric acid, tartaric acid, gluconic acid, saccharinyl glyceric acid, oxalic acid. Fattylic acid, maleic acid, mandelic acid, malonic acid, lactic acid, salicylic acid, catechol, gallic acid, propyl gallate, pyrogalloid, 8-hydroxyquinolin, and cysteine.
8. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอนอะตอม8. Procedure for claim 7, whereby R of tetraalkylammonium fluoride is an alkyl group containing 1 to 22 carbon atoms.
9. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คารืบอนอะตอม9. Procedure for claim 8, in which R of tetraalkylammonium fluoride is an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms.
10. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 9 ซึ่งเททระเเอลคิลเเอมโนเนียมฟลูิออไรด์ประกอบรวมด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์10. Procedure of claim 9, in which tetraalkylammonium fluoride is incorporated with tetramethylammonium fluoride.
11. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งตัวทำละลายนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ เเละตัวทำละลาย อินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำที่ถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนนไดเมธิลซัลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน เเละไดเมธิลพิเพอริโดน11. The procedure of claim 7, in which the solvent consists of water and a water-compatible polar organic solvent of low copper/k selected from groups containing 1-(2-hydroxyethyl)-2-pyrrolidinone dimethyl sulfoxide, sulforane, and dimethyl piperidone.
12. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งองค์ประกอบทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิเอธิล)-พิร์โรลิดิโนน น้ำ ไทรเอธานอลเเลมีน เเละเบนโซไทรอาโซล12. The procedure of claim 7, in which the cleaning compound is composed of tetramethylammonium fluoride, dimethyl sulfoxide, 1-(2-hydroxyethethyl)-pyrrolidinone, water, triethanolamine, and benzotriazole.
13. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งการฉาบด้วยโลหะทองเเดงนั้นประกอบรวมด้วย การฉาบด้วยโลหะทองเเดงที่บริสุทธิ์อย่างมีนัยสำคัญของซับสเทรทนั้น13. The procedure of claim paragraph 7, which involves copper plating, includes the significant application of pure copper plating to the substrate.