Claims (36)
1. สารผสมสำหรับทำความสะอาดที่ปราศจากซิลิเคตสำหรับทำความสะอาด โฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานไมโครอิเล็กทรอนิก, สารผสมสำหรับทำความสะอาดดังกล่าว ประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วซึ่งเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟเลน ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว; และ แอลคาไลน์เบสแก่; และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบต่าง ๆ ต่อไปนี้หนึ่งชนิดหรือมากกว่า: กรด; ตัวทำละลายร่วมที่ยับยั้งการกัดกร่อน; สารทำให้เกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะ หรือสารทำให้เกิดคีเลต; สารทำให้สารออกซิไดซ์เสถียร; สารยับยั้งการกัดกร่อน; สารยับยั้งการกัดกร่อนของโลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์; สารลดแรงตึงผิว; และ น้ำ1. Silicate-free cleaning mixtures for cleaning photoresists and residues from microelectronic components. Such cleaning mixtures consist of: polar organic solvents selected from the groups of amides, sulfones, sulfolanes, selenones, and saturated alcohols; and a strong alkaline base; and may include one or more of the following components: acids; corrosion-inhibiting co-solvents; metal complexing agents or chelating agents; oxidizing agents; corrosion inhibitors; metal corrosion inhibitors; fluoride compounds; surfactants; and water.
2. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ เลือกมากจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย 1-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)-2-ไพโรลิดิโนน (HEP), ไดเมธิลไพเพอริโดน (DMPD), N-เมธิลไพโรลิดิโนน (NMP), ไดเมธิลอะเซตาไมด์ (DMAc), ไดเมธิลฟอร์มาไมด์ (DMF), ซัลโฟเลน, 3-เมธิลซัลโฟเลน, n-โพรพิลซัลโฟน, n-บิวทิลซัลโฟน, เมธิลซัลโฟน, ซัลโฟลีน, 3-เมธิล ซัลโฟลีน, เอธิลีนไกลคอล, โพรพิลีนไกลคอล, กลีเซอรอล, และเฮกซาฟลูออโรไอโซโพรพานอล2. A cleaning mixture pursuant to claim paragraph 1, in which the polar organic solvent is selected from a group comprising 1-(2-hydroxyethyl)-2-pyrrolidinone (HEP), dimethylpiperidone (DMPD), N-methylpyrrolidinone (NMP), dimethylacetamide (DMAc), dimethylformamide (DMF), sulfolane, 3-methylsulfolene, n-propylsulfone, n-butylsulfone, methylsulfone, sulfoline, 3-methylsulfolene, ethylene glycol, propylene glycol, glycerol, and hexafluoroisopropanol.
3. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งแอลคาไลน์เบสนี้เลือกมา จากแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, เตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และโคลีนไฮดรอกไซด์3. A cleaning mixture according to Patent 1, the alkaline base of which is selected from ammonium hydroxide, tetraalkylammonium hydroxide and choline hydroxide.
4. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งแอลคาไลน์เบสนี้เลือกมา จากแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์4. A cleaning mixture according to claim clause 2, the alkaline base of which is selected from ammonium hydroxide and tetraalkylammonium hydroxide.
5. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ซัลโฟเลน5. A cleaning mixture as per claim 1, in which the polar organic solvent is sulfolane.
6. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ซัลโฟเลน6. A cleaning mixture as per claim 2, in which the polar organic solvent is sulfolane.
7. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ซัลโฟเลน7. A cleaning mixture as per claim 3, in which the polar organic solvent is sulfolane.
8. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ซัลโฟเลน8. A cleaning mixture pursuant to claim clause 4, in which the polar organic solvent is sulfolane.
9. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ เอธิลีนไกลคอล9. A cleaning mixture as per claim 4, in which the polar organic solvent is ethylene glycol.
10. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ไดเมธิลไพเพอริโดน10. A cleaning mixture pursuant to claim clause 4, in which the polar organic solvent is dimethylpiperidone.
11. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งสารผสมนี้ยังประกอบรวม ด้วยการมี ทรานส์ -1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีนเตตระอะซีติกแอซิด เป็นสารทำให้เกิดคีเลตกับโลหะ อยู่ในสารผสมนี้อีกด้วย11. A cleaning mixture as per claim 8, which also contains trans-1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid as a metal chelating agent.
12. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งสารผสมนี้ยังประกอบรวม ด้วยการมี เอธิลีน ไดเอมีน เตตระ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) อยู่ในสารผสมนี้อีกด้วย12. A cleaning mixture as per claim 8, which also contains ethylene diamine tetra(methylene phosphonic acid).
13. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยซัลโฟเลน, เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีน เตตระอะซีติกแอซิด และ น้ำ13. A cleaning mixture as per claim 1, consisting of sulfolane, tetramethylammonium hydroxide, trans-1,2-cyclohexanediamine, tetraacetic acid, and water.
14. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยซัลโฟเลน, เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เอธิลีนไดเอมีนเตตระ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด), เอธิลีน ไกลคอล, และน้ำ14. A cleaning mixture as per claim 1, consisting of sulfolane, tetramethylammonium hydroxide, ethylenediaminetetra(methylenephosphonic acid), ethylene glycol, and water.
15. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยซัลโฟเลน, เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีนเตตระอะซีติกแอซิด, เอธิลีนไกลคอล, แคทีคอล และน้ำ15. A cleaning mixture as per claim 1, consisting of sulfolane, tetramethylammonium hydroxide, trans-1,2-cyclohexanediamine tetraacetic acid, ethylene glycol, catechol, and water.
16. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยไดเมธิล ไพเพอริโดน, ทรานส์ -1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีนเตตระอะซีติกแอซิด, เตตระเมธิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ และน้ำ16. A cleaning mixture as per claim 1, consisting of dimethyl piperidone, trans-1,2-cyclohexanediamine tetraacetic acid, tetramethylammonium hydroxide, and water.
17. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีนเตตระอะซีติกแอซิด และ เอธิลีนไกลคอล17. A cleaning mixture as per claim 1, consisting of tetramethylammonium hydroxide, trans-1,2-cyclohexanediamine tetraacetic acid, and ethylene glycol.
18. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 118. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixture described in claim 1.
19. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 219. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixture described in claim 2.
20. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 320. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixture described in claim 3.
21. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 421. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixture described in claim 4.
22. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 522. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixtures specified in claim 5.
23. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 623. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixture specified in claim 6.
24. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 724. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixture specified in claim 7.
25. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 825. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixture specified in claim 8.
26. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 926. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, which cleaning solution contains the mixture specified in claim 9.
27. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1027. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, which cleaning solution contains the mixtures specified in claim 10.
28. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1128. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixtures specified in claim 11.
29. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1229. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixture specified in claim 12.
30. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1330. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixtures specified in claim 13.
31. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1431. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, and this cleaning solution contains the mixtures specified in claim 14.
32. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1532. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, which cleaning solution contains the mixtures specified in claim 15.
33. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับทำ ความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1633. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from this component, which cleaning solution contains the mixture specified in claim 16.
34. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับทำ ความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1734. A procedure for cleaning photoresist or residues from microelectronic components, which involves contact of the component with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist and residues from the component, which cleaning solution contains the mixture specified in claim 17.
35. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งโครงสร้างไมโครอิเล็กทรอนิกที่จะทำความสะอาด มีลักษณะเฉพาะคือมีการทำให้เป็นโลหะด้วยทองแดงและมีไดอิเล็กทริกซึ่งเลือกมาจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา ต่ำ และไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา สูง35. The process pursuant to claim 30, in which the microelectronic structure to be cleaned is characterized by copper metallurgy and a dielectric selected from a group consisting of silicon dioxide, low kappa dielectrics, and high kappa dielectrics.
36. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 31 ซึ่งโครงสร้างไมโครอิเล็กทรอนิกที่จะทำความสะอาด มีลักษณะเฉพาะคือมีการทำให้เป็นโลหะด้วยทองแดงและมีไดอิเล็กทริกซึ่งเลือกมาจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา ต่ำ และไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา สูง36. The process pursuant to claim 31, in which the microelectronic structure to be cleaned is characterized by copper metallurgy and a dielectric selected from a group consisting of silicon dioxide, low kappa dielectrics, and high kappa dielectrics.