Claims (3)
ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. องค์ประกอบทำความสะอาดซึ่งสามารถทำความสะอาดโพโทเรซิสท์ หรือการกัดขึ้นรอย พลาสมา หรือเรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ที่มีการฉาบด้วยโลหะทองเเดง เเบะอย่างน้อยหนึ่งชนิดของไดอิเล็กทริครูพรุน ไดอิเล็กทริค k ต่ำ หรือ k สูง ซึ่งประกอบรวมด้วย จาก 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของเกลือเททระเเอลคิล เเอมโมเนียมฟลูออไรด์ที่มีสูตร ซึ่งเเต่ละ R อย่างเป็นอิสระเป็นหมุ่ซับสทิทิวเทด หรืออันซับสิทิทิวเทดเเอลคิล จาก 5 ถึง 94.95% โดยน้ำหนักของตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด หรือทั้งน้ำ เเละตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิดดังกล่าว ซึ่งตำทำละลาย อินทรีย์ดังกล่าว อย่างน้อยหนึ่งชนิดถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน ไดเมธิลพิเพอริโคน 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนน 1-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน ไดเมธิล เเอซิดเเทมิด เเอซีโทไนทริล เเละไอโซบิวทิลไนเทริล จาก 5 ถึง 80% โดยน้ำหนัก ของไทรเอธานอเเลมีน จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบสารยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ ที่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยเบนโซไทรอาโซล เเละสารประกอบเเอริลที่มีหมู่ OH หรือ OR 2 หมู่ หรือ มากกว่า ซึ่ง R ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยหมู่เเอลคิล หรือเเอริล จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารลดความตึงผิว จาก 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไอออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารช่วยการคีเลทโลหะที่ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วย (เอธิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด (EDTA) บิวทิลีนไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด (CyDTA) ไดเอธิลีนไทรเเอมีนเพนทะเเอซีติก เเอซิด (DETPA) เอธิลีนไดเอมีนเททระโพรพิออนิคเเอซิด (ไฮดรอกซิเอธิล) เอธิลีนไดเอมีน ไทรเเอซีติกเเอซิด (HEDTA) N,N,N,N,-เอธิลีนไดเอมีนเททระ(เมธิลีนฟอสฟอนิค) เเอซิด (EDTMP) ไทรเอธิลีนเททระเเอมีนเฮกซะเเอซีติกเเอซิด (TTHA) 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซิ โพรเพน-N,N,N,N-เททระเเอซีติกเเอซิด (DHPTA) เมธิลอิมิโนไดเเอซีติกเเอซิด โพรพิลีน ไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด ไนโทรลอไทรเเอซีติกเเอซิด (NTA) ซิทริคเเอซิด ทาร์ทานิคเเอซิด กลูคอนิคเเอซิด เเซคคาริคดเเอซิด กลิเซริคเเอซิด ออกซาลิคเเอซิด ฟเเธลิคเเอซิด มาลีอิคเเอซิด เเมนเดลิคเเอซิด มาโลนิคเเอซิด เเลคทิคเเอซิด เเซลิซิลิเเอซิด เเคเทคอล เเกลลิคเเอซิด โพรพิล เเกลเลท ไพโรเเกลลอล ,8-ไฮดรอกซิควิโลิน เเละซิสทีอีน 2. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์เป็นหมู่ เเอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอนอะตอม 3. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม 4. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งเททระเเอบคิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ เป็นการ เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรดื 5. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งตัวทำละลายนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ เเละตัวทำ ละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /K ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่ถูก เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนนไดเมธิลซัลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน เเละไดเมธิลพิเพอริโดน 6. องค์ประกอบตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งองค์ประกอบทำความสะอาดนั้นประกอบด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ 1-(2-ไฮดรอกซิลเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนน น้ำ ไทรเอธานอเเลมีน เเละเบนโซไทรอาโซล 7. กรรมวิธีสำหรับการทำความสะอาดโฟโทเรซิสท์ หรือการกัดขึ้นรอยพลาสมา หรือ เรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ที่มีการฉาบด้วยโลหะทองเเดง เเละอย่างน้อย หนึ่งชนิดของไดอิเล็กทริครูพรุน ไดอิเล็กทริค k ต่ำ หรือ k สูง ซึ่งกรรมวิธีประกอบรวมด้วยการ สัมผัสซับสเทรทนั้นด้วยองค์ประกอบทำความสะอาดเป็นเวลานานเพียงพอที่จะทำความสะอาด โฟโทเรซิสท์ เเละการกัดขึ้นรอยพลาสมา หรือเรซิดิวที่เป็นเถ้าออกจากซับสเทรทนั้น ซึ่งองค์ประกอบ ทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วย จาก 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของเกลือเททระเเอลคิล เเอมโนเนียมฟลูออไรด์ที่มีสูตร (สูตรเคมี) ซึ่งเเต่ละ R อย่างเป็นอิสระเป็นหมู่ซับสิทิวเทด หรืออันซับสทิทิวเทดเเอลคิล จาก 5 ถึง 94.95% โดยน้ำหนัก ของตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากัยได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด หรือทั้งน้ำ เเละตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำอย่างน้อยหนึ่งชนิด ตัวทำละลายอินทรีย์ ดังกล่าวที่เลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน ไดเมธิลพิเพอริโดน 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล) -2-พิร์โรลิดิโนน ,1-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน ไดเมธิลเอซิเเทมิด เเอซีโทไนทริล เเละไอโซบิวทิลไนทริล จาก 5 ถึง 80% โดยน้ำหนัก ของไ ทรเอธาเเลมีน จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบสารยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ ที่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยเมนโซไทรอาโซล เเละสารประกอบเเอริลที่มีหมู่ OH หรือ OR 2 หมู่ หรือ มากกว่า ซึ่ง R ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยหมู่เเอลคิล หรือเเอริล จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารลดความดึงผิว จาก 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไอออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไออนโลหะ เเละ จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารช่วยการคีเลทโลหะที่ถูกเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วย (เอธิลีนไดโนทริโน) เททระเเอซีติกเเอซิด (EDTA) บิวทิลีนไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนทริโล) เททระเเอซีติกเเอซิด( CyDTA) ไดเอธิลีนไทรเเอมีนเพนทะเเอซีติก เเอซิด (DETPA) เอธิลีนไดเอมีนเททระโพรพิออนิคเเอซิด (ไฮดรอกซิเอธิล) เอธิลีนไดเเอมีน ไทรเเอซีติกเเอซิด (HEDTA) ,N,N,N,N -เอธิบีนไดเเอมีนเททระ(เมธิลีนฟอสฟอนิค) เเอซิด (EDTMP) ไทรเอธิลีนเททระเเอมีนเฮกซะเเอซีติกเเอซิด (TTHA) 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซิ โพรเพน-N,N,N,N-เททระเเอซีดติกเเอซิด (DHPTA) เมธิลอิมิโนไดเเอซีติกเเอซิด โพรพิลีน ไดเเอมีนเททระเเอซีติกเเอซิด ไนโทรลอไทรเเอซีติกเเอซิด (NTA) ซิทริคเเอซิด ทาร์ทาริคเเอซิด กลูคอนิคเเซิด เเซคคาริคเเอริล กลิเซอริคเเอซิด ออกซาลิคเเอซิด ฟาเเธลิคเเอซิด มาลีอิคเเอซิด เเมนเดลิคเเอซิด มาโลนิคเเซิด เเลคทิคเเอวิด เเซลิซิลิคเเอซิด เเคเทคอล เเกลลิคเเอซิด โพรพิล เเกลเลท ไพโรเเกลลอย 8-ไฮดรอกซิควิโนลิน เเละซิสทีอีน 8. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอนอะตอม 9. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่ง R ของเททระเเอลคิลเเอมโมเนียมฟลูออไรด์เป็น หมู่เเอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คารืบอนอะตอม 1 0. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 9 ซึ่งเททระเเอลคิลเเอมโนเนียมฟลูิออไรด์ประกอบรวมด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ 1Disclaimer (all) which will not appear on the advertisement page: 1. Cleaning element which can clean the photoresist. Or erosion of plasma or ash residues from microelectronic substrates. That has been plastered with red gold metal At least one type of dielectric porous dielectric k low or high k, comprising from 0.05 to 20% by weight of one substance. Or more of tetralkyl salt Eemonium fluoride with a formula which is independent of R is substitutated. Or unsubtitled alkyl from 5 to 94.95% by weight of polar organic solvents. That mixes with water Compatible with at least one low k gold or both water and polar organic solvents. That mixes with water That are compatible with at least one such type of low / k gold. Melting Such organic At least one type was selected from among which contains dimethyloxide, sulfolane, dimethyl pipericone. 1- (2- hydroxyethyl) -2-pirolidinone 1-methyl-2-pirolidinone dimethyl acetate midacetonitril And isobutyl nitrile from 5 to 80% by weight of triethanolamine from 0 to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds selected from the group. Which contains benzothiazole And compounds with two or more OH or OR groups, where R is selected from group consisting of alkyl or rerill group from 0 to 5% by weight of the surfactant from 0 to 10% by weight of silicate compounds without metal ions and from 0 to 5% by weight of the metal chelating agent selected from the group consisting of (Ethylene dinotril), tetracetic acid (EDTA), butylene diamine, tetracetic acid (1,2-cyclohexylene, dinotril), tetracetic acid (CyDTA), diethylene triamane, pentacetic Azid (DETPA) ethylene diamine tetrapropionic acid (Hydroxyethyl) ethylene diamine Tricetic acid (HEDTA) N, N, N, N, - ethylenediaminetetra (methylene phosphonic) acetate ( EDTMP) triethylene tetramine hexacetic acid (TTHA) 1,3-diamino-2-hydroxyl Propane-N, N, N, N-tetracetic acid (DHPTA), methyl, aminodiotic acid, propylene has N Tetracetic acid Nitrol Tricetic Acid (NTA) Citric Acid Tartanic Acid Gluconic acid Czech caric acid Glicerick Axid Oxalic acid Fethlic Acetid Mali Iqeed Mendelic Acid Malonic Acid Crystal Optical Ciclicic acid, ciclastic acid, propyl, pyroglate, 8-hydroxycidal and cis. TEEN 2. The element according to claim 1, where R of tetral alkylenedonium fluoride is a alkyl group containing 1 to 22 carbon atoms. Clause 2, where R of tetralkylemonium fluoride is The alkyl groups are from 1 to 6 carbon atoms. 4. Element according to claim 1, in which tetraobkyl amonium fluoride is tetra methyl amano. Aluminum fluoride 5. Composition according to claim 1, where the solvent is composed of water and polar organic solvents. That mixes with water That is compatible with at least one low-K / K gold. Choose from a group that includes 1- (2-hydroxyethyl) -2-perrolidinone, dimethyl sulfoxide, sulfolane and dimethyl piperidone 6. Composition according Clause 1 in which the cleaning elements consist of Tetramethylenium fluoride Dimethyl sulfoxide 1- (2-hydroxyl ethyl) -2- pirolidinone water triethanolamine And benzothiazole. 7. Processes for cleaning photoresist. Or erosion of plasma or ash residues from microelectronic substrates. That has been plastered with red gold metal And at least One type of dielectric, porous, dielectric, k low or high k, whose process is combined with Long enough to touch the substrate with the cleaning element to clean the photoresist and etch the plasma. Or the ash residue from the substrate Which elements The cleaning contains from 0.05 to 20% by weight of one substance. Or more of tetralkyl salt Anonium fluoride with a formula (chemical formula), each of which is independent of R, is a subset of substrate groups. Or unsubstitutated alkyl from 5 to 94.95% by weight of polar organic solvents. That can be mixed with water Compatible with at least one low gold / k or both water and polar organic solvents. That mixes with water That are compatible with at least one type of gold / k Organic solvents It is selected from a group containing dimethyloxide, sulfolane, dimethyl piperidone. 1- (2- hydroxyethyl) -2-pirolidinone , 1-methyl-2-pirolidinone Dimethyl acid mid Acetone Nitril And isobutyl nitrile from 5 to 80% by weight of triamethalamine from 0 to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds selected from among which Contains menzo triazole And compounds with two or more OH or OR groups, where R is selected from group consisting of alkyl or teryl group from 0 to 5% by weight of the skin reducing agent from 0 to 10% by weight of metal ion-free silicate compounds, and from 0 to 5% by weight of metal-ion-free silicate compounds, and from 0 to 5% by weight of metal-ion-free silicate compounds. Choose from a group consisting of (Ethylene dinotrino), tetraacetic acid (EDTA), butylene diamine, tetracetic acid (1,2-cyclohexylene, dinotril), tetracetic acid (CyDTA), diethylene triamane, pentacetic Azid (DETPA) ethylene diamine tetrapropionic acid (Hydroxyethyl) ethylene diamine Tricetic acid (HEDTA), N, N, N, N - ethylenediaminetetra (methylene phosphonic) acetate ( EDTMP) triethylene tetramine hexacetic acid (TTHA) 1,3-diamino-2-hydroxyl Propane-N, N, N, N-tetracetic acid (DHPTA), methyl, aminodiotic acid, propylene has N Tetracetic acid Nitrol Tricetic Acid (NTA) Citric Acid Tartaric Acid Gluconic acid Riccéricairil Glyzerick Axid Oxalic acid Pharmaic Acid Mali Iqeed Mendelic Axid Malonic Cydicic Avid Ciclicic Acid, TechCalcic acid, Propyl, Pyrogen, 8-Hydroxycquinolin and Cyste E. 8. The process of claim 7, in which R of Tetralic Kylemonium Fluoride is The alkyl group containing 1 to 22 carbon atoms 9. The process of claim 8, in which R of tetraalcylemonium fluoride is The alkyl groups containing from 1 to 6 carbon atoms 1 0. Process of claim clause 9, in which tetraalcylkyl aluminum fluoride includes Tetramethylenium fluoride 1
1. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งตัวทำละลายนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ เเละตัวทำละลาย อินทรีย์ที่มีขั้ว ที่ผสมเข้ากันได้กับน้ำ ที่เข้ากันได้กับทองเเดง /k ต่ำที่ถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-พิร์โรลิดิโนนไดเมธิลซัลฟอกไซด์ ซัลฟอเลน เเละไดเมธิลพิเพอริโดน 11. The process of claim 7 in which the solvent is composed of water. And solvent Polarized organic That mixes with water That is compatible with the low / k gold that was chosen from among the containing 1- (2-hydroxyethyl) -2-perrolidinone, dimethyl sulfoxide, sulfolane and dimethyl piperidone 1
2. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งองค์ประกอบทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วย เททระเมธิลเเอมโนเนียมฟลูออไรด์ ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิเอธิล)-พิร์โรลิดิโนน น้ำ ไทรเอธานอลเเลมีน เเละเบนโซไทรอาโซล 12. The process of claim 7, in which the cleaning element includes Tetramethylenium fluoride Dimethyl sulfoxide 1- (2-hydroxythyethyl) -pirrolidinone, water, triethanolamine And benzothiazole 1
3. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งการฉาบด้วยโลหะทองเเดงนั้นประกอบรวมด้วย การฉาบด้วยโลหะทองเเดงที่บริสุทธิ์อย่างมีนัยสำคัญของซับสเทรทนั้น3. Process of claim No. 7, in which gold metal plastering includes: The substrate's significantly pure gold metal plaster was applied.