TH65770A - สารผสมทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิคที่เป็นด่างที่ปราศจากแอมโมเนียด้วยความเข้ากันได้กับซับสเทรทที่ปรับปรุง - Google Patents
สารผสมทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิคที่เป็นด่างที่ปราศจากแอมโมเนียด้วยความเข้ากันได้กับซับสเทรทที่ปรับปรุงInfo
- Publication number
- TH65770A TH65770A TH201002528A TH0201002528A TH65770A TH 65770 A TH65770 A TH 65770A TH 201002528 A TH201002528 A TH 201002528A TH 0201002528 A TH0201002528 A TH 0201002528A TH 65770 A TH65770 A TH 65770A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cleaning
- compounds
- ammonia
- microelectronic substrates
- dielectric
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract 9
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 6
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims abstract 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 abstract 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (01/12/57) สารผสมทำความสะอาดที่ปราศจากแอมโมเนีย สำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิค ซับสเทรท และโดยเฉพาะเกี่ยวกับสารผสมทำความสะอาดที่มีประโยชน์ด้วย และที่มีความเข้า กันได้ที่ปรับปรุงกับไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรทที่ให้ลักษณะเฉพาะโดยไดอิเล็กทริครูพรุนที่ไว, ไดอิเล็กทริค แคปปา ต่ำ หรือ แคปปา สูง และการฉาบด้วยโลหะทองแดง สารผสมทำความสะอาด สำหรับการ ลอกโฟโทเรซิสท์ออก, การทำความสะอาดส่วนเหลือสารประกอบอนินทรีย์, ออร์แกโนเมทัลลิค และ อินทรีย์ที่ก่อกำเนิดจากพลาสมา และการทำความสะอาดส่วนเหลือจากกรรมวิธีการทำให้เป็นระนาบ สารผสมทำความสะอาดนั้นมีเบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็น บวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิคหนึ่งสาร หรือมากกว่า และสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อน หนึ่งสาร หรือมากกว่า ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าวแล้วนั้นมีอย่างน้อย สองตำแหน่งที่สามารถที่จะทำให้เกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะ สารผสมความสะอาดที่ปราศจากแอมโมเนีย สำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิค ซับสเทรท และโดยเฉพาะเกี่ยวกับสารผสมทำความสะอาดเช่นนั้นที่มีประโยชน์ด้วย และที่มีความเข้า กันได้ที่ปรับปรุงกับไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรทที่ให้ลักษณะเฉพาะโดยไดอิเล็กทริครูพรุนที่ไว, ไดอิเล็กทริค K ต่ำ หรือ K สูง และการฉาบด้วยโลหะทองแดง สารผสมทำความสะอาด สำหรับการ ลอกโฟโทเรซิสท์ออก, การทำความสะอาดส่วนเหลือสารประกอบอนินทรีย์, ออร์แกโนเมทัลลิค และ อินทรีย์ที่ก่อกำเนิดจากพลาสมา และการทำความสะอาดส่วนเหลือจากกรรมวิธีการทำให้เป็นระบบ สารผสมทำความสะอาดนั้นมีเบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็น บวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิคหนึ่งสาร หรือมากกว่า และสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อน หนึ่งสาร หรือมากกว่า ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าวแล้วนั้นมีอย่างน้อย สองตำแหน่งที่สามารถที่จะทำให้เกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะ
Claims (1)
1. สารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท ซึ่ง สารผสมทำความสะอาดที่กล่าวแล้วนั้นประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนัก ของเบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียม ที่มีไอออน ตรงข้ามที่มีประจุเป็นบวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิค หนึ่งสาร หรือมากกว่า จากประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 99.95% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการ กัดกร่อนหนึ่งสาร หรือมากกว่า ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายที่ยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าวแล้วนั้นมี อย่างน้อยสองตำแหน่งที่สามารถที่จะทำให้เกแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65770A true TH65770A (th) | 2004-12-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE355356T1 (de) | Ammoniak-freie zusammensetzungen mit verbesserter substrat-kompatibilität zum reinigen von mikroelektronischen substraten | |
| KR100852861B1 (ko) | 개선된 수성 스트립핑 및 세정 조성물 | |
| RS106104A (sr) | Mikroelektronske kompozicije za čišćenje i uklanjanje arc (protivrefleksne obloge) | |
| NO20061247L (no) | Avstryknings- og rengjoringsblandinger for mikroelektronikk | |
| TWI263676B (en) | Compositions for chemically treating a substrate using foam technology | |
| MY117049A (en) | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces | |
| ATE487785T1 (de) | Ammoniak-freie fluorid-salze enthaltende mikroelectronikreinigunsmittel | |
| RS106204A (sr) | Kompozicije za mikroelektronsko čišćenje koje sadrže oksidatore i organske rastvarače | |
| CA2544198A1 (en) | Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors | |
| NO20040067L (no) | Ammoniakkfrei alkaliske mikroelektroniske rengjoringssammensetninger med forbedret substratkompatibilitet | |
| CN104946429A (zh) | 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 | |
| ATE376050T1 (de) | Halbleiterreinigungslösung | |
| TW200506554A (en) | Removing agent composition | |
| TH65770A (th) | สารผสมทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิคที่เป็นด่างที่ปราศจากแอมโมเนียด้วยความเข้ากันได้กับซับสเทรทที่ปรับปรุง | |
| SG152960A1 (en) | Flouride-free photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
| TWI787170B (zh) | 洗淨液及洗淨方法 | |
| TW583719B (en) | Agent for cleaning substrate | |
| JP4442415B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JP2005128280A (ja) | Ｌｃｄ銅配線用レジスト剥離液 | |
| KR20050008410A (ko) | 구리배선에 대한 부식을 방지하는 포토레지스트 박리액조성물 | |
| JPS6220883A (ja) | 銅及び銅合金の防錆処理方法 |