TH78156A - สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิก - Google Patents
สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิกInfo
- Publication number
- TH78156A TH78156A TH501000879A TH0501000879A TH78156A TH 78156 A TH78156 A TH 78156A TH 501000879 A TH501000879 A TH 501000879A TH 0501000879 A TH0501000879 A TH 0501000879A TH 78156 A TH78156 A TH 78156A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- weight
- cleaning
- substrate
- metal
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 35
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 31
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract 30
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 25
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims abstract 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 15
- -1 etc. Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract 9
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract 6
- 230000000269 nucleophilic Effects 0.000 claims abstract 6
- 150000003966 selones Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims abstract 4
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 241001669679 Eleotris Species 0.000 claims abstract 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 10
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 claims 10
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims 9
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims 8
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims 6
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 6
- MBKDYNNUVRNNRF-UHFFFAOYSA-N Medronic acid Chemical compound OP(O)(=O)CP(O)(O)=O MBKDYNNUVRNNRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N Sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 5
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 claims 5
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M Tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 4
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims 4
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 claims 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 3
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N edta Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCCN(C)C1=O RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-[bis(carboxymethyl)amino]cyclohexyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LLDZJTIZVZFNCM-UHFFFAOYSA-J 3-[18-(2-carboxyethyl)-8,13-diethyl-3,7,12,17-tetramethylporphyrin-21,24-diid-2-yl]propanoic acid;dichlorotin(2+) Chemical compound [H+].[H+].[Cl-].[Cl-].[Sn+4].[N-]1C(C=C2C(=C(C)C(=CC=3C(=C(C)C(=C4)N=3)CC)[N-]2)CCC([O-])=O)=C(CCC([O-])=O)C(C)=C1C=C1C(C)=C(CC)C4=N1 LLDZJTIZVZFNCM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N Diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N EDTMP Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J Pyrophosphate Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 2
- 229960001124 Trientine Drugs 0.000 claims 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N Triethylenetetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 claims 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 claims 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N n-methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GYSDUVRPSWKYDJ-SFHVURJKSA-N selinone Chemical compound C1=CC(OCC=C(C)C)=CC=C1[C@H]1OC2=CC(O)=CC(O)=C2C(=O)C1 GYSDUVRPSWKYDJ-SFHVURJKSA-N 0.000 claims 2
- 230000003637 steroidlike Effects 0.000 claims 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims 2
- RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N (2S)-2-aminopentanedioic acid;hydrochloride Chemical compound Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N 0.000 claims 1
- YXHVIDNQBMVYHQ-UHFFFAOYSA-N 1,5-dimethylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCC(=O)N(C)C1 YXHVIDNQBMVYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HQPIILKGTFWSDJ-UHFFFAOYSA-N 1,5-dimethylpyridin-2-one Chemical compound CC=1C=CC(=O)N(C)C=1 HQPIILKGTFWSDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OSAKOAYGMSTAKA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyridin-2-one Chemical compound OCCN1C=CC=CC1=O OSAKOAYGMSTAKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TWYIPMITVXPNEM-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidine-2,5-dione Chemical compound OCCN1C(=O)CCC1=O TWYIPMITVXPNEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940058020 2-amino-2-methyl-1-propanol Drugs 0.000 claims 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 2-propanol Substances CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LTACQVCHVAUOKN-UHFFFAOYSA-N 3-(diethylamino)propane-1,2-diol Chemical compound CCN(CC)CC(O)CO LTACQVCHVAUOKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940022659 Acetaminophen Drugs 0.000 claims 1
- CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N Aminomethyl propanol Chemical compound CC(C)(N)CO CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N DETA Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N Diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N Diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N Isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-Methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Tris Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FHHPEPGEFKOMOF-UHFFFAOYSA-M [O-]P1(=O)OCO1 Chemical compound [O-]P1(=O)OCO1 FHHPEPGEFKOMOF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- HSBRXKRGXDVMMA-UHFFFAOYSA-N [[bis[2-[bis(diphosphonomethyl)amino]ethyl]amino]-phosphonomethyl]phosphonic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(P(O)(O)=O)N(C(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O)CCN(C(P(O)(=O)O)P(O)(O)=O)CCN(C(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O)C(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O HSBRXKRGXDVMMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N ethanolamine Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxyl anion Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- SZZYAOCSMNDGPI-UHFFFAOYSA-N methylsulfinylmethane;thiolane 1,1-dioxide Chemical compound CS(C)=O.O=S1(=O)CCCC1 SZZYAOCSMNDGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940113083 morpholine Drugs 0.000 claims 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 claims 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N p-acetaminophenol Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229960005489 paracetamol Drugs 0.000 claims 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims 1
- 150000003431 steroids Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N Hafnium Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000005092 Ruthenium Substances 0.000 abstract 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 abstract 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 abstract 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052803 cobalt Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 abstract 1
- 231100000078 corrosive Toxicity 0.000 abstract 1
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 abstract 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 1
- 241000894007 species Species 0.000 abstract 1
- 230000001954 sterilising Effects 0.000 abstract 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (28/11/57) สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และไมโครอิเล็กทรอนิกสำหรับทำความสะอาด นาโนอิเล็กทรอนิก และไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรทภายใต้สภาวะของสถานะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด และโดยเฉพาะอย่างยิ่ง สารผสมทำความสะอาดที่เป็นประโยชน์กับและซึ่งมีความเข้ากันได้ที่ดีขึ้นกับ นาโนอิเล็กทรอนิกและไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรทที่มีลักษณะพิเศษโดยการชุบด้วยโลหะซิลิคอน ไดออกไซด์, ไดอิเล็กตริกที่ไว K-ต่ำและ K-สูง และทองแดง, ทังสเตน, แทนทาลัม, นิกเกิล, ทองคำ, โคบอลต์, แพลเลเดียม, แพลตินัม, โครเมียม, รูธีเนียม, โรฮ์เดียม, อิริเดียม, ฮาฟเนียม, ไทเทเนียม, โมลิบดินัม, ดีบุก และอื่นๆ เช่นเดียวกับซับสเตรทของการชุบด้วยโลหะ A1 หรือ A1(Cu) และ เทคโนโลยีเชื่อมต่อระหว่างกันที่ก้าวหน้า ให้ไว้โดยสารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซึ่งประกอบรวมด้วยสารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และไมโคร อิเล็กทรอนิกของการประดิษฐ์นี้ให้ไว้โดยสารผสมซึ่งประกอบรวมด้วย (1) ซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด หลักซึ่งสถานะของซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดที่อุณหภูมิ 250 องศาเซลเซียส หรือน้อยกว่า และความดัน 600 บาร์ หรือน้อยกว่า ( 592.2 atm, 8702.3 psi) และ (2) ดังที่เป็นฟลูอิดทุติยภูมิ สูตรผสมดัดแปร ที่เลือกจากสูตรผสมที่ตามมานี้: (a) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวออกซิไดซ์; ตัวทำลายอินทรีย์โพลาร์ที่เลือกจากกลุ่ม ซึ่งประกอบด้วย แอมีด, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, เซลิโนน และแอลกอฮอล์อิ่มตัว; และ อาจเลือกให้มีส่วนประกอบอื่นๆ; (b) สูตรผสมที่ปราศจากซิลิเคทซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายอินทรีย์โพลาร์ที่เลือกจาก กลุ่มซึ่งประกอบด้วย แอมีด, ซัลโฟน, เซลิโนน และ แอลกอฮอล์อิ่มตัว; แอลคาไลน์ เบสแก่; และอาจเลือกให้มีส่วนประกอบอื่นๆ; (c) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของเบสแก่ที่ไม่ ผลิต-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดที่มีนอน-นิวคลีโอฟิลิก, เคาน์เตอร์ไอออน ประจุบวก; จากประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 99.95% โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่ง ของสารประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อน, ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายยับยั้ง การกัดกร่อนที่กล่าวแล้วมีอย่างน้อยสองบริเวณที่สามารถเกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะได้; และอาจเลือกให้มีส่วนประกอบอื่นๆ; (d) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของเกลือ ฟลูออไรด์ที่ไม่ผลิตให้-HF, ไม่ผลิต-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักของน้ำ, ตัวทำละลายอินทรีย์หรือ ทั้งน้ำและตัวทำ ละลายอินทรีย์; และอาจเลือกให้มีส่วนประกอบอื่นๆ;และ (e) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05% ถึง 30%โดยน้ำหนักของเบสแก่ ไม่ผลิต-แอมโมเนียมที่มี นอน-นิวคลีโอฟิลิก, เคาน์เตอร์ ไอออนประจุบวกหนึ่งหรือ มากกว่าหนึ่งชนิด; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95% โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือ มากกว่าหนึ่งตัวทำละลายแอมีดที่กีดขวางทางสเตอริก; และอาจเลือกให้มีส่วนประกอบ อื่นๆ; สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และไมโครอิเล็กทรอนิกสำหรับทำความสะอาด นาโนอิเล็กทรอนิก และไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรทภายใต้สภาวะของสถานะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด และโดยเฉพาะอย่างยิ่ง สารผสมทำความสะอาดที่เป็นประโยชน์กับและซึ่งมีความเข้ากันได้ที่ดีขึ้นกับ นาโนอิเล็กทรอนิกและไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรทที่มีลักษณะพิเศษโดยการชุบด้วยโลหะซิลิคอน ไดออกไซด์, ไดอิเล็กตริกที่ไว K-ต่ำและ K-สูงและทองแดง,ทังสเตน,แทนทาลัม,นิกเกิล,ทองคำ โคบอลต์,แพลเลเดียม,แพลตินัม,โครเมียม,รูธีเนียม,โรฮ์เดียม,อิริเดียม,ฮาฟเนียม,ไทเทเนียม, โมลิบดินัม,ดีบุก และอื่นๆ เช่นเดียวกับซับสเตรทของการชุบด้วยโลหะ A1 หรือ A1(Cu) และ เทคโนโลยีเชื่อมต่อระหว่างกันที่ก้าวหน้า ให้ไว้โดยสารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซึ่งประกอบรวมด้วยสารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรกนิก และไมโคร อิเล็กทรอนิกของการประดิษฐ์นี้ให้ไว้โดยสารผสมซึ่งประกอบรวมด้วย : (1) ซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด หลักซึ่งสถานะของซูเปอร์คริทัลฟลูอิดที่อุณหภูมิของ 250 องศาเซลเซียส หรือน้อยกว่า และความดัน ของ 600 บาร์ หรือน้อยกว่า ( 592.2 atm, 8702.3 psi) และ (2) ดังที่เป็นฟลูอิดทุติยภูมิ สูตรผสมตัวแปร ที่เลือกจากสูตรผสมที่ตามมานี้: (a) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวออกซิไดซ์;ตัวทำลายอินทรีย์มีขั้วที่เลือกจากกลุ่ม ซึ่งประกอบด้วย แอมีด,ซัลโฟน,ซัลโฟลีน,เซลิโนน และแอลกอฮอล์อิ่มตัว;และ ส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้; (b) สูตรผสมที่ปราศจากซิลิเคทซึ่งประกอบรวมด้วย:ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วที่เลือกจาก กลุ่มซึ่งประกอบด้วย แอมีด,ซัลโฟน,เซลิโนน และ แอลกอฮอล์อิ่มตัว;แอลคาไลน์เบส แก่; และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้; (c) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย;จากประมาณ0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของเบสแก่ที่ไม่ ผลิตให้-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดที่มีนอน-นิวคลีโอฟิลิกเคาน์เตอร์ ไอออนประจุกบวกอยู่ด้วย;จากประมาณ 0.5 ประมาณ 99.95% โดยน้ำหนักของหนึ่ง หรือมากกว่าหนึ่งสารประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อน,ซึ่งสารประกอบตัว ทำละลายยับยั้งการกัดกร่อนท่กล่าวแล้วมีอย่างน้อยสองบริเวณที่สามารถเกิดสารเชิงซ้อน กับโลหะได้;และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้; (d) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย:จากประมาณ 0.05 ถึง 20% โดยน้ำหนักของเกลือ ฟลูออไรด์ที่ไม่ผลิตให้-HF,ไม่ผลิตให้-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักของน้ำ, ตัวทำละลายอินทรีย์หรือ ทั้งน้ำ และตัวทำละลายอินทรีย์;และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้;และ (e) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย;จากประมาณ 0.05% ถึง 30%โดยน้ำหนักของเบสแก่ ไม่ผลิตให้-แอมโมเนียมที่มี นอน-นิวคลีโอฟิลิกเคาน์เตอร์ ไอออนประจุบอกอยู่ด้วย หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด;จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95%น้ำหนักของหนึ่งหรือ มากกว่าหนึ่งตัวทำละลายแอมีดที่กีดขวางทางสเตอริก;และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกได้:
Claims (8)
1. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือไมดครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสง หรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 2 อย่างพอเพียงเพื่อทำความสะอาด ซับเสตรทนี้ 1
2. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็น เวลาหนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริคัลฟลูอิด กับ สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 อย่าง พอเพียงเพื่อทำความสะอาดซับสเตรทนี้ 1
3. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลุอิด กับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 4 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับเตรทนี้ 1
4. กรรมวิธีนี้สำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก หรือไมโครอิเล็กนิกซับสเตรท ของสารต้านแสง หรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 5 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้ 1
5. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้างซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทสัมผัสเป็นเวลาหนึ่ง ที่สภาวะซูปเปอร์คริทัลคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 6 อย่างพอเพียงเพื่อทำ ความสะอาดซับสเตรทนี้ 1
6. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด กับสารฟสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 7 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้ 1
7. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงและสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลาหนึ่ง ที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 8 อย่างพอเพียงเพื่อทำ ควมสะอาดซับสเตรทนี้ 1
8. กรรมวิธีสำรหับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอกนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมฟัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาะวซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 9 อย่าพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH78156A true TH78156A (th) | 2006-06-22 |
TH78156B TH78156B (th) | 2006-06-22 |
TH52089B TH52089B (th) | 2016-10-27 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1720966B1 (en) | Nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions | |
TWI309675B (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
JP4147320B2 (ja) | プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物 | |
TWI300885B (en) | Aqueous stripping and cleaning composition | |
TWI294909B (en) | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates | |
TW556053B (en) | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresist using the same | |
CN1784487B (zh) | 非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物 | |
JP4628209B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
PT1404797E (pt) | Composições alcalinas de limpeza de microelectrónicos isentas de amoníaco aquoso com compatabilidade melhorada com o substrato. | |
JP2004536910A5 (th) | ||
JP2005500408A5 (th) | ||
PT1404795E (pt) | Composições contendo sais de fluoreto sem amoníaco para limpeza de microelectrónica | |
US7393819B2 (en) | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility | |
CN101286017A (zh) | 厚膜光刻胶清洗剂 | |
KR20090076934A (ko) | 기판과의 양립성이 향상된 무암모니아 알칼리 마이크로일렉트로닉 세정 조성물 | |
WO2009073589A1 (en) | Fluoride-free photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
TH78156A (th) | สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิก | |
TH52089B (th) | สารผสมทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิก | |
KR20110028239A (ko) | 평판표시장치 제조용 기판의 세정액 조성물 | |
JP2004348103A (ja) | フォトレジスト剥離剤 |