TH52516B

TH52516B - สารผสมสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกและกำจัดอาร์ค

Info

Publication number: TH52516B
Application number: TH301002083A
Authority: TH
Inventors: เชอร์แมน ฉู นายเชียนปิน
Original assignee: นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายรุทร นพคุณ; นายรุทร นพคุณ
Filing date: 2003-06-05
Publication date: 2016-11-24

Abstract

DC60 (01/09/46) สารผสมสำหรับทำความสะอาดซึ่งเหมาะสำหรับทำความสะอาดโครงสร้างไมโครอิเล็กทรอ นิกที่มีซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริกชนิด (แคปปา) ต่ำ หรือ (แคปปา) สูง และการทำให้เป็นโลหะด้วยทองแดง หรืออลูมิเนียมซึ่งมีตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วซึ่งเลือกมาจากเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และ แอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว และแอลคาไลน์เบสแก่ สารผสมสำหรับทำความสะอาดซึ่งเหมาะสำหรับทำความสะอาดโครงสร้างไมโครอิเล็กทรอ นิกที่มีซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา ต่ำ หรือ แคปปา สูง และการทำให้เป็นโลหะด้วยทองแดง หรืออลูมิเนียมซึ่งมีตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วซึ่งเลือกมาจากเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และ แอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว และแอลคาไลน์เบสแก่

Claims

1. สารผสมสำหรับทำความสะอาดที่ปราศจากซิลิเคตสำหรับทำความสะอาด โฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานไมโครอิเล็กทรอนิก, สารผสมสำหรับทำความสะอาดดังกล่าว ประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วซึ่งเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟเลน ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว; และ แอลคาไลน์เบสแก่; และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบต่าง ๆ ต่อไปนี้หนึ่งชนิดหรือมากกว่า: กรด; ตัวทำละลายร่วมที่ยับยั้งการกัดกร่อน; สารทำให้เกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะ หรือสารทำให้เกิดคีเลต; สารทำให้สารออกซิไดซ์เสถียร; สารยับยั้งการกัดกร่อน; สารยับยั้งการกัดกร่อนของโลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์; สารลดแรงตึงผิว; และ น้ำ 2. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ เลือกมากจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย 1-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)-2-ไพโรลิดิโนน (HEP), ไดเมธิลไพเพอริโดน (DMPD), N-เมธิลไพโรลิดิโนน (NMP), ไดเมธิลอะเซตาไมด์ (DMAc), ไดเมธิลฟอร์มาไมด์ (DMF), ซัลโฟเลน, 3-เมธิลซัลโฟเลน, n-โพรพิลซัลโฟน, n-บิวทิลซัลโฟน, เมธิลซัลโฟน, ซัลโฟลีน, 3-เมธิล ซัลโฟลีน, เอธิลีนไกลคอล, โพรพิลีนไกลคอล, กลีเซอรอล, และเฮกซาฟลูออโรไอโซโพรพานอล 3. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งแอลคาไลน์เบสนี้เลือกมา จากแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, เตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และโคลีนไฮดรอกไซด์ 4. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งแอลคาไลน์เบสนี้เลือกมา จากแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ 5. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ซัลโฟเลน 6. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ซัลโฟเลน 7. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ซัลโฟเลน 8. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ซัลโฟเลน 9. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ เอธิลีนไกลคอล 1 0. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วนี้ คือ ไดเมธิลไพเพอริโดน 1 1. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งสารผสมนี้ยังประกอบรวม ด้วยการมี ทรานส์ -1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีนเตตระอะซีติกแอซิด เป็นสารทำให้เกิดคีเลตกับโลหะ อยู่ในสารผสมนี้อีกด้วย 1 2. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งสารผสมนี้ยังประกอบรวม ด้วยการมี เอธิลีน ไดเอมีน เตตระ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) อยู่ในสารผสมนี้อีกด้วย 1 3. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยซัลโฟเลน, เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีน เตตระอะซีติกแอซิด และ น้ำ 1 4. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยซัลโฟเลน, เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เอธิลีนไดเอมีนเตตระ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด), เอธิลีน ไกลคอล, และน้ำ 1 5. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยซัลโฟเลน, เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีนเตตระอะซีติกแอซิด, เอธิลีนไกลคอล, แคทีคอล และน้ำ 1 6. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยไดเมธิล ไพเพอริโดน, ทรานส์ -1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีนเตตระอะซีติกแอซิด, เตตระเมธิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ และน้ำ 1 7. สารผสมสำหรับทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย เตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดเอมีนเตตระอะซีติกแอซิด และ เอธิลีนไกลคอล 1 8. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 1 9. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 2 2 0. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 3 2 1. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 4 2 2. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 2 3. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 6 2 4. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 7 2 5. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 8 2 6. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 9 2 7. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 10 2 8. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 11 2 9. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 12 3 0. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13 3

1. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 14 3

2. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับ ทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 15 3

3. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับทำ ความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 16 3

4. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์หรือสารตกค้างจากชิ้นงานไมโคร อิเล็กทรอนิก, ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสชิ้นงานกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นเวลาเพียงพอที่จะทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์และสารตกค้างจากชิ้นงานนี้, ซึ่งสารผสมสำหรับทำ ความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วยสารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 17 3

5. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งโครงสร้างไมโครอิเล็กทรอนิกที่จะทำความสะอาด มีลักษณะเฉพาะคือมีการทำให้เป็นโลหะด้วยทองแดงและมีไดอิเล็กทริกซึ่งเลือกมาจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา ต่ำ และไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา สูง 3

6. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 31 ซึ่งโครงสร้างไมโครอิเล็กทรอนิกที่จะทำความสะอาด มีลักษณะเฉพาะคือมีการทำให้เป็นโลหะด้วยทองแดงและมีไดอิเล็กทริกซึ่งเลือกมาจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา ต่ำ และไดอิเล็กทริกชนิด แคปปา สูง