TH47524A - การทำให้ลดลงของปรากฏการณ์ช่องสัญญาณสั้นผกผัน - Google Patents
การทำให้ลดลงของปรากฏการณ์ช่องสัญญาณสั้นผกผันInfo
- Publication number
- TH47524A TH47524A TH101000871A TH0101000871A TH47524A TH 47524 A TH47524 A TH 47524A TH 101000871 A TH101000871 A TH 101000871A TH 0101000871 A TH0101000871 A TH 0101000871A TH 47524 A TH47524 A TH 47524A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- germanium
- short
- channel phenomenon
- shores
- fate
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (23/05/44) เฟตที่มีปรากฏการณ์ช่องสัญญาณสั้นผกผันที่ได้รับการทำให้ลดลงนั้นจะได้รับการอธิบาย ถึง รวมทั้งวิธีการที่จะสร้างเฟตดังกล่าวด้วย เจอร์เมเนียมได้รับการใส่ฝังโดยตลอดซับสเทรตสารกึ่ง ตัวนำที่ความเข้มและปริมาณกำหนดค่าหนึ่ง เพื่อที่ว่า ความเข้มข้นไอออนค่ายอดจะได้รับการสร้าง ขึ้นภายใต้ชอร์สและเดรนของเฟตนั้น เจอร์เมเนียมสามารถได้รับการใส่ฝังก่อนการจัดขึ้นรูปของ เกตและชอร์สและเดรน และทำให้ปรากฏการณ์ช่องสัญญาณสั้นผกผันที่โดยปกติเห็นได้ในเฟตนั้น ลดลง ปรากฏการณ์ช่องสัญญาณสั้นที่เกิดขึ้นโดยทั่วไปในเฟตนั้นจะไม่ได้รับการกระทบในเชิงลบ โดยส่วนใส่ฝังเจอร์เมเนียม เฟตที่มีปรากฎการณ์ช่องสัญญาณสั้นผกผันที่ได้รับการทำให้ลดลงนั้นจะได้รับการอธิบาย ถึง รวมทั้งวิธีการที่จะสร้างเฟตดังกล่าวด้วย เจอร์เมเนียมได้รับการใส่ฝังโดยตลอดซับเสเทรตสารกึ่ง ตัวนำที่ความเข้มและปริมาณกำหนดค่าหนึ่ง เพื่อที่ว่า ความเข้มข้นไอออนค่ายอดจะได้รับการสร้าง ขึ้นภายใต้ชอร์สและเดรนของเฟตนั้น เจอร์เมเนียมสามารถได้รับการใส่ฝังก่อนการจัดขึ้นรูปของ เกตและชอร์สและเดรน และทำให้ปรากฎการณ์ช่องสัญญาณสั้นผกผันที่โดยปกติเห็นได้ในเฟตนั้น ลดลง ปรากฎการณ์ช่องสัญญาณสั้นที่เกิดขึ้นโดยทั่วไปในเฟตนั้นจะไม่ได้รับการกระทบในเชิงลบ โดยส่วนใส่ฝังเจอร์เมเนียม
Claims (2)
1. การปรับปรุงในกรรมวิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ที่มีเกตที่ได้รับการจัดขึ้นรูป อยู่บน และบริเวณการแพร่ซึมที่ได้รับการจัดขึ้นรูปอยู่ใน ซับสเทรตสารกึ่งตัวนำ การปรับปรุงที่ ประกอบรวมด้วย : การใส่ฝังแบบปกคลุมของสารเจือปนที่เป็นกลางเข้าไว้ในซับสเทรตสารกึ่งตัวนำดังกล่าวที่ ปริมาณกำหนดของพลังงานที่เพียงพอเพื่อที่จะใส่ฝังสารเจือปนที่เป็นกลางดังกล่าวที่ความลึกที่มาก กว่าความลึกของบริเวณการแพร่ซึ่งดังกล่าว
2. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ สารเจือปนที่เป็นกลางดังกลแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH47524A true TH47524A (th) | 2001-09-28 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970072485A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| DE102008000141B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines rauscharmen Transistors | |
| KR970013412A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| EP1391939A4 (en) | METHOD FOR PRODUCING A CHANNEL GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
| ATE36094T1 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen herstellen von schnellen kurzkanal- und spannungsfesten mostransistoren in vlsi-schaltungen. | |
| KR970701932A (ko) | 고전압 nmos 장치의 개선된 수행을 위한 연장된 드레인 영역에 인과 비소의 공통 주입(co-implantation of arsenic and phosphorus in extended drain region for improved performance of high voltage nmos device) | |
| KR890001198A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| KR970077399A (ko) | 보상 주입을 가진 반도체 컴포넌트 및 그 제조 방법 | |
| ES8800789A1 (es) | Perfeccionamientos en un dispositivo transistor mos | |
| DE60131334D1 (de) | Halbleiterbauelement mit zweifachem gate und dessen herstellungsverfahren | |
| TH47524A (th) | การทำให้ลดลงของปรากฏการณ์ช่องสัญญาณสั้นผกผัน | |
| US20020011626A1 (en) | RESURF LDMOS integrated structure | |
| WO1998053491A3 (en) | Manufacture of a semiconductor device with a mos transistor having an ldd structure | |
| KR970053097A (ko) | 모스전계효과트랜지스터 제조방법 | |
| KR20050065225A (ko) | 드레인-소스 브레이크다운 전압을 개선한 반도체 소자 및그 제조 방법 | |
| KR940016927A (ko) | 트렌치(Trench) 구조를 이용한 수직 채널을 갖는 모스트랜지스터(MOS-FET) 제조방법 | |
| KR950007129A (ko) | 플레쉬 메모리 및 그 제조방법 | |
| JPS6448464A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5788723A (en) | Semiconductor device | |
| KR910019239A (ko) | 반도체 스태틱 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| KR960035917A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| TW373301B (en) | MOS transistors and the manufacturing method thereof | |
| KR960006076A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR910017667A (ko) | Ldd의 채널링 현상 방지 방법 | |
| KR950030392A (ko) | 트랜지스터 및 그 제조 방법 |