TH42399A - ทรานซิสเตอร์, แถวลำดับของทรานซิสเตอร์, วิธีการผลิตแถวลำดับของทรานซิสเตอร์และหน่วยความจำกึ่งตัวนำแบบไม่ลบเลือน - Google Patents
ทรานซิสเตอร์, แถวลำดับของทรานซิสเตอร์, วิธีการผลิตแถวลำดับของทรานซิสเตอร์และหน่วยความจำกึ่งตัวนำแบบไม่ลบเลือนInfo
- Publication number
- TH42399A TH42399A TH9701005365A TH9701005365A TH42399A TH 42399 A TH42399 A TH 42399A TH 9701005365 A TH9701005365 A TH 9701005365A TH 9701005365 A TH9701005365 A TH 9701005365A TH 42399 A TH42399 A TH 42399A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- gate
- electrode
- floating
- separator layer
- insulating
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (13/03/41) เซลล์หน่วยความจำ จะประกอบด้วย บริเวณของซอร์ส-เดรน, บริเวณช่อง, เกตอิเล็กโทรดแบบลอย และเกตอิเล็กโทรดสำหรับควบ คุม เกตอิเล็กโทรดแบบ ลอยจะถูกวางถัดไปจากกันเหนือบริเวณ ช่องบนชั้นคั่นฉนวนเกต เกตอิเล็กโทรด สำหรับควบคุมจะถูก กำหนดตำแหน่งเหนือเกตอิเล็กโทรดแบบลอยบนชั้นคั่นฉนวน และ ชั้นคั่นฉนวน โดยที่ทั้งสองชั้นจะถูกสร้างขึ้น โดยวิธี LOCOS โหนกจะถูกสร้างขึ้น บนมุมด้านบนของเกตอิเล็กโทรดแบบลอย โดยชั้นคั่นฉนวน ส่วนกลางของเกต อิเล็กโทรดสำหรับควบคุมจะถูก วางเหนือบริเวณช่องบนชั้นคั่นฉนวน เพื่อสร้างเกต สำหรับ เลือก ทรานซิสเตอร์สำหรับเลือก จะประกอบด้วย เกตสำหรับ เลือกนี้ ระหว่างบริเวณของซอร์ส-เดรน ทั้งสองแห่ง เซลล์หน่วยความจำ จะประกอบด้วย บริเวณของซอร์ส-เดรน,บริเวณช่อง,เกตอิเล็กโทรดแบบลอย และเกตอิเล็กโทรดสำหรับควบ คุม เกตอิเล็กโทรดแบบลอยจะถูกวางถัดไปจากกันเหนือบริเวณ ช่องบนชั้นคั่นฉนวนเกต เกตอิเล็กโทรดสำหรับควบคุมจะถูก กำหนดตำแหน่งเหนือเกตอิเล็กโทรดแบบลอยบนชั้นคั้นฉนวน และ ชั้นคั่นฉนวน โดยที่ทั้งสองชั้นจะถูกสร้างขึ้น โดยวิธี LOCOS โหนกจะถูกสร้างขึ้นบนมุมเนบนของเกตอิเล็กโทรดแบบลอย โดยชั้นคั่นฉนวน ส่วนกลางขอเกตอิเล็กโทรดสำหรับควบคุมจะถูก วางเหนือบริเวณช่องบนชั้นคั่นฉนวน เพื่อสร้างเกตสำหรับ เลือก ทรานซิสเตอร์สำหรับเลือก จะประกอบด้วย เกตสำหรับ เลือกนี้ ระหว่างบริเวณของซอร์ส-เดรนทั้งสองแห่ง
Claims (1)
1. ทรานซิสเตอร์ ซึ่งประกอบด้วย เกตอิเล็กโทรดแบบลอยซึ่งประจุไฟฟ้า จะถูกฉีดเข้าไปในนั้น โดยมีส่วนประกอบดังต่อไป นี้คือ บริเวณของซอร์ส-เดรนสองแห่งที่ถูกสร้างขึ้นบน สับสเตรตที่เป็นสารกึ่งตัวนำ, ชั้นคั่นฉนวนบนสับสเตรตที่ เป็นสารกึ่งตัวนำ, เกตอิเล็กโทรดแบบลอยสองตัวที่ถูกสร้าง อยู่ถัดไปจากกัน บนชั้นคั่นฉนวน และถูกวางอยู่ระหว่าง บริเวณของชอร์ส-เดรนสองแห่ง, และเกตอิเล็กโทรดสำหรับควบคุม ร่วมที่ถูกวางบนชั้นบนของเกตอิเล็กโทรดแบบสองตัว ซึ่งความ จุระหว่างเกตอิเล็กโทรดแบบลอย และสับสเตรทที่เป็นสารกึ่ง ตัวนำ จะถแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH42399A true TH42399A (th) | 2001-01-10 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5041886A (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof | |
| US6881626B2 (en) | Method of fabricating a non-volatile memory device with a string select gate | |
| KR930011232A (ko) | 불휘발성 반도체메모리장치 및 그 제조방법 | |
| JPS6046554B2 (ja) | 半導体記憶素子及び記憶回路 | |
| DE60142825D1 (de) | Nichtflüchtige halbleiterspeicheranordnung | |
| WO2002025733A3 (en) | Non-volatile memory cell array and methods of forming | |
| WO2003028112A1 (fr) | Dispositif de circuit integre a semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| TW359041B (en) | Non-volatile semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping | |
| KR920015556A (ko) | 불휘발성 메모리 셀 구조물 및 그 형성방법 | |
| JPH1174389A (ja) | スプリット・ゲート・メモリ装置 | |
| KR950034805A (ko) | 반도체 소자와 그 제조방법 | |
| WO2004023519A3 (de) | Hochdichter nrom-finfet | |
| TW200629574A (en) | Non-volatile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays | |
| JPH10505464A (ja) | 誘電体の厚さが一様でない電気的消去及びプログラム可能な読取専用記憶装置 | |
| JPH0355880A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
| KR960006046A (ko) | 플레쉬 이.이.피.롬의 제조방법 | |
| US6770920B2 (en) | Nonvolatile memory devices | |
| KR950034731A (ko) | 비휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법 | |
| JPH03240275A (ja) | 不揮発性半導体装置 | |
| US5019881A (en) | Nonvolatile semiconductor memory component | |
| TH42399A (th) | ทรานซิสเตอร์, แถวลำดับของทรานซิสเตอร์, วิธีการผลิตแถวลำดับของทรานซิสเตอร์และหน่วยความจำกึ่งตัวนำแบบไม่ลบเลือน | |
| US20070183222A1 (en) | Semiconductor memory device | |
| JP4021410B2 (ja) | 埋め込みフローティングゲートを有するフラッシュメモリーセルと、このようなフラッシュメモリーセルの作動方法 | |
| TW351852B (en) | Process for manufacturing flash memory cell structure | |
| WO1997020337A3 (de) | Festwert-speicherzellenanordnung und verfahren zu deren herstellung |