TH34690A

TH34690A - วัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่ม และแบบหล่อยิปซั่ม

Info

Publication number: TH34690A
Application number: TH9801004034A
Authority: TH
Inventors: ยามาดะ นายโยชิฮิสะ
Original assignee: นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายบุญมา เตชะวณิช; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; โนริทาเกะ โก
Filing date: 1998-10-19
Publication date: 1999-08-27

Abstract

DC60 (24/12/41) วัตถุประสงค์ของการประดิษฐ์คือเพื่อจัดเตรียมแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่งมีความสามารถใน การพอกเซรามิคสเลอรี่ที่ยอด เยี่ยม และความสามารถในการพอกเซรามิคสเลอรี่อย่างสม่ำเสมอ ตลอดพื้นผิวหล่อทั้งหมดของมัน และวิธีการสำหรับการผลิตที่ เหมือนกันและเพื่อจัดเตรียมวัสดุที่หล่อ ขึ้นรูปสำหรับแบบ หล่อยิปซั่ม วัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่มของการประดิษฐ์ นี้ ซึ่งประกอบด้วยยิปซั่มเฮไมไฮ เดรตและยิปซั่มไดไฮเรดตที่ มีอยู่ในวัสดุที่หล่อขึ้นรูปในปริมาณจาก 0.1 ถึง 10% โดยน้ำ หนักสัม พันธ์กับ 100 % โดยน้ำหนักของยิปซั่มเฮไมไฮเดรตวิธี การสำหรับการผลิตแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่งประ กอบด้วยขั้นตอนของ การเตรียมวัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่ง มียิปซั่มเฮไมไฮเดรตและ ยิปซั่มไดไฮเดรตที่มีอยู่ในวัสดุที่ หล่อขึ้นรูปในปริมาณ 0.1 ถึง 10% โดยน้ำหนักสัมพันธ์กับ 100% โดยน้ำหนักของยิปซั่มเฮไมไฮเดรตดังกล่าว. การได้ยิปซั่มสเลอ รี่มาโดยการเติม 65% หรือมาก กว่าของน้ำที่ผสมใหักับวัสดุ ที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่ม. และการหล่อขึ้นรูป แบบหล่อยิปซั่มโดย การหล่อยิปซั่มสเลอรี่เข้าไปในแบบหล่อ สัมประสิทธิการแพร่ของมันอยู่ในช่วง 0.015 ถึง 0.035 ตาราง เซนติเมตร / วินาที วัตถุประสงค์ของการประดิษฐ์คือเพื่อจัดเตรียมแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่งมีความสามารถในการพอกเซรามิคสเลอรี่ที่ยอด เยี่ยม และความสามารถในการพอกเซรามิคสเลอรี่อย่างสม่ำเสมอ ตลอดพื้นผิวหล่อทั้งหมดของมัน และวิธีการสำหรับการผลิตที่ เหมือนกันและเพื่อจัดเตรียมวัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบ หล่อยิปซั่ม วัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่มของการประดิษฐ์ นี้ ซึ่งประกอบด้วยยิปซั่มเฮไมไฮเดรตและยิปซั่มไดไฮเรดตที่ มีอยู่ในวัสดุที่หล่อขึ้นรูปในปริมาณจาก 0.1-10% โดยน้ำ หนักสัมพันธ์กับ 100% โดยน้ำหนักของยิปซั่มเฮไมไฮเดรตวิธี การสำหรับการผลิตแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ การเตรียมวัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่ง มียิปซั่มเฮไมไฮเดรตและยิปซั่มไดไฮเดรตที่มีอยู่ในวัสดุที่ หล่อขึ้นรูปในปริมาณ 0.1-10% โดยน้ำหนักสัมพันธ์กับ 100% โดยน้ำหนักของยิปซั่มเฮไมไฮเดรตดังกล่าว การได้ยิปซั่มสเลอ รี่มาโดยการเติม 65% หรือมากกว่าของน้ำที่ผสมใหักับวัสดุ ที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่ม และการหล่อขึ้นรูป แบบหล่อยิปซั่มโดยการหล่อยิปซั่มสเลอรี่เข้าไปในแบบหล่อ สัมประสิทธิการแพร่ของมันอยู่ในช่วง 0.015-0.039 ตาราง เซนติเมตร/วินาที

Claims

1. วัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่งประกอบด้วยยิปซั่มเฮไมไฮเดรตและยิปซั่มไดไฮเดรตที่มีอยู่ในวัสดุ ที่หล่อขึ้นรูปในปริมาณจาก 0.1-10% โดยน้ำหนักสัมพันธ์กับ 100% โดยน้ำหนักของยิปซั่มเฮไมไฮเดรตดังกล่าว

2. วิธีการสำหรัการผลิตแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่งประกอบด้วยขั้น นอตนของการเตรียมวัสดุหล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่ม ซึ่งมียิปซั่มเฮไมไฮเดรต และยิปซั่มไดไฮเดรตที่มีอยู่ใน วัสดุที่หล่อขึ้นรูปในปริมาณจาก 0.1-10% โดยน้ำหนัก สัมพันธ์กับ 100% โดยน้ำหนักของยิปซั่มเฮไมไฮเดรตดังกล่าว การได้ยิปซั่มสเลอรี่มาโดยการเติม 65% หรือมากกว่าาของน้ำ ที่ผสมกับวัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบหล่อยิปซั่ม และ การ หล่อขึ้นรูปแบบหล่อยิปซั่มโดยการหล่อยิปซั่มสเลอรี่เข้าไป ในแทบบท่อ

3. แบบหล่อยิปซั่มที่หล่อขึ้นรูปโดยการหล่อยิปซั่มสเลอรี่ ซึ่งประกอบด้วยด้วยวัสดุที่หล่อขึ้นรูปสำหรับแบบ หล่อยิปซั่ม ซึ่งมียิปซั่มเฮไมไฮเดรตและยิปซั่มไดไฮเดรตที่ มีอยู่ในวัสดุที่หล่อขึ้นรูปในปริมาณ 0.1-10% โดยน้ำหนัก สัมพันธ์กับ 100% โดยน้ำหนักของยิปซั่มเฮไมไฮเดรตดังกล่าว และ 65% หรือมากกว่าของการผสมน้ำเข้าไปในแบบหล่อ ซึ่งสัม ประสิทธิการแพร่ของแบบหล่อยิปซั่มจะอยู่ในช่วง 0.015-0.035 ตารางเซนติเมตร/วินาที (ข้อถือสิทธิ 3 ข้อ, 1 หน้า, 4 รูป)