TH26640B - คาร์ดที่ประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคอย่างน้อย 1 ส่วน และวิธีการผลิตคาร์ดดังกล่าว - Google Patents

คาร์ดที่ประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคอย่างน้อย 1 ส่วน และวิธีการผลิตคาร์ดดังกล่าว

Info

Publication number
TH26640B
TH26640B TH9301000830A TH9301000830A TH26640B TH 26640 B TH26640 B TH 26640B TH 9301000830 A TH9301000830 A TH 9301000830A TH 9301000830 A TH9301000830 A TH 9301000830A TH 26640 B TH26640 B TH 26640B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
binder
card
clause
specified
layer
Prior art date
Application number
TH9301000830A
Other languages
English (en)
Other versions
TH24258EX (th
TH24258A (th
Inventor
ดรอซ นายฟรานซัวส์
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า นายธเนศ เปเรร่า นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า นายธเนศ เปเรร่า นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH24258EX publication Critical patent/TH24258EX/th
Publication of TH24258A publication Critical patent/TH24258A/th
Publication of TH26640B publication Critical patent/TH26640B/th

Links

Abstract

วัตถุประสงค์หนึ่งของการประดิษฐ์นี้ เกี่ยวข้องกับคาร์ด ซึ่งประกอบด้วย ชิ้นส่วนอิเลคทรอนิค(2)ชิ้นหนึ่ง และขดลวด(42)ขดหนึ่ง ซึ่งที่ปลายต่อตรงกับชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์ โดยทำให้ส่วนหลัง และขดลวดถูกบรรจุอยู่ในวัตถุเชื้อประสาน(10)วัตถุประสงค์ อีกอย่างหนึ่งของการประดิษฐ์เกี่ยวข้องกับคาร์ด ซึ่งประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิค(2)ชิ้นหนึ่ง บรรจุอยู่ในวัตถเชื้อประสาน(10)และโครงสร้างกำหนดตำแหน่ง(46)อันหนึ่ง บรรจุอยู่ในวัตถุเชื้อประสาน(10)และโครงสร้างกำหนดตำแหน่ง(46)อันหนึ่ง สำหรับใช้กับชิ้นส่วนอีเลคทรอนิค นี้ โครงสร้างดังกล่าวนี้อยู่ในชั้น(38)ซึ่งสร้างขึ้นด้วยวัตถุเชิ้อประสานดังกล่าว นอกจากนี้การประดิษฐ์ครั้งนี้ ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตคาร์ดที่สอดคล้องกับการประดิษฐ์

Claims (7)

1.วิธีการผลิตคาร์ด(1;31;61;81;101)ซึ่งประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์(2;125)อย่างน้อยหนึ่งชิ้น ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่าประกอบไปด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ IA)นำชั้นนอกที่หนึ่ง(4;110)ซึ่งสร้างด้วยวัสดุของแข็งอันหนึ่งมาวางบนพื้นผิวทำงาน IB)วางชิ้นส่วนอิเล็คทรอนิคส์(2;125)ดังกล่าวลงบนชั้นนอกที่หนึ่ง(4;110)ดังกล่าว IC)นำวัตถุเชื้อประสานวางบนชั้นนอกที่หนึ่งดังกล่าว ID)นำชั้นนอกที่สอง(6;102)ซึ่งทำด้วยวัสดุของแข็งมาวางลงบนวัตถุเชื้อประสานดังกล่าว และให้หันหน้าเข้าหาชั้นนอกที่หนึ่งดังกล่าว ขั้นตอนข้างบนติดตามด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ IE)ใช้แรงดันบีชั้นนอกที่หนึ่งและที่สอง(4;110และ6;102)และวัตถุเชื้อประสานดังกล่าว แล้วให้อย่างน้อยบางส่วนอยู่ในสถานะที่ไม่เป้นของแข็ง จนกระทั่งชั้นนอกที่หนึ่ง และสองนี้อยู่ในตำแหน่งที่ห่างกันเป็นระยะเท่าที่กำหนดไว้ล่วงหน้า แล้ววัตถุเชื้อประสานดังกล่าวจึงก่อตัวกันระหว่างชั้นนอกที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าวเป็นชั้นกลาง(8;38;58;88)ชั้นหนึ่ง ที่ซึ่งชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์ดังกล่าวถูกประกอบด้วย IX)วัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าวที่ทำให้แข็งเพื่อว่าให้ชั้นกลางดังกล่าวเป็นของแข็งแล้วส่วนหลังมีความหนาเท่าที่กำหนดไว้ล่วงหน้า IF)การตัดตามรูปร่างพื้นผิวของคาร์ดดังกล่าวเพื่อว่าทำให้เกิดผนังด้านข้างของคาร์ดนั้น 2.วิธีการผลิตคาร์ด(94)ซึ่งประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์(2)อย่างน้อยหนึ่งชิ้น ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า ประกอบไปด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ IB)วางชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์ดังกล่าวลงบนผิวหน้าทำงาน IC)นำวัตถุเชื้อประสาน(10)วางบนผิวหน้าทำงานดังกล่าว โดยผิวหน้าทำงานนี้ไม่เกาะติดกับวัตถุเชื้อประสานดังกล่าว ขั้นตอนดังกล่าวข้างบนติดตามด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ IE)ใช้แรงดันบีบบนวัตถุเชื้อประสานดังกล่าว แล้วให้อย่างน้อยบางส่วนอยู่ในสถานะที่ไม่เป็นของแข็ง ในทิศทางที่เข้าหาผิวหน้าทำงานดังกล่าว โดยใช้เครื่องเพรสช่วย เครื่องเพสนี้มีผิวสัมผัสกับวัตถุเชื้อประสานดังกล่าว แต่ไม่เกาะติดกัน โดยทำการบีบจนกระทั่งวัตถุเชื้อประสานดังกล่าว ก่อตัวเป็นชั้น(95)ชั้นหนึ่งที่ซึ่งชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์ดังกล่าวถูกประกอบด้วย IX)วัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าวที่ทำให้แข็งเพื่อว่าให้ชั้นกลางดังกล่าวเป็นของแข็งแล้วส่วนหลังมีความหนาเท่าที่กำหนดไว้ล่วงหน้า IF)การตัดตามรูปร่างพื้นผิวของคาร์ดดังกล่าวเพื่อว่าทำให้เกิดผนังด้านข้างของคาร์ดนั้น 3.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า ประกอบด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ ก่อนขั้นตอน IE IG)นำโครงสร้างจัดตำแหน่ง(46;62;90;112)อันหนึ่งซึ่งระบุขอบเขตของโซนภายใน(48;63;118)โซนหนึ่ง เพื่อใช้กำหนดตำแหน่งของชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์(2)ดังกล่าว โดยให้ชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์ดังกล่าวอยู่ในโซนภายในดังกล่าว 4.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า โซนภายในดังกล่าวถูกระบุขอบเขตโดยช่องเปิดหลัก(48;63)ช่องหนึ่งจัดให้มีอยู่ในโครงสร้างจัดตำแหน่ง(46;62;90)ดังกล่าว 5.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า โครงสร้างจัดตำแหน่ง(46)ดังกล่าว มีรูปร่างราบแบน และมีความหนาน้อยกว่าความหนาที่ระบุไว้ล่วงหน้าแล้วของชั้น(38)ดังกล่าว ซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยวัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว 6.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า โครงสร้างจัดตำแหน่ง(62;112)ดังกล่าว เมื่อนำมาใส่จะมีเกลียวระบายบนผิวหน้าด้านล่างของมันในแนวราบที่ขนานกับผิวหน้าทำงานดังกล่าว 7.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า โครงสร้างจัดตำแหน่ง(62;112)ดังกล่าว เมื่อนำมาใส่จะมีเกลียวระบายบนผิวหน้าด้านบนของมันในแนวราบที่ขนานกับผิวหน้าทำงานดังกล่าว 8.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า วัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว ที่ถูกใส่เข้าไปในสภาพของเหลวซึ่งมีความเหนียวสูง 9.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า วัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว เมื่อใส่เข้าไปอยู่ในสภาพของเรซิน โดยเรซินที่ถูกนำเข้าด้วยอุณหภูมิที่ไม่เปลี่ยนแปลงและแข็งตัวที่อุณหภูมิห้อง ระหว่างขั้นตอน IE และ IF ดังกล่าว 1 0.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ถึง 7 และข้อ 8 หรือ 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า การใส่วัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว ถูกแบ่งใส่เป็นสองระยะ ระยะที่หนึ่งประกอบด้วยการใส่วัตถุเชื้อประสานส่วนที่หนึ่งก่อนถึงขั้นตอน IB และ IG ดังกล่าว และระยะที่สองประกอบด้วยการใส่วัตถุเชื้อประสาน(10)ส่วนที่สองดังกล่าวหลังจากขั้นตอน IG ดังกล่าว 1 1.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า อย่างน้อยส่วนหนึ่งของวัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว ถูกใส่เข้าไปในสภาพแผ่นบางที่เป็นของแข็งแผ่นหนึ่ง โดยหลังจากนั้นแผ่นบางนี้อย่างน้อยบางส่วนถูกหลอมละลายโดยการให้พลังงานเข้าไปก่อนขั้นตอน IE ขั้นตอนของการทำให้แข็งตัวดังกล่าวประกอบด้วยการทำให้วัตถุเชื้อประสานดังกล่าวเย็นตัว 1 2.วิธีการดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า วัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว ถูกใส่เข้าไปในสภาพแผ่นบางที่เป็นของแข็งสองแผ่น โดยประกบอยู่บนสองข้างของโครงสร้างจัดตำแหน่ง(46;62;90)ดังกล่าว หลังจากนั้นแผ่นบางทั้งสองนี้อย่างน้อยบางส่วนถูกหลอมละลายโดยการให้พลังงานเข้าไปก่อนขั้นตอนที่ IE ขั้นตอนของการทำให้แข็งตัวดังกล่าวประกอบด้วยการทำให้วัตถุเชื้อประสานดังกล่าวเย็นตัว 1 3.วิธีการของการผลิตคาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า ประกอบด้วยขั้นตอนย่อย และขั้นตอนถัดไปดังต่อไปนี้ II)นำขั้นนอกที่หนึ่งและที่สอง(4 และ 6)ซึ่งต่างก็ทำด้วยของแข็ง IJ)นำชั้นดังกล่าวซึ่งสร้างขึ้นด้วยวัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว เข้าไประหว่างขั้นนอกที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าว IK)ให้พลังงานซึ่งทำหน้าที่หลอมละลายอย่างน้อยบริเวณผิวหน้าของชั้นดังกล่าว ที่ถูกสร้างด้วยวัตถุเชื้อประสานดังกล่าวเพื่อที่จะให้เกิดการเกาะติดกันของชั้นดังกล่าว กับชั้นนอกที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว โดยชั้นนี้หลังจากการเย็นตัวแล้วก่อตัวเป็นชั้นกลาง(8;38;58;88)ชั้นหนึ่งอยู่ระหว่างชั้นนอกที่หนึ่งและที่สองนี้ 1 4.วิธีการของการผลิตคาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า ประกอบด้วยขั้นตอนย่อย และขั้นตอนถัดไปดังต่อไปนี้ III)นำขั้นนอกที่หนึ่งและที่สอง ซึ่งแต่ละอันมีผิวหน้าด้านหนึ่งวางบนแผนฟิล์มของกาว IIJ)นำชั้นดังกล่าวซึ่งสร้างขึ้นด้วยวัตถุเชื้อประสาน (10) ดังกล่าว เข้าไประหว่างขั้นนอกที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าว IIK)ทำให้แผ่นฟิล์มกาวแต่ละแผ่นแข็งตัว เพื่อให้ชั้นนอกที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าว ติดแน่นกับชั้นดังกล่าว ซึ่งสร้างด้วยวัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว 1 5.วิธีการของการผลิตคาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้นซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า มีการวองกรอบทำงานอันหนึ่งลงบนพื้นผิวทำงานดังกล่าว วัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว ถูกใส่ลงภายในกรอบทำงานดังกล่าว โดยกรอบทำงานนี้ยอมให้วัตถุเชื้อประสานดังกล่าวซึมผ่านได้เมื่อส่วนหลังนี้อยู่ภายใต้แรงกดดันที่สูงกว่าปกติ และทำให้วัตถุเชื้อประสานส่วนที่เกินสามารถหนีออกได้ในระหว่างขั้นตอน IE ดังกล่าว 1 6.คาร์ด(1)ที่ถูกได้รับตามวิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์(2)ชิ้นหนึ่งเป็นอย่างน้อย,ขดลวด(12)ขดหนึ่ง และชั้น(8)ชั้นหนึ่งซึ่งสร้างขึ้นโดย วัตถุเชื้อประสาน(10)ชิ้นหนึ่ง โดยคาร์ดนี้มีลักษณะพิเศษที่ว่า ขดลวดดังกล่าวมีปลายสองข้างสำหรับเชื่อมโยงโดยตรงทางไฟฟ้า เข้ากับชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์ดังกล่าวโดยส่วนหลังและขดลวดประกอบกันเป็นวงจร(14)วงหนึ่ง ที่ฝังอยู่ในวัตถุเชื้อประสานดังกล่าวซึ่งก่อตัวเป็นชั้นดังกล่าว 1 7.คาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า คาร์ดนี้ประกอบด้วยชั้นนอกที่หนึ่ง(4)ชั้นหนึ่ง และชั้นนอกที่สอง(6)ชั้นหนึ่ง ชั้น (8)ดังกล่าว ซึ่งสร้างขึ้นด้วยวัตถุเชื่อประสานดังกล่าวทำตัวเป็นชั้นกลางชั้นหนึ่งอยู่ระหว่างชั้นนอกที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าว วัตถุเชื้อประสานดังกล่าวค้ำประกันแรงเกาะติดของชั้นนอกที่หนึ่ง และ ที่สองนี้กับชั้นกลางดังกล่าว 1 8.คาร์ด (31;61;81;94)ที่ถูกได้รับตามวิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 3 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเล็คทรอนิคส์(2)ชิ้นหนึ่งเป็นอย่างน้อย,ชั้น (38;58;88;95)ชั้นหนึ่ง ที่ถูกสร้างขึ้นด้วยวัตถุเชื้อประสาน(10)ชิ้นหนึ่ง ซึ่งชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์ดังกล่าวฝังอยู่ภายในคาร์ดดังกล่าวมีลักษณะพิเศษที่ว่าประกอบต่อไปด้วยโครงสร้างจัดตำแหน่ง(46;62;90)อันหนึ่งอยู่ภายชั้นดังกล่าว(38;58;88;95)ที่สร้างขึ้นโดยวัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว โครงสร้างจัดตำแหน่งนี้มีช่องเปิดหลักอย่างน้อยหนึ่งช่อง เป็นตัวระบุโซนภายในโซนหนึ่ง ซึ่งภายในเป็นที่บรรจุชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์(2)ดังกล่าว 1 9.คาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 18 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่าโซนภายในดังกล่าวถูกสร้างขึ้นโดยช่องเปิดหลัง(48;63)ที่เป็นทางผ่านโครงสร้างจัดตำแหน่ง(46;62;90)ดังกล่าว 2 0.คาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 18 หรือ 19 ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่า ประกอบด้วยขดลวด(12;42)ขดหนึ่ง,ซึ่งสองปลายถูกเชื่อมโยงโดยตรงเข้ากับชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์(2)ดังกล่าวโดยส่วนหลังร่วมกับขดลวดดังกล่าว รวมตัวกันเป็นวงจรหนึ่ง(14)ห่อหุ้มอยู่ภายในวัตถุเชื้อประสาน(10)ดังกล่าว 2
1.คาร์ด(31;61;81)ดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 18 ถึง 20 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่าประกอบด้วยชั้นนอกที่หนึ่ง และสอง(4 และ 6)ชั้น(38;58;88)ดังกล่าวซึ่งสร้างด้วยวัตถุเชื้อประสานดังกล่าว ที่ประกอบเป็นชั้นกลางที่หนึ่งระหว่างชั้นนอกที่หนึ่ง และสองดังกล่าว โดยอย่างน้อยส่วนใหญ่ของผิวด้านใน(59;60)ของแต่ละชั้นนอกที่หนึ่ง และสองดังกล่าว ถูกคลุมด้วยวัตถุเชื้อประสานดังกล่าว โดยส่วนหลังค้ำประกันการเกาะติดของชั้นนอกที่หนึ่ง และสองนี้กับชั้นกลางดังกล่าว 2
2.คาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 18 ถึง 21 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่าโครงสร้างจัดตำแหน่ง(62)ดังกล่าวถูกสร้างด้วยโครงสร้างขนาดบางอันหนึ่งซึ่งมีเกลียวระบาย(68)บนผิวหน้าด้านล่าง(64) 2
3.คาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 18 ถึง 22 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่าโครงสร้างจัดตำแหน่ง(62)ดังกล่าวซึ่งมีเกลียวระบายบนผิวหน้าด้านบน(66) 2
4.คาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 18 ถึง 21 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่าโครงสร้างจัดตำแหน่ง(90)ถูกสร้างขึ้นด้วยโครงสร้างเซลลูลาร์อันหนึ่ง 2
5.คาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 18 ถึง 21 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่าโครงสร้างจัดตำแหน่ง(90)ถูกสร้างขึ้นด้วยวัสดุที่พองตัว 2
6.คาร์ดดังที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 18 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีลักษณะพิเศษที่ว่าโครงสร้างจัดตำแหน่ง(62)ดังกล่าว มีลักษณะเป็นกรอบทั่วไป 2
7.คาร์ด(101)ที่ถูกได้รับตามวิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์(125)อย่างน้อยหนึ่งชิ้น ฝังอยู่ในวัตถุเชื้อประสาน(10)ชิ้นหนึ่งซึ่งก่อตัวเป็นคาร์ดดังกล่าวบางส่วน โดยส่วนหลังมีลักษณะพิเศษที่ว่ายังประกอบต่อไปด้วยฐาน(106)อันหนึ่งซึ่งก่อตัวโดยฐานล่าง(110)อันหนึ่ง ซึ่งเป็นตัวระบุขอบเขตของชั้นนอกที่หนึ่ง และโดยโครงสร้างจัดตำแหน่ง(112)อันหนึ่ง ที่ยื่นออกมาจากฐานล่างนี้ วัตถุเชื้อประสานดังกล่าวปกคลุมอยู่เหนือส่วนใหญ่ของฐานล่างดังกล่าวเป็นอย่างน้อยเพื่อก่อรูปชั้นของคาร์ด โครงสร้างจัดตำแหน่ง(112)ดังกล่าว เป็นตัวระบุขอบเขตของโซนภายใน(118)โซนหนึ่ง ซึ่งภายในเป็นที่บรรจุชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคส์(125)ดังกล่าว
TH9301000830A 1993-05-18 คาร์ดที่ประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคอย่างน้อย 1 ส่วน และวิธีการผลิตคาร์ดดังกล่าว TH26640B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH24258EX TH24258EX (th) 1997-03-19
TH24258A TH24258A (th) 1997-03-19
TH26640B true TH26640B (th) 2009-09-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69301760T3 (de) Mindestens einen elektronischen Baustein enthaltende Karte und Verfahren zur Herstellung der Karte
DE4243654C2 (de) Dünne IC-Karte
US3817806A (en) Method for prestressing reinforced thermoset resins
WO1997031393A1 (en) Method of making an air tight cavity in an assembly package
JPH07506782A (ja) 少くとも一つの電子構成要素を有するカードの製造方法,および該製造方法によって得られるカード
DE102008049406A1 (de) Elektronische Schaltungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
TH26640B (th) คาร์ดที่ประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคอย่างน้อย 1 ส่วน และวิธีการผลิตคาร์ดดังกล่าว
TH24258A (th) คาร์ดที่ประกอบด้วยชิ้นส่วนอิเลคทรอนิคอย่างน้อย 1 ส่วน และวิธีการผลิตคาร์ดดังกล่าว
DE19721378C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Metall-Kunststoff-Verbundelementen
JPH0464468B2 (th)
EP0562388B1 (de) Herstellverfahren und Herstellvorrichtung für Trägerelemente mit IC-Bausteinen in Ausweiskarten
JPS5591839A (en) Production of electronic parts
EP1436777B1 (de) Verfahren zur herstellung eines datenträgers sowie nach diesem verfahren hergestellter datenträger
DE10248383B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Spritzgußkarten, Spritzgußwerkzeug und Spritzgußkarte
DE4317184C1 (de) Verfahren zum Herstellen von Chipkarten aus Kunststoffmaterial
CN103370181B (zh) 用于在制造电子装置时将电子组合件附接到底部覆盖层的方法
DE2446869C2 (de) Umhüllen eines Gegenstandes
ATE23592T1 (de) Verfahren zur herstellung von konstruktionsplatten hergestellte platten und vorrichtung zur ausfuehrung des verfahrens.
JPS5820428A (ja) 枠体の製造方法
KR100628154B1 (ko) 판상부재들의 접착 구조 및 방법
DE19928522A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Chipkarten
JPS6152958A (ja) 反転石膏モデルの製作方法
DE60008779T2 (de) Verbindungsverfahren von verstärkungselementen mit klebstoff und durch dieses verfahren hergestellte vorrichtung
JPS5921608B2 (ja) 洋食器の把柄の製造方法
JP3056167B2 (ja) 積層体の製造方法及びはとめ